KR102469906B1 - 기판 액처리 장치 - Google Patents

기판 액처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102469906B1
KR102469906B1 KR1020180034989A KR20180034989A KR102469906B1 KR 102469906 B1 KR102469906 B1 KR 102469906B1 KR 1020180034989 A KR1020180034989 A KR 1020180034989A KR 20180034989 A KR20180034989 A KR 20180034989A KR 102469906 B1 KR102469906 B1 KR 102469906B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas
substrate
liquid
main body
unit
Prior art date
Application number
KR1020180034989A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20180111571A (ko
Inventor
히로유키 마스토미
고지 야마시타
히데마사 아라타케
고지 다나카
다카후미 츠치야
히데아키 사토
유우키 이시이
다카오 이나다
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20180111571A publication Critical patent/KR20180111571A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102469906B1 publication Critical patent/KR102469906B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/67086—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

본 발명은 처리액에 가스를 공급하는 노즐의 막힘을 방지하는 데 유효한 기판 액처리 장치를 제공하는 것을 과제로 한다.
기판 액처리 장치(A1)는 처리액(43) 및 기판(8)을 수용하는 처리조(41)와, 처리조(41) 내의 하부에서 가스를 토출하는 가스 노즐(70)과, 가스 노즐(70)에 가스를 공급하는 가스 공급부(89)를 구비하고, 가스 노즐(70)은 처리조(41)의 바닥면을 따르도록 배치된 관형의 본체(71)와, 본체(71)의 내면(73) 및 외면(74) 사이를 관통하여, 내면(73)측으로부터 외면(74)측을 향함에 따라 개구 면적이 작아지도록 형성된 토출 구멍(77)을 갖는다.

Description

기판 액처리 장치{SUBSTRATE LIQUID PROCESSING APPARATUS}
본 개시는 기판 액처리 장치에 관한 것이다.
특허문헌 1에는 오버 플로우조와, 조 내의 에칭액을 순환시키는 펌프와, 조 내의 에칭액을 일정 온도로 가열하는 히터와, 그 온도를 제어하는 온도 컨트롤러와, 조 내의 바닥부 내에 마련된 분산판에 웨이퍼의 카세트를 고정하는 프레임과, 조 내의 에칭액을 질소로 버블링하는 버블러를 구비하는 웨트 에칭 처리 장치가 개시되어 있다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 평성07-58078호 공보
복수 기판 사이 및 단일 기판의 면 내에 있어서, 기판 처리의 균일성을 더욱 향상시키는 것이 요구되고 있다. 전술한 버블링용의 가스의 공급 상태는, 처리조 내 각 부에 있어서의 처리액의 상승 속도에 영향을 끼치기 때문에, 기판 처리의 균일성에 영향을 끼친다. 가스의 공급 상태를 불안정하게 만드는 요인의 하나로서, 가스 공급용의 노즐의 막힘을 들 수 있다.
그래서 본 개시는, 처리액에 가스를 공급하는 노즐의 막힘을 방지하는 데 유효한 기판 액처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 개시의 일 양태에 따른 기판 액처리 장치는, 처리액 및 기판을 수용하는 처리조와, 처리조 내의 하부에서 가스를 토출하는 가스 노즐과, 가스 노즐에 가스를 공급하는 가스 공급부를 구비하고, 가스 노즐은 처리조의 바닥면을 따르도록 배치된 관형의 본체와, 본체의 내면 및 외면 사이를 관통하여, 내면측으로부터 외면측을 향함에 따라 개구 면적이 작아지도록 형성된 토출 구멍을 갖는다.
본 개시에 따르면, 처리액에 가스를 공급하는 노즐의 막힘을 방지하는 데 유효한 기판 액처리 장치를 제공할 수 있다.
도 1은 기판 액처리 시스템을 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 2는 에칭 처리 장치의 모식도이다.
도 3은 처리조의 평면도이다.
도 4는 가스 노즐의 확대도이다.
도 5는 가스 노즐의 분해도이다.
도 6은 제어부의 기능적인 구성을 나타내는 블록도이다.
도 7은 기판 처리 순서의 흐름도이다.
도 8은 처리액의 충전 순서의 흐름도이다.
도 9는 노즐 세정 순서의 흐름도이다.
도 10은 침지 처리 순서를 나타내는 흐름도이다.
도 11은 가스 공급량의 제어 순서를 나타내는 흐름도이다.
도 12는 처리액의 배출 순서의 흐름도이다.
이하, 실시형태에 대해서, 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다. 설명에 있어서, 동일 요소 또는 동일 기능을 갖는 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 중복하는 설명을 생략한다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 기판 액처리 시스템(1A)은 캐리어 반입출부(2)와, 로트 형성부(3)와, 로트 배치부(4)와, 로트 반송부(5)와, 로트 처리부(6)와, 제어부(7)를 갖는다.
이 중 캐리어 반입출부(2)는 복수매(예컨대, 25장)의 기판(실리콘 웨이퍼)(8)을 수평 자세로 상하로 배열하여 수용한 캐리어(9)의 반입 및 반출을 행한다.
이 캐리어 반입출부(2)에는 복수개의 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 스테이지(10)와, 캐리어(9)의 반송을 행하는 캐리어 반송 기구(11)와, 캐리어(9)를 일시적으로 보관하는 캐리어 스톡(12, 13)과, 캐리어(9)를 배치하는 캐리어 배치대(14)가 마련되어 있다. 여기서, 캐리어 스톡(12)은 제품이 되는 기판(8)을 로트 처리부(6)에서 처리하기 전에 일시적으로 보관한다. 또한, 캐리어 스톡(13)은 제품이 되는 기판(8)을 로트 처리부(6)에서 처리한 후에 일시적으로 보관한다.
그리고, 캐리어 반입출부(2)는 외부로부터 캐리어 스테이지(10)에 반입된 캐리어(9)를, 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(12)이나 캐리어 배치대(14)에 반송한다. 또한, 캐리어 반입출부(2)는 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)를, 캐리어 반송 기구(11)를 이용하여 캐리어 스톡(13)이나 캐리어 스테이지(10)에 반송한다. 캐리어 스테이지(10)에 반송된 캐리어(9)는, 외부에 반출된다.
로트 형성부(3)는 1 또는 복수의 캐리어(9)에 수용된 기판(8)을 조합하여 동시에 처리되는 복수매(예컨대, 50장)의 기판(8)으로 이루어지는 로트를 형성한다. 또한, 로트를 형성할 때는, 기판(8)의 표면에 패턴이 형성되어 있는 면을 서로 대향하도록 로트를 형성하여도 좋고, 또한 기판(8)의 표면에 패턴이 형성되어 있는 면이 전부 한쪽을 향하도록 로트를 형성하여도 좋다.
이 로트 형성부(3)에는 복수매의 기판(8)을 반송하는 기판 반송 기구(15)가 마련되어 있다. 또한, 기판 반송 기구(15)는 기판(8)의 반송 도중에 기판(8)의 자세를 수평 자세로부터 수직 자세 및 수직 자세로부터 수평 자세로 변경시킬 수 있다.
그리고, 로트 형성부(3)는 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)로부터 기판 반송 기구(15)를 이용하여 기판(8)을 로트 배치부(4)에 반송하고, 로트를 형성하는 기판(8)을 로트 배치부(4)에 배치한다. 또한, 로트 형성부(3)는 로트 배치부(4)에 배치된 로트를 기판 반송 기구(15)로 캐리어 배치대(14)에 배치된 캐리어(9)에 반송한다. 또한, 기판 반송 기구(15)는 복수매의 기판(8)을 지지하기 위한 기판 지지부로서, 처리 전[로트 반송부(5)로 반송되기 전]의 기판(8)을 지지하는 처리전 기판 지지부와, 처리 후[로트 반송부(5)로 반송된 후]의 기판(8)을 지지하는 처리후 기판 지지부의 2종류를 가지고 있다. 이에 의해, 처리 전의 기판(8) 등에 부착된 파티클 등이 처리 후의 기판(8) 등에 옮겨 붙는 것을 방지한다.
로트 배치부(4)는 로트 반송부(5)에 의해 로트 형성부(3)와 로트 처리부(6) 사이에서 반송되는 로트를 로트 배치대(16)에 일시적으로 배치(대기)한다.
이 로트 배치부(4)에는 처리 전[로트 반송부(5)로 반송되기 전]의 로트를 배치하는 반입측 로트 배치대(17)와, 처리 후[로트 반송부(5)로 반송된 후]의 로트를 배치하는 반출측 로트 배치대(18)가 마련되어 있다. 반입측 로트 배치대(17) 및 반출측 로트 배치대(18)에는, 1 로트분의 복수매의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 배열되어 배치된다.
그리고, 로트 배치부(4)에서는, 로트 형성부(3)에서 형성한 로트가 반입측 로트 배치대(17)에 배치되고, 그 로트가 로트 반송부(5)를 통해 로트 처리부(6)에 반입된다. 또한, 로트 배치부(4)에서는, 로트 처리부(6)로부터 로트 반송부(5)를 통해 반출된 로트가 반출측 로트 배치대(18)에 배치되고, 그 로트가 로트 형성부(3)에 반송된다.
로트 반송부(5)는 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6) 사이나 로트 처리부(6)의 내부 사이에서 로트의 반송을 행한다.
이 로트 반송부(5)에는 로트의 반송을 행하는 로트 반송 기구(19)가 마련되어 있다. 로트 반송 기구(19)는 로트 배치부(4)와 로트 처리부(6)를 따라 배치한 레일(20)과, 복수매의 기판(8)을 유지하면서 레일(20)을 따라 이동하는 이동체(21)로 구성한다. 이동체(21)에는 수직 자세로 전후로 배열된 복수매의 기판(8)을 유지하는 기판 유지체(22)가 진퇴 가능하게 마련되어 있다.
그리고, 로트 반송부(5)는 반입측 로트 배치대(17)에 배치된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 수취하고, 그 로트를 로트 처리부(6)에 전달한다. 또한, 로트 반송부(5)는 로트 처리부(6)에서 처리된 로트를 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로 수취하고, 그 로트를 반출측 로트 배치대(18)에 전달한다. 또한, 로트 반송부(5)는 로트 반송 기구(19)를 이용하여 로트 처리부(6)의 내부에 있어서 로트의 반송을 행한다.
로트 처리부(6)는 수직 자세로 전후로 배열된 복수매의 기판(8)을 1 로트로 하여 에칭이나 세정이나 건조 등의 처리를 행한다.
이 로트 처리부(6)에는 기판(8)의 건조 처리를 행하는 건조 처리 장치(23)와, 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행하는 기판 유지체 세정 처리 장치(24)와, 기판(8)의 세정 처리를 행하는 세정 처리 장치(25)와, 기판(8)의 에칭 처리를 행하는 2대의 본 발명에 따른 에칭 처리 장치(기판 액처리 장치)(1)가 배열되어 마련되어 있다.
건조 처리 장치(23)는 처리조(27)와, 처리조(27)에 승강 가능하게 마련된 기판 승강 기구(28)를 갖는다. 처리조(27)에는 건조용의 처리 가스[IPA(이소프로필알코올) 등]가 공급된다. 기판 승강 기구(28)에는 1 로트분의 복수매의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 배열되어 유지된다. 건조 처리 장치(23)는 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(28)로 수취하고, 기판 승강 기구(28)로 그 로트를 승강시킴으로써, 처리조(27)에 공급한 건조용의 처리 가스로 기판(8)의 건조 처리를 행한다. 또한, 건조 처리 장치(23)는 기판 승강 기구(28)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다.
기판 유지체 세정 처리 장치(24)는 처리조(29)를 갖고, 이 처리조(29)에 세정용의 처리액 및 건조 가스를 공급할 수 있게 되어 있고, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 세정용의 처리액을 공급한 후, 건조 가스를 공급함으로써 기판 유지체(22)의 세정 처리를 행한다.
세정 처리 장치(25)는 세정용의 처리조(30)와 린스용의 처리조(31)를 갖고, 각 처리조(30, 31)에 기판 승강 기구(32, 33)를 승강 가능하게 마련하고 있다. 세정용의 처리조(30)에는 세정용의 처리액(SC-1 등)이 저류된다. 린스용의 처리조(31)에는 린스용의 처리액(순수 등)이 저류된다.
에칭 처리 장치(1)는 에칭용의 처리조(34)와 린스용의 처리조(35)를 갖고, 각 처리조(34, 35)에 기판 승강 기구(36, 37)가 승강 가능하게 마련되어 있다. 에칭용의 처리조(34)에는 에칭용의 처리액(인산 수용액)이 저류된다. 린스용의 처리조(35)에는 린스용의 처리액(순수 등)이 저류된다.
이들 세정 처리 장치(25)와 에칭 처리 장치(1)는 동일한 구성으로 되어 있다. 에칭 처리 장치(기판 액처리 장치)(1)에 대해서 설명하면, 기판 승강 기구(36)에는 1 로트분의 복수매의 기판(8)이 수직 자세로 전후로 배열되어 유지된다. 에칭 처리 장치(1)에 있어서, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(36)로 수취하고, 기판 승강 기구(36)로 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(34)의 에칭용의 처리액에 침지시켜 기판(8)의 에칭 처리를 행한다. 그 후, 에칭 처리 장치(1)는 기판 승강 기구(36)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다. 또한, 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)로부터 로트를 기판 승강 기구(37)로 수취하고, 기판 승강 기구(37)로 그 로트를 승강시킴으로써 로트를 처리조(35)의 린스용의 처리액에 침지시켜 기판(8)의 린스 처리를 행한다. 그 후, 기판 승강 기구(37)로부터 로트 반송 기구(19)의 기판 유지체(22)에 로트를 전달한다.
제어부(7)는 기판 액처리 시스템(1A)의 각 부[캐리어 반입출부(2), 로트 형성부(3), 로트 배치부(4), 로트 반송부(5), 로트 처리부(6), 에칭 처리 장치(1)]의 동작을 제어한다.
이 제어부(7)는 예컨대 컴퓨터로 이루어지며, 컴퓨터로 판독 가능한 기억 매체(38)를 구비한다. 기억 매체(38)에는 기판 액처리 장치(1)에 있어서 실행되는 각종 처리를 제어하는 프로그램이 저장된다. 제어부(7)는 기억 매체(38)에 기억된 프로그램을 읽어내어 실행함으로써 기판 액처리 장치(1)의 동작을 제어한다. 또한, 프로그램은 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(38)에 기억되어 있던 것으로서, 다른 기억 매체로부터 제어부(7)의 기억 매체(38)에 인스톨된 것이어도 좋다. 컴퓨터에 의해 판독 가능한 기억 매체(38)로서는, 예컨대 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 컴팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등이 있다.
〔기판 액처리 장치〕
계속해서 기판 액처리 시스템(1A)이 포함하는 기판 액처리 장치(A1)에 대해서 상세하게 설명한다. 도 2 및 도 3에 나타내는 바와 같이, 기판 액처리 장치(A1)는 에칭 처리 장치(1)와, 기판 승강 기구(36)(반송부)와, 제어부(7)를 구비한다.
(에칭 처리 장치)
에칭 처리 장치(1)는 액처리부(40)와, 처리액 공급부(44)와, 처리액 배출부(67)와, 복수(예컨대 6개)의 가스 노즐(70)과, 가스 공급부(89)와, 가스 가열부(94)와, 가스 발출부(95)와, 액위 센서(80)를 구비한다.
액 처리부(40)는 기판(8)에 대하여 액처리(에칭 처리)를 실행하는 부분이며, 처리조(41)와, 외부조(42)와, 처리액(43)을 포함한다.
처리조(41)는 처리액(43) 및 기판(8)을 수용한다. 처리액(43)의 구체예로서는, 인산 수용액을 들 수 있다. 처리조(41)의 상부는 개방되어 있기 때문에, 상방으로부터 처리조(41) 내의 처리액(43)에 기판(8)을 침지하는 것이 가능하다. 후술하는 바와 같이, 처리조(41) 내에는 원형의 기판(8)이 기립한 상태로 배치된다. 이하, 높이 방향과 직교하여 처리조(41) 내의 기판(8)을 따르는 방향을 「폭 방향」이라고 하고, 높이 방향 및 폭 방향과 직교하는 방향[즉 처리조(41) 내의 기판(8)의 두께 방향]을 「안길이 방향」이라고 한다.
처리조(41)의 바닥면 중, 폭 방향에 있어서의 양측 부분은, 외측을 향함에 따라 높아지고 있다. 이에 의해, 처리조(41) 내의 내각부와, 기판(8)의 외주 사이의 데드 스페이스가 작아져, 처리액(43)의 체류가 생기기 어렵게 되어 있다.
외부조(42)는 처리조(41)를 포위하도록 마련되어 있으며, 처리조(41)로부터 넘친 처리액을 수용한다.
처리액 공급부(44)는 처리조(41) 내에 처리액(43)을 공급한다. 예컨대 처리액 공급부(44)는 처리액 공급원(45)과, 유량 조절기(46)와, 순수 공급원(47)과, 유량 조절기(48)와, 처리액 순환부(49)와, 농도 계측부(55)를 포함한다.
처리액 공급원(45)은 처리액(43)을 외부조(42)에 공급한다. 유량 조절기(46)는 처리액 공급원(45)으로부터 외부조(42)에의 처리액의 유로에 마련되어 있으며, 그 유로의 개폐 및 개방도 조절을 행한다.
순수 공급원(47)은 순수를 외부조(42)에 공급한다. 이 순수는 처리액(43)의 가열에 의해 증발한 수분을 보충한다. 유량 조절기(48)는 순수 공급원(47)으로부터 외부조(42)에의 순수의 유로에 마련되어 있고, 그 유로의 개폐 및 개방도 조절을 행한다.
처리액 순환부(49)는 외부조(42) 내의 처리액(43)을 처리조(41) 내의 하부에 보낸다. 예컨대 처리액 순환부(49)는 복수(예컨대 3개)의 처리액 노즐(50)과, 순환 유로(51)와, 공급 펌프(52)와, 필터(53)와, 히터(54)를 포함한다.
처리액 노즐(50)은 외부조(42) 내의 하부에 마련되어 있으며, 처리액(43)을 처리조(41) 내에 토출한다. 복수의 처리액 노즐(50)은 동일 높이에 있어서 폭 방향으로 배열되어 있고, 각각 안길이 방향으로 연장되어 있다.
순환 유로(51)는 외부조(42)로부터 복수의 처리액 노즐(50)에 처리액을 유도한다. 순환 유로(51)의 일단부는 외부조(42)의 바닥부에 접속되어 있다. 순환 유로(51)의 타단부는, 복수개로 분기되어 복수의 처리액 노즐(50)에 각각 접속되어 있다.
공급 펌프(52), 필터(53) 및 히터(54)는, 순환 유로(51)에 마련되어 있고, 상류측[외부조(42)측]으로부터 하류측[처리액 노즐(50)측]에 순서대로 배열되어 있다. 공급 펌프(52)는 처리액(43)을 상류측으로부터 하류측에 압송한다. 필터(53)는 처리액(43) 중에 혼입된 파티클을 제거한다. 히터(54)는 처리액(43)을 설정 온도까지 가열한다. 설정 온도는 예컨대 처리액(43)의 비점 근방의 값으로 설정되어 있다.
농도 계측부(55)는 처리액(43)의 농도를 계측한다. 예컨대 농도 계측부(55)는, 계측용 유로(56)와, 개폐 밸브(57, 59)와, 농도 센서(58)와, 세정 유체 공급부(60)와, 세정 유체 배출부(64)를 갖는다.
계측용 유로(56)는 히터(54)와 처리액 노즐(50) 사이에서 순환 유로(51)로부터 분기되며, 처리액(43)의 일부를 발출하여 외부조(42)에 환류시킨다. 개폐 밸브(57, 59)는 계측용 유로(56)에 있어서 상류측[순환 유로(51)측]으로부터 하류측[외부조(42)측]에 순서대로 배열되어 있고, 각각 계측용 유로(56)를 개폐한다. 농도 센서(58)는 계측용 유로(56)에 있어서 개폐 밸브(57, 59) 사이에 마련되어 있고, 계측용 유로(56)를 흐르는 처리액(43)의 농도(예컨대 인산 농도)를 계측한다.
세정 유체 공급부(60)는 세정용의 유체(예컨대 순수)를 농도 센서(58)에 공급한다. 예컨대 세정 유체 공급부(60)는 세정 유체 공급원(61)과, 공급 유로(62)와, 개폐 밸브(63)를 갖는다. 세정 유체 공급원(61)은 세정용의 유체의 공급원이다. 공급 유로(62)는 세정 유체 공급원(61)으로부터 농도 센서(58)에 세정용의 유체를 공급한다. 공급 유로(62)의 일단부는 세정 유체 공급원(61)에 접속되어 있고, 공급 유로(62)의 타단부는 개폐 밸브(57)와 농도 센서(58) 사이에 접속되어 있다. 개폐 밸브(63)는 공급 유로(62)를 개폐한다.
세정 유체 배출부(64)는 세정용의 유체를 배출한다. 예컨대 세정 유체 배출부(64)는 배출 유로(65)와, 개폐 밸브(66)를 갖는다. 배출 유로(65)는 농도 센서(58)를 통과한 세정용의 유체를 도출한다. 배출 유로(65)의 일단부는 농도 센서(58)와 개폐 밸브(59) 사이에 접속되어 있고, 배출 유로(65)의 타단부는 기판 액처리 시스템(1A)의 배액관(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 개폐 밸브(66)는 배출 유로(65)를 개폐한다.
처리액 배출부(67)는 처리조(41) 내로부터 처리액(43)을 배출한다. 예컨대 처리액 배출부(67)는 배액 유로(68)와, 개폐 밸브(69)를 갖는다. 배액 유로(68)는 처리조(41) 내의 처리액을 도출한다. 배액 유로(68)의 일단부는 처리조(41)의 바닥부에 접속되어 있고, 배액 유로(68)의 타단부는 기판 액처리 시스템(1A)의 배액관(도시하지 않음)에 접속되어 있다. 개폐 밸브(69)는 배액 유로(68)를 개폐한다.
복수의 가스 노즐(70)은 처리조(41) 내의 하부에서 불활성 가스(예컨대 N2 가스)를 토출한다. 복수의 가스 노즐(70)은 처리액 노즐(50)보다 아래에 있어서 폭 방향으로 배열되고, 각각 안길이 방향으로 연장되어 있다. 각 가스 노즐(70)의 높이는 그 배치 위치가 폭 방향의 중심으로부터 멀어짐에 따라 높아지고 있다.
복수의 가스 노즐(70)은 기판(8)과 동심의 원호를 따르도록 배열되어 있어도 좋다. 상기 원호를 따르도록 배열된다는 것은, 각 가스 노즐(70)이 그 원호 상에 위치하는 경우뿐만 아니라, 일부의 가스 노즐(70)이 그 원호로부터 소정 범위 내에서 벗어나 있는 경우도 포함한다. 복수의 가스 노즐(70)이 동일 높이에 위치하는 경우와 비교하여, 각 가스 노즐(70)로부터 기판(8)의 중심까지의 거리의 균일성이 높아지는 한, 상기 소정 범위는 임의로 설정 가능하다.
예컨대, 복수의 가스 노즐(70)은 폭 방향에 있어서 가장 내측에 위치하는 한 쌍의 가스 노즐(70A)과, 한 쌍의 가스 노즐(70A)보다 외측에 위치하는 한 쌍의 가스 노즐(70B)과, 한 쌍의 가스 노즐(70B)보다 더욱 외측에 위치하는 한 쌍의 가스 노즐(70C)을 포함한다. 가스 노즐(70B, 70B)은 가스 노즐(70A, 70A)보다 위에 위치하고, 가스 노즐(70C, 70C)은 가스 노즐(70B, 70B)보다 위에 위치하고 있다. 가스 노즐(70A, 70A, 70B, 70B, 70C, 70C)은 기판(8)과 동심의 원호를 따르도록 배열되어 있다.
또한, 가스 노즐(70)의 수 및 배치는 적절하게 변경 가능하다. 복수의 가스 노즐(70)은 동일 높이에 배치되어 있어도 좋다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 가스 노즐(70)은 처리조(41)의 바닥면을 따라 안길이 방향으로 연장되도록 배치된 관형(예컨대 원관형)의 본체(71)와, 본체(71)의 내면(73) 및 외면(74) 사이를 관통하도록 형성된 적어도 하나의 토출 구멍(77)을 갖는다. 예컨대 가스 노즐(70)은 안길이 방향을 따라 배열되는 복수의 토출 구멍(77)을 갖는다. 본체(71)는 예컨대 석영에 의해 구성되어 있다. 본체(71)는 석영 대신에, 규소를 함유하지 않는 재료로 구성되어 있어도 좋다. 규소를 함유하지 않는 재료의 구체예로서는, 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리테트라플루오로에틸렌(PTFE) 등의 수지 재료를 들 수 있다.
각 토출 구멍(77)은 본체(71)의 하부에 마련되어 있다. 토출 구멍(77)은 본체(71)의 관 중심(72)의 연직 하방으로부터 벗어난 위치에 마련되어 있어도 좋다. 이 경우, 토출 구멍(77)의 위치는 본체(71)의 관 중심(72)을 포함하는 연직의 가상 평면(75)이 토출 구멍(77) 내를 통과하지 않도록 설정되어 있어도 좋다. 토출 구멍(77)의 중심은 본체(71)의 관 중심(72) 둘레에서 연직 하방±10°의 범위(76) 내에 위치하고 있어도 좋다.
토출 구멍(77)이 관 중심(72)의 연직 하방으로부터 벗어나는 방향에 제한은 없다. 예컨대, 토출 구멍(77)은 도면에서 보아 우측으로 벗어나 있지만, 도면에서 보아 좌측으로 벗어나 있어도 좋다. 또한, 도면에서 보아 우측으로 벗어난 토출 구멍(77)과, 도면에서 보아 좌측으로 벗어난 토출 구멍(77)이 안길이 방향을 따라 지그재그형으로 배열되어 있어도 좋다.
토출 구멍(77)은 본체(71)의 내면(73)측으로부터 외면(74)측을 향함에 따라 개구 면적이 작아지도록 형성되어 있다. 이러한 토출 구멍(77)을 갖는 가스 노즐(70)은 도 5에 예시하는 바와 같이, 반관형의 2개의 부품(78, 79)의 한쪽에 대하여 내면측으로부터 토출 구멍(77)의 가공을 행한 후, 부품(78, 79)을 용접 또는 용착 등에 의해 일체화함으로써 형성 가능하다. 이와 같이 토출 구멍(77)을 형성하는 것은, 토출 구멍(77)의 내면에 처리액의 성분이 고착하는 것에 기인한 가스 노즐(70)의 막힘[토출 구멍(77)의 막힘]을 방지하는 데 유효하다. 또한, 토출 구멍(77)은 본체(71)의 내면(73)측으로부터 외면(74)측을 향함에 따라 개구 면적이 커지도록 형성되어 있어도 좋다. 이와 같이 토출 구멍(77)을 형성하는 것은, 복수의 기판(8) 사이에 있어서의 기판 처리의 균일성[토출 구멍(77)의 내면에 처리액의 성분이 고착하지 않은 상태에 있어서의 균일성] 향상에 유효하다.
도 2 및 도 3으로 되돌아가서, 가스 공급부(89)는 가스 노즐(70)에 상기 불활성 가스를 공급한다. 예컨대 가스 공급부(89)는 가스 공급원(90)과, 공급 유로(91)와, 개폐 밸브(92)와, 유량 조절기(93)를 포함한다.
가스 공급원(90)은 불활성 가스의 공급원이다. 공급 유로(91)는 가스 공급원(90)으로부터 가스 노즐(70)에 불활성 가스를 유도한다. 개폐 밸브(92)는 공급 유로(91)를 개폐한다. 유량 조절기(93)는 개폐 밸브(92)와 가스 공급원(90) 사이에 있어서, 공급 유로(91)의 개방도를 조절하여 불활성 가스의 유량을 조절한다.
공급 유로(91), 개폐 밸브(92) 및 유량 조절기(93)는, 가스 노즐(70)의 배치높이마다 마련되어 있어도 좋다. 예컨대 가스 공급원(90)은 공급 유로(91A, 91B, 91C)와, 개폐 밸브(92A, 92B, 92C)와, 유량 조절기(93A, 93B, 93C)를 포함한다. 공급 유로(91A)는 가스 공급원(90)으로부터 가스 노즐(70A, 70A)의 일단부에 불활성 가스를 유도한다. 공급 유로(91B)는 가스 공급원(90)으로부터 가스 노즐(70B, 70B)의 일단부에 불활성 가스를 유도한다. 공급 유로(91C)는 가스 공급원(90)으로부터 가스 노즐(70C, 70C)의 일단부에 불활성 가스를 유도한다. 개폐 밸브(92A, 92B, 92C)는 공급 유로(91A, 91B, 91C)를 각각 개폐한다. 유량 조절기(93A, 93B, 93C)는 공급 유로(91A, 91B, 91C)의 개방도를 각각 조절한다.
가스 가열부(94)는 가스 공급원(90)에 의해 가스 노즐(70)에 공급되는 불활성 가스를 설정 온도까지 가열한다. 설정 온도는 예컨대 처리액(43)의 비점 근방의 값으로 설정되어 있다. 예컨대 가스 가열부(94)는 공급 유로(91)에 마련되어 있다. 도시에 있어서, 가스 가열부(94)는 공급 유로(91A, 91B, 91C)가 가스 공급원(90)측에서 합류한 부분에 마련되어 있지만, 이에 한정되지 않는다. 가스 가열부(94)는 공급 유로(91A, 91B, 91C)마다 마련되어 있어도 좋다.
가스 발출부(95)는 가스 노즐(70)의 본체(71)의 내압을 저하시킨다. 예컨대 가스 발출부(95)는 감압 유로(96)와, 감압 밸브(97)를 포함한다. 감압 유로(96)는 개폐 밸브(92)와 가스 노즐(70) 사이에 있어서 공급 유로(91)로부터 분기되며, 공급 유로(91) 내의 가스를 도출한다. 감압 밸브(97)는 감압 유로(96)를 개폐한다.
또한, 가스 발출부(95)는 강제 배기용의 펌프를 더 포함하고 있어도 좋다. 감압 유로(96) 및 감압 밸브(97)는 가스 노즐(70)의 배치 높이마다 마련되어 있어도 좋다. 예컨대 가스 발출부(95)는 감압 유로(96A, 96B, 96C)와, 감압 밸브(97A, 97B, 97C)를 포함한다. 감압 유로(96A)는 개폐 밸브(92A)와 가스 노즐(70A) 사이에 있어서 공급 유로(91A)로부터 분기되어, 공급 유로(91A) 내의 가스를 도출한다. 감압 유로(96B)는 개폐 밸브(92B)와 가스 노즐(70B) 사이에 있어서 공급 유로(91B)로부터 분기되어, 공급 유로(91B) 내의 가스를 도출한다. 감압 유로(96C)는 개폐 밸브(92C)와 가스 노즐(70C) 사이에 있어서 공급 유로(91C)로부터 분기되어, 공급 유로(91C) 내의 가스를 도출한다. 감압 밸브(97A, 97B, 97C)는 감압 유로(96A, 96B, 96C)를 각각 개폐한다.
액위 센서(80)는 처리액(43)에 포함되는 기체의 양(이하, 「처리액(43)의 기체 함유량」이라고 함)에 관한 정보를 취득한다. 예컨대 액위 센서(80)는 기포식 액위계이고, 기포관(81)과, 가압 가스 공급원(83)과, 가스 라인(84)과, 퍼지 셋트(82)와, 검출 라인(85)과, 제1 검출기(86A)와, 제2 검출기(86B)를 포함한다.
기포관(81)은 처리조(41) 내의 처리액에 삽입되어 있고, 그 단부는 처리조(41)의 바닥부 근방에 위치하고 있다. 가압 가스 공급원(83)은 액위 계측용의 불활성 가스(이하, 「계측용 가스」라고 함)의 공급원이다. 가스 라인(84)은 가압 가스 공급원(83)으로부터 기포관(81)에 계측용 가스를 유도한다. 기포관(81)에 유도된 계측용 가스는 기포관(81)의 단부로부터 처리조(41) 내의 처리액 중에 방출된다.
퍼지 셋트(82)는 기포관(81)으로부터의 계측 가스의 방출량을 일정하게 하도록, 가스 라인(84)의 내압을 조절한다. 또한, 일정하다는 것은, 실질적인 일정을 의미하고, 소정 값을 기준으로 하여 허용 범위 내에 수습되어 있는 상태를 의미한다.
검출 라인(85)은 기포관(81)과 퍼지 셋트(82) 사이에 있어서의 가스 라인(84)의 내압을 제1 검출기(86A) 및 제2 검출기(86B)에 전달한다. 검출 라인(85)의 일단부는, 기포관(81)과 퍼지 셋트(82) 사이에 있어서 가스 라인(84)에 접속되어 있고, 검출 라인(85)의 타단부는 2개로 분기되어 제1 검출기(86A) 및 제2 검출기(86B)에 각각 접속되어 있다.
제1 검출기(86A) 및 제2 검출기(86B)는 검출 라인(85)에 의해 전달된 압력을 검출한다. 제1 검출기(86A) 및 제2 검출기(86B)의 검출 범위는 서로 상이하다. 제1 검출기(86A)는 처리조(41) 내의 처리액(43)의 액위(액면의 위치)가 최저위[처리조(41)가 빈 상태]일 때에 있어서의 압력으로부터, 그 액위가 최고위[처리액(43)이 처리조(41)로부터 넘치는 상태]일 때에 있어서의 압력까지의 범위를 검출 범위로 하고 있다. 제2 검출기(86B)는 처리조(41) 내의 처리액(43)의 액위가 최고위에 있을 때에 있어서, 처리액(43)의 기체 함유량에 따른 압력의 변동 범위의 최소값으로부터 최대값까지를 검출 범위로 하고 있다.
처리액(43)의 액위가 최고위로 유지된 상태에 있어서, 제2 검출기(86B)의 검출값은, 주로 처리액(43)의 기체 함유량에 따라 변동하게 된다. 즉, 처리액(43)의 액위가 최고위로 유지된 상태에 있어서, 제2 검출기(86B)의 검출값은, 실질적으로, 처리액(43)의 기체 함유량에 상관한다. 한편, 제1 검출기(86A)의 검출 범위는, 제2 검출기(86B)의 검출 범위와 비교하여 크기 때문에, 제1 검출기(86A)에 의한 압력 검출값은, 처리액(43)의 기체 함유량의 변동에 대하여 실질적으로 불감이다. 이 때문에, 제1 검출기(86A)의 검출값은, 실질적으로 처리액(43)의 액위에 상관한다. 이상으로부터, 제1 검출기(86A) 및 제2 검출기(86B)를 조합하여 이용함으로써, 처리액(43)의 기체 함유량에 관한 정보를 얻을 수 있다. 즉, 제1 검출기(86A)의 검출값에 의해, 처리액(43)의 액위가 최고위로 유지되고 있는 것이 나타나 있을 때에, 제2 검출기(86B)의 검출값을 취득함으로써, 처리액(43)의 기체 함유량에 관한 정보를 얻을 수 있다.
(기판 승강 기구)
기판 승강 기구(36)는 기판(8)을 처리조(41) 내의 처리액(43)에 침지한다. 예컨대 기판 승강 기구(36)는 기립한 복수의 기판(8)을 두께 방향을 따라 배열한 상태로 처리액(43)에 침지한다.
보다 구체적으로, 기판 승강 기구(36)는 복수의 지지 아암(87)과, 승강부(88)를 갖는다. 복수의 지지 아암(87)은 폭 방향을 따라 기립한 복수의 기판(8)을 안길이 방향으로 정렬시킨 상태로 지지한다. 복수의 지지 아암(87)은 폭 방향으로 배열되어, 각각 안길이 방향으로 연장되어 있다. 각 지지 아암(87)은 안길이 방향으로 배열되는 복수의 슬롯(87a)을 갖는다. 슬롯(87a)은 폭 방향을 따라 상방에 개구한 홈형 부분이며, 기립한 기판(8)의 하부를 수용한다.
승강부(88)는 복수의 기판(8)을 처리액(43) 내에 침지하는 높이와, 복수의 기판(8)을 처리액(43)의 액면보다 위에 위치시키는 높이 사이에서 복수의 지지 아암(87)을 승강시킨다.
(제어부)
제어부(7)는 가스 노즐(70)의 하방의 제1 높이(H1)[예컨대, 처리조(41)의 바닥면에 있어서의 최저 부분의 높이]로부터, 기판(8)을 침지 가능한 제2 높이(H2)[예컨대, 처리조(41)의 상단면의 높이]로 액면이 상승할 때까지 처리조(41)에 처리액(43)을 공급하도록 처리액 공급부(44)를 제어하는 것과, 액면이 제2 높이(H2) 이상에 있는 상태에서 기판(8)을 처리액(43)에 침지하도록 기판 승강 기구(36)를 제어하는 것과, 액면이 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)로 하강할 때까지 처리조(41)로부터 처리액(43)을 배출하도록 처리액 배출부(67)를 제어하는 것과, 액면이 제1 높이(H1)로부터 제2 높이(H2)로 상승하는 도중에 가스의 공급량을 늘리고, 액면이 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)로 하강하는 도중에 가스의 공급량을 줄이도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을 실행하도록 구성되어 있다.
제어부(7)는 가스 노즐(70)의 본체(71) 내에 처리액(43)을 흡인할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 저하시키도록 가스 발출부(95)를 제어하는 것과, 본체(71) 내의 처리액(43)을 배출할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 상승시키도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있어도 좋다.
또한, 제어부(7)는 기판(8)끼리의 간격, 기판(8)의 침지가 개시된 후의 경과 시간 및 가스 노즐(70)의 배치 위치 중 적어도 어느 하나에 따라, 가스 공급부(89)로부터 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량을 바꾸도록 구성되어 있다.
제어부(7)는 가스의 공급량의 조절에 의해, 처리액(43)의 기체 함유량을 목표값에 근접시키도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있어도 좋고, 기판(8)끼리의 간격 및 기판(8)의 침지가 개시된 후의 경과 시간 중 적어도 한쪽에 따라 가스의 공급량을 바꿀 때에는, 그 목표값을 바꿈으로써 가스의 공급량을 바꾸어도 좋다.
도 6은 제어부(7)의 기능적인 구성을 예시하는 블록도이다. 도 6에 나타내는 바와 같이, 제어부(7)는 기능상의 구성(이하, 「기능 모듈」이라고 함)으로서, 액공급 제어부(111)와, 배액 제어부(112)와, 침지 제어부(113)와, 가스 공급 제어부(114)와, 세정 제어부(118)와, 레시피 기억부(119)를 갖는다.
레시피 기억부(119)는 처리 내용을 특정하기 위해 미리 설정된 각종 파라미터를 기억한다.
액공급 제어부(111)는 상기 제1 높이(H1)로부터 상기 제2 높이(H2)로 액면이 상승할 때까지 처리조(41)에 처리액(43)을 공급하도록 처리액 공급부(44)를 제어한다. 이하, 이 제어를 「처리액(43)의 충전 제어」라고 한다.
침지 제어부(113)는 액면이 제2 높이(H2) 이상에 있는 상태에서 기판(8)을 처리액(43)에 침지하도록 기판 승강 기구(36)를 제어한다. 이하, 이 제어를 「기판(8)의 침지 제어」라고 한다.
배액 제어부(112)는 액면이 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)로 하강할 때까지 처리조(41)로부터 처리액(43)을 배출하도록 처리액 배출부(67)를 제어한다. 이하, 이 제어를 「처리액(43)의 배출 제어」라고 한다.
가스 공급 제어부(114)는 보다 세분화된 기능 모듈로서, 온·오프 제어부(115)와, 목표값 설정부(116)와, 추종 제어부(117)를 갖는다.
온·오프 제어부(115)는 액면이 제1 높이(H1)로부터 제2 높이(H2)로 상승하는 도중에 가스의 공급량을 늘리고, 액면이 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)로 하강하는 도중에 가스의 공급량을 줄이도록 가스 공급부(89)를 제어한다. 가스의 공급량을 늘리도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것은, 개폐 밸브(92)를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 하여 가스의 공급을 개시하도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을 포함한다. 가스의 공급량을 줄이도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것은, 개폐 밸브(92)를 개방 상태로부터 폐쇄 상태로 하여 가스의 공급을 정지하도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을 포함한다.
온·오프 제어부(115)는 제1 높이(H1)로부터 제2 높이(H2)까지 상승하는 액면이 가스 노즐(70)의 토출 구멍(77)에 도달하기 전에 가스의 공급을 개시하고, 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)까지 하강하는 액면이 토출 구멍(77)을 통과한 후에 가스의 공급을 정지하도록 가스 공급부(89)를 제어하여도 좋다.
또한, 온·오프 제어부(115)는 제1 높이(H1)로부터 제2 높이(H2)까지 상승하는 액면이 가스 노즐(70)의 토출 구멍(77)에 도달하기 전에 가스의 공급을 개시하고, 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)까지 하강하는 액면이 토출 구멍(77)을 통과한 후에 가스의 공급을 정지하도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을, 높이가 상이한 가스 노즐(70)마다 실행하여도 좋다. 예컨대, 온·오프 제어부(115)는 제1 높이(H1)로부터 제2 높이(H2)까지 상승하는 액면이 가스 노즐(70A)의 토출 구멍(77)에 도달하기 전에 개폐 밸브(92A)를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 하고, 그 액면이 가스 노즐(70B)의 토출 구멍(77)에 도달하기 전에 개폐 밸브(92B)를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 하고, 그 액면이 가스 노즐(70C)의 토출 구멍(77)에 도달하기 전에 개폐 밸브(92C)를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 하도록 가스 공급부(89)를 제어한다. 그 후, 온·오프 제어부(115)는 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)까지 하강하는 액면이 가스 노즐(70C)의 토출 구멍(77)을 통과한 후에 개폐 밸브(92C)를 개방 상태로부터 폐쇄 상태로 하고, 그 액면이 가스 노즐(70B)의 토출 구멍(77)을 통과한 후에 개폐 밸브(92B)를 개방 상태로부터 폐쇄 상태로, 그 액면이 가스 노즐(70A)의 토출 구멍(77)을 통과한 후에 개폐 밸브(92C)를 개방 상태로부터 폐쇄 상태로 하도록 가스 공급부(89)를 제어한다.
온·오프 제어부(115)는 제1 높이(H1)로부터 제2 높이(H2)까지 상승하는 액면이 가스 노즐(70)의 토출 구멍(77)에 도달하기 전에 가스의 공급을 개시하고, 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)까지 하강하는 액면이 토출 구멍(77)을 통과한 후에 가스의 공급을 정지하도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을, 높이가 상이한 가스 노즐(70)에서 동시에 실행하여도 좋다. 이 경우, 온·오프 제어부(115)는 제1 높이(H1)로부터 제2 높이(H2)까지 상승하는 액면이 최저위의 가스 노즐(70)[가스 노즐(70A)]의 토출 구멍(77)에 도달하기 전에 모든 가스 노즐(70)에의 가스의 공급을 개시하고, 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)까지 하강하는 액면이 최저위의 가스 노즐(70)의 토출 구멍(77)을 통과한 후에 모든 가스 노즐(70)에의 가스의 공급을 정지하도록 가스 공급부(89)를 제어하여도 좋다.
목표값 설정부(116)는 기판(8)끼리의 간격 및 기판(8)의 침지가 개시된 후의 경과 시간 중 적어도 어느 하나에 따라, 처리액(43)의 기체 함유량의 목표값을 설정한다. 예컨대 목표값 설정부(116)는 상기 경과 시간을 침지 제어부(113)로부터 취득하고, 그 경과 시간에 따라 처리액(43)의 기체 함유량의 목표값을 바꾼다. 보다 구체적으로, 목표값 설정부(116)는 상기 경과 시간이 소정 타이밍이 되는 전후로, 처리액(43)의 기체 함유량의 목표값을 상위(相違)시켜도 좋다. 상기 타이밍과, 그 타이밍 전후의 목표값은 미리 설정되어, 레시피 기억부(119)에 기억되어 있고, 목표값 설정부(116)는 이들 정보를 레시피 기억부(119)로부터 취득한다.
레시피 기억부(119)에는 기판(8)끼리의 간격에 따라 상이한 목표값이 기억되어 있어도 좋다. 이 경우, 목표값 설정부(116)는 기판(8)끼리의 간격에 따라 목표값을 바꾸게 된다. 또한, 기판(8)끼리의 간격은 기판 승강 기구(36)의 지지 아암(87)이 지지하는 기판(8)의 매수에 따라 정해진다. 지지 아암(87)이 지지하는 기판(8)의 매수는, 기판(8)에 대한 에칭 처리의 조건에 따라 적절하게 설정된다. 예컨대, 인접하는 기판(8)의 한쪽의 용출물이 다른쪽의 에칭 처리에 미치는 영향을 무시할 수 없는 경우에는, 지지 아암(87)이 지지하는 기판(8)의 매수를 줄여 일부의 슬롯(87a)를 비워, 기판(8)끼리의 간격을 크게 할 필요가 있다.
추종 제어부(117)는 가스의 공급량의 조절에 의해, 처리액(43)의 기체 함유량을 상기 목표값에 근접시키도록 가스 공급부(89)를 제어한다. 이때에, 추종 제어부(117)는 가스 노즐(70)의 배치 위치에 따라, 가스 공급부(89)로부터 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량을 바꾸어도 좋다. 예컨대, 추종 제어부(117)는 상기 폭 방향의 중심을 기준으로 한 가스 노즐(70)의 위치에 따라, 가스 공급부(89)로부터 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량을 바꾸어도 좋다. 즉, 추종 제어부(117)는 가스 노즐(70)의 배치 위치가 상기 폭 방향의 중심으로부터 멀어짐에 따라 가스 공급부(89)로부터 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량을 크게 하여도 좋고, 가스 노즐(70)의 배치 위치가 상기 폭 방향의 중심으로부터 멀어짐에 따라 가스 공급부(89)로부터 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량을 작게 하여도 좋다. 보다 구체적으로, 추종 제어부(117)는 가스 노즐(70A, 70B, 70C)에의 가스의 공급량을 상위시키도록, 유량 조절기(93A, 93B, 93C)의 개방도를 상위시켜도 좋다.
세정 제어부(118)는 가스 노즐(70)의 본체(71) 내에 처리액(43)을 흡인할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 저하시키도록 가스 발출부(95)를 제어하는 것과, 본체(71) 내의 처리액(43)을 배출할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 상승시키도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을 실행한다. 이하, 이 제어를 「가스 노즐(70)의 세정 제어」라고 한다. 세정 제어부(118)는 가스 노즐(70)의 세정 제어를, 액면이 제1 높이(H1)로부터 제2 높이(H2)로 상승한 후, 처리액(43)에 기판(8)이 침지되기 전에 실행하여도 좋고, 처리액(43)에 기판(8)이 침지된 후, 액면이 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)로 하강하기 전에 실행하여도 좋다.
〔기판 액처리 방법〕
계속해서, 기판 액처리 방법의 일례로서, 제어부(7)가 실행하는 제어 순서를 설명한다. 도 7에 나타내는 바와 같이, 제어부(7)는 먼저 단계 S01을 실행한다. 단계 S01은 전술한 처리액(43)의 충전 제어를 포함한다. 보다 상세한 순서는 후술한다. 다음에, 제어부(7)는 단계 S02를 실행한다. 단계 S02는 전술한 가스 노즐(70)의 세정 제어를 포함한다. 보다 상세한 순서는 후술한다. 다음에, 제어부(7)는 단계 S03을 실행한다. 단계 S03은 전술한 기판(8)의 침지 제어를 포함한다. 보다 상세한 순서는 후술한다. 다음에, 제어부(7)는 단계 S04를 실행한다. 단계 S04는 전술한 처리액(43)의 배출 제어를 포함한다. 보다 상세한 순서는 후술한다.
다음에, 제어부(7)는 단계 S05를 실행한다. 단계 S05는 전체 로트의 액처리가 완료되었는지의 여부를 확인하는 것을 포함한다. 단계 S05에 있어서, 액처리가 미완료인 로트가 남아 있다고 판정한 경우, 제어부(7)는 순서를 단계 S01로 되돌린다. 이후, 전체 로트의 액처리가 완료될 때까지, 처리액(43)의 충전 제어, 가스 노즐(70)의 세정 제어, 기판(8)의 침지 제어 및 처리액(43)의 배출 제어가 반복된다. 단계 S05에 있어서, 전체 로트의 액처리가 완료되었다고 판정한 경우, 제어부(7)는 에칭 처리 장치(1)의 제어를 완료한다.
도 7의 예에 있어서, 제어부(7)는, 처리액(43)의 충전 제어의 후, 기판(8)의 침지 제어 전에 가스 노즐(70)의 세정 제어를 실행하고 있지만, 이에 한정되지 않는다. 예컨대 제어부(7)는 기판(8)의 침지 제어 후, 처리액(43)의 배출 제어 전에 가스 노즐(70)의 세정 제어를 실행하여도 좋다. 또한, 에칭 처리 장치(1)에 있어서의 처리에서는, 세정 처리 장치(25)에 있어서의 처리와 비교하여, 처리액에의 기판(8)의 침지 시에 많은 규소가 용출된다. 이에 의해, 처리조(34)의 규소 농도가 높아지는 경우에는, 도 7의 예와 같이, 처리조(41)의 충전 제어 후, 기판(8)의 침지 제어 전에 가스 노즐(70)의 세정 제어를 실행하는 것이 바람직하다.
또한, 도 7의 예에 있어서, 제어부(7)는 1 로트의 처리마다, 처리액의 충전 제어, 가스 노즐(70)의 세정 제어, 처리액의 배출 제어를 실행하고 있지만, 이에 한정되지 않고, 복수 로트마다 처리액의 충전 제어, 가스 노즐(70)의 세정 제어 및 처리액의 배출 제어를 실행하여도 좋다.
(처리액의 충전 순서)
계속해서, 상기 단계 S01에 있어서의 처리액(43)의 충전 제어의 상세한 순서를 설명한다. 도 8에 나타내는 바와 같이, 제어부(7)는 먼저 단계 S11을 실행한다. 단계 S11에서는, 액공급 제어부(111)가 처리조(41)에의 처리액(43)의 충전을 개시하도록 처리액 공급부(44)를 제어한다. 예컨대, 액공급 제어부(111)는 처리조(41)가 비어 있고, 개폐 밸브(69)가 폐쇄된 상태에서, 유량 조절기(46)를 개방하여 외부조(42) 내에의 처리액(43)의 공급을 개시하고, 공급 펌프(52)를 구동시켜 외부조(42)로부터 처리조(41)에의 송액을 개시하도록 처리액 공급부(44)를 제어한다.
다음에, 제어부(7)는 단계 S12를 실행한다. 단계 S12에서는, 온·오프 제어부(115)가 다음에 개방되어야 하는 개폐 밸브(92)에 대해서 미리 설정된 밸브 개방 시간을 대기한다. 개폐 밸브(92)의 밸브 개방 시간은, 그 개폐 밸브(92)에 대응하는 가스 노즐(70)의 토출 구멍(77)에 액면이 도달하기 전의 시간으로 설정되어 있고, 레시피 기억부(119)에 기억되어 있다. 개폐 밸브(92)의 밸브 개방 시간은, 대응하는 가스 노즐(70)의 높이에 따라 상이하고, 가스 노즐(70)이 고위에 있을수록 장시간으로 되어 있다.
다음에, 제어부(7)는 단계 S13을 실행한다. 단계 S13에서는, 온·오프 제어부(115)가, 단계 S12에서 밸브 개방 시간이 경과한 개폐 밸브(92)를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 전환하도록 가스 공급부(89)를 제어한다.
다음에, 제어부(7)는 단계 S14를 실행한다. 단계 S14에서는, 온·오프 제어부(115)가 전체 가스 노즐(70)의 개폐 밸브(92)가 개방되었는지의 여부를 확인한다.
단계 S14에 있어서, 미개방의 개폐 밸브(92)가 남아 있다고 판정한 경우, 제어부(7)는 순서를 단계 S12로 되돌린다. 이후, 모든 개폐 밸브(92)가 개방될 때까지, 제어부(7)는 밸브 개방 시간의 대기와 개폐 밸브(92)의 개방을 반복한다. 이에 의해, 저위의 가스 노즐(70)의 개폐 밸브(92)로부터 순서대로 개방된다. 보다 구체적으로, 처리액(43)의 액면이 가스 노즐(70A)의 토출 구멍(77)에 도달하기 전에 개폐 밸브(92A)가 개방되고, 가스 노즐(70A)의 토출 구멍(77)을 통과한 액면이 가스 노즐(70B)의 토출 구멍(77)에 도달하기 전에 개폐 밸브(92B)가 개방되어, 가스 노즐(70B)의 토출 구멍(77)을 통과한 액면이 가스 노즐(70C)의 토출 구멍(77)에 도달하기 전에 개폐 밸브(92C)이 개방된다.
단계 S14에 있어서, 모든 개폐 밸브(92)가 개방되었다고 판정한 경우, 제어부(7)는 단계 S15를 실행한다. 단계 S15에서는, 액공급 제어부(111)가 미리 설정된 충전 시간의 경과를 대기한다. 충전 시간은 처리액(43)의 액면이 제2 높이(H2)에 도달하는 시간 이후로 설정되어 있고, 레시피 기억부(119)에 기억되어 있다.
다음에, 제어부(7)는 단계 S16을 실행한다. 단계 S16에서는, 액공급 제어부(111)가 처리액(43)의 순환 제어를 개시한다. 처리액(43)의 순환 제어는, 공급 펌프(52)의 구동을 계속시킴으로써, 처리조(41)로부터 외부조(42)에 넘친 처리액(43)을 처리조(41)의 하부에 환류시키도록 처리액 공급부(44)를 제어하는 것을 포함한다. 그 순환 제어에 있어서, 액공급 제어부(111)는 농도 센서(58)에 의해 검출된 처리액(43)의 농도에 따라 순수용의 유량 조절기(48)의 개방도를 조절하도록 처리액 공급부(44)를 제어하는 것을 실행하여도 좋다. 이상으로, 상기 단계 S01이 완료된다.
(가스 노즐의 세정 순서)
계속해서, 상기 단계 S02에 있어서의 가스 노즐(70)의 세정 제어의 상세한 순서를 설명한다. 도 9에 나타내는 바와 같이, 제어부(7)는 먼저 단계 S21을 실행한다. 단계 S21에서는, 세정 제어부(118)가 개폐 밸브(92)를 폐쇄하여 가스 노즐(70)에의 가스의 공급을 중단하도록 가스 공급부(89)를 제어한다.
다음에, 제어부(7)는 단계 S22를 실행한다. 단계 S22에서는, 세정 제어부(118)는 가스 노즐(70)의 본체(71) 내에 처리액(43)을 흡인할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 저하시키도록 가스 발출부(95)를 제어한다. 예컨대 세정 제어부(118)는 감압 밸브(97)를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 하도록 가스 발출부(95)를 제어한다.
다음에, 제어부(7)는 단계 S23을 실행한다. 단계 S23에서는, 세정 제어부(118)가 미리 설정된 감압 시간을 대기한다. 감압 시간은 세정에 알맞은 양의 처리액(43)이 본체(71) 내에 흡인되도록 설정되어 있고, 레시피 기억부(119)에 기억되어 있다.
다음에, 제어부(7)는 단계 S24를 실행한다. 단계 S24에서는, 세정 제어부(118)가 본체(71) 내의 감압을 정지하도록 가스 발출부(95)를 제어한다. 예컨대 세정 제어부(118)는 감압 밸브(97)를 개방 상태로부터 폐쇄 상태로 하도록 가스 발출부(95)를 제어한다.
다음에, 제어부(7)는 단계 S25를 실행한다. 단계 S25에서는, 세정 제어부(118)가 미리 설정된 세정 시간을 대기한다. 세정 시간은 본체(71) 내에 흡인된 처리액(43)에 의한 세정 효과가 충분히 얻어지도록 설정되어 있고, 레시피 기억부(119)에 기억되어 있다.
다음에, 제어부(7)는 단계 S26을 실행한다. 단계 S26에서는, 세정 제어부(118)가 본체(71) 내의 처리액(43)을 배출할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 상승시키도록 가스 공급부(89)를 제어한다. 예컨대 세정 제어부(118)는 개폐 밸브(92)를 개방하여 가스 노즐(70)에의 가스의 공급을 재개하도록 가스 공급부(89)를 제어한다.
다음에, 제어부(7)는 단계 S27을 실행한다. 단계 S27에서는, 세정 제어부(118)가 미리 설정된 배액 시간을 대기한다. 배액 시간은 본체(71) 내에 흡인된 처리액(43)을 충분히 배액할 수 있도록 설정되고 있고, 레시피 기억부(119)에 기억되어 있다. 이상으로 상기 단계 S02가 완료된다.
(기판의 침지 순서)
계속해서, 상기 단계 S03에 있어서의 기판(8)의 침지 제어의 상세한 순서를 설명한다. 도 10에 나타내는 바와 같이, 제어부(7)는 먼저 단계 S31을 실행한다. 단계 S31에서는, 침지 제어부(113)가 복수의 기판(8)을 처리액(43)의 액면보다 위에 위치시키는 높이로부터, 그 복수의 기판(8)을 처리액(43) 내에 침지하는 높이까지, 복수의 지지 아암(87)을 하강시키도록 기판 승강 기구(36)를 제어한다.
다음에, 제어부(7)는 단계 S32를 실행한다. 단계 S32에서는, 침지 제어부(113)가 미리 설정된 처리 시간의 경과를 대기한다. 처리 시간은 필요로 되는 에칭의 정도에 따라 설정되고, 레시피 기억부(119)에 기억되어 있다.
다음에, 제어부(7)는 단계 S33을 실행한다. 단계 S33에서는, 침지 제어부(113)가 복수의 기판(8)을 처리액(43) 내에 침지하는 높이로부터, 그 복수의 기판(8)을 처리액(43)의 액면보다 위에 위치시키는 높이까지, 복수의 지지 아암(87)을 상승시키도록 기판 승강 기구(36)를 제어한다. 이상으로 상기 단계 S03가 완료된다.
(기판의 침지 중에 있어서의 가스 공급부의 제어 순서)
기판(8)의 침지 제어에 병행하여, 제어부(7)는 가스 공급부(89)에 의한 가스의 공급량의 제어를 실행한다. 이하, 가스의 공급량의 제어 순서를 설명한다. 도 11에 나타내는 바와 같이, 제어부(7)는 먼저 단계 S41을 실행한다. 단계 S41에서는, 목표값 설정부(116)가 처리액(43)의 기체 함유량의 목표값을 레시피 기억부(119)로부터 취득한다.
전술한 바와 같이, 레시피 기억부(119)에는 기판(8)끼리의 간격에 따라 상이한 목표값이 기억되어 있어도 좋다. 이 경우, 목표값 설정부(116)는 기판(8)끼리의 간격에 따라 목표값을 바꾸게 된다.
다음에, 제어부(7)는 단계 S42를 실행한다. 단계 S42에서는, 추종 제어부(117)가 처리액(43)의 기체 함유량에 관한 정보를 액위 센서(80)로부터 취득한다.
다음에, 제어부(7)는 단계 S43을 실행한다. 단계 S43에서는, 추종 제어부(117)가 처리액(43)의 기체 함유량을 목표값에 근접시키도록, 가스 공급부(89)로부터 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량을 설정한다. 예컨대, 추종 제어부(117)는 단계 S42에 있어서 취득된 정보에 기초하여, 처리액(43)의 기체 함유량의 현재값을 산출하고, 목표값과 현재값의 편차를 산출하여, 그 편차에 비례 연산, 비례·적분 연산, 또는 비례·적분·미분 연산을 실시하여 유량 조절기(93)의 개방도를 산출한다.
추종 제어부(117)는 가스 노즐(70)의 배치 위치에 따라, 가스 공급부(89)로부터 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량을 바꾸어도 좋다. 예컨대, 추종 제어부(117)는 상기 폭 방향의 중심을 기준으로 한 가스 노즐(70)의 위치에 따라, 그 가스 노즐(70)에 대응하는 유량 조절기(93)의 개방도 설정값을 바꾸어도 좋다. 즉, 추종 제어부(117)는 가스 노즐(70)의 배치 위치가 상기 폭 방향의 중심으로부터 멀어짐에 따라 유량 조절기(93)의 개방도 설정값을 크게 하여도 좋고, 가스 노즐(70)의 배치 위치가 상기 폭 방향의 중심으로부터 멀어짐에 따라 유량 조절기(93)의 개방도 설정값을 작게 하여도 좋다. 보다 구체적으로, 추종 제어부(117)는 가스 노즐(70A, 70B, 70C)에의 가스의 공급량을 상위시키도록, 유량 조절기(93A, 93B, 93C)의 개방도를 상위시켜도 좋다.
다음에, 제어부(7)는 단계 S44를 실행한다. 단계 S44에서는, 추종 제어부(117)가 단계 S43에서 설정된 개방도 설정값에 따라 유량 조절기(93)의 개방도를 조절하도록 가스 공급부(89)를 제어한다.
다음에, 제어부(7)는 단계 S45를 실행한다. 단계 S45에서는, 기판(8)의 침지가 개시된 후의 경과 시간이 목표값의 변경 타이밍에 도달하였는지의 여부를 목표값 설정부(116)가 확인한다. 목표값 설정부(116)는 경과 시간의 정보를 침지 제어부(113)로부터 취득하고, 목표값의 변경 타이밍의 정보를 레시피 기억부(119)로부터 취득한다.
단계 S45에 있어서, 경과 시간이 목표값의 변경 타이밍에 도달하였다고 판정한 경우, 제어부(7)는 단계 S46을 실행한다. 단계 S46에서는, 목표값 설정부(116)가 처리액(43)의 기체 함유량의 목표값을 변경한다. 예컨대 목표값 설정부(116)는 변경 타이밍 이후에 있어서의 처리액(43)의 기체 함유량의 목표값을 레시피 기억부(119)로부터 취득한다.
다음에, 제어부(7)는 단계 S47을 실행한다. 단계 S45에 있어서, 경과 시간이 목표값의 변경 타이밍에 도달하지 않는다고 판정한 경우, 제어부(7)는 단계 S46을 실행하는 일없이 단계 S47을 실행한다. 단계 S47에서는, 기판(8)의 침지가 완료되었는지의 여부를 목표값 설정부(116)가 확인한다. 목표값 설정부(116)는 기판(8)의 침지가 완료되었는지의 여부를 나타내는 정보를 침지 제어부(113)로부터 취득한다.
단계 S47에 있어서, 기판(8)의 침지가 완료되지 않았다고 판정한 경우, 제어부(7)는 순서를 단계 S42로 되돌린다. 이후, 기판(8)의 침지가 완료될 때까지, 처리액(43)의 기체 함유량을 목표값에 근접시키는 제어와, 경과 시간에 따라 목표 시간을 변경하는 것이 반복된다.
단계 S47에 있어서, 기판(8)의 침지가 완료되었다고 판정한 경우, 제어부(7)는 가스의 공급량의 제어를 완료한다.
(처리액의 배출 순서)
계속해서, 상기 단계 S04에 있어서의 처리액(43)의 배출 제어의 상세한 순서를 설명한다. 도 12에 나타내는 바와 같이, 제어부(7)는 먼저 단계 S51을 실행한다. 단계 S51에서는, 배액 제어부(112)가 처리조(41)로부터의 처리액(43)의 배출을 개시하도록 처리액 공급부(44) 및 처리액 배출부(67)를 제어한다. 예컨대 배액 제어부(112)는 유량 조절기(46) 및 유량 조절기(48)를 폐쇄하여 처리액(43) 및 순수의 공급을 정지하도록 처리액 공급부(44)를 제어한 후, 개폐 밸브(69)를 폐쇄 상태로부터 개방 상태로 하여 처리조(41)로부터의 처리액(43)의 배출을 개시하도록 처리액 배출부(67)를 제어한다.
다음에, 제어부(7)는 단계 S52를 실행한다. 단계 S52에서는, 온·오프 제어부(115)가 다음에 폐쇄되어야 하는 개폐 밸브(92)에 대해서 미리 설정된 밸브 폐쇄 시간을 대기한다. 개폐 밸브(92)의 밸브 폐쇄 시간은, 그 개폐 밸브(92)에 대응하는 가스 노즐(70)의 토출 구멍(77)을 액면이 통과하는 시간 이후의 시간으로 설정되어 있고, 레시피 기억부(119)에 기억되어 있다. 개폐 밸브(92)의 밸브 폐쇄 시간은, 대응하는 가스 노즐(70)의 높이에 따라 상이하고, 가스 노즐(70)이 저위에 있을수록 장시간으로 되어 있다.
다음에, 제어부(7)는 단계 S53을 실행한다. 단계 S53에서는, 온·오프 제어부(115)가 단계 S52에서 밸브 폐쇄 시간이 경과한 개폐 밸브(92)를 개방 상태로부터 폐쇄 상태로 전환하도록 가스 공급부(89)를 제어한다.
다음에, 제어부(7)는 단계 S54를 실행한다. 단계 S54에서는, 온·오프 제어부(115)가 전체 가스 노즐(70)의 개폐 밸브(92)가 폐쇄되었는지의 여부를 확인한다.
단계 S54에 있어서, 개방된 개폐 밸브(92)가 남아 있다고 판정한 경우, 제어부(7)는 순서를 단계 S52로 되돌린다. 이후, 모든 개폐 밸브(92)가 폐쇄될 때까지, 밸브 폐쇄 시간의 대기와 개폐 밸브(92)의 폐색이 반복된다. 이에 의해, 고위의 가스 노즐(70)의 개폐 밸브(92)로부터 순서대로 폐쇄된다. 보다 구체적으로, 처리액(43)의 액면이 가스 노즐(70C)의 토출 구멍(77)을 통과한 후에 개폐 밸브(92C)가 폐쇄되고, 가스 노즐(70C)의 토출 구멍(77)을 통과한 액면이 가스 노즐(70B)의 토출 구멍(77)을 통과한 후에 개폐 밸브(92B)가 폐쇄되고, 가스 노즐(70B)의 토출 구멍(77)을 통과한 액면이 가스 노즐(70A)의 토출 구멍(77)을 통과한 후에 개폐 밸브(92A)가 폐쇄된다.
단계 S54에 있어서, 모든 개폐 밸브(92)가 폐쇄되었다고 판정한 경우, 제어부(7)는 단계 S55를 실행한다. 단계 S55에서는, 배액 제어부(112)가 미리 설정된 배액 시간의 경과를 대기한다. 배액 시간은 처리액(43)의 액면이 제1 높이(H1)에 도달하는 시간 이후로 설정되어 있고, 레시피 기억부(119)에 기억되어 있다.
다음에, 제어부(7)는 단계 S56을 실행한다. 단계 S56에서는, 배액 제어부(112)가 공급 펌프(52)의 구동을 정지하도록 처리액 공급부(44)를 제어하고, 개폐 밸브(69)을 폐쇄하도록 처리액 배출부(67)를 제어한다. 이상으로, 상기 단계 S04가 완료된다.
〔본 실시형태의 효과〕
이상에 설명한 바와 같이, 기판 액처리 장치(A1)는 처리액(43) 및 기판(8)을 수용하는 처리조(41)와, 기판(8)을 처리조(41) 내의 처리액(43)에 침지하는 기판 승강 기구(36)와, 처리조(41) 내의 하부에서 가스를 토출하는 가스 노즐(70)과, 가스 노즐(70)에 가스를 공급하는 가스 공급부(89)를 구비하고, 가스 노즐(70)은 처리조(41)의 바닥면을 따르도록 배치된 관형의 본체(71)와, 본체(71)의 내면(73) 및 외면(74) 사이를 관통하고, 내면(73)측으로부터 외면(74)측을 향함에 따라 개구 면적이 작아지도록 형성된 토출 구멍(77)을 갖는다.
기판 액처리 장치(A1)에 있어서, 가스 노즐(70)로부터 처리액(43) 내에 가스를 토출하고 있을 때에는, 가스 노즐(70) 내의 압력은 높은 상태로 유지되기 때문에, 처리액(43)은 토출 구멍(77) 내에 진입하기 어렵다. 그러나, 토출 구멍(77)의 내면 근방에는, 가스류의 고임이 생기는 경우가 있고, 고임이 생긴 부분(이하, 「고임 부분」이라고 함)에는 약간이지만 처리액(43)이 진입할 수 있다. 상기 고임 부분에 진입한 처리액(43)은, 그 부분에 머물며, 이윽고 고착될 우려가 있다.
이에 비하여, 기판 액처리 장치(A1)에서는, 가스 노즐(70)의 토출 구멍(77)이 내면(73)측으로부터 외면(74)측을 향함에 따라 개구 면적이 작아지도록 형성되어 있기 때문에, 토출 구멍(77) 내의 유로는 상류측으로부터 하류측을 향하여 서서히 좁혀진 상태가 된다. 이에 의해, 토출 구멍(77)의 내면 근방에 있어서의 고임의 발생이 억제되기 때문에, 고임 부분에 있어서의 처리액(43)의 고착도 억제된다. 따라서, 가스 노즐(70)의 막힘을 방지하는 데 유효하다. 이에 의해, 가스의 공급 경로가 장기간에 걸쳐 일정한 상태로 유지되기 때문에, 처리액(43)에의 가스 공급 상태의 안정화에 유효하다.
가스 노즐(70)에 공급되는 가스를 가열하는 가스 가열부(94)를 더 구비하여도 좋다. 이 경우, 가열된 가스의 열 에너지에 의해, 처리액(43)의 고착이 보다 확실하게 억제된다. 또한, 전술한 바와 같이, 토출 구멍(77)의 내면 근방에 있어서의 고임의 발생이 억제되기 때문에, 가스의 열 에너지가 토출 구멍(77)의 내면에 효율적으로 전달된다. 이것도, 처리액(43)의 고착 억제에 기여한다.
본체(71)는 규소를 함유하지 않는 재료로 구성되어 있어도 좋다. 이 경우, 예컨대 기판(8)으로부터 처리액(43) 중에 용해된 규소 함유 성분과, 본체(71)의 친화성이 낮아지기 때문에, 처리액(43)의 고착이 보다 확실하게 억제된다.
토출 구멍(77)은 본체(71)의 하부에 마련되어 있어도 좋다. 이 경우, 가스 노즐(70) 내에 진입한 처리액(43)을 가스 노즐(70) 밖으로 배출하기 쉽다. 또한, 전술한 바와 같이, 토출 구멍(77)의 내면 근방에 있어서의 고임의 발생이 억제되는 것도, 처리액(43)이 배출하기 쉬운 것에 기여한다.
기판 액처리 장치(A1)는 처리액(43)에의 기판(8)의 침지가 개시된 후의 경과 시간에 따라, 가스 공급부(89)에 의한 가스의 공급량을 변경하도록 구성된 제어부(7)를 더 구비하여도 좋다. 가스의 공급량이 변동하는 경우, 이에 따라 가스 노즐(70)의 내압도 변동하기 때문에, 토출 구멍(77) 내에의 처리액(43)이 들어가기 쉬운 것도 변동한다. 이 때문에, 토출 구멍(77) 내에의 처리액(43)의 약간의 출입이 생길 수 있다. 이에 대하여, 전술한 바와 같이 토출 구멍(77)의 내면 근방에 있어서의 고임의 발생이 억제됨으로써, 토출 구멍(77) 내에의 처리액(43)의 잔존 및 고착을 억제할 수 있다.
기판 액처리 장치(A1)는 본체(71)의 내압을 저하시키는 가스 발출부(95)를 더 구비하고, 제어부(7)는 본체(71) 내에 처리액(43)을 흡인할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 저하시키도록 가스 발출부(95)를 제어하는 것과, 본체(71) 내의 처리액(43)을 배출할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 상승시키도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있어도 좋다. 이 경우, 가스 노즐(70) 내에 흡인한 처리액(43)에 의해 가스 노즐(70) 내의 잔류 물질을 씻어 버릴 수 있다. 전술한 바와 같이, 토출 구멍(77)의 내면 근방에 있어서의 고임의 발생이 억제되기 때문에, 가스 노즐(70) 내에 흡인한 처리액에 의해 씻겨진 물질을 보다 확실하게 가스 노즐(70) 밖으로 배출할 수 있다.
또한, 이상에 설명한 바와 같이, 기판 액처리 장치(A1)는 처리액(43) 및 기판(8)을 수용하는 처리조(41)와, 기판(8)을 처리조(41) 내의 처리액(43)에 침지하는 기판 승강 기구(36)와, 처리조(41) 내에 처리액(43)을 공급하는 처리액 공급부(44)와, 처리조(41) 내로부터 처리액(43)을 배출하는 처리액 배출부(67)와, 처리조(41) 내의 하부에서 가스를 토출하는 가스 노즐(70)과, 가스 노즐(70)에 가스를 공급하는 가스 공급부(89)와, 가스 노즐(70)의 하방의 제1 높이(H1)로부터, 기판(8)을 침지 가능한 제2 높이(H2)로 액면이 상승할 때까지 처리조(41)에 처리액(43)을 공급하도록 처리액 공급부(44)를 제어하는 것과, 액면이 제2 높이(H2) 이상에 있는 상태로 기판(8)을 처리액(43)에 침지하도록 기판 승강 기구(36)를 제어하는 것과, 액면이 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)로 하강할 때까지 처리조(41)로부터 처리액(43)을 배출하도록 처리액 배출부(67)를 제어하는 것과, 액면이 제1 높이(H1)로부터 제2 높이(H2)로 상승하는 도중에 가스의 공급량을 늘리고, 액면이 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)로 하강하는 도중에 가스의 공급량을 줄이도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을 실행하도록 구성된 제어부(7)를 구비한다.
기판 액처리 장치(A1)에 의하면, 처리액(43)의 공급에 의해 액면이 제1 높이(H1)로부터 제2 높이(H2)까지 상승할 때, 처리액(43)이 제2 높이(H2)에 도달하기 전에 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량이 늘어난다. 이에 의해, 가스 노즐(70) 내로의 처리액의 진입이 억제된다. 처리액(43)의 배출에 의해 액면이 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)까지 하강할 때, 처리액(43)이 제1 높이(H1)에 도달하기 전에 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량이 줄어든다. 이에 의해, 처리액(43)의 배출 후에 있어서의 가스 노즐(70)의 과건조를 억제함으로써, 가스 노즐(70)에 잔류한 성분의 고착·고정화가 억제된다. 따라서, 처리액(43)에의 가스의 공급 경로가 장기간에 걸쳐 일정 상태로 유지되기 때문에, 처리액(43)에의 가스 공급 상태의 안정화에 유효하다.
가스 노즐(70)은 처리조(41)의 바닥면을 따르도록 배치된 관형의 본체(71)와, 본체(71)의 내면(73) 및 외면(74) 사이를 관통하도록 형성된 토출 구멍(77)을 가지고, 제어부(7)는 제1 높이(H1)로부터 제2 높이(H2)까지 상승하는 액면이 토출 구멍(77)에 도달하기 전에 가스의 공급량을 늘리고, 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)까지 하강하는 액면이 토출 구멍(77)을 통과한 후에 가스의 공급량을 줄이도록 가스 공급부를 제어하여도 좋다. 이 경우, 가스 노즐(70) 내로의 처리액(43)의 진입을 더욱 억제할 수 있다.
토출 구멍(77)은 본체(71)의 하부에 마련되어 있어도 좋다. 이 경우, 가스 노즐(70) 내에 진입한 처리액(43)을 가스 노즐(70) 밖으로 배출하기 쉽다.
본체(71)는 원관형이어도 좋고, 토출 구멍(77)은 본체(71)의 관 중심(72)의 연직 하방으로부터 벗어난 위치에 마련되어 있어도 좋다. 이 경우, 가스 노즐(70)로부터의 기포의 부상 방향을 본체(71)의 한쪽측에 집중시켜, 기포의 확산 상태의 안정성을 향상시킬 수 있다.
토출 구멍(77)의 위치는, 본체(71)의 관 중심(72)을 포함하는 연직의 가상 평면(75)이 토출 구멍(77) 내를 통과하지 않도록 설정되어 있어도 좋다. 이 경우, 기포의 부상 방향을 보다 확실하게 본체(71)의 한쪽측에 집중시킬 수 있다.
토출 구멍(77)의 중심은, 본체(71)의 관 중심(72) 둘레에서 연직 하방±10°의 범위(76) 내에 위치하고 있어도 좋다. 이 경우, 가스 노즐(70) 내로부터의 처리액의 배출성과, 기포의 확산 상태의 안정성의 양립을 도모할 수 있다.
기판 액처리 장치(A1)는 본체(71)의 내압을 저하시키는 가스 발출부(95)를 더 구비하여도 좋고, 제어부(7)는 본체(71) 내에 처리액(43)을 흡인할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 저하시키도록 가스 발출부(95)를 제어하는 것과, 본체(71) 내의 처리액(43)을 배출할 수 있는 압력까지 기포관(81)의 내압을 상승시키도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있어도 좋다. 이 경우, 가스 노즐(70) 내로의 처리액(43)의 진입에 따라 잔류하고 있던 물질을 씻어낼 수 있다.
제어부(7)는 본체(71) 내에 처리액(43)을 흡인할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 저하시키도록 가스 발출부(95)를 제어하는 것과, 본체(71) 내의 처리액(43)을 배출할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 상승시키도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을, 액면이 제1 높이(H1)로부터 제2 높이(H2)로 상승한 후, 처리액(43)에 기판(8)이 침지되기 전에 실행하여도 좋다. 이 경우, 기판(8)의 침지에 의해 처리액(43) 내에 용출한 물질이 가스 노즐(70) 내에 진입하는 것을 억제할 수 있다.
제어부(7)는 본체(71) 내에 처리액(43)을 흡인할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 저하시키도록 가스 발출부(95)를 제어하는 것과, 본체(71) 내의 처리액(43)을 배출할 수 있는 압력까지 본체(71)의 내압을 상승시키도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을, 처리액(43)에 기판(8)이 침지된 후, 액면이 제2 높이(H2)로부터 제1 높이(H1)로 하강하기 전에 실행하여도 좋다. 이 경우, 기판(8)의 침지 전의 처리액(43)에 가스 노즐(70) 내로부터의 배출물이 혼입하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 기판 액처리 장치(A1)는 처리액(43) 및 기판(8)을 수용하는 처리조(41)와, 기립한 복수의 기판(8)을 두께 방향을 따라 배열한 상태로 처리조(41) 내의 처리액(43)에 침지하는 기판 승강 기구(36)와, 처리조(41) 내의 하부에서 가스를 토출하는 복수의 가스 노즐(70)과, 복수의 가스 노즐(70)에 가스를 공급하는 가스 공급부(89)와, 기판(8)끼리의 간격, 기판(8)의 침지가 개시된 후의 경과 시간 및 가스 노즐(70)의 배치 위치 중 적어도 어느 하나에 따라, 가스 공급부(89)로부터 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량을 바꾸도록 구성된 제어부(7)를 구비한다.
가스 노즐(70)의 공급하여야 하는 가스의 양은, 여러 가지 인자로 변동된다. 특히, 기판(8)끼리의 간격, 기판(8)의 침지가 개시된 후의 경과 시간 및 가스 노즐(70)의 배치 위치는, 모두 큰 인자가 될 수 있다. 이 때문에, 기판(8)끼리의 간격, 기판(8)의 침지가 개시된 후의 경과 시간 및 가스 노즐(70)의 배치 위치 중 적어도 어느 하나에 따라 가스의 공급량을 설정하는 제어부(7)를 구비하는 기판 액처리 장치(A1)는, 가스의 공급량의 적정화에 유효하다.
제어부(7)는 적어도 상기 경과 시간에 따라 가스 공급부(89)로부터 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량을 바꾸어도 좋다. 제어부(7)는 적어도 기판(8)끼리의 간격에 따라 가스 공급부(89)로부터 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량을 바꾸어도 좋다.
기판 액처리 장치(A1)는 처리액(43)에 포함되는 기체의 양에 관한 정보를 취득하는 액위 센서(80)를 더 구비하여도 좋고, 제어부(7)는 가스의 공급량의 조절에 의해, 처리액(43)에 포함되는 기체의 양을 목표값에 근접시키도록 가스 공급부(89)를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되고, 기판(8)끼리의 간격 및 기판(8)의 침지가 개시된 후의 경과 시간 중 적어도 어느 하나에 따라 가스의 공급량을 바꿀 때에는, 상기 목표값을 바꿈으로써 가스 공급부(89)로부터 가스 노즐(70)에의 가스의 공급량을 바꾸어도 좋다. 이 경우, 기판(8)끼리의 간격 및 기판(8)의 침지가 개시된 후의 경과 시간 중 적어도 어느 하나에 따라 가스의 공급량의 목표값을 설정하는 것과, 그 목표값에 가스의 공급량을 추종시키는 제어를 더불어 실행함으로써, 가스의 공급량을 보다 확실하게 적정 상태에 근접시킬 수 있다. 따라서, 가스의 공급량의 적정화에 더욱 유효하다.
이상, 실시형태에 대해서 설명하였지만, 본 발명은 반드시 전술한 실시형태에 한정되는 것이 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러 가지 변경이 가능하다. 처리 대상의 기판은 실리콘 웨이퍼에 한정되지 않고, 예컨대 유리 기판, 마스크 기판, FPD(Flat Panel Display) 등이어도 좋다. 또한, 에칭 처리 장치(1)에 관한 구성을 기판 액처리 장치(A1)로서 상세하게 나타내었지만, 동일한 구성을 세정 처리 장치(25)에도 적용 가능하다.
A1 : 기판 액처리 장치 7 : 제어부
8 : 기판 36 : 기판 승강 기구(반송부)
37 : 기판 승강 기구 70, 70A, 70B, 70C : 가스 노즐
89 : 가스 공급부 94 : 가스 가열부
95 : 가스 발출부 41 : 처리조
43 : 처리액 71 : 본체
73 : 내면 74 : 외면
77 : 토출 구멍 72 : 관 중심

Claims (10)

  1. 처리액 및 기판을 수용하는 처리조와,
    상기 처리조 내의 하부에서 가스를 토출하는 가스 노즐과,
    상기 가스 노즐에 상기 가스를 공급하는 가스 공급부
    를 구비하고,
    상기 가스 노즐은,
    상기 처리조의 바닥면을 따르도록 배치된 관형의 본체와,
    상기 본체의 내면 및 외면 사이를 관통하여, 상기 내면측으로부터 상기 외면측을 향함에 따라 개구 면적이 작아지도록 형성된 토출 구멍을 갖는 것인 기판 액처리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가스 노즐에 공급되는 상기 가스를 가열하는 가스 가열부를 더 구비하는 기판 액처리 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 본체는 규소를 함유하지 않는 재료로 구성되어 있는 것인 기판 액처리 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 토출 구멍은 상기 본체의 하부에 마련되어 있는 것인 기판 액처리 장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 본체는 원관형이고,
    상기 토출 구멍은, 상기 본체의 관 중심의 연직 하방으로부터 벗어난 위치에 마련되어 있는 것인 기판 액처리 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 토출 구멍의 위치는 상기 본체의 관 중심을 포함하는 연직의 가상 평면이 상기 토출 구멍 내를 통과하지 않도록 설정되어 있는 것인 기판 액처리 장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 토출 구멍의 중심은, 상기 본체의 관 중심 둘레에서 연직 하방±10°의 범위 내에 위치하고 있는 것인 기판 액처리 장치.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 처리액에의 상기 기판의 침지가 개시된 후의 경과 시간에 따라, 상기 가스 공급부에 의한 상기 가스의 공급량을 변경하도록 구성된 제어부를 더 구비하는 기판 액처리 장치.
  9. 제8항에 있어서, 상기 본체의 내압을 저하시키는 가스 발출부를 더 구비하고,
    상기 제어부는,
    상기 본체 내에 상기 처리액을 흡인할 수 있는 압력까지 상기 본체의 내압을 저하시키도록 상기 가스 발출부를 제어하는 것과, 상기 본체 내의 상기 처리액을 배출할 수 있는 압력까지 상기 본체의 내압을 상승시키도록 상기 가스 공급부를 제어하는 것을 더 실행하도록 구성되어 있는 것인 기판 액처리 장치.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 본체의 내압을 저하시키는 가스 발출부와,
    상기 본체 내에 상기 처리액을 흡인할 수 있는 압력까지 상기 본체의 내압을 저하시키도록 상기 가스 발출부를 제어하는 것과, 상기 본체 내의 상기 처리액을 배출할 수 있는 압력까지 상기 본체의 내압을 상승시키도록 상기 가스 공급부를 제어하는 것을 실행하도록 구성된 제어부
    를 더 구비하는 기판 액처리 장치.
KR1020180034989A 2017-03-31 2018-03-27 기판 액처리 장치 KR102469906B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017072134A JP6788542B2 (ja) 2017-03-31 2017-03-31 基板液処理装置
JPJP-P-2017-072134 2017-03-31

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20180111571A KR20180111571A (ko) 2018-10-11
KR102469906B1 true KR102469906B1 (ko) 2022-11-22

Family

ID=63844801

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180034989A KR102469906B1 (ko) 2017-03-31 2018-03-27 기판 액처리 장치

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP6788542B2 (ko)
KR (1) KR102469906B1 (ko)
CN (1) CN108695208B (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6650228B2 (ja) * 2015-08-17 2020-02-19 株式会社神戸製鋼所 繊維強化熱可塑性樹脂テープの製造装置及び製造方法
TWI804053B (zh) * 2019-02-20 2023-06-01 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
JP7368264B2 (ja) 2019-02-20 2023-10-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、及び基板処理方法
JP7181156B2 (ja) * 2019-05-31 2022-11-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理システム及び基板処理方法
KR102232013B1 (ko) * 2019-09-25 2021-03-24 세메스 주식회사 베이크 장치
JP7381351B2 (ja) * 2020-01-20 2023-11-15 株式会社ジェイ・イー・ティ 基板処理装置
JP7454986B2 (ja) 2020-03-31 2024-03-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP2022026660A (ja) * 2020-07-31 2022-02-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP7476024B2 (ja) * 2020-08-03 2024-04-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法及び基板処理装置
WO2022176695A1 (ja) 2021-02-19 2022-08-25 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び液体誘導部材

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004247471A (ja) * 2003-02-13 2004-09-02 Seiko Epson Corp 半導体基板の処理装置、半導体チップの製造方法、半導体チップ、半導体装置および電子機器

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0758078A (ja) * 1993-08-19 1995-03-03 Matsushita Electron Corp ウエットエッチング処理装置
JP3352868B2 (ja) * 1995-12-20 2002-12-03 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理槽
JP4540163B2 (ja) * 2000-01-14 2010-09-08 ルネサスエレクトロニクス株式会社 洗浄装置及びその洗浄装置を利用した被洗浄物の洗浄方法
JP4302131B2 (ja) * 2006-09-26 2009-07-22 Ｏｋｉセミコンダクタ株式会社 半導体装置の製造方法及び、ウエットエッチング処理装置
JP5213638B2 (ja) * 2008-10-24 2013-06-19 新電元工業株式会社 ウェットエッチング方法
JP5923300B2 (ja) * 2011-12-28 2016-05-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6287750B2 (ja) * 2013-12-27 2018-03-07 東京エレクトロン株式会社 基板液処理装置
JP2015179725A (ja) * 2014-03-19 2015-10-08 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、基板処理方法、および流体吐出ユニット

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004247471A (ja) * 2003-02-13 2004-09-02 Seiko Epson Corp 半導体基板の処理装置、半導体チップの製造方法、半導体チップ、半導体装置および電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018174257A (ja) 2018-11-08
CN108695208A (zh) 2018-10-23
JP6788542B2 (ja) 2020-11-25
CN108695208B (zh) 2023-06-27
KR20180111571A (ko) 2018-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102469906B1 (ko) 기판 액처리 장치
KR102111236B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법, 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
KR102280703B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기록한 컴퓨터 판독 가능한 기록 매체
US9027573B2 (en) Substrate processing apparatus for maintaining a more uniform temperature during substrate processing
CN107017160B (zh) 基板液处理装置和基板液处理方法
KR102513202B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
KR102531960B1 (ko) 기판 액 처리 장치, 기판 액 처리 방법 및 기억 매체
KR102381166B1 (ko) 기판액 처리 장치, 기판액 처리 방법 및 기억 매체
KR102414348B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체
KR102450184B1 (ko) 기판 액처리 장치
KR102480692B1 (ko) 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
KR102530228B1 (ko) 기판 액처리 장치 및 기판 액처리 방법, 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
KR102469675B1 (ko) 기판 액처리 장치
JP6805048B2 (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
CN109494175B (zh) 基板液处理装置和存储介质
KR102579164B1 (ko) 기판 액 처리 장치 및 기억 매체
JP6895295B2 (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
KR102455455B1 (ko) 칭량 장치, 기판 액 처리 장치, 칭량 방법, 기판 액 처리 방법 및 기억 매체
JP7001804B2 (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法及び記憶媒体
KR20200023210A (ko) 기판 액 처리 장치, 기판 액 처리 방법 및 기억 매체
KR20190136998A (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법, 및 기억 매체
KR102341676B1 (ko) 기판 처리 장치, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법
WO2022176695A1 (ja) 基板処理装置及び液体誘導部材
JP6632684B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
CN113169065A (zh) 基板处理装置以及基板处理方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant