CN117747490A - 基板处理装置及基板处理方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供基板处理装置及基板处理方法。基板处理装置(100)具备处理槽(110)、基板保持部(120)、气泡供给部(135)和多个处理液供给部(An)。基板保持部(120)将基板(W)浸渍在贮存于处理槽(110)的处理液(LQ)中。气泡供给部(135)从基板(W)的下方对处理液(LQ)供给多个气泡(BB)。处理槽(110)包括第一侧壁(116)和第二侧壁(117)。多个处理液供给部(An)包括至少1个第一处理液供给部(An)和至少1个第二处理液供给部(An)。至少1个第一处理液供给部(An)配置在第一侧壁(116)侧，向气泡(BB)供给处理液(LQ)。至少1个第二处理液供给部(An)配置在第二侧壁(117)侧，向气泡(BB)供给处理液(LQ)。

Description

基板处理装置及基板处理方法

技术领域

本发明涉及基板处理装置及基板处理方法。

背景技术

专利文献1所记载的基板处理装置具备基板保持部、处理槽和多个气泡产生管。基板保持部保持沿列方向排成一列的基板列中排列的多个基板。处理槽贮存用于浸渍被基板保持部保持的基板的处理液。多个气泡供给管通过向处理液供给气体而在处理液中产生气泡。向多个气泡产生管中位于浸渍在处理液中的基板列的端部下方的端部气泡产生管供给的气体的流量，比向位于基板列中央下方的中央气泡产生管供给的气体的流量多。因此，能够使从中央气泡产生管及端部气泡产生管产生的气泡的量大致相等，能够抑制每个基板的处理不均。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2022-73307号公报

但是，在专利文献1所记载的基板处理装置中，只不过是控制气泡的量。因此，根据处理条件，在处理液中气泡分布有可能产生偏差。其结果，在浸渍于处理液的基板的表面及其附近，有可能存在气泡不足的区域。

发明内容

本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种在基板的表面及其附近能够降低气泡不足的区域的基板处理装置及基板处理方法。

根据本发明的一个方面，基板处理装置具备处理槽、基板保持部、气泡供给部以及多个处理液供给部。处理槽贮存处理液。基板保持部保持基板，并将所述基板浸渍在贮存于所述处理槽的所述处理液中。气泡供给部配置在所述处理槽，从所述基板的下方对所述处理液供给多个气泡。多个处理液供给部配置在所述处理槽，向所述处理槽内部供给所述处理液。所述处理槽包括彼此对置的第一侧壁及第二侧壁。所述多个处理液供给部包括至少1个第一处理液供给部以及至少1个第二处理液供给部。至少1个第一处理液供给部配置在所述第一侧壁侧，向所述气泡供给所述处理液。至少1个第二处理液供给部配置在所述第二侧壁侧，向所述气泡供给所述处理液。

在本发明的一个方式中，优选所述多个处理液供给部中2个以上的处理液供给部分别属于彼此不同的多个组中的至少1个组。优选所述多个组的各组包括至少1个所述处理液供给部。优选属于所述组的所述处理液供给部在每个所述组不同的期间向所述气泡供给所述处理液。

在本发明的一个方式中，优选所述至少1个第一处理液供给部为多个。优选所述至少1个第二处理液供给部为多个。优选所述多个组包括第一组、第二组和第三组。优选所述第一组包括所述多个第一处理液供给部中的至少1个第一处理液供给部，不包括所述第二处理液供给部。优选所述第二组包括所述多个第二处理液供给部中的至少1个第二处理液供给部，不包括所述第一处理液供给部。优选所述第三组包括所述多个第一处理液供给部中的至少1个第一处理液供给部和所述多个第二处理液供给部中的至少1个第二处理液供给部。

在本发明的一个方式中，优选基板处理装置还具备存储部和控制部。优选存储部存储通过对学习数据进行学习而构建的已学习模型。优选控制部控制所述存储部。优选所述学习数据包含处理量信息和处理条件信息。优选所述处理量信息包含表示学习用处理液对学习用基板的处理量的信息。优选所述处理条件信息至少包含表示属于各学习用组的1个以上学习用处理液供给部的信息以及表示所述各学习用组供给所述学习用处理液的定时的信息。优选所述控制部将输入信息输入到所述已学习模型，从所述已学习模型取得输出信息。优选所述输入信息包含表示所述处理液对所述基板的处理量的目标值的信息。优选所述输出信息至少包含表示属于所述各组的1个以上所述处理液供给部的信息以及表示所述各组应供给所述处理液的定时的信息。优选所述控制部基于所述输出信息控制所述多个处理液供给部。

在本发明的一个方式中，优选基板处理装置还具备处理液流量调整部。优选处理液流量调整部对每个上述处理液供给部调整所述处理液的供给流量。

在本发明的一个方式中，优选所述气泡供给部包括多个气泡供给管。优选多个气泡供给管各自接受气体的供给并向所述处理液供给所述气泡。优选基板处理装置还具备气泡调整部。优选气泡调整部对每个所述气泡供给管调整所述气体的供给流量。

在本发明的一个方式中，优选所述处理液是清洗液。优选所述基板保持部将由贮存于与所述处理槽不同的药液槽中的药液处理后的所述基板浸渍在贮存于所述处理槽的所述清洗液中。

根据本发明的另一方面，基板处理装置具备清洗槽、基板保持部、流体供给部和多个清洗液供给部。清洗槽贮存清洗液。基板保持部保持由贮存于与所述清洗槽不同的药液槽的药液处理后的基板，并将所述基板浸渍在贮存于所述清洗槽的所述清洗液中。流体供给部配置在所述清洗槽，从所述基板的下方对所述清洗液供给流体。多个清洗液供给部配置在所述清洗槽，向所述清洗槽内部供给所述清洗液。所述清洗槽包括彼此对置的第一侧壁及第二侧壁。所述多个清洗液供给部包括至少1个第一清洗液供给部以及至少1个第二清洗液供给部。第一清洗液供给部配置在所述第一侧壁侧，向所述清洗槽的内部供给所述清洗液。第二清洗液供给部配置在所述第二侧壁侧，向所述清洗槽内部供给所述清洗液。

根据本发明的另一方面，基板处理方法由具备处理槽和多个处理液供给部的基板处理装置执行。基板处理方法包括：浸渍工序，在贮存于所述处理槽的处理液中浸渍基板；气泡供给工序，从所述基板的下方对所述处理液供给多个气泡；以及气泡控制工序，通过从1个以上的所述处理液供给部向所述气泡供给所述处理液，来控制所述气泡的动作。所述处理槽包括彼此对置的第一侧壁及第二侧壁。所述多个处理液供给部包括至少1个第一处理液供给部以及至少1个第二处理液供给部。至少1个第一处理液供给部配置在所述第一侧壁侧，向所述气泡供给所述处理液。至少1个第二处理液供给部配置在所述第二侧壁侧，向所述气泡供给所述处理液。

在本发明的一个方式中，优选所述多个处理液供给部中2个以上的处理液供给部分别属于彼此不同的多个组中的至少1个组。优选所述多个组的各组包括至少1个所述处理液供给部。优选在所述气泡控制工序中，属于所述组的所述处理液供给部在每个所述组不同的期间向所述气泡供给所述处理液。

在本发明的一个方式中，优选所述至少1个第一处理液供给部为多个。优选所述至少1个第二处理液供给部为多个。优选所述多个组包括第一组、第二组和第三组。优选所述第一组包括所述多个第一处理液供给部中的至少1个第一处理液供给部，不包括所述第二处理液供给部。优选所述第二组包括所述多个第二处理液供给部中的至少1个第二处理液供给部，不包括所述第一处理液供给部。优选所述第三组包括所述多个第一处理液供给部中的至少1个第一处理液供给部和所述多个第二处理液供给部中的至少1个第二处理液供给部。

在本发明的一个方面中，优选基板处理方法还具备已学习模型利用工序，在该工序中向通过对学习数据进行学习而构建的已学习模型输入输入信息，并从所述已学习模型取得输出信息。优选所述学习数据包含处理量信息和处理条件信息。优选所述处理量信息包含表示学习用处理液对学习用基板的处理量的信息。优选所述处理条件信息至少包含表示属于各学习用组的1个以上学习用处理液供给部的信息以及表示所述各学习用组供给所述学习用处理液的定时的信息。优选所述输入信息包含表示所述处理液对所述基板的处理量的目标值的信息。优选所述输出信息至少包含表示属于所述各组的1个以上所述处理液供给部的信息以及表示所述各组应供给所述处理液的定时的信息。优选在所述气泡控制工序中基于所述输出信息控制所述多个处理液供给部。

在本发明的一个方式中，优选在所述气泡控制工序中，对每个所述处理液供给部调整所述处理液的供给流量。

在本发明的一个方式中，优选所述基板处理装置还具备多个气泡供给管，所述多个气泡供给管各自接受气体供给并向所述处理液供给所述气泡。优选在所述气泡供给工序中对每个所述气泡供给管调整所述气体的供给流量。

在本发明的一个方式中，优选所述处理液是清洗液。优选在所述浸渍工序中，将由贮存于与所述处理槽不同的药液槽中的药液处理后的所述基板浸渍在贮存于所述处理槽的所述清洗液中。

根据本发明的另一方面，基板处理方法由具备清洗槽和多个清洗液供给部的基板处理装置执行。基板处理方法包括：浸渍工序，将由贮存于与所述清洗槽不同的药液槽的药液处理后的基板浸渍在贮存于所述清洗槽的清洗液中；流体供给工序，从所述基板的下方对所述清洗液供给流体；以及清洗液供给工序，从1个以上的所述清洗液供给部向所述清洗槽的内部供给所述清洗液。所述清洗槽包括彼此对置的第一侧壁及第二侧壁。所述多个清洗液供给部包括至少1个第一清洗液供给部以及至少1个第二清洗液供给部。第一清洗液供给部配置在所述第一侧壁侧，向所述清洗槽的内部供给所述清洗液。第二清洗液供给部配置在所述第二侧壁侧，向所述清洗槽内部供给所述清洗液。

发明的效果

根据本发明，能够提供一种在基板的表面及其附近能够降低气泡不足的区域的基板处理装置及基板处理方法。

附图说明

图1是表示本发明的实施方式1的基板处理装置的示意性剖视图。

图2是表示实施方式1的处理液供给部和气泡供给部的示意性俯视图。

图3是表示实施方式1的处理液中的溶解氧浓度与蚀刻量的关系的曲线图。

图4是表示实施方式1的气泡供给时间与处理液中的溶解氧浓度的关系的曲线图。

图5是表示定义实施方式1的处理液供给部的组的表的一例的图。

图6是表示使用实施方式1的处理液供给部的第一组～第三组来控制气泡的动作时的控制顺序的图。

图7(a)是表示反映比较例的气泡分布模拟结果的映射图像的图。图7(b)是表示反映本发明的实施例的气泡分布模拟结果的映射图像的图。

图8是表示反映本实施例的各工序中的气泡分布模拟结果的映射图像的图。

图9(a)是表示用于详细说明本实施例的模拟的基板的俯视图。图9(b)是表示用于详细说明本实施例的模拟的基板及气泡供给管的侧视图。

图10是表示实施方式1的基板处理方法的流程图。

图11是表示实施方式1的第一变形例的基板处理方法的流程图。

图12是表示定义实施方式1的第二变形例的处理液供给部的第一组～第五组的表的图。

图13是表示实施方式1的第三变形例的基板处理装置的示意性剖视图。

图14是表示实施方式1的第四变形例的控制装置的框图。

图15是表示第四变形例的基板处理方法的流程图。

图16是表示第四变形例的学习装置的框图。

图17是表示第四变形例的学习方法的流程图。

图18是表示第一参考例的基板处理方法的图。

图19是表示第二参考例的基板处理方法的图。

图20是表示实施方式1的第五变形例的基板处理方法的图。

图21是表示本发明的实施方式2的基板处理装置的示意性俯视图。

图22是表示实施方式2的第二清洗槽的示意性剖视图。

图23是表示实施方式2的第二药液槽的示意性剖视图。

图24是表示实施方式2的基板处理方法的流程图。

图25是表示实施方式2的第二清洗槽对基板的清洗处理的流程图。

图26是表示实施方式2的变形例的第二清洗槽对基板的清洗处理的流程图。

图中：

100、100A、100B、300-基板处理装置，110-处理槽(清洗槽)，116-第一侧壁，117-第二侧壁，120-基板保持部，130-处理液流量调整部，135-气泡供给部，140-气泡调整部，145-流体调整部，155-流体供给部，161-控制部，162-存储部，210-第二药液槽(药液槽)，An-处理液供给部(清洗液供给部)，A1～A3-第一处理液供给部(第一清洗液供给部)，A4～A6-第二处理液供给部(第二清洗液供给部)，ONB2-第二清洗槽(清洗槽)，W-基板。

具体实施方式

下面，参照附图对本发明的实施方式进行说明。另外，在图中，对相同或相当部分标注相同的参照符号而不重复说明。另外，在图中，为了便于理解，适当图示了X轴、Y轴及Z轴。X轴、Y轴和Z轴相互正交，X轴和Y轴在水平方向平行，Z轴在铅锤方向平行。另外，“俯视”表示从铅锤上方观察对象。

(实施方式1)

参照图1～图10，说明本发明的实施方式1的基板处理装置100。首先，参照图1和图2说明基板处理装置100。图1是表示基板处理装置100的示意性剖视图。图1所示的基板处理装置100为分批式，利用处理液LQ一并处理多个基板W。具体而言，基板处理装置100一并处理构成批次的多个基板W。一批例如为25张或50张。另外，基板处理装置100也可以处理1张基板W。

在实施方式1中，基板W是半导体晶片。另外，基板W也可以是例如液晶显示装置用基板、等离子体显示用基板、场发射显示器(Field Emission Display：FED)用基板、光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板或太阳能电池用基板。在实施方式1中，基板W的表面表示基板W的主面。

基板处理装置100具备处理槽110、基板保持部120、多个处理液供给部An、处理液流量调整部130、气泡供给部135、气泡调整部140以及排液部150。另外，“n”表示1以上的整数。另外，基板处理装置100还具备共用配管P1、多个供给配管P2、共用配管P3、多个供给配管P4和排液配管P5。

处理槽110贮存处理液LQ。而且，处理槽110中，在处理液LQ中浸渍多个基板W，处理多个基板W。

处理液LQ是药液或洗涤液(清洗液)。药液例如是蚀刻液。另外，药液例如为稀氢氟酸(DHF)、氢氟酸(HF)、氟硝酸(氢氟酸与硝酸(HNO₃)的混合液)、巴法氢氟酸(BHF)、氟化铵、HFEG(氢氟酸与乙二醇的混合液)、磷酸(H₃PO₄)、硫酸、醋酸、硝酸、盐酸、氨水、过氧化氢水、有机酸(例如柠檬酸、草酸)、有机碱(例如TMAH：四甲基氢氧化铵)、硫酸过氧化氢水混合液(SPM)、氨过氧化氢水混合液(SC1)、盐酸过氧化氢水混合液(SC2)、异丙醇(IPA)、表面活性剂、防腐剂或疏水剂。

洗涤液(清洗液)例如是去离子水、碳酸水、电解离子水、氢水、臭氧水或稀释浓度(例如10ppm～100ppm左右)的盐酸水。洗涤液(清洗液)是用于从基板W冲洗药液、经药液处理后副产物和/或异物的液体。洗涤处理(清洗处理)是从基板W冲洗药液、经药液处理后副产物和/或异物的处理。

处理槽110具有包括内槽112和外槽114的双重槽结构。内槽112和外槽114分别具有向上打开的上部开口。内槽112构成为贮存处理液LQ并能够收纳多个基板W。外槽114设置在内槽112的上部开口的外侧面。外槽114的上缘高度高于内槽112的上缘高度。超过内槽112的上缘溢出的处理液LQ由外槽114回收。

处理槽110包括彼此在第一方向D10对置的第一侧壁116和第二侧壁117。具体而言，内槽112包括第一侧壁116和第二侧壁117。第一方向D10与水平方向及基板W的表面大致平行。第一侧壁116和第二侧壁117沿铅锤方向D延伸。

基板保持部120保持多个基板W。基板保持部120也可以保持1张基板W。基板保持部120将隔开间隔排列的多个基板W浸渍在贮存于处理槽110的处理液LQ中。

具体而言，基板保持部120在保持着多个基板W的状态下沿铅锤方向D向上方或下方移动。通过基板保持部120向下方移动，由基板保持部120保持着的多个基板W浸渍在贮存于内槽112的处理液LQ中。

基板保持部120包括主体板122和保持棒124。主体板122是沿铅锤方向D(Z方向)延伸的板。保持棒124从主体板122的一方的主面沿水平方向(Y方向)延伸。多个基板W在隔开间隔排列的状态下，由多个保持棒124抵接各基板W的下缘而以立起姿势(铅锤姿势)保持。

基板保持部120还可以包括升降单元126。升降单元126使主体板122在基板保持部120所保持的多个基板W位于内槽112内的处理位置与基板保持部120所保持的多个基板W位于内槽112上方的退避位置之间升降。因此，通过升降单元126使主体板122移动到处理位置，保持棒124所保持的多个基板W浸渍在处理液LQ中。由此，对多个基板W实施处理。

多个处理液供给部An分别配置在处理槽110。处理液供给部An向处理槽110供给处理液LQ。例如，处理液供给部An在处理槽110中贮存有处理液LQ的状态下向处理槽110供给处理液LQ。

图2是表示处理液供给部An及气泡供给部135的示意性俯视图。如图2所示，处理液供给部An沿着第二方向D20延伸。第二方向D20与水平方向大致平行，与基板W的表面大致正交。另外，第一方向D10、第二方向D20和铅锤方向D彼此大致正交。处理液供给部An例如是处理液供给管。处理液供给管的原料例如为石英或PVC(聚氯乙烯)。

如图1及图2所示，多个处理液供给部An分别具有多个处理液孔3。在各处理液供给部An中，分别从多个处理液孔3供给处理液LQ。多个处理液孔3沿着第二方向D20隔开间隔设置。在图1的例子中，处理液孔3朝向斜下方。

返回图1，多个处理液供给部An包括配置在第一侧壁116侧的至少1个第一处理液供给部An和配置在第二侧壁117侧的至少1个第二处理液供给部An。

在图1的例子中，多个处理液供给部An包括配置在第一侧壁116侧的多个第一处理液供给部A1～A3和配置在第二侧壁117侧的多个第二处理液供给部A4～A6。

具体而言，3个第一处理液供给部A1～A3配置在第一侧壁116。第一处理液供给部A1～A3在第一侧壁116沿铅锤方向D隔开间隔地排列。第一处理液供给部A1配置在最上层。第一处理液供给部A3配置在最下层。第一处理液供给部A2配置在中段。即，第一处理液供给部A2在铅锤方向D上配置在第一处理液供给部A1与第一处理液供给部A3之间。

3个第二处理液供给部A4～A6配置在第二侧壁117上。第二处理液供给部A4～A6在第二侧壁117上沿铅锤方向D隔开间隔地排列。第二处理液供给部A6配置在最上层。第二处理液供给部A4配置在最下层。第二处理液供给部A5配置在中段。即，第二处理液供给部A5在铅锤方向D配置在第二处理液供给部A6与第二处理液供给部A4之间。

处理液流量调整部130对每个处理液供给部An调整向处理液供给部An供给的处理液LQ的流量。换言之，处理液流量调整部130对每个处理液供给部An调整由处理液供给部An向处理槽110供给的处理液LQ的流量。

处理液LQ的流量调整包括使处理液LQ的流量恒定、增加处理液LQ的流量、减少处理液LQ的流量、以及使处理液LQ的流量为零。在实施方式1中，处理液流量调整部130对每个处理液供给部An切换处理液LQ向处理液供给部An的供给和供给停止。换言之，处理液流量调整部130对每个处理液供给部An切换处理液LQ从处理液供给部An向处理槽110的供给和供给停止。

具体而言，处理液流量调整部130分别与多个处理液供给部An对应地包括多个处理液流量调整机构132。另外，多个供给配管P2分别与多个处理液供给部An对应地设置。供给配管P2的一端与对应的处理液供给部An连接。供给配管P2的另一端与共用配管P1连接。共用配管P1与处理液供给源TKA连接。

多个处理液流量调整机构132分别配置在多个供给配管P2。处理液流量调整机构132将从处理液供给源TKA及共用配管P1供给的处理液LQ通过对应的供给配管P2向对应的处理液供给部An供给。另外，处理液流量调整机构132调整向对应的处理液供给部An供给的处理液LQ的流量。换言之，处理液流量调整机构132调整由对应的处理液供给部An向处理槽110供给的处理液LQ的流量。在实施方式1中，处理液流量调整机构132切换处理液LQ向对应的处理液供给部An的供给和供给停止。换言之，在实施方式1中，处理液流量调整机构132切换处理液LQ从对应的处理液供给部An向处理槽110的供给和供给停止。

具体而言，如图2所示，处理液流量调整机构132包括流量计a1、调整阀a2以及阀a3。流量计a1、调整阀a2及阀a3依次从供给配管P2的上游向下游配置在供给配管P2。

流量计a1测量流经供给配管P2的处理液LQ的流量。调整阀a2通过调整供给配管P2的开度，调整流经供给配管P2的处理液LQ的流量，调整向处理液供给部An供给的处理液LQ的流量。另外，调整阀a2基于流量计a1的测量结果来调整处理液LQ的流量。另外，例如也可以设置质量流量控制器来代替流量计a1及调整阀a2。阀a3开闭供给配管P2。即，阀a3切换处理液LQ从供给配管P2对处理液供给部An的供给和供给停止。另外，处理液流量调整机构132也可以包括除去处理液LQ中异物的过滤器。

返回图1，排液部150将回收到外槽114的处理液LQ经由排液配管P5排出。具体而言，在外槽114上连接有排液配管P5。并且，在排液配管P5配置有排液部150。排液部150例如包括阀，闭塞或开放排液配管P5的流路。

气泡供给部135配置在处理槽110的内部。气泡供给部135向处理槽110的处理液LQ中供给从气泡调整部140供给的气体GA。具体而言，气泡供给部135向处理槽110的处理液LQ中供给气体GA的气泡BB。气体GA例如是惰性气体。惰性气体例如是氮气或氩气。

气泡供给部135包括至少1个气泡供给管1。在实施方式1中，气泡供给部135包括多个气泡供给管1。在图1的例子中，气泡供给部135包括6根气泡供给管1。另外，气泡供给管1的数量没有特别限定。气泡供给管1例如是气泡管。

气泡供给管1的原材料是石英或合成树脂。此时，合成树脂例如为PEEK(聚醚醚酮)或PFA(四氟乙烯-全氟烷基乙烯基醚共聚物)。

如图1及图2所示，多个气泡供给管1分别具有多个气泡孔2。在图1的例子中，气泡孔2沿着铅锤方向D朝向上方。气泡供给管1通过从气泡孔2喷出从气泡调整部140供给的气体GA，向处理液LQ中供给气泡BB。即，气泡供给管1接受气体GA的供给，向处理液LQ供给气泡BB。

多个气泡供给管1在俯视时相互大致平行且隔开间隔地配置。在图2的例子中，多个气泡供给管1相对于假想中心线CL对称地配置。假想中心线CL通过各基板W的中心，沿第二方向D20延伸。

具体而言，多个气泡供给管1在处理槽110中相互大致平行，且在第一方向D10隔开间隔配置。气泡供给管1沿第二方向D20延伸。在多个气泡供给管1的每一个中，多个气泡孔2在第二方向D20上隔开间隔配置在大致一条直线上。在多个气泡供给管1的每一个中，各气泡孔2设置在气泡供给管1的上表面部。

详细地说，多个气泡供给管1的每一个在基板W浸渍于处理液LQ的状态下从多个气泡孔2的每一个从基板W的下方对处理液LQ供给气泡BB。因此，与不供给气泡BB的情况相比，能够降低处理液LQ中的溶解氧浓度。其结果，能够利用处理液LQ有效地处理浸渍在处理液LQ中的基板W。这点的详细情况将在后面叙述。另外，通过供给气泡BB，能够将与基板W的表面接触的处理液LQ有效地置换为新鲜的处理液LQ。

气泡调整部140对每个气泡供给管1调整向气泡供给管1供给的气体GA的流量，由此调整向处理液LQ供给的气泡BB的量。气体GA的流量调整包括使气体GA的流量恒定、增加气体GA的流量、减少气体GA的流量以及使气体GA的流量为零。在实施方式1中，气泡调整部140对每个气泡供给管1切换气体GA向气泡供给管1的供给和供给停止。换言之，气泡调整部140对每个气泡供给管1切换气泡BB从气泡供给管1向处理槽110的处理液LQ的供给和供给停止。

具体而言，气泡调整部140分别与多个气泡供给管1对应地包括多个气泡调整机构142。另外，多个供给配管P4分别对应于多个气泡调整机构142设置。供给配管P4的一端与对应的气泡供给管1连接。供给配管P4的另一端与共用配管P3连接。共用配管P3与气体供给源TKB连接。

多个气泡调整机构142分别配置在多个供给配管P4。气泡调整机构142将从气体供给源TKB和共用配管P3供给的气体GA通过对应的供给配管P4供给到对应的气泡供给管1。另外，气泡调整机构142调整向对应的气泡供给管1供给的气体GA的流量。其结果，对于每个气泡供给管1，调整向处理液LQ供给的气泡BB的量。在实施方式1中，气泡调整机构142切换气体GA向对应的气泡供给管1的供给和供给停止。换言之，在实施方式1中，气泡调整机构142切换气泡BB从对应的气泡供给管1向处理槽110的处理液LQ的供给和供给停止。

具体而言，如图2所示，气泡调整机构142包括调整阀b1、流量计b2、过滤器b3和阀b4。调整阀b1、流量计b2、过滤器b3以及阀b4依次从供给配管P4的上游向下游配置在供给配管P4。

调整阀b1通过调整供给配管P4的开度，调整流经供给配管P4的气体GA的流量，调整向气泡供给管1供给的气体GA的流量。流量计b2测量流经供给配管P4的气体GA的流量。调整阀b1基于流量计b2的测量结果调整气体GA的流量。另外，例如也可以设置质量流量控制器来代替调整阀b1及流量计b2。

过滤器b3从流经供给配管P4的气体GA中除去异物。阀b4开闭供给配管P4。即，阀b4切换气体GA从供给配管P4对气泡供给管1的供给和供给停止。

接着，参照图3说明溶解氧浓度与蚀刻量的关系。图3是表示处理液LQ中的溶解氧浓度与蚀刻量的关系的曲线图。横轴表示处理液LQ中的溶解氧浓度(ppm)，纵轴表示基板W的蚀刻量。

图3表示使用TMAH作为处理液LQ时的实施例。TMAH的浓度为0.31％。气体GA是氮气。因此，气泡BB是氮气的气泡。在基板W形成有多晶硅膜(多晶硅层)。图3表示在TMAH中浸渍基板W时的多晶硅膜的蚀刻量。蚀刻量是从在TMAH中浸渍前的多晶硅膜的厚度减去浸渍后的多晶硅膜的厚度而得到的值。有时将蚀刻量记载为“基板W的蚀刻量”。在本说明书中，“基板W浸渍后”表示“基板W浸渍后处理完成，从处理液LQ中被提起后”。

如图3所示，溶解氧浓度越低，基板W的蚀刻量(处理量)越多。蚀刻量(处理量)与溶解氧浓度大致成正比。比例常数为“负”。

接着，参照图4说明气泡BB的供给时间与溶解氧浓度的关系。图4是表示气泡BB的供给时间与处理液LQ中的溶解氧浓度的关系的曲线图。横轴表示气泡BB的供给时间(hour)，纵轴表示处理液LQ中的溶解氧浓度(ppm)。

图4表示使用TMAH作为处理液LQ时的实施例。TMAH的浓度为0.31％。用于产生气泡BB的气体GA是氮气。因此，气泡BB是氮气的气泡。曲线g1表示气体GA的流量为10L/min时的溶解氧浓度。曲线g2表示气体GA的流量为20L/min时的溶解氧浓度。曲线g3表示气体GA的流量为30L/min时的溶解氧浓度。在这种情况下，气体GA的流量表示向1根气泡供给管1供给的气体GA的流量。

从曲线g1～g3可以理解，在约1小时，处理液LQ中的溶解氧浓度大致恒定。另外，在溶解氧浓度大致恒定的状态下，气体GA的流量越多，处理液LQ中的溶解氧浓度越低。换言之，在溶解氧浓度大致恒定的状态下，向处理液LQ供给的气泡BB越多，处理液LQ中的溶解氧浓度越低。这是因为气体GA的流量越多，向处理液LQ中供给的气泡BB越多。

从图g1～g3可以如下推测。即，在处理槽110中，处理液LQ中存在气泡BB的分布的情况下，可以推测在处理液LQ中气泡BB越多的区域，溶解氧浓度越低，在处理液LQ中气泡BB越少的区域，溶解氧浓度越高。本申请的发明人已经通过实验确认了这样的推测是正确的。

以上，如参照图3及图4说明的那样，向处理液LQ供给的气泡BB越多，处理液LQ中的溶解氧浓度越低。而且，处理液LQ中的溶解氧浓度越低，基板W的蚀刻量(处理量)越多。

即，向处理液LQ供给的气泡BB越多，基板W的蚀刻量(处理量)越多。换言之，用于生成气泡BB的气体GA的流量越多，基板W的蚀刻量(处理量)越多。另一方面，向处理液LQ供给的气泡BB越少，基板W的蚀刻量(处理量)越少。换言之，用于生成气泡BB的气体GA的流量越少，基板W的蚀刻量(处理量)越少。

另外，根据图3及图4的曲线图可以推测，在处理槽110中，处理液LQ中存在气泡BB的分布的情况下，处理液LQ中气泡BB越多的区域，基板W的蚀刻量(处理量)越多，处理液LQ中气泡BB越少的区域，基板W的蚀刻量(处理量)越少。同样可以推测，在处理槽110中，处理液LQ中存在气泡BB的分布的情况下，处理液LQ中气泡BB越多的区域，基板W的蚀刻速率(处理量)越高，处理液LQ中气泡BB越少的区域，基板W的蚀刻速率(处理量)越少。本申请的发明人已经通过实验确认了这样的推测是正确的。

回到图1，控制装置160控制基板处理装置100的各结构。例如，控制装置160控制基板保持部120、处理液流量调整部130、气泡调整部140以及排液部150。

控制装置160包括控制部161和存储部162。控制部161具备CPU(CentralProcessing Unit：中央处理单元)和GPU(Graphics Processing Unit：图形处理单元)等处理器。存储部162包括存储装置，存储数据和计算机程序。控制部161的处理器执行存储部162的存储装置所存储的计算机程序，控制基板处理装置100的各结构。例如，存储部162具备半导体存储器等主存储装置和半导体存储器及硬盘驱动器等辅助存储装置。存储部162也可以具备光盘等可移动介质。存储部162例如可以是非临时计算机可读存储介质。控制装置160可以包括输入设备和显示设备。

继续参照图1对处理液供给部An进行详细说明。第一处理液供给部A1～A3中的至少1个第一处理液供给部An向上升中的气泡BB供给处理液LQ。在第二处理液供给部A4～A6中，至少1个第二处理液供给部An向上升中的气泡BB供给处理液LQ。因此，根据实施方式1，控制部161经由处理液流量调整部130分别控制来自第一处理液供给部An的处理液LQ供给/停止和来自第二处理液供给部An的处理液LQ的供给/停止，由此能够控制在处理液LQ中上升的多个气泡BB的动作。其结果，在基板W的表面及其附近能够降低气泡BB不足的区域。因此，能够在基板W的整个表面降低处理液LQ中的溶解氧浓度，因此在基板W的面内能够抑制由处理液LQ引起的处理不均。

具体而言，至少1个第一处理液供给部An通过从第一侧壁116侧向与铅锤方向D交叉的方向喷出处理液LQ，从而向上升中的气泡BB产生处理液LQ的流动。其结果，可以控制气泡B的动作。在图1的例子中，第一处理液供给部An从第一侧壁116侧向斜下方喷出处理液LQ。另外，至少1个第二处理液供给部An从第二侧壁117侧向与铅锤方向D交叉的方向喷出处理液LQ，从而向上升中的气泡BB产生处理液LQ的流动。其结果，可以控制气泡B的动作。在图1的例子中，第二处理液供给部An从第二侧壁117侧向斜下方喷出处理液LQ。

继续参照图1，对由一个或多个处理液供给部An构成的组进行说明。多个处理液供给部An中的2个以上的处理液供给部An分别属于彼此不同的组中的至少1个组。组是处理液供给部An的控制单位。因此，控制部161经由处理液流量调整部130以组为单位控制处理液供给部An。

有时一个处理液供给部An属于一个组，也有时一个处理液供给部An属于多个组。另外，多个组的各组包括至少1个处理液供给部An。因此，有时一个组中包括一个处理液供给部An，也有时一个组中包括多个处理液供给部An。另外，也存在多个处理液供给部An中的一部分处理液供给部An不属于任何组的情况。在这种情况下，在控制气泡动作时不使用不属于任何组的处理液供给部An。换言之，在控制气泡动作时只使用属于各组的处理液供给部An。

控制部161经由处理液流量调整部130一边依次切换各组，一边使各组的处理液供给部An向处理槽110的处理液LQ中的气泡BB供给处理液LQ。

属于组的处理液供给部An在每个组不同的期间向气泡BB供给处理液LQ。因此，根据实施方式1，在处理槽110中，由于处理液LQ的流动每组不同，所以能够在不同的期间使不同的流动作用于在处理液LQ中上升的多个气泡BB。其结果，在基板W的表面及其附近能够更有效地降低气泡BB不足的区域。因此，能够在基板W的整个表面更有效地降低处理液LQ中的溶解氧浓度，因此在基板W的面内能够更有效地抑制由处理液LQ引起的处理不均。在本文中，“不同的期间”表示例如在时间轴上不同的期间。即，在本说明书中，“不同的期间”例如表示在时间轴上不同的时间范围。

以下，作为一例，在实施方式1中，多个组包括第一组G1、第二组G2以及第三组G3。

接着，参照图5及图6，说明第一组G1～第三组G3的处理液供给部An对气泡BB动作的控制。

图5是表示定义处理液供给部An的第一组G1～第三组G3的表TB1的图。如图5的表TB1所示，对基板处理装置100设定第一组G1、第二组G2以及第三组G3。

第一组G1包括图1所示的多个第一处理液供给部A1～A3中的至少1个第一处理液供给部A3，不包括第二处理液供给部A4～A6。即，第一组G1仅包括第一处理液供给部A3。

第二组G2包含多个第二处理液供给部A4～A6中的至少1个第二处理液供给部A4，不包含第一处理液供给部A1～A3。即，第二组G2仅包含第二处理液供给部A4。

第三组G3包括多个第一处理液供给部A1～A3中的至少1个第一处理液供给部A2和多个第二处理液供给部A4～A6中的至少1个第二处理液供给部A5。即，第三组G3包括第一处理液供给部A2和第二处理液供给部A5。

图6是表示使用处理液供给部An的第一组G1～第三组G3控制气泡BB的动作时的控制顺序的图。

如图6所示，首先，在工序ST1中，在第一规定期间T1，属于第一组G1的第一处理液供给部A3向气泡BB供给处理液LQ。

接着，在工序ST2中，在经过第一规定期间T1后的第二规定期间T2，属于第二组G2的第二处理液供给部A4向气泡BB供给处理液LQ。

接着，在工序ST3中，在经过第二规定期间T2后的第三规定期间T3，属于第三组G3的第一处理液供给部A2和第二处理液供给部A5向气泡BB供给处理液LQ。

以上，如参照图6说明的那样，根据实施方式1，在不同的定时使用第一组G1～第三组G3来控制气泡BB的动作。其结果，在基板W的表面及其附近能够更有效地降低气泡BB不足的区域。这点通过参照图7～图9说明的实施例来证明。另外，在实施方式1中，第一规定期间T1、第二规定期间T2和第三规定期间T3是定时不同的连续的期间，是相同长度的期间。

图7(a)是表示反映比较例的气泡BB分布模拟结果的映射图像MP1的图。图7(b)是表示反映本发明的实施例的气泡BB分布模拟结果的映射图像MP2的图。映射图像MP1、MP2表示在基板W的表面向上通过的气泡BB的量。这点的详细情况将在后面叙述。在映射图像MP1、MP2中，点越密，表示气泡BB通过地越多。没有点的白色区域表示通过的气泡BB最少的区域。实际上，在映射图像MP1、MP2中存在表示气泡BB的量的渐变，经简化以4个阶段表示气泡BB的量。

在图7(b)所示的实施例中，假设使用图1所示的基板处理装置100进行了模拟。以下，有时将模拟记载为“气泡动作模拟”。模拟由模拟装置(未示出)执行。模拟装置是具有处理器和存储设备的计算机。

另外，在实施例中，通过模拟再现了图6所示的工序ST1～ST3。实施例中的模拟条件如下。即，工序ST1中来自第一处理液供给部A3的处理液LQ的供给量设定为30L/分钟。工序ST2中来自第二处理液供给部A4的处理液LQ的供给量设定为30L/分钟。工序ST3中来自第一处理液供给部A2的处理液LQ的供给量设定为20L/分钟，工序ST3中来自第二处理液供给部A5的处理液LQ的供给量设定为20L/分钟。工序ST1～ST3分别实施8秒间。即，工序ST1～ST3的总实施时间为24秒。另外，向气泡供给管1供给的气体GA的流量设定为每根5L/分钟。进而，设置在1根气泡供给管1上的气泡孔2的直径设定为0.2mm，设置在1根气泡供给管1上的气泡孔2的数量设定为60个，设置在1根气泡供给管1上的气泡孔2的间隔设定为5mm。进而，设置在1根处理液供给部An上的处理液孔3的直径设定为1mm，设置在1根处理液供给部An上的处理液孔3的数量设定为70个，设置在1根处理液供给部An上的处理液孔3的间隔设定为5mm。

另一方面，在图7(a)所示的比较例中，假设使用具有从图1所示的基板处理装置100中除去处理液供给部An后结构的基板处理装置，进行了模拟。比较例中的模拟条件如下。即，在比较例中，再现了从配置在气泡供给管下方的冲孔板的多个孔向上方供给处理液LQ。处理液LQ的供给流量总计为20L/分钟。气泡供给管的条件与实施例相同。另外，处理时间为24秒。

如图7(a)所示，在比较例中，在基板W的中央部分沿铅锤方向D延伸的区域10(白色区域)中，通过的气泡BB的量少。另外，在基板W下部的区域11(白色区域)中，通过的气泡BB的量也少。因此，可以推测在区域10、11中，蚀刻速率比其他区域小。即，在比较例中，可以推测在基板W的面内产生处理液LQ引起的处理不均。

另一方面，如图7(b)所示，在实施例中，在映射图像MP2中不存在白色区域。即，在实施例中，与比较例相比，在基板W的整个表面上，通过的气泡BB的量多。因此，在实施例中，与比较例相比，能够推测基板W的表面的各位置的蚀刻速率的差小。即，在实施例中，可以推测在基板W的面内，与比较例相比，能够降低处理液LQ引起的处理不均。

接着，参照图6～图9，对上述实施例中的模拟进行详细说明。图8是表示反映本发明的实施例的各工序ST1～ST3(图6)中的气泡BB分布模拟结果的映射图像MP21～MP23的图。映射图像MP21～MP23中的气泡BB量的标记方法与图7的映射图像MP1、MP2中的气泡BB量的标记方法相同。

如图6及图8所示，映射图像MP21表示在工序ST1中在基板W的表面向上通过的气泡BB的量。映射图像MP22表示在工序ST2中在基板W的表面向上通过的气泡BB的量。映射图像MP23表示在工序ST3中在基板W的表面向上通过的气泡BB的量。将映射图像MP21、映射图像MP22和映射图像MP23重叠而成的图像是图7B所示的实施例的映射图像MP2。

如图7及图8所示，通过在各工序ST1～ST3中产生不同的气泡BB分布，工序ST1～ST3总体上，在基板W的表面及其附近能够降低气泡BB不足的区域。

图9(a)是表示用于详细说明上述实施例的模拟的基板W的俯视图。

如图9(a)所示，在模拟中，在基板W的表面设定了用于监视气泡BB的多个监视点12。而且，在模拟中，对每个监视点12，对在监视点12向上通过的气泡BB的数量进行计数。例如，图8的映射图像MP21是通过对每个监视点12绘制在实施工序ST1(图6)的8秒间通过各监视点12的气泡BB的数量的累计值而生成的。对于映射图像MP22、MP23也同样。因此，图7(b)的映射图像MP2表示工序ST1～ST3总体上气泡BB在各监视点12的通过数的累计值。另外，对于图7(a)所示的比较例的映射图像MP1，也与实施例同样，表示了气泡BB在各监视点12中的通过数的累计值。

另外，在基板W上设定以4个监视点12为顶点的区域15。其结果，在基板W上设定多个区域15。在图9(a)的例子中，区域15是正方形。

图9(b)是表示用于详细说明上述实施例的模拟的基板W及气泡供给管1的侧视图。如图9(b)所示，在模拟中，假定在气泡供给管1上以等间隔d配置有多个气泡孔2。间隔d为5mm。另外，在各监视点12，对通过区域13的气泡BB的数量进行计数。区域13的宽度L为10mm。即，从基板W的表面通过宽度L的范围的气泡BB在各监视点12被计数。这点在比较例中也相同。

接着，参照图1及图10，说明实施方式1的基板处理方法。基板处理方法由基板处理装置100执行。图10是表示实施方式1的基板处理方法的流程图。如图10所示，基板处理方法包括工序S1～工序S6。工序S1～工序S6在控制部161的控制下执行。在基板处理方法的说明中，对基板处理装置100设定第一组G1～第M组GM。“M”是2以上的整数。

如图1及图10所示，首先，在工序S1中，气泡供给部135的各气泡供给管1从基板W的下方开始对贮存在处理槽110中的处理液LQ供给多个气泡BB。工序S1相当于本发明的“气泡供给工序”的一例。

接着，在工序S2中，开始从全部的处理液供给部An向贮存在处理槽110中的处理液LQ供给处理液LQ。

接着，在工序S3中，基板保持部120将基板W浸渍在贮存于处理槽110的处理液LQ中。工序S3相当于本发明的“浸渍工序”的一例。

接着，在工序S4中，一边切换处理液供给部An，一边从1个以上的处理液供给部An向气泡BB供给处理液LQ，由此控制气泡BB的动作。因此，根据实施方式1的基板处理方法，能够抑制在基板W的表面及其附近，气泡BB的量产生偏差。即，在基板W的表面及其附近能够降低气泡BB不足的区域。其结果，能够在基板W的整个表面降低处理液LQ中的溶解氧浓度，因此在基板W的面内能够抑制由处理液LQ引起的处理不均。工序S4相当于本发明的“气泡控制工序”的一例。

具体而言，工序S4包括工序S41、S42、S43、S44、……、S4M。首先，在工序S41中，从属于第一组G1的处理液供给部An向气泡BB供给处理液LQ。接着，在工序S42中，从属于第二组G2的处理液供给部An向气泡BB供给处理液LQ。以下，依次执行工序S43、S44、……、S4M。在工序S4M中，从属于第M组GM的处理液供给部An向气泡BB供给处理液LQ。这样，在工序S4中，属于组的处理液供给部An在每个组不同的期间向气泡BB供给处理液LQ。

接着，在工序S5中，从全部的处理液供给部An向贮存于处理槽110的处理液LQ开始供给处理液LQ。

接着，在工序S6中，基板保持部120从处理液LQ中提起基板W。然后，基板处理方法结束。

以上，如参照图10说明的那样，根据实施方式1，在将基板W浸渍于处理液LQ之前，从全部的处理液供给部An供给处理液LQ(工序S2)。而且，在将基板W从处理液LQ中提起之前，从全部的处理液供给部An供给处理液LQ(工序S5)。其结果，能够抑制贮存于处理槽110的处理液LQ滞留。另外，能够防止基板W的位置偏移。另外，根据同样的理由，优选即使在待机中，也从全部的处理液供给部An供给处理液LQ。

(第一变形例)

参照图1及图11，说明实施方式1的第一变形例。在第一变形例中，主要在细致地执行处理液LQ的供给流量调整和用于生成气泡BB的气体GA的供给流量调整这点上，与执行处理液LQ供给的开始/停止和气体GA供给的开始/停止的上述实施方式1不同。以下，主要说明第一变形例与上述实施方式1的不同点。

在第一变形例中，图1所示的基板处理装置100的处理液流量调整部130对每个处理液供给部An调整处理液LQ的供给流量。因此，根据第一变形例，能够更高精度地控制处理槽110中的处理液LQ的流动。其结果，能够更高精度地控制在处理液LQ中上升的多个气泡BB的动作。因此，在基板W的表面及其附近，能够进一步降低气泡BB不足的区域，因此能够在基板W的整个表面上进一步降低处理液LQ中的溶解氧浓度。通过溶解氧浓度的降低，能够在基板W的面内进一步抑制处理液LQ引起的处理不均。

在第一变形例中，处理液LQ的供给流量调整除了处理液LQ供给的开始/停止之外，还包括变更来自1组内的处理液供给部An的处理液LQ的供给流量，或者在多个组间变更来自处理液供给部An的处理液LQ的供给流量。处理液LQ的供给流量变更包括阶段性地变更供给流量或连续地变更供给流量。

另外，在第一变形例中，气泡调整部140对每个气泡供给管1调整用于生成气泡BB的气体GA的供给流量。因此，根据第一变形例，能够更高精度地控制在处理液LQ中上升的多个气泡BB的动作。其结果，能够在基板W的整个表面分布气泡BB，因此能够在基板W的整个表面进一步降低处理液LQ中的溶解氧浓度。因此，能够在基板W的面内进一步抑制由处理液LQ引起的处理不均。

在第一变形例中，气体GA的供给流量调整除了气体GA供给的开始/停止之外，还包括变更气体GA的供给流量。变更气体GA的供给流量包括阶段性地变更供给流量或连续地变更供给流量。

接着，参照图11说明第一变形例的基板处理方法。基板处理方法由基板处理装置100执行。图11是表示实施方式1的第一变形例的基板处理方法的流程图。如图11所示，基板处理方法包括工序S11～工序S17。工序S11～工序S17在控制部161的控制下执行。

图11所示的工序S11～工序S13分别与图10所示的工序S1～工序S3相同。

如图1和图11所示，在工序S13之后，并行执行工序S14和工序S15。

在工序S14中，在第一组G1～第M组GM中，通过处理液流量调整部130对每个处理液供给部An调整处理液LQ的供给流量。

具体而言，工序S14包括工序S141、S142、S143、S144、……、S14M。首先，在工序S141中，处理液流量调整部130通过调整来自属于第一组G1的处理液供给部An的处理液LQ的供给流量，来控制气泡BB的动作。接着，在工序S142中，处理液流量调整部130通过调整来自属于第二组G2的处理液供给部An的处理液LQ的供给流量，来控制气泡BB的动作。以下，依次执行工序S143、S144、……、S14M。在工序S14M中，处理液流量调整部130通过调整来自属于第M组GM的处理液供给部An的处理液LQ的供给流量，来控制气泡BB的动作。这样，在工序S14中，属于组的处理液供给部An的供给流量在每组不同的期间对每个组进行调整。

另一方面，在工序S15中，对应于利用第一组G1～第M组GM进行的处理液LQ的供给，由气泡调整部140对每个气泡供给管1调整用于生成气泡BB的气体GA的供给流量。

具体而言，工序S15包括工序S151、S152、S153、S154、……、S15M。首先，在工序S151中，气泡调整部140对应于来自属于第一组G1的处理液供给部An的处理液LQ的供给，调整气体GA的供给流量。接着，在工序S152中，气泡调整部140对应于来自属于第二组G2的处理液供给部An的处理液LQ的供给，调整气体GA的供给流量。以下，依次执行工序S153、S154、……、S15M。在工序S15M中，气泡调整部140对应于来自属于第M组GM的处理液供给部An的处理液LQ的供给，调整气体GA的供给流量。这样，在工序S15中，气体GA的供给流量对应于利用各组进行的处理液LQ供给而进行调整。

接着，在工序S16中，从全部的处理液供给部An向贮存于处理槽110的处理液LQ开始供给处理液LQ。

接着，在工序S17中，基板保持部120从处理液LQ中提起基板W。然后，基板处理方法结束。

(第二变形例)

参照图1及图12，说明实施方式1的第二变形例。在第二变形例中，主要在存在多个组共用的处理液供给部An这点上，与上述实施方式1不同。以下，主要说明第二变形例与上述实施方式1的不同点。

在第二变形例中，作为一例，对基板处理装置100设定第一组G10、第二组G20、第三组G30、第四组G40以及第五组G50。

图12是表示定义处理液供给部An的第一组G10～第五组G50的表TB2的图。如图12的表TB2所示，第一组G10仅包括第一处理液供给部A3。第二组G20包括第一处理液供给部A3和第二处理液供给部A4。第三组G30仅包括第二处理液供给部A4。

也属于第一组G10的第一处理液供给部A3和也属于第三组G30的第二处理液供给部A4属于第二组G20。因此，根据第二变形例，在从第一组G10转移到第三组G30时，能够防止处理液LQ的供给停止。其结果，能够顺利地从第一组G10转移到第三组G30。

第四组G40包括第一处理液供给部A2、第二处理液供给部A4和第二处理液供给部A5。

第五组G50包括第一处理液供给部A2和第二处理液供给部A5。

也属于第三组G30的第二处理液供给部A4和也属于第五组G50的第一处理液供给部A2以及第二处理液供给部A5属于第四组G40。因此，根据第二变形例，在从第三组G30转移到第五组G50时，能够防止处理液LQ的供给停止。其结果，能够顺利地从第三组G30转移到第五组G50。

(第三变形例)

参照图1及图13，说明实施方式1的第三变形例。在第三变形例中，主要在具备8根气泡供给管1这点上，与上述实施方式1不同。以下，主要说明第三变形例与上述实施方式1的不同点。

图13是表示第三变形例的基板处理装置100A的示意性剖视图。如图13所示，在基板处理装置100A中，气泡供给部135包括8根气泡供给管1。因此，根据第三变形例，与气泡供给部135包括小于8根的气泡供给管1的情况相比，能够向处理液LQ供给更多的气泡BB。其结果，在基板W的表面及其附近能够进一步降低气泡BB不足的区域。因此，能够在基板W的整个表面进一步降低处理液LQ中的溶解氧浓度，因此能够在基板W的面内进一步抑制由处理液LQ引起的处理不均。

(第四变形例)

参照图14～图17，说明实施方式1的第四变形例。在第四变形例中，主要在利用通过机器学习生成的已学习模型LM执行基板处理这点上，与上述实施方式1不同。以下，主要说明第四变形例与上述实施方式1的不同点。

图14是表示实施方式1的第四变形例的基板处理装置100B的控制装置160的框图。如图14所示，除了控制部161和存储部162之外，控制装置160还具备通信部163、输入部164和显示部165。通信部163与网络连接，与外部装置进行通信。网络例如包括因特网、LAN、公用电话网和近场无线网络。通信部163是通信器，例如是网络接口控制器。通信部163可以具有有线通信模块或无线通信模块。输入部164是用于向控制部161输入各种信息的输入设备。例如，输入部164是键盘和指示设备或触摸面板。显示部165显示图像。显示部165例如是液晶显示器或有机电致发光显示器。

存储部162存储控制程序PG1、配方信息RC和已学习模型LM。控制部161通过执行控制程序PG1，根据配方信息RC，利用处理液LQ处理基板W。配方信息RC规定基板W的处理内容及处理顺序。具体而言，控制部161通过执行控制程序PG1，控制存储部162、通信部163、输入部164、显示部165、图1所示的基板保持部120、处理液流量调整部130、气泡调整部140以及排液部150。另外，控制部161通过执行控制程序PG1，起动已学习模型LM。

通过学习学习数据(下文中称为“学习数据DT”)来构建已学习模型LM。

学习数据DT包括处理量信息IF1和处理条件信息IF2。处理量信息IF1是说明变量。即，处理量信息IF1是特征量。处理条件信息IF2是目的变量。

处理量信息IF1包含表示学习用处理液对学习用基板(以下，记载为“学习用基板Wa”)的处理量的信息。在第四变形例中，学习用处理液是气泡动作模拟中假想的处理液，作为学习用而被利用。另外，学习用基板Wa是气泡动作模拟中的假想基板，作为学习用而被利用。学习用基板Wa的处理量例如是学习用基板Wa的蚀刻速率、学习用基板Wa的蚀刻量、或者学习用基板Wa的厚度。

处理条件信息IF2至少包含表示属于各学习用组的1个以上的学习用处理液供给部的信息和表示各学习用组供给学习用处理液的定时的信息。学习用组是在气泡动作模拟中与上述实施方式1中确定的组对应的假想组，作为学习用而被利用。学习用处理液供给部是在气泡动作模拟中与上述实施方式1的处理液供给部An对应的假想的处理液供给部，作为学习用而被利用。另外，学习用处理液供给部在气泡动作模拟中供给学习用处理液。

多个学习用处理液供给部中的2个以上的学习用处理液供给部分别属于相互不同的学习用组中的至少1个学习用组。学习用组是学习用处理液供给部的控制单位。因此，在气泡动作模拟中，以学习用组为单位控制学习用处理液供给部。

有时一个学习用处理液供给部属于一个学习用组，也有时一个学习用处理液供给部属于多个学习用组。另外，多个学习用组的各组包括至少1个学习用处理液供给部。因此，有时一个学习用组中包括一个学习用处理液供给部，有时一个学习用组中包括多个学习用处理液供给部。另外，也存在多个学习用处理液供给部中的一部分学习用处理液供给部不属于任何一个学习用组的情况。在这种情况下，在气泡动作模拟中不使用不属于任何学习用组的学习用处理液供给部。换言之，在气泡动作模拟中仅使用属于各学习用组的学习用处理液供给部。

在气泡动作模拟中，属于学习用组的学习用处理液供给部在每个学习用组不同的期间向气泡供给学习用处理液。

控制部161将输入信息IF3输入到已学习模型LM，从已学习模型LM取得输出信息IF4。输入信息IF3包含表示处理液LQ对基板W的处理量的目标值的信息。基板W的处理量例如表示基板W的蚀刻速率、基板W的蚀刻量或基板W的厚度。

输出信息IF4至少包含表示属于各组的1个以上的处理液供给部An的信息和表示各组应供给处理液LQ的定时的信息。在这种情况下，“定时”包括组的顺序以及各组的实施期间。

在第四变形例中，控制部161基于输出信息IF4控制多个处理液供给部An。具体而言，控制部161通过控制各处理液供给部An以成为由输出信息IF4表示的设定，从而利用处理液LQ控制气泡BB的动作。其结果，在基板W的表面及其附近能够降低气泡BB不足的区域。因此，能够在基板W的整个表面降低处理液LQ中的溶解氧浓度，因此能够在基板W的面内抑制由处理液LQ引起的处理不均。

接着，参照图14及图15，说明第四变形例的基板处理方法。图15是表示第四变形例的基板处理方法的流程图。基板处理方法由基板处理装置100B执行。如图15所示，基板处理方法包括工序S21～工序S27。工序S21～工序S27在控制部161的控制下执行。

如图14及图15所示，首先，在工序S21中，控制部161向已学习模型LM输入输入信息IF3，从已学习模型LM取得输出信息IF4。工序S21相当于本发明的“已学习模型利用工序”的一例。

工序S22～工序S24分别与图10所示的工序S1～工序S3相同，省略说明。在工序S24之后，处理进入工序S25。

接着，在工序S25中，控制部161基于由在工序S21中取得的输出信息IF4表示的处理条件(表示属于各组的1个以上的处理液供给部An的信息、表示各组应供给处理液LQ的定时的信息)，控制多个处理液供给部An。

具体而言，工序S25包括工序S251、S252、S253、S254、……、S25M。首先，在工序S251中，基于由输出信息IF4表示的处理条件，从属于第一组G1的处理液供给部An向气泡BB供给处理液LQ。接着，在工序S252中，基于由输出信息IF4表示的处理条件，从属于第二组G2的处理液供给部An向气泡BB供给处理液LQ。以下，依次执行工序S253、S254、……、S25M。在工序S25M中，基于由输出信息IF4表示的处理条件，从属于第M组GM的处理液供给部An向气泡BB供给处理液LQ。这样，在工序S25中，属于组的处理液供给部An基于由输出信息IF4表示的处理条件，在每组不同的期间向气泡BB供给处理液LQ。

接着，在工序S26中，从全部的处理液供给部An向贮存于处理槽110的处理液LQ开始供给处理液LQ。

接着，在工序S27中，基板保持部120从处理液LQ中提起基板W。然后，基板处理方法结束。

接着，参照图16说明第四变形例的学习装置170。学习装置170例如是计算机。图16是表示学习装置170的框图。如图16所示，学习装置170具备处理部171、存储部172、通信部173、输入部174和显示部175。

处理部171具备CPU及GPU等处理器。存储部172包括存储装置，存储数据和计算机程序。处理部171的处理器执行存储部172的存储装置所存储的计算机程序，执行各种处理。存储部172的硬件结构与图14的存储部162的硬件结构相同。

通信部173连接于网络并与外部设备通信。通信部173的硬件结构与图14的通信部163的硬件结构相同。输入部174是用于向处理部171输入各种信息的输入设备。输入部174的硬件结构与图14的输入部164的硬件结构相同。显示部175显示图像。显示部175的硬件结构与图14的显示部165的硬件结构相同。

继续参照图16说明处理部171。处理部171从外部取得多个学习数据DT。例如，处理部171经由网络和通信部173从模拟装置或学习数据生成装置取得多个学习数据DT。学习数据生成装置基于从模拟装置取得的数据生成学习数据DT。

处理部171控制存储部172以存储各学习数据DT。其结果，存储部172存储各学习数据DT。

存储部172存储学习程序PG2。学习程序PG2是用于执行用于从多个学习数据DT中发现一定的规则并生成表达所发现的规则的已学习模型LM的机器学习算法的程序。

机器学习算法没有特别限制，例如是决策树、最近邻法、简单贝叶斯分类器、支持向量机或神经网络。因此，已学习模型LM包括决策树、最近邻法、简单贝叶斯分类器、支持向量机或神经网络。在生成已学习模型LM的机器学习中，可以利用误差反向传播方法。

例如，神经网络包括输入层、一个或多个中间层、以及输出层。具体地说，神经网络为深度神经网络(DNN：Deep Neural Network)、递归神经网络(RNN：Recurrent NeuralNetwork)或卷积神经网络(CNN：Convolutional Neural Network)，进行深度学习。例如，深度神经网络包括输入层、多个中间层、以及输出层。

处理部171基于学习程序PG2对多个学习数据DT进行机器学习。其结果，从多个学习数据DT中发现一定的规则，生成已学习模型LM。即，通过对学习数据DT进行机器学习来构建已学习模型LM。存储部172存储已学习模型LM。

具体而言，处理部171通过执行学习程序PG2，发现包含在学习数据DT中的说明变量和目的变量之间的一定的规则，生成已学习模型LM。

更具体地说，处理部171基于学习程序PG2对多个学习数据DT进行机器学习，由此计算多个已学习参数，生成包含应用了多个已学习参数的1个以上函数的已学习模型LM。已学习参数是基于使用多个学习数据DT的机器学习的结果而取得的参数(系数)。

已学习模型LM使计算机发挥功能，以输入输入信息IF3并输出输出信息IF4。换言之，已学习模型LM输入输入信息IF3，输出输出信息IF4。具体而言，已学习模型LM推定在基板W的面内利用处理液LQ进行的处理量变得均匀的处理条件。处理条件至少包含表示属于各组的1个以上的处理液供给部An的信息、以及表示各组应供给处理液LQ的定时的信息。

接着，参照图16及图17，说明第四变形例的学习方法。图17是表示第四变形例的学习方法的流程图。如图17所示，学习方法包括工序S31～工序S34。学习方法由学习装置170执行。

如图16和图17所示，在工序S31中，学习装置170的处理部171从模拟装置或学习数据生成装置取得多个学习数据DT。

接着，在工序S32中，处理部171基于学习程序PG2对多个学习数据DT进行机器学习。

接着，在工序S33中，处理部171判定是否满足学习结束条件。学习结束条件是为了结束机器学习而预先确定的条件。学习结束条件例如是反复次数达到规定次数。

在工序S33中判定为否定的情况下，处理进入工序S31。其结果是反复进行机器学习。

另一方面，在工序S33中判定为肯定的情况下，处理进入工序S34。

在工序S34中，处理部171输出最新的多个参数(系数)，即，应用了多个已学习参数(系数)的模型(1个以上函数)作为已学习模型LM。然后，存储部172存储已学习模型LM。

以上，通过学习装置170执行工序S31～工序S34，生成已学习模型LM。

即，根据第四变形例，学习装置170进行机器学习。因此，能够从非常复杂且分析对象庞大的学习数据DT中发现规则性，制作高精度的已学习模型LM。然后，图14所示的控制装置160的控制部161对已学习模型LM输入包含处理量的目标值的输入信息IF3，从已学习模型LM输出包含处理条件的信息的输出信息IF4。因此，能够高速地执行各处理液供给部An的设定，能够提高处理基板W时的吞吐量。

另外，图14的控制装置160也可以作为图16的学习装置170进行动作。

接着，参照图9(a)详细说明学习数据DT的生成方法。下面，说明执行气泡动作模拟的模拟装置生成学习数据DT的例子。另外，在以下的说明中，将图9(a)所示的基板W视为“学习用基板Wa”。

首先，向模拟装置输入处理条件信息Q2。处理条件信息Q2至少包含表示属于各学习用组的1个以上学习用处理液供给部的信息和表示各学习用组供给学习用处理液的定时的信息。

接着，模拟装置基于处理条件信息Q2模拟气泡的动作。其结果，模拟装置输出表示气泡分布的模拟结果。

具体而言，输出如下的模拟结果。即，在图9(a)所示的学习用基板Wa中，设定以4个监视点12为顶点的区域16。其结果，在学习用基板Wa上设定多个区域16。在图9(a)的例子中，区域16是正方形。另外，一个监视点12与一个区域16相关联。例如，位于表示区域16的正方形右下角的监视点12与区域16相关联。然后，将监视点12的气泡通过数的累计值作为与监视点12相关联的区域16中的气泡通过数的累计值来处理。即，对各区域16分配气泡的通过数的累计值。因此，模拟装置将每个区域16的气泡的通过数的累计值作为模拟结果输出。

接着，模拟装置利用变换函数或变换表，对每个区域16，将气泡的通过数的累计值变换为学习用处理液对学习用基板Wa的处理量。其结果，对于学习用基板Wa的每个区域16，得到处理量。即，得到表示学习用基板Wa的面内的处理量的分布的处理量信息Q1。即，处理量信息Q1是表示学习用处理液对学习用基板Wa的每个区域16的处理量的信息。处理量例如表示学习用基板Wa的每个区域16的蚀刻速率、学习用基板Wa的每个区域16的蚀刻量、或者学习用基板Wa的每个区域16的厚度。

另外，由于气泡的量与处理量之间存在正的相关(例如，正比例的关系)(参照图3、图4)，所以预先通过实验导出变换函数或变换表。

这里，通过将各种处理条件信息Q2输入到模拟装置，得到多个模拟结果。然后，从多个模拟结果得到多个处理量信息Q1。

并且，模拟装置取得多个处理量信息Q1中的、每个区域16的处理量的偏差在规定范围内的处理量信息Q1和与该处理量信息Q1对应的处理条件信息Q2，作为学习数据DT的处理量信息IF1和处理条件信息IF2。例如，模拟装置取得多个处理量信息Q1中的、每个区域16的处理量的标准偏差或方差为阈值以下的处理量信息Q1和与该处理量信息Q1对应的处理条件信息Q2，作为学习数据DT的处理量信息IF1及处理条件信息IF2。

然后，图16所示的学习装置170从模拟装置取得多个学习数据DT，学习多个学习数据DT。另外，学习数据生成装置也可以从模拟装置取得模拟结果，基于模拟结果生成学习数据DT。

以上，如参考图9(a)和图16说明那样，在第四变形例中，通过学习包含在学习用基板Wa的面内的处理量的偏差小的处理量信息IF1的学习数据DT，从而生成已学习模型LM。因此，通过基于在已学习模型LM中输入输入信息IF3而得到的输出信息IF4，控制各处理液供给部An，能够有效地抑制基板W的面内的处理量的偏差。

在此，详细地说，输入信息IF3包含表示处理液LQ对基板W的每个区域15的处理量的目标值的信息。基板W的多个区域15分别对应于学习用基板Wa的多个区域16。处理量例如表示基板W的每个区域15的蚀刻速率、基板W的每个区域15的蚀刻量、或者基板W的每个区域15的厚度。

在输入信息IF3中，基板W的多个区域15中的处理量的目标值被设定为相同的值。这是为了抑制基板W的面内的处理量的偏差。另外，输入信息IF3中的处理量的目标值也可以具有由上限值及下限值规定的宽度。

另外，输出信息IF4至少包含表示属于各组的1个以上处理液供给部An的信息和表示各组应供给处理液LQ的定时的信息。在这种情况下，“定时”包括组的顺序以及各组的实施期间。

另外，处理量信息IF1及处理量信息Q1也可以是学习用基板Wa的每个区域16的气泡通过数累计值。此时，输入信息IF3是基板W的每个区域15的气泡BB的通过数累计值的目标值。

另外，处理条件信息IF2和处理条件信息Q2也可以包含来自学习用处理液供给部的学习用处理液的流量的信息。此时，输出信息IF4包含来自处理液供给部An的处理液LQ的流量的信息。

此外，处理条件信息IF2和处理条件信息Q2可以包括学习用处理液的种类、浓度和温度中的一种以上的信息。此时，输出信息IF4包含处理液LQ的种类、浓度、以及温度中的一种以上的信息。

此外，处理条件信息IF2和处理条件信息Q2可以包括学习基板Wa的直径、厚度和接触角中的一种以上的信息。此时，输出信息IF4包含基板W的直径、厚度及接触角中的一种以上的信息。

此外，处理条件信息IF2和处理条件信息Q2可以包括向学习用气泡供给管供给的学习用气体的流量、学习用气泡供给管中的学习用气泡孔的间隔、以及学习用气泡供给管的使用方式中的一种以上的信息。此时，输出信息IF4包含向气泡供给管1供给的气体GA的流量、气泡供给管1中的气泡孔2的间隔、以及气泡供给管1的使用方式中的一种以上的信息。

另外，学习用气泡供给管在气泡动作模拟中是与上述实施方式1的气泡供给管1对应的假想的气泡供给管，作为学习用而被利用。学习用气体及学习用气泡孔在气泡动作模拟中是与上述实施方式1的气体GA及气泡孔2对应的假想的气体及气泡孔，作为学习用而被利用。

(第五变形例)

参照图18～图20，说明实施方式1的第五变形例。在第五变形例中，作为处理液LQ使用清洗液。以下，主要说明第五变形例与实施方式1的不同点。

首先，参照图18的第一参考例和图19的第二参考例，说明将基板W上的药液置换为清洗液时的倾向。在第五变形例、第一参考例和第二参考例中，基板W具有硅基板和图案。硅基板具有大致圆板形状。图案形成在硅基板上。图案包括层叠膜。层叠膜包括多个多晶硅膜和多个氧化硅膜。多个多晶硅膜和多个氧化硅膜以多晶硅膜和氧化硅膜交替更换的方式沿基板W的厚度方向层叠。厚度方向表示与硅基板的表面大致正交的方向。另外，作为第一药液201使用BHF，作为第二药液211使用TMAH。而且，第二药液211可以包括TMAH和IPA。通过第二药液211包含IPA，即使基板W的图案的凹部微细，第二药液211也容易渗透到凹部内。

首先，参照图18说明第一参考例。图18是表示将第二药液211置换为清洗液221时的第一参考例的基板处理方法的图。在第一参考例中，在同一槽(第二药液槽210)中执行利用第二药液211进行的药液处理和利用清洗液221进行的清洗处理。

如图18所示，第一参考例的基板处理方法包括工序S201～工序S203。

首先，在工序S201中，在第一药液槽200的第一药液201中浸渍基板W，利用第一药液201对基板W进行蚀刻。具体而言，利用第一药液201在基板W的层叠膜上形成单数或多个凹部。凹部例如是沟槽或孔。在凹部，多晶硅膜和氧化硅膜露出。在利用第一药液槽200进行蚀刻后，基板W从第一药液槽200被提起，被输送到第二药液槽210。

接着，在工序S202中，在第二药液槽210的第二药液211中浸渍基板W，利用第二药液211对基板W进行蚀刻。具体而言，利用第二药液211，在基板W的层叠膜上形成的凹部中蚀刻多晶硅膜。更具体地说，在基板W的凹部中，利用第二药液211在与基板W的厚度方向大致垂直的方向上蚀刻多晶硅膜。

详细地说，利用第二药液槽210的工序S202包括工序S2021～工序S2023。

首先，在工序S2021中，在第二药液槽210中贮存清洗液221。然后，基板W浸渍在第二药液槽210的清洗液221中，被清洗液221清洗。

接着，在工序S2022中，向贮存有清洗液221的第二药液槽210供给第二药液211。在图18的例子中，在时刻t1，开始向贮存有清洗液221的第二药液槽210供给第二药液211。其结果，第二药液槽210的清洗液221逐渐更换为第二药液211。因此，基板W被第二药液211蚀刻。

此时，在基板W上，从清洗液221向第二药液211的置换从基板W的外周缘向基板W的中心推进。因此，在基板W的面内，与基板W的内侧区域AR2相比，外侧区域AR1向第二药液211的置换进行得更快。其结果，存在外侧区域AR1的蚀刻量比内侧区域AR2的蚀刻量多的情况。即，存在内侧区域AR2的蚀刻量比外侧区域AR1的蚀刻量少的情况。

此后，在内侧区域AR2中，清洗液221也被第二药液211置换。其结果，基板W的面内整个区域被第二药液211蚀刻。

接着，在工序S2023中，向贮存有第二药液211的第二药液槽210供给清洗液221。在图18的例子中，在时刻t2，开始向贮存有第二药液211的第二药液槽210供给清洗液221。其结果，第二药液槽210的第二药液211逐渐更换为清洗液221。因此，基板W被清洗液221清洗。

此时，在基板W上，从第二药液211向清洗液221的置换从基板W的外周缘向基板W的中心推进。因此，在基板W的面内，相比内侧区域AR2，外侧区域AR1从第二药液211向清洗液221的置换进行得更快。其结果，存在由残留于内侧区域AR2的第二药液211对内侧区域AR2进行蚀刻的情况。

之后，在内侧区域AR2中，第二药液211也被清洗液221置换。其结果，基板W的面内整个区域被清洗液221清洗。

以上，在工序S2022的药液处理中，存在基板W的内侧区域AR2的蚀刻量比外侧区域AR1的蚀刻量少的情况。另一方面，在工序S2023的清洗处理中，存在蚀刻内侧区域AR2的情况。其结果，工序S2022中的蚀刻与工序S2023中的蚀刻成为互补的关系。即，在工序S2022中蚀刻量少的内侧区域AR2在工序S2023中被残留的第二药液211蚀刻。因此，在工序S202中，在基板W的面内整个区域的蚀刻量变得均匀。

由第二药液211蚀刻的基板W在利用第二药液槽210清洗后，从第二药液槽210被提起，被输送至干燥槽220。

接着，在工序S203中，基板W在干燥槽220中干燥。然后，第一参考例的基板处理方法结束。

以上，如参照图18说明的那样，在第一参考例中，在同一槽(第二药液槽210)中执行清洗处理和药液处理。因此，每当对一批(例如25张或50张)基板W的处理结束时，需要废弃清洗液221和第二药液211。因此，为了在多个批次中再利用清洗液221及第二药液211，在不同的槽中执行清洗处理和药液处理。

接着，参照图19说明第二参考例。图19是表示将第二药液211置换为清洗液241时的第二参考例的基板处理方法的图。在第二参考例中，在不同的槽(第二药液槽210和第二清洗槽240)中执行利用第二药液211进行的药液处理和利用清洗液241进行的清洗处理。

如图19所示，第二参考例的基板处理方法包括工序S211～工序S215。

首先，在工序S211中，在第一药液槽200的第一药液201中浸渍基板W，利用第一药液201对基板W进行蚀刻。这点与图18的工序S201相同。在利用第一药液槽200进行蚀刻后，基板W从第一药液槽200被提起，被输送到第一清洗槽230。

接着，在工序S212中，在第一清洗槽230的清洗液231中浸渍基板W，利用清洗液231清洗基板W。在利用第一清洗槽230进行清洗后，基板W从第一清洗槽230被提起，被输送到第二药液槽210。

接着，在工序S213中，在第二药液槽210的第二药液211中浸渍基板W，利用第二药液211对基板W进行蚀刻。这点与图18的工序S202相同。但是，在工序S213中，在第二药液槽210中不执行清洗处理。即，在第二药液槽210中不贮存清洗液，仅贮存第二药液211。因此，在工序S213中，在基板W的面内整个区域的蚀刻量变得均匀。在利用第二药液槽210的第二药液211进行蚀刻后，基板W从第二药液槽210被提起，被输送到第二清洗槽240。

接着，在工序S214中，在第二清洗槽240的清洗液241中浸渍基板W，利用清洗液241清洗基板W。

具体而言，在浸渍于清洗液241的基板W上，从第二药液211向清洗液241的置换从基板W的外周缘向基板W的中心推进。因此，在基板W的面内，相比内侧区域AR2，外侧区域AR1从第二药液211向清洗液241的置换进行得更快。其结果，存在内侧区域AR2被残留于内侧区域AR2的第二药液211蚀刻的情况。

然后，在内侧区域AR2中，第二药液211也被清洗液241置换。其结果，基板W的面内整个区域被清洗液241清洗。

在利用第二清洗槽240的清洗液241进行清洗后，基板W从第二清洗槽240被提起，被输送到干燥槽220。

接着，在工序S215中，基板W在干燥槽220中干燥。然后，第二参考例的基板处理方法结束。

以上，如参照图19说明的那样，在工序S214中，存在基板W的内侧区域AR2被残留的第二药液211蚀刻的情况，因此在基板W的面内存在蚀刻量不均匀的情况。即，在基板W的面内，蚀刻量有可能产生不均匀。

特别是，第二药液211的蚀刻时间越短，第二清洗槽240中的第二药液211的残留影响越大。这是因为，蚀刻时间短表示蚀刻速率高，所以由于第二清洗槽240中基板W上的第二药液211的残留导致蚀刻推进。

因此，为了在基板W的整个面内区域使蚀刻量均匀，实施方式1的第五变形例的基板处理装置300(图20)代替图19的第二清洗槽240而具备图1的处理槽110及周边部件。

图20是表示实施方式1的第五变形例的基板处理装置300的基板处理方法的图。如图20所示，基板处理装置300具备第一药液槽200、第一清洗槽230、第二药液槽210、图1的处理槽110及周边部件、以及干燥槽220。处理槽110的周边部件包括处理液供给部An和气泡供给部135。气泡供给部135包括多个气泡供给管1。

在第五变形例中，在处理槽110中，作为处理液LQ贮存有清洗液。即，处理液LQ是清洗液。以下，在第五变形例中，将清洗液记载为“清洗液111”。第一药液槽200、第一清洗槽230、第二药液槽210以及干燥槽220分别与图19的第二参考例的第一药液槽200、第一清洗槽230、第二药液槽210以及干燥槽220相同，省略说明。

基板处理装置300的基板处理方法包括工序S301～工序S305。工序S301、S302、S303以及工序S305分别与图19的第二参考例的工序S211、S212、S213以及工序S215相同，省略说明。

在工序S303中，在利用第二药液槽210的第二药液211进行蚀刻后(即，在利用第二药液211进行处理后)，基板W从第二药液槽210被提起，被输送到处理槽110。

接着，在工序S304中，在处理槽110的清洗液111中浸渍基板W，利用清洗液111清洗基板W。

具体而言，如图1及图20所示，基板保持部120将利用贮存于与处理槽110不同的第二药液槽210中的第二药液211处理后的基板W浸渍在贮存于处理槽110的清洗液111中。在第五变形例中，利用第二药液211进行的处理表示利用第二药液211进行的蚀刻。第二药液槽210相当于本发明的“药液槽”的一例。第二药液211相当于本发明的“药液”的一例。

气泡供给部135(气泡供给管1)从基板W的下方向清洗液111供给多个气泡BB。通过从1个以上处理液供给部An向气泡BB供给清洗液111，控制气泡BB的动作。其结果，能够抑制在基板W的表面及其附近，气泡BB的量产生偏差。即，在基板W的表面及其附近能够降低气泡BB不足的区域。

多个气泡BB(多数个气泡BB)在基板W上促进从第二药液211向清洗液111的置换。因此，根据第五变形例，即使在比基板W的外侧区域AR1更容易残留第二药液211的内侧区域AR2中，第二药液211也被清洗液111迅速置换。其结果，与不供给气泡BB的情况(例如图19所示的第二参考例)相比，能够在基板W的面内整个区域使处理量(例如蚀刻量)大致均匀。即，能够抑制在基板W的面内处理量(例如蚀刻量)产生不均匀。特别是，与不供给气泡BB的情况相比，通过多个气泡BB(多数个气泡BB)，在基板W的面内整个区域，能够加快从第二药液211向清洗液111的置换速度。即，能够提高清洗处理的吞吐量。

作为气泡BB在基板W上(基板W表面)促进从第二药液211向清洗液111置换的理由，例如可以认为由于气泡BB的上升流，在基板W的表面产生湍流，基板W的表面的第二药液211容易被清洗液111置换。换言之，通过气泡BB的上升流，在基板W的表面产生湍流，能够抑制第二药液211和清洗液111滞留在基板W的表面。换言之，通过气泡BB的上升流，能够有效地向基板W的表面送入新鲜的清洗液111。

另外，在第五变形例中，作为能够抑制在基板W的面内的处理量(例如蚀刻量)产生不均匀的理由，可以如下认为。即，由处理液供给部An供给的清洗液111引起的处理槽110内的不均匀的流动被多个气泡BB的上升流整流。其结果，认为在基板W的外侧区域AR1和内侧区域AR2中，从第二药液211向清洗液111的置换效率相等。因此，能够抑制在基板W的面内处理量产生不均。

另外，例如，在不供给气泡BB的情况下，由于从处理液供给部An供给的清洗液111引起的处理槽110内的流动，存在清洗液111比基板W的内侧区域AR2更容易流向外侧区域AR1的情况。因此，在不供给气泡BB的情况下，存在第二药液211和清洗液111容易滞留在基板W的内侧区域AR2的情况。因此，在第五变形例中，通过供给气泡BB，由处理液供给部An供给的清洗液111引起的处理槽110内的不均匀的流动被多个气泡BB的上升流整流。其结果，认为在基板W的外侧区域AR1和内侧区域AR2中，从第二药液211向清洗液111的置换效率相等。

进而，根据第五变形例，在第一清洗槽230中进行利用清洗液231的清洗处理，在第二药液槽210中进行利用第二药液211的药液处理，在处理槽110中进行利用清洗液111的清洗处理。即，清洗处理和药液处理在不同的槽中执行。因此，不要求每批次更换清洗液231、111及第二药液211。其结果，与第一参考例(图18)相比，能够降低清洗液231、111及第二药液211的使用量。即，可以再利用清洗液231、111和第二药液211。因此，能够降低清洗液231、111及第二药液211的废弃量。

(实施方式2)

参照图21～图25，说明本发明的实施方式2的基板处理装置300。实施方式2的基板处理装置300具备流体供给部155和流体调整部145代替图1的气泡供给部135和气泡调整部140。以下，主要说明实施方式2与实施方式1的不同点。

图21是表示实施方式2的基板处理装置300的示意性俯视图。基板处理装置300处理多个批次。多个批次分别由多个基板W构成。如图21所示，基板处理装置300包括多个收纳部21、投入部23、排出部27、交接机构31、缓冲单元BU、输送机构CV、处理部SP1、以及控制装置160。控制装置160(控制部161)控制收纳部21、投入部23、排出部27、交接机构31、缓冲单元BU、输送机构CV以及处理部SP1。处理部SP1包括多个槽TA。输送机构CV包括第一输送机构CTC、第二输送机构WTR、副输送机构LF1、副输送机构LF2和副输送机构LF3。

处理部SP1包括干燥处理部37、第一处理部39、第二处理部40和第三处理部41。干燥处理部37包括多个槽TA中的槽LPD1和槽LPD2。第一处理部39包括多个槽TA中的槽ONB1和槽CHB1。第二处理部40包括多个槽TA中的槽ONB2和槽CHB2。第三处理部41包括多个槽TA中的槽ONB3和槽CHB3。

多个收纳部21分别收纳多个基板W。各基板W以水平姿势收纳在收纳部21中。收纳部21例如是FOUP(Front Opening Unified Pod：前开式晶圆传送盒)。

收纳未处理的基板W的收纳部21载置在投入部23上。具体而言，投入部23包括多个载置台25。而且，2个收纳部21分别载置在2个载置台25上。投入部23配置在基板处理装置300的长度方向的一端。

收纳处理完毕的基板W的收纳部21载置在排出部27。具体而言，排出部27包括多个载置台29。而且，2个收纳部21分别载置在2个载置台29。排出部27将处理完毕的基板W收纳在收纳部21中，连同收纳部21一起排出。排出部27配置在基板处理装置300的长度方向的一端。排出部27相对于投入部23在与基板处理装置300的长度方向正交的方向上对置。

缓冲单元BU与投入部23及排出部27相邻配置。缓冲单元BU将载置在投入部23的收纳部21连同基板W一起取入内部，并且将收纳部21载置在搁板(未图示)。另外，缓冲单元BU接受处理完毕的基板W并收纳在收纳部21中，并且将收纳部21载置在搁板。在缓冲单元BU内配置有交接机构31。

交接机构31在投入部23及排出部27与搁板之间交接收纳部21。另外，交接机构31在交接机构31与输送机构CV之间仅进行基板W的交接。具体而言，交接机构31在交接机构31与输送机构CV之间进行批次的交接。输送机构CV将批次搬入及搬出处理部SP1。具体而言，输送机构CV对处理部SP1的各槽TA搬入及搬出批次。处理部SP1对批次的各基板W进行处理。

具体而言，交接机构31在交接机构31与输送机构CV的第一输送机构CTC之间进行批次的交接。第一输送机构CTC将从交接机构31接受的批次的多个基板W的姿势从水平姿势变换为垂直姿势后，将批次交接给第二输送机构WTR。另外，第一输送机构CTC在从第二输送机构WTR接受处理完毕的批次后，将批次的多个基板W的姿势从垂直姿势变换为水平姿势，将批次交接给交接机构31。

第二输送机构WTR能够沿基板处理装置300的长度方向从处理部SP1的干燥处理部37移动到第三处理部41。因此，第二输送机构WTR将批次搬入和搬出至干燥处理部37、第一处理部39、第二处理部40以及第三处理部41。

干燥处理部37对批次进行干燥处理。具体而言，干燥处理部37的槽LPD1及槽LPD2分别收纳批次，对批次的多个基板W进行干燥处理。第二输送机构WTR分别对槽LPD1和槽LPD2搬入和搬出批次。

与干燥处理部37相邻地配置有第一处理部39。第一处理部39的槽ONB1例如对批次的多个基板W进行利用清洗液的清洗处理。槽CHB1例如对批次的多个基板W进行利用药液的处理(例如蚀刻处理)。

输送机构CV的副输送机构LF1除了在第一处理部39内的批次输送以外，还与第二输送机构WTR之间进行批次的交接。另外，副输送机构LF1将批次浸渍在槽ONB1或槽CHB1中，或者将批次从槽ONB1或槽CHB1中提起。

与第一处理部39相邻地配置有第二处理部40。第二处理部40的槽ONB2具有与槽ONB1相同的结构，进行与槽ONB1相同的处理。槽CHB2具有与槽CHB1相同的结构，进行与槽CHB1相同的处理。输送机构CV的副输送机构LF2除了在第二处理部40内的批次输送以外，还与第二输送机构WTR之间进行批次的交接。另外，副输送机构LF2将批次浸渍在槽ONB2或槽CHB2中，或者将批次从槽ONB2或槽CHB2提起。

与第二处理部40相邻地配置有第三处理部41。第三处理部41的槽ONB3具有与槽ONB1相同的结构，进行与槽ONB1相同的处理。槽CHB3具有与槽CHB1相同的结构，进行与槽CHB1相同的处理。输送机构CV的副输送机构LF3除了在第三处理部41内的批次输送以外，还与第二输送机构WTR之间进行批次的交接。另外，副输送机构LF3将批次浸渍在槽ONB3或槽CHB3中，或者将批次从槽ONB3或槽CHB3提起。

以下，在实施方式2中，将槽LPD1、LPD2记载为干燥槽LPD1、LPD2。将槽ONB1记载为第一清洗槽ONB1，将槽ONB2记载为第二清洗槽ONB2，将槽ONB3记载为第三清洗槽ONB3。将槽CHB1记载为第一药液槽CHB1，将槽CHB2记载为第二药液槽CHB2，将槽CHB3记载为第三药液槽CHB3。

在第一药液槽CHB1中贮存第一药液。第一药液例如为BHF。在第二药液槽CHB2中贮存第二药液。第二药液例如为TMAH。另外，第二药液也可以包括TMAH和IPA。第二药液槽CHB2相当于本发明的“药液槽”的一例。第二药液相当于本发明的“药液”的一例。第二清洗槽ONB2相当于本发明的“清洗槽”的一例。

接着，参照图22说明第二清洗槽ONB2。图22是表示第二清洗槽ONB2的示意性剖视图。如图22所示，基板处理装置300的第二处理部40的结构与图1的基板处理装置100的结构相同。但是，第二处理部40代替图1的气泡供给部135而具备流体供给部155。另外，第二处理部40代替图1的气泡调整部140而具备流体调整部145。另外，第二处理部40代替图1的处理槽110而具备第二清洗槽ONB2。第二清洗槽ONB2的结构与图1的处理槽110的结构相同。

在实施方式2中，处理液LQ为清洗液。以下，将作为处理液LQ的清洗液记载为“清洗液111”。第二清洗槽ONB2贮存清洗液111。第二清洗槽ONB2包括彼此对置的第一侧壁116和第二侧壁117。

处理液供给部An将清洗液111向第二清洗槽ONB2(具体而言为内槽112)的内部供给。因此，在实施方式2中，处理液流量调整部130对每个处理液供给部An调整向处理液供给部An供给的清洗液111的流量。处理液供给部An配置在第二清洗槽ONB2。另外，实施方式2的处理液供给部An及处理液流量调整部130的动作与实施方式1的处理液供给部An及处理液流量调整部130的动作相同。

处理液供给部An相当于本发明的“清洗液供给部”的一例。另外，在实施方式2中，处理液流量调整部130可以理解为“清洗液流量调整部”。

具体而言，多个处理液供给部An包括至少1个第一处理液供给部An。在实施方式2中，多个处理液供给部An包括2个以上第一处理液供给部An(A1～A3)。第一处理液供给部An(A1～A3)配置在第一侧壁116侧，向第二清洗槽ONB2的内部供给清洗液111。多个处理液供给部An包括至少1个第二处理液供给部An。在实施方式2中，多个处理液供给部An包括2个以上第二处理液供给部An(A4～A6)。第二处理液供给部An(A4～A6)配置在第二侧壁117侧，向第二清洗槽ONB2的内部供给清洗液111。第一处理液供给部An(A1～A3)相当于本发明的“第一清洗液供给部”的一例。第二处理液供给部An(A4～A6)相当于本发明的“第二清洗液供给部”的一例。

基板保持部120保持基板W，将基板W浸渍在贮存于第二清洗槽ONB2的清洗液111中。另外，副输送机构LF2包括基板保持部120及升降单元126。另外，副输送机构LF1、LF3的结构与副输送机构LF2的结构相同。

流体供给部155配置在第二药液槽CHB2的内部。流体供给部155向第二药液槽CHB2的清洗液111中供给从流体调整部145供给的流体FL。流体FL是液体或气体。在流体FL是液体的情况下，流体FL例如是清洗液。在流体FL是气体的情况下，气体例如是惰性气体。惰性气体例如是氮气或氩气。另外，在流体FL为气体的情况下，流体供给部155与图1的气泡供给部135相同。

流体供给部155包括至少1个流体供给管1A。在实施方式2中，流体供给部155包括多个流体供给管1A。在图22的示例中，流体供给部155包括6根流体供给管1A。另外，流体供给管1A的数量没有特别限定。流体供给管1A的原材料与图1的气泡供给管1的原材料相同。

流体供给管1A的结构与图1的气泡供给管1的结构相同。具体而言，多个流体供给管1A分别具有多个流体孔2A。在图22的例子中，流体孔2A沿铅锤方向D朝向上方。流体供给管1A通过从流体孔2A喷出从流体调整部145供给的流体FL，向清洗液111中供给流体FL。

多个流体供给管1A在俯视下相互大致平行且隔开间隔地配置。另外，多个流体供给管1A的配置与图1及图2的多个气泡供给管1的配置相同。另外，在多个流体供给管1A的每一个中，多个流体孔2A在流体供给管1A延伸的方向上隔开间隔配置在大致一条直线上。此外，流体孔2A的结构及配置与图1及图2的气泡孔2的结构及配置相同。

详细地说，多个流体供给管1A分别在基板W浸渍于清洗液111的状态下，从多个流体孔2A分别从基板W下方对清洗液111供给流体FL。

流体调整部145对每个流体供给管1A调整向流体供给管1A供给的流体FL的流量，由此调整向清洗液111供给的流体FL的量。流体FL的流量调整包括使流体FL的流量恒定、增加流体FL的流量、减少流体FL的流量以及使流体FL的流量为零。在实施方式2中，流体调整部145对每个流体供给管1A切换流体FL向流体供给管1A的供给和供给停止。另外，在流体FL为气体的情况下，流体调整部145与图1的气泡调整部140相同。

流体调整部145分别对应于多个流体供给管1A包括多个流体调整机构147。另外，多个供给配管P4分别对应于多个流体调整机构147而设置。供给配管P4的一端与对应的流体供给管1A连接。供给配管P4的另一端与共用配管P3连接。共用配管P3与流体供给源TKC连接。

多个流体调整机构147分别配置在多个供给配管P4。流体调整机构147将从流体供给源TKC和共用配管P3供给的流体FL通过对应的供给配管P4向对应的流体供给管1A供给。另外，流体调整机构147调整向对应的流体供给管1A供给的流体FL的流量。其结果，对于每个流体供给管1A，调整向清洗液111供给的流体FL的量。在实施方式2中，流体调整机构147切换流体FL向对应的流体供给管1A的供给和供给停止。

流体调整机构147具有与图2的气泡调整机构142相同的结构。例如，流体调整机构147包括流量调整阀、流量计、过滤器和阀。另外，例如，流体调整机构147也可以代替流量调整阀及流量计而具备质量流量控制器。

控制装置160(控制部161)控制第二处理部40的各结构以及副输送机构LF2的各结构。

接着，参照图23说明第二药液槽CHB2。图23是表示第二药液槽CHB2的示意性剖视图。如图23所示，第二处理部40具备第二药液槽CHB2、药液导入部425、排液部470、气泡调整部480以及气泡供给部400。第二药液槽CHB2包括内槽405和外槽410。

第二药液槽CHB2贮存第二药液LQB。具体而言，内槽405贮存浸渍多个基板W的第二药液LQB。外槽410配置在内槽405的外侧，包围内槽405。贮存在内槽405中的第二药液LQB中的从内槽405溢出的第二药液LQB流入外槽410。

副输送机构LF2包括基板保持部120和升降单元126。基板保持部120将隔开间隔排列的多个基板W浸渍在贮存于内槽405的第二药液LQB中。其结果，基板W被第二药液LQB处理。

气泡供给部400向贮存在内槽405中的第二药液LQB供给气体GA1。气体GA1例如是惰性气体。惰性气体例如是氮气或氩气。具体而言，气泡供给部400向贮存在内槽405中的第二药液LQB供给气体GA1的气泡BB1。

详细地说，气泡供给部400配置在内槽405的内部。气泡供给部400包括至少1个气泡供给管51。在实施方式2中，气泡供给部400包括多个气泡供给管51。多个气泡供给管51配置在内槽405的底部侧。多个气泡供给管51分别具有多个气泡孔H1。

多个气泡供给管51分别从多个气泡孔H1分别喷出气体GA1，由此从各气泡孔H1向第二药液LQB供给气泡BB1。气泡供给管51例如是气泡管。

气泡调整部480能够调节向气泡供给部400供给的气体GA1的流量。具体而言，气泡调整部480通过调节向气泡供给部400供给的气体GA1的流量，能够调节气泡供给部400向第二药液LQB供给的气泡BB1的量。

具体而言，气泡调整部480将从气体供给源TKD供给的气体GA1从多个供给配管481分别向多个气泡供给管51供给。更具体而言，气泡调整部480包括多个气泡调整机构482。气泡调整机构482将气体GA1经由对应的供给配管481向对应的气泡供给管51供给。另外，气泡调整机构482能够调节向对应的气泡供给管51供给的气体GA1的流量。

此外，气泡调整部480的结构及动作与图1的气泡调整部140的结构及动作相同。气泡调整机构482的结构及动作与图1的气泡调整机构142的结构及动作相同。另外，气泡供给部400的结构及动作与图1的气泡供给部135的结构及动作相同。气泡供给管51的结构及动作与图1的气泡供给管1的结构及动作相同。

药液导入部425将贮存于外槽410的第二药液LQB导入内槽405。其结果，第二药液LQB在内槽405与外槽410之间循环。

药液导入部425包括导入部430和循环部440。

导入部430向内槽405导入第二药液LQB。导入部430在内槽405的内部配置在气泡供给部400(具体而言为气泡供给管51)的下方。

具体而言，导入部430包括板42。板42分割内槽405的内部，形成处理室413和导入室415。处理室413是在内槽405的内部比板42靠上方的室。导入室415是在内槽405的内部比板42靠下方的室。

板42具有多个药液孔P。药液孔P配置在板42的整个面。多个气泡供给管51在内槽405的内部配置在板42的上方且基板W的下方。

在第二药液LQB贮存在内槽405中的状态下，导入部430从多个药液孔P朝向上方向内槽405导入第二药液LQB。因此，导入部430能够产生从循环部440供给的第二药液LQB的层流。第二药液LQB的层流从多个药液孔P沿大致铅锤方向D向上方流动。

具体而言，导入部430包括至少1个喷出部431和至少1个分散板432。喷出部431例如是喷嘴或管。分散板432例如为大致平板状。喷出部431和分散板432配置在导入室415中。

喷出部431将从循环部440供给的第二药液LQB向分散板432喷出。因此，第二药液LQB碰到分散板432，第二药液LQB的压力由分散板432分散。而且，由分散板432分散了压力的第二药液LQB在导入室415沿大致水平方向扩展。进而，第二药液LQB从板42的各药液孔P向上方作为层流供给到处理室413。

循环部440通过将从内槽405溢出并流入外槽410的第二药液LQB向导入部430供给，使内槽405内的第二药液LQB循环。

具体而言，循环部440包括循环配管441、泵442、加热器443、过滤器444、调整阀445以及阀446。

循环配管441连接外槽410和内槽405。而且，循环配管441将从内槽405溢出并流入外槽410的第二药液LQB再次导入内槽405。在循环配管441的下游端连接有导入部430(具体而言为喷出部431)。

泵442经由循环配管441从外槽410向内槽405送出第二药液LQB。喷出部431喷出从循环配管441供给的第二药液LQB。过滤器444过滤流经循环配管441的第二药液LQB。

加热器443加热流经循环配管441的第二药液LQB。调整阀445通过控制调整阀445的开度来调整向喷出部431供给的第二药液LQB的流量。阀446开闭循环配管441。排液部470排出内槽405的第二药液LQB。排液部470包括排液配管470a和阀470b。控制装置160(控制部161)控制第二处理部40的各结构以及副输送机构LF2的各结构。

接着，参照图21～图25，说明基板处理装置300执行的基板处理方法。图24是表示实施方式2的基板处理方法的流程图。如图24所示，基板处理方法包括工序S100～工序S500。工序S100～工序S500在控制部161的控制下执行。

如图21及图24所示，首先，在工序S100中，副输送机构LF1(基板保持部)将多个基板W浸渍在贮存于第一药液槽CHB1的第一药液中。其结果，利用第一药液处理基板W。即，第一处理部39利用贮存在第一药液槽CHB1中的第一药液对基板W进行处理。并且，当第一药液槽CHB1的处理结束时，副输送机构LF1(基板保持部)将多个基板W从第一药液槽CHB1的第一药液中提起。

接着，在工序S200中，副输送机构LF1(基板保持部)将多个基板W浸渍在贮存于第一清洗槽ONB1的清洗液中。其结果，基板W被清洗液清洗。即，第一处理部39利用贮存在第一清洗槽ONB1中的清洗液对基板W进行清洗。并且，当第一清洗槽ONB1的清洗处理结束时，副输送机构LF1(基板保持部)将多个基板W从第一清洗槽ONB1的清洗液中提起。此外，第二输送机构WTR将基板W从第一处理部39输送到第二处理部40，将基板W交付给副输送机构LF2。

接着，在工序S300中，副输送机构LF2(基板保持部120)将多个基板W浸渍在贮存于第二药液槽CHB2的第二药液LQB中。其结果，利用第二药液LQB处理基板W。即，第二处理部40利用贮存于第二药液槽CHB2的第二药液LQB对基板W进行处理。然后，当第二药液槽CHB2的处理结束时，副输送机构LF2(基板保持部120)将多个基板W从第二药液槽CHB2的第二药液LQB提起。

接着，在工序S400中，副输送机构LF2(基板保持部120)将多个基板W浸渍在贮存于第二清洗槽ONB2的清洗液111中。其结果，基板W被清洗液111清洗。即，第二处理部40利用储存在第二清洗槽ONB2中的清洗液111对基板W进行清洗。并且，当第二清洗槽ONB2的清洗处理结束时，副输送机构LF2(基板保持部120)将多个基板W从第二清洗槽ONB2的清洗液111提起。此外，第二输送机构WTR将基板W从第二处理部40输送到干燥槽LPD2。

接着，在工序S500中，干燥槽LPD2对多个基板W进行干燥。当干燥槽LPD2的干燥结束时，第二输送机构WTR从干燥槽LPD2取出多个基板W。然后，基板处理方法结束。

图25是表示图24的工序S400的详细情况的流程图。即，图25表示第二清洗槽ONB2对基板W的清洗处理。如图25所示，第二清洗槽ONB2对基板W的清洗处理(图24的工序S400)包括工序S1A～工序S6A。工序S1A～工序S6A在控制部161的控制下执行。在基板处理方法的说明中，对第二清洗槽ONB2设定第一组G1～第M组GM。“M”是2以上的整数。

如图22及图25所示，首先，在工序S1A中，流体供给部155的各流体供给管1A从基板W的下方开始对贮存于第二清洗槽ONB2的清洗液111供给流体FL。工序S1A相当于本发明的“流体供给工序”的一例。

接着，在工序S2A中，从全部的处理液供给部An向贮存在第二清洗槽ONB2的清洗液111开始清洗液111的供给。

接着，在工序S3A中，基板保持部120将利用贮存于与第二清洗槽ONB2不同的第二药液槽CHB2中的第二药液LQB处理后的基板W浸渍在贮存于第二清洗槽ONB2的清洗液111中。工序S3A相当于本发明的“浸渍工序”的一例。

接着，在工序S4A中，一边切换处理液供给部An，一边从1个以上处理液供给部An向第二清洗槽ONB2的内部供给清洗液111。工序S4A相当于本发明的“清洗液供给工序”的一例。

具体而言，工序S4A包括工序S41、S42、S43、S44、……、S4M。首先，在工序S41中，从属于第一组G1的处理液供给部An向第二清洗槽ONB2的内部供给清洗液111。接着，在工序S42中，从属于第二组G2的处理液供给部An向第二清洗槽ONB2的内部供给清洗液111。以下，依次执行工序S43、S44、……、S4M。在工序S4M中，从属于第M组GM的处理液供给部An向第二清洗槽ONB2的内部供给清洗液111。这样，在工序S4A中，属于组的处理液供给部An在每组不同的期间供给清洗液111。

接着，在工序S5A中，从全部的处理液供给部An向贮存在第二清洗槽ONB2的清洗液111开始清洗液111的供给。

接着，在工序S6A中，基板保持部120从清洗液111中提起基板W。然后，基板处理方法结束。

以上，如参照图25说明的那样，根据实施方式2，从1个以上处理液供给部An向第二清洗槽ONB2的内部供给清洗液111(工序S4A)。另外，流体供给部155从基板W的下方对清洗液111供给流体FL(工序S1A)。具体而言，多个流体供给管1A分别对第二清洗槽ONB2的清洗液111供给流体FL。另外，在多个流体供给管1A的各个中，多个流体孔2A分别对第二清洗槽ONB2的清洗液111供给流体FL。这样，从第二清洗槽ONB2的底部侧的不同位置向清洗液111供给流体FL。

流体FL促进从残留在基板W的第二药液LQB向清洗液111的置换。因此，根据实施方式2，在比基板W的外侧区域AR1(图20)更容易残留第二药液LQB的内侧区域AR2中，第二药液LQB也被清洗液111迅速置换。其结果，与不供给流体FL的情况(例如图19所示的第二参考例)相比，能够在基板W的面内整个区域使处理量(例如蚀刻量)大致均匀。即，能够抑制在基板W的面内处理量(例如蚀刻量)产生不均匀。特别是，与不供给流体FL的情况相比，通过从第二清洗槽ONB2的底部侧的不同位置供给的流体FL，在基板W的面内整个区域，能够加快从第二药液LQB向清洗液111的置换速度。即，能够提高清洗处理的吞吐量。

作为流体FL在基板W上(基板W表面)促进从第二药液LQB向清洗液111置换的理由，例如认为通过流体FL的上升流在基板W的表面产生湍流，基板W的表面的第二药液LQB容易被清洗液111置换。换言之，由于流体FL的上升流在基板W的表面产生湍流，能够抑制第二药液LQB及清洗液111滞留在基板W的表面。

特别地，在流体FL为清洗液的情况下，更有效地执行向清洗液的置换。即，认为由于作为清洗液的流体FL的上升流在基板W的表面产生清洗液的湍流，基板W的表面的第二药液LQB容易被清洗液置换。换言之，由于作为清洗液的流体FL的上升流在基板W的表面产生清洗液的湍流，能够进一步抑制第二药液LQB和清洗液在基板W的表面滞留。另外，由于作为清洗液的流体FL的上升流，能够有效地向基板W的表面送入新鲜的清洗液。

另外，与流体FL为液体的情况相比，流体FL为气体的情况下能更有效地促进从第二药液LQB向清洗液111的置换。这是因为，在流体FL为气体的情况下，与流体FL为液体的情况相比，流体FL的上升速度更快，能够有效地产生湍流。

另外，在实施方式2中，作为能够抑制在基板W的面内的处理量(例如蚀刻量)产生不均匀的理由，可以如下认为。即，由处理液供给部An供给的清洗液111引起的处理槽110内的不均匀的流动，通过从第二清洗槽ONB2的底部侧的不同位置供给的流体FL的上升流而被整流。其结果，认为在基板W的外侧区域AR1(图20)和内侧区域AR2(图20)中，从第二药液LQB向清洗液111的置换效率相等。因此，能够在基板W的面内抑制处理量产生不均。

另外，例如，在不供给流体FL的情况下，由于从处理液供给部An供给的清洗液111引起的处理槽110内的流动，相比基板W的内侧区域AR2(图20)，存在清洗液111更容易流向外侧区域AR1(图20)的情况。因此，在不供给流体FL的情况下，存在第二药液LQB及清洗液111容易滞留在基板W的内侧区域AR2的情况。因此，在实施方式2中，通过从第二清洗槽ONB2的底部侧的不同位置供给流体FL，由处理液供给部An供给的清洗液111引起的处理槽110内的不均匀的流动被流体FL的上升流整流。其结果，认为在基板W的外侧区域AR1和内侧区域AR2中，从第二药液LQB向清洗液111的置换效率相等。

另外，根据实施方式2，在第一清洗槽ONB1中进行利用清洗液(以下记载为“清洗液RN”)的清洗处理，在第二药液槽CHB2中进行利用第二药液LQB的药液处理，在第二清洗槽ONB2中进行利用清洗液111的清洗处理。即，清洗处理和药液处理在不同的槽中执行。因此，不要求每批次更换清洗液RN、清洗液111和第二药液LQB。其结果，与第一参考例(图18)相比，能够降低清洗液RN、清洗液111及第二药液LQB的使用量。即，可以再利用清洗液RN、清洗液111及第二药液LQB。因此，能够降低清洗液RN、清洗液111及第二药液LQB的废弃量。

(变形例)

参照图22及图26，说明实施方式2的变形例。在变形例中，主要在细致地执行清洗液111的供给流量调整和流体FL的供给流量调整这点上，与执行清洗液111的供给开始/停止和流体FL的供给开始/停止的实施方式2不同。以下，主要说明变形例与实施方式2的不同点。

在变形例中，图22所示的处理液流量调整部130对每个处理液供给部An调整清洗液111的供给流量。

在变形例中，清洗液111的供给流量调整除了开始/停止清洗液111的供给之外，还包括变更来自1组内的处理液供给部An的清洗液111的供给流量，或者在多个组间变更来自处理液供给部An的清洗液111的供给流量。清洗液111的供给流量的变更包括阶段性地变更供给流量或连续地变更供给流量。

另外，在变形例中，流体调整部145对每个流体供给管1A调整流体FL的供给流量。

在变形例中，流体FL的供给流量调整除了开始/停止流体FL的供给之外还包括变更流体FL的供给流量。变更流体FL的供给流量包括阶段性地变更供给流量或连续地变更供给流量。

接着，参照图24及图26，说明变形例的基板处理方法。基板处理方法由基板处理装置300执行。如图24所示，变形例的基板处理方法包括工序S100～工序S500。图26是表示实施方式2的变形例的图24的工序S400的流程图。即，图26表示变形例的第二清洗槽ONB2对基板W的清洗处理。如图26所示，第二清洗槽ONB2对基板W的清洗处理(图24的工序S400)包括工序S11A～工序S17A。工序S11A～工序S17A在控制部161的控制下执行。

图26所示的工序S11A～工序S13A分别与图25所示的工序S1A～工序S3A相同。

如图26所示，在工序S13A之后，并行执行工序S14A和工序S15A。

在工序S14A中，在第一组G1～第M组GM中，通过处理液流量调整部130对每个处理液供给部An调整清洗液111的供给流量。

具体而言，工序S14A包括工序S141、S142、S143、S144、……、S14M。首先，在工序S141中，处理液流量调整部130调整来自属于第一组G1的处理液供给部An的清洗液111的供给流量。接着，在工序S142中，处理液流量调整部130调整来自属于第二组G2的处理液供给部An的清洗液111的供给流量。以下，依次执行工序S143、S144、……、S14M。在工序S14M中，处理液流量调整部130调整来自属于第M组GM的处理液供给部An的清洗液111的供给流量。这样，在工序S14A中，属于组的处理液供给部An的供给流量在每组不同的期间对每个组进行调整。

另一方面，在工序S15A中，与第一组G1～第M组GM的清洗液111的供给相对应，利用流体调整部145对每个流体供给管1A调整流体FL的供给流量。

具体而言，工序S15A包括工序S151、S152、S153、S154、……、S15M。首先，在工序S151中，流体调整部145对应于来自属于第一组G1的处理液供给部An的清洗液111的供给，调整流体FL的供给流量。接着，在工序S152中，流体调整部145对应于来自属于第二组G2的处理液供给部An的清洗液111的供给，调整流体FL的供给流量。以下，依次执行工序S153、S154、……、S15M。在工序S15M中，流体调整部145对应于来自属于第M组GM的处理液供给部An的清洗液111的供给，调整流体FL的供给流量。这样，在工序S15A中，流体FL的供给流量对应于各组的清洗液111的供给而进行调整。

接着，在工序S16A中，从全部的处理液供给部An向贮存于第二清洗槽ONB2的清洗液111开始清洗液111的供给。

接着，在工序S17A中，基板保持部120从清洗液111中提起基板W。然后，基板处理方法结束。

以上，参照附图对本发明的实施方式(包括变形例)进行了说明。但是，本发明不限于上述实施方式，在不脱离其主旨的范围内，可以以各种方式实施。另外，上述实施方式中公开的多个构成要素可以适当改变。例如，可以将某个实施方式中示出的所有构成要素中的某个构成要素添加到另一个实施方式的构成要素中，或者可以将某个实施方式中示出的所有构成要素中的一些构成要素从实施方式中删除。

另外，为了便于理解发明，附图以各个构成要素为主体示意性地表示，图示的各构成要素的厚度、长度、个数、间隔等有时从附图制作的情况考虑与实际不同。另外，上述实施方式所示的各构成要素的结构是一个例子，没有特别限定，当然可以在实质上不脱离本发明的效果的范围内进行各种变更。

(1)在图1中，处理液供给部An的处理液孔3的朝向没有特别限定。例如，处理液孔3可以朝向水平方向，也可以朝向斜上方。另外，气泡供给管1的气泡孔2的朝向没有特别限定。例如，气泡孔2也可以朝向斜上方。

(2)在图1中，第一处理液供给部An的数量没有特别限定，可以是1个，也可以是2个，也可以是4个以上。同样，第二处理液供给部An的数量没有特别限定，可以是1个，也可以是2个，也可以是4以上。另外，气泡供给管1的数量也没有特别限定。

(3)在图2中，处理液流量调整机构132也可以不具有流量计a1和调整阀a2。另外，气泡调整机构142也可以不具有调整阀b1、流量计b2以及过滤器b3。

(4)在图1中，供给气泡BB的机构并不限定于气泡供给管1。例如，也可以从设置在配置于处理槽110底部的冲孔板上的多个孔供给气泡BB。

(5)在图1中，构成各组的处理液供给部An可以任意确定，没有特别限定。另外，构成各组的处理液供给部An的数量也可以任意确定，没有特别限定。而且，处理液供给部An的组的数量只要为2以上即可，没有特别限定。而且，在组间，处理液供给部An的数量可以不同，也可以相同。进而，构成组的处理液供给部An可以相对于沿铅锤方向D延伸的中心线对称，也可以不对称。

(6)在参照图11说明的第二变形例中，基板处理方法也可以在工序S15中不调整气体GA的流量。另外，基板处理方法也可以在工序S14中不调整处理液LQ的供给流量。即，也可以代替工序S14而执行图10的工序S4。

(7)也可以在某一组中减少处理液LQ的流量后，切换到下一组。

(8)在第四变形例中，区域15、16的形状没有特别限定，例如可以是三角形，也可以是长方形。

(9)在第四变形例中，也可以利用1批次(例如25张或50张)的学习用基板Wa来执行机器学习。在这种情况下，能够抑制批次内多个基板W之间由处理液LQ引起的处理不均。另外，例如，也可以利用构成1批次的多张学习用基板Wa中的第二方向D20的中央的学习用基板Wa、第二方向D20的一端的学习用基板Wa、第二方向D20的另一端的学习用基板Wa来执行机器学习。在这种情况下，也能够抑制批次内多个基板W之间由处理液LQ引起的处理不均。

产业上的可利用性

本发明涉及基板处理装置及基板处理方法，具有产业上的可利用性。

Claims (16)

1.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

处理槽，其贮存处理液；

基板保持部，其保持基板，并将所述基板浸渍在贮存于所述处理槽的所述处理液中；

气泡供给部，其配置在所述处理槽，从所述基板的下方对所述处理液供给多个气泡；以及

多个处理液供给部，其配置在所述处理槽，向所述处理槽内部供给所述处理液，

所述处理槽包括彼此对置的第一侧壁及第二侧壁，

所述多个处理液供给部包括：

至少1个第一处理液供给部，其配置在所述第一侧壁侧，向所述气泡供给所述处理液；以及

至少1个第二处理液供给部，其配置在所述第二侧壁侧，向所述气泡供给所述处理液。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，

所述多个处理液供给部中2个以上的处理液供给部分别属于彼此不同的多个组中的至少1个组，

所述多个组的各组包括至少1个所述处理液供给部，

属于所述组的所述处理液供给部在每个所述组不同的期间向所述气泡供给所述处理液。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征在于，

所述至少1个第一处理液供给部为多个，

所述至少1个第二处理液供给部为多个，

所述多个组包括第一组、第二组和第三组，

所述第一组包括所述多个第一处理液供给部中的至少1个第一处理液供给部，不包括所述第二处理液供给部，

所述第二组包括所述多个第二处理液供给部中的至少1个第二处理液供给部，不包括所述第一处理液供给部，

所述第三组包括所述多个第一处理液供给部中的至少1个第一处理液供给部和所述多个第二处理液供给部中的至少1个第二处理液供给部。

4.根据权利要求2或3所述的基板处理装置，其特征在于，还具备：

存储部，其存储通过对学习数据进行学习而构建的已学习模型；以及

控制部，其控制所述存储部，

所述学习数据包含处理量信息和处理条件信息，

所述处理量信息包含表示学习用处理液对学习用基板的处理量的信息，

所述处理条件信息至少包含表示属于各学习用组的1个以上学习用处理液供给部的信息以及表示所述各学习用组供给所述学习用处理液的定时的信息，

所述控制部将输入信息输入到所述已学习模型，从所述已学习模型取得输出信息，

所述输入信息包含表示所述处理液对所述基板的处理量的目标值的信息，

所述输出信息至少包含表示属于所述各组的1个以上所述处理液供给部的信息以及表示所述各组应供给所述处理液的定时的信息，

所述控制部基于所述输出信息控制所述多个处理液供给部。

5.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

还具备对每个所述处理液供给部调整所述处理液的供给流量的处理液流量调整部。

6.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述气泡供给部包括多个气泡供给管，所述多个气泡供给管分别接受气体供给并向所述处理液供给所述气泡，

所述基板处理装置还具备对每个所述气泡供给管调整所述气体的供给流量的气泡调整部。

7.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理装置，其特征在于，

所述处理液是清洗液，

所述基板保持部将由贮存于与所述处理槽不同的药液槽中的药液处理后的所述基板浸渍在贮存于所述处理槽的所述清洗液中。

8.一种基板处理装置，其特征在于，具备：

清洗槽，其贮存清洗液；

基板保持部，其保持由贮存于与所述清洗槽不同的药液槽的药液处理后的基板，并将所述基板浸渍在贮存于所述清洗槽的所述清洗液中；

流体供给部，其配置在所述清洗槽，从所述基板的下方对所述清洗液供给流体；以及

多个清洗液供给部，其配置在所述清洗槽，向所述清洗槽内部供给所述清洗液，

所述清洗槽包括彼此对置的第一侧壁及第二侧壁，

所述多个清洗液供给部包括：

至少1个第一清洗液供给部，其配置在所述第一侧壁侧，向所述清洗槽的内部供给所述清洗液；以及

至少1个第二清洗液供给部，其配置在所述第二侧壁侧，向所述清洗槽内部供给所述清洗液。

9.一种基板处理方法，由具备处理槽和多个处理液供给部的基板处理装置执行，其特征在于，包括：

浸渍工序，在贮存于所述处理槽的处理液中浸渍基板；

气泡供给工序，从所述基板的下方对所述处理液供给多个气泡；以及

气泡控制工序，通过从1个以上的所述处理液供给部向所述气泡供给所述处理液，来控制所述气泡的动作，

所述处理槽包括彼此对置的第一侧壁及第二侧壁，

所述多个处理液供给部包括：

至少1个第一处理液供给部，其配置在所述第一侧壁侧，向所述气泡供给所述处理液；以及

至少1个第二处理液供给部，其配置在所述第二侧壁侧，向所述气泡供给所述处理液。

10.根据权利要求9所述的基板处理方法，其特征在于，

所述多个处理液供给部中2个以上的处理液供给部分别属于彼此不同的多个组中的至少1个组，

所述多个组的各组包括至少1个所述处理液供给部，

在所述气泡控制工序中，属于所述组的所述处理液供给部在每个所述组不同的期间向所述气泡供给所述处理液。

11.根据权利要求10所述的基板处理方法，其特征在于，

所述至少1个第一处理液供给部为多个，

所述至少1个第二处理液供给部为多个，

所述多个组包括第一组、第二组和第三组，

所述第一组包括所述多个第一处理液供给部中的至少1个第一处理液供给部，不包括所述第二处理液供给部，

所述第二组包括所述多个第二处理液供给部中的至少1个第二处理液供给部，不包括所述第一处理液供给部，

所述第三组包括所述多个第一处理液供给部中的至少1个第一处理液供给部和所述多个第二处理液供给部中的至少1个第二处理液供给部。

12.根据权利要求10或11所述的基板处理方法，其特征在于，

还具备已学习模型利用工序，在该工序中向通过对学习数据进行学习而构建的已学习模型输入输入信息，并从所述已学习模型取得输出信息，

所述学习数据包含处理量信息和处理条件信息，

所述处理量信息包含表示学习用处理液对学习用基板的处理量的信息，

所述处理条件信息至少包含表示属于各学习用组的1个以上学习用处理液供给部的信息以及表示所述各学习用组供给所述学习用处理液的定时的信息，

所述输入信息包含表示所述处理液对所述基板的处理量的目标值的信息，

所述输出信息至少包含表示属于所述各组的1个以上所述处理液供给部的信息以及表示所述各组应供给所述处理液的定时的信息，

在所述气泡控制工序中，基于所述输出信息控制所述多个处理液供给部。

13.根据权利要求9～11中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

在所述气泡控制工序中，对每个所述处理液供给部调整所述处理液的供给流量。

14.根据权利要求9～11中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述基板处理装置还包括多个气泡供给管，所述多个气泡供给管分别接受气体供给并向所述处理液供给所述气泡，

所述气泡供给工序中，对每个所述气泡供给管调整所述气体的供给流量。

15.根据权利要求9～11中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，

所述处理液是清洗液，

在所述浸渍工序中，将由贮存于与所述处理槽不同的药液槽中的药液处理后的所述基板浸渍在贮存于所述处理槽的所述清洗液中。

16.一种基板处理方法，由具备清洗槽和多个清洗液供给部的基板处理装置执行，其特征在于，包括：

浸渍工序，将由贮存于与所述清洗槽不同的药液槽的药液处理后的基板浸渍在贮存于所述清洗槽的清洗液中；

流体供给工序，从所述基板的下方对所述清洗液供给流体；以及

清洗液供给工序，从1个以上的所述清洗液供给部向所述清洗槽的内部供给所述清洗液，

所述清洗槽包括彼此对置的第一侧壁及第二侧壁，

所述多个清洗液供给部包括：

至少1个第一清洗液供给部，其配置在所述第一侧壁侧，向所述清洗槽的内部供给所述清洗液；以及

至少1个第二清洗液供给部，其配置在所述第二侧壁侧，向所述清洗槽内部供给所述清洗液。