CN107644824B - 基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。基板液处理装置能够在处理槽内的处理液中形成均匀的N2气体的气泡。基板液处理装置(1)具备：处理槽(34)，其收纳基板(8)；以及多个气体供给管(81、82、83、84)，所述多个气体供给管(81、82、83、84)设置在处理槽(34)内。一个气体供给管(81)的喷出口(81a)与相邻的其它气体供给管(82)的喷出口(82a)在与基板(8)的电路形成面平行的方向上不重叠。

Description

基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质
技术领域
本发明涉及一种使多个基板以排列的状态浸在处理液中来进行液处理的基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。
背景技术
在制造半导体器件、平板显示器等时，使用基板液处理装置利用清洗液、蚀刻液等处理液对半导体晶圆、液晶基板等基板实施各种液处理。
例如，在专利文献1所公开的基板液处理装置中，在处理槽的底部设置两根处理液供给管，从处理液供给管向处理槽的内部供给处理液。
在该基板液处理装置中，多个基板以垂直地立起的姿势且在水平方向上隔开间隔地进行排列的状态浸在贮存有处理液的处理槽中。处理液供给管朝向与基板正交的方向延伸，隔开规定的间隔地朝向基板设置有用于喷出处理液的开口。开口形成为具有圆形开口的贯通孔。两根处理液供给管各自的开口朝向基板的中央侧地向内侧斜上方倾斜。
而且，在基板液处理装置中，通过从两根处理液供给管的喷出口朝向基板的中央喷出处理液，来在处理槽的内部形成沿着基板的表面流动的处理液的上升流，利用上升的处理液对基板的表面进行液处理。在该情况下，从处理液供给管向处理槽内供给的处理液被预先加热，以沸腾的状态被供给，通过使处理液沸腾，在处理液中产生气泡来促进处理液的上升流。
专利文献1：日本特开2012-15490号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，如上述的那样，处理液以沸腾的状态被供给到处理槽内，但为了使得即使大气压变动处理槽内的处理液的沸腾状态也稳定，而考虑向处理槽内供给N2气体来在处理液中形成气泡。
然而，以往以来，难以在处理槽内的处理液中产生稳定的气泡，例如当气泡不均匀、气泡集中时，气泡彼此合并而气泡直径产生偏差，难以进行均匀的液处理。
本发明是考虑了这样的方面而完成的，其目的在于提供一种能够在处理槽内形成均匀的气泡来实施基板液处理的基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质。
用于解决问题的方案
本发明是一种基板液处理装置，其特征在于，具备：处理槽，其用于收纳含有磷酸水溶液的处理液和以垂直姿势配置的多个基板，并且使用所述处理液对所述基板进行处理；处理液供给管，其向所述处理槽内供给所述处理液；以及多个气体供给管，所述多个气体供给管设置于所述处理槽，用于向所述处理液供给气体来形成气泡，其中，各气体供给管设置在所述基板的下方，并且沿与所述基板的电路形成面正交的水平方向延伸，各气体供给管在一侧具有开口的多个喷出口，一个气体供给管的喷出口与同该气体供给管相邻的其它气体供给管的喷出口在与所述基板的电路形成面平行的方向上不重叠而进行交错配置。
本发明是一种使用基板液处理装置的基板液处理方法，所述基板液处理装置具备：处理槽，其用于收纳含有磷酸水溶液的处理液和以垂直姿势配置的多个基板，并且使用所述处理液对所述基板进行处理；处理液供给管，其向所述处理槽内供给所述处理液；以及多个气体供给管，所述多个气体供给管设置于所述处理槽，用于对所述处理液供给气体来形成气泡，其中，各气体供给管设置在所述基板的下方，并且沿与所述基板的电路形成面正交的水平方向延伸，各气体供给管在一侧具有开口的多个喷出口，一个气体供给管的喷出口与同该气体供给管相邻的其它气体供给管的喷出口在与所述基板的电路形成面平行的方向上不重叠而进行交错配置，所述基板液处理方法的特征在于，具备以下步骤：从所述一个气体供给管和所述相邻的其它气体供给管经由喷出口向所述处理液中供给气体；以及在所述处理液中形成在所述基板间上升的气泡。
本发明是一种存储介质，其特征在于，保存有用于使计算机执行基板液处理方法的计算机程序，其中，所述基板液处理方法使用基板液处理装置，所述基板液处理装置具备：处理槽，其用于收纳含有磷酸水溶液的处理液和以垂直姿势配置的多个基板，并且使用所述处理液对所述基板进行处理；处理液供给管，其向所述处理槽内供给所述处理液；以及多个气体供给管，所述多个气体供给管设置于所述处理槽，用于向所述处理液供给气体来形成气泡，各气体供给管设置在所述基板的下方，并且沿与所述基板的电路形成面正交的水平方向延伸，各气体供给管在一侧具有开口的多个喷出口，一个气体供给管的喷出口与同该气体供给管相邻的其它气体供给管的喷出口在与所述基板的电路形成面平行的方向上不重叠而进行交错配置，在所述基板液处理方法中具备以下步骤：从所述一个气体供给管和所述相邻的其它气体供给管经由喷出口向所述处理液中供给气体；以及在所述处理液中形成在所述基板间上升的气泡。
发明的效果
根据本发明，能够在处理槽内的处理液中均等地形成气泡来进行液处理。
附图说明
图1是表示基板液处理系统的俯视说明图。
图2是表示基板液处理装置的侧视图。
图3是表示处理槽的主视图。
图4的(a)是表示处理槽的俯视图，图4的(b)是图4的(a)的放大图。
图5是图3的V-V线方向截面图。
附图标记说明
1：基板液处理装置；1A：基板液处理系统；7：控制部；8：基板；34：处理槽；39：液处理部；40：磷酸水溶液供给部；41：纯水供给部；42：处理液循环线；44：外槽；49：处理液供给喷嘴；81、82、83、84：气体供给管；81a、82a、83a、84a：喷出口；81A、82A、83A、84A：流量调整装置；90：封闭板。
具体实施方式
下面，通过图1至图5来说明本发明的实施方式。
首先，对组装有基于本发明的基板液处理装置1的基板液处理系统1A整体进行叙述。
如图1所示，基板液处理系统1A具有承载件搬入搬出部2、基板组形成部3、基板组载置部4、基板组输送部5、基板组处理部6、控制部7。
其中，承载件搬入搬出部2进行承载件9的搬入和搬出，该承载件9用于将多张(例如25张)基板(硅晶圆)8以水平姿势上下排列地容纳。
在该承载件搬入搬出部2设置有用于载置多个承载件9的承载件台10、进行承载件9的输送的承载件输送机构11、用于暂时保管承载件9的承载件存储部12及13、以及用于载置承载件9的承载件载置台14。在此，承载件存储部12用于在利用基板组处理部6对要成为产品的基板8进行处理之前暂时保管该基板8。另外，承载件存储部13用于在利用基板组处理部6对要成为产品的基板8进行处理之后暂时保管该基板8。
而且，承载件搬入搬出部2使用承载件输送机构11将从外部搬入到承载件台10的承载件9输送到承载件存储部12、承载件载置台14。另外，承载件搬入搬出部2使用承载件输送机构11将载置于承载件载置台14的承载件9输送到承载件存储部13、承载件台10。输送到承载件台10的承载件9被搬出到外部。
基板组形成部3将容纳于一个或多个承载件9的基板8组合来形成包括同时被处理的多张(例如50张)基板8的基板组。此外，在形成基板组时，既可以使基板8的表面上形成有图案的面彼此相向地形成基板组，也可以使基板8的表面上形成有图案的面全部朝向一个方向地形成基板组。
在该基板组形成部3设置有用于输送多张基板8的基板输送机构15。此外，基板输送机构15能够在基板8的输送中途使基板8的姿势从水平姿势变更成垂直姿势或者从垂直姿势变更成水平姿势。
而且，基板组形成部3使用基板输送机构15将基板8从载置于承载件载置台14的承载件9输送到基板组载置部4，将形成基板组的基板8载置到基板组载置部4。另外，基板组形成部3利用基板输送机构15将载置于基板组载置部4的基板组向载置于承载件载置台14的承载件9输送。此外，基板输送机构15具有用于支承处理前(利用基板组输送部5输送之前)的基板8的处理前基板支承部和用于支承处理后(利用基板组输送部5输送之后)的基板8的处理后基板支承部这两种基板支承部来作为用于支承多张基板8的基板支承部。由此，防止附着于处理前的基板8等的微粒等转附到处理后的基板8等。
基板组载置部4将要利用基板组输送部5在基板组形成部3与基板组处理部6之间输送的基板组暂时载置(待机)于基板组载置台16。
在该基板组载置部4设置有用于载置处理前(利用基板组输送部5输送之前)的基板组的搬入侧基板组载置台17和用于载置处理后(利用基板组输送部5输送之后)的基板组的搬出侧基板组载置台18。1个基板组的多张基板8以垂直姿势前后排列地载置于搬入侧基板组载置台17以及搬出侧基板组载置台18。
而且，在基板组载置部4中，利用基板组形成部3形成的基板组被载置于搬入侧基板组载置台17，经由基板组输送部5向基板组处理部6搬入该基板组。另外，在基板组载置部4中，从基板组处理部6经由基板组输送部5搬出的基板组被载置于搬出侧基板组载置台18，向基板组形成部3输送该基板组。
基板组输送部5在基板组载置部4与基板组处理部6之间、基板组处理部6的内部之间进行基板组的输送。
在该基板组输送部5设置有进行基板组的输送的基板组输送机构19。基板组输送机构19包括沿着基板组载置部4和基板组处理部6配置的轨道20以及一边保持多张基板8一边沿着轨道20移动的移动体21。用于保持以垂直姿势前后排列的多张基板8的基板保持体22以进退自如的方式设置于移动体21。
而且，基板组输送部5利用基板组输送机构19的基板保持体22接收被载置于搬入侧基板组载置台17的基板组，将该基板组向基板组处理部6交接。另外，基板组输送部5利用基板组输送机构19的基板保持体22接收利用基板组处理部6处理后的基板组，将该基板组向搬出侧基板组载置台18交接。并且，基板组输送部5使用基板组输送机构19在基板组处理部6的内部进行基板组的输送。
基板组处理部6将以垂直姿势前后排列的多张基板8作为1个基板组进行蚀刻、清洗、干燥等处理。
在该基板组处理部6中排列设置有进行基板8的干燥处理的干燥处理装置23、进行基板保持体22的清洗处理的基板保持体清洗处理装置24、进行基板8的清洗处理的清洗处理装置25以及进行基板8的蚀刻处理的两台基于本发明的蚀刻处理装置(基板液处理装置)。
在干燥处理装置23中，基板升降机构28以升降自如的方式设置于处理槽27。干燥用的处理气体(IPA(异丙醇)等)被供给到处理槽27。1个基板组的多张基板8以垂直姿势前后排列地保持于基板升降机构28。干燥处理装置23利用基板升降机构28从基板组输送机构19的基板保持体22接收基板组，利用基板升降机构28使该基板组升降，由此利用供给到处理槽27的干燥用的处理气体进行基板8的干燥处理。另外，干燥处理装置23将基板组从基板升降机构28向基板组输送机构19的基板保持体22交接。
基板保持体清洗处理装置24能够向处理槽29供给清洗用的处理液以及干燥气体，在向基板组输送机构19的基板保持体22供给清洗用的处理液之后供给干燥气体，由此进行基板保持体22的清洗处理。
清洗处理装置25具有清洗用的处理槽30和冲洗用的处理槽31，基板升降机构32、33以升降自如的方式设置于各处理槽30、31。在清洗用的处理槽30中贮存清洗用的处理液(SC-1等)。在冲洗用的处理槽31中贮存冲洗用的处理液(纯水等)。
蚀刻处理装置1及26具有蚀刻用的处理槽34和冲洗用的处理槽35，基板升降机构36、37以升降自如的方式设置于各处理槽34、35。在蚀刻用的处理槽34中贮存蚀刻用的处理液(磷酸水溶液)。在冲洗用的处理槽35中贮存冲洗用的处理液(纯水等)。如上述的那样，蚀刻处理装置1构成基于本发明的基板液处理装置。
这些清洗处理装置25和蚀刻处理装置1及26为同样的结构。对蚀刻处理装置(基板液处理装置)1进行说明，1个基板组的多张基板8以规定的配置间距P且以垂直姿势前后排列地保持于基板升降机构36(参照图4的(b))。在蚀刻处理装置1中，利用基板升降机构36从基板组输送机构19的基板保持体22接收基板组，利用基板升降机构36使该基板组升降，由此使基板组浸在处理槽34的蚀刻用的处理液中来进行基板8的蚀刻处理。之后，蚀刻处理装置1将基板组从基板升降机构36交接到基板组输送机构19的基板保持体22。另外，蚀刻处理装置1利用基板升降机构37从基板组输送机构19的基板保持体22接收基板组，利用基板升降机构37使该基板组升降，由此使基板组浸在处理槽35的冲洗用的处理液中来进行基板8的冲洗处理。之后，蚀刻处理装置1将基板组从基板升降机构37交接到基板组输送机构19的基板保持体22。
控制部7控制基板液处理系统1A的各部(承载件搬入搬出部2、基板组形成部3、基板组载置部4、基板组输送部5、基板组处理部6等)的动作。
该控制部7例如为计算机，具备计算机可读取的存储介质38。在存储介质38中保存有对在基板液处理装置1中执行的各种处理进行控制的程序。控制部7通过读出并执行存储介质38中存储的程序来控制基板液处理装置1的动作。此外，程序既可以是存储于计算机可读取的存储介质38的程序，也可以是从其它存储介质安装到控制部7的存储介质38中的程序。作为计算机可读取的存储介质38，例如存在硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
如上述的那样，在蚀刻处理装置1的处理槽34中，将规定浓度的药剂(磷酸)的水溶液用作处理液(蚀刻液)来对基板8进行液处理(蚀刻处理)。
如图2至图4所示，蚀刻处理装置(基板液处理装置)1具有：液处理部39，其用于贮存含有规定浓度的磷酸水溶液的处理液并且对基板8进行处理；磷酸水溶液供给部40，其用于向液处理部39供给处理液；纯水供给部41，其用于供给稀释处理液的纯水；处理液循环线42，其用于使液处理部39中贮存的处理液循环；以及处理液排出部43，其用于从液处理部39排出处理液。
其中，液处理部39具有蚀刻用的上部开放的处理槽34和设置于该处理槽34的上部周围并且上部开放的外槽44，在处理槽34和外槽44中贮存处理液。在处理槽34中贮存处理液，通过利用基板升降机构36使基板8浸在该处理液中来对该基板8进行液处理。外槽44贮存从处理槽34溢出的处理液，并且通过处理液循环线42向处理槽34供给处理液。此外，在基板升降机构36中，多个基板8被保持为以垂直地立起的姿势在水平方向上隔开间隔地排列的状态。
磷酸水溶液供给部40向液处理部39供给浓度低于处理液的浓度的药剂(磷酸)的水溶液。该磷酸水溶液供给部40包括用于供给规定浓度以及规定温度的磷酸水溶液的水溶液供给源45，该水溶液供给源45经由流量调整器46而与液处理部39的外槽44连接。流量调整器46与控制部7连接，由控制部7进行开闭控制以及流量控制。
纯水供给部41供给用于对因处理液的加热(沸腾)而蒸发了的水分进行补给的纯水。该纯水供给部41包括用于供给规定温度的纯水的纯水供给源47，该纯水供给源47经由流量调整器48而与液处理部39的外槽44连接。流量调整器48与控制部7连接，由控制部7进行开闭控制以及流量控制。
处理液循环线42包括配置于处理槽34的内部的比被基板升降机构36保持的基板8靠下方的位置的3个处理液供给喷嘴49(处理液供给管)以及形成于液处理部39的外槽44的底部与处理液供给喷嘴49之间的循环流路50。在循环流路50上依次设置有供给泵51、过滤器52以及加热器53。供给泵51以及加热器53与控制部7连接，由控制部7进行驱动控制。而且，在处理液循环线42中，通过驱动供给泵51使处理液从外槽44向处理槽34循环。此时，利用加热器53将处理液加热到规定温度。此外，具有供给泵51、过滤器52以及加热器53的处理液循环线42和处理液供给喷嘴49作为将处理液向液处理部39供给的处理液供给部发挥功能。
如图3和图4的(a)、(b)所示，处理液供给喷嘴49在多张基板8的下方沿与基板8正交的方向配置，从处理液供给喷嘴49的一侧(例如上方)的开口向被保持于基板升降机构36的基板8喷出处理液。
另外，在处理液循环线42上连接有浓度测量流路54，该浓度测量流路54形成于比加热器53靠下游侧的位置与外槽44之间。在浓度测量流路54上依次设置有上游侧开闭阀55、浓度传感器56(浓度测量部)、下游侧开闭阀57。在上游侧开闭阀55与浓度传感器56之间连接有供给用于清洗浓度传感器56的清洗流体(在此为常温的纯水)的清洗流体供给部58。该清洗流体供给部58具有用于供给清洗流体的清洗流体供给源59，该清洗流体供给源59经由供给开闭阀60而连接到上游侧开闭阀55与浓度传感器56之间。另外，在浓度传感器56与下游侧开闭阀57之间连接有排出清洗流体的清洗流体排出部61。该清洗流体排出部61具有连接于浓度传感器56与下游侧开闭阀57之间并且与外部的排气管连通的排出流路62，在排出流路62上设置有排出开闭阀63。上游侧开闭阀55、下游侧开闭阀57、供给开闭阀60以及排出开闭阀63与控制部7连接，由控制部7进行开闭控制。另外，浓度传感器56与控制部7连接，按照来自控制部7的指示来测量在浓度测量流路54中流动的处理液的浓度，并通知给控制部7。此外，清洗流体排出部61虽然主要排出清洗流体，但是也排出滞留在浓度测量流路54中的处理液。
处理液排出部43具有与液处理部39的处理槽34的底部连接并且与外部的排液管连通的排液流路64，在排液流路64上设置有开闭阀65。开闭阀65与控制部7连接，由控制部7进行开闭控制。
在该蚀刻处理装置1中，通过基板升降机构36使多个基板8以排列的状态浸在处理槽34中贮存的处理液中。从处理液供给喷嘴49向处理槽34的底部(比基板8靠下方的位置)供给处理液，处理液沿着基板8的表面上升。由此，在蚀刻处理装置1中，利用处理液对基板8的表面进行液处理。
另外，如上述的那样在液处理部39的处理槽34内，在多个基板8的下方与多个基板8正交地配置有三个处理液供给喷嘴49，该三个处理液供给喷嘴49配置在同一水平面上。
另外，在处理槽34内，在比三个处理液供给喷嘴49更靠下方的位置，沿与多个基板8正交的水平方向设置有四个气体供给管81、82、83、84。这些气体供给管81、82、83、84收在基板8的宽度方向的长度的范围内。
另外，气体供给管81、82、83、84在各自的上方具有开口的多个喷出口81a、82a、83a、84a，例如将N2气体等非活性气体供给到处理槽34内的处理液中，来在处理液中形成气泡。而且，处理液中的含有N2气体的气泡与沸腾的处理液中的水蒸气一起在处理液中形成上升流，促进利用处理液进行的液处理。
上述的气体供给管81、82、83、84中的两侧部的气体供给管81、84与连通管81B、84B的一端侧连接，连通管81B、84B的另一端侧(图4的(a)的上方端侧)经由开闭阀81C、84C而与流量调整装置81A、84A连接。
流量调整装置81A、84A调整从气体供给源(未图示)输送来的N2气体的流量，经由连通管81B、84B向气体供给管81、84供给N2气体，从气体供给管81、84的喷出口81a、84a向处理液中供给N2气体来形成N2气体的气泡。
另外，中央侧的气体供给管82、83的一端侧分别延伸到气体供给管81、84的一端侧。但是，在气体供给管82、83的一端侧设置有封闭板90，使得不与气体供给管81、84的一端侧连通，因此能够对气体供给管81、82、83、84彼此独立地调整气体的流量。
另外，气体供给管82、83的另一端侧(图4的(b)的上方端侧)经由开闭阀82C、83C而与流量调整装置82A、83A连接。
流量调整装置82A、83A调整从气体供给源(未图示)输送来的N2气体的流量，向气体供给管82、83供给N2气体，从气体供给管82、83的喷出口82a、83a向处理液中供给N2气体来形成N2气体的气泡。
如上述的那样，在各气体供给管81、82、83、84中流动的N2气体通过各自对应的流量调整装置81A、82A、83A、84A而被独立地调整其流量。另外，在气体供给管81、82、83、84中的两侧部的气体供给管81、84中流动的N2气体在图4的(a)中从下方朝向上方流动，在中央侧的气体供给管82、83中流动的N2气体在图4的(a)中从上方朝向下方地向与气体供给管81、84内的N2气体的流动方向相反的方向流动。通常，在气体供给管81、82、83、84中流动的N2气体随着从上游侧朝向下游侧其压力下降。因此，从气体供给管81、82、83、84的上游侧的喷出口81a、82a、83a、84a向处理液供给的N2气体的压力比从下游侧的喷出口81a、82a、83a、84a向处理液供给的N2气体的压力大。
根据本实施方式，两侧部的气体供给管81、84内的N2气体的流动方向与中央侧的气体供给管82、83内的N2气体的流动方向朝向相反的方向，因此从中央侧的气体供给管82、83对在图4的(a)中位于上方的基板8供给压力大的(流量也大的)N2气体，从两端侧的气体供给管81、84对该基板8供给压力小的(流量也小的)N2气体。另外，从中央侧的气体供给管82、83对在图4的(a)中位于下方的基板8供给压力小的(流量也小的)N2气体，从两端侧的气体供给管81、84对该基板8供给压力大的(流量也大的)N2气体。
因此，对于任意的基板8，无论该基板8的配置位置如何都能够供给具有均等的压力以及流量的N2气体。
另外，如图4的(b)所示，在处理槽34内，多个基板8以规定的配置间距P进行配置，各气体供给管81、82、83、84的喷出口81a、82a、83a、84a以具有基板8的配置间距P的2倍、即2P的配置间距进行设置。其中，气体供给管81、83的喷出口81a、83a在与基板8平行的方向即与基板8的电路形成面平行的方向上彼此重叠，气体供给管82、84的喷出口82a、84a在与基板8平行的方向上彼此重叠。
另一方面，气体供给管81的喷出口81a与气体供给管82的喷出口82a在与基板8平行的方向即与基板8的电路形成面平行的方向上不重叠，气体供给管83的喷出口83a与气体供给管84的喷出口84a在与基板8平行的方向上不重叠。
因此，一个气体供给管例如气体供给管81的喷出口81a与同气体供给管81相邻的气体供给管82的喷出口82a在与基板8平行的方向上不重叠，气体供给管81的喷出口81a与同气体供给管81相邻的其它气体供给管82的喷出口82a形成交错构造(进行交错配置)。
在图4的(b)中，各气体供给管81、82、83、84的喷出口81a、82a、83a、84a均设置在基板8间的中间位置。
接着，对包括这样的结构的本实施方式的作用、即基板液处理方法进行说明。首先，通过蚀刻处理装置1的磷酸水溶液供给部40将规定浓度以及规定温度的磷酸水溶液(处理液)供给至液处理部39的外槽44。接着，通过处理液循环线42的加热器53将来自外槽44的处理液加热到规定浓度(例如87.4wt％)以及规定温度(例如160℃)，将处理液贮存于液处理部39的处理槽34。此时，由于加热器53的加热而水分蒸发成为气泡并在处理液中上升，处理液成为沸腾状态。在该情况下，处理液的浓度增加，因此通过纯水供给部41将与因加热而蒸发的水分的量相应的量的纯水供给至液处理部39的外槽44，来用纯水稀释处理液。然后，通过基板升降机构36使基板8浸在贮存有规定浓度以及规定温度的处理液的处理槽34中，由此利用处理液对基板8进行蚀刻处理(液处理)。此时，水分蒸发而产生的气泡在处理液中上升，通过上升的气泡而处理液进行循环，因此促进利用处理液进行的蚀刻处理。
在该液处理中，利用控制部7控制磷酸水溶液供给部40、纯水供给部41、处理液循环线42的供给泵51和加热器53，由此将处理液维持为规定浓度以及规定温度。
在该情况下，控制部7驱动供给泵51来使处理液在循环流路50中循环，并且驱动加热器53来使处理液的温度维持为规定温度，开始基板8的液处理。
在此期间，从气体供给源向处理槽34内的气体供给管81、82、83、84供给N2气体，气体供给管81、82、83、84内的N2气体从喷出口81a、82a、83a、84a被供给到处理槽34内的处理液中。如上述的那样，气体供给管81、82、83、84配置在处理液供给喷嘴49的下方。而且，从气体供给管81、82、83、84的喷出口81a、82a、83a、84a供给到处理液中的N2气体在处理液中形成气泡，包括N2气体的气泡与沸腾的处理液中的水蒸气一起在处理液中形成上升流，从而促进对基板8的液处理。
另外，气体供给管81、82、83、84中的一个气体供给管例如气体供给管81的喷出口81a与相邻的气体供给管82的喷出口82a在与基板8平行的方向上不重叠。因此，从气体供给管81的喷出口81a供给的N2气体不会与从气体供给管82的喷出口82a供给的N2气体合并。因此，处理液中产生的N2气体的气泡的大小不会产生偏差，另外，N2气体的气泡不会不均匀。
因此，能够在处理液中均匀地形成N2气体的气泡，从而能够在处理液中产生稳定的上升流来对基板8实施均匀的处理。
另外，在处理槽34中的例如图4的(a)中的两端侧的区域，相比中央侧的区域而言难以在处理液中产生适当的上升流的情况下，也可以调整流量调整装置81A、82A、83A、84A来从两端侧的气体供给管81、84供给多量的N2气体而从中央侧的气体供给管82、83供给少量的N2气体。
如以上的那样，根据本实施方式，能够在处理槽34内的处理液中均等地形成N2气体的气泡，从而能够使用处理液对基板均匀地实施液处理。
此外，在上述实施方式中，例示了针对各气体供给管81、82、83、84分别使用流量调整装置81A、82A、83A、84A来调整N2气体的供给量的例子，但除此以外也可以是，将各气体供给管81、82、83、84划分为多个区域A、B、C，针对气体供给管81、82、83、84的各区域A、B、C进一步调整N2气体供给量。
另外，也可以是，使用一个流量调整装置81A对各气体供给管81、82、83、84中的气体供给管81、82这两个气体供给管调整N2气体的供给量，使用一个流量调整装置83A将气体供给管83、84这两个气体供给管调整为与流量调整装置81A不同的N2气体的供给量。
另外，也可以是，使用一个流量调整装置82A对各气体供给管81、82、83、84中的气体供给管82、83这两个气体供给管调整N2气体的供给量，使用一个流量调整装置81A将气体供给管81、84这两个气体供给管调整为与流量调整装置82A不同的N2气体的供给量。

Claims (7)

1.一种基板液处理装置，其特征在于，具备：
处理槽，其用于收纳含有磷酸水溶液的处理液和以垂直姿势配置的多个基板，并且使用所述处理液对所述基板进行处理；
处理液供给管，其向所述处理槽内供给所述处理液；以及
多个气体供给管，所述多个气体供给管设置于所述处理槽，用于向所述处理液供给气体来形成气泡，
其中，各气体供给管设置在所述基板的下方，并且沿与所述基板的电路形成面正交的水平方向延伸，
各气体供给管在一侧具有开口的多个喷出口，一个气体供给管的喷出口与同该气体供给管相邻的其它气体供给管的喷出口在与所述基板的电路形成面平行的方向上不重叠而进行交错配置，
在一个气体供给管中流动的气体的流动方向朝向与在相邻的其它气体供给管中流动的气体的流动方向相反的方向。
2.根据权利要求1所述的基板液处理装置，其特征在于，
多个基板以规定的配置间距进行配置，各气体供给管的喷出口以基板的配置间距的2以上的整数倍的配置间距形成。
3.根据权利要求2所述的基板液处理装置，其特征在于，
各气体供给管的喷出口配置在各基板间的中间位置。
4.根据权利要求1至3中的任一项所述的基板液处理装置，其特征在于，
一个气体供给管与相邻的其它气体供给管彼此独立地被进行流量调整。
5.根据权利要求4所述的基板液处理装置，其特征在于，
一个气体供给管和相邻的其它气体供给管分别从上游侧朝向下游侧被划分成多个区域，各区域独立地被进行流量调整。
6.一种使用基板液处理装置的基板液处理方法，所述基板液处理装置具备：
处理槽，其用于收纳含有磷酸水溶液的处理液和以垂直姿势配置的多个基板，并且使用所述处理液对所述基板进行处理；
处理液供给管，其向所述处理槽内供给所述处理液；以及
多个气体供给管，所述多个气体供给管设置于所述处理槽，用于对所述处理液供给气体来形成气泡，
其中，各气体供给管设置在所述基板的下方，并且沿与所述基板的电路形成面正交的水平方向延伸，
各气体供给管在一侧具有开口的多个喷出口，一个气体供给管的喷出口与同该气体供给管相邻的其它气体供给管的喷出口在与所述基板的电路形成面平行的方向上不重叠而进行交错配置，
所述基板液处理方法的特征在于，具备以下步骤：
从所述一个气体供给管和所述相邻的其它气体供给管经由喷出口向所述处理液中供给气体；以及
在所述处理液中形成在所述基板间上升的气泡，
其中，在一个气体供给管中流动的气体的流动方向朝向与在相邻的其它气体供给管中流动的气体的流动方向相反的方向。
7.一种存储介质，其特征在于，保存有用于使计算机执行基板液处理方法的计算机程序，
其中，所述基板液处理方法使用基板液处理装置，
所述基板液处理装置具备：
处理槽，其用于收纳含有磷酸水溶液的处理液和以垂直姿势配置的多个基板，并且使用所述处理液对所述基板进行处理；
处理液供给管，其向所述处理槽内供给所述处理液；以及
多个气体供给管，所述多个气体供给管设置于所述处理槽，用于向所述处理液供给气体来形成气泡，
各气体供给管设置在所述基板的下方，并且沿与所述基板的电路形成面正交的水平方向延伸，
各气体供给管在一侧具有开口的多个喷出口，一个气体供给管的喷出口与同该气体供给管相邻的其它气体供给管的喷出口在与所述基板的电路形成面平行的方向上不重叠而进行交错配置，
所述基板液处理方法具备以下步骤：
从所述一个气体供给管和所述相邻的其它气体供给管经由喷出口向所述处理液中供给气体；以及
在所述处理液中形成在所述基板间上升的气泡，
其中，在一个气体供给管中流动的气体的流动方向朝向与在相邻的其它气体供给管中流动的气体的流动方向相反的方向。
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