KR20180100489A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

기판 처리의 면내 균일성을 높이는 것이다. 실시 형태에 따른 기판 처리 장치는 유지부와, 회전 기구와, 노즐과, 이동 기구와, 제어부를 구비한다. 유지부는 기판을 수평으로 유지한다. 회전 기구는 유지부를 회전시킨다. 노즐은 유지부에 유지된 기판에 대하여 에칭액을 공급한다. 이동 기구는 노즐을 이동시킨다. 제어부는, 회전 기구 및 이동 기구를 제어하여, 회전하는 기판에 대하여 노즐로부터 에칭액을 공급하면서 기판 상방의 제 1 위치와 제 1 위치보다 기판의 외주측의 제 2 위치의 사이에서 노즐을 왕복시키는 스캔 처리를 실행시킨다. 또한, 제어부는 스캔 처리를 제 1 위치를 변경하면서 복수 회 실행시킨다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
개시된 실시 형태는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
종래, 반도체 웨이퍼 또는 유리 기판 등의 기판에 대하여, 기판을 회전시키면서 기판의 상방에 배치된 노즐로부터 기판에 대하여 처리액을 공급하고, 기판의 원심력에 의해 처리액을 기판의 표면 전체에 확산시켜 기판을 처리하는 기판 처리 장치가 알려져 있다.
이 종류의 기판 처리 장치에서는, 노즐로부터 처리액을 토출시키면서, 노즐을 기판의 중심측에 위치하는 제 1 위치와 외주측에 위치하는 제 2 위치의 사이에서 왕복시키는 스캔 처리를 복수 회 연속으로 행하는 연속 스캔 처리가 실시되는 경우가 있다.
여기서, 특허 문헌 1에는, 기판의 에칭 처리를 연속 스캔 처리에 의해 행하는 경우에 있어서, 상기 제 1 위치를 기판의 중심으로부터 30 mm 어긋난 위치로 함으로써, 기판의 중심에 있어서의 에칭량을 억제하여 면내 균일성을 높이는 것이 기재되어 있다.
일본특허공개공보 2015-103656호
그러나, 연속 스캔 처리에 있어서는, 왕복 동작의 반환 지점인 제 1 위치에 있어서의 에칭량이 다른 위치와 비교하여 많아지는 것을 알 수 있었다. 이 때문에, 상술한 종래 기술에는, 기판 처리의 면내 균일성을 높인다고 하는 점에서 가일층의 개선의 여지가 있다.
실시 형태의 일태양은, 기판 처리의 면내 균일성을 높일 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
실시 형태의 일태양에 따른 기판 처리 장치는 유지부와, 회전 기구와, 노즐과, 이동 기구와, 제어부를 구비한다. 유지부는 기판을 수평으로 유지한다. 회전 기구는 유지부를 회전시킨다. 노즐은 유지부에 유지된 기판에 대하여 에칭액을 공급한다. 이동 기구는 노즐을 이동시킨다. 제어부는, 회전 기구 및 이동 기구를 제어하여, 회전하는 기판에 대하여 노즐로부터 에칭액을 공급하면서 기판 상방의 제 1 위치와 제 1 위치보다 기판의 외주측의 제 2 위치의 사이에서 노즐을 왕복시키는 스캔 처리를 실행시킨다. 또한, 제어부는 스캔 처리를 제 1 위치를 변경하면서 복수 회 실행시킨다.
실시 형태의 일태양에 따르면, 기판 처리의 면내 균일성을 높일 수 있다.
도 1은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도이다.
도 2는 처리 유닛의 개략 구성을 나타내는 도이다.
도 3은 도 2에 나타낸 처리 유닛의 유지부에 유지된 웨이퍼의 근방 영역을 확대하여 모식적으로 나타낸 도이다.
도 4는 처리 유닛의 모식 평면도이다.
도 5a는 에칭액의 토출 방법과 에칭량과의 관계를 모식적으로 나타낸 도이다.
도 5b는 에칭액의 토출 방법과 에칭량과의 관계를 모식적으로 나타낸 도이다.
도 5c는 에칭액의 토출 방법과 에칭량과의 관계를 모식적으로 나타낸 도이다.
도 6은 제 1 실시 형태에 따른 연속 스캔 처리의 내용을 설명하기 위한 도이다.
도 7a는 직접 공급 위치를 나타내는 도이다.
도 7b는 간접 공급 위치를 나타내는 도이다.
도 7c는 비공급 위치를 나타내는 도이다.
도 8은 제 1 실시 형태에 따른 연속 스캔 처리를 행한 경우에 있어서의 에칭량을 모식적으로 나타낸 도이다.
도 9는 처리 유닛이 실행하는 기판 처리의 순서의 일례를 나타내는 순서도이다.
도 10은 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리의 내용을 설명하기 위한 도이다.
도 11은 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리를 행한 경우에 있어서의 에칭량을 모식적으로 나타낸 도이다.
도 12는 웨이퍼 상에 있어서의 에칭 노즐의 위치와 에칭 노즐의 이동 속도와의 관계를 나타내는 도이다.
도 13은 가열 유체 공급부의 구성예를 나타내는 도이다.
도 14는 제 5 실시 형태에 따른 건조 처리의 내용을 설명하기 위한 도이다.
도 15는 가열 처리의 내용을 설명하기 위한 도이다.
이하, 첨부의 도면을 참조하여, 본원이 개시하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법의 실시 형태를 상세하게 설명한다. 또한, 이하에 나타내는 실시 형태에 의해 본 발명이 한정되는 것은 아니다.
(제 1 실시 형태)
도 1은 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템의 개략 구성을 나타내는 도이다. 이하에서는, 위치 관계를 명확하게 하기 위하여, 서로 직교하는 X 축, Y 축 및 Z 축을 규정하고, Z 축 정방향을 연직 상향 방향으로 한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 시스템(1)은, 반입반출 스테이션(2)과, 처리 스테이션(3)을 구비한다. 반입반출 스테이션(2)과 처리 스테이션(3)은 인접하여 마련된다.
반입반출 스테이션(2)은, 캐리어 배치부(11)와, 반송부(12)를 구비한다. 캐리어 배치부(11)에는, 복수 매의 기판, 본 실시 형태에서는 반도체 웨이퍼(이하 웨이퍼(W))를 수평 상태로 수용하는 복수의 캐리어(C)가 배치된다.
반송부(12)는, 캐리어 배치부(11)에 인접하여 마련되고, 내부에 기판 반송 장치(13)와, 전달부(14)를 구비한다. 기판 반송 장치(13)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(13)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 캐리어(C)와 전달부(14) 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 스테이션(3)은, 반송부(12)에 인접하여 마련된다. 처리 스테이션(3)은, 반송부(15)와, 복수의 처리 유닛(16)을 구비한다. 복수의 처리 유닛(16)은, 반송부(15)의 양측에 배열되어 마련된다.
반송부(15)는, 내부에 기판 반송 장치(17)를 구비한다. 기판 반송 장치(17)는, 웨이퍼(W)를 유지하는 웨이퍼 유지 기구를 구비한다. 또한, 기판 반송 장치(17)는, 수평 방향 및 연직 방향으로의 이동 및 연직축을 중심으로 하는 선회가 가능하고, 웨이퍼 유지 기구를 이용하여 전달부(14)와 처리 유닛(16)의 사이에서 웨이퍼(W)의 반송을 행한다.
처리 유닛(16)은, 기판 반송 장치(17)에 의해 반송되는 웨이퍼(W)에 대하여 정해진 기판 처리를 행한다.
또한, 기판 처리 시스템(1)은, 제어 장치(4)를 구비한다. 제어 장치(4)는, 예를 들면 컴퓨터이며, 제어부(18)와 기억부(19)를 구비한다. 기억부(19)에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(18)는, 기억부(19)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 처리 시스템(1)의 동작을 제어한다.
또한, 이러한 프로그램은, 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기억 매체로부터 제어 장치(4)의 기억부(19)에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체로서는, 예를 들면 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
상기한 바와 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)에서는, 우선, 반입반출 스테이션(2)의 기판 반송 장치(13)가, 캐리어 배치부(11)에 배치된 캐리어(C)로부터 웨이퍼(W)를 취출하고, 취출된 웨이퍼(W)를 전달부(14)에 배치한다. 전달부(14)에 배치된 웨이퍼(W)는, 처리 스테이션(3)의 기판 반송 장치(17)에 의해 전달부(14)로부터 취출되어, 처리 유닛(16)으로 반입된다.
처리 유닛(16)으로 반입된 웨이퍼(W)는, 처리 유닛(16)에 의해 처리된 후, 기판 반송 장치(17)에 의해 처리 유닛(16)으로부터 반출되어, 전달부(14)에 배치된다. 그리고, 전달부(14)에 배치된 처리가 끝난 웨이퍼(W)는, 기판 반송 장치(13)에 의해 캐리어 배치부(11)의 캐리어(C)로 복귀된다.
이어서, 처리 유닛(16)에 대하여 도 2를 참조하여 설명한다. 도 2는, 처리 유닛(16)의 개략 구성을 나타내는 도이다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛(16)은, 챔버(20)와, 기판 유지 기구(30)와, 처리 유체 공급부(40)와, 회수컵(50)을 구비한다.
챔버(20)는, 기판 유지 기구(30)와 처리 유체 공급부(40)와 회수컵(50)을 수용한다. 챔버(20)의 천장부에는, FFU(Fan Filter Unit)(21)가 마련된다. FFU(21)는, 챔버(20) 내에 다운 플로우를 형성한다.
기판 유지 기구(30)는, 유지부(31)와, 지주부(32)와, 구동부(33)를 구비한다. 유지부(31)는, 웨이퍼(W)를 수평으로 유지한다. 지주부(32)는, 연직 방향으로 연장되는 부재이며, 기단부가 구동부(33)에 의해 회전 가능하게 지지되고, 선단부에 있어서 유지부(31)를 수평으로 지지한다. 구동부(33)는, 지주부(32)를 연직축 둘레로 회전시킨다. 이러한 기판 유지 기구(30)는, 구동부(33)를 이용하여 지주부(32)를 회전시킴으로써 지주부(32)에 지지된 유지부(31)를 회전시키고, 이에 의해, 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 회전시킨다.
처리 유체 공급부(40)는, 웨이퍼(W)에 대하여 처리 유체를 공급한다. 처리 유체 공급부(40)는, 처리 유체 공급원(70)에 접속된다.
회수컵(50)은, 유지부(31)를 둘러싸도록 배치되고, 유지부(31)의 회전에 의해 웨이퍼(W)로부터 비산하는 처리액을 포집한다. 회수컵(50)의 바닥부에는, 배액부(51)가 형성되어 있고, 회수컵(50)에 의해 포집된 처리액은, 이러한 배액부(51)로부터 처리 유닛(16)의 외부로 배출된다. 또한, 회수컵(50)의 바닥부에는, FFU(21)로부터 공급되는 기체를 처리 유닛(16)의 외부로 배출하는 배기구(52)가 형성된다.
처리 유닛(16)은 기판 처리 장치의 일례에 상당한다. 제 1 실시 형태에서는, 처리 유닛(16)을 이용하여, 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 폴리실리콘막에 에칭액을 공급함으로써 폴리실리콘막에 부착된 이물을 제거하는 에칭 처리를 행하는 경우를 예로 들어 설명한다.
<처리 유닛의 구체적인 구성예>
도 3은 도 2에 나타낸 처리 유닛(16)의 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)의 근방 영역을 확대하여 모식적으로 나타낸 도이다. 또한, 도 4는 처리 유닛(16)의 모식 평면도이다.
도 3에 나타내는 바와 같이 처리 유닛(16)에는, 웨이퍼(W)의 전체 면에 에칭액을 공급하는 메인 노즐부(40a)와, 메인 노즐부(40a)로부터 공급된 에칭액에 의해 웨이퍼(W)의 면내에 형성되는 온도 분포를 조정하기 위한 서브 노즐부(40b)를 구비하고 있다.
메인 노즐부(40a)는 노즐 헤드(41A)와, 노즐 헤드(41A)에 마련되어 웨이퍼(W)에 대하여 에칭액을 공급하는 에칭 노즐(411A)과, 노즐 헤드(41A)에 마련되어 린스액을 공급하는 린스 노즐(412A)을 구비한다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 이들 노즐(411A, 412A)은 연직 하방을 향해 각 처리액(에칭액, 린스액)을 직선 형상으로 토출한다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 메인 노즐부(40a)의 노즐 헤드(41A)는 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 따라 연장되는 노즐 암(42A)의 선단부에 마련되고, 웨이퍼(W)의 상면(피처리면)의 상방측에 배치된다. 이 노즐 암(42A)의 기단부는 가이드 레일(44) 상을 주행 가능한 슬라이더(43)에 의해 지지되고, 슬라이더(43)를 가이드 레일(44) 상에서 이동시킴으로써, 웨이퍼(W)의 반경 방향을 따라 메인 노즐부(40a)를 수평 방향으로 자유롭게 이동시킬 수 있다. 또한, 메인 노즐부(40a)는 웨이퍼(W)의 상방으로부터 측방으로 퇴피한 대기 위치로도 이동할 수 있다.
슬라이더(43)는, 에칭 노즐(411A)을 이동시키는 이동 기구의 일례이다. 또한, 도 4에 나타낸 구성에 한정되지 않고, 에칭 노즐(411A)의 이동 기구는, 노즐 암(42A) 및 노즐 헤드(41A)를 요동시키는 요동 기구를 구비한 구성이어도 된다.
서브 노즐부(40b)은 노즐 헤드(41B)와, 노즐 헤드(41B)에 마련되어 웨이퍼(W)에 대하여 에칭액을 공급하는 에칭 노즐(411B)과, 노즐 헤드(41B)에 마련되어 린스액을 공급하는 린스 노즐(412B)을 구비한다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 이들 노즐(411B, 412B)은 연직 하방을 향해 각 처리액(에칭액, 린스액)을 직선 형상으로 토출한다.
서브 노즐부(40b)의 노즐 헤드(41B)는 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)를 따라 연장되는 노즐 암(42B)의 선단부에 마련되고, 당해 웨이퍼(W)의 상방측에 배치된다. 도 4에 나타내는 바와 같이, 노즐 암(42B)의 기단부는 구동부(46)에 의해 회전 가능한 회전축(45)에 의해 지지되어, 웨이퍼(W)의 외주측의 미리 설정된 처리 위치(도 4중, 실선으로 나타냄)와, 웨이퍼(W)의 상방으로부터 측방으로 퇴피한 대기 위치(도 4중, 파선으로 나타냄)의 사이를 이동할 수 있다.
구동부(46), 노즐 암(42B) 및 노즐 헤드(41B)는, 에칭 노즐(411B)을 이동시키는 이동 기구의 일례이다. 또한, 도 4에 나타낸 구성에 한정되지 않고, 에칭 노즐(411B)의 이동 기구는, 가이드 레일 및 슬라이더를 구비하고, 에칭 노즐(411B)을 직선적으로 이동시키는 구성이어도 된다.
에칭 노즐(411A, 411B)은, 각각 노즐 헤드(41A, 41B) 및 노즐 암(42A, 42B)을 개재하여 에칭액 공급원(701)(도 2의 처리 유체 공급원(70)에 상당)에 접속된다. 에칭액 공급원(701)에는, 에칭액을 저류하는 저류부(도시하지 않음) 및 저류부 내의 에칭액의 온도 조정을 행하는 히터 등의 온도 조정부(도시하지 않음)가 마련되고, 온도가 20 ∼ 70℃의 범위의 예를 들면 50℃로 조정된 에칭액을 각 에칭 노즐(411A, 411B)로 공급할 수 있다. 에칭액 공급원(701)의 출구부에는, 각 에칭 노즐(411A, 411B)로 송액되는 에칭액의 유량 조정을 행하는 유량 조정부(71a, 71b)가 마련되어 있다. 또한, 에칭액으로서는, 예를 들면 SC1(암모니아 / 과산화 수소 / 물의 혼합액) 또는 DHF(희불산) 등을 이용할 수 있다.
또한, 메인 노즐부(40a) 및 서브 노즐부(40b)의 린스 노즐(412A, 412B)에 대해서도, 린스액을 저류하는 저류부(도시하지 않음) 등을 구비한 린스액 공급원(702)(도 2의 처리 유체 공급원(70)에 상당)에 접속되어 있다. 린스액 공급원(702)으로부터는 각 유량 조정부(71c, 71d)에 의해 유량 조정된 린스액을 공급할 수 있다.
이들 에칭액 및 린스액의 유량 조정, 에칭액의 온도 조정 및 메인 노즐부(40a), 서브 노즐부(40b)의 이동 동작의 제어는, 제어 장치(4)에 의해 제어된다.
제어 장치(4)의 제어부(18)는 기판 처리 시스템(1) 전체를 통괄 제어하는 처리부이며, 예를 들면, CPU(Central Processing Unit), ROM(Read Only Memory), RAM(Random Access Memory), 입출력 포트 등을 가지는 마이크로컴퓨터 및 각종의 회로를 포함한다. 제어부(18)는, CPU가 ROM에 기억된 프로그램을 RAM을 작업 영역으로서 사용하여 실행함으로써, 처리 유닛(16) 및 기판 반송 장치(13)와 같은 기판 처리 시스템(1)이 구비하는 각 장치의 동작을 제어한다.
또한, 상기 프로그램은 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체에 기록되어 있던 것으로서, 그 기록 매체로부터 제어 장치의 기억부에 인스톨된 것이어도 된다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기록 매체로서는, 예를 들면, 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다. 또한, 제어부(18)는 각각 일부 또는 전부가 ASIC(Application Specific Integrated Circuit) 또는 FPGA(Field Programmable Gate Array) 등의 하드웨어로 구성되어도 된다.
제어 장치(4)의 기억부(19)는, 예를 들면, RAM, 플래시 메모리(Flash Memory) 등의 반도체 메모리 소자, 또는, 하드 디스크, 광디스크 등의 기억 장치에 의해 실현된다.
<에칭액의 토출 방법과 에칭량과의 관계>
이어서, 에칭액의 토출 방법과 에칭량과의 관계에 대하여 도 5a ∼ 도 5c를 참조하여 설명한다. 도 5a ∼ 도 5c는 에칭액의 토출 방법과 에칭량과의 관계를 모식적으로 나타낸 도이다. 또한, 여기서는, 웨이퍼(W)의 직경이 300mm인 것으로 하고, 웨이퍼(W)의 중심 위치를 0 mm, 최외주(最外周) 위치를 150 mm로 규정한다. 또한, 여기서는, 웨이퍼(W)의 중심과 유지부(31)에 의한 웨이퍼(W)의 회전 중심이 일치하는 것으로 한다. 이하에서는, 웨이퍼(W)의 회전 중심을 단순히 웨이퍼(W)의 중심이라고 기재하는 경우가 있다.
도 5a에 나타내는 바와 같이, 노즐(411X)로부터 회전하는 웨이퍼(W)의 중심에만 에칭액을 토출한 경우, 웨이퍼(W)의 에칭량은 웨이퍼(W)의 중심이 가장 높아지고, 외주측을 향함에 따라 점차 적어진다. 이것은, 웨이퍼(W)의 외주측일수록 에칭액의 온도가 낮아지기 때문이다.
따라서, 에칭액의 온도차를 적게 하기 위하여, 도 5b에 나타내는 바와 같이, 웨이퍼(W)의 중심에 에칭액을 토출하는 제 1 위치와, 제 1 위치보다 웨이퍼(W)의 외주측에 위치하는 제 2 위치의 사이에서 노즐(411X)을 왕복시키는 스캔 처리가 이용되는 경우가 있다.
이 방법에 의하면, 온도 조정된 에칭액이 웨이퍼(W)의 외주측에도 직접 공급되게 되기 때문에, 웨이퍼 면내에 있어서의 에칭액의 온도차를 적게 할 수 있다. 따라서, 도 5a에 나타낸 토출 방법과 비교하여 에칭 처리의 면내 균일성을 높일 수 있다.
또한, 노즐(411X)의 이동 속도는 웨이퍼(W)의 중심에 에칭액의 액막이 형성된 상태를 유지 가능한 속도, 즉, 웨이퍼(W)의 중심의 액막이 소실되기 전에 웨이퍼(W)의 중심에 다시 에칭액이 공급되는 속도로 설정된다. 또한, 노즐(411X)의 왕복 동작의 횟수는, 원하는 에칭량이 얻어지는 것이 예상되는 횟수로 설정된다. 제 2 위치에 있어서는 선회류(旋回流)의 영향에 의해 에칭량이 저하되기 때문에, 제 1 위치보다 에칭액의 공급량을 많게 하는 것이 바람직하다.
또한, 도 5c에 나타내는 바와 같이, 왕복 동작의 반환 지점인 제 1 위치 및 제 2 위치 중 웨이퍼(W)의 중심측의 반환 지점인 제 1 위치를 웨이퍼(W)의 중심으로부터 어긋난 위치로 하는 것도 제안되고 있다. 이 방법에 의하면, 웨이퍼(W)의 중심에 있어서의 에칭량을 억제할 수 있어, 에칭 처리의 면내 균일성을 더 높일 수 있다.
그러나, 상술한 종래의 방법에는, 에칭 처리의 면내 균일성의 가일층의 향상을 도모하는 점에서 개선의 여지가 있다. 즉, 도 5b 및 도 5c에 나타내는 방법과 같이, 노즐(411X)을 제 1 위치와 제 2 위치의 사이에서 왕복시키는 경우, 제 1 위치 및 제 2 위치에 있어서 노즐(411X)이 방향 전환을 위하여 일순간 정지함으로써, 제 1 위치 및 제 2 위치에 있어서의 에칭액의 공급량이 다른 위치보다 많아진다. 이 결과, 제 1 위치 및 제 2 위치에 있어서의 에칭량이 다른 위치보다 많아짐으로써, 에칭 처리의 면내 균일성을 저하시킬 우려가 있다. 노즐(411X)의 왕복 동작의 횟수가 많아질수록, 제 1 위치 및 제 2 위치에 있어서 노즐(411X)이 정지하는 횟수가 많아지기 때문에, 제 1 위치 및 제 2 위치와 다른 위치와의 에칭량의 차가 커져, 에칭 처리의 면내 균일성의 저하가 현저해진다.
따라서, 제 1 실시 형태에 따른 처리 유닛(16)에서는, 제 1 위치와 제 2 위치의 사이에서 에칭 노즐(411A)을 왕복시키는 스캔 처리를 제 1 위치를 변경하면서 복수 회 실행하는 것으로 했다.
<제 1 실시 형태에 따른 연속 스캔 처리의 내용>
이하, 제 1 실시 형태에 따른 연속 스캔 처리의 내용에 대하여 도 6 ∼ 도 8을 참조하여 설명한다.
도 6은 제 1 실시 형태에 따른 연속 스캔 처리의 내용을 설명하기 위한 도이다. 또한, 도 7a는 직접 공급 위치를 나타내는 도이고, 도 7b는 간접 공급 위치를 나타내는 도이며, 도 7c는 비공급 위치를 나타내는 도이다. 또한, 도 8은 제 1 실시 형태에 따른 연속 스캔 처리를 행한 경우에 있어서의 에칭량을 모식적으로 나타낸 도이다.
또한, 도 5a ∼ 도 5c와 마찬가지로, 여기서는, 웨이퍼(W)의 직경이 300 mm인 것으로 하고, 웨이퍼(W)의 중심 위치를 0 mm, 최외주 위치를 150 mm로 규정한다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 제 1 실시 형태에 따른 처리 유닛(16)에서는, 직접 공급 위치(P11), 간접 공급 위치(P12) 및 비공급 위치(P13)의 사이에서 제 1 위치(P1)를 변경한다.
여기서, 직접 공급 위치(P11), 간접 공급 위치(P12) 및 비공급 위치(P13)에 대하여 도 7a ∼ 도 7c를 참조하여 설명한다.
도 7a에 나타내는 바와 같이, 직접 공급 위치(P11)는 에칭 노즐(411A)로부터 토출된 에칭액이 웨이퍼(W)의 중심에 직접 공급되는 에칭 노즐(411A)의 위치이다. 제 1 실시 형태에서는, 웨이퍼(W)의 중심을 통과하는 축선 상에 에칭 노즐(411A)이 배치된 위치(즉 0 mm의 위치)가 직접 공급 위치(P11)가 된다.
도 7b에 나타내는 바와 같이, 간접 공급 위치(P12)는, 에칭 노즐(411A)로부터 토출된 에칭액이 웨이퍼(W)의 중심보다 웨이퍼(W)의 외주측에 공급되고 또한 웨이퍼(W)에 착액(着液)된 에칭액이 웨이퍼(W)의 중심에 도달하는 에칭 노즐(411A)의 위치이다. 제 1 실시 형태에 있어서, 간접 공급 위치(P12)는 웨이퍼(W)의 중심으로부터 20 mm 어긋난 위치로 설정된다.
또한, 도 7c에 나타내는 바와 같이, 비공급 위치(P13)는, 에칭 노즐(411A)로부터 토출된 에칭액이 웨이퍼(W)의 중심에 공급되지 않는 위치, 즉, 에칭액이 웨이퍼(W)의 중심보다 웨이퍼(W)의 외주측에 공급되고 또한 웨이퍼(W)에 착액된 에칭액이 웨이퍼(W)의 중심에 도달하지 않는 위치이다. 비공급 위치(P3)는 웨이퍼(W)의 회전수 및 에칭액의 토출량 등에 따라 결정된다. 제 1 실시 형태에 있어서, 비공급 위치(P13)는 웨이퍼(W)의 중심으로부터 40 mm 어긋난 위치로 설정된다.
또한, 제 1 실시 형태에 있어서, 웨이퍼(W)의 외주측의 반환 지점인 제 2 위치(P2)는 웨이퍼(W)의 중심으로부터 145 mm 어긋난 위치로 설정된다.
계속해서, 제 1 실시 형태에 따른 연속 스캔 처리의 구체적인 동작에 대하여 설명한다. 제어 장치(4)의 제어부(18)는, 먼저, 구동부(33)(도 2 참조)를 제어하여, 웨이퍼(W)를 유지한 유지부(31)를 회전시킨다. 또한, 제어부(18)는, 슬라이더(43)를 제어하여 에칭 노즐(411A)을 웨이퍼(W) 상의 간접 공급 위치(P12)로 이동시키고, 그 후, 에칭 노즐(411A)로부터 온도 조정된 에칭액을 토출시킨다. 또한, 에칭액의 토출 유량은 연속 스캔 처리가 종료될 때까지 일정하게 한다.
그 후, 제어부(18)는, 도 6에 나타내는 바와 같이, 에칭 노즐(411A)을 간접 공급 위치(P12)로부터 제 2 위치(P2)로 이동시킨 후(단계S01), 제 2 위치(P2)로부터 비공급 위치(P13)로 이동시킨다(단계(S02)).
계속해서, 처리 유닛(16)에서는, 에칭 노즐(411A)을 비공급 위치(P13)로부터 제 2 위치(P2)로 이동시킨 후(단계(S03)), 제 2 위치(P2)로부터 직접 공급 위치(P11)로 이동시킨다(단계(S04)).
웨이퍼(W)의 회전수는, 에칭 노즐(411A)이 간접 공급 위치(P12)로부터 이동하여 제 2 위치(P2) 및 비공급 위치(P13)를 경유하여 직접 공급 위치(P11)로 도달할 때까지의 동안, 웨이퍼(W)의 중심에 에칭액의 액막이 형성된 상태를 유지 가능한 회전수로 설정된다. 이 회전수는, 에칭액의 토출 유량 및 에칭 노즐(411A)의 이동 속도 등에 의해 결정된다. 또한, 제 1 실시 형태에 있어서, 웨이퍼(W)의 회전수는 200 rpm으로 설정된다.
이와 같이, 에칭 노즐(411A)이 간접 공급 위치(P12)로부터 이동하여 제 2 위치(P2) 및 비공급 위치(P13)를 경유하여 직접 공급 위치(P11)로 도달할 때까지의 동안, 웨이퍼(W)의 중심에 에칭액의 액막이 형성된 상태를 유지 가능한 회전수로 유지부(31)을 회전시킴으로써, 웨이퍼(W)의 중심이 에칭액으로부터 노출되는 것을 방지하면서, 에칭 처리의 면내 균일화를 도모할 수 있다.
계속해서, 처리 유닛(16)에서는, 에칭 노즐(411A)을 직접 공급 위치(P11)로부터 제 2 위치(P2)로 이동시킨 후(단계S05), 제 2 위치(P2)로부터 간접 공급 위치(P12)로 이동시킨다(단계(S06)).
그 후, 제어부(18)는, 상술한 단계(S01 ∼ S06)의 동작을 1 세트로 하여 복수 세트(예를 들면, 70 ∼ 100 회) 연속으로 실행시킨다.
이와 같이, 왕복 동작의 반환 지점인 제 1 위치(P1)를 복수의 지점으로 분산시킴으로써, 제 1 위치(P1)로서 1 개의 지점밖에 설정되지 않는 종래의 방법과 비교하여, 에칭액이 1 개소에 집중하여 공급되는 상황을 완화할 수 있다. 따라서, 도 8에 나타내는 바와 같이, 제 1 위치(P1)에 있어서의 에칭량을 억제할 수 있어, 에칭 처리의 면내 균일화를 도모할 수 있다.
또한, 상술한 바와 같이, 제어부(18)는 직접 공급 위치(P11)와 간접 공급 위치(P12)와 비공급 위치(P13)의 사이에서 제 1 위치(P1)를 변경하는 것으로 했다. 이와 같이, 제 1 위치(P1)에 비공급 위치(P13)를 포함시킴으로써, 예를 들면, 에칭액이 웨이퍼(W)의 중심에 도달할 수 있는 범위(즉, 직접 공급 위치(P11) ∼ 간접 공급 위치(P12)의 범위)에서만 제 1 위치(P1)를 변경한 경우와 비교하여, 웨이퍼(W)의 중심측에 있어서의 왕복 동작의 반환 지점을 보다 광범위하게 분산시킬 수 있다. 따라서, 에칭 처리의 가일층의 면내 균일화를 도모할 수 있다.
또한, 제어부(18)는 연속 스캔 처리에 있어서의 최초의 스캔 처리를 간접 공급 위치(P12)에서부터 개시하는 것으로 했다. 이에 의해, 예를 들면, 최초의 스캔 처리를 비공급 위치(P13)로부터 개시하는 경우와 비교하여, 웨이퍼(W)의 중심에 에칭액의 액막을 형성하면서 연속 스캔 처리를 개시할 수 있다.
또한, 여기서는, 1 왕복마다(에칭 노즐(411A)이 제 2 위치(P2)에 도달할 때마다), 제 1 위치를 변경하는 것으로 했지만, 제어부(18)는, 에칭 노즐(411A)이 복수 회 왕복할 때마다(예를 들면 2 왕복마다) 제 1 위치를 변경하도록 해도 된다.
또한, 여기서는, 제 1 위치(P1)를 직접 공급 위치(P11)로부터 간접 공급 위치(P12)로 변경하고, 간접 공급 위치(P12)로부터 비공급 위치(P13)로 변경하는 것으로 했지만, 제어부(18)는, 제 1 위치(P1)를 간접 공급 위치(P12)로부터 직접 공급 위치(P11)로 변경하고, 직접 공급 위치(P11)로부터 비공급 위치(P13)로 변경해도 된다.
또한, 여기서는, 최초의 스캔 처리를 간접 공급 위치(P12)로부터 개시하는 것으로 했지만, 제어부(18)는, 최초의 스캔 처리를 직접 공급 위치(P11)에서부터 개시해도 되고, 비공급 위치(P13)에서부터 개시해도 된다.
또한, 여기서는, 직접 공급 위치(P11), 간접 공급 위치(P12) 및 비공급 위치(P13)의 사이에서 제 1 위치(P1)를 변경하는 것으로 했지만, 제어부(18)는 직접 공급 위치(P11), 간접 공급 위치(P12) 및 비공급 위치(P13) 중 어느 2 개의 사이에서 제 1 위치(P1)를 변경해도 된다. 예를 들면, 제어부(18)는 간접 공급 위치(P12)와 비공급 위치(P13)의 사이에서 제 1 위치(P1)를 변경해도 되며, 직접 공급 위치(P11)와 간접 공급 위치(P12)의 사이에서 제 1 위치(P1)를 변경해도 되고, 직접 공급 위치(P11)와 비공급 위치(P13)의 사이에서 제 1 위치(P1)를 변경해도 된다.
상기한 바와 같은 제 1 위치(P1)의 변경은, 예를 들면, 오퍼레이터가 조작 화면을 통하여 설정값을 입력하고, 입력한 정보가 제어부(18)에 대하여 송신됨으로써 실현시킬 수 있다. 종래, 에칭 처리의 면내 균일성을 향상시키기 위하여, 스캔 중에 있어서의 에칭액의 단위 시간당의 공급량 또는 웨이퍼(W)의 회전수를 변경하고 있었지만, 본 실시 형태에 따른 기판 처리 시스템(1)에 의하면, 중심측의 반환 지점인 제 1 위치(P1)를 변경하는 간단한 설정 변경만으로 에칭 처리의 면내 균일성을 향상시키는 것이 가능하다.
<기판 처리의 순서도>
도 9는 처리 유닛(16)이 실행되는 기판 처리의 순서의 일례를 나타내는 순서도이다. 기판 반송 장치(17)에 의해 각 처리 유닛(16)에 반송된 웨이퍼(W)는, 도시하지 않은 반입반출구를 통하여 챔버(20) 내에 반입된다. 기판 유지 기구(30)는, 도시하지 않은 승강 핀 등을 통하여, 기판 반송 장치(17)의 웨이퍼 유지 기구로부터 처리 대상의 웨이퍼(W)를 유지부(31)에 전달한 후, 챔버(20) 내로부터 퇴피한다.
유지부(31)에 웨이퍼(W)가 배치되면, 구동부(33)에 의해 유지부(31)를 회전시킴과 함께, 메인 노즐부(40a)를 대기 위치로부터 간접 공급 위치(P12)까지 진입시킨다. 또한, 서브 노즐부(40b)를 대기 위치로부터 웨이퍼(W)의 외주부까지 이동시킨다. 구체적으로는, 서브 노즐부(40b)의 에칭 노즐(411B)로부터 토출된 에칭액이 웨이퍼(W)의 외주부, 예를 들면 웨이퍼(W)의 중심으로부터 140 mm의 위치에 착액되는 위치에 에칭 노즐(411B)을 배치시킨다.
그리고, 웨이퍼(W)의 회전 속도가 정해진 설정 속도에 도달하면, 에칭 처리를 개시한다(단계(S101)). 구체적으로는, 메인 노즐부(40a)의 에칭 노즐(411A)로부터 에칭액을 토출시켜, 상술한 연속 스캔 처리를 개시한다. 또한, 서브 노즐부(40b)의 에칭 노즐(411B)로부터 웨이퍼(W)의 외주부에 대하여 에칭액을 공급하는 외주 공급 처리를 개시한다.
이 결과, 각 노즐부(40a, 40b)로부터 토출된 에칭액이 회전하는 웨이퍼(W)의 표면에 확산되어 웨이퍼(W)의 에칭 처리가 행해진다. 이 때, 웨이퍼(W)의 중심측과 외주측을 왕복 이동하는 메인 노즐부(40a)와 면내 온도 분포 조정용의 서브 노즐부(40b)를 이용하여 에칭액을 공급함으로써, 균일한 면내 온도 분포를 형성하면서 에칭 처리가 행해진다.
특히, 제 1 실시 형태에 따른 처리 유닛(16)에 있어서는, 제 1 위치(P1)와 제 2 위치(P2)의 사이에서 에칭 노즐(411A)을 왕복시키는 스캔 처리를 제 1 위치(P1)를 변경하면서 복수 회 실행하는 것으로 하였기 때문에, 왕복 동작의 반환 지점에 있어서의 에칭량의 증가를 완화시킬 수 있다. 또한, 외주 공급 처리에 있어서는, 웨이퍼(W)의 외주부에 에칭액이 직접 공급됨으로써, 웨이퍼(W)의 외주부에 있어서의 에칭액의 온도 저하를 억제할 수 있어, 면내 온도 분포를 보다 균일하게 한 상태로 에칭 처리를 행하는 것이 가능해진다.
이와 같이 하여 정해진 시간만큼 웨이퍼(W)의 에칭 처리를 행한 후, 메인 노즐부(40a) 및 서브 노즐부(40b)로부터의 에칭액의 토출을 정지하고, 메인 노즐부(40a) 및 서브 노즐부(40b)의 각 린스 노즐(412A, 412B)로부터 린스액을 토출한다(단계 S102). 여기서, 핫 린스 처리 등, 린스액에 의한 린스 세정 시의 웨이퍼(W)의 면내 온도 분포가 에칭 처리의 결과에 영향을 주는 경우에는, 에칭액의 공급 시와 마찬가지로 제 1 위치(P1)와 제 2 위치(P2)의 사이를 왕복 이동하는 메인 노즐부(40a) 및 면내 온도 분포 조정용의 서브 노즐부(40b)의 쌍방을 이용하여 린스액을 공급한다.
또한, 린스 세정 시에 있어서의 웨이퍼(W)의 면내 온도 분포가 에칭 처리의 결과에 주는 영향이 작은 경우에는, 예를 들면 웨이퍼(W)의 중심부 상방측에서 메인 노즐부(40a)를 정지시키고, 당해 메인 노즐부(40a)로부터만 린스액 공급을 행하여 서브 노즐부(40b)에 의한 면내 온도 분포의 조정은 행하지 않도록 해도 된다.
이와 같이 하여 린스 세정을 실행하고, 털어내기 건조를 행하면(단계(S103)), 유지부(31)의 회전을 멈춘다. 그리고 챔버(20) 내에 진입된 기판 반송 장치(17)에 반입 시와는 반대의 순서로 웨이퍼(W)를 전달하고, 처리 유닛(16)으로부터 웨이퍼(W)를 반출한다.
상술한 바와 같이, 제 1 실시 형태에 따른 기판 처리 장치는 유지부(31)와, 구동부(33)(회전 기구의 일례)와, 에칭 노즐(411A)(노즐의 일례)과, 슬라이더(43)(이동 기구의 일례)와, 제어부(18)를 구비한다. 유지부(31)는 웨이퍼(W)(기판의 일례)를 수평으로 유지한다. 구동부(33)는 유지부(31)를 회전시킨다. 에칭 노즐(411A)은 유지부(31)에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 에칭액을 공급한다. 슬라이더(43)는 노즐(411A)을 이동시킨다. 제어부(18)는, 구동부(33) 및 슬라이더(43)를 제어하여, 회전하는 웨이퍼(W)에 대하여 에칭 노즐(411A)로부터 에칭액을 공급하면서, 웨이퍼(W) 상방의 제 1 위치(P1)와 제 1 위치(P1)보다 웨이퍼(W)의 외주측의 제 2 위치(P2)의 사이에서 에칭 노즐(411A)을 왕복시키는 스캔 처리를 실행시킨다. 또한, 제어부(18)는 스캔 처리를 제 1 위치(P1)를 변경하면서 복수 회 실행시킨다.
이러한 제 1 실시 형태에 따른 처리 유닛(16)에 의하면, 왕복 동작의 반환 지점에 있어서 에칭량이 다른 위치보다 많아지는 상황을 완화시킬 수 있기 때문에, 에칭 처리의 면내 균일성을 높일 수 있다.
(제 2 실시 형태)
이어서, 제 2 실시 형태에 따른 연속 스캔 처리의 내용에 대하여 도 10 및 도 11을 참조하여 설명한다. 도 10은, 제 2 실시 형태에 따른 기판 처리를 행한 경우에 있어서의 에칭량을 모식적으로 나타낸 도이다.
또한, 이하의 설명에서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부분에 대해서는, 이미 설명한 부분과 동일한 부호를 부여하고, 중복되는 설명을 생략한다.
도 10에 나타내는 바와 같이, 제 2 실시 형태에 있어서, 제어부(18)는, 상술한 연속 스캔 처리의 개시에 앞서, 웨이퍼(W)의 중심에 에칭액을 공급하는 중심 토출 처리를 실행시킨다.
구체적으로는, 제어부(18)는 에칭 노즐(411A)을 직접 공급 위치(P11)에 배치시켜, 에칭 노즐(411A)로부터 웨이퍼(W)의 중심에 대하여 미리 결정된 시간만큼 에칭액을 공급한다. 웨이퍼(W)의 중심으로의 에칭액의 토출 시간은 웨이퍼(W)의 중심으로 토출된 에칭액이 웨이퍼(W)의 회전에 의해 웨이퍼(W)의 표면 전체에 확산되는데 필요한 시간 이상의 시간이며, 예를 들면 1 초간으로 설정된다.
그 후, 제어부(18)는 에칭 노즐(411A)로부터 에칭액을 토출시키면서, 에칭 노즐(411A)을 직접 공급 위치(P11)로부터 간접 공급 위치(P12)로 이동시켜, 상술한 연속 스캔 처리를 개시한다.
이와 같이, 제어부(18)는 직접 공급 위치(P11)로부터 웨이퍼(W)에 대하여 에칭액을 공급한 후, 에칭 노즐(411A)을 직접 공급 위치(P11)로부터 간접 공급 위치(P12)로 이동시켜 최초의 스캔 처리를 개시하는 것으로 해도 된다.
이에 의해, 도 11에 나타내는 바와 같이, 중심 토출 처리를 행하지 않고 연속 스캔 처리를 개시한 경우와 비교하여, 웨이퍼(W)의 중심에 있어서의 에칭량의 감소를 억제할 수 있다. 따라서, 에칭 처리의 면내 균일성을 더 높일 수 있다.
또한, 웨이퍼(W)의 중심으로부터 어긋난 위치인 간접 공급 위치(P12)로부터 웨이퍼(W)에 대한 에칭액의 공급을 개시하면, 에칭액을 균일하게 확산시킬 수 없어, 웨이퍼(W)의 에칭량이 좌우 비대칭이 될 우려가 있다. 이에 반하여, 제 2 실시 형태에 따른 처리 유닛(16)에 의하면, 연속 스캔 처리에 앞서 중심 토출 처리를 행함으로써, 웨이퍼(W)의 에칭량이 웨이퍼(W)의 중심에 대하여 좌우 비대칭이 되는 것을 방지할 수 있다.
(제 3 실시 형태)
에칭 노즐(411A)을 일정한 속도로 이동시킨 경우, 에칭액의 단위 면적당의 공급량은 웨이퍼(W)의 중심으로부터 외주측을 향함에 따라 서서히 적어진다. 따라서, 제어부(18)는, 웨이퍼(W) 면내에 있어서의 에칭액의 공급량을 균일하게 일치시키기 위하여, 에칭 노즐(411A)의 이동 속도를 제 1 위치(P1)로부터 제 2 위치(P2)를 향함에 따라 느리게 해도 된다. 웨이퍼(W) 면내에 있어서의 에칭액의 공급량이 균일화됨으로써, 에칭 처리의 면내 균일성을 더 높일 수 있다.
한편, 처리 유닛(16)에서는, 웨이퍼(W) 면내의 온도 분포를 보다 균일화시키기 위하여, 에칭 노즐(411A)에 의한 연속 스캔 처리와 병행하여, 에칭 노즐(411B)로부터 웨이퍼(W)의 외주부에 에칭액을 직접 공급하는 외주 공급 처리도 행해진다. 그러나, 복수의 에칭 노즐(411A, 411B)로부터 에칭액을 토출하면, 웨이퍼(W)의 표면에서 에칭액의 흐름끼리가 충돌함으로써, 웨이퍼(W)의 외주부에 있어서 에칭액의 체류가 발생하여, 웨이퍼(W)의 외주부에 있어서의 에칭량이 지나치게 많아질 우려가 있다.
따라서, 제어부(18)는, 에칭액의 체류가 최대한 발생하지 않도록 하기 위하여, 에칭 노즐(411A)의 이동 속도를 웨이퍼(W)의 중심으로부터 외주측을 향함에 따라 서서히 느리게 하면서, 웨이퍼(W)의 외주부를 통과할 때에 에칭 노즐(411A)의 이동 속도를 높이도록 해도 된다.
이러한 점에 대하여 도 12를 참조하여 설명한다. 도 12는 웨이퍼(W) 상에 있어서의 에칭 노즐(411A)의 위치와 에칭 노즐(411A)의 이동 속도와의 관계를 나타내는 도이다.
도 12에 나타내는 바와 같이, 제어부(18)는, 제 1 위치(P1)(직접 공급 위치(P11), 간접 공급 위치(P12) 및 비공급 위치(P13))와 제 1 위치(P1)보다 웨이퍼(W)의 외주측의 위치(P21)의 사이에 있어서, 에칭 노즐(411A)을 속도(v1)로 이동시킨다. 또한, 제어부(18)는, 위치(P21)와 위치(P21)보다 웨이퍼(W)의 외주측의 위치(P22)의 사이에 있어서, 에칭 노즐(411A)을 속도(v1)보다 느린 속도(v2)로 이동시킨다. 또한, 제어부(18)는, 위치(P22)와 위치(P22)보다 웨이퍼(W)의 외주측의 위치(P23)의 사이에 있어서, 에칭 노즐(411A)을 속도(v2)보다 느린 속도(v3)로 이동시킨다.
한편, 제어부(18)는, 위치(P23)와 제 2 위치(P2)의 사이에 있어서는, 에칭 노즐(411A)을 속도(v3)보다 빠른 속도(v4)로 이동시킨다.
이와 같이, 처리 유닛(16)은, 웨이퍼(W)의 외주부에 대하여 에칭액을 공급하는 에칭 노즐(411B)(외주 노즐의 일례)을 구비한다. 또한, 제어부(18)는, 제 1 위치(P1)보다 웨이퍼(W)의 외주측 또한 제 2 위치(P2)보다 웨이퍼(W)의 중심측의 제 3 위치(예를 들면, 위치(P22) 또는 위치(P23))에 있어서의 에칭 노즐(411A)의 이동 속도를 제 1 위치(P1)에 있어서의 에칭 노즐(411A)의 이동 속도보다 느리게 하고, 제 2 위치(P2)에 있어서의 에칭 노즐(411A)의 이동 속도를 제 3 위치에 있어서의 에칭 노즐(411A)의 이동 속도보다 빠르게 하는 것으로 했다.
이에 의해, 웨이퍼(W)의 외주부에 있어서의 에칭액의 체류가 억제됨으로써, 웨이퍼(W)의 외주부가 과잉으로 에칭되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 제 2 위치(P2)에 있어서의 에칭 노즐(411A)의 이동 속도를 빠르게 함으로써, 왕복 동작의 반환 지점인 제 2 위치(P2)의 주변에 있어서의 에칭량을 억제할 수 있어, 에칭 처리의 면내 균일성을 더 높일 수 있다.
또한, 외주 공급 처리는 반드시 실행되는 것을 요하지 않는다. 외주 공급 처리를 행하지 않는 경우, 즉, 에칭 노즐(411B)로부터 웨이퍼(W)의 외주부로의 에칭액의 공급을 행하지 않는 경우, 제어부(18)는, 에칭 노즐(411A)이 제 1 위치(P1)로부터 출발하여 제 2 위치(P2)에 도달할 때까지, 에칭 노즐(411A)의 이동 속도를 계속해서 느리게 해도 된다.
(제 4 실시 형태)
처리 유닛(16)은, 웨이퍼(W)의 온도 분포의 면내 균일성을 높이기 위하여, 웨이퍼(W)의 하면(피처리면과 반대측의 면)으로부터 웨이퍼(W)의 하면에 대하여 가열 유체를 공급하는 가열 유체 공급부를 구비하는 것으로 해도 된다.
도 13은 가열 유체 공급부의 구성예를 나타내는 도이다. 도 13에 나타내는 바와 같이, 제 4 실시 형태에 따른 처리 유닛(16A)은 기판 유지 기구(30A)와, 가열 유체 공급부(150)를 구비한다.
기판 유지 기구(30A)는 유지부(31A)와, 지주부(32A)와, 구동부(33A)를 구비한다. 유지부(31A)는, 예를 들면 원판 형상의 부재이며, 상면에는, 웨이퍼(W)를 측면으로부터 유지하는 유지 부재(311)가 마련된다. 웨이퍼(W)는 이러한 유지 부재(311)에 의해 유지부(31A)의 상면으로부터 조금 이간된 상태로 수평으로 유지된다.
지주부(32A)는 상단부에 있어서 유지부(31A)를 수평으로 지지한다. 지주부(32A)는 구동부(33A)에 의해 연직축 둘레로 회전한다. 지주부(32A)가 연직축 둘레로 회전함으로써, 유지부(31A) 및 유지부(31A)에 유지된 웨이퍼(W)가 연직축 둘레로 회전한다.
또한, 기판 유지 기구(30A)는 유지부(31A) 및 지주부(32A)를 관통하는 중공부(35)를 구비한다. 중공부(35)에는, 후술하는 가열 유체 공급부(150)의 지주부(152)가 삽입 통과된다.
가열 유체 공급부(150)는 기판 유지 기구(30A)에 의해 유지된 웨이퍼(W)의 하방에 배치되어, 웨이퍼(W)의 하면에 대하여 HDIW(가열된 순수)를 공급한다.
가열 유체 공급부(150)는 노즐부(151)와, 지주부(152)를 구비한다. 노즐부(151)는 수평 방향으로 연장되는 길이가 긴 형상의 부재이며, 내부에는 길이 방향을 따라 연장되는 유로(511)가 마련되어 있다. 또한, 가열 유체 공급부(150)는 유로(511)에 연통하는 복수의 토출구(512)를 구비한다. 복수의 토출구(512)는 유로(511)를 따라, 즉, 기판 유지 기구(30A)에 유지된 웨이퍼(W)의 직경 방향을 따라 정해진 간격을 두고 나열하여 배치된다.
지주부(152)는 기판 유지 기구(30A)의 중공부(35)에 삽입 통과되어, 상단부에 있어서 노즐부(151)의 기단부를 수평으로 지지한다. 지주부(152)의 내부에는, 노즐부(151)의 유로(511)에 연통하는 유로(521)가 마련된다. 유로(521)에는, 밸브 및 유량 조절부 등을 포함하는 공급 기기군(153)을 개재하여 HDIW 공급원(154)이 접속된다. 가열 유체 공급부(150)로 공급된 HDIW는 복수의 토출구(512)로부터 토출되어 웨이퍼(W)의 하면으로 공급된다. 또한, HDIW의 온도는 에칭 노즐(411A)로부터 토출되는 에칭액의 온도 이상의 온도로 설정된다.
이와 같이, 가열 유체 공급부(150)에 의하면, 복수의 토출구(512)로부터 토출 되는 HDIW를 웨이퍼(W)의 하면의 대략 전체 면에 대하여 직접 공급할 수 있고, 이에 의해, 웨이퍼(W)의 온도 분포의 면내 균일성을 높일 수 있다.
또한, 여기서는, 가열 유체 공급부(150)로부터 공급되는 가열 유체는 반드시 HDIW인 것을 요하지 않는다. 예를 들면, 처리 유닛(16A)은 에칭 노즐(411A)로부터 공급되는 에칭액과 동일한 에칭액을 가열 유체 공급부(150)로부터 공급하는 것으로 해도 된다. 또한, 가열 유체 공급부(150)로부터 공급되는 가열 유체는 가열된 기체여도 된다.
(제 5 실시 형태)
한편, 웨이퍼(W)의 상면에 패턴이 형성되어 있는 경우, 상술한 건조 처리(도 9의 단계(S103))에 있어서, 웨이퍼(W) 상에 잔존하는 처리액(여기서는 린스액)의 표면 장력에 의해 패턴이 도괴될 우려가 있다.
여기서, 패턴 도괴가 발생하는 요인 중 하나로서 '건조 처리의 처리 시간'이 있으며, 처리 시간이 길어질수록 패턴 도괴가 발생하기 쉬워진다.
따라서, 건조 처리의 처리 시간을 단축하기 위하여, 건조 처리의 개시 전, 바꿔 말하면, 린스 처리의 종료 전부터 웨이퍼(W)의 회전수를 증가시키는 사전 가속 처리를 행하는 것으로 해도 된다. 이러한 점에 대하여 도 14를 참조하여 설명한다. 도 14는 제 5 실시 형태에 따른 건조 처리의 내용을 설명하기 위한 도이다.
도 14에 있어서 일점 쇄선으로 나타내는 바와 같이, 종래에 있어서는 건조 처리의 개시와 동시에 린스액의 공급을 정지하고, 웨이퍼(W)의 회전수를 린스 처리 시에 있어서의 회전수 X1(예를 들면, 200 rpm)로부터 X2(예를 들면, 4000 rpm)로 증가시키고 있다. 또한, 회전수 X2는 웨이퍼(W)에 잔존하는 린스액을 털어 낼 수 있는 회전수이다. 그러나, 이 방법이면, 회전수가 X2에 도달할 때까지의 시간(T)만큼 건조 처리의 처리 시간이 더 길어져 버린다.
따라서, 제어부(18)는 건조 처리의 개시 전부터 웨이퍼(W)의 회전수를 증가시킨다. 예를 들면, 제어부(18)는, 건조 처리의 개시 시점보다, 웨이퍼(W)의 회전수가 X1에서부터 X2에 도달할 때까지의 시간(T)만큼 이전의 시점부터 웨이퍼(W)의 회전수를 증가시키는 사전 가속 처리를 개시시킨다.
이와 같이 함으로써, 건조 처리의 개시 시점에 있어서 웨이퍼(W)의 회전수가 이미 X2에 도달한 상태로 할 수 있기 때문에, 종래의 건조 처리와 비교하여 처리 시간을 단축할 수 있다. 따라서, 패턴 도괴의 발생을 억제할 수 있다.
한편, 사전 가속 처리를 행한 경우에는, 사전 가속 처리를 행하지 않은 경우와 비교하여 웨이퍼(W)의 온도가 낮아질 우려가 있다. 웨이퍼(W)의 온도가 낮아질수록 웨이퍼(W)에 잔존하는 처리액의 온도도 낮아지고, 처리액의 온도가 낮아질수록 처리액의 점성이 높아진다. 그리고, 처리액의 점성이 높아질수록 표면 장력이 커진다. 따라서, 단순히 사전 가속 처리를 행한 것만으로는 패턴 도괴가 도리어 발생하기 쉬워질 가능성이 있다.
따라서, 제어부(18)는, 예를 들면, 제 4 실시 형태에 있어서 설명한 가열 유체 공급부(150)를 이용하여 웨이퍼(W)를 가열하는 가열 처리를 행해도 된다. 이러한 점에 대하여 도 15를 참조하여 설명한다. 도 15는 가열 처리의 내용을 설명하기 위한 도이다.
도 15에 나타내는 바와 같이, 제어부(18)는, 린스 처리에 있어서, 가열 유체 공급부(150)로부터 웨이퍼(W)의 하면에 대하여 HDIW를 공급한다. 그리고, 제어부(18)는, 건조 처리가 개시된 후 시간(T)이 경과한 시점에서, 가열 유체 공급부(150)로부터 웨이퍼(W)의 하면으로의 HDIW의 공급을 정지한다. 또한, HDIW의 온도는, 사전 가속 처리를 행하는 경우의 웨이퍼(W)의 온도가 사전 가속 처리를 행하지 않은 경우에 있어서의 웨이퍼(W)의 온도 이상이 되는 온도이면 된다.
이와 같이 웨이퍼(W)를 가열함으로써, 가령, 사전 가속 처리를 행하여 웨이퍼(W)의 온도가 저하된다고 해도, 이러한 웨이퍼(W)의 온도 저하를 억제할 수 있다. 따라서 패턴 도괴의 발생을 보다 확실하게 억제할 수 있다.
또한, 여기서는, 린스 처리 후에 건조 처리를 행하는 경우의 예에 대하여 설명했지만, 기판 처리에 있어서는, 린스 처리 후 또한 건조 처리 전에, 웨이퍼(W)의 상면에 IPA를 공급하는 IPA 공급 처리가 행해지는 경우가 있다. 이 경우, 사전 가속 처리는 IPA 공급 처리의 처리 중에 개시되는 것이 된다. 따라서, 이 경우, 제어부(18)는, IPA 공급 처리에 있어서, 가열 유체 공급부(150)로부터 웨이퍼(W)의 하면에 대하여 HDIW를 공급하고, 건조 처리가 개시된 후 시간(T)이 경과한 후에, 가열 유체 공급부(150)로부터 웨이퍼(W)의 하면으로의 HDIW의 공급을 정지하면 된다.
또한, 가열 유체 공급부(150)로부터 공급되는 가열 유체는 HDIW에 한정되지 않고, 예를 들면 가열된 IPA여도 되고, 가열된 기체여도 된다.
또한, 여기서는, 건조 처리가 개시된 후 시간(T)이 경과한 시점에서 가열 처리를 종료하는 것으로 했지만, 제어부(18)는 적어도 건조 처리가 개시된 후에 가열 처리를 종료하면 된다. 즉, 제어부(18)는, 건조 처리의 개시 후, 시간(T)이 경과하기 전에 가열 처리를 종료해도 되고, 건조 처리가 개시된 후 시간(T)이 경과한 후에 가열 처리를 종료해도 된다.
또한, 제어부(18)는, 건조 처리의 직전의 처리(린스 처리 또는 IPA 공급 처리)가 개시된 후에 가열 처리를 개시하는 것으로 해도 된다. 예를 들면, 제어부(18)는, 린스 처리 또는 IPA 공급 처리가 종료되는 시점보다 시간(T)만큼 이전의 시점에서부터 가열 처리를 개시하는 것으로 해도 된다.
또한, 사전 가속 처리를 실행하는 기판 처리 장치는, 제 1 ∼ 제 4 실시 형태에 있어서 설명한 처리 유닛(16, 16A)에 한정되는 것은 아니다. 사전 가속 처리를 실행하는 기판 처리 장치는, 적어도, 웨이퍼(W)를 유지하는 유지부와, 유지부를 회전시키는 회전 기구와, 유지부에 유지된 웨이퍼(W)에 대하여 처리액을 공급하는 노즐을 구비하고, 웨이퍼(W)에 대하여 노즐로부터 처리액을 공급하는 액처리를 행한 후, 유지부를 액처리 시보다 고속으로 회전시킴으로써 웨이퍼(W) 상에 잔존하는 처리액을 제거하는 건조 처리를 행하는 것이면 된다.
(그 밖의 실시 형태)
또한, 상술한 연속 스캔 처리에 있어서는, 제 1 위치(P1)의 위치를 변경하면서 스캔 처리를 복수 회 실행하는 것으로 했지만, 제 1 위치(P1)뿐만 아니라, 웨이퍼(W)의 외주측의 반환 지점인 제 2 위치(P2)의 위치도 변경하면서 스캔 처리를 복수 회 실행하는 것으로 해도 된다.
가일층의 효과 또는 변형예는, 당업자에 의해 용이하게 도출할 수 있다. 이 때문에, 본 발명의 보다 광범위한 태양은, 이상과 같이 나타내고 또한 기술한 특정한 상세 및 대표적인 실시 형태에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 첨부의 특허 청구의 범위 및 그 균등물에 의해 정의되는 총괄적인 발명의 개념의 정신 또는 범위로부터 일탈하지 않고, 다양한 변경이 가능하다.
W : 웨이퍼
40a : 메인 노즐부
40b : 서브 노즐부
41A, 41B : 노즐 헤드
411A, 411B : 에칭 노즐
42A, 42B : 노즐 암
43 : 슬라이더
44 : 가이드 레일
45 : 회전축
46 : 구동부
701 : 에칭액 공급원
71a ∼ 71d : 유량 조정부

Claims (16)

  1. 기판을 수평으로 유지하는 유지부와,
    상기 유지부를 회전시키는 회전 기구와,
    상기 유지부에 유지된 상기 기판에 대하여 에칭액을 공급하는 노즐과,
    상기 노즐을 이동시키는 이동 기구와,
    상기 회전 기구 및 상기 이동 기구를 제어하여, 회전하는 상기 기판에 대하여 상기 노즐로부터 상기 에칭액을 공급하면서, 상기 기판 상방의 제 1 위치와 상기 제 1 위치보다 상기 기판의 외주측의 제 2 위치의 사이에서 상기 노즐을 왕복시키는 스캔 처리를 실행시키는 제어부를 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 스캔 처리를 상기 제 1 위치를 변경하면서 복수 회 실행시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 노즐로부터 토출된 에칭액이 상기 기판의 회전 중심에 직접 공급되는 직접 공급 위치, 상기 노즐로부터 토출된 에칭액이 상기 기판의 회전 중심보다 상기 기판의 외주측에 공급되고 또한 상기 기판에 착액된 에칭액이 상기 기판의 회전 중심에 도달하는 간접 공급 위치 및 상기 노즐로부터 토출된 에칭액이 상기 기판의 회전 중심보다 상기 기판의 외주측에 공급되고 또한 상기 기판에 착액된 에칭액이 상기 기판의 회전 중심에 도달하지 않는 비공급 위치 중, 적어도 2 개의 위치의 사이에서 상기 제 1 위치를 변경시키는 것을 특징으로 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 직접 공급 위치와 상기 간접 공급 위치와 상기 비공급 위치의 사이에서 상기 제 1 위치를 변경시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 노즐을 상기 직접 공급 위치로부터 상기 제 2 위치로 이동시킨 후, 상기 제 2 위치로부터 상기 간접 공급 위치 및 상기 비공급 위치의 일방으로 이동시키는 동작과, 상기 노즐을 상기 간접 공급 위치 및 상기 비공급 위치의 일방으로부터 상기 제 2 위치로 이동시킨 후, 상기 제 2 위치로부터 상기 간접 공급 위치 및 상기 비공급 위치의 타방으로 이동시키는 동작과, 상기 노즐을 상기 간접 공급 위치 및 상기 비공급 위치의 타방으로부터 상기 제 2 위치로 이동시킨 후, 상기 제 2 위치로부터 상기 직접 공급 위치로 이동시키는 동작을 1 세트로 하여 복수 세트 실행시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제 3 항 또는 제 4 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    최초의 상기 스캔 처리를 상기 간접 공급 위치에서부터 개시시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 직접 공급 위치로부터 상기 기판에 대하여 상기 에칭액을 공급한 후, 상기 노즐을 상기 직접 공급 위치로부터 상기 간접 공급 위치로 이동시켜 최초의 상기 스캔 처리를 개시시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 노즐이 상기 제 1 위치로부터 상기 제 2 위치를 향함에 따라 상기 노즐의 이동 속도를 느리게 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 기판의 외주부에 대하여 상기 에칭액을 공급하는 외주 노즐을 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 제 1 위치보다 상기 기판의 외주측 또한 상기 제 2 위치보다 상기 기판의 회전 중심측의 제 3 위치에 있어서의 상기 노즐의 이동 속도를 상기 제 1 위치에 있어서의 상기 노즐의 이동 속도보다 느리게 하고, 상기 제 2 위치에 있어서의 상기 노즐의 이동 속도를 상기 제 3 위치에 있어서의 상기 노즐의 이동 속도보다 빠르게 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  9. 기판을 수평으로 유지하는 유지부를 이용하여 상기 기판을 수평으로 유지하는 유지 공정과,
    상기 유지부를 회전시키는 회전 기구를 이용하여 상기 유지 공정에 있어서 유지한 상기 기판을 회전시키는 회전 공정과,
    회전하는 상기 기판에 대하여 노즐로부터 에칭액을 공급하면서, 상기 노즐을 이동시키는 이동 기구를 이용하여 상기 기판 상방의 제 1 위치와 상기 제 1 위치보다 상기 기판의 외주측의 제 2 위치의 사이에서 상기 노즐을 왕복시키는 스캔 처리를 상기 제 1 위치를 변경하면서 복수 회 실행시키는 연속 스캔 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 연속 스캔 공정은,
    상기 노즐로부터 토출된 에칭액이 상기 기판의 회전 중심에 직접 공급되는 직접 공급 위치, 상기 노즐로부터 토출된 에칭액이 상기 기판의 회전 중심보다 상기 기판의 외주측에 공급되고 또한 상기 기판에 착액된 에칭액이 상기 기판의 회전 중심에 도달하는 간접 공급 위치 및 상기 노즐로부터 토출된 에칭액이 상기 기판의 회전 중심보다 상기 기판의 외주측에 공급되고 또한 상기 기판에 착액된 에칭액이 상기 기판의 회전 중심에 도달하지 않는 비공급 위치 중, 적어도 2 개의 위치의 사이에서 상기 제 1 위치를 변경시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 연속 스캔 공정은,
    상기 직접 공급 위치와 상기 간접 공급 위치와 상기 비공급 위치의 사이에서 상기 제 1 위치를 변경시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 연속 스캔 공정은,
    상기 노즐을 상기 직접 공급 위치로부터 상기 제 2 위치로 이동시킨 후, 상기 제 2 위치로부터 상기 간접 공급 위치 및 상기 비공급 위치의 일방으로 이동시키는 동작과, 상기 노즐을 상기 간접 공급 위치 및 상기 비공급 위치의 일방으로부터 상기 제 2 위치로 이동시킨 후, 상기 제 2 위치로부터 상기 간접 공급 위치 및 상기 비공급 위치의 타방으로 이동시키는 동작과, 상기 노즐을 상기 간접 공급 위치 및 상기 비공급 위치의 타방으로부터 상기 제 2 위치로 이동시킨 후, 상기 제 2 위치로부터 상기 직접 공급 위치로 이동시키는 동작을 1 세트로 하여 복수 세트 실행시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  13. 제 11 항 또는 제 12 항에 있어서,
    상기 연속 스캔 공정은,
    최초의 상기 스캔 처리를 상기 간접 공급 위치에서부터 개시시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 연속 스캔 공정은,
    상기 직접 공급 위치로부터 상기 기판에 대하여 상기 에칭액을 공급한 후, 상기 노즐을 상기 직접 공급 위치로부터 상기 간접 공급 위치로 이동시켜 최초의 상기 스캔 처리를 개시시키는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  15. 제 9 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 연속 스캔 공정은,
    상기 노즐이 상기 제 1 위치로부터 상기 제 2 위치를 향함에 따라 상기 노즐의 이동 속도를 느리게 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
  16. 제 15 항에 있어서,
    상기 연속 스캔 공정과 병행하여 행해지고, 상기 기판의 외주부에 대하여 상기 에칭액을 공급하는 외주 노즐을 이용하여 상기 기판의 외주부에 대하여 상기 에칭액을 공급하는 외주 공급 공정을 포함하며,
    상기 연속 스캔 공정은,
    상기 제 1 위치보다 상기 기판의 외주측 또한 상기 제 2 위치보다 상기 기판의 회전 중심측의 제 3 위치에 있어서의 상기 노즐의 이동 속도를 상기 제 1 위치에 있어서의 상기 노즐의 이동 속도보다 느리게 하고, 상기 제 2 위치에 있어서의 상기 노즐의 이동 속도를 상기 제 3 위치에 있어서의 상기 노즐의 이동 속도보다 빠르게 하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6910164B2 (ja) * 2017-03-01 2021-07-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP7088810B2 (ja) * 2018-11-07 2022-06-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP7203593B2 (ja) * 2018-12-25 2023-01-13 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
CN109767974B (zh) * 2019-01-14 2020-12-15 北京半导体专用设备研究所（中国电子科技集团公司第四十五研究所） 材料清洗方法、装置及控制器
KR102376830B1 (ko) * 2019-09-30 2022-03-21 시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤 기판 처리 장치
JP7505439B2 (ja) 2021-04-12 2024-06-25 三菱電機株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
CN113314406A (zh) * 2021-04-16 2021-08-27 中国科学院微电子研究所 一种对半导体层减薄的方法及其应用
CN116504682B (zh) * 2023-06-20 2024-04-02 深圳市鲁光电子科技有限公司 一种碳化硅mosfet制备用蚀刻装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090004876A1 (en) * 2006-01-31 2009-01-01 Sakae Koyata Method for Etching Single Wafer
JP2015103656A (ja) 2013-11-25 2015-06-04 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100648165B1 (ko) * 2004-04-06 2006-11-28 동경 엘렉트론 주식회사 기판 세정 장치, 기판 세정 방법 및 그 방법에 사용되는프로그램을 기록한 매체
JP4425913B2 (ja) * 2004-06-04 2010-03-03 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄方法およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
JP5312923B2 (ja) * 2008-01-31 2013-10-09 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5276420B2 (ja) * 2008-01-31 2013-08-28 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6256828B2 (ja) * 2013-10-10 2018-01-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6235364B2 (ja) * 2014-02-14 2017-11-22 東芝メモリ株式会社 現像装置および現像方法
JP6352824B2 (ja) * 2015-01-23 2018-07-04 東芝メモリ株式会社 基板処理装置、制御プログラムおよび制御方法
JP6404189B2 (ja) * 2015-08-07 2018-10-10 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
JP6591280B2 (ja) * 2015-12-16 2019-10-16 東芝メモリ株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP6588819B2 (ja) * 2015-12-24 2019-10-09 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6653608B2 (ja) * 2016-03-29 2020-02-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
CN116631902A (zh) * 2016-05-06 2023-08-22 应用材料公司 用于蚀刻系统的晶片轮廓
JP6722532B2 (ja) * 2016-07-19 2020-07-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および処理カップ洗浄方法
JP6910164B2 (ja) * 2017-03-01 2021-07-28 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090004876A1 (en) * 2006-01-31 2009-01-01 Sakae Koyata Method for Etching Single Wafer
JP2015103656A (ja) 2013-11-25 2015-06-04 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体

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