JP2015179725A - 基板処理装置、基板処理方法、および流体吐出ユニット - Google Patents

Abstract

【課題】引き揚げ乾燥方式の基板処理装置において、基板に処理ガスを効率的に提供することを目的とする。
【解決手段】ノズルユニット４０は、処理ガスを吐出する供給孔４１１と、供給孔４１１の開口面積を調整する開口調整部４２と、回転駆動部４４を有する。回転駆動部４４により開口調整部４２と供給孔４１１とを回転中心軸Ａ１を中心に相対的に回転させ、供給孔４１１の開口を開口調整部４２により少なくとも一部遮蔽する。これにより、供給孔４１１において処理ガスが流通する開口面積を制御でき、処理ガスを供給孔から吐出する際、供給管５７からノズルユニット４０へ供給する処理ガスの流量が一定でも、処理ガスの吐出速度を調整することができる。
【選択図】図５

Description

本発明は、処理液中に浸漬することによる、洗浄・エッチング等の処理が終了した半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板等（以下、単に「基板」と記載する）に対して、乾燥処理を行う基板処理技術に関する。

従来より、基板の製造工程においては、フッ酸等の薬液による処理および脱イオン水（Ｄｅ Ｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ、以下、「ＤＩＷ」と記載する）による洗浄処理を順次行った後、ＤＩＷから基板を引き出しつつイソプロピルアルコール（ＩｔｈｏＰｒｏｐｙｌ Ａｌｃｏｈｏｌ、以下、「ＩＰＡ」と記載する）等の有機溶剤の蒸気を基板の周辺に供給して乾燥処理を行う基板処理装置が用いられている。特に、基板上に形成されるパターンの構造の複雑化、微細化が進展している近年においては、ＩＰＡ等の蒸気を供給しつつＤＩＷから基板を引き揚げる引き揚げ乾燥方式が主流になりつつある。

従来の引き揚げ乾燥方式の基板処理装置は、図１に示すようにＤＩＷによる洗浄処理を行う処理槽１０３を収容器１００の内部に収容している。処理槽１０３における基板Ｗの洗浄処理終了後に、収容器１００内に窒素ガスを供給しつつ基板Ｗを昇降機構１０４によって処理槽１０３から引き揚げてから、図１中の矢印１０２に示すように、供給ノズル１０１からＩＰＡ蒸気を含む気体を吐出する。これにより、収容器１００内がＩＰＡ蒸気を含む気体で満たされて、基板ＷにＩＰＡが凝縮し、それが気化することにより、基板Ｗの乾燥処理が行われる（例えば、特許文献１参照）。

特開昭６２−１９８１２６号公報 特開２００４−１１９５９１号公報 特開２００４−１１９７１１号公報

上記の引き揚げ乾燥方式の基板処理装置において、基板周辺におけるＩＰＡ等の蒸気の濃度は、乾燥後の基板品質に対して大きな影響を与える。例えば、蒸気の濃度が低いと、基板に付着した水等が十分にＩＰＡ等の蒸気と置換されず基板上に残留することに起因して、基板にウォーターマークが発生するおそれがある。したがって、基板の乾燥処理の際には、基板周辺におけるＩＰＡ等の蒸気濃度を高く保つ必要がある。ここで、蒸気濃度を高く保ちつつ、ＩＰＡ蒸気の消費量の増加を抑制するために、基板へ効率的にＩＰＡ蒸気を含む気体を供給する技術が開示されている。

例えば、特許文献２や、特許文献３では、基板を収容する収容器内の一部のスペースに対して、供給ノズルから吐出方向に一定以上の流速を有するＩＰＡ蒸気を含む気体を供給することで、ＩＰＡ蒸気を含む気体の気流域を形成し、この気流域を基板が通過することで、基板にＩＰＡ蒸気を効率よく供給する技術が開示されている。

上記の技術は、基板に対して集中的にＩＰＡ蒸気や窒素ガスなどの処理ガスを供給する技術であり、収容器の排気や、基板の昇降動作の影響により、気流域を安定的に形成するのが困難な場合もある。また、気流域を形成するために、処理ガスの流量や、吐出速度等の供給条件を調整する必要があるが、従来の技術では、これらの条件を各処理ガスの供給源やバルブなど、処理ガスが供給孔に至る前の段階にて制御していた。

本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、各々の処理に好適な処理ガスの吐出速度を得ることができ、処理ガスを効率的に使用することができる基板処理装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本願の第１発明に係る基板処理装置は、基板に付着した処理液を処理ガスにより除去することで、基板の乾燥処理を行う基板処理装置であって、基板の搬出入口を有する収容器と、前記収容器内において、基板を保持する基板保持部と、前記収容器内において、前記基板保持部を昇降させる昇降手段と、前記収容器内に設けられ、前記処理ガスを供給孔から吐出する処理ガス吐出ユニットとを備え、前記処理ガス吐出ユニットは、前記供給孔の開口を少なくとも一部遮蔽する開口調整部と、前記供給孔と前記開口調整部とを相対的に移動させる移動手段と、前記移動手段を制御し、前記開口調整部が前記供給孔の開口を遮蔽する面積を制御する制御部とを有する。

本願の第２発明は、第１発明に係る基板処理装置であって、前記収容器内に、前記基板を処理する前記処理液を貯留する処理槽をさらに備え、前記昇降手段は、前記処理槽内において前記基板を前記処理液に浸漬する位置と、前記基板の搬出入を行う位置との間で、前記基板保持部を昇降させる。

本願の第３発明は、第１発明または第２発明に係る基板処理装置であって、前記処理ガス吐出ユニットは、前記供給孔を管の筒側面に有する中空構造のノズル管を有する。

本願の第４発明は、第３発明に係る基板処理装置であって、前記開口調整部は、一部に開口を有する中空構造の管であり、前記処理ガス吐出ユニットにおいて前記ノズル管と前記開口調整部は、二重管であり、前記処理ガスは、前記二重管の内管を流通する。

本願の第５発明は、第３発明または第４発明に係る基板処理装置であって、前記開口調整部は、前記ノズル管と摺動可能に当接する。

本願の第６発明は、第４発明または第５発明に係る基板処理装置であって、前記移動手段は、前記ノズル管と前記開口調整部とを相対的に回転させる。

本願の第７発明は、第６発明に係る基板処理装置であって、前記制御部は、前記ノズル管と前記開口制御部との相対的な回転の角度により、前記供給孔の開口を遮蔽する面積を制御する。

本願の第８発明は、第３発明ないし第７発明のいずれかに係る基板処理装置であって、前記ノズル管は前記供給孔を複数有し、前記開口調整部は、複数の前記供給孔のうち一部の供給孔を遮蔽する。

本願の第９発明は、第１発明ないし第８発明のいずれかに係る基板処理装置であって、前記収容器内の気体を排出する排出ユニットをさらに備える。

本願の第１０発明は、第１発明ないし第９発明のいずれかに係る基板処理装置であって、前記制御部は、前記供給孔が前記基板の方向を向くように、前記移動手段を制御する。

本願の第１１発明は、第１発明ないし第１０発明のいずれかに係る基板処理装置であって、前記処理ガスは、窒素ガス、または有機溶剤の蒸気のうち、少なくとも１種類の気体を含む。

本願の第１２発明は、第１１発明に係る基板処理装置であって、前記有機溶剤は、イソプロピルアルコールである、基板処理装置。

上記課題を解決するため、本願の第１３発明に係る基板処理方法は、基板に付着した処理液を処理ガスにより除去することで、基板の乾燥処理を行う基板処理方法であって、基板の搬出入口を有する収容器に、前記基板を搬入する工程と、前記収容器内において、基板を保持する基板保持工程と、前記収容器内において、前記基板を昇降する昇降工程と、前記収容器内に前記処理ガスを供給孔から吐出する処理ガス吐出工程と、前記供給孔の開口を少なくとも一部遮蔽する開口調整部と前記供給孔とを相対的に移動させ、前記供給孔の開口を少なくとも一部遮蔽する開口調整工程とを備える。

本願の第１４発明は、第１３発明に係る基板処理方法であって、前記開口調整工程は、前記供給孔を管の筒側面に有する中空構造のノズル管と、一部に開口を有する中空構造の前記開口調整部との二重管において、前記ノズル管と前記開口調整部とを相対的に回転させる。

上記課題を解決するため、本願の第１５発明に係る流体吐出ユニットは、流体を供給孔から吐出する流体吐出ユニットであって、前記供給孔の開口を少なくとも一部遮蔽する開口調整部と、前記供給孔と前記開口調整部とを相対的に移動させる移動手段と、前記移動手段を制御し、前記開口調整部が前記供給孔の開口を遮蔽する面積を制御する制御部とを備え、前記供給孔は、中空構造のノズル管の筒側面に設けられ、前記開口調整部は、一部に開口を有する中空構造の管であり、前記ノズル管と前記開口調整部は、二重管であり、前記流体は、前記二重管の内管を流通する。

本願の第１６発明は、第１５発明にかかる流体吐出ユニットであって、前記開口調整部は、前記ノズル管と摺動可能に当接する。

本願の第１７発明は、第１５発明または第１６発明に係る流体吐出ユニットであって、前記移動手段は、前記ノズル管と前記開口調整部とを相対的に回転させ、前記制御部は、前記ノズル管と前記開口制御部との相対的な回転の角度により、前記供給孔の開口を遮蔽する面積を制御する。

本願の第１８発明は、第１５発明ないし第１７発明のいずれかに係る流体吐出ユニットであって、前記ノズル管は前記供給孔を複数有し、前記開口調整部は、複数の前記供給孔のうち一部の供給孔を遮蔽する。

本願の第１発明から第１４発明によれば、処理ガスを吐出する供給孔の開口面積を調整することで、基板における各々の処理に好適な処理ガスの吐出速度等の吐出条件を制御することができ、処理ガスを効率的に使用することができる。

特に、本願の第２発明によれば、同一の基板処理装置において、基板に対して処理液を用いた湿式処理を併せて行うことができ、湿式処理の後、速やかに処理ガスを用いた処理を基板に施すことができる。

本願の第１５発明から第１８発明によれば、二重管構造を有する流体吐出ユニットを用いて、開口調整部により供給孔を遮蔽するという簡素な構成により、流体を吐出する供給孔の開口面積を調整することで、各々の処理に好適な流体の吐出速度等の吐出条件を制御することができ、流体を効率的に使用することができる。

特許文献１の基板処理装置における乾燥処理の様子を示した図である。 本発明の第１実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す正面図である。 本発明の第１実施形態に係る基板処理装置内部の概略構成を示す上面図である。 図３のＬ−Ｌ'線を含むＸＺ面における断面図である。 本発明の第１実施形態に係るノズルユニットの構成を示す模式図である。 図５のノズルユニットにおける開口調整部の構成を示す模式図である。 図５のノズルユニットにおける概略断面図である。 供給孔の開口の様子を示す模式図である。 供給孔の開口の様子を示す模式図である。 供給孔の開口の様子を示す模式図である。 処理ガスの吐出速度と収容器内における処理ガス濃度との関係を数値解析により求めた結果を示す図である。 処理ガスの吐出速度と収容器内における処理ガス濃度との関係を数値解析により求めた結果を示す図である。 第１実施形態に係る基板処理装置の動作を示すフローチャートである。 本発明の第２実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す正面図である。 本発明の第２実施形態に係るノズルユニットにおける概略断面図である。 第２実施形態に係る基板処理装置の様子を示す模式図である。 第２実施形態に係る基板処理装置の様子を示す模式図である。 第２実施形態に係る基板処理装置の様子を示す模式図である。 本発明の変形例に係るノズルユニットの概略構成を示す斜視図である。 本発明の変形例に係るノズルユニットの概略構成を示す斜視図である。

以下の説明において、基板とは、半導体基板、フォトマスク用ガラス基板、液晶表示用ガラス基板、プラズマ表示用ガラス基板、ＦＥＤ（Ｆｉｅｌｄ Ｅｍｉｓｓｉｏｎ Ｄｉｓｐｌａｙ）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板等の各種基板をいう。

以下、本発明の実施の形態を、半導体基板の処理に用いられる基板処理装置を例に採って図面を参照して説明する。なお、本発明は、半導体基板の処理に限らず、液晶表示器用のガラス基板等の各種の基板の処理にも適用することができる。

＜第１実施形態＞
図２、図３および図４は、本発明に係る基板処理装置１の概略構成を示す図である。以下、基板処理装置１について、図２、図３および図４を適宜用いて説明する。なお、各図には方向関係を明確にするため、Ｚ軸を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とする座標系を適宜付している。また、各座標系において、矢印の先端が向く方向を＋（プラス）方向とし、逆の方向を−（マイナス）方向とする。

＜１−１．基板処理装置の全体構成＞
図２は基板処理装置１の概略構成を示す正面図であり、図３は基板処理装置１の内部における概略構成を示す上面図である。また、図４は図３の基板処理装置１におけるＬ−Ｌ'線を含むＸＺ面からみた断面図である。基板処理装置１は、半導体基板等の基板Ｗ（以下、単に「基板Ｗ」と記載する）をエッチングするためのエッチング処理や、基板Ｗに付着しているパーティクル等の汚染物質を除去する洗浄処理等の湿式処理と、湿式処理が終了した基板Ｗを乾燥するための乾燥処理に用いられる基板処理装置である。

本実施形態における基板処理装置１は、フッ酸等の薬液による処理およびＤＩＷによる洗浄処理（以下、これらの処理を適宜「湿式処理」と総称する）が終了した基板Ｗを、有機溶剤であるＩＰＡにより乾燥させる装置である。基板処理装置１は、主として収容器１０と、処理槽２０と、昇降機構３０と、ノズルユニット４０と、供給ユニット５０と、排出ユニット６０と、制御部９０とを備える。

収容器１０は、その内部に処理槽２０、昇降機構３０、ノズルユニット４０等を収容する筐体である。収容器１０の上部１１は、概念的に図示されたスライド式開閉機構１２に連結しており、スライド式開閉機構１２は、制御部９０と電気的に接続されている。スライド式開閉機構としては、公知の摺動部材やエアシリンダ等が用いられる。制御部９０がスライド式開閉機構１２へ動作指令を行うと、スライド式開閉機構１２が上部１１を水平にスライドさせる。これにより、収容器１０における上部１１の開放と閉鎖が可能となる。なお、図３、図４では、このスライド式開閉機構１２を図示省略する。収容器１０の上部１１を開放した状態では、その開放部分から基板Ｗの搬出入を行うことができる。一方、収容器１０の上部１１を閉鎖した状態では、その内部を略密閉空間とすることができる。

処理槽２０は、フッ酸等の薬液、または脱イオン水（Ｄｅ Ｉｏｎｉｚｅｄ Ｗａｔｅｒ、以下、「ＤＩＷ」と記載する）などの処理液を貯留して基板Ｗに順次湿式処理を行う槽であり、石英や耐薬性の樹脂により構成される。処理槽２０は、開口部２１を上部１１に向けて、収容器１０の内部に収容されている。処理槽２０の底部近傍には処理液吐出ノズル（図示省略）が配置されており、図外の処理液供給源からその処理液吐出ノズルを介して処理槽２０内に処理液を供給することができる。処理液の液面２２が開口部２１の高さを超えると、処理液は処理槽２０の開口部２１から溢れ出る。開口部２１から溢れ出た処理液は、収容器１０の内部に設けられた図示しない排液管を通って、排液ラインに排出される。また、処理槽２０では、後述の排液バルブ６１を開成することで、処理槽２０内に貯留された処理液を排出することが可能である。

昇降機構３０は、処理槽２０に貯留されている処理液への、一組の複数の基板Ｗ（以下、一組の複数の基板Ｗを適宜「ロット」と記載する）の浸漬や、処理液に浸漬させたロットの引き揚げを行う機構である。昇降機構３０は、主に、リフタアーム３１と、リフタアーム３１の昇降を行う昇降駆動部３３と、リフタアーム３１を昇降駆動部３３に連結するシャフト３２と、基板Ｗを保持する３本の保持棒３４、３５、３６とを備える。

３本の保持棒３４、３５、３６のそれぞれには基板Ｗの外縁部がはまり込んで基板Ｗを起立姿勢にて保持する複数の保持溝が所定間隔にてＸ方向に配列して設けられている。なお、それぞれの保持溝は、切欠状の溝である。３本の保持棒３４、３５、３６はリフタアーム３１に固設される。

昇降駆動部３３は、収容器１０の内部に固設され、制御部９０と電気的に接続されている。制御部９０が昇降駆動部３３へ動作指令を行い、昇降駆動部３３が駆動すると、シャフト３２を介して、リフタアーム３１が経路Ｐに沿って昇降する。昇降駆動部３３としては、例えば、モータおよびボールネジを用いた送りネジ機構や、プーリおよびベルトを用いたベルト機構等、種々の公知の機構を採用することが可能である。

このような構成により、昇降機構３０は３本の保持棒３４、３５、３６によってＸ方向に相互に平行に配列されて保持された複数の基板Ｗ（本実施形態では、８枚の基板Ｗ）を処理槽２０に貯留されている処理液に浸漬する位置（図２の実線位置）とその処理液から引き揚げた位置（図２の破線位置）との間で経路Ｐに沿って昇降させることができる。

また、昇降機構３０を図２の破線位置に位置させるとともに、収容器１０の上部１１をスライド式開閉機構１２により開放することで、図示しない装置外部の基板搬送ロボットと昇降機構３０との間で基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

ノズルユニット４０は、基板Ｗに対してＩＰＡ蒸気や、窒素ガス等の処理ガス（以下、適宜、単に「処理ガス」と記載する）の供給を行うユニットである。本実施形態では、Ｘ方向に延在する２個のノズルユニット４０が、処理槽２０の外部において、昇降機構３０によって昇降される複数の基板ＷのＹ方向における側方の両側に１個ずつ設けられている。ノズルユニット４０のそれぞれは、Ｘ方向に延在する中空の管状部材であり、後述する複数の供給孔４１１を備える。

なお、本実施形態ではノズルユニット４０は収容器１０内の上部１１の近傍に設けているが、本発明の実施に関してはこれに限られず、例えば、処理槽２０の開口部２１の近傍に設けられてもよい。また、本実施形態における収容器１０内には、ノズルユニット４０が２本設けられるが、本発明の実施に関してはこれに限られず、ノズルユニット４０が１個のみでもよいし、３個以上配置されてもよい。ノズルユニット４０についての詳細な説明については、後述する。

供給ユニット５０は、ノズルユニット４０に対して処理ガスの供給を行うユニットである。供給ユニット５０は、主に、ＩＰＡ供給源５１と、ＩＰＡバルブ５２と、窒素ガス供給源５４と、窒素ガスバルブ５５と、供給管５３と、供給管５６と、供給管５７とを備える。

ＩＰＡ供給源５１は、ＩＰＡ蒸気を含む気体を貯留するＩＰＡタンク（図示省略）と、ＩＰＡ蒸気を含む気体を、加圧により供給管５３に供給するポンプ（図示省略）とを備える。該ポンプは、常時加圧状態である。ＩＰＡ供給源５１は、供給管５３、および供給管５７を介して、ノズルユニット４０に管路接続されている。供給管５３にはＩＰＡバルブ５２が介挿されており、ＩＰＡバルブ５２は常時閉成されている。ＩＰＡバルブ５２は、制御部９０と電気的に接続されており、制御部９０がＩＰＡバルブ５２へ動作指令を行うことで、ＩＰＡバルブ５２は開成される。これにより、ＩＰＡ蒸気を含む気体が、ＩＰＡ供給源５１から供給管５３、および供給管５７を介して、ノズルユニット４０に供給される。

ここで、ＩＰＡタンクには、水蒸気の露点が収容器１０内の雰囲気における温度よりも低い気体を貯留する。また、該気体に含まれる水蒸気を取り除き、露点を低くするために、公知の除湿手段をＩＰＡタンク内に設置したり、供給管５３に介挿したりしてもよい。

なお、基板処理装置１において、ＩＰＡ供給源５１にＩＰＡ蒸気を含む気体を貯留するＩＰＡタンクを設けず、工場ユーティリティー側から直接、ＩＰＡ蒸気を含む気体を供給する構成とすることも可能である。

窒素ガス供給源５４は、窒素ガスを貯留する窒素ガスタンク（図示省略）と、窒素ガスを、加圧により供給管５６に供給するポンプ（図示省略）とを備える。該ポンプは、常時加圧状態である。窒素ガス供給源５４は、供給管５６、および供給管５７を介して、ノズルユニット４０に管路接続されている。供給管５６には窒素ガスバルブ５５が介挿されており、窒素ガスバルブ５５は常時閉成されている。窒素ガスバルブ５５は、制御部９０と電気的に接続されており、制御部９０が窒素ガスバルブ５５へ動作指令を行うことで、窒素ガスバルブ５５は開成される。これにより、窒素ガスが、窒素ガス供給源５４から供給管５６、および供給管５７を介して、ノズルユニット４０に供給される。

ここで、窒素ガスタンクには、水蒸気の露点が収容器１０内の雰囲気における温度よりも低い気体を貯留する。また、該気体に含まれる水蒸気を取り除き、露点を低くするために、公知の除湿手段を窒素ガスタンク内に設置したり、供給管５６に介挿したりしてもよい。また、窒素ガスタンクには、ＩＰＡ蒸気の分圧が、収容器１０内の雰囲気の温度におけるＩＰＡの蒸気圧よりも低い気体を貯留する。

なお、基板処理装置１において、窒素ガス供給源５４に窒素ガスを貯留する窒素ガスタンクを設けず、工場ユーティリティー側から直接、窒素ガスを供給する構成とすることも可能である。

排出ユニット６０は、収容器１０内の気体や処理液を、装置外における排液ラインや排気ライン等の排出ラインへ排出するユニットである。排出ユニット６０は、主に排液バルブ６１と、排液管６２と、排気バルブ６３と、排気管６４と、排気ポンプ６５とを備える。

排液管６２は、処理槽２０の底部に排液口（図示省略）を有し、処理槽２０と装置外の排液ラインを管路接続する。排液管６２には、排液バルブ６１が介挿されており、排液バルブ６１は常時閉成されている。排液バルブ６１は、制御部９０と電気的に接続されており、制御部９０が排液バルブ６１へ動作指令を行うことで、排液バルブ６１は開成される。これにより、処理槽２０に貯留された処理液が、排液口から排液管６２を介して、装置外の排液ラインに排出される。

排気管６４は、収容器１０内に排気口（図示省略）を有し、収容器１０と装置外の排気ラインを管路接続する。なお、該排気口の近傍には、処理槽２０の開口部２１から溢れ出た処理液を流入させないための処理液カバー（図示省略）が設けられている。排気管６４には、排気バルブ６３、および排気ポンプ６５が介挿されており、排気バルブ６３は常時閉成されている。排気バルブ６３は、制御部９０と電気的に接続されており、制御部９０が排気バルブ６３へ動作指令を行うことで、排気バルブ６３は開成される。また、排気ポンプ６５は、常時駆動する。制御部９０の動作指令により、排気バルブ６３が開成されると、排気ポンプ６５により収容器１０内に負圧が与えられ、収容器１０内の気体が、排気口から排気管６４を介して、装置外の排気ラインに排出される。

なお、本実施形態では排気ポンプ６５を常時駆動としたが、本発明の実施に関してはこれに限られず、排気ポンプ６５を、制御部９０と電気的に接続し、制御部９０が排気ポンプ６５へ動作指令を行うことで、排気ポンプ６５を駆動させてもよい。

また、本実施形態では、収容器１０内の下方の底面に排気口を設けているが、本発明の実施に関してはこれに限られず、例えば、下方の側壁に設けられてもよい。装置の動作において、ノズルユニット４０から供給されるＩＰＡ蒸気を含む気体や窒素ガスと、元々収容器１０の内部に含まれていた気体とを、効率よく置換させるために、排気口はノズルユニット４０から離れた位置に設けられるのが好ましい。

制御部９０は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ及び制御用ソフトウェアやデータなどを記憶しておく磁気ディスクを備える。磁気ディスクには、基板Ｗに応じた処理条件が、処理プログラム（レシピとも呼ばれる）として予め格納されおり、ＣＰＵがその内容をＲＡＭに読み出し、ＲＡＭに読み出された処理プログラムの内容に従ってＣＰＵが基板処理装置１の各部を制御する。

＜１−２．ノズルユニットの構成＞
次に、ノズルユニット４０の構成について、図３、図５、図６および図７を適宜用いて説明する。ここで、本実施形態における２個のノズルユニット４０は、それぞれ略同様の構成であるため、図３におけるノズルユニット４０のうち、（＋Ｙ）側に配置するノズルユニット４０を代表として、以下説明する。図５は、ノズルユニット４０における後述の供給孔４１１が開口する方向からみたときの、ノズルユニット４０の構成を示す模式図である。図６は、図５と同様の方向からみたときの、ノズルユニット４０における開口調整部の構成を示す模式図である。図７は、ノズルユニット４０の概略構成を示す断面図である。

ノズルユニット４０は、ノズル管４１と、開口調整部４２と、シャフト４３と、回転駆動部４４と、回転制御部４９とを備える。図５に示すように、ノズル管４１は、内部に中空構造を有し、供給管５７と管路接続する。また、ノズル管４１は、収容器１０内に固設され、Ｘ方向に所定間隔に配列した複数の供給孔４１１を有する。各々の供給孔４１１は、円形に形成される。

供給孔４１１の数は、図５では１０個としたが、本発明の実施に関してはこれに限られず、収容器１０に収容される基板Ｗの枚数や、収容器１０の容積に応じて、より多くのノズル孔を配列してもよい。

開口調整部４２は、ノズル管４１の内部に挿通されて設けられ、内部に中空構造を有する。図６に示すように、開口調整部４２はＸ方向にスリット状に設けられた調整孔４２１を有する。調整孔４２１は、ノズル管４１においてＸ方向に複数の供給孔４１１が配列する長さ以上の長さで、Ｘ方向に延在している。また、開口調整部４２の（＋Ｘ）側の端は、図７に示すように、シャフト４３と接続し、Ｘ方向に延びる回転中心軸Ａ１を中心に回動可能に設けられる。図７に示すように、開口調整部４２の（−Ｘ）側の端は、開放しており、ノズル管４１を介して供給管５７と管路接続している。

回転駆動部４４は、回転中心軸Ａ１を中心に回転駆動が可能な、モータ等の公知の駆動機構である。シャフト４３は、回転中心軸Ａ１を中心に回動可能に設けられ、回転駆動部４４と接続している。回転駆動部４４は、回転制御部４９と電気的に接続されており、回転制御部４９が回転駆動部４４へ動作指令を行うことで、回転駆動部４４は回転中心軸Ａ１を中心に、シャフト４３を回転させる。これにより、シャフト４３を介して、開口調整部４２が回転中心軸Ａ１を中心に回転する。

回転制御部４９は、図示しないインターフェースを介して制御部９０と接続されており、制御部９０から出力される動作指令に基いて、回転駆動部４４を制御する。

本実施形態では、ノズル管４１の内面と開口調整部４２の外面が、摺動可能に略当接して配置される。しかしながら、本発明の実施に関してはこれに限られず、ノズル管４１の内面と開口調整部４２の外面が、わずかに空隙を有した状態で配置されてもよい。

＜１−３．ノズルユニットの開口調整工程＞
次に、上記のように構成されたノズルユニット４０における開口調整の動作について、説明する。図５および図６における、切断線Ｂ１−Ｂ２によるノズル管４１および開口調整部４２の断面図（左側の（ａ）図）と、供給孔４１１の開口の様子（右側の（ｂ）図）を示す。

図８（ａ）は、図５の切断線Ｂ１−Ｂ２に沿った矢視断面図である。図５の切断線Ｂ１−Ｂ２は、回転中心軸Ａ１と直交する平面に含まれる線であり、ノズル管４１に円形に形成された供給孔４１１の円の中心を通る。ここで、供給孔４１１の切断線Ｂ１−Ｂ２による断面図におけるＢ２側の端部を端部８１１とし、Ｂ１側の端部を端部８１２とする。また、調整孔４２１の切断線Ｂ１−Ｂ２による断面図におけるＢ２側の端部を端部８２１とし、Ｂ１側の端部を端部８２２とする。

図８（ａ）では、回転中心軸Ａ１に対して端部８１１と端部８２１とが形成する角度が０度である状態を示している。換言すれば、供給孔４１１の端部８１１と、調整孔４２１の端部８２１との位置が、回転中心軸Ａ１から延ばす仮想線上に揃っている状態である。

収容器１０内に固設されたノズル管４１に対して、開口調整部４２が上記のように端部８２１を端部８１１に揃えて位置する位置を、便宜上、開口調整部４２における回転中心軸Ａ１を中心とした回転の基準位置とし、この位置における回転駆動部４４による開口調整部４２の回転角を０度とする。

ここで、供給孔４１１は回転中心軸Ａ１に対して、角度αにて開口している。換言すれば、回転中心軸Ａ１に対して、供給孔４１１の端部８１１と、端部８１２とが形成する角度はαである。また、調整孔４２１は回転中心軸Ａ１に対して、角度βにて開口している。換言すれば、回転中心軸Ａ１に対して、調整孔４２１の端部８２１と、端部８２２とが形成する角度はβである。なお、角度βは、角度α以上の大きさである。

図８（ｂ）は、図８（ａ）に矢印Ａ２で示した方向からノズル管４１をみたときの、供給孔４１１を含む矢視図である。回転駆動部４４による開口調整部４２の回転角が０度のとき、図８（ｂ）に示すように、供給孔４１１は、開口調整部４２に遮られることなくノズル管４１の内部まで連通している。このとき、ノズルユニット４０において、供給管５７を介して供給ユニット５０から処理ガスが供給され、開口調整部４２の管路内に導入されると、調整孔４２１を介して、供給孔４１１から収容器１０内に処理ガスが供給される。

次に、ノズルユニット４０において、回転駆動部４４により開口調整部４２の回転角を０度より大きく、角度αより小さい角度θで回転したときの、供給孔４１１における開口の様子を、図９を用いて説明する。

図９（ａ）は、図８（ａ）と同様、図５の切断線Ｂ１−Ｂ２による矢視断面図である。ここで、調整孔４２１の端部８２１は、回転駆動部４４により、供給孔４１１の端部８１１に対して回転中心軸Ａ１を中心に角度θ分だけ回転している。上記のように、角度θは角度αより小さいため、供給孔４１１は開口調整部４２によってノズル管４１の内部と完全に遮蔽されることはない。

図９（ｂ）は、図９（ａ）に矢印Ａ２で示した方向からノズル管４１をみたときの、供給孔４１１を含む矢視図である。回転駆動部４４による開口調整部４２の回転角がθのとき、図９（ｂ）に示すように、供給孔４１１は、開口調整部４２に角度θ分の開口だけ遮られる。しかしながら、供給孔４１１は、開口調整部４２により完全には遮られず、調整孔４２１の端部８２１と、供給孔４１１の端部８１２により形成される開口（すなわち、角度（α−θ）分の開口）が、ノズル管４１の内部まで連通している。このとき、ノズルユニット４０において、供給管５７を介して供給ユニット５０から処理ガスが供給され、開口調整部４２の管路内に導入されると、調整孔４２１を介して、供給孔４１１から収容器１０内に処理ガスが供給される。

上記のように、開口調整部４２が角度αより小さい角度θで回転すると、供給孔４１１における開口が開口調整部４２により狭まり、ノズル管４１の内部から供給管５７を介して供給される処理ガスが流通する開口面積が小さくなる。ここで、管内を流れる流体における流速Ｖは、流量Ｑを流路断面積Ｓで除算した値（Ｑ／Ｓ）に比例する（すなわち、Ｖ∝Ｑ／Ｓ）。

したがって、ノズル管４１へ一定の流量で気体が供給されるとき、図８に示すように供給孔４１１が開口調整部４２により遮られていない状態と比べ、図９に示すように開口面積（流路断面積）が小さいと、供給孔４１１における収容器１０内への気体の吐出速度（流速）が速くなる。

例えば、供給孔４１１が図９（ｂ）に示すように円形に形成される場合、θがαの半分の角度であれば（すなわち、θ＝α／２）、供給孔４１１の開口において、開口調整部４２により遮られる面積は、元々の開口面積（すなわち、図８（ｂ）に示すように開口調整部４２により遮られていない状態のとき）の半分の開口面積となる。このとき、供給孔４１１からの吐出速度は、元々の吐出速度の倍になる。

このように、本発明におけるノズルユニット４０では、開口調整部４２を回転中心軸Ａ１を中心に回転させ、供給孔４１１の開口を開口調整部４２により狭めることで、供給孔４１１から収容器１０内へ供給される処理ガスの吐出速度を調整することができる。

次に、ノズルユニット４０において、回転駆動部４４により開口調整部４２の回転角を角度θより大きく、角度（３６０°−β）より小さい角度θ'としたときの、供給孔４１１における開口の様子を、図１０を用いて説明する。

図１０（ａ）は、図８（ａ）と同様、図５の切断線Ｂ１−Ｂ２における矢視断面図である。図１０（ａ）において、調整孔４２１の端部８２１は、回転駆動部４４により、供給孔４１１の端部８１１に対して回転中心軸Ａ１を中心に角度θ'分だけ回転している。上記のように、角度θ'は、角度αより大きく、角度（３６０°−β）より小さいため、供給孔４１１は開口調整部４２によってノズル管４１の内部と遮蔽される。

図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に矢印Ａ２で示した方向からノズル管４１をみたときの、供給孔４１１を含む矢視図である。回転駆動部４４による開口調整部４２の回転角がθ'のとき、図１０（ｂ）に示すように、供給孔４１１の開口は、開口調整部４２により、ノズル管４１の内部から遮蔽される。このとき、ノズルユニット４０において、供給管５７を介して供給ユニット５０から処理ガスが供給され、開口調整部４２の管路内に導入されても、調整孔４２１の開口と供給孔４１１の開口が重複せず、供給孔４１１から収容器１０内に処理ガスが供給されない。

＜１−４．ノズル孔からの吐出速度と収容器内の処理ガス濃度の関係＞
ここで、開口調整部４２による供給孔４１１の開口の調整の必要性について説明する。上記の基板処理装置１において、収容器１０内の処理ガスの濃度は、後述する基板Ｗの乾燥処理に大きな影響を与え、例えば、乾燥処理中における基板Ｗ周辺のＩＰＡガス濃度が低いと、基板Ｗにウォーターマークが発生するおそれがある。このため、乾燥処理時には、収容器１０内、特に基板Ｗ周辺の処理ガスの濃度を高く保つ必要がある。

ノズルユニット４０から処理ガスを供給する際、供給された処理ガスは収容器１０内の雰囲気と撹拌され、処理ガス濃度は供給孔４１１から離れるにつれて低くなる。この撹拌の程度は、供給孔４１１からの処理ガスの流量が同じ場合、吐出速度に依存する。より具体的には、吐出速度が速いほど、処理ガスは供給孔４１１からより離れた位置まで到達し、より広い範囲で撹拌する。例えば、吐出速度が速いほど、収容器１０内において供給孔４１１から比較的離れた、排気管６４付近の位置における処理ガス濃度が高くなる。

また、上部１１を閉鎖し、略密閉空間とした収容器１０内にノズルユニット４０から処理ガスを供給する際、収容器１０内にあらかじめ存在した雰囲気を排出して、処理ガスを収容器１０内に充満させるために、適宜排気バルブ６３を開成し、収容器１０内の雰囲気を排気しつつ、ノズルユニット４０からの処理ガスの供給を行う。

したがって、吐出速度が速いほど、排気管６４付近の位置における処理ガス濃度が高くなるため、処理ガス供給時に、排気管６４から排出する雰囲気中に含まれる処理ガスの量も多くなる。すなわち、吐出速度が速いほど、収容器１０内に留まる処理ガスの量が少なくなり、置換効率が低くなるおそれがある。

処理ガスの吐出速度と収容器内における処理ガス濃度との関係を数値解析により求めた結果を、図１１および図１２に図示する。図１１および図１２において、右側に示したコンターは処理ガス濃度を示しており、濃度が１に近づくほど処理ガスの濃度が高いことを示している。図１１および図１２において、左側の図は、ノズル孔から処理ガスが１８０秒間供給された後の、収容器内における処理ガスの濃度を示している。ノズル孔はそれぞれ図１１、図１２中の矢印の向きに開口しており、矢印の向きに処理ガスを吐出する。処理ガスを供給する際、収容器の下方に設けた排気管は常に開成しており、収容器内に処理ガスが供給されると、収容器内の雰囲気が押し出されるように排気管から排出される。図１１におけるノズル孔の直径は１．８ｍｍであり、図１２におけるノズル孔の直径は０．９ｍｍである。したがって、処理ガスの流量が同一である場合、図１１のノズル孔からの吐出速度は、図１２の０．２５倍となる。

ノズル孔１つ当り２５ｌｐｍ（ｌｉｔｅｒ ｐｅｒ ｍｉｎｕｔｅｓ）の流量で処理ガスを吐出させた場合、上記の数値解析では、吐出速度は図１１で３．２ｍ／ｓ、図１２で１２．８ｍ／ｓとなる。図１１における収容器内の処理ガス濃度は図１２よりも高く、同流量の処理ガスを供給した場合、吐出速度が遅い方が、収容器内をより高濃度の処理ガスで満たすことが明らかとなった。

しかしながら、吐出速度が遅すぎると、収容器内を処理ガスで満たすまでの時間がかかるため、基板Ｗを処理するスループットが低下するおそれがある。供給する処理ガスの量をなるべく少なくし、かつスループットの低下を抑制するためには、ノズル孔からの処理ガスの流量に対して、適切な吐出速度を選択する必要がある。

また、後述するように、収容器内を処理ガスで満たすのではなく、常に新鮮な処理ガスが基板Ｗの周辺に供給される状態が、より好適であるような場合には、ノズル孔からの処理ガスの吐出速度が速い方が好ましいことがある。

このような要請に対し、本実施形態では、開口調整部４２により供給孔４１１の開口量を可変とすることで、供給孔４１１からの吐出速度の調整を可能とした。

＜１−５．基板処理装置の動作＞
続いて、基板処理装置１において基板Ｗを処理するときの動作について、図１３のフローチャート、および図２から図９を適宜参照しつつ説明する。

上記の基板処理装置１における基板Ｗの処理では、まず、収容器１０への複数の基板Ｗ（ロット）の搬入が行われる（ステップＳ１）。ステップＳ１が開始されると、はじめに、制御部９０が動作指令を行い、ＩＰＡバルブ５２、窒素ガスバルブ５５、排液バルブ６２、排気バルブ６３が閉成され、排気ポンプ６５が駆動を開始する。また、処理槽２０において、図示しない処理液吐出ノズルからＤＩＷの吐出を開始し、処理槽２０にＤＩＷを貯留する。さらに、回転駆動部４４が開口調整部４２を回転の基準位置（図８の位置）に位置させる。

次に、制御部９０が動作指令を行い、昇降機構３０を経路Ｐに沿って（＋Ｚ）方向に上昇させ、図２の破線位置に昇降機構３０を位置させる。次に、スライド式開閉機構１２により収容器１０の上部１１を水平にスライドさせる。これにより、収容器１０における上部１１を開放する。そして、図示しない装置外の基板搬送ロボットから保持棒３４，３５，３６がロットを受け取り、保持する。ロットを保持した後、基板搬送ロボットを収容器１０から退避させ、スライド式開閉機構１２により収容器１０の上部１１を封鎖し、その内部を略密閉空間とする。

次に、処理槽２０に貯留されたＤＩＷにロットを浸漬する処理を行う（ステップＳ２）。この段階において、処理槽２０ではあらかじめ、底部近傍に配置された図示しない処理液吐出ノズルからＤＩＷが供給され続けており、処理槽２０の開口部２１からＤＩＷが溢れ出し続けている。ステップＳ２が開始されると、制御部９０が動作指令を行い、昇降機構３０を経路Ｐに沿って（−Ｚ）方向に降下させ、図２の実線位置に昇降機構３０を位置させる。これにより、保持棒３４，３５，３６により保持されたロットは、処理槽２０に貯留されたＤＩＷ中に浸漬される。

次に、収容器１０の内部の空間を窒素ガスで充満させる処理を行う（ステップＳ３）。収容器１０内全体を窒素ガスで充満させることで、以下の基板Ｗの洗浄処理を窒素雰囲気下で行うことができる。ステップＳ３が開始されると、まず、制御部９０が動作指令を行い、ノズルユニット４０において、回転駆動部４４が所定の回転角だけ開口調整部４２を回転させ、供給孔４１１の開口面積を調整する。なお、本実施形態では、ステップＳ３において、開口調整部４２の回転角を０度とし、図８に示すように供給孔４１１の開口を全開する。次に、窒素ガスバルブ５５を開成し、窒素ガス供給源５４から供給管５６，５７を介して、ノズルユニット４０から窒素ガスを収容器１０内へ供給する。また、排気バルブ６３を開成し、収容器１０内に元々存在していた雰囲気を、排気管６４から排気ラインへ排出する。

ステップＳ３が開始された直後は、排気ポンプ６５は駆動を維持し、収容器１０内の雰囲気を積極的に排出するが、ある程度収容器１０内の雰囲気が排出され、収容器１０の内部の空間が窒素ガスで充満されると、制御部９０が動作指令を行い、排気ポンプ６５を停止する。排気ポンプ６５が停止した後、収容器１０内の雰囲気は、ノズルユニット４０から供給される窒素ガスにより押し出されることで、緩やかに排気管６４へ排出される。

次に、窒素ガスの供給を維持しながら、基板Ｗの湿式処理を行う（ステップＳ４）。ここでは、処理槽２０に貯留されたＤＩＷにロットを浸漬した状態を維持しつつ、処理槽２０にフッ酸等の薬液、またはＤＩＷを順次供給することによりエッチングや洗浄処理を予め定められた順序に従って進行させる。この段階においても、処理槽２０の開口部２１からは、フッ酸等の薬液、またはＤＩＷが溢れ出し続けており、溢れ出した処理液は収容器１０内に設けられた図示しない排液管を通って排液ラインに排出される。

ステップＳ４が開始されると、まず、制御部９０が動作指令を行い、図示しない処理液吐出ノズルから処理槽２０へフッ酸等の処理液が供給され、エッチング処理が行われる。基板Ｗに対するエッチングがある程度進行すると、やがて最終の仕上洗浄処理に至る。本実施形態では、仕上洗浄処理も通常の洗浄処理と同じく、処理槽２０にＤＩＷを貯留し、そのＤＩＷ中にロットを浸漬することによって行われる。なお、最終の仕上洗浄処理の段階においても、ノズルユニット４０からの窒素ガスの供給が行われており、窒素雰囲気下にて仕上洗浄処理が行われる。

次に、収容器１０の内部の空間をＩＰＡ蒸気を含む気体で充満する処理を行う（ステップＳ５）。収容器１０内全体をＩＰＡ蒸気を含む気体で充満することで、基板Ｗにおける後述の乾燥処理を、ＩＰＡ雰囲気下で行うことができる。ステップＳ５が開始されると、まず、制御部９０が動作指令を行い、ノズルユニット４０において、回転駆動部４４が所定の回転角だけ回転し、供給孔４１１の開口を調整する。なお、本実施形態では、ステップＳ５において、開口調整部４２の回転角を０度とし、図８に示すように供給孔４１１の開口を全開する。次に、ＩＰＡバルブ５２を開成し、ＩＰＡ供給源５１から供給管５３，５７を介して、ノズルユニット４０からＩＰＡ蒸気を含む気体を収容器１０内へ供給する。ステップＳ５におけるＩＰＡ蒸気を含む気体の供給は、基板Ｗの洗浄処理の実行中に、並行して実行するように開始する。

なお、ステップＳ５が開始される際、制御部９０が動作指令を行い、排気ポンプ６５を駆動させてもよい。排気バルブ６３は開成を維持しているため、収容器１０内の雰囲気を排気ポンプ６５により積極的に排出することができる。ある程度収容器１０内の雰囲気が排出され、収容器１０の内部の空間がＩＰＡ蒸気を含む気体で充満されると、制御部９０が動作指令を行い、排気ポンプ６５を停止する。排気ポンプ６５が停止した後、収容器１０内の雰囲気は、ノズルユニット４０から供給されるＩＰＡ蒸気を含む気体により押し出されることで、緩やかに排気管６４へ排出される。

次に、処理槽２０に貯留されたＤＩＷを排水する処理を行う（ステップＳ６）。すなわち、基板Ｗを処理槽２０内に保持したまま（つまり、図２の実線位置のまま）、処理槽２０内に貯留された純水を排水する。ここでも、ノズルユニット４０からのＩＰＡ蒸気を含む気体を吐出し続けることにより、処理槽２０内を含む収容器１０内はＩＰＡ蒸気を含む雰囲気に保たれている。これにより、ＤＩＷ中から露出した基板ＷはＩＰＡ蒸気を含む気体で覆われ、基板Ｗの表面においてＩＰＡ蒸気が凝縮し、基板Ｗの表面にＩＰＡの液滴が付着する。

ステップＳ６が開始されると、まず、制御部９０が動作指令を行い、図示しない処理液吐出ノズルからのＤＩＷの供給を停止する。次に、排液バルブ６１を開成し、処理槽２０に貯留されているＤＩＷを、排液管６２から排液ラインへ排出する。

上記のように処理槽２０内で基板Ｗを保持した状態で排水して、処理槽２０内の液面２２を低下させることで基板Ｗを収容器１０内の雰囲気に露出させる場合には、ＤＩＷから基板Ｗを引き揚げることで基板Ｗを露出させる場合に対して、引き揚げに伴う基板Ｗの揺れ（振動）が発生することがないため、液面２２付近で生じうる基板Ｗへのパーティクルの再付着を効果的に防止できる。

排液管６２からＤＩＷを排出し、液面２２が基板Ｗよりも低い位置になると、次に、制御部９０が動作指令を行い、昇降機構３０を経路Ｐに沿って（＋Ｚ）方向に上昇させ、図２の破線位置に昇降機構３０を位置させる。ここで、ノズルユニット４０からのＩＰＡ蒸気を含む気体の供給は引き続き行われており、洗浄処理によって基板Ｗの表面に付着したＤＩＷが除去される。

次に、基板Ｗの表面に付着したＩＰＡの液滴を除去し、基板Ｗを乾燥する処理を行う（ステップＳ７）。ステップＳ７が開始されると、まず、制御部９０が動作指令を行い、ＩＰＡバルブ５２を閉成し、ＩＰＡ蒸気を含む気体の供給を停止する。続いて、制御部９０が動作指令を行い、ノズルユニット４０において、回転駆動部４４が所定の回転角だけ開口調整部４２を回転させ、供給孔４１１の開口を調整する。なお、本実施形態では、ステップＳ７において、回転角をθ（θ＜α）とし、図９に示すように供給孔４１１の開口の一部を開口調整部４２により遮蔽する。次に、制御部９０が動作指令を行い、窒素ガスバルブ５５を開成し、窒素ガスを供給孔４１１から基板Ｗに対して吐出する。供給される窒素ガス中に、基板Ｗの表面に付着したＩＰＡの液滴が蒸発することで、ＩＰＡの液滴の除去が行われる。

ここで、供給する窒素ガス中におけるＩＰＡの分圧は、基板Ｗに付着したＩＰＡの水滴の蒸気圧よりも低いため、ＩＰＡは窒素ガス中に蒸発することができる。しかしながら、ＩＰＡが蒸発し、窒素ガス中にＩＰＡ蒸気が混合すると、窒素ガス中におけるＩＰＡの分圧が上昇し、基板Ｗに付着したＩＰＡの液滴の蒸発速度が遅くなる。

そこで、本実施形態では、ステップＳ７において窒素ガスを供給する際、上記したように開口調整部４２により供給孔４１１の開口の一部を、角度θ分だけ遮蔽する。これにより、供給孔４１１からの窒素ガスの吐出速度が、開口の一部を遮蔽しないときと比べ、速くなる。窒素ガスの吐出速度が速いことで、常に新鮮な窒素ガスが基板Ｗの周辺に供給され、基板Ｗに付着したＩＰＡの液滴を速やかに蒸発させ、基板Ｗから除去することができる。

次に、減圧処理を行う（ステップＳ８）。ステップＳ８が開始されると、ノズルユニット４０からの窒素ガスの供給を継続しつつ、制御部９０が動作指令を行い、排気ポンプ６５を駆動して、収容器１０内に残留するＩＰＡ蒸気を含む雰囲気を、排気ラインへ排出する。このとき、排気ポンプ６５により排気する気体の流量よりも、ノズルユニット４０から供給する窒素ガスの流量が少なくなるようにしておけば、収容器１０内を窒素ガス雰囲気に置換しつつ減圧することができ、基板Ｗ表面に付着したＩＰＡの沸点が低下してＩＰＡが急速に気化する。したがって、いわゆるＩＰＡの減圧乾燥が実行され、基板Ｗ表面に残留するＩＰＡの液滴の気化をさらに促進する。

減圧処理が終了すると、ノズルユニット４０からの窒素ガスの供給を継続しつつ、制御部９０が動作指令を行い、排気ポンプ６５の動作を停止する。これにより、収容器１０内が窒素ガス雰囲気で満たされ、大気圧にまで復圧することとなる。大気圧に復圧後、排気バルブ６３と窒素ガスバルブ５５を閉成し、ノズルユニット４０からの窒素ガスの供給を停止する。

次に、収容器１０からのロットの搬出が行われる（ステップＳ９）。ステップＳ９が開始されると、はじめに、制御部９０が動作指令を行い、昇降機構３０の位置を図２の破線位置で維持する。次に、スライド式開閉機構１２により収容器１０の上部１１を水平にスライドさせる。これにより、収容器１０における上部１１を開放する。そして、図示しない装置外の基板搬送ロボットが、保持棒３４，３５，３６からロットを受け取り、保持する。ロットを基板搬送ロボットが保持した後、基板搬送ロボットを収容器１０から退避させ、スライド式開閉機構１２により収容器１０の上部１１を封鎖する。これにより、基板処理装置１における複数の基板Ｗに対する処理が終了する。

以上の基板処理装置１の動作では、ノズルユニット４０から、ＩＰＡ蒸気を含む気体の吐出（ステップＳ５）を開始する際と、窒素ガスの吐出（ステップＳ３、ステップＳ７）を開始する際に、それぞれ供給孔４１１の開口を開口調整部４２により調整することで、各々の処理ガスの吐出速度を制御した。これにより、各々の処理に好適な処理ガスの吐出速度を得ることができ、処理ガスを効率的に使用することができる。

また、上記では供給孔４１１の開口の調整により、処理ガスの流量を一定としたまま、吐出速度の制御を可能としたが、本発明の実施に関してはこれに限られず、処理ガスの流量の増減に伴い、供給孔４１１の開口を調整して、吐出速度を一定とするような制御を行ってもよい。例えば、流量を２倍にした際、吐出速度を一定とするために、開口面積を２倍とする制御を行ってもよい。

上記のように、本発明によれば、処理ガスを吐出する供給孔の開口面積を調整することで、各々の処理に好適な処理ガスの吐出速度や流量等の吐出条件を制御することができ、処理ガスを効率的に使用することができる。

上記の説明において、収容器１０が、本発明における「収容器」に相当し、保持棒３４，３５，３６が、本発明における「基板保持部」に相当し、リフタアーム３１、シャフト３２、昇降駆動部３３が、本発明における「昇降手段」に相当し、ノズルユニット４０が、本発明における「処理ガス吐出ユニット」に相当する。また、ノズルユニット４０において、開口調整部４２が、本発明における「開口調整部」に相当し、回転駆動部４４、シャフト４３が、本発明における「移動手段」に相当し、回転制御部４９が、本発明における「制御部」に相当する。

＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。第１実施形態では、開口調整部４２がシャフト４３と接続し、開口調整部４２が回転中心軸Ａ１を中心に回転することで、供給孔４１１の開口面積を調整した。しかしながら、本発明の実施に関しては、これに限られず、ノズル管４１が回転中心軸Ａ１を中心に回転可能に設けられ、ノズル管４１がシャフト４３と接続していても良い。

なお、第２実施形態における、基板処理装置２の構成は、収容器１０内におけるノズルユニット４０の位置が異なる点、およびシャフト４３とノズル管４１とが接続する点以外は、基本的に第１実施形態と同様であるため、第１実施形態における基板処理装置１内に備えられる各構成と同一符号を付して、構成説明を省略する。

＜２−２．基板処理装置の構成＞
図１４は、本実施形態における基板処理装置２の概略構成を示す正面図である。基板処理装置２の平面図、および側面断面図は、図３、および図４とそれぞれ同様であるため、説明を省略する。基板処理装置２において、２本のノズルユニット４０が、処理槽２０の開口部２１の近傍に設けられている。また、ノズルユニット４０における調整孔４２１は、互いに内側を向いて開口する。すなわち、（−Ｙ）側のノズルユニット４０における調整孔４２１は、（＋Ｙ）方向に開口し、（＋Ｙ）側のノズルユニット４０における調整孔４２１は、（−Ｙ）方向に開口する。

＜２−１．ノズルユニットの構成＞
図１５は、本実施形態におけるノズルユニット４０の概略構成を示す断面図である。ノズルユニット４０は、複数の供給孔４１１が設けられたノズル管４１と、スリット状の調整孔４２１が設けられた開口調整部４２と、シャフト４３と、回転駆動部４４と、回転制御部４９とを備える。

本実施形態では、ノズル管４１とシャフト４３が接続する。また、回転中心軸Ａ１を中心に、ノズル管４１が回転自在に設けられており、制御部９０の動作指令に基いて、回転制御部４９が回転駆動部４４を駆動させると、シャフト４３を介して、ノズル管４１が回転中心軸Ａ１を中心に回転する。

また、本実施形態では、開口調整部４２が固設され、開口調整部４２と供給管５７とが直接、管路接続して設けられる。供給管５７から処理ガスが供給されると、第１実施形態と同様に、調整孔４２１を介して、供給孔４１１から収容器１０内に処理ガスを吐出する。

＜２−２．基板処理装置の動作＞
次に、基板処理装置２において基板Ｗを処理するときの動作について説明する。動作のフローは第１実施形態において図１３に示したフローチャートと同様であるため、適宜、各ステップの説明を省く。

基板処理装置２において、基板Ｗの処理が開始されると、第１実施形態と同様に、ロットの搬入（ステップＳ１）と、処理槽に貯留されたＤＩＷへのロットの浸漬（ステップＳ２）と、収容器１０内における窒素ガスの充填（ステップＳ３）と、基板Ｗの湿式処理（ステップＳ４）が、順次、行われる。

これらの次に、収容器１０内にＩＰＡ蒸気を含む気体を供給する処理を行う（ステップＳ５）。本実施形態におけるＩＰＡ蒸気を含む気体の供給は、収容器１０の内部の空間全域を、ＩＰＡ蒸気を含む気体で充満させる必要はなく、少なくとも基板Ｗの周辺の雰囲気がＩＰＡ蒸気を含む気体で充満される程度に、ＩＰＡ蒸気を含む気体を供給する。

本実施形態においてステップＳ５が開始されると、まず、制御部９０が回転制御部４９に動作指令を行い、回転駆動部４４によりノズル管４１を所定の回転角だけ回転させて、供給孔４１１の開口を基板Ｗの方向に向ける。このとき、供給孔４１１は、その開口の一部が、開口調整部４２により遮蔽されるように位置させる。

ここで、ステップＳ５における供給孔４１１と開口調整部４２との位置関係を説明する。図１６（ｂ）に、ステップＳ５におけるノズルユニット４０の開口の様子を示す。図１６（ｂ）は、図１４に示す（＋Ｙ）側のノズルユニット４０における、供給孔４１１を含むＺＹ断面図である。第１実施形態と同様に、回転中心軸Ａ１に対して、供給孔４１１の端部８１１と、端部８１２とが形成する角度はαであり、回転中心軸Ａ１に対して、調整孔４２１の端部８２１と、端部８２２とが形成する角度はβである。また、図１６（ｂ）における開口調整部４２の第一象限の調整孔４２１が、回転中心軸Ａ１に対して形成する開口を角度γとする。

本実施形態では、開口調整部４２が収容器１０内に固設され、（＋Ｙ）側のノズルユニット４０における調整孔４２１は、回転中心軸Ａ１に対して端部８２１と端部８２２により形成される角の二等分線が、Ｙ方向に平行になるように、（−Ｙ）側に開口する。換言すれば、調整孔４２１における開口の中心は、（−Ｙ）側を向いており、角度γは角度βの半分である。なお、本実施形態では、角度βは１８０度より小さい角度とする。

また、本実施形態では、回転駆動部４４によるノズル管４１の回転の基準位置（ノズル管４１の回転角が０度となる位置）を、端部８１２が最も（−Ｚ）側となる位置とし、この位置から端部８１２が反時計回りに回転する角度を、ノズル管４１の回転角とする。

図１６（ｂ）では、ノズル管４１が回転駆動部４４により所定の回転角θ１だけ回転した様子を示している。回転角θ１は、角度（９０−β／２）よりも小さい角度であり、角度（９０−β／２−α）よりも大きい角度である。これにより、供給孔４１１は、回転中心軸Ａ１に対して、端部８１２と端部８２２とが形成する角度（９０−β／２−θ１）分だけ、開口調整部４２により遮蔽される。

ノズル管４１を回転角θ１にて位置させた後、続いて、ＩＰＡバルブ５２を開成し、ＩＰＡ供給源５１から供給管５３，５７を介して、ノズルユニット４０からＩＰＡ蒸気を含む気体を収容器１０内へ供給する。ステップＳ５におけるＩＰＡ蒸気を含む気体の供給は、基板Ｗの洗浄処理の実行中に、並行して実行するように開始する。

次に、処理槽２０に貯留されたＤＩＷを排水する処理を行う（ステップＳ６）。ステップＳ６が開始されると、第１実施形態と同様に、排液管６２からＤＩＷが排水される。本実施形態のステップＳ６において、排水をしている途中の様子を、図１６（ａ）に模式的に示す。図１６（ａ）に示すように、ノズル管４１は回転角θ１で位置しており、供給孔４１１と開口調整部４２により形成される開口が基板Ｗの方向（図１６（ａ）中の矢印７１）に向いた状態でＩＰＡ蒸気を含む気体が供給孔４１１から吐出されている。

液面２２が基板Ｗよりも低い位置になると、次に、制御部９０が動作指令を行い、昇降機構３０を経路Ｐに沿って（＋Ｚ）方向に上昇させる。ここで、ノズルユニット４０からのＩＰＡ蒸気を含む気体の供給は引き続き行われており、さらに、制御部９０が動作指令を行い、基板Ｗが昇降機構３０の上昇に伴って（＋Ｚ）方向に上昇する間、供給孔４１１の開口が常に基板Ｗの方向を向くように、回転制御部４９を介して回転駆動部４４を回転させる。

図１７（ａ）は、本実施形態のステップＳ６において、昇降機構３０を上昇させている途中の様子を模式的に示す図である。また、図１７（ｂ）は、ステップＳ６におけるノズルユニット４０の開口の様子を示す図であり、図１６（ｂ）における回転角θ１よりも大きい回転角θ２にて、ノズル管４１が回転した様子を示している。ここで、回転角θ２は、角度（９０＋β／２−α）以下の角度であり、角度（９０−β／２）以上の角度である。これにより、開口調整部４２が供給孔４１１の開口を遮ることなく、供給孔４１１から処理ガスを供給することができる。したがって、図１７（ａ）における矢印７２の方向に吐出されるＩＰＡ蒸気を含む気体の吐出速度は、図１６（ａ）における矢印７１の方向に吐出されるＩＰＡ蒸気を含む気体の吐出速度よりも遅くなる。

上記のように、ノズル管４１は供給孔４１１の開口を常に基板Ｗに向けており、回転角θ２は基板Ｗの上昇に伴って変化する。基板Ｗが２個のノズルユニット４０の間を通過するとき、回転角θ２を、開口調整部４２が供給孔４１１を遮らない角度（すなわち、（９０＋β／２）＞θ２＞（９０−β／２））とすることで、ＩＰＡ蒸気を含む気体を遅い吐出速度で基板Ｗに供給することで、基板Ｗ周辺のＩＰＡ蒸気の濃度を高く保ち、より確実に基板ＷにＩＰＡを凝集させることができる。

なお、ステップＳ６において、基板Ｗがこれらのノズルユニット４０の間を通過する際、制御部９０が動作指令を行い、昇降機構３０の上昇を停止または上昇速度を遅くしてもよい。これにより、より確実に基板ＷにＩＰＡを凝縮させ、基板Ｗに付着しているＤＩＷを除去することができる。

図１８（ａ）は、昇降機構３０が図２の破線位置に位置したときの様子を模式的に示す図である。制御部９０の動作指令により、供給孔４１１が基板Ｗの上昇に追従して開口の向きを変えるため、図１８（ａ）に示すように昇降機構３０が図２の破線位置に位置した際には、供給孔４１１から矢印７３の方向に処理ガスが吐出される。このときの、ノズル管４１における回転角をθ３とする。

図１８（ｂ）には、ノズル管４１が回転駆動部４４により所定の回転角θ３だけ回転した様子を示している。本実施形態では、回転角θ３を、角度（９０＋β／２）よりも小さく、角度（９０＋β／２−α）よりも大きい角度とする。これにより、回転中心軸Ａ１に対して、端部８１１と端部８２１とが形成する角度（α＋θ３−９０−β／２）分だけ、開口調整部４２により遮蔽される。したがって、図１８（ａ）における矢印７３の方向に吐出される処理ガスの吐出速度は、図１７（ａ）における矢印７２の方向に吐出される処理ガスの吐出速度よりも速くなる。

図１７（ａ）や図１８（ａ）に示すような基板Ｗの位置で、ＩＰＡ蒸気を含む気体を供給し、ステップＳ４の湿式処理で基板Ｗに付着したＤＩＷが除去された後、第１実施形態と同様に、基板Ｗに付着したＩＰＡの液滴を除去し、基板Ｗを乾燥する処理を行う（ステップＳ７）。

なお、ステップＳ７は、基板Ｗが図１７（ａ）に示す位置に位置するときに開始してもよいし、図１８（ａ）に示す位置に位置するときに開始してもよい。

このように、本実施形態では、流量を調節することなく処理ガスの吐出速度を変更でき、かつ、供給孔４１１の開口する方向自体を回転駆動部４４により変更することで、基板Ｗの位置に追従して開口の向きを設定するなど、多彩な条件において基板処理を行うことができる。

＜３．変形例＞
以上、本発明の第１実施形態、および第２実施形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、上記の実施形態では、調整孔４２１は、開口調整部４２にＸ方向にスリット状に設けられていたが、調整孔４２１の形状は、これに限られず、図１９に示すように開口調整部４２０に複数の調整孔４２２，４２３が設けられていても良いし、図２０に示すように開口調整部４２４がノズル管４１よりも外側にシャッター状に設けられていても良い。

なお、変形例における、ノズルユニット４０の構成は、開口調整部の形状が異なる以外は基本的に同一であるため、ノズル管４１、供給孔４１１、シャフト４３、回転駆動部４４については、第１実施形態と同一符号を付して、構成説明を省略する。

＜３−１．複数の調整孔で開口するノズル孔の数を調整＞
図１９は、２つの調整孔４２２，４２３が設けられている開口調整部４２０の概略構成を示す斜視図である。２つの調整孔４２２，４２３は、Ｘ方向にスリット状に設けられた、Ｘ方向の長さの異なる孔である。調整孔４２２は、第１実施形態における調整孔４２１と同様に、ノズル管４１において、Ｘ方向に複数の供給孔４１１が配列する長さ以上の長さで、Ｘ方向に延在している。調整孔４２３は、Ｘ方向において調整孔４２２の半分の長さを有する。また、調整孔４２２，４２３は、第１実施形態における調整孔４２１と同様に、供給孔４１１が回転中心軸Ａ１に対して形成する角度αより大きい角度である、角度βにて開口している。

制御部９０が動作指令を行い、回転駆動部４４を回転させると、シャフト４３を介して開口調整部４２０が回転中心軸Ａ１を中心に回転する。開口調整部４２０を回転させることで、調整孔４２２を図７における調整孔４２１と同様の位置に位置させると、第１実施例と同様に、全ての供給孔４１１が開口する。

また、開口調整部４２０を回転させることで、調整孔４２３を図８における調整孔４２１と同様の位置に位置させると、調整孔４２３が延在する（−Ｘ）側に配列する複数の供給孔４１１は開口するが、調整孔４２３が延在しない（＋Ｘ）側に配列する他方の供給孔４１１は、開口調整部４２０によりノズル管４１の内部と遮蔽される。

これにより、開口する供給孔４１１の数を制御することができる。したがって、全ての供給孔４１１の開口面積の総和が変化することで、供給孔４１１を介して収容器１０内へ供給される気体の吐出速度を調整することができる。

なお、上記では開口する供給孔４１１の数により、供給孔４１１の開口面積を変化させたが、これに加え、第１実施形態において図９で示すように供給孔４１１の開口を開口調整部４２０により狭めることで、供給孔４１１の開口面積を変化させてもよい。上記により、より詳細な開口面積の変化が可能となり、気体の吐出速度を微調整することができる。

＜３−２．開口調整部がノズル管の外側に位置＞
図２０は、回転中心軸Ａ１からみてノズル管４１の外側に設けられている開口調整部４２４の概略構成を示す斜視図である。開口調整部４２４は、その内縁をノズル管４１の外縁に当接して設けられる。また、開口調整部４２４は、第１実施形態の開口調整部４２と同様、シャフト４３と接続し、Ｘ方向に延びる回転中心軸Ａ１を中心に回動可能に設けられる。

開口調整部４２４は、それぞれＸ方向に延在し、回転中心軸Ａ１に対して異なる角度に位置する端部４２５，４２６，４２７を有する。端部４２７は、開口調整部４２のＸ方向の全域に延在し、端部４２５は開口調整部４２のＸ方向の半分の長さで（−Ｘ）側に延在し、端部４２６は開口調整部４２のＸ方向の半分の長さで（＋Ｘ）側に延在する。

供給孔４１１の回転中心軸Ａ１に対して形成する角度は、図８と同様に角度αである。開口調整部４２４は、端部４２６と端部４２７との間で、角度β２にて開口し、端部４２５と端部４２７との間で、角度β３にて開口する。換言すれば、開口調整部４２４は、端部４２６と端部４２７により、角度β２にて開口する調整孔を形成し、端部４２５と端部４２７により、角度β３にて開口する調整孔を形成する。

端部４２６と端部４２７との回転中心軸Ａ１に対する角度β２は、角度αより大きい。すなわち、（３６０°−α）＞β２≧αである。また、端部４２５と端部４２７との回転中心軸Ａ１に対する角度β３は、角度β２より角度α以上大きい。すなわち、（３６０°−α）＞β３＞β２＋α）。端部４２５と端部４２６は、それぞれＸ方向に同一の長さで延在する。

制御部９０が動作指令を行い、回転駆動部４４を回転させると、シャフト４３を介して開口調整部４２４が回転中心軸Ａ１を中心に回転する。開口調整部４２４を回転させることで、端部４２６を図８における調整孔４２１と同様の位置に位置させると、第１実施形態と同様に、全ての供給孔４１１が開口する。

また、開口調整部４２４を回転させることで、端部４２５を図８における調整孔４２１と同様の位置に位置させると、端部４２５が延在する（−Ｘ）側に配列する複数の供給孔４１１は開口するが、端部４２６が延在する（＋Ｘ）側に配列する他方の供給孔４１１は、開口調整部４２４によりノズル管４１の内部と遮蔽される。

これにより、開口する供給孔４１１の数を制御することができる。したがって、全ての供給孔４１１の開口面積の総和が変化することで、供給孔４１１を介して収容器１０内へ供給される気体の吐出速度を調整することができる。

なお、図２０では端部４２５と端部４２６とがＸ方向に同一の長さで延在するが、本発明の実施においてはこれに限られず、開口したい供給孔４１１の数等の条件に従って適宜、端部４２５や端部４２６のＸ方向の長さを変更してもよい。また、回転中心軸Ａ１に対して異なる角度に位置する端部を３箇所より多く設けても良い。

＜３−３．その他＞

上記の説明では、回転駆動部４４は、回転制御部４９により制御される。しかしながら、本発明の実施に関してはこれに限られず、回転制御部４９を介さずに、制御部９０を回転駆動部と電気的に接続し、制御部９０が直接、回転駆動部４４に対して動作指令を出力してもよい。このとき、制御部９０が、回転駆動部４４を制御し、開口調整部４２が供給孔４１１の開口を遮蔽する面積を制御する「制御部」を構成する。

また、上記の説明では、ノズルユニット４０には基板Ｗを処理する処理ガスを供給ユニット５０から供給したが、本発明の実施に関してはこれに限られず、ノズルユニット４０は、液体を供給孔４１１から吐出するユニットとして用いてもよい。例えば、図２における処理槽２０に設けられた図示しない処理液吐出ノズルに、第１実施形態や第２実施形態、または変形例で示したような、ノズル管と開口調整部の二重管構造を有するノズルユニット４０を用いてもよい。このとき、ノズルユニット４０が、処理液（流体）を供給孔４１１から吐出する「流体吐出ユニット」を構成する。

なお、基板処理装置における細部の形状については、本願の各図と相違していてもよい。また、上記の実施形態や変形例に登場した各要素を、矛盾が生じない範囲で、適宜に組み合わせてもよい。

１ 基板処理装置
２ 基板処理装置
１０ 収容器
１１ 上部
１２ スライド式開閉機構
２０ 処理槽
２１ 開口部
２２ 液面
３０ 昇降機構
３３ 昇降駆動部
３４ 保持棒
３５ 保持棒
３６ 保持棒
４０ ノズルユニット
４１ ノズル管
４２ 開口調整部
４３ シャフト
４４ 回転駆動部
４９ 回転制御部
５０ 供給ユニット
５１ ＩＰＡ供給源
５５ 窒素ガス供給源
６０ 排出ユニット
６１ 排液管
６４ 排気管
９０ 制御部
４１１ 供給孔
４２１ 調整孔
Ｗ 基板
Ｐ 経路

Claims (18)

1. 基板に付着した処理液を処理ガスにより除去することで、基板の乾燥処理を行う基板処理装置であって、
   基板の搬出入口を有する収容器と、
   前記収容器内において、基板を保持する基板保持部と、
   前記収容器内において、前記基板保持部を昇降させる昇降手段と、
   前記収容器内に設けられ、前記処理ガスを供給孔から吐出する処理ガス吐出ユニットと、
   を備え、
   前記処理ガス吐出ユニットは、
   前記供給孔の開口を少なくとも一部遮蔽する開口調整部と、
   前記供給孔と前記開口調整部とを相対的に移動させる移動手段と、
   前記移動手段を制御し、前記開口調整部が前記供給孔の開口を遮蔽する面積を制御する制御部と、
   を有する、基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記収容器内に、前記基板を処理する前記処理液を貯留する処理槽をさらに備え、
   前記昇降手段は、前記処理槽内において前記基板を前記処理液に浸漬する位置と、前記基板の搬出入を行う位置との間で、前記基板保持部を昇降させる、基板処理装置。
3. 請求項１または請求項２のいずれか１項に記載の基板処理装置であって、
   前記処理ガス吐出ユニットは、前記供給孔を管の筒側面に有する中空構造のノズル管を有する、基板処理装置。
4. 請求項３に記載の基板処理装置であって、
   前記開口調整部は、一部に開口を有する中空構造の管であり、
   前記処理ガス吐出ユニットにおいて前記ノズル管と前記開口調整部は、二重管であり、
   前記処理ガスは、前記二重管の内管を流通する、基板処理装置。
5. 請求項３または請求項４のいずれか１項に記載の基板処理装置であって、
   前記開口調整部は、前記ノズル管と摺動可能に当接する、基板処理装置。
6. 請求項４または請求項５のいずれか１項に記載の基板処理装置であって、
   前記移動手段は、前記ノズル管と前記開口調整部とを相対的に回転させる、基板処理装置。
7. 請求項６に記載の基板処理装置であって、
   前記制御部は、前記ノズル管と前記開口制御部との相対的な回転の角度により、前記供給孔の開口を遮蔽する面積を制御する、基板処理装置。
8. 請求項３から請求項７までのいずれか１項に記載の基板処理装置であって、
   前記ノズル管は前記供給孔を複数有し、
   前記開口調整部は、複数の前記供給孔のうち一部の供給孔を遮蔽する、基板処理装置。
9. 請求項１から請求項８に記載の基板処理装置であって、
   前記収容器内の気体を排出する排出ユニットをさらに備える、基板処理装置。
10. 請求項１から請求項９に記載の基板処理装置であって、
    前記制御部は、前記供給孔が前記基板の方向を向くように、前記移動手段を制御する、基板処理装置。
11. 請求項１から請求項１０に記載の基板処理装置であって、
    前記処理ガスは、窒素ガス、または有機溶剤の蒸気のうち、少なくとも１種類の気体を含む、基板処理装置。
12. 請求項１１に記載の基板処理装置であって、
    前記有機溶剤は、イソプロピルアルコールである、基板処理装置。
13. 基板に付着した処理液を処理ガスにより除去することで、基板の乾燥処理を行う基板処理方法であって、
    基板の搬出入口を有する収容器に、前記基板を搬入する工程と、
    前記収容器内において、基板を保持する基板保持工程と、
    前記収容器内において、前記基板を昇降する昇降工程と、
    前記収容器内に前記処理ガスを供給孔から吐出する処理ガス吐出工程と、
    前記供給孔の開口を少なくとも一部遮蔽する開口調整部と前記供給孔とを相対的に移動させ、前記供給孔の開口を少なくとも一部遮蔽する開口調整工程と、
    を備える、基板処理方法。
14. 請求項１３に記載の基板処理方法であって、
    前記開口調整工程は、前記供給孔を管の筒側面に有する中空構造のノズル管と、一部に開口を有する中空構造の前記開口調整部との二重管において、前記ノズル管と前記開口調整部とを相対的に回転させる、基板処理方法。
15. 流体を供給孔から吐出する流体吐出ユニットであって、
    前記供給孔の開口を少なくとも一部遮蔽する開口調整部と、
    前記供給孔と前記開口調整部とを相対的に移動させる移動手段と、
    前記移動手段を制御し、前記開口調整部が前記供給孔の開口を遮蔽する面積を制御する制御部と、
    を備え、
    前記供給孔は、中空構造のノズル管の筒側面に設けられ、
    前記開口調整部は、一部に開口を有する中空構造の管であり、
    前記ノズル管と前記開口調整部は、二重管であり、
    前記流体は、前記二重管の内管を流通する、流体吐出ユニット。
16. 請求項１５に記載の流体吐出ユニットであって、
    前記開口調整部は、前記ノズル管と摺動可能に当接する、流体吐出ユニット。
17. 請求項１５または請求項１６のいずれか１項に記載の流体吐出ユニットであって、
    前記移動手段は、前記ノズル管と前記開口調整部とを相対的に回転させ、
    前記制御部は、前記ノズル管と前記開口制御部との相対的な回転の角度により、前記供給孔の開口を遮蔽する面積を制御する、流体吐出ユニット。
18. 請求項１５から請求項１７までのいずれか１項に記載の流体吐出ユニットであって、
    前記ノズル管は前記供給孔を複数有し、
    前記開口調整部は、複数の前記供給孔のうち一部の供給孔を遮蔽する、流体吐出ユニット。

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