JP2019054104A - 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体 - Google Patents
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Abstract
Description
続いて、基板処理システム1が含む基板処理装置10の構成を例示する。基板処理装置10は、表面にメタル膜等の被膜が形成されたウェハWを処理対象とし、液処理によって被膜の膜厚調整および異物の除去を行う。図2に示すように、基板処理装置10は、処理ユニット16と、これを制御する制御装置4とを備える。処理ユニット16は、回転保持部20と、処理液供給部30,60と、ノズル駆動部40,70と、カップ80と、チャンバー90とを備える。
続いて、基板処理方法の一例として、基板処理装置10が実行する基板処理手順を説明する。この基板処理手順は、ウェハWを保持して回転させることと、ウェハWの表面に処理液(エッチング液またはリンス液)を吐出することと、第一速度プロファイルに従って、第一位置から第二位置に処理液の到達位置を移動させることと、第二速度プロファイルに従って第二位置から第一位置に処理液の到達位置を移動させることとを繰り返し実行することと、を含む。
図8に示すように、エッチング制御部110は、まずステップS11,S12,S13を順に実行する。ステップS11では、回転制御部111が、レシピ記憶部140に記憶されたエッチング処理用の回転速度にてウェハWの回転を開始するように回転保持部20を制御する。ステップS12では、ノズル移動制御部113が、ノズル31を第一位置の上に配置するようにノズル駆動部40を制御する。ステップS13では、処理液供給制御部112が、ノズル31からのエッチング液の吐出を開始するように処理液供給部30を制御する。
図9に示すように、リンス制御部120は、まずステップS31,S32,S33を順に実行する。ステップS31では、回転制御部121が、ウェハWの回転速度をレシピ記憶部140に記憶されたリンス処理用の回転速度に変更するように回転保持部20を制御する。ステップS32では、ノズル移動制御部123が、ノズル61を軸線Ax1(ウェハWの中心)の上に配置するようにノズル駆動部70を制御する。ステップS33では、処理液供給制御部122が、ノズル61からのリンス液の吐出を開始するように処理液供給部60を制御する。
図10に示すように、乾燥制御部130は、ステップS51,S52,S53を順に実行する。ステップS51では、回転制御部131が、ウェハWの回転速度をレシピ記憶部140に記憶された乾燥処理用の回転速度に変更するように回転保持部20を制御する。ステップS52では、回転制御部131が、レシピ記憶部140に記憶された乾燥時間の経過を待機する。ステップS53では、回転制御部131が、ウェハWの回転を停止させるように回転保持部20を制御する。以上で乾燥処理手順が完了する。
以上に説明したように、基板処理装置10は、ウェハWを保持して回転させる回転保持部20と、ウェハWの表面に処理液を吐出するノズル31を含む処理液供給部30と、ウェハWの回転中心に交差する方向に沿ってノズル31を移動させるノズル駆動部40と、ウェハWの回転中心からの距離に応じて変化する第一速度プロファイルに従って、ウェハWの回転中心側からウェハWの外周側に処理液の到達位置を移動させることと、第一速度プロファイルとは異なる第二速度プロファイルに従ってウェハWの外周側からウェハWの回転中心側に処理液の到達位置を移動させることと、を繰り返し実行するようにノズル駆動部40を制御する制御装置4と、を備える。
Claims (10)
- 基板を保持して回転させる回転保持部と、
前記基板の表面に処理液を吐出するノズルを含む処理液供給部と、
前記基板の回転中心に交差する方向に沿って前記ノズルを移動させるノズル駆動部と、
前記基板の回転中心からの距離に応じて変化する第一速度プロファイルに従って、前記基板の回転中心側から前記基板の外周側に前記処理液の到達位置を移動させることと、前記第一速度プロファイルとは異なる第二速度プロファイルに従って前記基板の外周側から前記基板の回転中心側に前記処理液の到達位置を移動させることと、を繰り返し実行するように前記ノズル駆動部を制御する制御装置と、を備える基板処理装置。 - 前記第一速度プロファイルおよび前記第二速度プロファイルは、前記基板の回転中心側の第一区間においては、前記第一速度プロファイルおよび前記第二速度プロファイルのいずれか一方が第一固定値となって他方が変動し、前記第一区間より前記基板の外周側の第二区間においては、前記第一速度プロファイルおよび前記第二速度プロファイルのいずれか一方が第二固定値となって他方が変動するように設定されている、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記第一速度プロファイルおよび前記第二速度プロファイルは、前記第一速度プロファイルおよび前記第二速度プロファイルのいずれか一方が前記第一区間において前記第一固定値となって他方が前記第二区間において前記第二固定値となるように設定されている、請求項2記載の基板処理装置。
- 前記第一速度プロファイルおよび前記第二速度プロファイルは、前記第二速度プロファイルが前記第一区間において前記第一固定値となり、前記第一速度プロファイルが前記第二区間において前記第二固定値となるように設定されている、請求項3記載の基板処理装置。
- 前記第一固定値は前記第二固定値よりも大きい、請求項2〜4のいずれか一項記載の基板処理装置。
- 前記第一区間が前記第二区間よりも長い、請求項2〜5のいずれか一項記載の基板処理装置。
- 前記第一区間が前記第二区間よりも短い、請求項2〜5のいずれか一項記載の基板処理装置。
- 前記制御装置は、前記基板の回転動作と、前記処理液の到達位置の往復動作との位相をずらすように前記ノズル駆動部を制御することを更に実行するように構成されている、請求項1〜7のいずれか一項記載の基板処理装置。
- 基板を保持して回転させることと、
前記基板の表面に処理液を吐出することと、
前記基板の回転中心からの距離に応じて変化する第一速度プロファイルに従って、前記基板の回転中心側から前記基板の外周側に前記処理液の到達位置を移動させることと、前記第一速度プロファイルとは異なる第二速度プロファイルに従って前記基板の外周側から前記基板の回転中心側に前記処理液の到達位置を移動させることとを繰り返し実行することと、を含む基板処理方法。 - 請求項9記載の基板処理方法を装置に実行させるためのプログラムを記憶した、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。
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KR20210084305A (ko) | 2019-12-27 | 2021-07-07 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법, 기판 처리 시스템, 및 학습용 데이터의 생성 방법 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005311012A (ja) * | 2004-04-21 | 2005-11-04 | Sony Corp | ウェットエッチング装置及び基板のウェットエッチング方法 |
JP2010205865A (ja) * | 2009-03-03 | 2010-09-16 | Disco Abrasive Syst Ltd | スピンナ洗浄装置 |
JP2017037939A (ja) * | 2015-08-07 | 2017-02-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体 |
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KR20220104117A (ko) | 2019-12-27 | 2022-07-26 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | 추가 학습을 위한 학습용 데이터 생성 방법, 및 학습 완료된 모델 생성 방법 |
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