TWI754012B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

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Abstract

本發明旨在提高基板處理之面內均勻性。 依本發明之實施態樣之基板處理裝置，具備：固持部、旋轉機構、噴嘴、移動機構、以及控制部。固持部，將基板水平固持。旋轉機構，使固持部旋轉。噴嘴，對於固持部所固持之基板供給蝕刻液。移動機構，使噴嘴移動。控制部，控制旋轉機構及移動機構，而一邊從噴嘴對旋轉中的基板供給蝕刻液，一邊執行掃瞄處理，此掃瞄處理係使噴嘴在基板上方的第1位置、以及比第1位置更偏向基板之外周側的第2位置之間往返。又，控制部係一邊變更第1位置，一邊執行複數次掃瞄處理。

Description

基板處理裝置及基板處理方法
本發明之實施態樣，係有關於基板處理裝置及基板處理方法。
於習知技術，已知有一種基板處理裝置，對於半導體晶圓或玻璃基板等的基板，係一邊使基板旋轉，一邊由配置於基板之上方的噴嘴對基板供給處理液，再藉由基板之離心力而將處理液擴展到基板的表面全體，以進行基板處理。
於此種基板處理裝置，有時會一邊從噴嘴噴出處理液，一邊實施連續掃瞄處理；該連續掃瞄處理係連續進行複數次掃瞄處理，該掃瞄處理係使噴嘴在位於基板中心側的第1位置、以及位於外周側的第2位置之間往返。
對此，於專利文獻1記載：在以連續掃瞄處理來進行基板之蝕刻處理的情況下，藉由使上述第1位置，位在從基板中心偏移30mm處，而能壓低在基板中心的蝕刻量，以提高面內均勻性。 ［習知技術文獻］ ［專利文獻］
［專利文獻1］日本特開2015－103656號公報
［發明所欲解決的問題］
然而，已知於連續掃瞄處理，在作為往返動作之折返地點的第1位置之蝕刻量，會比其他位置更多。因此，於上述習知技術技術，就提高基板處理之面內均勻性這一點而言，還有更進一步改善的空間。
實施態樣之一態樣，係以提供一種可以提高基板處理之面內均勻性的基板處理裝置及基板處理方法為目的。 ［解決問題之技術手段］
實施態樣之一態樣的基板處理裝置，具備：固持部、旋轉機構、噴嘴、移動機構、以及控制部。固持部，將基板水平固持。旋轉機構，使固持部旋轉。噴嘴，對於固持部所固持之基板供給蝕刻液。移動機構，使噴嘴移動。控制部，控制旋轉機構及移動機構，而一邊從噴嘴對旋轉中的基板供給蝕刻液，一邊執行掃瞄處理，此掃瞄處理係使噴嘴在基板上方的第1位置、以及比第1位置更偏向基板之外周側的第2位置之間往返。又，控制部係一邊變更第1位置，一邊執行複數次掃瞄處理。 ［發明之效果］
若藉由實施態樣之一態樣，可以提高基板處理之面內均勻性。
以下，參照隨附圖式，詳細說明本案所揭露之基板處理裝置及基板處理方法的實施態樣。又，本發明不限定於以下所示之實施態樣。
圖1為表示依本實施態樣之基板處理系統的概略構成之圖式。以下，為了使位置關係明確，規定互相垂直的X軸、Y軸及Z軸，並將Z軸正方向定為鉛直向上的方向。
如圖1所示，基板處理系統1包含「搬入出站2」及「處理站3」。搬入出站2與處理站3係鄰接設置。
搬入出站2包含「載體載置部11」及「搬送部12」。在載體載置部11載置複數之載體C，該複數之載體C以水平狀態收容複數片基板，本實施態樣中，係半導體晶圓（以下稱作「晶圓W」）。
搬送部12鄰接載體載置部11而設置，於其內部具備「基板搬送裝置13」及「傳遞部14」。基板搬送裝置13具備晶圓固持機構，用以固持晶圓W。又，基板搬送裝置13能向水平方向及鉛直方向移動，並能以鉛直軸為中心旋轉；使用晶圓固持機構，在載體C與傳遞部14之間搬送晶圓W。
處理站3係鄰接搬送部12而設置。處理站3包含「搬送部15」及「複數之處理單元16」。複數之處理單元16，係於搬送部15的兩側並列而設置。
於搬送部15的內部，具備「基板搬送裝置17」。基板搬送裝置17具備晶圓固持機構，用以固持晶圓W。又，基板搬送裝置17能向水平方向及鉛直方向移動，並能以鉛直軸為中心旋轉；使用晶圓固持機構，在傳遞部14與處理單元16之間搬送晶圓W。
處理單元16，對於由基板搬送裝置17搬送之晶圓W，進行既定的基板處理。
又，基板處理系統1包含「控制裝置4」。控制裝置4例如為電腦，其包含「控制部18」及「儲存部19」。在儲存部19儲存「控制於基板處理系統1中執行的各種處理之程式」。控制部18，藉由讀取並執行儲存於儲存部19的程式，以控制基板處理系統1的動作。
又，關聯的程式，係記錄於可由電腦讀取的記錄媒體，亦可自記錄媒體安裝至控制裝置4之儲存部19。作為可由電腦讀取的記錄媒體，例如包含硬碟（HD）、軟性磁碟（FD）、光碟（CD）、磁光碟（MO）及記憶卡等。
如上述構成之基板處理系統1中，首先，搬入出站2之基板搬送裝置13，從載置於載體載置部11之載體C，將晶圓W取出，並將取出之晶圓W載置於傳遞部14。載置於傳遞部14之晶圓W，係藉由處理站3之基板搬送裝置17，從傳遞部14取出，並向處理單元16搬入。
向處理單元16搬入之晶圓W，在利用處理單元16處理後，藉由基板搬送裝置17從處理單元16搬出，並載置於傳遞部14。又，載置於傳遞部14之處理完畢的晶圓W，藉由基板搬送裝置13，返回載體載置部11之載體C。
接著，就處理單元16之構成，參照圖2說明。圖2為表示處理單元16的概略構成之圖式。
如圖2所示，處理單元16包含：腔室20、基板固持機構30、處理流體供給部40及回收杯50。
腔室20，係用以收容：基板固持機構30、處理流體供給部40及回收杯50。在腔室20的頂棚部，設有「風機過濾機組（Fan Filter Unit，FFU）21」。風機過濾機組21，於腔室20內形成降流。
基板固持機構30包含：固持部31、支柱部32及驅動部33。固持部31，將晶圓W水平固持。支柱部32為在鉛直方向延伸的構件，其基端部係藉由驅動部33可旋轉地支持，於其前端部將固持部31水平支持。驅動部33，使支柱部32繞著鉛直軸旋轉。關聯的基板固持機構30，藉由使用驅動部33而使支柱部32旋轉，以使支持於支柱部32的固持部31旋轉，藉此，使固持於固持部31的晶圓W旋轉。
處理流體供給部40對晶圓W供給處理流體。處理流體供給部40連接於處理流體供給源70。
回收杯50係配置成包圍固持部31，藉由固持部31的旋轉，捕集自晶圓W飛散的處理液。在回收杯50的底部，形成排液口51；藉由回收杯50捕集之處理液，自關聯的排液口51向處理單元16的外部排出。又，在回收杯50的底部形成排氣口52，用以自風機過濾機組21將供給的氣體向處理單元16的外部排出。
處理單元16，相當於基板處理裝置之一例。於第1實施態樣，係舉下述情況為例進行說明：使用處理單元16，對於形成在晶圓W之表面的聚矽膜，供給蝕刻液，藉此進行蝕刻處理，以去除附著在聚矽膜之異物。
＜處理單元之具體構成例＞ 圖3為擴大圖2所示之處理單元16的固持部31所固持的晶圓W之鄰近區域的示意性繪示圖。再者，圖4為處理單元16的示意俯視圖。
於圖3所示之處理單元16，具備主噴嘴部40a及副噴嘴部40b；該主噴嘴部40a，係對晶圓W之整面供給蝕刻液；該副噴嘴部40b，係用以藉由主噴嘴部40a所供給之蝕刻液，來調整形成在晶圓W之面內的溫度分佈。
主噴嘴部40a具備：噴嘴頭41A、設於噴嘴頭41A並對晶圓W供給蝕刻液的蝕刻噴嘴411A、以及設於噴嘴頭41A並供給沖洗液的沖洗噴嘴412A。如圖3所示，這些噴嘴411A、412A，會朝向鉛直下方直線狀地噴出各種處理液（蝕刻液、沖洗液）。
如圖4所示，主噴嘴部40a的噴嘴頭41A，係設於噴嘴臂42A的前端部，而配置在晶圓W頂面（被處理面）的上方側；該噴嘴臂42A係沿著固持部31所固持之晶圓W而延伸。此噴嘴臂42A的基端部，受到能在導軌44上滑行自如的滑座43所支持；藉由使滑座43在導軌44上移動，而可以沿著晶圓W的半徑方向，使主噴嘴部40a在水平方向上自由移動。再者，主噴嘴部40a亦可以從晶圓W的上方，移動至朝向外側退開的待機位置。
滑座43係使蝕刻噴嘴411A移動之移動機構的一例。又，並不限定於圖4所示之構成；蝕刻噴嘴411A的移動機構的構成，亦可具備使噴嘴臂42A及噴嘴頭41A揺動的揺動機構。
副噴嘴部40b具備：噴嘴頭41B、設於噴嘴頭41B並對晶圓W供給蝕刻液的蝕刻噴嘴411B、以及設於噴嘴頭41B並供給沖洗液的沖洗噴嘴412B。如圖3所示，這些噴嘴411B、412B，會朝向鉛直下方直線狀地噴出各種處理液（蝕刻液、沖洗液）。
副噴嘴部40b的噴嘴頭41B，係設於噴嘴臂42B的前端部，而配置在該晶圓W的上方側；該噴嘴臂42B係沿著固持部31所固持之晶圓W而延伸。如圖4所示，噴嘴臂42B的基端部，受到藉由驅動部46而可旋轉自如之旋轉軸45所支持，而可以在預先設定於晶圓W外周側的處理位置（圖4中係以實線繪示）、以及從晶圓W的上方退開至外側的待機位置（圖4中係以虛線繪示）之間移動。
驅動部46、噴嘴臂42B及噴嘴頭41B，係使蝕刻噴嘴411B移動之移動機構的一例。又，並不限定於圖4所示之構成；蝕刻噴嘴411B的移動機構的構成，亦可具備導軌及滑座而使蝕刻噴嘴411B直線性移動。
蝕刻噴嘴411A、411B，分別經由噴嘴頭41A、41B及噴嘴臂42A、42B而連接至蝕刻液供給源701（相當於圖2的處理流體供給源70）。於蝕刻液供給源701設有：存放蝕刻液的存放部（未圖示）、以及用以對存放部內的蝕刻液進行溫度調整的加熱器等等的溫度調整部（未圖示），而可以對各個蝕刻噴嘴411A、411B，供給溫度調整至20～70℃之範圍的蝕刻液，例如50℃。於蝕刻液供給源701的出口部，設有對於輸送至各個蝕刻噴嘴411A、411B之蝕刻液進行流量調整的流量調整部71a、71b。又，就蝕刻液而言，可以使用例如SC1（氨水／過氧化氫／水的混合液）或DHF（氫氟酸稀釋溶液）等。
再者，主噴嘴部40a及副噴嘴部40b的沖洗噴嘴412A、412B，也連接至具備存放沖洗液之存放部（未圖示）等等的沖洗液供給源702（相當於圖2的處理流體供給源70）。從沖洗液供給源702，可以供給以各個流量調整部71c、71d調整過流量的沖洗液。
這些蝕刻液或沖洗液的流量調整、蝕刻液的溫度調整、以及主噴嘴部40a和副噴嘴部40b的移動動作之控制，係由控制裝置4所控制。
控制裝置4的控制部18，係統括控制基板處理系統1全體的處理部，例如包含：具有CPU（Central Processing Unit；中央處理器）、ROM（Read Only Memory；唯讀記憶體）、RAM（Random Access Memory；動態隨機存取記憶體）、輸入輸出埠等等的電腦，或各種電路。控制部18，藉由以CPU將儲存在ROM的程式，使用RAM作為工作區域來執行，而控制處理單元16或基板搬送裝置13等等基板處理系統1所具備之各種裝置的動作。
又，上述程式，係記錄於可由電腦讀取的記錄媒體，亦可自該記錄媒體安裝至控制裝置之儲存部。作為可由電腦讀取的記錄媒體，例如包含硬碟（HD）、軟性磁碟（FD）、光碟（CD）、磁光碟（MO）及記憶卡等。再者，控制部18亦可係分別有局部或者全部為ASIC（Application Specific Integrated Circuit；特殊功能積體電路）或FPGA（Field Programmable Gate Array；可程式化邏輯閘陣列）等硬體所構成。
控制裝置4的儲存部19，係以例如RAM、快閃記憶體（Flash Memory）等的半導體記憶元件，或是硬碟、光碟等的儲存裝置來實現。
＜蝕刻液的噴出方法與蝕刻量之間的關係＞ 接著，針對蝕刻液的噴出方法與蝕刻量之間的關係，參照圖5A～圖5C以進行說明。圖5A～圖5C為示意性繪示蝕刻液之噴出方法與蝕刻量之關係的圖式。又，此處係設定晶圓W的直徑為300mm，並規定以晶圓W的中心位置為0mm，以最外周位置為150mm。再者，此處係設定：晶圓W之中心、與固持部31使晶圓W旋轉之中心為一致。於下文中，「晶圓W之旋轉中心」有時會僅記載為「晶圓W之中心」。
如圖5A所示，在噴嘴411X僅對旋轉中的晶圓W之中心噴出蝕刻液的情況下，晶圓W的蝕刻量係以晶圓W之中心為最高，並隨著朝向外周側而逐漸減少。此係由於越往晶圓W之外周側，蝕刻液的溫度越低。
有鑑於此，為了減少蝕刻液的溫差，如圖5B所示，有時會使用掃瞄處理，使噴嘴411X在對晶圓W之中心噴出蝕刻液的第1位置、以及比第1位置位在更偏向晶圓W之外周側的第2位置之間往返。
藉由此種手法，由於溫度調整過的蝕刻液亦會直接供給至晶圓W之外周側，因此可以減少晶圓面內的蝕刻液溫差。從而，相較於圖5A所示之噴出方法，可以提高蝕刻處理的面內均勻性。
又，噴嘴411X的移動速度，係設定為可以維持晶圓W中心有形成蝕刻液液膜之狀態的速度；亦即係設定為：在晶圓W中心的液膜消失前，會再度對晶圓W中心供給蝕刻液的速度。再者，噴嘴411X之往返動作的次數，係設定為預料可以得到所要之蝕刻量的次數。由於在第2位置，會因為旋流（rotational flow）的影響而使蝕刻量降低，所以蝕刻液的供給量係以多於第1位置為宜。
再者，如圖5C所示，針對作為往返動作之折返地點的第1位置及第2位置，亦有人提案要使其中作為晶圓W之中心側折返地點的第1位置，位在自晶圓W之中心偏移的位置。若藉由此手法，則可以抑制在晶圓W之中心的蝕刻量，而更進一步地提高蝕刻處理的面內均勻性。
然而，在上述之習知之手法，就謀求更進一步提升蝕刻處理之面內均勻性的觀點而言，尚有改善空間。亦即，如同圖5B或圖5C所示之手法，在使噴嘴411X於第1位置及第2位置之間往返的情況下，噴嘴411X在第1位置及第2位置會因為轉換方向而有一靜止的瞬間，因此在第1位置及第2位置的蝕刻液供給量，會比其他位置更多。其結果，第1位置及第2位置的蝕刻量會比其他位置更多，而導致蝕刻處理的面內均勻性降低之虞。噴嘴411X的往返動作的次數越多，則由於噴嘴411X在第1位置及第2位置靜止的次數會變多，因此第1位置及第2位置與其他位置間的蝕刻量差異變大，而導致蝕刻處理的面內均勻性顯著降低。
有鑑於此，於第1實施態樣之處理單元16，就使蝕刻噴嘴411A在第1位置與第2位置之間往返之掃瞄處理，設定為一邊變更第1位置、一邊執行複數次。
＜第1實施態樣之連續掃瞄處理的內容＞ 以下針對第1實施態樣之連續掃瞄處理的內容，參照圖6～圖8來進行說明。
圖6為用以說明第1實施態樣之連續掃瞄處理之內容的圖式。再者，圖7A為繪示直接供給位置的圖式，圖7B為繪示間接供給位置的圖式，圖7C為繪示非供給位置的圖式。再者，圖8為示意性繪示進行過第1實施態樣之連續掃瞄處理之情況下的蝕刻量之圖式。
又，與圖5A～圖5C相同，此處係設定晶圓W的直徑為300mm，並規定以晶圓W的中心位置為0mm，以最外周位置為150mm。
如圖6所示，於第1實施態樣之處理單元16，係使第1位置P1，在直接供給位置P11、間接供給位置P12、以及非供給位置P13之間變更。
在此，針對直接供給位置P11、間接供給位置P12及非供給位置P13，參照圖7A～圖7C來進行說明。
如圖7A所示，直接供給位置P11，係「從蝕刻噴嘴411A所噴出之蝕刻液會直接供給至晶圓W之中心」的蝕刻噴嘴411A之位置。於第1實施態樣，在通過晶圓W之中心的軸線上配置蝕刻噴嘴411A之位置（亦即0mm的位置），就是直接供給位置P11。
如圖7B所示，間接供給位置P12，係「使蝕刻噴嘴411A所噴出之蝕刻液供給至比晶圓W之中心更為偏向晶圓W之外周側處、而且噴到晶圓W的蝕刻液會到達晶圓W之中心」的蝕刻噴嘴411A之位置。於第1實施態樣，間接供給位置P12係設定為：從晶圓W之中心偏移20mm的位置。
再者，如圖7C所示，非供給位置P13，係使蝕刻噴嘴411A所噴出之蝕刻液不會供給至晶圓W之中心的位置；亦即，「使蝕刻液供給至比晶圓W之中心更為偏向晶圓W之外周側處、而且噴到晶圓W的蝕刻液不會到達晶圓W之中心」的位置。非供給位置P3，係取決於晶圓W之轉速及蝕刻液之噴出量等等。於第1實施態樣，非供給位置P13係設定為：從晶圓W之中心偏移40mm的位置。
再者，於第1實施態樣，作為晶圓W之外周側折返地點的第2位置P2，係設定為：從晶圓W之中心偏移145mm的位置。
接下來，針對第1實施態樣之連續掃瞄處理的具體動作，進行說明。控制裝置4的控制部18，首先控制驅動部33（參照圖2），而使固持了晶圓W的固持部31旋轉。再者，控制部18控制滑座43，而使蝕刻噴嘴411A移動至晶圓W上的間接供給位置P12；之後，從蝕刻噴嘴411A，噴出溫度調整過的蝕刻液。又，蝕刻液的噴出流量，至連續掃瞄處理結束為止皆為固定。
之後，控制部18如圖6所示，使蝕刻噴嘴411A從間接供給位置P12移動至第2位置P2後（步驟S01），再從第2位置P2移動至非供給位置P13（步驟S02）。
接下來，於處理單元16，使蝕刻噴嘴411A從非供給位置P13移動至第2位置P2後（步驟S03），再從第2位置P2移動至直接供給位置P11（步驟S04）。
在蝕刻噴嘴411A從間接供給位置P12移動、經過第2位置P2及非供給位置P13而到達直接供給位置P11為止的期間，晶圓W的轉速，設定為可以維持在晶圓W中心形成蝕刻液液膜之狀態的轉速。此轉速，係取決於蝕刻液的噴出流量及蝕刻噴嘴411A的移動速度等等。又，於第1實施態樣，晶圓W之轉速係設定為200rpm。
如此這般，在蝕刻噴嘴411A從間接供給位置P12移動、經過第2位置P2及非供給位置P13而到達直接供給位置P11為止的期間，以能維持在晶圓W中心形成蝕刻液液膜之狀態的轉速，來使固持部31旋轉，藉此可以防止晶圓W之中心從蝕刻液露出，同時謀求蝕刻處理的面內均勻化。
接下來，於處理單元16，使蝕刻噴嘴411A從直接供給位置P11移動至第2位置P2後（步驟S05），再從第2位置P2移動至間接供給位置P12（步驟S06）。
之後，控制部18將上述步驟S01～S06的動作視為1組，而連續執行複數組（例如70～100次）。
如此這般，相較於僅設定1個地點以作為第1位置P1的習知手法，藉由使作為往返動作之折返地點的第1位置P1，分散成複數個地點，而可以減輕使蝕刻液集中在一處進行供給的狀況。從而，如圖8所示，可以抑制第1位置P1的蝕刻量，而可以謀求蝕刻處理的面內均勻化。
再者，如上述所言，控制部18係使第1位置P1在直接供給位置P11、間接供給位置P12與非供給位置P13之間變更。如此這般，相較於例如僅使第1位置P1在蝕刻液可以到達晶圓W之中心的範圍（亦即，直接供給位置P11～間接供給位置P12的範圍）內變更的情形，藉由在第1位置P1中包含非供給位置P13，而可以使在晶圓W中心側的往返動作之折返地點分散到更廣範圍。從而可以讓蝕刻處理更加面內均勻化。
再者，控制部18係使連續掃瞄處理中最初的掃瞄處理，從間接供給位置P12開始。藉此，相較於例如使最初的掃瞄處理從非供給位置P13開始的情況，係可以在晶圓W中心形成蝕刻液液膜的狀態下，開始連續掃瞄處理。
又，在此係每往返1次（蝕刻噴嘴411A每次到達第2位置P2時）就使第1位置變更；但控制部18亦可在蝕刻噴嘴411A每往返複數次（例如每往返2次）時，再使第1位置變更。
再者，在此係使第1位置P1從直接供給位置P11變更為間接供給位置P12，再從間接供給位置P12變更為非供給位置P13；但控制部18亦可使第1位置P1從間接供給位置P12變更為直接供給位置P11，再從直接供給位置P11變更為非供給位置P13。
再者，在此係使最初的掃瞄處理從間接供給位置P12開始，但控制部18亦可使最初的掃瞄處理從直接供給位置P11開始，亦可從非供給位置P13開始。
再者，在此係使第1位置P1在直接供給位置P11、間接供給位置P12及非供給位置P13之間變更，但控制部18亦可使第1位置P1在直接供給位置P11、間接供給位置P12及非供給位置P13中的任意2個之間變更。例如，控制部18亦可使第1位置P1在間接供給位置P12與非供給位置P13之間變更，亦可使第1位置P1在直接供給位置P11與間接供給位置P12之間變更，亦可使第1位置P1在直接供給位置P11與非供給位置P13之間變更。
如上述般的第1位置P1之變更，例如係藉由作業員透過操作畫面輸入設定値，再對控制部18傳送所輸入之資訊而實現。於習知技術，為了提升蝕刻處理的面內均勻性，係在掃瞄當中變更每單位時間的蝕刻液供給量、或晶圓W之轉速；但若藉由本實施態樣之基板處理系統1，則只要藉著「變更作為中心側折返地點的第1位置P1」這樣簡單的設定變更，就可以提升蝕刻處理的面內均勻性。
＜基板處理的流程圖＞ 圖9為繪示處理單元16所執行之基板處理程序之一例的流程圖。藉由基板搬送裝置17而搬送到各處理單元16來的晶圓W，經由未圖示的搬入出口，而搬入腔室20內。基板固持機構30，在經由未圖示的升降頂針等等，而把所要處理之晶圓W從基板搬送裝置17之晶圓固持機構傳遞至固持部31後，基板搬送裝置17之晶圓固持機構就從腔室20內退開。
當晶圓W載置在固持部31後，就以驅動部33使固持部31旋轉，同時使主噴嘴部40a從待機位置進入至間接供給位置P12。再者，使副噴嘴部40b從待機位置移動至晶圓W之外周部。具體而言，係使蝕刻噴嘴411B的位置配置為：副噴嘴部40b的蝕刻噴嘴411B所噴出之蝕刻液會噴到晶圓W之外周部，例如噴到從晶圓W之中心起算係140mm之位置。
然後，待晶圓W之轉速達到既定的設定速度，就開始蝕刻處理（步驟S101）。具體而言，係使主噴嘴部40a的蝕刻噴嘴411A噴出蝕刻液，開始上述之連續掃瞄處理。再者，開始從副噴嘴部40b的蝕刻噴嘴411B對晶圓W之外周部供給蝕刻液的外周供給處理。
其結果，各噴嘴部40a、40b所噴出之蝕刻液會在旋轉中的晶圓W表面擴散，而進行晶圓W之蝕刻處理。此時，藉由使用在晶圓W之中心側與外周側往返移動的主噴嘴部40a、以及用以調整面內溫度分佈的副噴嘴部40b來供給蝕刻液，而在形成均勻之面內溫度分佈的情況下，進行蝕刻處理。
尤其在第1實施態樣之處理單元16，由於其蝕刻噴嘴411A在第1位置P1與第2位置P2之間往返的掃瞄處理，係一邊變更第1位置P1、一邊執行複數次，所以可以減少往返動作之折返地點的蝕刻量增加。再者，於外周供給處理，係藉由使蝕刻液直接供給至晶圓W之外周部，以抑制晶圓W之外周部的蝕刻液之溫度降低，而可以使面內溫度分佈以更均勻的狀態，來進行蝕刻處理。
進行這樣的晶圓W蝕刻處理達既定時間之久以後，就停止從主噴嘴部40a及副噴嘴部40b噴出蝕刻液，而從主噴嘴部40a及副噴嘴部40b的各個沖洗噴嘴412A、412B噴出沖洗液（步驟S102）。在此，在熱沖洗處理等等會因為沖洗液所進行之沖水洗淨而使得晶圓W之面內溫度分佈影響到蝕刻處理之結果的情況下，係與供給蝕刻液時同樣地，使用在第1位置P1與第2位置P2之間往返移動的主噴嘴部40a、以及用以調整面內溫度分佈的副噴嘴部40b雙方，來供給沖洗液。
再者，在沖水洗淨時之晶圓W的面內溫度分佈對蝕刻處理之結果所造成的影響小的情況下，亦可以使主噴嘴部40a停在例如晶圓W的中心部上方側，而僅由該主噴嘴部40a進行沖洗液之供給，並且不再藉由副噴嘴部40b進行面內溫度分佈之調整。
像這樣執行過沖水洗淨、並進行過甩落乾燥後（步驟S103），就停止固持部31之旋轉。然後以相反於搬入時的程序，將晶圓W傳遞至進入腔室20內的基板搬送裝置17，把晶圓W從處理單元16搬出。
如上所述，第1實施態樣之基板處理裝置具備：固持部31、驅動部33（旋轉機構之一例）、蝕刻噴嘴411A（噴嘴之一例）、滑座43（移動機構之一例）、以及控制部18。固持部31，將晶圓W（基板之一例）水平固持。驅動部33，係使固持部31旋轉。蝕刻噴嘴411A，係對於固持部31所固持之晶圓W供給蝕刻液。滑座43，係使噴嘴411A移動。控制部18，係控制驅動部33及滑座43，而一邊從蝕刻噴嘴411A對旋轉中的晶圓W供給蝕刻液，一邊執行掃瞄處理，該掃瞄處理係使蝕刻噴嘴411A在晶圓W上方的第1位置P1、以及比第1位置P1更偏向晶圓W之外周側的第2位置P2之間往返。再者，控制部18，係一邊變更第1位置P1，一邊執行複數次掃瞄處理。
若藉由該第1實施態樣之處理單元16，由於可以減輕「在往返動作之折返地點的蝕刻量比其他位置更多」的問題，所以可以提高蝕刻處理的面內均勻性。
（第2實施態樣） 接著，針對第2實施態樣之連續掃瞄處理的內容，參照圖10及圖11來進行說明。圖11為示意性繪示進行過第2實施態樣之基板處理之情況下的蝕刻量之圖式。
又，於下文的說明中，對於和已說明過的部分相同的部分，會標註與已說明過的部分相同的符號，並省略重複說明。
如圖10所示，於第2實施態樣，控制部18在上述連續掃瞄處理開始前，就執行對於晶圓W之中心供給蝕刻液的中心噴出處理。
具體而言，控制部18使蝕刻噴嘴411A配置在直接供給位置P11，並從蝕刻噴嘴411A對晶圓W之中心供給蝕刻液，達預設期間之久。對晶圓W之中心噴出蝕刻液的時間，要設定為「對晶圓W之中心噴出的蝕刻液藉由晶圓W之旋轉而擴散到晶圓W整個表面所需時間」以上的時間，例如1秒鐘。
之後，控制部18一邊使蝕刻噴嘴411A噴出蝕刻液，一邊使蝕刻噴嘴411A從直接供給位置P11移動至間接供給位置P12，開始上述之連續掃瞄處理。
如此這般，控制部18亦可係從直接供給位置P11對晶圓W供給蝕刻液後，再使蝕刻噴嘴411A從直接供給位置P11移動至間接供給位置P12，開始最初的掃瞄處理。
藉此，如圖11所示，相較於不進行中心噴出處理就開始連續掃瞄處理的情況，可以抑制晶圓W之中心的蝕刻量低落。從而可以更進一步地提高蝕刻處理的面內均勻性。
再者，間接供給位置P12係自晶圓W之中心偏移之位置，若從間接供給位置P12開始對晶圓W供給蝕刻液，則蝕刻液有恐有無法均勻擴散、導致晶圓W的蝕刻量左右不對稱之虞。相對於此，根據第2實施態樣之處理單元16，藉由在連續掃瞄處理之前就進行中心噴出處理，可以防止晶圓W的蝕刻量相對晶圓W之中心成左右不對稱的問題。
（第3實施態樣） 在使蝕刻噴嘴411A以固定速度移動的情況下，每一單位面積的蝕刻液供給量，會從晶圓W之中心隨著朝向外周側而逐漸減少。有鑑於此，為了使晶圓W面內之蝕刻液供給量能均勻，控制部18亦可使蝕刻噴嘴411A的移動速度，從第1位置P1隨著越朝向第2位置P2而越慢。藉由使晶圓W面內的蝕刻液供給量均勻化，而可以更進一步地提高蝕刻處理的面內均勻性。
另一方面，於處理單元16，為了使晶圓W面內的溫度分佈更加均勻，會與蝕刻噴嘴411A所進行的連續掃瞄處理同步，也進行從蝕刻噴嘴411B對晶圓W之外周部直接供給蝕刻液的外周供給處理。然而，若從複數之蝕刻噴嘴411A、411B噴出蝕刻液，恐有蝕刻液的水流在晶圓W表面彼此碰撞，而在晶圓W之外周部產生蝕刻液之滯留，導致在晶圓W之外周部的蝕刻量變得過多之虞。
有鑑於此，為了儘量不產生蝕刻液之滯留，控制部18亦可使蝕刻噴嘴411A的移動速度，從晶圓W之中心隨著朝向外周側逐漸變慢，而在通過晶圓W之外周部之際再提升蝕刻噴嘴411A的移動速度。
針對此點，參照圖12來進行說明。圖12為繪示在晶圓W上之蝕刻噴嘴411A之位置與蝕刻噴嘴411A之移動速度間之關係的圖式。
如圖12所示，控制部18在第1位置P1（直接供給位置P11、間接供給位置P12及非供給位置P13）、以及比第1位置P1更偏向晶圓W之外周側的位置P21之間，係以速度v1使蝕刻噴嘴411A移動。再者，控制部18在位置P21、以及比位置P21更偏向晶圓W之外周側的位置P22之間，係以比速度v1更慢的速度v2，使蝕刻噴嘴411A移動。再者，控制部18在位置P22、以及比位置P22更偏向晶圓W之外周側的位置P23之間，係以比速度v2更慢的速度v3，使蝕刻噴嘴411A移動。
另一方面，控制部18在位置P23與第2位置P2之間，則以比速度v3更快的速度v4，使蝕刻噴嘴411A移動。
如此這般，處理單元16具備蝕刻噴嘴411B（外周噴嘴之一例），而對晶圓W之外周部供給蝕刻液。再者，對於比第1位置P1更偏向晶圓W之外周側、並且比第2位置P2更偏向晶圓W之中心側的第3位置（例如，位置P22或位置P23），控制部18係使蝕刻噴嘴411A之移動速度，比在第1位置P1的蝕刻噴嘴411A之移動速度更慢；而使在第2位置P2的蝕刻噴嘴411A之移動速度，比在第3位置的蝕刻噴嘴411A之移動速度更快。
藉此，藉由抑制蝕刻液在晶圓W之外周部滯留的情形，而可以防止晶圓W之外周部被過度蝕刻的問題。再者，藉由使得在第2位置P2的蝕刻噴嘴411A之移動速度加快，而可以使得作為往返動作之折返地點的第2位置P2周邊之蝕刻量受到抑制，而可以更進一步地提高蝕刻處理的面內均勻性。
又，外周供給處理，未必一定要執行。在不進行外周供給處理的情況下，亦即若不從蝕刻噴嘴411B對於晶圓W之外周部進行蝕刻液供給，則控制部18亦可使得蝕刻噴嘴411A從第1位置P1出發、至到達第2位置P2為止的蝕刻噴嘴411A之移動速度，維持在慢速。
（第4實施態樣） 為了提高晶圓W之溫度分佈的面內均勻性，處理單元16亦可具備加熱流體供給部，從晶圓W的底面（與被處理面係相反側的那一面）對晶圓W的底面供給加熱流體。
圖13為繪示加熱流體供給部之構成例的圖式。如圖13所示，第4實施態樣之處理單元16A具備：基板固持機構30A、以及加熱流體供給部150。
基板固持機構30A包含：固持部31A、支柱部32A及驅動部33A。固持部31A係例如圓板狀的構件，於頂面設有固持構件311；該固持構件311係從側面固持晶圓W。藉由該固持構件311，而使晶圓W以稍微離開固持部31A之頂面的狀態，水平地受到固持。
支柱部32A，於其上端部將固持部31A水平支持。支柱部32A藉由驅動部33A，而繞鉛直軸旋轉。藉由以支柱部32A繞鉛直軸旋轉，而使固持部31A、以及固持部31A所固持之晶圓W，繞鉛直軸旋轉。
再者，基板固持機構30A包含：貫穿固持部31A及支柱部32A的中空部35。於中空部35，插穿著後述之加熱流體供給部150的支柱部152。
加熱流體供給部150，係配置於基板固持機構30A所固持之晶圓W的下方，並對晶圓W之底面供給HDIW（加熱過的純水）。
加熱流體供給部150包含：噴嘴部151、以及支柱部152。噴嘴部151係沿著水平方向延伸的長條狀構件，於內部設有沿著長度方向延伸的流路511。再者，加熱流體供給部150包含：連通至流路511的複數個噴出口512。複數個噴出口512係沿著流路511，亦即沿著基板固持機構30A所固持之晶圓W的直徑方向，而隔著既定間隔並列配置。
支柱部152，插穿基板固持機構30A的中空部35，並於其上端部將噴嘴部151的基端部水平支持。於支柱部152的內部，設有流路521，該流路521連通至噴嘴部151之流路511。流路521，經由包含閥及流量調節部等的供給機器群153，而連接至HDIW供給源154。供給至加熱流體供給部150的HDIW，會從複數個噴出口512噴出，而供給至晶圓W的底面。又，HDIW的溫度係設定為：「從蝕刻噴嘴411A噴出之蝕刻液的溫度」以上之溫度。
如此這般，藉由加熱流體供給部150，可以將複數個噴出口512所噴出之HDIW，直接供給至晶圓W底面的大致整面；藉此可以提高晶圓W之溫度分佈的面內均勻性。
又，在此，加熱流體供給部150所供給之加熱流體，未必要是HDIW。例如，處理單元16A亦可係從加熱流體供給部150，供給和蝕刻噴嘴411A所供給之蝕刻液相同的蝕刻液。再者，從加熱流體供給部150所供給的加熱流體，亦可係加熱過的氣體。
（第5實施態樣） 走筆至此，若晶圓W的頂面有形成圖案，則在上述乾燥處理（圖9的步驟S103），會因為殘存於晶圓W上的處理液（在此係沖洗液）之表面張力，而有導致圖案崩塌之虞。
在此，作為圖案崩塌發生的主要原因之一，係「乾燥處理的處理時間」，處理時間越長，越容易發生圖案崩塌。
有鑑於此，為了縮短乾燥處理的處理時間，亦可在乾燥處理開始前，換言之，就是在結束沖洗處理前，進行增加晶圓W之轉速的事前加速處理。針對此點，參照圖14來進行說明。圖14為用以說明第5實施態樣之乾燥處理之內容的圖式。
如圖14以一點鏈線所示，於習知技術，係與乾燥處理之開始同時，停止沖洗液之供給，並使晶圓W之轉速，從沖洗處理時的轉速X1（例如，200rpm），增加至X2（例如，4000rpm）。又，轉速X2，係可以將殘存於晶圓W之沖洗液甩掉的轉速。然而，若為此手法，會導致處理時間要額外加長「期間T」之久，該期間T係轉速到達X2為止的期間。
有鑑於此，控制部18在乾燥處理開始前，就使晶圓W的轉速增加。例如，控制部18在乾燥處理的開始時間點前，相當於晶圓W之轉速從X1到達X2為止的期間T之前的時間點，就開始進行增加晶圓W之轉速的事前加速處理。
藉此，由於可以使晶圓W之轉速在乾燥處理的開始時間點，就處在已到達X2的狀態，因此相較於習知之乾燥處理，可以縮短處理時間。從而可以抑制圖案崩塌的發生。
另一方面，相較於不進行事前加速處理的情況，進行過事前加速處理的情況下恐有晶圓W的溫度變低之虞。晶圓W的溫度越低，則殘存於晶圓W之處理液的溫度也會越低；而處理液的溫度越低，則處理液的黏性會越高。然後，處理液的黏性越高，則表面張力會越大。從而，若僅僅進行了事前加速處理，反而有可能導致圖案崩塌更容易發生。
有鑑於此，控制部18亦可進行例如於第4實施態樣所說明過的使用加熱流體供給部150來加熱晶圓W之加熱處理。針對此點，參照圖15來進行說明。圖15為用以說明加熱處理之內容的圖式。
如圖15所示，控制部18於沖洗處理，係由加熱流體供給部150對晶圓W的底面供給HDIW。然後，控制部18在開始乾燥處理後，經過了期間T的時間點，就停止從加熱流體供給部150對晶圓W之底面供給HDIW。又，HDIW的溫度，只要是使「進行事前加速處理之情況下的晶圓W的溫度」，達到「不進行事前加速處理之情況下的晶圓W的溫度」以上的溫度即可。
藉由如此這般地加熱晶圓W，則即使因為進行事前加速處理而使晶圓W的溫度降低，亦得以抑制該晶圓W的溫度降低。從而，可以更確實地抑制圖案崩塌之發生。
又，在此係以在沖洗處理後進行乾燥處理的情況為例進行了說明，但在基板處理，有時是在沖洗處理後、且係乾燥處理前，進行對晶圓W之頂面供給IPA（異丙醇）的IPA供給處理。在此情況下，事前加速處理會是在IPA供給處理的處理當中開始。從而，在此情況下，控制部18係於IPA供給處理，由加熱流體供給部150對晶圓W的底面供給HDIW；而在開始乾燥處理並經過了期間T後，停止從加熱流體供給部150對晶圓W之底面供給HDIW即可。
再者，從加熱流體供給部150供給之加熱流體，並不限定於HDIW，例如亦可係加熱過的IPA，亦可係加熱過的氣體。
再者，在此係從乾燥處理開始後，在經過了期間T的時間點，結束加熱處理，但控制部18只要是至少在乾燥處理開始後，再結束加熱處理即可。亦即，控制部18可以在乾燥處理開始後，於經過期間T之前就結束加熱處理，亦可以在乾燥處理開始後，於經過了期間T後再結束加熱處理。
再者，控制部18亦可係在緊接在乾燥處理之前的處理（沖洗處理或IPA供給處理）開始後，再開始加熱處理。例如，控制部18亦可在沖洗處理或者IPA供給處理的結束時間點前，相當於期間T之前的時間點，就開始加熱處理。
再者，執行事前加速處理的基板處理裝置，並不限定於第1～第4實施態樣所說明過的處理單元16、16A。執行事前加速處理的基板處理裝置，只要是：至少包含固持晶圓W的固持部、使固持部旋轉的旋轉機構、以及對於固持部所固持之晶圓W供給處理液的噴嘴，並且在進行過從噴嘴對晶圓W供給處理液的液體處理後，藉由以高於液體處理時的速度使固持部旋轉，而進行去除殘存於晶圓W上之處理液的乾燥處理之物即可。
（其他實施態樣） 再者，於上述連續掃瞄處理，係一邊變更第1位置P1之位置，一邊執行複數次掃瞄處理；但不只是第1位置P1，就連作為晶圓W之外周側折返地點的第2位置P2的位置，亦可係一邊變更、一邊執行複數次掃瞄處理。
本發明進一步的效果或變形例，可由所屬技術領域中具有通常知識者容易地推導出來。因此，本發明之更為廣範的態樣，並不限定於如上述表示及記載之特定的細節及代表的實施態樣。從而，只要不超過由申請專利範圍及其均等物既定義之總括的發明概念之精神或範圍，可進行各種改變。
C‧‧‧載體W‧‧‧晶圓1‧‧‧基板處理系統2‧‧‧搬入出站3‧‧‧處理站4‧‧‧控制裝置11‧‧‧載體載置部12‧‧‧搬送部13‧‧‧基板搬送裝置14‧‧‧傳遞部15‧‧‧搬送部16、16A‧‧‧處理單元17‧‧‧基板搬送裝置18‧‧‧控制部19‧‧‧儲存部20‧‧‧腔室21‧‧‧風機過濾機組30、30A‧‧‧基板固持機構31、31A‧‧‧固持部311‧‧‧固持構件32、32A‧‧‧支柱部33、33A‧‧‧驅動部35‧‧‧中空部40‧‧‧處理流體供給部40a‧‧‧主噴嘴部40b‧‧‧副噴嘴部41A、41B‧‧‧噴嘴頭411A、411B‧‧‧蝕刻噴嘴411X‧‧‧噴嘴412A、412B‧‧‧沖洗噴嘴42A、42B‧‧‧噴嘴臂43‧‧‧滑座44‧‧‧導軌45‧‧‧旋轉軸46‧‧‧驅動部50‧‧‧回收杯51‧‧‧排液口52‧‧‧排氣口70‧‧‧處理流體供給源701‧‧‧蝕刻液供給源702‧‧‧沖洗液供給源71a～71d‧‧‧流量調整部150‧‧‧加熱流體供給部151‧‧‧噴嘴部152‧‧‧支柱部153‧‧‧供給機器群154‧‧‧HDIW供給源511‧‧‧流路512‧‧‧噴出口521‧‧‧流路P1‧‧‧第1位置P11‧‧‧直接供給位置P12‧‧‧間接供給位置P13‧‧‧非供給位置P2‧‧‧第2位置P21～P23‧‧‧位置v1～v4‧‧‧速度X1～X2‧‧‧轉速T‧‧‧期間S101～S103‧‧‧步驟S01～S06‧‧‧步驟
【圖1】圖1為表示依本實施態樣之基板處理系統的概略構成之圖式。 【圖2】圖2為表示處理單元的概略構成之圖式。 【圖3】圖3為擴大圖2所示之處理單元的固持部所固持的晶圓之鄰近區域的示意性繪示圖。 【圖4】圖4為處理單元的示意俯視圖。 【圖5A】圖5A為示意性繪示蝕刻液之噴出方法與蝕刻量之關係的圖式。 【圖5B】圖5B為示意性繪示蝕刻液之噴出方法與蝕刻量之關係的圖式。 【圖5C】圖5C為示意性繪示蝕刻液之噴出方法與蝕刻量之關係的圖式。 【圖6】圖6為用以說明第1實施態樣之連續掃瞄處理之內容的圖式。 【圖7A】圖7A為繪示直接供給位置的圖式。 【圖7B】圖7B為繪示間接供給位置的圖式。 【圖7C】圖7C為繪示非供給位置的圖式。 【圖8】圖8為示意性繪示進行過第1實施態樣之連續掃瞄處理之情況下的蝕刻量之圖式。 【圖9】圖9為繪示處理單元所執行之基板處理程序之一例的流程圖。 【圖10】圖10為用以說明第2實施態樣之基板處理之內容的圖式。 【圖11】圖11為示意性繪示進行過第2實施態樣之基板處理之情況下的蝕刻量之圖式。 【圖12】圖12為繪示在晶圓上之蝕刻噴嘴之位置與蝕刻噴嘴之移動速度間之關係的圖式。 【圖13】圖13為繪示加熱流體供給部之構成例的圖式。 【圖14】圖14為用以說明第5實施態樣之乾燥處理之內容的圖式。 【圖15】圖15為用以說明加熱處理之內容的圖式。
P1‧‧‧第1位置
P11‧‧‧直接供給位置
P12‧‧‧間接供給位置
P13‧‧‧非供給位置
P2‧‧‧第2位置
S01~S06‧‧‧步驟

Claims (16)

  1. 一種基板處理裝置，包括：基板固持機構，包含：固持部，將基板水平固持；及支柱部，在鉛直方向延伸，且支持該固持部，使得當該支柱部繞著該支柱部的鉛直軸旋轉時，使該固持部所固持之該基板旋轉；噴嘴，對於該固持部所固持之該基板供給蝕刻液；移動機構，包含固持該噴嘴的噴嘴臂，且使該噴嘴臂移動，使得該噴嘴相對該固持部所固持之該基板移動；以及控制部，控制該移動機構及該噴嘴，而一邊從該噴嘴對旋轉中的該基板供給該蝕刻液，一邊執行掃瞄處理，該掃瞄處理係使該移動機構在該基板上方移動該噴嘴，使該噴嘴從第1位置移動到比該第1位置更偏向該基板之外周側的第2位置，且從該第2位置移動到該第1位置；該控制部，係一邊在1組動作中執行複數次該掃瞄處理，一邊在該組動作中的該複數次之每次期間變更該第1位置，使得該移動機構在該基板上方移動該噴嘴，使該噴嘴從該掃瞄處理開始的該第1位置移動到該第2位置，且從該第2位置移動到與該掃瞄處理開始的該第1位置不同的第1位置。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，該控制部，使該第1位置，在以下3個位置中的至少2個位置之間變更；該以下位置包括：直接供給位置，使該噴嘴所噴出之蝕刻液，直接供給至該基板的旋轉中心； 間接供給位置，使該噴嘴所噴出之蝕刻液，供給至比該基板的旋轉中心更偏向該基板之外周側處，而且噴到該基板之蝕刻液會到達該基板的旋轉中心；以及，非供給位置，使該噴嘴所噴出之蝕刻液，供給至比該基板的旋轉中心更偏向該基板之外周側處，而且噴到該基板之蝕刻液不會到達該基板的旋轉中心。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，該控制部，使該第1位置，在該直接供給位置、該間接供給位置、以及該非供給位置之間變更。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，該控制部，使以下動作為1組，並執行複數組；該以下動作包括：使該噴嘴從該直接供給位置移動至該第2位置後，再從該第2位置移動至該間接供給位置與該非供給位置中之一位置的動作；使該噴嘴從該間接供給位置與該非供給位置中之一位置移動至該第2位置後，再從該第2位置移動至該間接供給位置與該非供給位置中之另一位置的動作；以及使該噴嘴從該間接供給位置與該非供給位置中之另一位置移動至該第2位置後，再從該第2位置移動至該直接供給位置的動作。
  5. 如申請專利範圍第3或4項之基板處理裝置，其中，該控制部， 使最初的該掃瞄處理，從該間接供給位置開始。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，該控制部，從該直接供給位置對該基板供給該蝕刻液後，使該噴嘴從該直接供給位置移動至該間接供給位置，再開始最初的該掃瞄處理。
  7. 如申請專利範圍第1至4項中任一項之基板處理裝置，其中，該控制部，隨著該噴嘴自該第1位置越朝向該第2位置，使該噴嘴的移動速度越減慢。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中，更包括：外周噴嘴，對該基板之外周部供給該蝕刻液；該控制部，使在第3位置之該噴嘴的移動速度，比在該第1位置之該噴嘴的移動速度慢；使在該第2位置之該噴嘴的移動速度，比在該第3位置之該噴嘴的移動速度快；該第3位置係比該第1位置更偏向該基板之外周側、並且比該第2位置更偏向該基板的旋轉中心側。
  9. 一種基板處理方法，包括以下步驟：固持步驟，使用水平地固持基板的基板固持機構之固持部，以將該基板水平固持；旋轉步驟，將該固持部加以旋轉，而使在該固持步驟所固持之該基板旋轉；以及 連續掃瞄步驟，一邊從噴嘴對旋轉中的該基板供給蝕刻液，一邊在1組動作中執行複數次掃瞄處理，該掃瞄處理係使用包含固持該噴嘴之噴嘴臂且使該噴嘴臂移動之移動機構，而使該噴嘴在該固持部所固持之該基板上方從第1位置移動到比該第1位置更偏向該基板之外周側的第2位置，且從該第2位置移動到該第1位置，而該掃瞄處理係一邊執行該組動作中之該複數次，一邊在該組動作中的該複數次之每次期間變更該第1位置，使得該移動機構在該基板上方移動該噴嘴，使該噴嘴從該掃瞄處理開始的該第1位置移動到該第2位置，且從該第2位置移動到與該掃瞄處理開始的該第1位置不同的第1位置。
  10. 如申請專利範圍第9項之基板處理方法，其中，於該連續掃瞄步驟，使該第1位置，在以下3個位置中的至少2個位置之間變更；該以下位置包括：直接供給位置，使該噴嘴所噴出之蝕刻液，直接供給至該基板的旋轉中心；間接供給位置，使該噴嘴所噴出之蝕刻液，供給至比該基板的旋轉中心更偏向該基板之外周側處，而且噴到該基板之蝕刻液會到達該基板的旋轉中心；以及，非供給位置，使該噴嘴所噴出之蝕刻液，供給至比該基板的旋轉中心更偏向該基板之外周側處，而且噴到該基板之蝕刻液不會到達該基板的旋轉中心。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理方法，其中，於該連續掃瞄步驟，使該第1位置，在該直接供給位置、該間接供給位置、以及該非供給位置之間變更。
  12. 如申請專利範圍第11項之基板處理方法，其中，於該連續掃瞄步驟，使以下動作為1組，並執行複數組；該以下動作包括：使該噴嘴從該直接供給位置移動至該第2位置後，再從該第2位置移動至該間接供給位置與該非供給位置中之一位置的動作；使該噴嘴從該間接供給位置與該非供給位置中之一位置移動至該第2位置後，再從該第2位置移動至該間接供給位置與該非供給位置中之另一位置的動作；以及使該噴嘴從該間接供給位置與該非供給位置中之另一位置移動至該第2位置後，再從該第2位置移動至該直接供給位置的動作。
  13. 如申請專利範圍第11或12項之基板處理方法，其中，該連續掃瞄步驟，使最初的該掃瞄處理，從該間接供給位置開始。
  14. 如申請專利範圍第13項之基板處理方法，其中，於該連續掃瞄步驟，從該直接供給位置對該基板供給該蝕刻液後，使該噴嘴從該直接供給位置移動至該間接供給位置，再開始最初的該掃瞄處理。
  15. 如申請專利範圍第9至12項中任一項之基板處理方法，其中，於該連續掃瞄步驟，隨著該噴嘴自該第1位置越朝向該第2位置，使該噴嘴的移動速度越減慢。
  16. 如申請專利範圍第15項之基板處理方法，其中，更包括以下步驟：外周供給步驟，與該連續掃瞄步驟同步進行，使用對該基板之外周部供給該蝕刻液的外周噴嘴，對該基板之外周部供給該蝕刻液；於該連續掃瞄步驟，使在第3位置之該噴嘴的移動速度，比在該第1位置之該噴嘴的移動速度慢；使在該第2位置之該噴嘴的移動速度，比在該第3位置之該噴嘴的移動速度快；該第3位置係比該第1位置更偏向該基板之外周側、並且比該第2位置更偏向該基板的旋轉中心側。
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