JP2018147923A - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】基板処理の面内均一性を高めること。【解決手段】実施形態に係る基板処理装置は、保持部と、回転機構と、ノズルと、移動機構と、制御部とを備える。保持部は、基板を水平に保持する。回転機構は、保持部を回転させる。ノズルは、保持部に保持された基板に対してエッチング液を供給する。移動機構は、ノズルを移動させる。制御部は、回転機構および移動機構を制御して、回転する基板に対してノズルからエッチング液を供給しつつ、基板上方の第１位置と第１位置よりも基板の外周側の第２位置との間でノズルを往復させるスキャン処理を実行させる。また、制御部は、スキャン処理を第１位置を変更しながら複数回実行させる。【選択図】図６

Description

開示の実施形態は、基板処理装置および基板処理方法に関する。
従来、半導体ウェハやガラス基板等の基板に対し、基板を回転させつつ、基板の上方に配置したノズルから基板に対して処理液を供給し、基板の遠心力によって処理液を基板の表面全体に広げて基板を処理する基板処理装置が知られている。
この種の基板処理装置では、ノズルから処理液を吐出させながら、ノズルを基板の中心側に位置する第１位置と外周側に位置する第２位置との間で往復させるスキャン処理を複数回連続で行う連続スキャン処理が実施される場合がある。
ここで、特許文献１には、基板のエッチング処理を連続スキャン処理により行う場合において、上記第１位置を基板の中心から３０ｍｍずらした位置とすることで、基板の中心におけるエッチング量を抑えて面内均一性を高めることが記載されている。
特開２０１５−１０３６５６号公報
しかしながら、連続スキャン処理においては、往復動作の折り返し地点である第１位置におけるエッチング量が他の位置と比べて多くなることが分かった。このため、上述した従来技術には、基板処理の面内均一性を高めるという点でさらなる改善の余地がある。
実施形態の一態様は、基板処理の面内均一性を高めることができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
実施形態の一態様に係る基板処理装置は、保持部と、回転機構と、ノズルと、移動機構と、制御部とを備える。保持部は、基板を水平に保持する。回転機構は、保持部を回転させる。ノズルは、保持部に保持された基板に対してエッチング液を供給する。移動機構は、ノズルを移動させる。制御部は、回転機構および移動機構を制御して、回転する基板に対してノズルからエッチング液を供給しつつ、基板上方の第１位置と第１位置よりも基板の外周側の第２位置との間でノズルを往復させるスキャン処理を実行させる。また、制御部は、スキャン処理を第１位置を変更しながら複数回実行させる。
実施形態の一態様によれば、基板処理の面内均一性を高めることができる。
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。 図２は、処理ユニットの概略構成を示す図である。 図３は、図２に示した処理ユニットの保持部に保持されたウェハの近傍領域を拡大して模式的に示した図である。 図４は、処理ユニットの模式平面図である。 図５Ａは、エッチング液の吐出方法とエッチング量との関係を模式的に示した図である。 図５Ｂは、エッチング液の吐出方法とエッチング量との関係を模式的に示した図である。 図５Ｃは、エッチング液の吐出方法とエッチング量との関係を模式的に示した図である。 図６は、第１の実施形態に係る連続スキャン処理の内容を説明するための図である。 図７Ａは、直接供給位置を示す図である。 図７Ｂは、間接供給位置を示す図である。 図７Ｃは、非供給位置を示す図である。 図８は、第１の実施形態に係る連続スキャン処理を行った場合におけるエッチング量を模式的に示した図である。 図９は、処理ユニットが実行する基板処理の手順の一例を示すフローチャートである。 図１０は、第２の実施形態に係る基板処理の内容を説明するための図である。 図１１は、第２の実施形態に係る基板処理を行った場合におけるエッチング量を模式的に示した図である。 図１２は、ウェハ上におけるエッチングノズルの位置とエッチングノズルの移動速度との関係を示す図である。 図１３は、加熱流体供給部の構成例を示す図である。 図１４は、第５の実施形態に係る乾燥処理の内容を説明するための図である。 図１５は、加熱処理の内容を説明するための図である。
以下、添付図面を参照して、本願の開示する基板処理装置および基板処理方法の実施形態を詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態によりこの発明が限定されるものではない。
図１は、本実施形態に係る基板処理システムの概略構成を示す図である。以下では、位置関係を明確にするために、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を規定し、Ｚ軸正方向を鉛直上向き方向とする。
図１に示すように、基板処理システム１は、搬入出ステーション２と、処理ステーション３とを備える。搬入出ステーション２と処理ステーション３とは隣接して設けられる。
搬入出ステーション２は、キャリア載置部１１と、搬送部１２とを備える。キャリア載置部１１には、複数枚の基板、本実施形態では半導体ウェハ（以下ウェハＷ）を水平状態で収容する複数のキャリアＣが載置される。
搬送部１２は、キャリア載置部１１に隣接して設けられ、内部に基板搬送装置１３と、受渡部１４とを備える。基板搬送装置１３は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１３は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いてキャリアＣと受渡部１４との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ステーション３は、搬送部１２に隣接して設けられる。処理ステーション３は、搬送部１５と、複数の処理ユニット１６とを備える。複数の処理ユニット１６は、搬送部１５の両側に並べて設けられる。
搬送部１５は、内部に基板搬送装置１７を備える。基板搬送装置１７は、ウェハＷを保持するウェハ保持機構を備える。また、基板搬送装置１７は、水平方向および鉛直方向への移動ならびに鉛直軸を中心とする旋回が可能であり、ウェハ保持機構を用いて受渡部１４と処理ユニット１６との間でウェハＷの搬送を行う。
処理ユニット１６は、基板搬送装置１７によって搬送されるウェハＷに対して所定の基板処理を行う。
また、基板処理システム１は、制御装置４を備える。制御装置４は、たとえばコンピュータであり、制御部１８と記憶部１９とを備える。記憶部１９には、基板処理システム１において実行される各種の処理を制御するプログラムが格納される。制御部１８は、記憶部１９に記憶されたプログラムを読み出して実行することによって基板処理システム１の動作を制御する。
なお、かかるプログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体に記録されていたものであって、その記憶媒体から制御装置４の記憶部１９にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記憶媒体としては、たとえばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。
上記のように構成された基板処理システム１では、まず、搬入出ステーション２の基板搬送装置１３が、キャリア載置部１１に載置されたキャリアＣからウェハＷを取り出し、取り出したウェハＷを受渡部１４に載置する。受渡部１４に載置されたウェハＷは、処理ステーション３の基板搬送装置１７によって受渡部１４から取り出されて、処理ユニット１６へ搬入される。
処理ユニット１６へ搬入されたウェハＷは、処理ユニット１６によって処理された後、基板搬送装置１７によって処理ユニット１６から搬出されて、受渡部１４に載置される。そして、受渡部１４に載置された処理済のウェハＷは、基板搬送装置１３によってキャリア載置部１１のキャリアＣへ戻される。
次に、処理ユニット１６について図２を参照し説明する。図２は、処理ユニット１６の概略構成を示す図である。
図２に示すように、処理ユニット１６は、チャンバ２０と、基板保持機構３０と、処理流体供給部４０と、回収カップ５０とを備える。
チャンバ２０は、基板保持機構３０と処理流体供給部４０と回収カップ５０とを収容する。チャンバ２０の天井部には、ＦＦＵ（Fan Filter Unit）２１が設けられる。ＦＦＵ２１は、チャンバ２０内にダウンフローを形成する。
基板保持機構３０は、保持部３１と、支柱部３２と、駆動部３３とを備える。保持部３１は、ウェハＷを水平に保持する。支柱部３２は、鉛直方向に延在する部材であり、基端部が駆動部３３によって回転可能に支持され、先端部において保持部３１を水平に支持する。駆動部３３は、支柱部３２を鉛直軸まわりに回転させる。かかる基板保持機構３０は、駆動部３３を用いて支柱部３２を回転させることによって支柱部３２に支持された保持部３１を回転させ、これにより、保持部３１に保持されたウェハＷを回転させる。
処理流体供給部４０は、ウェハＷに対して処理流体を供給する。処理流体供給部４０は、処理流体供給源７０に接続される。
回収カップ５０は、保持部３１を取り囲むように配置され、保持部３１の回転によってウェハＷから飛散する処理液を捕集する。回収カップ５０の底部には、排液口５１が形成されており、回収カップ５０によって捕集された処理液は、かかる排液口５１から処理ユニット１６の外部へ排出される。また、回収カップ５０の底部には、ＦＦＵ２１から供給される気体を処理ユニット１６の外部へ排出する排気口５２が形成される。
処理ユニット１６は、基板処理装置の一例に相当する。第１の実施形態では、処理ユニット１６を用い、ウェハＷの表面に形成されたポリシリコン膜にエッチング液を供給することによってポリシリコン膜に付着した異物を除去するエッチング処理を行う場合を例に挙げて説明する。
＜処理ユニットの具体的な構成例＞
図３は、図２に示した処理ユニット１６の保持部３１に保持されたウェハＷの近傍領域を拡大して模式的に示した図である。また、図４は、処理ユニット１６の模式平面図である。
図３に示すように処理ユニット１６には、ウェハＷの全面にエッチング液を供給する主ノズル部４０ａと、主ノズル部４０ａから供給されたエッチング液によってウェハＷの面内に形成される温度分布を調整するための副ノズル部４０ｂと、を備えている。
主ノズル部４０ａは、ノズルヘッド４１Ａと、ノズルヘッド４１Ａに設けられ、ウェハＷに対してエッチング液を供給するエッチングノズル４１１Ａと、ノズルヘッド４１Ａに設けられ、リンス液を供給するリンスノズル４１２Ａとを備える。図３に示すように、これらのノズル４１１Ａ，４１２Ａは、鉛直下方へ向けて各処理液（エッチング液、リンス液）を直線状に吐出する。
図４に示すように、主ノズル部４０ａのノズルヘッド４１Ａは、保持部３１に保持されたウェハＷに沿って伸びるノズルアーム４２Ａの先端部に設けられ、ウェハＷの上面（被処理面）の上方側に配置される。このノズルアーム４２Ａの基端部は、ガイドレール４４上を走行自在なスライダー４３によって支持され、スライダー４３をガイドレール４４上で移動させることにより、ウェハＷの半径方向に沿って、主ノズル部４０ａを水平方向に自由に移動させることができる。また、主ノズル部４０ａは、ウェハＷの上方から側方へと退避した待機位置にも移動することができる。
スライダー４３は、エッチングノズル４１１Ａを移動させる移動機構の一例である。なお、図４に示した構成に限らず、エッチングノズル４１１Ａの移動機構は、ノズルアーム４２Ａおよびノズルヘッド４１Ａを揺動させる揺動機構を備えた構成であってもよい。
副ノズル部４０ｂは、ノズルヘッド４１Ｂと、ノズルヘッド４１Ｂに設けられ、ウェハＷに対してエッチング液を供給するエッチングノズル４１１Ｂと、ノズルヘッド４１Ｂに設けられ、リンス液を供給するリンスノズル４１２Ｂとを備える。図３に示すように、これらのノズル４１１Ｂ，４１２Ｂは、鉛直下方へ向けて各処理液（エッチング液、リンス液）を直線状に吐出する。
副ノズル部４０ｂのノズルヘッド４１Ｂは、保持部３１に保持されたウェハＷに沿って伸びるノズルアーム４２Ｂの先端部に設けられ、当該ウェハＷの上方側に配置される。図４に示すように、ノズルアーム４２Ｂの基端部は駆動部４６にて回転自在な回転軸４５によって支持され、ウェハＷの外周側の予め設定された処理位置（図４中、実線で示す）と、ウェハＷの上方から側方へと退避した待機位置（図４中、破線で示す）との間を移動することができる。
駆動部４６、ノズルアーム４２Ｂおよびノズルヘッド４１Ｂは、エッチングノズル４１１Ｂを移動させる移動機構の一例である。なお、図４に示した構成に限らず、エッチングノズル４１１Ｂの移動機構は、ガイドレールおよびスライダーを備え、エッチングノズル４１１Ｂを直線的に移動させる構成であってもよい。
エッチングノズル４１１Ａ，４１１Ｂは、それぞれノズルヘッド４１Ａ，４１Ｂおよびノズルアーム４２Ａ，４２Ｂを介してエッチング液供給源７０１（図２の処理流体供給源７０に相当）に接続される。エッチング液供給源７０１には、エッチング液を貯留する貯留部（不図示）及び貯留部内のエッチング液の温度調整を行うヒーターなどの温度調整部（不図示）が設けられ、温度が２０〜７０℃の範囲の例えば５０℃に調整されたエッチング液を各エッチングノズル４１１Ａ，４１１Ｂへ供給することができる。エッチング液供給源７０１の出口部には、各エッチングノズル４１１Ａ，４１１Ｂへ送液されるエッチング液の流量調整を行う流量調整部７１ａ、７１ｂが設けられている。なお、エッチング液としては、たとえばＳＣ１（アンモニア／過酸化水素／水の混合液）やＤＨＦ（希フッ酸）等を用いることができる。
また、主ノズル部４０ａ及び副ノズル部４０ｂのリンスノズル４１２Ａ，４１２Ｂについても、リンス液を貯留する貯留部（不図示）などを備えたリンス液供給源７０２（図２の処理流体供給源７０に相当）に接続されている。リンス液供給源７０２からは各流量調整部７１ｃ、７１ｄにて流量調整されたリンス液を供給することができる。
これらエッチング液やリンス液の流量調整、エッチング液の温度調整や主ノズル部４０ａ、副ノズル部４０ｂの移動動作の制御は、制御装置４によって制御される。
制御装置４の制御部１８は、基板処理システム１全体を統括制御する処理部であり、たとえば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ＲＡＭ（Random Access Memory）、入出力ポートなどを有するマイクロコンピュータや各種の回路を含む。制御部１８は、ＣＰＵがＲＯＭに記憶されたプログラムを、ＲＡＭを作業領域として使用して実行することにより、処理ユニット１６や基板搬送装置１３といった基板処理システム１が備える各装置の動作を制御する。
なお、上記プログラムは、コンピュータによって読み取り可能な記録媒体に記録されていたものであって、その記録媒体から制御装置の記憶部にインストールされたものであってもよい。コンピュータによって読み取り可能な記録媒体としては、例えばハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルディスク（ＭＯ）、メモリカードなどがある。また、制御部１８は、それぞれ一部または全部がＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）やＦＰＧＡ（Field Programmable Gate Array）等のハードウェアで構成されてもよい。
制御装置４の記憶部１９は、たとえば、ＲＡＭ、フラッシュメモリ（Flash Memory）等の半導体メモリ素子、又は、ハードディスク、光ディスク等の記憶装置によって実現される。
＜エッチング液の吐出方法とエッチング量との関係＞
次に、エッチング液の吐出方法とエッチング量との関係について図５Ａ〜図５Ｃを参照して説明する。図５Ａ〜図５Ｃは、エッチング液の吐出方法とエッチング量との関係を模式的に示した図である。なお、ここでは、ウェハＷの直径が３００ｍｍであるものとし、ウェハＷの中心位置を０ｍｍ、最外周位置を１５０ｍｍと規定する。また、ここでは、ウェハＷの中心と保持部３１によるウェハＷの回転中心とが一致するものとする。以下では、ウェハＷの回転中心を単にウェハＷの中心と記載する場合がある。
図５Ａに示すように、ノズル４１１Ｘから回転するウェハＷの中心にのみエッチング液を吐出した場合、ウェハＷのエッチング量は、ウェハＷの中心が最も高くなり、外周側へ向かうにつれて次第に少なくなる。これは、ウェハＷの外周側ほどエッチング液の温度が低くなるためである。
そこで、エッチング液の温度差を少なくするために、図５Ｂに示すように、ウェハＷの中心にエッチング液を吐出する第１位置と、第１位置よりもウェハＷの外周側に位置する第２位置との間でノズル４１１Ｘを往復させるスキャン処理が用いられる場合がある。
この手法によれば、温度調整されたエッチング液がウェハＷの外周側にも直接供給されるようになるため、ウェハ面内におけるエッチング液の温度差を少なくすることができる。したがって、図５Ａに示した吐出方法と比べてエッチング処理の面内均一性を高めることができる。
なお、ノズル４１１Ｘの移動速度は、ウェハＷの中心にエッチング液の液膜が形成された状態を維持可能な速度、すなわち、ウェハＷの中心の液膜が消失する前に、ウェハＷの中心に再びエッチング液が供給される速度に設定される。また、ノズル４１１Ｘの往復動作の回数は、所望のエッチング量が得られることが見込まれる回数に設定される。第２位置においては、旋回流の影響によってエッチング量が低下するため、第１位置よりもエッチング液の供給量を多くすることが好ましい。
また、図５Ｃに示すように、往復動作の折り返し地点である第１位置および第２位置のうちウェハＷの中心側の折り返し地点である第１位置をウェハＷの中心からずらした位置とすることも提案されている。この手法によれば、ウェハＷの中心におけるエッチング量を抑えることができ、エッチング処理の面内均一性をさらに高めることができる。
しかしながら、上述した従来の手法には、エッチング処理の面内均一性の更なる向上を図るという点で改善の余地がある。すなわち、図５Ｂや図５Ｃに示す手法のように、ノズル４１１Ｘを第１位置と第２位置との間で往復させる場合、第１位置および第２位置においてノズル４１１Ｘが方向転換のために一瞬静止することで、第１位置および第２位置におけるエッチング液の供給量が他の位置よりも多くなる。この結果、第１位置および第２位置におけるエッチング量が他の位置よりも多くなることで、エッチング処理の面内均一性を低下させるおそれがある。ノズル４１１Ｘの往復動作の回数が多くなるほど、第１位置および第２位置においてノズル４１１Ｘが静止する回数が多くなるため、第１位置および第２位置と他の位置とのエッチング量の差が大きくなり、エッチング処理の面内均一性の低下が顕著となる。
そこで、第１の実施形態に係る処理ユニット１６では、第１位置と第２位置との間でエッチングノズル４１１Ａを往復させるスキャン処理を第１位置を変更しながら複数回実行することとした。
＜第１の実施形態に係る連続スキャン処理の内容＞
以下、第１の実施形態に係る連続スキャン処理の内容について図６〜図８を参照して説明する。
図６は、第１の実施形態に係る連続スキャン処理の内容を説明するための図である。また、図７Ａは直接供給位置を示す図であり、図７Ｂは間接供給位置を示す図であり、図７Ｃは非供給位置を示す図である。また、図８は、第１の実施形態に係る連続スキャン処理を行った場合におけるエッチング量を模式的に示した図である。
なお、図５Ａ〜図５Ｃと同様、ここでは、ウェハＷの直径が３００ｍｍであるものとし、ウェハＷの中心位置を０ｍｍ、最外周位置を１５０ｍｍと規定する。
図６に示すように、第１の実施形態に係る処理ユニット１６では、直接供給位置Ｐ１１、間接供給位置Ｐ１２および非供給位置Ｐ１３の間で第１位置Ｐ１を変更する。
ここで、直接供給位置Ｐ１１、間接供給位置Ｐ１２および非供給位置Ｐ１３について図７Ａ〜図７Ｃを参照して説明する。
図７Ａに示すように、直接供給位置Ｐ１１は、エッチングノズル４１１Ａから吐出されたエッチング液がウェハＷの中心に直接供給されるエッチングノズル４１１Ａの位置である。第１の実施形態では、ウェハＷの中心を通る軸線上にエッチングノズル４１１Ａが配置された位置（すなわち０ｍｍの位置）が直接供給位置Ｐ１１となる。
図７Ｂに示すように、間接供給位置Ｐ１２は、エッチングノズル４１１Ａから吐出されたエッチング液がウェハＷの中心よりもウェハＷの外周側に供給され且つウェハＷに着液したエッチング液がウェハＷの中心に到達するエッチングノズル４１１Ａの位置である。第１の実施形態において、間接供給位置Ｐ１２は、ウェハＷの中心から２０ｍｍずれた位置に設定される。
また、図７Ｃに示すように、非供給位置Ｐ１３は、エッチングノズル４１１Ａから吐出されたエッチング液がウェハＷの中心に供給されない位置、すなわち、エッチング液がウェハＷの中心よりもウェハＷの外周側に供給され且つウェハＷに着液したエッチング液がウェハＷの中心に到達しない位置である。非供給位置Ｐ３は、ウェハＷの回転数およびエッチング液の吐出量等に応じて決定される。第１の実施形態において、非供給位置Ｐ１３は、ウェハＷの中心から４０ｍｍずれた位置に設定される。
また、第１の実施形態において、ウェハＷの外周側の折り返し地点である第２位置Ｐ２は、ウェハＷの中心から１４５ｍｍずれた位置に設定される。
つづいて、第１の実施形態に係る連続スキャン処理の具体的な動作について説明する。制御装置４の制御部１８は、まず、駆動部３３（図２参照）を制御して、ウェハＷを保持した保持部３１を回転させる。また、制御部１８は、スライダー４３を制御して、エッチングノズル４１１ＡをウェハＷ上の間接供給位置Ｐ１２へ移動させ、その後、エッチングノズル４１１Ａから温度調整されたエッチング液を吐出させる。なお、エッチング液の吐出流量は、連続スキャン処理が終了するまで一定とする。
その後、制御部１８は、図６に示すように、エッチングノズル４１１Ａを間接供給位置Ｐ１２から第２位置Ｐ２へ移動させた後（ステップＳ０１）、第２位置Ｐ２から非供給位置Ｐ１３へ移動させる（ステップＳ０２）。
つづいて、処理ユニット１６では、エッチングノズル４１１Ａを非供給位置Ｐ１３から第２位置Ｐ２へ移動させた後（ステップＳ０３）、第２位置Ｐ２から直接供給位置Ｐ１１へ移動させる（ステップＳ０４）。
ウェハＷの回転数は、エッチングノズル４１１Ａが間接供給位置Ｐ１２から移動し、第２位置Ｐ２および非供給位置Ｐ１３を経由して直接供給位置Ｐ１１へ到達するまでの間、ウェハＷの中心にエッチング液の液膜が形成された状態を維持可能な回転数に設定される。この回転数は、エッチング液の吐出流量およびエッチングノズル４１１Ａの移動速度等によって決定される。なお、第１の実施形態において、ウェハＷの回転数は２００ｒｐｍに設定される。
このように、エッチングノズル４１１Ａが間接供給位置Ｐ１２から移動し、第２位置Ｐ２および非供給位置Ｐ１３を経由して直接供給位置Ｐ１１へ到達するまでの間、ウェハＷの中心にエッチング液の液膜が形成された状態を維持可能な回転数で保持部３１を回転させることにより、ウェハＷの中心がエッチング液から露出することを防止しつつ、エッチング処理の面内均一化を図ることができる。
つづいて、処理ユニット１６では、エッチングノズル４１１Ａを直接供給位置Ｐ１１から第２位置Ｐ２へ移動させた後（ステップＳ０５）、第２位置Ｐ２から間接供給位置Ｐ１２へ移動させる（ステップＳ０６）。
その後、制御部１８は、上述したステップＳ０１〜Ｓ０６の動作を１セットとして複数セット（たとえば、７０〜１００回）連続で実行させる。
このように、往復動作の折り返し地点である第１位置Ｐ１を複数の地点に分散させることで、第１位置Ｐ１として１つの地点しか設定されない従来の手法と比較して、エッチング液が一箇所に集中して供給される状況を緩和することができる。したがって、図８に示すように、第１位置Ｐ１におけるエッチング量を抑えることができ、エッチング処理の面内均一化を図ることができる。
また、上述したように、制御部１８は、直接供給位置Ｐ１１と間接供給位置Ｐ１２と非供給位置Ｐ１３との間で第１位置Ｐ１を変更することとした。このように、第１位置Ｐ１に非供給位置Ｐ１３を含めることで、たとえば、エッチング液がウェハＷの中心に到達し得る範囲（すなわち、直接供給位置Ｐ１１〜間接供給位置Ｐ１２の範囲）でのみ第１位置Ｐ１を変更した場合と比べて、ウェハＷの中心側における往復動作の折り返し地点をより広範囲に分散させることができる。したがって、エッチング処理のさらなる面内均一化を図ることができる。
また、制御部１８は、連続スキャン処理における最初のスキャン処理を間接供給位置Ｐ１２から開始することとした。これにより、たとえば、最初のスキャン処理を非供給位置Ｐ１３から開始する場合と比べて、ウェハＷの中心にエッチング液の液膜を形成しつつ、連続スキャン処理を開始することができる。
なお、ここでは、１往復ごとに（エッチングノズル４１１Ａが第２位置Ｐ２に到達するごとに）、第１位置を変更することとしたが、制御部１８は、エッチングノズル４１１Ａが複数回往復するごと（たとえば２往復ごと）に第１位置を変更するようにしてもよい。
また、ここでは、第１位置Ｐ１を直接供給位置Ｐ１１から間接供給位置Ｐ１２へ変更し、間接供給位置Ｐ１２から非供給位置Ｐ１３へ変更することとしたが、制御部１８は、第１位置Ｐ１を間接供給位置Ｐ１２から直接供給位置Ｐ１１へ変更し、直接供給位置Ｐ１１から非供給位置Ｐ１３へ変更してもよい。
また、ここでは、最初のスキャン処理を間接供給位置Ｐ１２から開始することとしたが、制御部１８は、最初のスキャン処理を直接供給位置Ｐ１１から開始してもよいし、非供給位置Ｐ１３から開始してもよい。
また、ここでは、直接供給位置Ｐ１１、間接供給位置Ｐ１２および非供給位置Ｐ１３の間で第１位置Ｐ１を変更することとしたが、制御部１８は、直接供給位置Ｐ１１、間接供給位置Ｐ１２および非供給位置Ｐ１３のうち何れか２つの間で第１位置Ｐ１を変更してもよい。たとえば、制御部１８は、間接供給位置Ｐ１２と非供給位置Ｐ１３との間で第１位置Ｐ１を変更してもよいし、直接供給位置Ｐ１１と間接供給位置Ｐ１２との間で第１位置Ｐ１を変更してもよいし、直接供給位置Ｐ１１と非供給位置Ｐ１３との間で第１位置Ｐ１を変更してもよい。
上記のような第１位置Ｐ１の変更は、たとえば、オペレータが操作画面を介して設定値を入力し、入力した情報が制御部１８に対して送信されることによって実現させることができる。従来、エッチング処理の面内均一性を向上させるために、スキャン中におけるエッチング液の単位時間当たりの供給量またはウェハＷの回転数を変更していたが、本実施形態に係る基板処理システム１によれば、中心側の折り返し地点である第１位置Ｐ１を変更するという簡単な設定変更だけでエッチング処理の面内均一性を向上させることが可能である。
＜基板処理のフローチャート＞
図９は、処理ユニット１６が実行する基板処理の手順の一例を示すフローチャートである。基板搬送装置１７によって各処理ユニット１６に搬送されてきたウェハＷは、不図示の搬入出口を介してチャンバ２０内に搬入される。基板保持機構３０は、不図示の昇降ピンなどを介して、基板搬送装置１７のウェハ保持機構から処理対象のウェハＷを保持部３１に受け渡した後、チャンバ２０内から退避する。
保持部３１にウェハＷが載置されると、駆動部３３により保持部３１を回転させると共に、主ノズル部４０ａを待機位置から間接供給位置Ｐ１２まで進入させる。また、副ノズル部４０ｂを待機位置からウェハＷの外周部まで移動させる。具体的には、副ノズル部４０ｂのエッチングノズル４１１Ｂから吐出されたエッチング液がウェハＷの外周部、たとえばウェハＷの中心から１４０ｍｍの位置に着液する位置にエッチングノズル４１１Ｂを配置させる。
そして、ウェハＷの回転速度が所定の設定速度に到達すると、エッチング処理を開始する（ステップＳ１０１）。具体的には、主ノズル部４０ａのエッチングノズル４１１Ａからエッチング液を吐出させ、上述した連続スキャン処理を開始する。また、副ノズル部４０ｂのエッチングノズル４１１ＢからウェハＷの外周部に対してエッチング液を供給する外周供給処理を開始する。
この結果、各ノズル部４０ａ，４０ｂから吐出されたエッチング液が回転するウェハＷの表面に広がってウェハＷのエッチング処理が行われる。このとき、ウェハＷの中心側と外周側を往復移動する主ノズル部４０ａと、面内温度分布調整用の副ノズル部４０ｂとを用いてエッチング液を供給することにより、均一な面内温度分布を形成しつつエッチング処理が行われる。
特に、第１の実施形態に係る処理ユニット１６においては、第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間でエッチングノズル４１１Ａを往復させるスキャン処理を第１位置Ｐ１を変更しながら複数回実行することとしたため、往復動作の折り返し地点におけるエッチング量の増加を緩和させることができる。また、外周供給処理においては、ウェハＷの外周部にエッチング液が直接供給されることで、ウェハＷの外周部におけるエッチング液の温度低下が抑えられ、面内温度分布をより均一にした状態でエッチング処理を行うことが可能となる。
こうして所定時間だけウェハＷのエッチング処理を行った後、主ノズル部４０ａおよび副ノズル部４０ｂからのエッチング液の吐出を停止し、主ノズル部４０ａおよび副ノズル部４０ｂの各リンスノズル４１２Ａ，４１２Ｂからリンス液を吐出する（ステップＳ１０２）。ここで、ホットリンス処理等、リンス液によるリンス洗浄時のウェハＷの面内温度分布がエッチング処理の結果に影響を与える場合には、エッチング液の供給時と同様に第１位置Ｐ１と第２位置Ｐ２との間を往復移動する主ノズル部４０ａ及び面内温度分布調整用の副ノズル部４０ｂの双方を用いてリンス液を供給する。
また、リンス洗浄時におけるウェハＷの面内温度分布がエッチング処理の結果に与える影響が小さい場合には、例えばウェハＷの中心部上方側で主ノズル部４０ａを停止させ、当該主ノズル部４０ａのみからリンス液供給を行って副ノズル部４０ｂによる面内温度分布の調整は行わないようにしてもよい。
こうしてリンス洗浄を実行し、振り切り乾燥を行ったら（ステップＳ１０３）、保持部３１の回転を止める。そしてチャンバ２０内に進入してきた基板搬送装置１７に、搬入時とは反対の手順でウェハＷを受け渡し、処理ユニット１６からウェハＷを搬出する。
上述してきたように、第１の実施形態に係る基板処理装置は、保持部３１と、駆動部３３（回転機構の一例）と、エッチングノズル４１１Ａ（ノズルの一例）と、スライダー４３（移動機構の一例）と、制御部１８とを備える。保持部３１は、ウェハＷ（基板の一例）を水平に保持する。駆動部３３は、保持部３１を回転させる。エッチングノズル４１１Ａは、保持部３１に保持されたウェハＷに対してエッチング液を供給する。スライダー４３は、ノズル４１１Ａを移動させる。制御部１８は、駆動部３３およびスライダー４３を制御して、回転するウェハＷに対してエッチングノズル４１１Ａからエッチング液を供給しつつ、ウェハＷ上方の第１位置Ｐ１と第１位置Ｐ１よりもウェハＷの外周側の第２位置Ｐ２との間でエッチングノズル４１１Ａを往復させるスキャン処理を実行させる。また、制御部１８は、スキャン処理を第１位置Ｐ１を変更しながら複数回実行させる。
かかる第１の実施形態に係る処理ユニット１６によれば、往復動作の折り返し地点においてエッチング量が他の位置よりも多くなる状況を緩和させることができるため、エッチング処理の面内均一性を高めることができる。
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係る連続スキャン処理の内容について図１０および図１１を参照して説明する。図１０は、第２の実施形態に係る基板処理を行った場合におけるエッチング量を模式的に示した図である。
なお、以下の説明では、既に説明した部分と同様の部分については、既に説明した部分と同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
図１０に示すように、第２の実施形態において、制御部１８は、上述した連続スキャン処理の開始に先立ち、ウェハＷの中心にエッチング液を供給する中心吐出処理を実行させる。
具体的には、制御部１８は、エッチングノズル４１１Ａを直接供給位置Ｐ１１に配置させ、エッチングノズル４１１ＡからウェハＷの中心に対して予め決められた時間だけエッチング液を供給する。ウェハＷの中心へのエッチング液の吐出時間は、ウェハＷの中心に吐出されたエッチング液がウェハＷの回転によってウェハＷの表面全体に広がるのに要する時間以上の時間であり、たとえば１秒間に設定される。
その後、制御部１８は、エッチングノズル４１１Ａからエッチング液を吐出させながら、エッチングノズル４１１Ａを直接供給位置Ｐ１１から間接供給位置Ｐ１２へ移動させて、上述した連続スキャン処理を開始する。
このように、制御部１８は、直接供給位置Ｐ１１からウェハＷに対してエッチング液を供給した後、エッチングノズル４１１Ａを直接供給位置Ｐ１１から間接供給位置Ｐ１２へ移動させて最初のスキャン処理を開始することとしてもよい。
これにより、図１１に示すように、中心吐出処理を行わずに連続スキャン処理を開始した場合と比べて、ウェハＷの中心におけるエッチング量の落ち込みを抑えることができる。したがって、エッチング処理の面内均一性をさらに高めることができる。
また、ウェハＷの中心からずれた位置である間接供給位置Ｐ１２からウェハＷに対するエッチング液の供給を開始すると、エッチング液を均一に拡散させることができず、ウェハＷのエッチング量が左右非対称になるおそれがある。これに対し、第２の実施形態に係る処理ユニット１６によれば、連続スキャン処理に先立って中心吐出処理を行うことで、ウェハＷのエッチング量がウェハＷの中心に対して左右非対称になることを防止することができる。
（第３の実施形態）
エッチングノズル４１１Ａを一定の速度で移動させた場合、エッチング液の単位面積当たりの供給量は、ウェハＷの中心から外周側へ向かうにつれて徐々に少なくなる。そこで、制御部１８は、ウェハＷ面内におけるエッチング液の供給量を均一に揃えるために、エッチングノズル４１１Ａの移動速度を第１位置Ｐ１から第２位置Ｐ２へ向かうにつれて遅くしてもよい。ウェハＷ面内におけるエッチング液の供給量が均一化することで、エッチング処理の面内均一性をさらに高めることができる。
一方、処理ユニット１６では、ウェハＷ面内の温度分布をより均一化させるために、エッチングノズル４１１Ａによる連続スキャン処理と並行して、エッチングノズル４１１ＢからウェハＷの外周部にエッチング液を直接供給する外周供給処理も行われる。しかしながら、複数のエッチングノズル４１１Ａ，４１１Ｂからエッチング液を吐出すると、ウェハＷの表面でエッチング液の流れ同士がぶつかり合うことで、ウェハＷの外周部においてエッチング液の滞留が生じ、ウェハＷの外周部におけるエッチング量が多くなり過ぎるおそれがある。
そこで、制御部１８は、エッチング液の滞留が極力生じないようにするために、エッチングノズル４１１Ａの移動速度をウェハＷの中心から外周側へ向かうにつれて徐々に遅くしつつ、ウェハＷの外周部を通過する際にエッチングノズル４１１Ａの移動速度を上げるようにしてもよい。
かかる点について図１２を参照して説明する。図１２は、ウェハＷ上におけるエッチングノズル４１１Ａの位置とエッチングノズル４１１Ａの移動速度との関係を示す図である。
図１２に示すように、制御部１８は、第１位置Ｐ１（直接供給位置Ｐ１１、間接供給位置Ｐ１２および非供給位置Ｐ１３）と、第１位置Ｐ１よりもウェハＷの外周側の位置Ｐ２１との間において、エッチングノズル４１１Ａを速度ｖ１で移動させる。また、制御部１８は、位置Ｐ２１と、位置Ｐ２１よりもウェハＷの外周側の位置Ｐ２２との間において、エッチングノズル４１１Ａを速度ｖ１よりも遅い速度ｖ２で移動させる。また、制御部１８は、位置Ｐ２２と、位置Ｐ２２よりもウェハＷの外周側の位置Ｐ２３との間において、エッチングノズル４１１Ａを速度ｖ２よりも遅い速度ｖ３で移動させる。
一方、制御部１８は、位置Ｐ２３と第２位置Ｐ２との間においては、エッチングノズル４１１Ａを速度ｖ３よりも速い速度ｖ４で移動させる。
このように、処理ユニット１６は、ウェハＷの外周部に対してエッチング液を供給するエッチングノズル４１１Ｂ（外周ノズルの一例）を備える。また、制御部１８は、第１位置Ｐ１よりもウェハＷの外周側且つ第２位置Ｐ２よりもウェハＷの中心側の第３位置（たとえば、位置Ｐ２２または位置Ｐ２３）におけるエッチングノズル４１１Ａの移動速度を第１位置Ｐ１におけるエッチングノズル４１１Ａの移動速度よりも遅くし、第２位置Ｐ２におけるエッチングノズル４１１Ａの移動速度を第３位置におけるエッチングノズル４１１Ａの移動速度よりも速くすることとした。
これにより、ウェハＷの外周部におけるエッチング液の滞留が抑制されることで、ウェハＷの外周部が過剰にエッチングされることを防止することができる。また、第２位置Ｐ２におけるエッチングノズル４１１Ａの移動速度を速くすることで、往復動作の折り返し地点である第２位置Ｐ２の周辺におけるエッチング量を抑えることができ、エッチング処理の面内均一性をさらに高めることができる。
なお、外周供給処理は、必ずしも実行されることを要しない。外周供給処理を行わない場合、すなわち、エッチングノズル４１１ＢからウェハＷの外周部へのエッチング液の供給を行わない場合、制御部１８は、エッチングノズル４１１Ａが第１位置Ｐ１から出発して第２位置Ｐ２に到達するまで、エッチングノズル４１１Ａの移動速度を遅くし続けてもよい。
（第４の実施形態）
処理ユニット１６は、ウェハＷの温度分布の面内均一性を高めるために、ウェハＷの下面（被処理面と反対側の面）からウェハＷの下面に対して加熱流体を供給する加熱流体供給部を備えることとしてもよい。
図１３は、加熱流体供給部の構成例を示す図である。図１３に示すように、第４の実施形態に係る処理ユニット１６Ａは、基板保持機構３０Ａと、加熱流体供給部１５０とを備える。
基板保持機構３０Ａは、保持部３１Ａと、支柱部３２Ａと、駆動部３３Ａとを備える。保持部３１Ａは、たとえば円板状の部材であり、上面には、ウェハＷを側面から保持する保持部材３１１が設けられる。ウェハＷは、かかる保持部材３１１によって保持部３１Ａ
の上面からわずかに離間した状態で水平に保持される。
支柱部３２Ａは、上端部において保持部３１Ａを水平に支持する。支柱部３２Ａは、駆動部３３Ａによって鉛直軸まわりに回転する。支柱部３２Ａが鉛直軸まわりに回転することにより、保持部３１Ａおよび保持部３１Ａに保持されたウェハＷが鉛直軸まわりに回転する。
また、基板保持機構３０Ａは、保持部３１Ａおよび支柱部３２Ａを貫通する中空部３５を備える。中空部３５には、後述する加熱流体供給部１５０の支柱部１５２が挿通される。
加熱流体供給部１５０は、基板保持機構３０Ａによって保持されたウェハＷの下方に配置され、ウェハＷの下面に対してＨＤＩＷ（加熱された純水）を供給する。
加熱流体供給部１５０は、ノズル部１５１と、支柱部１５２とを備える。ノズル部１５１は、水平方向に延在する長尺状の部材であり、内部には長手方向に沿って延在する流路５１１が設けられている。また、加熱流体供給部１５０は、流路５１１に連通する複数の吐出口５１２を備える。複数の吐出口５１２は、流路５１１に沿って、すなわち、基板保持機構３０Ａに保持されたウェハＷの径方向に沿って所定の間隔をあけて並べて配置される。
支柱部１５２は、基板保持機構３０Ａの中空部３５に挿通され、上端部においてノズル部１５１の基端部を水平に支持する。支柱部１５２の内部には、ノズル部１５１の流路５１１に連通する流路５２１が設けられる。流路５２１には、バルブや流量調節部等を含む供給機器群１５３を介してＨＤＩＷ供給源１５４が接続される。加熱流体供給部１５０へ供給されたＨＤＩＷは、複数の吐出口５１２から吐出されてウェハＷの下面へ供給される。なお、ＨＤＩＷの温度は、エッチングノズル４１１Ａから吐出されるエッチング液の温度以上の温度に設定される。
このように、加熱流体供給部１５０によれば、複数の吐出口５１２から吐出されるＨＤＩＷをウェハＷの下面の略全面に対して直接供給することができ、これにより、ウェハＷの温度分布の面内均一性を高めることができる。
なお、ここでは、加熱流体供給部１５０から供給される加熱流体は、必ずしもＨＤＩＷであることを要しない。たとえば、処理ユニット１６Ａは、エッチングノズル４１１Ａから供給されるエッチング液と同一のエッチング液を加熱流体供給部１５０から供給することとしてもよい。また、加熱流体供給部１５０から供給される加熱流体は、加熱された気体であってもよい。
（第５の実施形態）
ところで、ウェハＷの上面にパターンが形成されている場合、上述した乾燥処理（図９のステップＳ１０３）において、ウェハＷ上に残存する処理液（ここではリンス液）の表面張力によってパターンが倒壊するおそれがある。
ここで、パターン倒壊が発生する要因の一つとして「乾燥処理の処理時間」があり、処理時間が長くなるほどパターン倒壊が発生し易くなる。
そこで、乾燥処理の処理時間を短縮するために、乾燥処理の開始前、言い換えれば、リンス処理の終了前からウェハＷの回転数を増加させる事前加速処理を行うこととしてもよい。かかる点について図１４を参照して説明する。図１４は、第５の実施形態に係る乾燥処理の内容を説明するための図である。
図１４において一点鎖線で示すように、従来においては、乾燥処理の開始と同時に、リンス液の供給を停止して、ウェハＷの回転数をリンス処理時における回転数Ｘ１（たとえば、２００ｒｐｍ）からＸ２（たとえば、４０００ｒｐｍ）へ増加させていた。なお、回転数Ｘ２は、ウェハＷに残存するリンス液を振り切ることができる回転数である。しかしながら、この手法だと、回転数がＸ２に到達するまでの時間Ｔだけ、乾燥処理の処理時間が余分に長くなってしまう。
そこで、制御部１８は、乾燥処理の開始前からウェハＷの回転数を増加させる。たとえば、制御部１８は、乾燥処理の開始時点よりも、ウェハＷの回転数がＸ１からＸ２に到達するまでの時間Ｔだけ前の時点からウェハＷの回転数を増加させる事前加速処理を開始させる。
このようにすることで、乾燥処理の開始時点においてウェハＷの回転数が既にＸ２に到達した状態とすることができるため、従来の乾燥処理と比較して処理時間を短縮することができる。したがって、パターン倒壊の発生を抑制することができる。
一方で、事前加速処理を行った場合には、事前加速処理を行わない場合と比べてウェハＷの温度が低くなるおそれがある。ウェハＷの温度が低くなるほどウェハＷに残存する処理液の温度も低くなり、処理液の温度が低くなるほど処理液の粘性が高くなる。そして、処理液の粘性が高くなるほど表面張力が大きくなる。したがって、単に事前加速処理を行っただけでは、パターン倒壊が却って生じ易くなる可能性がある。
そこで、制御部１８は、たとえば、第４の実施形態において説明した加熱流体供給部１５０を用いてウェハＷを加熱する加熱処理を行ってもよい。かかる点について図１５を参照して説明する。図１５は、加熱処理の内容を説明するための図である。
図１５に示すように、制御部１８は、リンス処理において、加熱流体供給部１５０からウェハＷの下面に対してＨＤＩＷを供給する。そして、制御部１８は、乾燥処理が開始されてから時間Ｔが経過した時点で、加熱流体供給部１５０からウェハＷの下面へのＨＤＩＷの供給を停止する。なお、ＨＤＩＷの温度は、事前加速処理を行う場合のウェハＷの温度が、事前加速処理を行わない場合におけるウェハＷの温度以上となる温度であればよい。
このようにウェハＷを加熱することにより、仮に、事前加速処理を行うことによってウェハＷの温度が低下するとしても、かかるウェハＷの温度低下を抑制することができる。したがって、パターン倒壊の発生をより確実に抑制することができる。
なお、ここでは、リンス処理後に乾燥処理を行う場合の例について説明したが、基板処理においては、リンス処理後かつ乾燥処理前に、ウェハＷの上面にＩＰＡを供給するＩＰＡ供給処理が行われる場合がある。この場合、事前加速処理は、ＩＰＡ供給処理の処理中に開始されることとなる。したがって、この場合、制御部１８は、ＩＰＡ供給処理において、加熱流体供給部１５０からウェハＷの下面に対してＨＤＩＷを供給し、乾燥処理が開始されてから時間Ｔが経過した後で、加熱流体供給部１５０からウェハＷの下面へのＨＤＩＷの供給を停止すればよい。
また、加熱流体供給部１５０から供給される加熱流体は、ＨＤＩＷに限らず、たとえば加熱されたＩＰＡであってもよいし、加熱された気体であってもよい。
また、ここでは、乾燥処理が開始されてから時間Ｔが経過した時点で加熱処理を終了することとしたが、制御部１８は、少なくとも乾燥処理が開始された後に加熱処理を終了すればよい。すなわち、制御部１８は、乾燥処理の開始後、時間Ｔが経過する前に加熱処理を終了してもよいし、乾燥処理が開始されてから時間Ｔが経過した後で加熱処理を終了してもよい。
また、制御部１８は、乾燥処理の直前の処理（リンス処理またはＩＰＡ供給処理）が開始された後で加熱処理を開始することとしてもよい。たとえば、制御部１８は、リンス処理またはＩＰＡ供給処理が終了する時点よりも時間Ｔだけ前の時点から加熱処理を開始することとしてもよい。
また、事前加速処理を実行する基板処理装置は、第１〜第４の実施形態において説明した処理ユニット１６，１６Ａに限定されるものではない。事前加速処理を実行する基板処理装置は、少なくとも、ウェハＷを保持する保持部と、保持部を回転させる回転機構と、保持部に保持されたウェハＷに対して処理液を供給するノズルとを備え、ウェハＷに対してノズルから処理液を供給する液処理を行った後、保持部を液処理時よりも高速で回転させることによってウェハＷ上に残存する処理液を除去する乾燥処理を行うものであればよい。
（その他の実施形態）
また、上述した連続スキャン処理においては、第１位置Ｐ１の位置を変更しながらスキャン処理を複数回実行することとしたが、第１位置Ｐ１だけでなく、ウェハＷの外周側の折り返し地点である第２位置Ｐ２の位置も変更しながらスキャン処理を複数回実行することとしてもよい。
さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。
Ｗ ウェハ
４０ａ 主ノズル部
４０ｂ 副ノズル部
４１Ａ、４１Ｂ ノズルヘッド
４１１Ａ、４１１Ｂ エッチングノズル
４２Ａ、４２Ｂ ノズルアーム
４３ スライダー
４４ ガイドレール
４５ 回転軸
４６ 駆動部
７０１ エッチング液供給源
７１ａ〜７１ｄ 流量調整部

Claims (16)

  1. 基板を水平に保持する保持部と、
    前記保持部を回転させる回転機構と、
    前記保持部に保持された前記基板に対してエッチング液を供給するノズルと、
    前記ノズルを移動させる移動機構と、
    前記回転機構および前記移動機構を制御して、回転する前記基板に対して前記ノズルから前記エッチング液を供給しつつ、前記基板上方の第１位置と前記第１位置よりも前記基板の外周側の第２位置との間で前記ノズルを往復させるスキャン処理を実行させる制御部と
    を備え、
    前記制御部は、
    前記スキャン処理を前記第１位置を変更しながら複数回実行させること
    を特徴とする基板処理装置。
  2. 前記制御部は、
    前記ノズルから吐出されたエッチング液が前記基板の回転中心に直接供給される直接供給位置、前記ノズルから吐出されたエッチング液が前記基板の回転中心よりも前記基板の外周側に供給され且つ前記基板に着液したエッチング液が前記基板の回転中心に到達する間接供給位置、および、前記ノズルから吐出されたエッチング液が前記基板の回転中心よりも前記基板の外周側に供給され且つ前記基板に着液したエッチング液が前記基板の回転中心に到達しない非供給位置のうち、少なくとも２つの位置の間で前記第１位置を変更させること
    を特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記制御部は、
    前記直接供給位置と前記間接供給位置と前記非供給位置との間で前記第１位置を変更させること
    を特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記制御部は、
    前記ノズルを前記直接供給位置から前記第２位置へ移動させた後、前記第２位置から前記間接供給位置および前記非供給位置の一方へ移動させる動作と、前記ノズルを前記間接供給位置および前記非供給位置の一方から前記第２位置へ移動させた後、前記第２位置から前記間接供給位置および前記非供給位置の他方へ移動させる動作と、前記ノズルを前記間接供給位置および前記非供給位置の他方から前記第２位置へ移動させた後、前記第２位置から前記直接供給位置へ移動させる動作とを１セットとして複数セット実行させること
    を特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 前記制御部は、
    最初の前記スキャン処理を前記間接供給位置から開始させること
    を特徴とする請求項３または４に記載の基板処理装置。
  6. 前記制御部は、
    前記直接供給位置から前記基板に対して前記エッチング液を供給した後、前記ノズルを前記直接供給位置から前記間接供給位置へ移動させて最初の前記スキャン処理を開始させること
    を特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
  7. 前記制御部は、
    前記ノズルが前記第１位置から前記第２位置へ向かうにつれて前記ノズルの移動速度を遅くすること
    を特徴とする請求項１〜６の何れか一つに記載の基板処理装置。
  8. 前記基板の外周部に対して前記エッチング液を供給する外周ノズル
    を備え、
    前記制御部は、
    前記第１位置よりも前記基板の外周側且つ前記第２位置よりも前記基板の回転中心側の第３位置における前記ノズルの移動速度を前記第１位置における前記ノズルの移動速度よりも遅くし、前記第２位置における前記ノズルの移動速度を前記第３位置における前記ノズルの移動速度よりも速くすること
    を特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
  9. 基板を水平に保持する保持部を用い、前記基板を水平に保持する保持工程と、
    前記保持部を回転させる回転機構を用い、前記保持工程において保持した前記基板を回転させる回転工程と、
    回転する前記基板に対してノズルからエッチング液を供給しつつ、前記ノズルを移動させる移動機構を用い、前記基板上方の第１位置と前記第１位置よりも前記基板の外周側の第２位置との間で前記ノズルを往復させるスキャン処理を前記第１位置を変更しながら複数回実行させる連続スキャン工程と
    を含むことを特徴とする基板処理方法。
  10. 前記連続スキャン工程は、
    前記ノズルから吐出されたエッチング液が前記基板の回転中心に直接供給される直接供給位置、前記ノズルから吐出されたエッチング液が前記基板の回転中心よりも前記基板の外周側に供給され且つ前記基板に着液したエッチング液が前記基板の回転中心に到達する間接供給位置、および、前記ノズルから吐出されたエッチング液が前記基板の回転中心よりも前記基板の外周側に供給され且つ前記基板に着液したエッチング液が前記基板の回転中心に到達しない非供給位置のうち、少なくとも２つの位置の間で前記第１位置を変更させること
    を特徴とする請求項９に記載の基板処理方法。
  11. 前記連続スキャン工程は、
    前記直接供給位置と前記間接供給位置と前記非供給位置との間で前記第１位置を変更させること
    を特徴とする請求項１０に記載の基板処理方法。
  12. 前記連続スキャン工程は、
    前記ノズルを前記直接供給位置から前記第２位置へ移動させた後、前記第２位置から前記間接供給位置および前記非供給位置の一方へ移動させる動作と、前記ノズルを前記間接供給位置および前記非供給位置の一方から前記第２位置へ移動させた後、前記第２位置から前記間接供給位置および前記非供給位置の他方へ移動させる動作と、前記ノズルを前記間接供給位置および前記非供給位置の他方から前記第２位置へ移動させた後、前記第２位置から前記直接供給位置へ移動させる動作とを１セットとして複数セット実行させること
    を特徴とする請求項１１に記載の基板処理方法。
  13. 前記連続スキャン工程は、
    最初の前記スキャン処理を前記間接供給位置から開始させること
    を特徴とする請求項１１または１２に記載の基板処理方法。
  14. 前記連続スキャン工程は、
    前記直接供給位置から前記基板に対して前記エッチング液を供給した後、前記ノズルを前記直接供給位置から前記間接供給位置へ移動させて最初の前記スキャン処理を開始させること
    を特徴とする請求項１３に記載の基板処理方法。
  15. 前記連続スキャン工程は、
    前記ノズルが前記第１位置から前記第２位置へ向かうにつれて前記ノズルの移動速度を遅くすること
    を特徴とする請求項９〜１４の何れか一つに記載の基板処理方法。
  16. 前記連続スキャン工程と並行して行われ、前記基板の外周部に対して前記エッチング液を供給する外周ノズルを用いて前記基板の外周部に対して前記エッチング液を供給する外周供給工程
    を含み、
    前記連続スキャン工程は、
    前記第１位置よりも前記基板の外周側且つ前記第２位置よりも前記基板の回転中心側の第３位置における前記ノズルの移動速度を前記第１位置における前記ノズルの移動速度よりも遅くし、前記第２位置における前記ノズルの移動速度を前記第３位置における前記ノズルの移動速度よりも速くすること
    を特徴とする請求項１５に記載の基板処理方法。
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