JP2023046205A - 基板処理方法及び基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】アルカリ性処理液によって基板を効果的に処理できる基板処理方法を提供する。【解決手段】基板処理方法は基板処理装置１００によって実行される。基板処理装置１００は、処理槽１１０と、処理槽１１０の内部に配置される気泡供給管２１とを備える。基板処理方法では、基板保持部１２０は、処理槽１１０に貯留されたアルカリ性処理液ＬＱに基板Ｗを浸漬する。気泡供給部２００は、基板Ｗがアルカリ性処理液ＬＱに浸漬された状態において、基板Ｗの下方からアルカリ性処理液ＬＱに対して、気泡供給管２１に設けられる複数の気泡孔Ｇの各々から気泡ＢＢを供給する。【選択図】図１

Description

本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関する。

特許文献１に記載されている基板処理装置は、処理槽と、基板保持部と、流体供給部と、制御部とを備える。処理槽は、基板を処理するための処理液を貯留する。基板保持部は、処理槽の処理液内で基板を保持する。流体供給部は、処理槽に流体を供給する。流体は気体である。制御部は、流体供給部を制御する。制御部は、基板を浸漬させた処理液を貯留した処理槽に対して流体の供給を開始してから基板を浸漬させた処理液を貯留した処理槽に対する流体の供給を終了するまでの間に流体供給部が流体の供給を変更するように流体供給部を制御する。

特開２０２０－４７８８５号公報

しかしながら、特許文献１に記載されている基板処理装置では、処理液は燐酸である。つまり、処理液は酸性である。

一方、本願の発明者は、処理液がアルカリ性である場合に、処理液における溶存酸素濃度が基板の処理に影響を及ぼす可能性について新たな知見を得た。そこで、本願の発明者は、アルカリ性処理液による基板の処理に着目した。

本発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、アルカリ性処理液によって基板を効果的に処理できる基板処理方法及び基板処理装置を提供することにある。

本発明の一局面によれば、基板処理方法は、基板処理装置によって実行される。基板処理装置は、処理槽と、前記処理槽の内部に配置される気泡供給管とを備える。基板処理方法は、浸漬工程と、気泡供給工程とを含む。浸漬工程では、前記処理槽に貯留されたアルカリ性処理液に基板を浸漬する。気泡供給工程では、前記基板が前記アルカリ性処理液に浸漬された状態において、前記基板の下方から前記アルカリ性処理液に対して、前記気泡供給管に設けられる複数の気泡孔の各々から気泡を供給する。

本発明の一態様においては、前記基板処理装置は、前記処理槽の内部において前記気泡供給管の下方に配置されるプレートを更に備えることが好ましい。前記アルカリ性処理液が前記処理槽に貯留された状態において、前記プレートに設けられる複数の処理液孔から上方に向けて、前記処理槽にアルカリ性処理液を導入する処理液導入工程を更に含むことが好ましい。

本発明の一態様においては、前記基板処理装置は、複数の前記気泡供給管を備えることが好ましい。前記気泡供給管ごとに前記気泡を調節する気泡調節工程を更に含むことが好ましい。

本発明の一態様においては、前記気泡供給工程では、前記気泡供給管ごとに前記気泡供給管に気体を供給することで、前記アルカリ性処理液に対して前記気泡孔から前記気泡を供給することが好ましい。前記気泡調節工程では、前記気泡を調節するための制御対象を前記気泡供給管ごとに制御することで、前記気泡供給管ごとに前記気泡を調節することが好ましい。前記制御対象は、前記気体の流量、前記気体の供給タイミング、及び、前記気体の供給期間のうちの少なくとも１つを含むことが好ましい。

本発明の一態様においては、前記気泡調節工程では、前記基板を前記アルカリ性処理液に浸漬する前の前記基板の処理量を示す物理量に基づいて、前記制御対象を前記気泡供給管ごとに制御することが好ましい。

本発明の一態様においては、前記気泡供給工程では、前記気泡供給管ごとに前記気泡供給管に気体を供給することで、前記アルカリ性処理液に対して前記気泡孔から前記気泡を供給することが好ましい。前記気泡調節工程では、学習データを学習することで構築された学習済みモデルを用いて、前記気泡供給管ごとに前記気泡を調節することが好ましい。前記学習データは、浸漬前処理情報と、浸漬後処理情報とを含むことが好ましい。前記浸漬前処理情報は、前記アルカリ性処理液に浸漬する前の学習対象基板の処理量を示す物理量の情報であることが好ましい。前記浸漬後処理情報は、前記アルカリ性処理液に浸漬して前記アルカリ性処理液から引き上げられた後の前記学習対象基板の処理量を示す物理量の情報であることが好ましい。前記学習データは、前記学習対象基板を前記アルカリ性処理液に浸漬させた場合において、前記気体の流量を示す流量情報と、前記気体の供給タイミングを示すタイミング情報と、前記気体の供給期間を示す期間情報とのうちの少なくとも１つの情報を更に含むことが好ましい。前記気泡調節工程では、入力情報を前記学習済みモデルに入力して、出力情報を前記学習済みモデルから取得することが好ましい。前記入力情報は、前記アルカリ性処理液に浸漬する前の前記基板の処理量を示す物理量の情報を含むことが好ましい。前記出力情報は、制御対象を示す情報を含むことが好ましい。前記制御対象は、前記基板を前記アルカリ性処理液に浸漬する場合において、前記気体の流量、前記気体の供給タイミング、及び、前記気体の供給期間のうちの少なくとも１つを含むことが好ましい。前記気泡調節工程では、前記出力情報に基づいて前記気泡を調節することが好ましい。

本発明の一態様においては、前記気泡供給工程では、前記気泡供給管ごとに前記気泡供給管に気体を供給することで、前記アルカリ性処理液に対して前記気泡孔から前記気泡を供給することが好ましい。前記気泡調節工程では、学習データを学習することで構築された学習済みモデルを用いて、前記気泡供給管ごとに前記気泡を調節することが好ましい。前記学習データは、浸漬前処理情報と、浸漬後処理情報とを含むことが好ましい。前記浸漬前処理情報は、前記アルカリ性処理液に浸漬する前の学習対象基板の処理量を示す物理量の情報であることが好ましい。前記浸漬後処理情報は、前記アルカリ性処理液に浸漬して前記アルカリ性処理液から引き上げられた後の前記学習対象基板の処理量を示す物理量の情報であることが好ましい。前記学習データは、前記学習対象基板を前記アルカリ性処理液に浸漬させた場合において、前記気体の流量を示す流量情報と、前記気体の供給タイミングを示すタイミング情報と、前記気体の供給期間を示す期間情報とのうちの少なくとも１つの情報を更に含むことが好ましい。前記気泡調節工程では、入力情報を前記学習済みモデルに入力して、出力情報を前記学習済みモデルから取得することが好ましい。前記入力情報は、前記アルカリ性処理液に浸漬する前の前記基板の処理量を示す物理量の情報と、制御対象を示す情報とを含むことが好ましい。前記制御対象は、前記基板を前記アルカリ性処理液に浸漬する場合において、前記気体の流量、前記気体の供給タイミング、及び、前記気体の供給期間のうちの少なくとも１つを含むことが好ましい。前記出力情報は、前記入力情報のクラスタリングの結果を示す情報を含むことが好ましい。前記気泡調節工程では、前記出力情報に基づいて前記制御対象を制御することが好ましい。

本発明の一態様においては、前記気泡供給管は、親水性を有することが好ましい。

本発明の一態様においては、前記気泡供給管の素材は、石英又はポリエーテルエーテルケトンであることが好ましい。

本発明の他の局面によれば、基板処理装置は、処理槽と、基板保持部と、気泡供給部とを備える。処理槽は、アルカリ性処理液を貯留する。基板保持部は、基板を保持し、前記処理槽に貯留された前記アルカリ性処理液に前記基板を浸漬する。気泡供給部は、複数の気泡孔を有するとともに前記処理槽の内部に配置され、前記基板が前記アルカリ性処理液に浸漬された状態において、前記基板の下方から前記アルカリ性処理液に対して、前記複数の気泡孔の各々から気泡を供給する。

本発明の一態様においては、基板処理装置は、処理液導入部を更に備えることが好ましい。処理液導入部は、前記処理槽の内部において前記気泡供給管の下方に配置されることが好ましい。前記処理液導入部は、複数の処理液孔を有するプレートを含むことが好ましい。前記処理液導入部は、前記アルカリ性処理液が前記処理槽に貯留された状態において、前記複数の処理液孔から上方に向けて、前記処理槽にアルカリ性処理液を導入することが好ましい。

本発明の一態様においては、複数の前記気泡供給管が、前記処理槽の内部に配置されることが好ましい。前記気泡供給管ごとに前記気泡を調節する気泡調節部を更に備えることが好ましい。

本発明の一態様においては、制御部を更に備えることが好ましい。前記気泡調節部は、前記気泡供給管ごとに前記気泡供給管に気体を供給することで、前記アルカリ性処理液に対して前記気泡孔から前記気泡を供給することが好ましい。前記制御部は、前記気泡調節部を制御することで、前記気泡を調節するための制御対象を前記気泡供給管ごとに制御することが好ましい。前記制御対象は、前記気体の流量、前記気体の供給タイミング、及び、前記気体の供給期間のうちの少なくとも１つを含むことが好ましい。

本発明の一態様においては、前記制御部は、前記基板を前記アルカリ性処理液に浸漬する前の前記基板の処理量を示す物理量に基づいて、前記制御対象を前記気泡供給管ごとに制御することが好ましい。

本発明の一態様においては、基板処理装置は、記憶部と、制御部とを更に備えることが好ましい。記憶部は、学習データを学習することで構築された学習済みモデルを記憶することが好ましい。制御部は、前記記憶部を制御することが好ましい。前記気泡調節部は、前記気泡供給管ごとに前記気泡供給管に気体を供給することで、前記アルカリ性処理液に対して前記気泡孔から前記気泡を供給することが好ましい。前記学習データは、浸漬前処理情報と、浸漬後処理情報とを含むことが好ましい。前記浸漬前処理情報は、前記アルカリ性処理液に浸漬する前の学習対象基板の処理量を示す物量の情報であることが好ましい。前記浸漬後処理情報は、前記アルカリ性処理液に浸漬して前記アルカリ性処理液から引き上げられた後の前記学習対象基板の処理量を示す物理量の情報であることが好ましい。前記学習データは、前記学習対象基板を前記アルカリ性処理液に浸漬させた場合において、前記気体の流量を示す流量情報と、前記気体の供給タイミングを示すタイミング情報と、前記気体の供給期間を示す期間情報とのうちの少なくとも１つの情報を更に含むことが好ましい。前記制御部は、入力情報を前記学習済みモデルに入力して、出力情報を前記学習済みモデルから取得することが好ましい。前記入力情報は、前記アルカリ性処理液に浸漬する前の前記基板の処理量を示す物理量の情報を含むことが好ましい。前記出力情報は、制御対象を示す情報を含むことが好ましい。前記制御対象は、前記基板を前記アルカリ性処理液に浸漬する場合において、前記気体の流量、前記気体の供給タイミング、及び、前記気体の供給期間のうちの少なくとも１つを含むことが好ましい。前記制御部は、前記出力情報に基づいて前記気泡を調節することが好ましい。

本発明の一態様においては、基板処理装置は、記憶部と、制御部とを更に備えることが好ましい。記憶部は、学習データを学習することで構築された学習済みモデルを記憶することが好ましい。制御部は、前記記憶部を制御することが好ましい。前記気泡調節部は、前記気泡供給管ごとに前記気泡供給管に気体を供給することで、前記アルカリ性処理液に対して前記気泡孔から前記気泡を供給することが好ましい。前記学習データは、浸漬前処理情報と、浸漬後処理情報とを含むことが好ましい。前記浸漬前処理情報は、前記アルカリ性処理液に浸漬する前の学習対象基板の処理量を示す物理量の情報であることが好ましい。前記浸漬後処理情報は、前記アルカリ性処理液に浸漬して前記アルカリ性処理液から引き上げられた後の前記学習対象基板の処理量を示す物理量の情報であることが好ましい。前記学習データは、前記学習対象基板を前記アルカリ性処理液に浸漬させた場合において、前記気体の流量を示す流量情報と、前記気体の供給タイミングを示すタイミング情報と、前記気体の供給期間を示す期間情報とのうちの少なくとも１つの情報を更に含むことが好ましい。前記制御部は、入力情報を前記学習済みモデルに入力して、出力情報を前記学習済みモデルから取得することが好ましい。前記入力情報は、前記アルカリ性処理液に浸漬する前の前記基板の処理量を示す物理量の情報と、制御対象を示す情報とを含むことが好ましい。前記制御対象は、前記基板を前記アルカリ性処理液に浸漬する場合において、前記気体の流量、前記気体の供給タイミング、及び、前記気体の供給期間のうちの少なくとも１つを含むことが好ましい。前記出力情報は、前記入力情報のクラスタリングの結果を示す情報を含むことが好ましい。前記制御部は、前記出力情報に基づいて前記制御対象を制御することが好ましい。

本発明の一態様においては、前記基板保持部は、所定方向に間隔をあけて複数の前記基板を保持することが好ましい。前記気泡供給管は、前記所定方向に沿って延びることが好ましい。前記気泡供給管において、前記複数の気泡孔は、前記所定方向に間隔をあけて配置されることが好ましい。前記複数の基板の配列には、複数の隙間空間が存在することが好ましい。前記複数の隙間空間の各々は、前記所定方向に互いに隣り合う前記基板と前記基板との隙間の空間を示すことが好ましい。前記複数の気泡孔は、第１気泡孔と、第２気泡孔と、第３気泡孔とを含むことが好ましい。第１気泡孔は、前記複数の基板のうち前記所定方向の一方端に配置される基板よりも前記所定方向の外方に配置されることが好ましい。第２気泡孔は、前記複数の基板のうち前記所定方向の他方端に配置される基板よりも前記所定方向の外方に配置されることが好ましい。第３気泡孔は、前記複数の隙間空間にそれぞれ対応して配置されることが好ましい。前記第１気泡孔は、前記複数の第３気泡孔のうち、１つの前記隙間空間に対応して配置される第３気泡孔よりも多いことが好ましい。前記第２気泡孔は、前記１つの隙間空間に対応して配置される前記第３気泡孔よりも多いことが好ましい。

本発明の一態様においては、前記気泡供給管は、親水性を有することが好ましい。

本発明の一態様においては、前記気泡供給管の素材は、石英又はポリエーテルエーテルケトンであることが好ましい。

本発明によれば、アルカリ性処理液によって基板を効果的に処理できる基板処理方法及び基板処理装置を提供できる。

本発明の実施形態１に係る基板処理装置を示す模式的断面図である。 実施形態１に係るアルカリ性処理液中の溶存酸素濃度とエッチング量との関係を示すグラフである。 実施形態１に係る気泡の供給時間とアルカリ性処理液中の溶存酸素濃度との関係を示すグラフである。 （ａ）は、実施形態１に係る基板がアルカリ性処理液に浸漬される前の状態を示す図である。（ｂ）は、実施形態１に係る基板がアルカリ性処理液に浸漬された状態を示す図である。 実施形態１に係る基板処理装置の気体供給部を示す模式的平面図である。 実施形態１に係る基板処理装置の処理液導入部を示す模式的裏面図である。 （ａ）は、実施形態１に係る基板がアルカリ性処理液に浸漬される前の状態を示す模式図である。（ｂ）は、実施形態１に係る基板がアルカリ性処理液に浸漬され、全ての気泡供給管から気泡が供給されている状態を示す模式図である。（ｃ）は、実施形態１に係る基板がアルカリ性処理液に浸漬され、基板中央部に対応する２本の気泡供給管から気泡が供給されている状態を示す模式図である。（ｄ）は、実施形態１に係る基板がアルカリ性処理液から引き上げられた状態を示す模式図である。 （ａ）は、実施形態１に係る基板がアルカリ性処理液に浸漬される前の状態を示す模式図である。（ｂ）は、実施形態１に係る基板がアルカリ性処理液に浸漬され、全ての気泡供給管から気泡が供給されている状態を示す模式図である。（ｃ）は、実施形態１に係る基板がアルカリ性処理液に浸漬され、基板中間部に対応する２本の気泡供給管から気泡が供給されている状態を示す模式図である。（ｄ）は、実施形態１に係る基板がアルカリ性処理液から引き上げられた状態を示す模式図である。 （ａ）は、実施形態１に係る基板がアルカリ性処理液に浸漬される前の状態を示す模式図である。（ｂ）は、実施形態１に係る基板がアルカリ性処理液に浸漬され、全ての気泡供給管から気泡が供給されている状態を示す模式図である。（ｃ）は、実施形態１に係る基板がアルカリ性処理液に浸漬され、基板端部に対応する２本の気泡供給管から気泡が供給されている状態を示す模式図である。（ｄ）は、実施形態１に係る基板がアルカリ性処理液から引き上げられた状態を示す模式図である。 実施形態１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 （ａ）（ｂ）は、実施形態１に係る気泡供給管の接触角（親水性）の一例を示す図である。 （ａ）（ｂ）は、実施形態１に係る気泡供給管の接触角（疎水性）の一例を示す図である。 本発明の実施形態２に係る基板処理装置の制御装置を示すブロック図である。 実施形態２に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 実施形態２に係る学習装置を示すブロック図である。 実施形態２に係る学習方法を示すフローチャートである。 本発明の実施形態３に係る基板処理方法を示すフローチャートである。 本発明の実施例に係る基板処理装置を示す模式的断面図である。 本発明の実施例１に係る基板の処理結果を示す図である。 本発明の実施例２に係る基板の処理結果を示す図である。 （ａ）は、本発明の実施例３～５に係るシミュレーションモデルを示す斜視図である。（ｂ）は、本発明の実施例３～５に係るシミュレーションモデルを示す正面図である。 （ａ）は、本発明の実施例３に係るシミュレーション結果を示す図である。（ｂ）は、本発明の実施例４に係るシミュレーション結果を示す図である。（ｃ）は、本発明の実施例５に係るシミュレーション結果を示す図である。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照しながら説明する。なお、図中、同一または相当部分については同一の参照符号を付して説明を繰り返さない。また、図中、理解を容易にするために、Ｘ軸、Ｙ軸、及び、Ｚ軸を適宜図示している。Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸は互いに直交し、Ｘ軸及びＹ軸は水平方向に平行であり、Ｚ軸は鉛直方向に平行である。なお、「平面視」は、鉛直上方から対象を見ることを示す。「裏面視」は、鉛直下方から対象を見ることを示す。
（実施形態１）

図１～図１０を参照して、本発明の実施形態１に係る基板処理装置１００を説明する。まず、図１を参照して、基板処理装置１００を説明する。図１は、基板処理装置１００を示す模式的断面図である。図１に示す基板処理装置１００は、バッチ式であり、アルカリ性の処理液ＬＱ（以下、「アルカリ性処理液ＬＱ」）によって複数の基板Ｗを一括して処理する。なお、基板処理装置１００は、１枚の基板Ｗを処理することもできる。

基板処理装置１００は、処理槽１１０と、基板保持部１２０と、処理液導入部１３０と、循環部１４０と、処理液供給部１５０と、希釈液供給部１６０と、排液部１７０と、気泡調節部１８０と、排気配管部１９０と、気泡供給部２００と、厚み測定部２１０と、通信部２１５と、制御装置２２０とを備える。

処理槽１１０は、アルカリ性処理液ＬＱを貯留する。そして、処理槽１１０は、アルカリ性処理液ＬＱに複数の基板Ｗを浸漬して、複数の基板Ｗを処理する。

アルカリ性処理液ＬＱは、例えば、テトラメチルアンモニアハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）を含む水溶液、トリメチル－２ヒドロキシエチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＹ）を含む水溶液、水酸化アンモニウム（アンモニア水）、又は、アンモニア過酸化水素水混合液（ＳＣ１）である。アルカリ性処理液ＬＱは、例えば、アルカリ性のエッチング液（以下、「アルカリ性エッチング液」）である。

基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持する。基板保持部１２０は１枚の基板Ｗを保持することもできる。基板保持部１２０は、リフターを含む。基板保持部１２０は、処理槽１１０に貯留されたアルカリ性処理液ＬＱに、間隔をあけて整列した複数の基板Ｗを浸漬する。処理液導入部１３０は、処理槽１１０にアルカリ性処理液ＬＱを供給する。循環部１４０は、処理槽１１０に貯留されているアルカリ性処理液ＬＱを循環させて、アルカリ性処理液ＬＱを処理液導入部１３０に供給する。処理液供給部１５０は、アルカリ性処理液ＬＱを処理槽１１０に供給する。希釈液供給部１６０は、希釈液を処理槽１１０に供給する。排液部１７０は、処理槽１１０のアルカリ性処理液ＬＱを排出する。希釈液は、例えば、ＤＩＷ（Ｄｅｉｏｎｚｉｅｄ Ｗａｔｅｒ：脱イオン水）である。

気泡供給部２００は、処理槽１１０の内部に配置される。気泡供給部２００は、処理槽１１０のアルカリ性処理液ＬＱ中に、気泡調節部１８０から供給される気体ＧＡを供給する。具体的には、気泡供給部２００は、処理槽１１０のアルカリ性処理液ＬＱ中に気体ＧＡの気泡ＢＢを供給する（例えば、図７～図９）。気体ＧＡは、例えば、不活性ガスである。不活性ガスは、例えば、窒素又はアルゴンである。

気泡供給部２００は、少なくとも１つの気泡供給管２１を含む。実施形態１では、気泡供給部２００は、複数の気泡供給管２１を含む。例えば、気泡供給部２００は、偶数本の気泡供給管２１を含む。図１の例では、気泡供給部２００は、６本の気泡供給管２１を含む。なお、気泡供給管２１の数は、特に限定されず、例えば、奇数であってもよい。また、複数の気泡供給管２１の鉛直方向Ｄの位置は、揃っていてもよいし、揃っていなくてもよい。気泡供給管２１は、例えば、バブラー管である。

複数の気泡供給管２１の各々は、気泡孔Ｇを有する。図１の例では、気泡孔Ｇは鉛直上方を向いている。また、図１には、表れていないが、複数の気泡供給管２１の各々は、複数の気泡孔Ｇ（図５）を有する。気泡供給管２１は、気泡調節部１８０から供給される気体ＧＡを気泡孔Ｇから吐出することで、アルカリ性処理液ＬＱ中に気泡ＢＢを供給する。つまり、気体ＧＡによって気泡ＢＢが生成される。気泡供給部２００の詳細は後述する。

以上、図１を参照して説明したように、実施形態１によれば、アルカリ性処理液ＬＱに気泡ＢＢを供給することで、気泡ＢＢを供給しない場合と比較して、アルカリ性処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度を低下させることができる。その結果、アルカリ性処理液ＬＱに浸漬された基板Ｗを、アルカリ性処理液ＬＱによって効果的に処理できる。つまり、気泡ＢＢを供給することで、気泡ＢＢを供給しない場合と比較して、アルカリ性処理液ＬＱによる基板Ｗの処理量を多くできる。実施形態１では、一例として、アルカリ性処理液ＬＱによる基板Ｗの処理は、基板Ｗのエッチングである。この場合、アルカリ性処理液ＬＱによる基板Ｗの処理量は、基板Ｗのエッチング量である。従って、気泡ＢＢの供給によって、アルカリ性処理液ＬＱによる基板Ｗのエッチング量を多くできる。

また、実施形態１によれば、アルカリ性処理液ＬＱに気泡ＢＢを供給することで、基板Ｗの表面に接触するアルカリ性処理液ＬＱを新鮮なアルカリ性処理液ＬＱに効果的に置換できる。その結果、基板Ｗの表面に、凹部を含む表面パターンが形成されている場合に、拡散現象によって凹部内のアルカリ性処理液ＬＱを新鮮なアルカリ性処理液ＬＱに効果的に置換できる。よって、表面パターンの凹部内の壁面を、浅い位置から深い位置までアルカリ性処理液ＬＱによって効果的に処理（エッチング）できる。本明細書において、基板Ｗの表面は基板Ｗの主面を示す。

次に、図２を参照して、溶存酸素濃度とエッチング量との関係を説明する。図２は、アルカリ性処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度とエッチング量との関係を示すグラフである。横軸は、アルカリ性処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度（ｐｐｍ）を示し、縦軸は、基板Ｗのエッチング量を示す。

図２は、アルカリ性処理液ＬＱとしてＴＭＡＨを使用した場合の実施例を示している。ＴＭＡＨの濃度は、０．３１％であった。気体ＧＡは窒素であった。従って、気泡ＢＢは、窒素の気泡だった。基板Ｗには、ポリシリコン膜（ポリシリコン層）が形成されていた。図２は、ＴＭＡＨに基板Ｗを浸漬した場合のポリシリコン膜のエッチング量を示している。エッチング量は、ＴＭＡＨへの浸漬前のポリシリコン膜の厚みから浸漬後のポリシリコン膜の厚みを差し引いた値である。エッチング量を「基板Ｗのエッチング量」と記載する場合がある。本明細書において、「基板Ｗの浸漬後」は、「基板Ｗが浸漬されて処理が完了し、アルカリ性処理液ＬＱから引き上げられた後」を示す。

図２に示すように、溶存酸素濃度が低い程、基板Ｗのエッチング量（処理量）が多くなった。エッチング量（処理量）は、溶存酸素濃度に略正比例した。比例定数は「負」であった。

次に、図３を参照して、気泡ＢＢの供給時間と溶存酸素濃度との関係を説明する。図３は、気泡ＢＢの供給時間とアルカリ性処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度との関係を示すグラフである。横軸は、気泡ＢＢの供給時間（ｈｏｕｒ）を示し、縦軸は、アルカリ性処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度（ｐｐｍ）を示す。

図３は、アルカリ性処理液ＬＱとしてＴＭＡＨを使用した場合の実施例を示している。ＴＭＡＨの濃度は、０．３１％であった。気泡ＢＢを生成するための気体ＧＡは窒素であった。従って、気泡ＢＢは、窒素の気泡だった。プロットｇ１は、気体ＧＡの流量が１０Ｌ／ｍｉｎの場合の溶存酸素濃度を示す。プロットｇ２は、気体ＧＡの流量が２０Ｌ／ｍｉｎの場合の溶存酸素濃度を示す。プロットｇ３は、気体ＧＡの流量が３０Ｌ／ｍｉｎの場合の溶存酸素濃度を示す。この場合、気体ＧＡの流量は、１本の気泡供給管２１に供給される気体ＧＡの流量を示す。

プロットｇ１～ｇ３から理解できるように、約１時間で、アルカリ性処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度が略一定になった。また、溶存酸素濃度が略一定になった状態において、気体ＧＡの流量が多い程、アルカリ性処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度が低下した。換言すれば、溶存酸素濃度が略一定になった状態において、アルカリ性処理液ＬＱに供給する気泡ＢＢが多い程、アルカリ性処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度が低下した。なぜなら、気体ＧＡの流量が多い程、アルカリ性処理液ＬＱ中に供給される気泡ＢＢが多くなるからである。

プロットｇ１～ｇ３から次のことが推測できた。すなわち、処理槽１１０においてアルカリ性処理液ＬＱ中に気泡ＢＢの分布が存在する場合は、アルカリ性処理液ＬＱにおいて気泡ＢＢが多い領域ほど、溶存酸素濃度が低く、アルカリ性処理液ＬＱにおいて気泡ＢＢが少ない領域ほど、溶存酸素濃度が高くなることが推測できた。このような推測が正しいことを、本願の発明者は、実験によって確認済みである。

以上、図２及び図３を参照して説明したように、アルカリ性処理液ＬＱに供給する気泡ＢＢが多い程、アルカリ性処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度が低下する。そして、アルカリ性処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度が低い程、基板Ｗのエッチング量（処理量）が多くなった。

すなわち、アルカリ性処理液ＬＱに供給する気泡ＢＢが多い程、基板Ｗのエッチング量（処理量）が多くなった。換言すれば、気泡ＢＢを生成するための気体ＧＡの流量が多い程、基板Ｗのエッチング量（処理量）が多くなった。一方、アルカリ性処理液ＬＱに供給する気泡ＢＢが少ない程、基板Ｗのエッチング量（処理量）が少なくなった。換言すれば、気泡ＢＢを生成するための気体ＧＡの流量が少ない程、基板Ｗのエッチング量（処理量）が少なくなった。

また、図２及び図３のグラフから、処理槽１１０においてアルカリ性処理液ＬＱ中に気泡ＢＢの分布が存在する場合は、アルカリ性処理液ＬＱにおいて気泡ＢＢが多い領域ほど、基板Ｗのエッチング量（処理量）が多く、アルカリ性処理液ＬＱにおいて気泡ＢＢが少ない領域ほど、基板Ｗのエッチング量（処理量）が少なくなることが推測できた。このような推測が正しいことを、本願の発明者は、実験によって確認済みである。

再び図１を参照して、基板処理装置１００の説明を続ける。気泡調節部１８０は、気体ＧＡを気泡供給部２００に供給する。また、気泡調節部１８０は、気泡供給部２００に供給する気体ＧＡを調節することで、気泡供給部２００が供給する気泡ＢＢを調節する。排気配管部１９０は、処理槽１１０から水蒸気及び気体ＧＡを排気する。

厚み測定部２１０は、基板Ｗを構成する対象物（以下、「対象物ＴＧ」）の厚みを非接触方式で測定して、対象物ＴＧの厚みを示す厚み検出信号を生成する。厚み検出信号は、制御装置２２０に入力される。対象物ＴＧは、アルカリ性処理液ＬＱによる処理の対象である。対象物ＴＧは、例えば、基板Ｗそのもの、基板本体（例えば、シリコンからなる基板本体）、又は、基板本体の表面に形成された物質である。基板本体の表面に形成された物質は、例えば、基板本体と同じ材料の物質（例えば、ポリシリコン膜）、又は、基板本体と異なる材料の物質（例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、又はレジスト）である。「物質」は膜又は層を構成していてもよい。

厚み測定部２１０は、例えば、分光干渉法によって対象物ＴＧの厚みを測定する。具体的には、厚み測定部２１０は、光学プローブと、信号線と、厚み測定器とを含む。光学プローブはレンズを有する。信号線は、光学プローブと厚み測定器とを接続する。信号線は、例えば光ファイバーを含む。厚み測定器は、光源と受光素子とを有する。厚み測定器の光源が出射した光は、信号線及び光学プローブを介して、対象物ＴＧに出射される。対象物ＴＧによって反射された光は、光学プローブ及び信号線を介して、厚み測定器の受光素子で受光される。厚み測定器は、受光素子が受光した光を解析して、対象物ＴＧの厚みを算出する。厚み測定器は、算出した対象物ＴＧの厚みを示す厚み検出信号を生成する。

通信部２１５は、ネットワークに接続され、外部装置と通信する。ネットワークは、例えば、インターネット、ＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ Ａｒｅａ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、公衆電話網、及び、近距離無線ネットワークを含む。通信部２１５は、通信機であり、例えば、ネットワークインターフェースコントローラーである。通信部２１５は、有線通信モジュール又は無線通信モジュールを有していてもよい。

制御装置２２０は、基板処理装置１００の各構成を制御する。例えば、制御装置２２０は、基板保持部１２０、循環部１４０、処理液供給部１５０、希釈液供給部１６０、排液部１７０、気泡調節部１８０、及び、厚み測定部２１０を制御する。

制御装置２２０は、制御部２２１と、記憶部２２３とを含む。制御部２２１は、ＣＰＵ（Ｃｅｎｔｒａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）及びＧＰＵ（Ｇｒａｐｈｉｃｓ Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ Ｕｎｉｔ）等のプロセッサーを備える。記憶部２２３は、記憶装置を含み、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。制御部２２１のプロセッサーは、記憶部２２３の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、基板処理装置１００の各構成を制御する。例えば、記憶部２２３は、半導体メモリー等の主記憶装置と、半導体メモリー及びハードディスクドライブ等の補助記憶装置とを備える。記憶部２２３は、光ディスク等のリムーバブルメディアを備えていてもよい。記憶部２２３は、例えば、非一時的コンピューター読取可能記憶媒体である。制御装置２２０は、入力装置及び表示装置を備えていてもよい。

引き続き図１を参照して基板処理装置１００の詳細を説明する。処理槽１１０は、内槽１１２及び外槽１１４を含む二重槽構造を有している。内槽１１２及び外槽１１４はそれぞれ上向きに開いた上部開口を有する。内槽１１２は、アルカリ性処理液ＬＱを貯留し、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。外槽１１４は、内槽１１２の上部開口の外側面に設けられる。外槽１１４の上縁の高さは、内槽１１２の上縁の高さよりも高い。

処理槽１１０は、蓋１１６をさらに有する。蓋１１６は、内槽１１２の上部開口に対して開閉可能である。蓋１１６が閉じることにより、蓋１１６は、内槽１１２の上部開口を塞ぐことができる。

蓋１１６は、開戸部１１６ａと、開戸部１１６ｂとを有する。開戸部１１６ａは、内槽１１２の上部開口のうちの一方側に位置する。開戸部１１６ａは、内槽１１２の上縁近傍に配置されており、内槽１１２の上部開口に対して開閉可能である。開戸部１１６ｂは、内槽１１２の上部開口のうちの他方側に位置する。開戸部１１６ｂは、内槽１１２の上縁近傍に配置されており、内槽１１２の上部開口に対して開閉可能である。開戸部１１６ａ及び開戸部１１６ｂが閉じて内槽１１２の上部開口を覆うことにより、内槽１１２を塞ぐことができる。

基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持した状態で鉛直上方又は鉛直下方に移動する。基板保持部１２０が鉛直下方に移動することにより、基板保持部１２０によって保持されている複数の基板Ｗは、内槽１１２に貯留されているアルカリ性処理液ＬＱに浸漬される。

基板保持部１２０は、本体板１２２と、保持棒１２４とを含む。本体板１２２は、鉛直方向Ｄ（Ｚ方向）に延びる板である。保持棒１２４は、本体板１２２の一方の主面から水平方向（Ｙ方向）に延びる。図１の例では、３つの保持棒１２４が本体板１２２の一方の主面から水平方向に延びる。複数の基板Ｗは、間隔をあけて整列した状態で、複数の保持棒１２４によって各基板Ｗの下縁が当接されて起立姿勢（鉛直姿勢）で保持される。

基板保持部１２０は、昇降ユニット１２６をさらに含んでもよい。昇降ユニット１２６は、基板保持部１２０に保持されている複数の基板Ｗが内槽１１２内に位置する処理位置（図２（ｂ）に示す位置）と、基板保持部１２０に保持されている複数の基板Ｗが内槽１１２の上方に位置する退避位置（図２（ａ）に示す位置）との間で本体板１２２を昇降させる。したがって、昇降ユニット１２６によって本体板１２２が処理位置に移動させられることにより、保持棒１２４に保持されている複数の基板Ｗがアルカリ性処理液ＬＱに浸漬される。これにより、複数の基板Ｗに対して処理が施される。

処理液導入部１３０は、処理槽１１０（具体的には内槽１１２）の内部において気泡供給部２００（具体的には気泡供給管２１）の下方に配置される。

以下、特に明示しない限りは、処理槽１１０は内槽１１２を示す。

処理液導入部１３０はプレート３１を含む。プレート３１は略平板形状を有する。プレート３１は、処理槽１１０の内部を分割して、処理室１１３と導入室１１５とを形成する。つまり、処理槽１１０は、処理室１１３と、導入室１１５とを有する。処理室１１３は、処理槽１１０の内部において、プレート３１よりも上方の室である。処理室１１３に、気泡供給部２００が配置される。また、処理室１１３に基板Ｗが配置される。導入室１１５は、処理槽１１０の内部において、プレート３１よりも下方の室である。

プレート３１は、気泡供給部２００の下方に配置される。プレート３１は、処理槽１１０の底面を覆う。プレート３１は、鉛直方向Ｄに対して略垂直である。プレート３１は複数の処理液孔Ｐを有する。処理液孔Ｐはプレート３１を貫通する。処理液孔Ｐはプレート３１の全面に配置される。処理液孔Ｐは鉛直上方を向いている。

処理液導入部１３０は、アルカリ性処理液ＬＱが処理槽１１０に貯留された状態において、複数の処理液孔Ｐから上方に向けて、処理槽１１０にアルカリ性処理液ＬＱを導入する。従って、処理液導入部１３０は、循環部１４０から供給されるアルカリ性処理液ＬＱの層流を発生できる。つまり、処理液導入部１３０は、アルカリ性処理液ＬＱの層流を発生させることで、処理槽１１０にアルカリ性処理液ＬＱを導入する。アルカリ性処理液ＬＱの層流は、複数の処理液孔Ｐから略鉛直方向Ｄに沿って上方に流れる。

実施形態１によれば、アルカリ性処理液ＬＱの層流によりアルカリ性処理液ＬＱを処理槽１１０に導入するため、気泡供給部２００がアルカリ性処理液ＬＱに供給する気泡ＢＢの流れが乱されることを抑制できる。従って、気泡ＢＢによって、アルカリ性処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度を効果的に低下させることができる。その結果、アルカリ性処理液ＬＱによって基板Ｗを効果的に処理（エッチング）できる。

具体的には、処理液導入部１３０は、少なくとも１つの吐出部１３１と、少なくとも１つの分散板１３２とを含む。吐出部１３１は、例えば、ノズル又は管である。分散板１３２は、例えば、略平板状である。分散板１３２は、鉛直方向Ｄに対して略垂直である。吐出部１３１及び分散板１３２は導入室１１５に配置される。

吐出部１３１は、分散板１３２の下方に位置する。吐出部１３１は、分散板１３２と鉛直方向Ｄに対向する。吐出部１３１は、循環部１４０から供給されたアルカリ性処理液ＬＱを分散板１３２に向けて吐出する。従って、アルカリ性処理液ＬＱは分散板１３２に突き当たる。その結果、アルカリ性処理液ＬＱの圧力が分散板１３２によって分散される。つまり、分散板１３２は、吐出部１３１が吐出したアルカリ性処理液ＬＱの圧力を分散する。そして、分散板１３２によって圧力の分散されたアルカリ性処理液ＬＱは、導入室１１５において略水平方向に拡がる。更に、アルカリ性処理液ＬＱは、プレート３１の各処理液孔Ｐから鉛直方向Ｄに沿って上方に向かって層流として処理室１１３に供給される。このように、処理液導入部１３０は、鉛直方向Ｄに沿ったアルカリ性処理液ＬＱの層流を発生させる点で、アルカリ性処理液ＬＱの整流機能を有する。

循環部１４０は、配管１４１、ポンプ１４２、ヒーター１４３、フィルター１４４、調整バルブ１４５、及び、バルブ１４６を含む。ポンプ１４２、ヒーター１４３、フィルター１４４、調整バルブ１４５及びバルブ１４６は、この順番に配管１４１の上流から下流に向かって配置される。

配管１４１は、処理槽１１０から送出されたアルカリ性処理液ＬＱを再び処理槽１１０に導く。具体的には、配管１４１の上流端が外槽１１４に接続されている。従って、配管１４１は、外槽１１４から処理液導入部１３０にアルカリ性処理液ＬＱを導く。配管１４１の下流端に、処理液導入部１３０が接続される。具体的には、配管１４１の下流端に吐出部１３１が接続される。

ポンプ１４２は、配管１４１から吐出部１３１にアルカリ性処理液ＬＱを送る。従って、吐出部１３１は、配管１４１から供給されたアルカリ性処理液ＬＱを吐出する。フィルター１４４は、配管１４１を流れるアルカリ性処理液ＬＱをろ過する。

ヒーター１４３は、配管１４１を流れるアルカリ性処理液ＬＱの温度を加熱する。つまり、ヒーター１４３は、アルカリ性処理液ＬＱの温度を調節する。調整バルブ１４５は、配管１４１の開度を調節して、吐出部１３１に供給されるアルカリ性処理液ＬＱの流量を調整する。バルブ１４６は配管１４１を開閉する。

処理液供給部１５０は、ノズル１５２と、配管１５４と、バルブ１５６とを含む。ノズル１５２はアルカリ性処理液ＬＱを外槽１１４に吐出する。なお、ノズル１５２は、アルカリ性処理液ＬＱを内槽１１２に供給してもよい。

ノズル１５２は、配管１５４に接続される。配管１５４には、処理液供給源ＴＫＡからのアルカリ性処理液ＬＱが供給される。配管１５４には、バルブ１５６が配置される。バルブ１５６が開かれると、ノズル１５２から吐出されたアルカリ性処理液ＬＱが、外槽１１４内に供給される。そして、アルカリ性処理液ＬＱは、外槽１１４から、配管１４１を通って、処理液導入部１３０から、内槽１１２に供給される。

希釈液供給部１６０は、ノズル１６２と、配管１６４と、バルブ１６６とを含む。ノズル１６２は、希釈液を外槽１１４に吐出する。ノズル１６２は、配管１６４に接続される。配管１６４には、希釈液供給源ＴＫＢからの希釈液が供給される。配管１６４には、バルブ１６６が配置される。バルブ１６６が開かれると、ノズル１６２から吐出された希釈液が、外槽１１４内に供給される。

排液部１７０は、排液配管１７０ａと、バルブ１７０ｂとを含む。そして、処理槽１１０の内槽１１２の底壁には、排液配管１７０ａが接続される。排液配管１７０ａにはバルブ１７０ｂが配置される。バルブ１７０ｂが開くことにより、内槽１１２内に貯留されているアルカリ性処理液ＬＱは排液配管１７０ａを通って外部に排出される。排出されたアルカリ性処理液ＬＱは排液処理装置（図示しない）へと送られ、処理される。

気泡供給部２００は、処理槽１１０の内部（処理室１１３）に配置される。具体的には、複数の気泡供給管２１は、処理槽１１０の内部（処理室１１３）に配置される。更に具体的には、複数の気泡供給管２１は、処理槽１１０の内部において、プレート３１の上方、かつ、基板Ｗの下方に配置される。気泡供給管２１の材質は、例えば、石英、又は、樹脂である。

複数の気泡供給管２１の各々は、処理槽１１０に貯留されたアルカリ性処理液ＬＱに気体ＧＡを供給する。具体的には、気泡供給管２１は、上方に向けて、つまり、アルカリ性処理液ＬＱの液面に向けて、気体ＧＡをアルカリ性処理液ＬＱに供給する。この場合、気泡供給管２１は、気体ＧＡを気泡ＢＢとしてアルカリ性処理液ＬＱに供給する。

詳細には、複数の気泡供給管２１の各々は、基板Ｗがアルカリ性処理液ＬＱに浸漬された状態において、基板Ｗの下方からアルカリ性処理液ＬＱに対して、複数の気泡孔Ｇの各々から気泡ＢＢを供給する。従って、気泡ＢＢを供給しない場合と比較して、アルカリ性処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度を低下させることができる。その結果、アルカリ性処理液ＬＱに浸漬された基板Ｗを、アルカリ性処理液ＬＱによって効果的に処理できる。つまり、気泡ＢＢを供給することで、気泡ＢＢを供給しない場合と比較して、アルカリ性処理液ＬＱによる基板Ｗの処理量を多くできる。この点の詳細は後述する。また、気泡ＢＢを供給することで、基板Ｗの表面に接触するアルカリ性処理液ＬＱを新鮮なアルカリ性処理液ＬＱに効果的に置換できる。

気泡調節部１８０は、気体供給源ＴＫＣから供給される気体ＧＡを、複数の気泡供給管２１に供給する。具体的には、基板処理装置１００は複数の配管１８１を更に備える。複数の配管１８１は、それぞれ、複数の気泡供給管２１に接続される。そして、気泡調節部１８０は、気体供給源ＴＫＣから供給される気体ＧＡを、複数の配管１８１から、それぞれ、複数の気泡供給管２１に供給する。具体的には、気泡調節部１８０は、複数の気泡調節機構１８２を含む。複数の気泡調節機構１８２は、それぞれ、複数の配管１８１に接続される。つまり、配管１８１の一端が気泡供給管２１に接続され、配管１８１の他端が気泡調節機構１８２に接続される。複数の気泡調節機構１８２は、それぞれ、複数の気泡供給管２１に対応して設けられる。気泡調節機構１８２は、気体供給源ＴＫＣから供給される気体ＧＡを、対応する配管１８１を介して、対応する気泡供給管２１に供給する。

また、気泡調節部１８０は、気泡供給管２１ごとに気泡ＢＢを調節する。従って、実施形態１によれば、各基板Ｗに対する処理の面内均一性を向上できる。具体的には、気泡調節部１８０は、気泡供給管２１ごとに、気泡ＢＢの量及び／又は数を調節する。

すなわち、図２及び図３を参照して説明したように、気泡ＢＢが多い程、基板Ｗの処理量が多くなり、気泡ＢＢが少ない程、基板Ｗの処理量が少なくなる。従って、アルカリ性処理液ＬＱへの浸漬前の基板Ｗに厚みの分布が存在する場合には、基板Ｗの表面における気泡ＢＢの分布を調節することで、基板Ｗの表面における各領域で処理量を調節できる。その結果、例えば、基板Ｗの表面において厚みの大きい領域では、気泡ＢＢを増加させる。又は、例えば、基板Ｗの表面において厚みの小さい領域では、気泡ＢＢを減少させる。よって、基板Ｗに対する処理の面内均一性を向上できる。

詳細には、気泡調節部１８０において、各気泡調節機構１８２は、対応する気泡供給管２１に供給する気体ＧＡの流量を調節する。気体ＧＡの流量の調節は、気体ＧＡの流量を一定にすること、気体ＧＡの流量を増加させること、気体ＧＡの流量を減少させること、及び、気体ＧＡの流量をゼロにすることを含む。

制御部２２１は、昇降ユニット１２６、バルブ１４６、調整バルブ１４５、ヒーター１４３、ポンプ１４２、バルブ１５６、バルブ１６６、バルブ１７０ｂ、及び、気泡調節部１８０（複数の気泡調節機構１８２）を制御する。

次に、図４を参照して、基板Ｗを処理槽１１０に浸漬する前及び後の基板処理装置１００を説明する。図４（ａ）及び図４（ｂ）は、基板Ｗを処理槽１１０に投入する前及び後の基板処理装置１００の模式的斜視図である。なお、図４では、図面が過度に複雑になることを避けるために、図１に示した蓋１１６及び処理槽１１０内のアルカリ性処理液ＬＱを省略して示している。また、図４（ａ）及び図４（ｂ）では、１ロット（例えば２５枚）の基板Ｗが処理槽１１０で処理される例が示される。

図４（ａ）に示すように、基板保持部１２０は、第１方向Ｄ１０（Ｙ方向）に間隔をあけて複数の基板Ｗ（１ロットの基板Ｗ）を保持する。複数の基板Ｗは、第１方向Ｄ１０に沿って一列に配列される。換言すれば、第１方向Ｄ１０は、複数の基板Ｗの配列方向を示す。第１方向Ｄ１０は、水平方向に略平行であり、鉛直方向Ｄに略垂直である。また、複数の基板Ｗの各々は、第２方向Ｄ２０に略平行である。第２方向Ｄ２０は、第１方向Ｄ１０及び鉛直方向Ｄに略直交し、水平方向に略平行である。

第１方向Ｄ１０は、本発明の「所定方向」の一例に相当する。

図４（ａ）では、基板保持部１２０は、内槽１１２の上方に位置する。基板保持部１２０は、複数の基板Ｗを保持したまま鉛直下方（Ｚ方向）に下降する。これにより、複数の基板Ｗが内槽１１２に投入される。図４（ｂ）に示すように、基板保持部１２０が内槽１１２にまで下降すると、複数の基板Ｗは、内槽１１２内のアルカリ性処理液ＬＱに浸漬する。

次に、図５を参照して、気泡供給部２００を説明する。図５は、気泡供給部２００を示す模式的平面図である。図５に示すように、複数の気泡供給管２１を互いに区別して説明する場合には、図５において右から、気泡供給管２１ａ、気泡供給管２１ｂ、気泡供給管２１ｃ、気泡供給管２１ｄ、気泡供給管２１ｅ、気泡供給管２１ｆと記載する。

複数の気泡供給管２１は、平面視において、互いに略平行に、かつ、間隔をあけて配置される。図５の例では、複数の気泡供給管２１は、仮想中心線ＣＬに対して対称に配置される。仮想中心線ＣＬは、各基板Ｗの中心を通り、第１方向Ｄ１０に沿って延びる。

具体的には、複数の気泡供給管２１は、処理槽１１０において、互いに略平行に、かつ、第２方向Ｄ２０に間隔をあけて配置される。気泡供給管２１は、は、第１方向Ｄ１０に沿って延びている。複数の気泡供給管２１の各々において、複数の気泡孔Ｇは、第１方向Ｄ１０に間隔をあけて略一直線上に配置される。図５の例では、複数の気泡供給管２１の各々において、複数の気泡孔Ｇは、第１方向Ｄ１０において、等間隔、かつ、略一直線上に配置される。複数の気泡供給管２１の各々において、各気泡孔Ｇは、気泡供給管２１の上面部に設けられる。

複数の気泡供給管２１の各々は、第１管部Ｔ１と、第２管部Ｔ２と、第３管部Ｔ３とを有する。第１管部Ｔ１は、複数の基板Ｗのうち第１方向Ｄ１０の一方端に配置される基板Ｗ１に対して、第１方向Ｄ１０の外方に延びる。第２管部Ｔ２は、複数の基板Ｗのうち第１方向Ｄ１０の他方端に配置される基板Ｗ２に対して、第１方向Ｄ１０の外方に延びる。第３管部Ｔ３は、気泡供給管２１のうち、第１管部Ｔ１と第２管部Ｔ２との間の部分である。

複数の気泡供給管２１の各々において、複数の気泡孔Ｇは、複数の第１気泡孔Ｇ１と、複数の第２気泡孔Ｇ２と、複数の第３気泡孔Ｇ３とを含む。

第１管部Ｔ１には、複数の気泡孔Ｇのうち、第１気泡孔Ｇ１が配置される。図５の例では、第１管部Ｔ１には、５個の第１気泡孔Ｇ１が配置される。第２管部Ｔ２には、複数の気泡孔Ｇのうち、第２気泡孔Ｇ２が配置される。図５の例では、第２管部Ｔ２には、５個の第２気泡孔Ｇ２が配置される。第１管部Ｔ１と第２管部Ｔ２との間の第３管部Ｔ３には、複数の第３気泡孔Ｇ３が配置される。

詳細には、複数の基板Ｗの配列には、複数の隙間空間ＧＰが存在する。複数の隙間空間ＧＰの各々は、第１方向Ｄ１０に互いに隣り合う基板Ｗと基板Ｗとの隙間の空間を示す。複数の隙間空間ＧＰは、各基板Ｗに仕切られて、第１方向Ｄ１０に沿って並んだ空間である。

各気泡供給管２１において、第１気泡孔Ｇ１は、基板Ｗ１よりも第１方向Ｄ１０の外方に配置される。各気泡供給管２１において、第２気泡孔Ｇ２は、基板Ｗよりも第１方向Ｄ１０の外方に配置される。各気泡供給管２１において、複数の第３気泡孔Ｇ３は、複数の隙間空間ＧＰにそれぞれ対応して配置される。図５の例では、気泡供給管２１ｂ～２１ｅの各々において、複数の第３気泡孔Ｇ３は、それぞれ、複数の隙間空間ＧＰに対して、鉛直方向Ｄに対向する。また、気泡供給管２１ａ、２１ｆの各々において、複数の第３気泡孔Ｇ３は、それぞれ、複数の隙間空間ＧＰに対して、鉛直方向Ｄに交差する方向に対向する。

各気泡供給管２１において、第１気泡孔Ｇ１は、複数の第３気泡孔Ｇ３のうち、１つの隙間空間ＧＰに対応して配置される第３気泡孔Ｇ３よりも多いことが好ましい。加えて、各気泡供給管２１において、第２気泡孔Ｇ２は、１つの隙間空間ＧＰに対応して配置される第３気泡孔Ｇ３よりも多いことが好ましい。この好ましい例によれば、複数の基板Ｗの第１方向Ｄ１０の両端近傍においても、円滑に気泡ＢＢが上昇する。従って、第１方向Ｄ１０の両端近傍の基板Ｗ（例えば、基板Ｗ１、Ｗ２）の表面に対しても効果的に気泡ＢＢを供給できる。その結果、第１方向Ｄ１０の両端近傍の基板Ｗの表面に接触するアルカリ性処理液ＬＱを新鮮なアルカリ性処理液ＬＱに効果的に置換できる。例えば、基板Ｗ１の隣の基板Ｗと基板Ｗ１との隙間空間ＧＰ、及び、基板Ｗ２の隣の基板Ｗと基板Ｗ２との隙間空間ＧＰに対しても、多数の気泡ＢＢを効果的に供給できて、新鮮なアルカリ性処理液ＬＱへの置換を効果的に行うことができる。

なお、例えば、第１気泡孔Ｇ１及び第２気泡孔Ｇ２が存在しない場合、複数の基板Ｗの第１方向Ｄ１０の両端近傍では、アルカリ性処理液ＬＱの下降流の影響によって、気泡ＢＢの上昇が抑制される可能性がある。その結果、複数の基板Ｗの第１方向Ｄ１０の両端近傍では、気泡ＢＢが隙間空間ＧＰに進入し難くなる可能性がある。そこで、第３気泡孔Ｇ３よりも多い第１気泡孔Ｇ１及び第２気泡孔Ｇ２を設けることで、気泡ＢＢを円滑に上昇させ、アルカリ性処理液ＬＱの下降流の影響を抑制する。なお、アルカリ性処理液ＬＱの下降流は、例えば、隙間空間ＧＰを上昇するアルカリ性処理液ＬＱが液表面に到達することで、液表面によって生成され得る。

なお、図１の例では、複数の気泡孔Ｇは、５個の第１気泡孔Ｇ１と、５個の第２気泡孔Ｇ２とを含む。また、各気泡供給管２１において、１つの隙間空間ＧＰに対応して１個の第３気泡孔Ｇ３が配置される。つまり、各気泡供給管２１において、１つの隙間空間ＧＰに対向して１個の第３気泡孔Ｇ３が配置される。この場合、例えば、基板保持部１２０がＫ枚の基板Ｗを保持する場合、（Ｋ－１）個の第３気泡孔Ｇ３が設けられる。Ｋは、例えば、２以上の整数を示す。Ｋは、例えば、５０である。

ここで、図５の例では、気泡供給管２１ａ及び気泡供給管２１ｆは、平面視において、基板Ｗよりも第２方向Ｄ２０の外側に位置する。なお、気泡供給管２１ａ及び気泡供給管２１ｆは、平面視において、基板Ｗと重なっていてもよい。また、気泡供給管２１ａ及び気泡供給管２１ｆは、気泡供給管２１ａ～２１ｆのうち、第２方向Ｄ２０において最も外側に配置される。気泡供給管２１ｃ及び気泡供給管２１ｄは、気泡供給管２１ａ～２１ｆのうち、第２方向Ｄ２０において最も内側に配置される。気泡供給管２１ｂは、気泡供給管２１ａと気泡供給管２１ｃとの間に配置される。気泡供給管２１ｅは、気泡供給管２１ｄと気泡供給管２１ｆとの間に配置される。

引き続き図５を参照して、気泡調節部１８０及び配管１８１を説明する。気泡調節部１８０は、気泡供給管２１ごとに気泡供給管２１に気体ＧＡを供給することで、処理槽１１０のアルカリ性処理液ＬＱ（図１）に対して気泡孔Ｇから気泡ＢＢを供給する。気泡供給管２１に供給する気体ＧＡの流量が多い程、気泡供給管２１から供給される気泡ＢＢが多くなる。

詳細には、各配管１８１の一端は、対応する気泡供給管２１の第１方向Ｄ１０の一端部に接続される。一方、各配管１８１の他端は、対応する気泡調節機構１８２に接続される。そして、各気泡調節機構１８２は、対応する配管１８１を介して、対応する気泡供給管２１に気体ＧＡを供給する。また、各気泡調節機構１８２は、対応する気泡供給管２１に供給する気体ＧＡの流量を個別に調節することで、対応する気泡供給管２１に供給する気体ＧＡの流量を個別に調節する。

具体的には、気泡調節機構１８２は、バルブ４１と、フィルター４２と、流量計４３と、調節バルブ４４とを含む。バルブ４１、フィルター４２、流量計４３、及び、調節バルブ４４は、この順番に配管１８１の下流から上流に向かって、配管１８１に配置される。

調節バルブ４４は、配管１８１の開度を調節することで、配管１８１に供給する気体ＧＡの流量を調節して、気泡供給管２１に供給される気体ＧＡの流量を調節する。流量計４３は、配管１８１を流れる気体ＧＡの流量を計測する。調節バルブ４４は、流量計４３の計測結果に基づいて気体ＧＡの流量を調節する。なお、例えば、調節バルブ４４及び流量計４３に代えて、マスフローコントローラーを設けてもよい。

フィルター４２は、配管１８１を流れる気体ＧＡから異物を除去する。バルブ４１は、配管１８１を開閉する。つまり、バルブ４１は、配管１８１からの気泡供給管２１に対する気体ＧＡの供給と供給停止とを切り替える。

なお、複数の気泡調節機構１８２を区別して説明する場合には、図５において上から、気泡調節機構１８２ａ、気泡調節機構１８２ｂ、気泡調節機構１８２ｃ、気泡調節機構１８２ｄ、気泡調節機構１８２ｅ、及び、気泡調節機構１８２ｆと記載する。気泡調節機構１８２ａ～１８２ｆは、それぞれ、気泡供給管２１ａ～２１ｆに供給する気体ＧＡの流量を調節する。

次に、図６を参照して、処理液導入部１３０を説明する。図６は、処理液導入部１３０を示す模式的裏面図である。図６に示すように、処理液導入部１３０は、複数の吐出部１３１と、複数の分散板１３２とを含む。図６の例では、処理液導入部１３０は、２個の吐出部１３１と、２個の分散板１３２とを含む。複数の吐出部１３１は、第１方向Ｄ１０に間隔をあけて配置される。複数の分散板１３２は、第１方向Ｄ１０に間隔をあけて配置される。複数の分散板１３２は、それぞれ、複数の吐出部１３１に対応する。複数の分散板１３２は、プレート３１の下方に配置される。図６の例では、分散板１３２は、略円板形状を有する。複数の吐出部１３１は、それぞれ、複数の分散板１３２の下方に配置される。

吐出部１３１及び分散板１３２は、裏面視において、第２方向Ｄ２０におけるプレート３１の中央領域３１ａに対応して配置される。中央領域３１ａは第１方向Ｄ１０に沿って延びる。

循環部１４０（図１）が配置される配管１４１は、配管１３３を含む。配管１３３は、プレート３１の第１方向Ｄ１０の一方端側から他方端側に向かって延びる。配管１３３は第１方向Ｄ１０に沿って延びる。配管１３３は、プレート３１の裏面に対向する。つまり、配管１３３は、プレート３１の下方に配置される。具体的には、配管１３３は、分散板１３２よりも下方に配置される。

吐出部１３１は、配管１３３の上面に接続される。吐出部１３１と配管１３３とは連通している。そして、吐出部１３１は、分散板１３２に向かって、配管１３３から鉛直上方に突出する。配管１３３には、循環部１４０からアルカリ性処理液ＬＱが供給される。その結果、吐出部１３１は、アルカリ性処理液ＬＱを分散板１３２に向かって吐出する。よって、アルカリ性処理液ＬＱの圧力が分散され、アルカリ性処理液ＬＱが水平方向に拡がる。そして、アルカリ性処理液ＬＱは、複数の処理液孔Ｐから上昇して層流を形成する。複数の処理液孔Ｐは、プレート３１の全面に形成されている。

次に、図７を参照して、気泡ＢＢの調節による基板Ｗの処理の一例を説明する。図７（ａ）～図７（ｄ）は、基板Ｗの処理の流れの一例を示す模式図である。

図７（ａ）に示すように、状態ＳＴ１は、基板Ｗがアルカリ性処理液ＬＱに浸漬される前の状態を示す。基板Ｗに対しては、浸漬前に、別の処理が実行されている。

以下、処理槽１１０のアルカリ性処理液ＬＱに浸漬する前に基板Ｗに対して実行される別の処理を、「前段処理」と記載する。

基板Ｗは、基板中央部Ａ１と、２つの基板中間部Ａ２と、２つの基板端部Ａ３とを含む。基板中央部Ａ１は、基板Ｗの中心ＣＴを含み、鉛直方向Ｄに沿って延びる。基板中央部Ａ１は、第２方向Ｄ２０における基板Ｗの中央領域を示す。基板端部Ａ３は、第２方向Ｄ２０における基板Ｗの端領域を示す。基板端部Ａ３は、鉛直方向Ｄに沿って延びる。２つの基板端部Ａ３の一方は、基板ＷのエッジＥ１を含む。２つの基板端部Ａ３の他方は、基板ＷのエッジＥ２を含む。エッジＥ１、Ｅ１は、第２方向Ｄ２０における基板Ｗの頂点を示す。基板中間部Ａ２は、基板中央部Ａ１と基板端部Ａ３との間の領域である。２つの基板中間部Ａ２は基板中央部Ａ１を挟む。

基板ＷはノッチＮを有する。基板保持部１２０（図１）は、ノッチＮが鉛直方向Ｄの頂点に位置する状態で基板Ｗを保持する。従って、基板Ｗは、ノッチＮが鉛直方向Ｄの頂点に位置する状態で、アルカリ性処理液ＬＱに浸漬される。

また、ノッチＮが鉛直方向Ｄの頂点に位置する状態において、第２方向Ｄ２０における基板Ｗの厚みが示されている。

状態ＳＴ１では、基板中央部Ａ１の厚みが、基板中間部Ａ２及び基板端部Ａ３の厚みよりも大きい。従って、前段処理での基板中央部Ａ１に対する処理量（エッチング量）は、前段処理での基板中間部Ａ２及び基板端部Ａ３に対する処理量（エッチング量）よりも少ない。

また、状態ＳＴ１では、全ての気泡供給管２１ａ～２１ｆが、アルカリ性処理液ＬＱに気泡ＢＢを供給している。例えば、気泡ＢＢの供給を開始してから第１所定時間後に、基板Ｗをアルカリ性処理液ＬＱに浸漬する。第１所定時間は、アルカリ性処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度が略一定になるまでの時間を示す。第１所定時間は、例えば、２時間である。つまり、アルカリ性処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度が略一定になった後に（図３）、アルカリ性処理液ＬＱに基板Ｗを浸漬する。

図７（ｂ）に示すように、状態ＳＴ２は、基板Ｗがアルカリ性処理液ＬＱに浸漬され、全ての気泡供給管２１ａ～２１ｆから気泡ＢＢが供給されている状態を示す。状態ＳＴ２での処理が第２所定時間だけ実行される。その結果、基板Ｗが全体的に処理され、基板Ｗの厚みが全体的に減少する。第２所定時間は、処理量の目標値に基づいて決定される。状態ＳＴ２での処理の後、状態ＳＴ３での処理が実行される。

図７（ｃ）に示すように、状態ＳＴ３は、基板Ｗがアルカリ性処理液ＬＱに浸漬され、基板中央部Ａ１に対応する２本の気泡供給管２１ｃ、２１ｄから気泡ＢＢが供給されている状態を示す。状態ＳＴ３での処理が第３所定時間だけ実行される。第３所定時間は、浸漬前の基板Ｗの厚み（図７（ａ））に基づいて決定される。つまり、第３所定時間は、浸漬前の基板Ｗの処理量（図７（ａ））に基づいて決定される。

浸漬前の基板Ｗでは、前段処理における基板中央部Ａ１の処理量が、基板中間部Ａ２及び基板端部Ａ３の処理量よりも少ない（図７（ａ））。つまり、浸漬前では、基板中央部Ａ１の厚みが、基板中間部Ａ２及び基板端部Ａ３の厚みよりも大きい。従って、基板Ｗの厚みの面内均一性を向上するためには、基板中央部Ａ１の処理量を、基板中間部Ａ２及び基板端部Ａ３の処理量よりも多くすることが要求される。

そこで、状態ＳＴ３では、基板中央部Ａ１に対応する２本の気泡供給管２１ｃ、２１ｄだけが気泡ＢＢを供給し、基板中間部Ａ２に対応する２本の気泡供給管２１ｂ、２１ｅと、基板端部Ａ３に対応する２本の気泡供給管２１ａ、２１ｆとが、気泡ＢＢの供給を停止している。従って、基板中間部Ａ２及び基板端部Ａ３の近傍の溶存酸素濃度は、基板中央部Ａ１の近傍の溶存酸素濃度よりも高い。つまり、基板中央部Ａ１の近傍の溶存酸素濃度が、基板中間部Ａ２及び基板端部Ａ３の近傍の溶存酸素濃度に対して相対的に低い。従って、アルカリ性処理液ＬＱによる基板中央部Ａ１の処理量が、アルカリ性処理液ＬＱによる基板中間部Ａ２及び基板端部Ａ３の処理量よりも多くなる。その結果、基板中央部Ａ１と基板中間部Ａ２と基板端部Ａ３との厚みが略一定になる。つまり、基板Ｗの処理量の面内均一性が向上する。状態ＳＴ３での処理の後、状態ＳＴ４での処理が実行される。

なお、気泡調節部１８０から気泡供給管２１ｃ、２１ｄの各々に供給する気体ＧＡの流量を、気泡調節部１８０から気泡供給管２１ａ、２１ｂ、２１ｅ、２１ｆの各々に供給する気体ＧＡの流量よりも多くしてもよい。この場合も上記と同様に、基板中央部Ａ１の近傍の溶存酸素濃度を、基板中間部Ａ２及び基板端部Ａ３の近傍の溶存酸素濃度に対して相対的に低くすることができる。その結果、上記と同様に、基板Ｗの処理量の面内均一性が向上する。

図７（ｄ）に示すように、状態ＳＴ４は、基板Ｗがアルカリ性処理液ＬＱから引き上げられた状態を示す。状態ＳＴ４では、全ての気泡供給管２１ａ～２１ｆが、アルカリ性処理液ＬＱに気泡ＢＢを供給している。状態ＳＴ４が、第４所定時間以上、待機される。第４所定時間は、アルカリ性処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度が略一定になるまでの時間を示す。第４所定時間は、例えば、２時間である。

次に、図８を参照して、気泡ＢＢの調節による基板Ｗの処理の他の例を説明する。図８（ａ）～図８（ｄ）は、基板Ｗの処理の流れの一例を示す模式図である。以下、図８に示す状態が図７に示す状態と異なる点を主に説明する。

図８（ａ）に示すように、状態ＳＴ１１は、基板Ｗがアルカリ性処理液ＬＱに浸漬される前の状態を示す。基板Ｗに対しては、浸漬前に、別の処理が実行されている。つまり、基板Ｗに対して前段処理が実行されている。

状態ＳＴ１１では、基板中間部Ａ２の厚みが、基板中央部Ａ１及び基板端部Ａ３の厚みよりも大きい。従って、前段処理での基板中間部Ａ２に対する処理量（エッチング量）は、前段処理での基板中央部Ａ１及び基板端部Ａ３に対する処理量（エッチング量）よりも少ない。

また、状態ＳＴ１１では、全ての気泡供給管２１ａ～２１ｆが、アルカリ性処理液ＬＱに気泡ＢＢを供給している。

図８（ｂ）に示すように、状態ＳＴ１２は、基板Ｗがアルカリ性処理液ＬＱに浸漬され、全ての気泡供給管２１ａ～２１ｆから気泡ＢＢが供給されている状態を示す。

図８（ｃ）に示すように、状態ＳＴ１３は、基板Ｗがアルカリ性処理液ＬＱに浸漬され、基板中間部Ａ２に対応する２本の気泡供給管２１ｂ、２１ｅから気泡ＢＢが供給されている状態を示す。状態ＳＴ１３での処理が第３所定時間だけ実行される。第３所定時間は、浸漬前の基板Ｗの厚み（図８（ａ））に基づいて決定される。つまり、第３所定時間は、浸漬前の基板Ｗの処理量（図８（ａ））に基づいて決定される。

浸漬前の基板Ｗでは、前段処理における基板中間部Ａ２の処理量が、基板中央部Ａ１及び基板端部Ａ３の処理量よりも少ない（図８（ａ））。つまり、浸漬前では、基板中間部Ａ２の厚みが、基板中央部Ａ１及び基板端部Ａ３の厚みよりも大きい。従って、基板Ｗの厚みの面内均一性を向上するためには、基板中間部Ａ２の処理量を、基板中央部Ａ１及び基板端部Ａ３の処理量よりも多くすることが要求される。

そこで、状態ＳＴ１３では、基板中間部Ａ２に対応する２本の気泡供給管２１ｂ、２１ｅだけが気泡ＢＢを供給し、基板中央部Ａ１に対応する２本の気泡供給管２１ｃ、２１ｄと、基板端部Ａ３に対応する２本の気泡供給管２１ａ、２１ｆとが、気泡ＢＢの供給を停止している。従って、基板中央部Ａ１及び基板端部Ａ３の近傍の溶存酸素濃度は、基板中間部Ａ２の近傍の溶存酸素濃度よりも高い。つまり、基板中間部Ａ２の近傍の溶存酸素濃度が、基板中央部Ａ１及び基板端部Ａ３の近傍の溶存酸素濃度に対して相対的に低い。従って、アルカリ性処理液ＬＱによる基板中間部Ａ２の処理量が、アルカリ性処理液ＬＱによる基板中央部Ａ１及び基板端部Ａ３の処理量よりも多くなる。その結果、基板中央部Ａ１と基板中間部Ａ２と基板端部Ａ３との厚みが略一定になる。つまり、基板Ｗの処理量の面内均一性が向上する。状態ＳＴ１３での処理の後、状態ＳＴ１４での処理が実行される。

なお、気泡調節部１８０から気泡供給管２１ｂ、２１ｅの各々に供給する気体ＧＡの流量を、気泡調節部１８０から気泡供給管２１ａ、２１ｃ、２１ｄ、２１ｆの各々に供給する気体ＧＡの流量よりも多くしてもよい。この場合も上記と同様に、基板中間部Ａ２の近傍の溶存酸素濃度を、基板中央部Ａ１及び基板端部Ａ３の近傍の溶存酸素濃度に対して相対的に低くすることができる。その結果、上記と同様に、基板Ｗの処理量の面内均一性が向上する。

図８（ｄ）に示すように、状態ＳＴ１４は、基板Ｗがアルカリ性処理液ＬＱから引き上げられた状態を示す。

次に、図９を参照して、気泡ＢＢの調節による基板Ｗの処理の更に他の例を説明する。図９（ａ）～図９（ｄ）は、基板Ｗの処理の流れの一例を示す模式図である。以下、図９に示す状態が図７に示す状態と異なる点を主に説明する。

図９（ａ）に示すように、状態ＳＴ２１は、基板Ｗがアルカリ性処理液ＬＱに浸漬される前の状態を示す。基板Ｗに対しては、浸漬前に、別の処理が実行されている。つまり、基板Ｗに対して前段処理が実行されている。

状態ＳＴ２１では、基板端部Ａ３の厚みが、基板中央部Ａ１及び基板中間部Ａ２の厚みよりも大きい。従って、前段処理での基板端部Ａ３に対する処理量（エッチング量）は、前段処理での基板中央部Ａ１及び基板中間部Ａ２に対する処理量（エッチング量）よりも少ない。

また、状態ＳＴ２１では、全ての気泡供給管２１ａ～２１ｆが、アルカリ性処理液ＬＱに気泡ＢＢを供給している。

図９（ｂ）に示すように、状態ＳＴ２２は、基板Ｗがアルカリ性処理液ＬＱに浸漬され、全ての気泡供給管２１ａ～２１ｆから気泡ＢＢが供給されている状態を示す。

図９（ｃ）に示すように、状態ＳＴ２３は、基板Ｗがアルカリ性処理液ＬＱに浸漬され、基板端部Ａ３に対応する２本の気泡供給管２１ａ、２１ｆから気泡ＢＢが供給されている状態を示す。状態ＳＴ２３での処理が第３所定時間だけ実行される。第３所定時間は、浸漬前の基板Ｗの厚み（図９（ａ））に基づいて決定される。つまり、第３所定時間は、浸漬前の基板Ｗの処理量（図９（ａ））に基づいて決定される。

浸漬前の基板Ｗでは、前段処理における基板端部Ａ３の処理量が、基板中央部Ａ１及び基板中間部Ａ２の処理量よりも少ない（図９（ａ））。つまり、浸漬前では、基板端部Ａ３の厚みが、基板中央部Ａ１及び基板中間部Ａ２の厚みよりも大きい。従って、基板Ｗの厚みの面内均一性を向上するためには、基板端部Ａ３の処理量を、基板中央部Ａ１及び基板中間部Ａ２の処理量よりも多くすることが要求される。

そこで、状態ＳＴ２３では、基板端部Ａ３に対応する２本の気泡供給管２１ａ、２１ｆだけが気泡ＢＢを供給し、基板中央部Ａ１に対応する２本の気泡供給管２１ｃ、２１ｄと、基板中間部Ａ２に対応する２本の気泡供給管２１ｂ、２１ｅとが、気泡ＢＢの供給を停止している。従って、基板中央部Ａ１及び基板中間部Ａ２の近傍の溶存酸素濃度は、基板端部Ａ３の近傍の溶存酸素濃度よりも高い。つまり、基板端部Ａ３の近傍の溶存酸素濃度が、基板中央部Ａ１及び基板中間部Ａ２の近傍の溶存酸素濃度に対して相対的に低い。従って、アルカリ性処理液ＬＱによる基板端部Ａ３の処理量が、アルカリ性処理液ＬＱによる基板中央部Ａ１及び基板中間部Ａ２の処理量よりも多くなる。その結果、基板中央部Ａ１と基板中間部Ａ２と基板端部Ａ３との厚みが略一定になる。つまり、基板Ｗの処理量の面内均一性が向上する。状態ＳＴ２３での処理の後、状態ＳＴ２４での処理が実行される。

なお、気泡調節部１８０から気泡供給管２１ａ、２１ｆの各々に供給する気体ＧＡの流量を、気泡調節部１８０から、気泡供給管２１ｂ～２１ｅの各々に供給する気体ＧＡの流量よりも多くしてもよい。この場合も上記と同様に、基板端部Ａ３の近傍の溶存酸素濃度を、基板中央部Ａ１及び基板中間部Ａ２の近傍の溶存酸素濃度に対して相対的に低くすることができる。その結果、上記と同様に、基板Ｗの処理量の面内均一性が向上する。

図９（ｄ）に示すように、状態ＳＴ１４は、基板Ｗがアルカリ性処理液ＬＱから引き上げられた状態を示す。

以上、図７～図９を参照して、気泡ＢＢの調節による基板Ｗの処理を説明した。ただし、気泡供給管２１ａ～２１ｆのうち、気泡ＢＢの供給を停止する気泡供給管２１については、浸漬前の基板Ｗの厚み、つまり、浸漬前の基板Ｗの処理量の分布に基づいて決定される。つまり、気泡供給管２１ａ～２１ｆのうち、気泡ＢＢの供給を継続する気泡供給管２１については、浸漬前の基板Ｗの厚み、つまり、浸漬前の基板Ｗの処理量の分布に基づいて決定される。

例えば、浸漬前の基板中間部Ａ２及び基板端部Ａ３の処理量が、浸漬前の基板中央部Ａ１の処理量よりも少ない場合は、気泡供給管２１ａ、２１ｂ、２１ｅ、２１ｆから気泡ＢＢを供給し、気泡供給管２１ｃ、２１ｄからの気泡ＢＢの供給を停止する。

例えば、浸漬前の基板中央部Ａ１の処理量が、浸漬前の基板中間部Ａ２及び基板端部Ａ３の処理量よりも多い場合は、気泡供給管２１ｃ、２１ｄからの気泡ＢＢの供給を停止し、気泡供給管２１ａ、２１ｂ、２１ｅ、２１ｆから気泡ＢＢを供給する。

例えば、浸漬前の基板中間部Ａ２の処理量が、浸漬前の基板中央部Ａ１及び基板端部Ａ３の処理量よりも多い場合は、気泡供給管２１ｂ、２１ｅからの気泡ＢＢの供給を停止し、気泡供給管２１ａ、２１ｃ、２１ｄ、２１ｆから気泡ＢＢを供給する。

例えば、浸漬前の基板端部Ａ３の処理量が、浸漬前の基板中央部Ａ１及び基板中間部Ａ２の処理量よりも多い場合は、気泡供給管２１ａ、２１ｆからの気泡ＢＢの供給を停止し、気泡供給管２１ｂ～２１ｅから気泡ＢＢを供給する。その他、気泡供給管２１ａ～２１ｆの各々における気泡ＢＢの供給及び停止については、任意の組み合わせが可能である。

また、浸漬前の基板Ｗの厚み、つまり、浸漬前の基板Ｗの処理量の分布に基づいて、気泡供給管２１ａ～２１ｆごとに、気泡ＢＢを生成するための気体ＧＡの流量を調節することで、基板中央部Ａ１の近傍、基板中間部Ａ２の近傍、及び、基板端部Ａ３の近傍の各々での溶存酸素濃度を調節してもよい。つまり、浸漬前の基板Ｗの厚み、つまり、浸漬前の基板Ｗの処理量の分布に基づいて、気泡供給管２１ａ～２１ｆごとに、気泡ＢＢの量及び／又は数を調節することで、基板中央部Ａ１の近傍、基板中間部Ａ２の近傍、及び、基板端部Ａ３の近傍の各々での溶存酸素濃度を調節してもよい。

例えば、浸漬前の基板中央部Ａ１の処理量が、浸漬前の基板中間部Ａ２及び基板端部Ａ３の処理量よりも少ない場合は、気泡供給管２１ｃ、２１ｄの各々に供給する気体ＧＡの流量を、気泡供給管２１ａ、２１ｂ、２１ｅ、２１ｆの各々に供給する気体ＧＡの流量に対して相対的に多くする。その結果、気泡供給管２１ｃ、２１ｄの各々からの気泡ＢＢが相対的に多くなり、基板中央部Ａ１の近傍の溶存酸素濃度も相対的に低くなる。その結果、基板中央部Ａ１の処理量が相対的に多くなって、基板Ｗの処理量の面内均一性を向上できる。

例えば、浸漬前の基板中間部Ａ２の処理量が、浸漬前の基板中央部Ａ１及び基板端部Ａ３の処理量よりも少ない場合は、気泡供給管２１ｂ、２１ｅの各々に供給する気体ＧＡの流量を、気泡供給管２１ａ、２１ｃ、２１ｄ、２１ｆの各々に供給する気体ＧＡの流量に対して相対的に多くする。その結果、気泡供給管２１ｂ、２１ｅの各々からの気泡ＢＢが相対的に多くなり、基板中間部Ａ２の近傍の溶存酸素濃度も相対的に低くなる。その結果、基板中間部Ａ２の処理量が相対的に多くなって、基板Ｗの処理量の面内均一性を向上できる。

例えば、浸漬前の基板端部Ａ３の処理量が、浸漬前の基板中央部Ａ１及び基板中間部Ａ２の処理量よりも少ない場合は、気泡供給管２１ａ、２１ｆの各々に供給する気体ＧＡの流量を、気泡供給管２１ｂ～２１ｅの各々に供給する気体ＧＡの流量に対して相対的に多くする。その結果、気泡供給管２１ａ、２１ｆの各々からの気泡ＢＢが相対的に多くなり、基板端部Ａ３の近傍の溶存酸素濃度も相対的に低くなる。その結果、基板端部Ａ３の処理量が相対的に多くなって、基板Ｗの処理量の面内均一性を向上できる。

例えば、浸漬前の基板中間部Ａ２及び基板端部Ａ３の処理量が、浸漬前の基板中央部Ａ１の処理量よりも少ない場合は、気泡供給管２１ａ、２１ｂ、２１ｅ、２１ｆの各々に供給する気体ＧＡの流量を、気泡供給管２１ｃ、２１ｄの各々に供給する気体ＧＡの流量に対して相対的に多くする。その他、気泡供給管２１ａ～２１ｆの各々に供給する気体ＧＡの流量の任意の組み合わせが可能である。

例えば、浸漬前の基板中央部Ａ１の処理量が、浸漬前の基板中間部Ａ２及び基板端部Ａ３の処理量よりも多い場合は、気泡供給管２１ｃ、２１ｄの各々に供給する気体ＧＡの流量を、気泡供給管２１ａ、２１ｂ、２１ｅ、２１ｆの各々に供給する気体ＧＡの流量に対して相対的に少なくする。

例えば、浸漬前の基板中間部Ａ２の処理量が、浸漬前の基板中央部Ａ１及び基板端部Ａ３の処理量よりも多い場合は、気泡供給管２１ｂ、２１ｅの各々に供給する気体ＧＡの流量を、気泡供給管２１ａ、２１ｃ、２１ｄ、２１ｆの各々に供給する気体ＧＡの流量に対して相対的に少なくする。

例えば、浸漬前の基板端部Ａ３の処理量が、浸漬前の基板中央部Ａ１及び基板中間部Ａ２の処理量よりも多い場合は、気泡供給管２１ａ、２１ｆの各々に供給する気体ＧＡの流量を、気泡供給管２１ｂ～２１ｅの各々に供給する気体ＧＡの流量に対して相対的に少なくする。

なお、気泡供給管２１ａ～２１ｆへの気体ＧＡの供給が、上述のように左右対称に調節されてもよいし（例えば、状態ＳＴ３、ＳＴ１３、ＳＴ２３）、左右非対称に調節されてもよい。換言すれば、気泡供給管２１ａ～２１ｆへの気体ＧＡの供給が、気泡供給管２１ａ～２１ｆごとに個別に調節されてもよい。更に換言すれば、気泡供給管２１ａ～２１ｆからの気泡ＢＢが、上述のように左右対称に調節されてもよいし、左右非対称に調節されてもよい。更に換言すれば、気泡供給管２１ａ～２１ｆからの気泡ＢＢが、気泡供給管２１ａ～２１ｆごとに個別に調節されてもよい。

すなわち、基板Ｗをアルカリ性処理液ＬＱに浸漬している状態で気泡供給管２１ａ～２１ｆからの気泡ＢＢを調節する場合（例えば、状態ＳＴ３、ＳＴ１３、ＳＴ２３）、気泡供給管２１ａ～２１ｆごとに気体ＧＡの流量（気泡ＢＢの量及び／又は数）が異なっていてもよいし、気泡供給管２１ａ～２１ｆに対する気体ＧＡの流量（気泡ＢＢの量及び／又は数）が同じでもよい。

また、基板Ｗをアルカリ性処理液ＬＱに浸漬している状態で気泡供給管２１ａ～２１ｆからの気泡ＢＢを調節する場合（例えば、状態ＳＴ３、ＳＴ１３、ＳＴ２３）、浸漬前の基板Ｗの厚みの分布、つまり、浸漬前の基板Ｗの処理量の分布に応じて、浸漬中の気体ＧＡの合計流量ＳＭ１は、浸漬前の気体ＧＡの合計流量ＳＭ０と同じであってもよいし、異なっていてもよい。気体ＧＡの合計流量ＳＭ１は、気体ＧＡの合計流量ＳＭ０よりも多くてもよいし、気体ＧＡの合計流量ＳＭ０よりも少なくてもよい。気体ＧＡの合計流量ＳＭ１は、基板Ｗをアルカリ性処理液ＬＱに浸漬している状態（例えば、状態ＳＴ３、ＳＴ１３、ＳＴ２３）において、気泡供給管２１ａ～２１ｆに供給する気体ＧＡの合計流量を示す。気体ＧＡの合計流量ＳＭ０は、基板Ｗをアルカリ性処理液ＬＱに浸漬していない状態（例えば、状態ＳＴ１、ＳＴ１１、ＳＴ２１）において、気泡供給管２１ａ～２１ｆに供給する気体ＧＡの合計流量を示す。

更に、図７～図８では、気泡ＢＢの調節による基板Ｗの処理（例えば、状態ＳＴ３、ＳＴ１３、ＳＴ２３）を、全ての気泡供給管２１ａ～２１ｆから気泡ＢＢを供給した状態での処理（例えば、状態ＳＴ２、ＳＴ１２、ＳＴ２２）の後に実行した。ただし、気泡ＢＢの調節による基板Ｗの処理のタイミングは特に限定されない。

例えば、気泡ＢＢの調節による基板Ｗの処理を、全ての気泡供給管２１ａ～２１ｆから気泡ＢＢを供給した状態での処理の前に実行してもよい。又は、例えば、気泡ＢＢの調節による基板Ｗの処理を、全ての気泡供給管２１ａ～２１ｆから気泡ＢＢを供給した状態での処理を実行することなく単独で実行してもよい。

更に、気泡ＢＢの調節による基板Ｗの処理（例えば、状態ＳＴ３、ＳＴ１３、ＳＴ２３）の実行時間（第３所定時間）は、浸漬前の基板Ｗの処理量に応じて任意に設定できる。また、気泡ＢＢの調節による基板Ｗの処理において、気泡供給管２１ａ～２１ｆごとに、気泡ＢＢの供給時間及び／又は供給タイミングを異ならせてもよい。

以上、図１～図９を参照して説明したように、各気泡供給管２１からの気泡ＢＢの調節によって、基板Ｗの表面の領域（基板中央部Ａ１、基板中間部Ａ２、基板端部Ａ３）ごとに選択的に処理量を調節した。この点を図１の制御部２２１の処理として説明する。

すなわち、制御部２２１は、気泡調節部１８０を制御することで、気泡ＢＢを調節するための制御対象（以下、「制御対象ＣＮ」）を気泡供給管２１ごとに制御する。この場合、制御対象ＣＮは、気泡供給管２１に供給する気体ＧＡの流量、気泡供給管２１への気体ＧＡの供給タイミング、及び、気泡供給管２１への気体ＧＡの供給期間のうちの少なくとも１つを含む。

実施形態１によれば、気泡供給管２１ごとに、気体ＧＡの流量、気体ＧＡの供給タイミング、及び、気体ＧＡの供給期間のうちの少なくとも１つを制御することで、気泡供給管２１ごとに気泡ＢＢの量／及び又は数を調節できる。つまり、気泡供給管２１ごとに、気体ＧＡの流量、気体ＧＡの供給タイミング、及び、気体ＧＡの供給期間のうちの少なくとも１つを制御することで、処理槽１１０のアルカリ性処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度の分布を制御できる。その結果、浸漬前の基板Ｗの処理量（つまり、前段処理による基板Ｗの処理量）の分布に応じて、浸漬中の基板Ｗの処理量の分布を制御できる。よって、基板Ｗの処理量の面内均一性を向上できる。例えば、実施形態１では、アルカリ性処理液ＬＱへの浸漬による基板Ｗの処理後において、基板Ｗを構成する膜（例えば、ポリシリコン膜）の厚みを、基板Ｗの表面全体にわたって略一定にできる。

具体的には、制御部２２１は、複数の気泡調節機構１８２を個別に制御することで、気泡ＢＢを調節するための制御対象ＣＮを気泡供給管２１ごとに制御する。この場合、制御部２２１は、複数の気泡調節機構１８２を個別に制御することで、気泡供給管２１ごとに、気体ＧＡの流量、気体ＧＡの供給タイミング、及び／又は、気体ＧＡの供給期間を異ならせてもよい。

更に具体的には、制御部２２１は、基板Ｗをアルカリ性処理液ＬＱに浸漬する前の基板Ｗの処理量を示す物理量に基づいて制御対象ＣＮを気泡供給管２１ごとに制御する。アルカリ性処理液ＬＱへの浸漬前の基板Ｗの処理量は、前段処理での基板Ｗの処理量を示す。この場合、基板Ｗの処理量は、例えば、基板Ｗを構成する対象物ＴＧ（例えば、基板Ｗそのもの、基板本体、膜、又は、層）のエッチング量又はエッチングレートを示す。また、基板Ｗの処理量を示す物理量は、基板Ｗの処理量そのものであってもよいし、基板Ｗを構成する対象物ＴＧの処理量であってもよいし、基板Ｗの厚みそのものであってもよいし、基板Ｗを構成する対象物ＴＧの厚みであってもよい。

実施形態１によれば、アルカリ性処理液ＬＱへの浸漬前の基板Ｗの処理量を示す物理量に基づいて制御対象ＣＮを気泡供給管２１ごとに制御するので、浸漬前の基板Ｗの処理量に応じた基板Ｗの処理を、アルカリ性処理液ＬＱへの浸漬によって実行できる。その結果、基板Ｗの処理量の面内均一性を更に効果的に向上できる。

更に具体的には、制御部２２１は、基板Ｗをアルカリ性処理液ＬＱに浸漬する前の基板Ｗの処理量を示す物理量の分布に基づいて制御対象ＣＮを気泡供給管２１ごとに制御する。この場合、アルカリ性処理液ＬＱへの浸漬前の基板Ｗの処理量を示す物理量の分布は、基板Ｗの面内における「処理量を示す物理量」の分布である。

次に、図１及び図１０を参照して、実施形態１に係る基板処理方法を説明する。基板処理方法は、基板処理装置１００によって実行される。図１０は、実施形態１に係る基板処理方法を示すフローチャートである。図１０に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ１～工程Ｓ１０を含む。工程Ｓ１～工程Ｓ１０は、制御部２２１の制御の下で実行される。

まず、工程Ｓ１において、処理槽１１０のアルカリ性処理液ＬＱが交換される。例えば、制御部２２１は、基板保持部１２０、処理液導入部１３０、循環部１４０、処理液供給部１５０、希釈液供給部１６０、及び、排液部１７０を制御することで、処理槽１１０のアルカリ性処理液ＬＱを交換する。

次に、工程Ｓ２において、処理液導入部１３０は、アルカリ性処理液ＬＱの層流を生成し、処理槽１１０へのアルカリ性処理液ＬＱの導入を開始する。その結果、処理槽１１０において、アルカリ性処理液ＬＱの循環が開始される。工程Ｓ２は、本発明の「処理液導入工程」の一例に相当する。

次に、工程Ｓ３において、気泡供給部２００は、アルカリ性処理液ＬＱが処理槽１１０に貯留された状態において、全ての気泡供給管２１からの気泡ＢＢの供給を開始する。つまり、気泡調節部１８０が全ての気泡供給管２１に対して気体ＧＡを供給することで、全ての気泡供給管２１からアルカリ性処理液ＬＱに対して気泡ＢＢが供給される。工程Ｓ３は、本発明の「気泡供給工程」の一例に相当する。工程Ｓ３は、工程Ｓ６まで継続しているためである。

次に、工程Ｓ４において、厚み測定部２１０は、アルカリ性処理液ＬＱに基板Ｗを浸漬する前に、基板Ｗの厚みを測定する。具体的には、厚み測定部２１０は、基板Ｗの浸漬前に、基板Ｗの厚みの分布（面内分布）を測定する。記憶部２２３は、浸漬前の基板Ｗの厚みの分布を示す情報を記憶する。詳細には、基板Ｗの厚みは、基板Ｗを構成する対象物ＴＧの厚みである。基板Ｗの浸漬前には、基板Ｗに対して前段処理が実行されているため、工程Ｓ４では、前段処理後の基板Ｗの厚みが測定される。以下、浸漬前の基板Ｗの厚みは、前段処理後であって、浸漬前の基板Ｗの厚みを示す。浸漬前の基板Ｗの厚みの分布を示す情報は、機会学習のための学習データとして使用することが可能である。

次に、工程Ｓ５において、制御部２２１は、厚み測定部２１０の測定結果に基づいて、アルカリ性処理液ＬＱへの浸漬前の基板Ｗの処理量を取得する。具体的には、制御部２２１は、前段処理の実行前の基板Ｗの厚みと、浸漬前（前段処理後）の基板Ｗの厚みとの差分を算出することで、前段処理による基板Ｗの処理量を取得する。その結果、前段処理による基板Ｗの処理量の分布が得られる。記憶部２２３は、前段処理による基板Ｗ（浸漬前の基板Ｗ）の処理量の分布を示す情報を記憶する。基板Ｗの処理量は、例えば、基板Ｗのエッチング量を示す。前段処理による基板Ｗ（浸漬前の基板Ｗ）の処理量の分布を示す情報は、機械学習のための学習データとして使用される。

次に、工程Ｓ６において、基板保持部１２０は、処理槽１１０に貯留されたアルカリ性処理液ＬＱに複数の基板Ｗを浸漬する。この場合、気泡供給部２００は、基板Ｗがアルカリ性処理液ＬＱに浸漬された状態において、基板Ｗの下方からアルカリ性処理液ＬＱに対して、気泡供給管２１に設けられる複数の気泡孔Ｇの各々から気泡ＢＢを供給している。工程Ｓ６では、全ての気泡供給管２１から気泡ＢＢが供給されている。工程Ｓ６が第２所定時間だけ実行されると、処理は工程Ｓ７に進む。工程Ｓ６は、本発明の「浸漬工程」の一例に相当する。

次に、工程Ｓ７において、気泡調節部１８０は、アルカリ性処理液ＬＱへの浸漬前の基板Ｗの処理量の分布に基づいて、各気泡供給管２１から供給する気泡ＢＢを調節する。具体的には、気泡調節部１８０は、気泡供給管２１ごとに気泡ＢＢを調節する。更に具体的には、気泡調節部１８０は、気泡ＢＢを調節するための制御対象ＣＮを気泡供給管２１ごとに制御することで、気泡供給管２１ごとに気泡ＢＢを調節する。制御対象ＣＮは、気体ＧＡの流量、気体ＧＡの供給タイミング、及び、気体ＧＡの供給期間のうちの少なくとも１つを含む。工程Ｓ７において気泡ＢＢの調節が確定した後、第３所定時間の浸漬が完了すると、処理は工程Ｓ８に進む。「気泡ＢＢの調節が確定」は、気泡調節部１８０の各気泡調節機構１８２の設定が完了したことを示す。工程Ｓ７は、本発明の「気泡調節工程」の一例に相当する。

次に、工程Ｓ８において、基板保持部１２０は、処理槽１１０に貯留されたアルカリ性処理液ＬＱから、複数の基板Ｗを引き上げる。

次に、工程Ｓ９において、厚み測定部２１０は、アルカリ性処理液ＬＱへの浸漬後の基板Ｗの厚みを測定する。「基板Ｗの浸漬後」は、「基板Ｗが浸漬されて処理が完了し、アルカリ性処理液ＬＱから引き上げられた後」を示す。具体的には、厚み測定部２１０は、基板Ｗが引き上げられた後に、基板Ｗの厚みの分布（面内分布）を測定する。記憶部２２３は、浸漬後の基板Ｗの厚みの分布を示す情報を記憶する。詳細には、基板Ｗの厚みは、基板Ｗを構成する対象物ＴＧの厚みである。浸漬後の基板Ｗの厚みの分布を示す情報は、機会学習のための学習データとして使用することが可能である。また、記憶部２２３は、気泡供給管２１ごとに（気泡調節機構１８２ごとに）、制御対象ＣＮ（気体ＧＡの流量、気体ＧＡの供給タイミング、及び、気体ＧＡの供給期間）の情報を記憶する。制御対象ＣＮの情報は、機械学習のための学習データとして利用される。

次に、工程Ｓ１０において、制御部２２１は、厚み測定部２１０の測定結果に基づいて、アルカリ性処理液ＬＱへの浸漬後の基板Ｗの処理量を取得する。「基板Ｗの浸漬後」は、「基板Ｗが浸漬されて処理が完了し、アルカリ性処理液ＬＱから引き上げられた後」を示す。具体的には、制御部２２１は、浸漬前の基板Ｗの厚みと、浸漬後の基板Ｗの厚みとの差分を算出することで、浸漬による基板Ｗの処理量を取得する。その結果、浸漬による基板Ｗの処理量の分布が得られる。基板Ｗの処理量は、例えば、基板Ｗのエッチング量を示す。記憶部２２３は、浸漬後の基板Ｗの処理量の分布を示す情報を記憶する。浸漬後の基板Ｗの処理量の分布を示す情報は、機械学習のための学習データとして利用される。工程Ｓ１０の後、処理は工程Ｓ３に進む。

以上、図１０を参照して説明したように、実施形態１に係る基板処理方法よれば、気泡ＢＢを供給しつつ、アルカリ性処理液ＬＱによって基板Ｗが処理される。従って、アルカリ性処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度を低下させることができる。その結果、アルカリ性処理液ＬＱによって、基板Ｗを効果的に処理できる。

また、実施形態１に係る基板処理方法では、気泡供給管２１ごとに気泡ＢＢを調節する。従って、浸漬前の基板Ｗの処理量の分布に応じて気泡供給管２１ごとに気泡ＢＢの量及び／又は数を調節できる。その結果、浸漬前の基板Ｗの処理量の分布に応じて、アルカリ性処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度の分布を制御できる。よって、浸漬前の基板Ｗの処理量の分布に応じてアルカリ性処理液ＬＱによる処理量を調節できて、基板Ｗの処理量の面内均一性を向上できる。

次に、図１１を参照して、親水性を示す気泡供給管２１の接触角θａ１、θａ２を説明する。図１１（ａ）は、気体ＧＳ中における気泡供給管２１の素材ＳＬ１の接触角θａ１（親水性）の一例を示す図である。

図１１（ａ）に示すように、気泡供給管２１の素材ＳＬ１は、親水性を有することが好ましい。つまり、気泡供給管２１は親水性を有することが好ましい。親水性を有することは、接触角θａ１が９０度未満であることを示す。接触角θａ１は、アルカリ性処理液ＬＱに対する気泡供給管２１の素材ＳＬ１の接触角である。つまり、接触角θａ１は、アルカリ性処理液ＬＱに対する気泡供給管２１の接触角である。具体的には、接触角θａ１は、気体ＧＳとアルカリ性処理液ＬＱと素材ＳＬ１（気泡供給管２１）との接触点における接触角である。気体ＧＳは、例えば、空気又は不活性ガスである。不活性ガスは、例えば、窒素又はアルゴンである。

なお、例えば、気泡供給管２１の素材ＳＬ１の接触角θａ１を、水に対する気泡供給管２１の接触角として定義してもよい。水は、例えば、純水である。接触角θａ１を、水に対する気泡供給管２１の接触角として定義した場合であっても、接触角θａ１が９０度未満であることが好ましい。

次に、アルカリ性処理液ＬＱ中での接触角θａ２を説明する。図１１（ｂ）は、アルカリ性処理液ＬＱ中における気泡供給管２１の接触角θａ２（親水性）を示す図である。

図１１（ｂ）に示すように、実施形態１では、気泡供給管２１の気泡孔Ｇからは、アルカリ性処理液ＬＱに対して気泡ＢＢが供給される。従って、気泡ＢＢとアルカリ性処理液ＬＱとの界面、気泡ＢＢと気泡供給管２１との界面、及び、気泡供給管２１とアルカリ性処理液ＬＱとの界面が存在する。その結果、アルカリ性処理液ＬＱ中において、アルカリ性処理液ＬＱに対する気泡供給管２１の接触角θａ２が存在する。つまり、アルカリ性処理液ＬＱ中において、アルカリ性処理液ＬＱに対する気泡供給管２１の素材ＳＬ１の接触角θａ２が存在する。具体的には、接触角θａ２は、気泡ＢＢとアルカリ性処理液ＬＱと気泡供給管２１との接触点における接触角である。

アルカリ性処理液ＬＱ中の接触角θａ２（図１１（ｂ））は、気体ＧＳ中の接触角θａ１（図１１（ａ））として示される。つまり、接触角θａ２は接触角θａ１に等しい。従って、接触角θａ１と接触角θａ２とを区別して説明する必要のないときは、接触角θａ１及び接触角θａ２を、個別に又は総称して、「接触角θａ」と記載する場合がある。

以上、図１１（ａ）及び図１１（ｂ）に示すように、気泡供給管２１が親水性を有すると、例えば、第１方向Ｄ１０（図５）に隣り合う２つの気泡孔Ｇ（図５）のうち、一方の気泡孔Ｇから供給される気泡ＢＢと他方の気泡孔Ｇから供給される気泡ＢＢとが、気泡供給管２１の表面において結合することを抑制できる。その結果、体積（サイズ）の比較的な大きな気泡ＢＢの発生を抑制できる。よって、アルカリ性処理液ＬＱに対して、体積の比較的な大きな気泡ＢＢが供給されることを抑制できる。つまり、アルカリ性処理液ＬＱに対して、複数の気泡孔Ｇの各々から体積の比較的小さな気泡ＢＢを供給できる。従って、アルカリ性処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度をより効果的に低下させることができる。その結果、アルカリ性処理液ＬＱに浸漬された基板Ｗを、アルカリ性処理液ＬＱによってより効果的に処理（例えば、エッチング）できる。つまり、アルカリ性処理液ＬＱによる基板Ｗの処理量（例えば、エッチング量）をより多くできる。

また、アルカリ性処理液ＬＱに対して、複数の気泡孔Ｇ（図５）の各々から体積（サイズ）の比較的小さな気泡ＢＢを供給することで、基板Ｗの表面に接触するアルカリ性処理液ＬＱを新鮮なアルカリ性処理液ＬＱにより効果的に置換できる。その結果、基板Ｗの表面に、凹部を含む表面パターンが形成されている場合に、拡散現象によって凹部内のアルカリ性処理液ＬＱを新鮮なアルカリ性処理液ＬＱにより効果的に置換できる。よって、表面パターンの凹部内の壁面を、浅い位置から深い位置までアルカリ性処理液ＬＱによってより効果的に処理（例えば、エッチング）できる。

更に、アルカリ性処理液ＬＱに対して、複数の気泡孔Ｇ（図５）の各々から体積（サイズ）の比較的小さな気泡ＢＢを供給することで、基板Ｗの面内において処理量にバラツキが発生することを効果的に抑制できるとともに、ロット間においても基板Ｗの処理量にバラツキが発生することを効果的に抑制できる。

特に、気泡供給管２１の親水性は高いほど好ましい。つまり、気泡供給管２１の接触角θａは小さいほど好ましい。この好ましい例によれば、例えば、第１方向Ｄ１０（図５）に隣り合う２つの気泡孔Ｇ（図５）のうち、一方の気泡孔Ｇから供給される気泡ＢＢと他方の気泡孔Ｇから供給される気泡ＢＢとが、気泡供給管２１の表面において結合することを更に効果的に抑制できる。その結果、アルカリ性処理液ＬＱに対して、複数の気泡孔Ｇの各々から、より体積（サイズ）の小さな気泡ＢＢを供給できる。よって、基板Ｗのより効果的な処理、基板Ｗの浅い位置から深い位置までのより効果的な処理、基板Ｗの面内における処理量のバラツキのより効果的な抑制、及び、ロット間における基板Ｗの処理量のバラツキのより効果的な抑制を実現できる。

具体的には、気泡供給管２１の接触角θａは、８５度以下であることが更に好ましく、８０度以下であることが更に好ましく、７５度以下であることが更に好ましく、７０度以下であることが更に好ましく、６５度以下であることが更に好ましく、６０度以下であることが更に好ましく、５５度以下であることが更に好ましく、５０度以下であることが更に好ましく、４５度以下であることが更に好ましく、４０度以下であることが更に好ましく、３５度以下であることが更に好ましく、３０度以下であることが更に好ましく、２５度以下であることが更に好ましく、２０度以下であることが更に好ましく、１５度以下であることが更に好ましく、１０度以下であることが更に好ましく、５度以下であることが更に好ましい。

例えば、気泡供給管２１の素材ＳＬ１は、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）であることが好ましい。ＰＥＥＫの接触角θａは、約８０度である。このように、気泡供給管２１の素材ＳＬ１をＰＥＥＫにすることで、気泡供給管２１に対して容易に親水性を付与できる。

例えば、気泡供給管２１の素材ＳＬ１は、石英であることが更に好ましい。石英の接触角θａは、約１０度である。このように、気泡供給管２１の素材ＳＬ１を石英にすることで、気泡供給管２１に対して高い親水性を付与できる。

なお、気泡供給管２１は親水性を有することが好ましいが、気泡供給管２１が疎水性を有していてもよい。

次に、図１２を参照して、疎水性を示す気泡供給管２１の接触角θｂ１、θｂ２を説明する。図１２（ａ）は、気体ＧＳ中における気泡供給管２１の素材ＳＬ２の接触角θｂ１（疎水性）の一例を示す図である。

図１２（ａ）に示すように、気泡供給管２１の素材ＳＬ２は、疎水性を有していてもよい。つまり、気泡供給管２１は疎水性を有していてもよい。疎水性を有することは、接触角θｂ１が９０度以上であることを示す。接触角θｂ１は、アルカリ性処理液ＬＱに対する気泡供給管２１の素材ＳＬ２の接触角である。つまり、接触角θｂ１は、アルカリ性処理液ＬＱに対する気泡供給管２１の接触角である。具体的には、接触角θｂ１は、気体ＧＳとアルカリ性処理液ＬＱと素材ＳＬ２（気泡供給管２１）との接触点における接触角である。

なお、例えば、気泡供給管２１の素材ＳＬ２の接触角θｂ１を、水に対する気泡供給管２１の接触角として定義してもよい。水は、例えば、純水である。接触角θｂ１を、水に対する気泡供給管２１の接触角として定義した場合であっても、接触角θｂ１が９０度以上であってもよい。

次に、アルカリ性処理液ＬＱ中での接触角θｂ２を説明する。図１２（ｂ）は、アルカリ性処理液ＬＱ中における気泡供給管２１の接触角θｂ２（疎水性）を示す図である。

図１２（ｂ）に示すように、実施形態１では、気泡供給管２１の気泡孔Ｇからは、アルカリ性処理液ＬＱに対して気泡ＢＢが供給される。従って、気泡ＢＢとアルカリ性処理液ＬＱとの界面、気泡ＢＢと気泡供給管２１との界面、及び、気泡供給管２１とアルカリ性処理液ＬＱとの界面が存在する。その結果、アルカリ性処理液ＬＱ中において、アルカリ性処理液ＬＱに対する気泡供給管２１の接触角θｂ２が存在する。つまり、アルカリ性処理液ＬＱ中において、アルカリ性処理液ＬＱに対する気泡供給管２１の素材ＳＬ２の接触角θｂ２が存在する。具体的には、接触角θｂ２は、気泡ＢＢとアルカリ性処理液ＬＱと気泡供給管２１との接触点における接触角である。

アルカリ性処理液ＬＱ中の接触角θｂ２（図１２（ｂ））は、気体ＧＳ中の接触角θｂ１（図１２（ａ））として示される。つまり、接触角θｂ２は接触角θｂ１に等しい。従って、接触角θｂ１と接触角θｂ２とを区別して説明する必要のないときは、接触角θｂ１及び接触角θｂ２を、個別に又は総称して、「接触角θｂ」と記載する場合がある。

例えば、気泡供給管２１の素材ＳＬ２は、ＰＦＡ（テトラフルオロエチレン－パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体）であってもよい。ＰＦＡの接触角θｂは、約１１０度である。

（実施形態２）
図１及び図１３～図１６を参照して、本発明の実施形態２に係る基板処理装置１００を説明する。実施形態２では、学習済みモデルＬＭを用いて各気泡供給管２１からの気泡ＢＢを調節する点で、実施形態１は実施形態２と主に異なる。以下、実施形態２が実施形態１と異なる点を主に説明する。

図１３は、実施形態２に係る基板処理装置１００の制御装置２２０を示すブロック図である。制御装置２２０は、例えば、コンピューターである。図１３に示すように、制御装置２２０は、制御部２２１と、記憶部２２３と、通信部２２５と、入力部２２７と、表示部２２９とを備える。通信部２２５は、ネットワークに接続され、外部装置と通信する。ネットワークは、例えば、インターネット、ＬＡＮ、公衆電話網、及び、近距離無線ネットワークを含む。通信部２２５は、通信機であり、例えば、ネットワークインターフェースコントローラーである。通信部２２５は、有線通信モジュール又は無線通信モジュールを有していてもよい。入力部２２７は、制御部２２１に対して各種情報を入力するための入力機器である。例えば、入力部２２７は、キーボード及びポインティングデバイス、又は、タッチパネルである。表示部２２９は画像を表示する。表示部２２９は、例えば、液晶ディスプレイ、又は、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイである。

記憶部２２３は、制御プログラムＰＧ１と、レシピ情報ＲＣと、学習済みモデルＬＭとを記憶している。制御部２２１は、制御プログラムＰＧ１を実行することで、レシピ情報ＲＣに従って、基板Ｗをアルカリ性処理液ＬＱによって処理する。レシピ情報ＲＰは、基板Ｗの処理内容及び処理手順を規定する。具体的には、制御部２２１は、制御プログラムＰＧ１を実行することで、記憶部２２３、通信部２２５、入力部２２７、表示部２２９、図１に示す基板保持部１２０、処理液導入部１３０、循環部１４０、処理液供給部１５０、希釈液供給部１６０、排液部１７０、気泡調節部１８０、排気配管部１９０、気泡供給部２００、及び、厚み測定部２１０を制御する。また、制御部２２１は、制御プログラムＰＧ１を実行することで、学習済みモデルＬＭを起動する。

学習済みモデルＬＭは、学習データ（以下、「学習データＤＴ」）を学習することで構築される。

学習データＤＴは、浸漬前処理情報Ｋ１と、浸漬後処理情報Ｋ２とを含む。浸漬前処理情報Ｋ１は、アルカリ性処理液ＬＱに浸漬する前の学習対象基板Ｗａの処理量を示す物量の情報である。学習対象基板Ｗａの構成は基板Ｗの構成と同じである。アルカリ性処理液ＬＱに浸漬する前の学習対象基板Ｗａの処理量を示す物量の情報は、アルカリ性処理液ＬＱに浸漬する前の基板Ｗの処理量を示す物量の情報と同様である。浸漬後処理情報Ｋ２は、アルカリ性処理液ＬＱに浸漬してアルカリ性処理液ＬＱから引き上げられた後の学習対象基板Ｗａの処理量を示す物理量の情報である。アルカリ性処理液ＬＱに浸漬してアルカリ性処理液ＬＱから引き上げられた後の学習対象基板Ｗａの処理量を示す物理量の情報は、アルカリ性処理液ＬＱに浸漬してアルカリ性処理液ＬＱから引き上げられた後の基板Ｗの処理量を示す物理量の情報と同様である。

学習データＤＴは、学習対象基板Ｗａをアルカリ性処理液ＬＱに浸漬させた場合において、気泡供給管２１に供給する気体ＧＡの流量を示す流量情報Ｍ１と、気泡供給管２１への気体ＧＡの供給タイミングを示すタイミング情報Ｍ２と、気泡供給管２１への気体ＧＡの供給期間を示す期間情報Ｍ３とのうちの少なくとも１つの情報を更に含む。

浸漬前処理情報Ｋ１は説明変数である。つまり、浸漬前処理情報Ｋ１は特徴量である。浸漬後処理情報Ｋ２、流量情報Ｍ１、タイミング情報Ｍ２、及び、期間情報Ｍ３は、目的変数である。目的変数には、例えば、「正常ラベル」が付加される。つまり、目的変数において、流量情報Ｍ１、タイミング情報Ｍ２、及び、期間情報Ｍ３は、浸漬後処理情報Ｋ２によって示される「基板Ｗの処理量を示す物理量」が「正常」と認定された場合の情報である。実施形態２における学習済みモデルＬＭは、「教師あり」の学習によって生成される。

制御部２２１は、入力情報ＩＦ１を学習済みモデルＬＭに入力して、出力情報ＩＦ２を学習済みモデルＬＭから取得する。入力情報ＩＦ１は、アルカリ性処理液ＬＱに浸漬する前の基板Ｗの処理量を示す物理量の情報を含む。出力情報ＩＦ２は、制御対象ＣＮを示す情報を含む。制御対象ＣＮは、基板Ｗをアルカリ性処理液ＬＱに浸漬する場合において、気泡供給管２１に供給する気体ＧＡの流量、気泡供給管２１への気体ＧＡの供給タイミング、及び、気泡供給管２１への気体ＧＡの供給期間のうちの少なくとも１つを含む。

制御部２２１は、出力情報ＩＦ２に基づいて、気泡供給管２１ごとに気泡ＢＢを調節する。具体的には、制御部２２１は、出力情報ＩＦ２によって示される設定になるように、気泡調節部１８０に含まれる各気泡調節機構１８２を制御することで、気泡調節機構１８２ごとに制御対象ＣＮを制御する。その結果、浸漬前の基板Ｗの処理量を示す物理量の分布に応じて、気泡供給管２１ごとに気泡ＢＢが調節されるため、アルカリ性処理液ＬＱ中で溶存酸素濃度の分布を好適に調整できる。よって、実施形態２によれば、アルカリ性処理液ＬＱへの浸漬による基板Ｗの処理量の面内均一性を向上できる。

また、学習済みモデルＬＭからの出力情報ＩＦ２を使用するため、気泡供給管２１ごとに精度良く制御対象ＣＮ（気体ＧＡの流量、気体ＧＡの供給タイミング、及び、気体ＧＡの供給期間）を設定できる。つまり、制御部２２１は、各気泡調節機構１８２を精度良く設定して、処理槽１１０のアルカリ性処理液ＬＱにおいて、基板Ｗの処理量を示す物理量の分布に応じた溶存酸素濃度の分布を設定できる。

次に、図１３及び図１４を参照して、実施形態２に係る基板処理方法を説明する。図１４は、実施形態２に係る基板処理方法を示すフローチャートである。基板処理方法は、基板処理装置１００によって実行される。図１４に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ２１～工程Ｓ３２を含む。

工程Ｓ２１～工程Ｓ２５は、それぞれ、図１０に示す工程Ｓ１～工程Ｓ５と同様であり、説明を省略する。工程Ｓ２５の後、処理は工程Ｓ２６に進む。

次に、工程Ｓ２６において、制御部２２１は、入力情報ＩＦ１を学習済みモデルＬＭに入力する。入力情報ＩＦ１は、アルカリ性処理液ＬＱに浸漬する前の基板Ｗの処理量の分布を示す情報である。具体的には、基板Ｗの処理量の分布を示す情報は、基板Ｗの処理量の分布を示す物理量の情報である。記憶部２２３は入力情報ＩＦ１を記憶する。入力情報ＩＦ１は、機械学習のための学習データとして使用することができる。工程Ｓ２６は、本発明の「気泡調節工程」の一部を構成する。

次に、工程Ｓ２７において、制御部２２１は、学習済みモデルＬＭから出力情報ＩＦ２を取得する。出力情報ＩＦ２は、制御対象ＣＮを示す情報を含む。制御対象ＣＮは、基板Ｗをアルカリ性処理液ＬＱに浸漬する場合において、気体ＧＡの流量、気体ＧＡの供給タイミング、及び、気体ＧＡの供給期間のうちの少なくとも１つを含む。記憶部２２３は出力情報ＩＦ２を記憶する。出力情報ＩＦ２は、機械学習のための学習データとして使用することができる。工程Ｓ２７は、本発明の「気泡調節工程」の一部を構成する。

次に、工程Ｓ２８において、基板保持部１２０は、処理槽１１０に貯留されたアルカリ性処理液ＬＱに複数の基板Ｗを浸漬する。工程Ｓ２８は、本発明の「浸漬工程」の一例に相当する。その他、工程Ｓ２８は、図１０の工程Ｓ６と同様である。

次に、工程Ｓ２９において、制御部２２１は、学習済みモデルＬＭから取得した出力情報ＩＦ２（制御対象ＣＮを示す情報）に基づいて、各気泡調節部１８０を個別に制御することで、各気泡供給管２１からの気泡ＢＢを個別に調節する。工程Ｓ２９において気泡ＢＢの調節が確定した後、第３所定時間の浸漬が完了すると、処理は工程Ｓ３０に進む。「気泡ＢＢの調節が確定」は、気泡調節部１８０の各気泡調節機構１８２の設定が完了したことを示す。工程Ｓ２９は、本発明の「気泡調節工程」の一部を構成する。

次に、工程Ｓ３０～工程Ｓ３２が実行される。工程Ｓ３０～工程Ｓ３２は、それぞれ、図１０の工程Ｓ８～工程Ｓ１０と同様であり、説明を省略する。工程Ｓ１０の後は、処理が工程Ｓ２３に進む。

次に、図１５を参照して、実施形態２に係る学習装置３２０を説明する。学習装置３２０は、例えば、コンピューターである。図１５は、学習装置３２０を示すブロック図である。図１５に示すように、学習装置３２０は、処理部３２１と、記憶部３２３と、通信部３２５と、入力部３２７と、表示部３２９とを備える。

処理部３２１は、ＣＰＵ及びＧＰＵ等のプロセッサーを備える。記憶部３２３は、記憶装置を含み、データ及びコンピュータープログラムを記憶する。処理部３２１のプロセッサーは、記憶部３２３の記憶装置が記憶しているコンピュータープログラムを実行して、各種処理を実行する。例えば、記憶部３２３は、記憶部２２３（図１３）と同様に、主記憶装置と、補助記憶装置とを備え、リムーバブルメディアを備えていてもよい。記憶部３２３は、例えば、非一時的コンピューター読取可能記憶媒体である。

通信部３２５は、ネットワークに接続され、外部装置と通信する。通信部３２５は、通信機であり、例えば、ネットワークインターフェースコントローラーである。通信部３２５は、有線通信モジュール又は無線通信モジュールを有していてもよい。入力部３２７は、処理部３２１に対して各種情報を入力するための入力機器である。例えば、入力部３２７は、キーボード及びポインティングデバイス、又は、タッチパネルである。表示部３２９は画像を表示する。表示部３２９は、例えば、液晶ディスプレイ、又は、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイである。

引き続き図１５を参照して、処理部３２１を説明する。処理部３２１は、外部から複数の学習データＤＴを取得する。例えば、処理部３２１は、ネットワーク及び通信部３２５を介して、実施形態１若しくは実施形態２に係る基板処理装置１００又は学習データ作成装置から複数の学習データＤＴを取得する。学習データ作成装置は、基板処理装置１００から取得したデータに基づいて学習データＤＴを生成する。

処理部３２１は、各学習データＤＴを記憶するように、記憶部３２３を制御する。その結果、記憶部３２３は、各学習データＤＴを記憶する。

記憶部３２３は学習プログラムＰＧ２を記憶している。学習プログラムＰＧ２は、複数の学習データＤＴの中から一定の規則を見出し、見出した規則を表現する学習済みモデルＬＭを生成するための機械学習アルゴリズムを実行するためのプログラムである。

機械学習アルゴリズムは、教師あり学習であれば、特に限定されず、例えば、決定木、最近傍法、単純ベイズ分類器、サポートベクターマシン、又は、ニューラルネットワークである。従って、学習済みモデルＬＭは、決定木、最近傍法、単純ベイズ分類器、サポートベクターマシン、又は、ニューラルネットワークを含む。学習済みモデルＬＭを生成する機械学習において、誤差逆伝搬法を利用してもよい。

例えば、ニューラルネットワークは、入力層、単数又は複数の中間層、及び、出力層を含む。具体的には、ニューラルネットワークは、ディープニューラルネットワーク（ＤＮＮ：Ｄｅｅｐ Ｎｅｕｒａｌ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、再帰型ニューラルネットワーク（ＲＮＮ：Ｒｅｃｕｒｒｅｎｔ Ｎｅｕｒａｌ Ｎｅｔｗｏｒｋ）、又は、畳み込みニューラルネットワーク（ＣＮＮ：Ｃｏｎｖｏｌｕｔｉｏｎａｌ Ｎｅｕｒａｌ Ｎｅｔｗｏｒｋ）であり、ディープラーニングを行う。例えば、ディープニューラルネットワークは、入力層、複数の中間層、及び、出力層を含む。

処理部３２１は、学習プログラムＰＧ２に基づいて複数の学習データＤＴを機械学習する。その結果、複数の学習データＤＴの中から一定の規則が見出されて、学習済みモデルＬＭが生成される。つまり、学習済みモデルＬＭは、学習データＤＴを機械学習することで構築される。記憶部３２３は、学習済みモデルＬＭを記憶する。

具体的には、制御部２２１は、学習プログラムＰＧ２を実行することで、学習データＤＴに含まれる説明変数と目的変数との間における一定の規則を見出して、学習済みモデルＬＭを生成する。

更に具体的には、処理部３２１は、学習プログラムＰＧ２に基づいて複数の学習データＤＴを機械学習することによって、複数の学習済みパラメータを算出し、複数の学習済みパラメータが適用された１以上の関数を含む学習済みモデルＬＭを生成する。学習済みパラメータは、複数の学習データＤＴを用いた機械学習の結果に基づいて取得されるパラメータ（係数）である。

学習済みモデルＬＭは、入力情報ＩＦ１を入力して、出力情報ＩＦ２を出力するように、コンピューターを機能させる。換言すれば、学習済みモデルＬＭは、入力情報ＩＦ１を入力して、出力情報ＩＦ２を出力する。具体的には、学習済みモデルＬＭは、浸漬後の基板Ｗの処理量の面内均一性が一定基準を満足するときの制御対象ＣＮの情報を推定する。

次に、図１５及び図１６を参照して、実施形態２に係る学習方法を説明する。図１６は、実施形態２に係る学習方法を示すフローチャートである。図１６に示すように、学習方法は、工程Ｓ４１～工程Ｓ４４を含む。学習方法は、学習装置３２０によって実行される。

図１５及び図１６に示すように、工程Ｓ４１において、学習装置３２０の処理部３２１は、基板処理装置１００又は学習データ作成装置から複数の学習データＤＴを取得する。

次に、工程Ｓ４２において、処理部３２１は、学習プログラムＰＧ２に基づいて複数の学習データＤＴを機械学習する。

次に、工程Ｓ４３において、処理部３２１は、学習終了条件を満たすか否かを判定する。学習終了条件は、機械学習を終了するために予め定められた条件である。学習終了条件は、例えば、反復回数が規定回数に到達したことである。

工程Ｓ４３で否定判定された場合は、処理は工程Ｓ４１に進む。その結果、機械学習が繰り返される。

一方、工程Ｓ４３で肯定判定された場合は、処理は工程Ｓ４４に進む。

工程Ｓ４４において、処理部３２１は、最新の複数のパラメータ（係数）つまり、複数の学習済みパラメータ（係数）を適用したモデル（１以上の関数）を、学習済みモデルＬＭとして出力する。そして、記憶部３２３は学習済みモデルＬＭを記憶する。

以上、学習装置３２０が工程Ｓ４１～工程Ｓ４４を実行することで、学習済みモデルＬＭが生成される。

すなわち、実施形態２によれば、学習装置３２０は、機械学習を行う。従って、非常に複雑かつ解析対象が膨大な学習データＤＴから規則性を見出して、精度の高い学習済みモデルＬＭを作成できる。そして、図１３に示す制御装置２２０の制御部２２１は、学習済みモデルＬＭに対して、浸漬前の基板Ｗの処理量の分布を含む入力情報ＩＦ１を入力して、学習済みモデルＬＭから、制御対象ＣＮの情報を含む出力情報ＩＦ２を出力させる。従って、各気泡調節機構１８２の設定を高速に実行できて、気泡供給管２１ごとの気泡ＢＢの調節を高速に実行できる。

なお、図１及び図１３の制御装置２２０が、図１５の学習装置３２０として動作してもよい。

（実施形態３）
図１、図１３、及び、図１７を参照して、本発明の実施形態３に係る基板処理装置１００を説明する。実施形態３では、教師なし学習を実行する点で、実施形態３は実施形態２と主に異なる。以下、実施形態３が実施形態２と異なる点を主に説明する。

まず、図１及び図１３を参照して説明する。制御部２２１は、制御プログラムＰＧ１を実行することで、学習済みモデルＬＭを起動する。学習済みモデルＬＭは、学習データＤＴを学習することで構築される。学習データＤＴは、実施形態１に係る学習データＤＴと同様であり、説明を省略する。

制御部２２１は、入力情報ＩＦ３を学習済みモデルＬＭに入力して、出力情報ＩＦ４を学習済みモデルＬＭから取得する。学習済みモデルＬＭは、入力情報ＩＦ３をクラスタリングし、入力情報ＩＦ３のクラスタリングの結果を示す出力情報ＩＦ４を出力する。具体的には、出力情報ＩＦ４は、入力情報ＩＦ３が分類されたクラスタを示す。クラスタリングとは、類似性又は相関のある情報を見つけ出し、類似性又は相関のある情報をグループ分けすることである。従って、クラスタリングによって、類似性又は相関のある情報は、１つのクラスタに分類される。

入力情報ＩＦ３は、アルカリ性処理液ＬＱに浸漬する前の基板Ｗの処理量を示す物理量の情報と、制御対象ＣＮを示す情報とを含む。制御対象ＣＮは、基板Ｗをアルカリ性処理液ＬＱに浸漬する場合において、各気泡供給管２１に供給する気体ＧＡの流量、各気泡供給管２１への気体ＧＡの供給タイミング、及び、各気泡供給管２１への気体ＧＡの供給期間のうちの少なくとも１つを含む。実施形態３では、入力情報ＩＦ３に含める制御対象ＣＮの情報は、過去において浸漬による基板Ｗの処理時に使用した過去の制御対象ＣＮの情報である。例えば、入力情報ＩＦ３に含める制御対象ＣＮの情報は、前回の浸漬による基板Ｗの処理時に使用した前回の制御対象ＣＮの情報である。

制御部２２１は、出力情報ＩＦ４に基づいて制御対象ＣＮを制御する。具体的には、出力情報ＩＦ４によって示される入力情報ＩＦ３のクラスタリングの結果が、「正常な処理」を示すクラスタに分類されている場合には、制御部２２１は、入力情報ＩＦ３によって示される過去の制御対象ＣＮ（例えば、前回の処理時に使用した前回の制御対象ＣＮ）の情報を使用して、各気泡調節機構１８２を制御することで、各気泡供給管２１からの気泡ＢＢを制御する。

すなわち、制御部２２１は、入力情報ＩＦ３によって示される過去の設定（例えば、前回の設定）になるように、各気泡調節機構１８２を制御することで、気泡供給管２１ごとに気泡ＢＢを調節する。その結果、浸漬前の基板Ｗの処理量を示す物理量の分布に応じて、気泡供給管２１ごとに気泡ＢＢが調節されるため、アルカリ性処理液ＬＱ中で溶存酸素濃度の分布を好適に調整できる。よって、実施形態３によれば、アルカリ性処理液ＬＱへの浸漬による基板Ｗの処理量の面内均一性を向上できる。

また、出力情報ＩＦ４によって示される入力情報ＩＦ３のクラスタリングの結果が、「正常な処理」を示すクラスタに分類されている場合には、各気泡調節機構１８２の再設定が不要であるため、基板Ｗの処理のスループットを向上できる。

次に、図１３及び図１７を参照して、実施形態３に係る基板処理方法を説明する。図１７は、実施形態３に係る基板処理方法を示すフローチャートである。基板処理方法は、基板処理装置１００によって実行される。図１７に示すように、基板処理方法は、工程Ｓ５１～工程Ｓ６２を含む。

工程Ｓ５１～工程Ｓ５５は、それぞれ、図１０に示す工程Ｓ１～工程Ｓ５と同様であり、説明を省略する。工程Ｓ５５の後、処理は工程Ｓ５６に進む。

次に、工程Ｓ５６において、制御部２２１は、入力情報ＩＦ１を学習済みモデルＬＭに入力する。入力情報ＩＦ３は、アルカリ性処理液ＬＱに浸漬する前の基板Ｗの処理量の分布を示す情報と、制御対象ＣＮを示す情報とを含む。具体的には、基板Ｗの処理量の分布を示す情報は、基板Ｗの処理量の分布を示す物理量の情報である。制御対象ＣＮは、基板Ｗをアルカリ性処理液ＬＱに浸漬する場合において、気体ＧＡの流量、気体ＧＡの供給タイミング、及び、気体ＧＡの供給期間のうちの少なくとも１つを含む。記憶部２２３は入力情報ＩＦ３を記憶する。入力情報ＩＦ３は、機械学習のための学習データとして使用することができる。工程Ｓ５６は、本発明の「気泡調節工程」の一部を構成する。

次に、工程Ｓ５７において、制御部２２１は、学習済みモデルＬＭから出力情報ＩＦ４を取得する。出力情報ＩＦ４は、入力情報ＩＦ３のクラスタリングの結果を示す情報を含む。記憶部２２３は出力情報ＩＦ４を記憶する。出力情報ＩＦ４は、機械学習のための学習データとして使用することができる。工程Ｓ５７は、本発明の「気泡調節工程」の一部を構成する。

次に、工程Ｓ５８において、基板保持部１２０は、処理槽１１０に貯留されたアルカリ性処理液ＬＱに複数の基板Ｗを浸漬する。工程Ｓ５８は、本発明の「浸漬工程」の一例に相当する。その他、工程Ｓ５８は、図１０の工程Ｓ６と同様である。

次に、工程Ｓ５９において、制御部２２１は、学習済みモデルＬＭから取得した出力情報ＩＦ２（クラスタリングの結果を示す情報）に基づいて、各気泡調節部１８０を個別に制御することで、気泡供給管２１ごとに制御対象ＣＮを制御する。気泡供給管２１ごとに制御対象ＣＮを個別に制御することで、各気泡供給管２１からの気泡ＢＢを個別に調節する。第３所定時間の浸漬が完了すると、処理は工程Ｓ６０に進む。工程Ｓ５９は、本発明の「気泡調節工程」の一部を構成する。

次に、工程Ｓ６０～工程Ｓ６２が実行される。工程Ｓ６０～工程Ｓ６２は、それぞれ、図１０の工程Ｓ８～工程Ｓ１０と同様であり、説明を省略する。工程Ｓ６２の後は、処理が工程Ｓ５３に進む。

ここで、図１５を参照して、実施形態３に係る学習装置３２０を説明する。図１５に示す学習プログラムＰＧ２は、複数の学習データＤＴから一定の規則を見出し、見出した規則を表現する学習済みモデルＬＭを生成するための機械学習アルゴリズムを実行するためのプログラムである。

実施形態３において、機械学習アルゴリズムは、教師なし学習であり、例えば、ｋ平均法、ｋメドイド法、階層クラスタリング、自己組織化マップ、ファジィｃ平均法、混合ガウスモデル、又は、ニューラルネットワークである。

処理部３２１は、学習プログラムＰＧ２に基づいて複数の学習データＤＴを機械学習する。その結果、複数の学習データＤＴから一定の規則が見出されて、学習済みモデルＬＭが生成される。

具体的には、処理部３２１は、学習プログラムＰＧ２に基づいて複数の学習データＤＴを機械学習することによって、複数の学習済みパラメータを算出し、複数の学習済みパラメータが適用された１以上の関数を含む学習済みモデルＬＭを生成する。学習済みパラメータは、複数の学習データＤＴを用いた機械学習の結果に基づいて取得されるパラメータ（係数）である。

なお、実施形態３に係る学習方法の処理の流れは、図１６に示す実施形態２に係る学習方法の流れと同様である。

次に、本発明が実施例に基づき具体的に説明されるが、本発明は以下の実施例によって限定されない。

（実施例１、実施例２）
図１８～図２０を参照して、本発明の実施例１、２を説明する。本発明の実施例１、２では、図１及び図４～図６を参照して説明した基板処理装置１００を使用した。ただし、実施例１、２では、気泡供給管２１の数、配管１８１の数、及び、気泡調節機構１８２の数が、図１及び図４～図６を参照して説明した基板処理装置１００と異なっていた。

図１８は、本発明の実施例１、２に係る基板処理装置１００Ａを示す模式的断面図である。図１８に示すように、基板処理装置１００Ａにおいて、気泡供給部２００Ａは、８本の気泡供給管２１を含んでいた。また、気泡調節部１８０Ａは、８個の気泡調節機構１８２を含んでいた。更に、基板処理装置１００Ａは、８本の配管１８１を備えていた。また、アルカリ性処理液ＬＱは、ＴＭＡＨであった。ＴＭＡＨの濃度は、０．３１％であった。配管１８１から気泡供給管２１に供給する気体ＧＡは窒素であった。窒素の流量は、８本の配管１８１（８本の気泡供給管２１）のトータルで３０Ｌ／ｍｉｎであった。

アルカリ性処理液ＬＱへの基板Ｗの浸漬前に、厚み測定部２１０によって、基板Ｗのポリシリコン膜の厚みを測定した。そして、アルカリ性処理液ＬＱへの気泡ＢＢの供給開始から１時間後に、１ロット（２５枚）の基板Ｗをアルカリ性処理液ＬＱに浸漬した。浸漬時間は１４０秒であった。浸漬時間の経過後に、基板Ｗをアルカリ性処理液ＬＱから引き上げた。そして、厚み測定部２１０によって、基板Ｗのポリシリコン膜の厚みを測定した。更に、制御部２２１は、浸漬前の基板Ｗのポリシリコン膜の厚みから、アルカリ性処理液ＬＱから引き上げられた後の基板Ｗの厚みを差し引くことで、基板Ｗのエッチング量を取得した。そして、制御部２２１は、基板Ｗのエッチング量の分布を示すマップ画像ＭＰ１、ＭＰ２を作成した。

本発明の実施例１では、８本の気泡供給管２１ａ～２１ｈのうち、気泡供給管２１ｂ、２１ｄ、２１ｅ、２１ｇからの気泡ＢＢの供給を停止し、気泡供給管２１ａ、２１ｃ、２１ｆ、２１ｈから気泡ＢＢを供給した。つまり、実施例１では、４本の気泡供給管２１を使用した。

図１９は、本発明の実施例１に係る基板Ｗの処理結果を示す図である。図１９には、基板Ｗにおけるエッチング量のマップ画像ＭＰ１が示されている。マップ画像ＭＰ１において、ドットが疎であるほど、エッチング量が大きいことを示している。なお、実際には、マップ画像ＭＰ１には、エッチング量を示すグラデーションが存在するが、簡略化して５段階でエッチング量を示した。

マップ画像ＭＰ１から理解できるように、エッチング量のバラツキは、１９．８５４オングストローム以上２２．６７２オングストローム以下の範囲に収まった。つまり、４本の気泡供給管２１からの気泡ＢＢの供給によって、アルカリ性処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度が低下したことで、効果的にエッチングを実行できた。

実施例１では、最大エッチング量（２２．６７２オングストローム）と最小エッチング量（１９．８５４オングストローム）との差は、２．８１８オングストロームであった。

一方、本発明の実施例２では、８本の気泡供給管２１ａ～２１ｈの全てから気泡ＢＢを供給した。つまり、実施例２では、８本の気泡供給管２１を使用した。

図２０は、本発明の実施例２に係る基板Ｗの処理結果を示す図である。図２０には、基板Ｗにおけるエッチング量のマップ画像ＭＰ２が示されている。マップ画像ＭＰ２において、ドットが疎であるほど、エッチング量が大きいことを示している。なお、実際には、マップ画像ＭＰ２には、エッチング量を示すグラデーションが存在するが、簡略化して５段階でエッチング量を示した。

マップ画像ＭＰ２から理解できるように、エッチング量のバラツキは、２１．７２９オングストローム以上２２．６１オングストローム以下の範囲に収まった。つまり、８本の気泡供給管２１からの気泡ＢＢの供給によって、アルカリ性処理液ＬＱ中の溶存酸素濃度が更に低下したことで、更に効果的にエッチングを実行できた。

実施例２では、最大エッチング量（２２．６１オングストローム）と最小エッチング量（２１．７２９オングストローム）との差は、０．８８１オングストロームであった。

実施例１と実施例２との比較結果から理解できるように、実施例２の最大エッチング量と最小エッチング量との差（０．８８１オングストローム）は、実施例１の最大エッチング量と最小エッチング量との差（２．８１８オングストローム）よりも小さかった。つまり、実施例２の基板Ｗのエッチング量の面内均一性は、実施例１の基板Ｗのエッチング量の面内均一性よりも良好であった。

すなわち、気泡ＢＢを供給する気泡供給管２１の数が多い程、基板Ｗのエッチング量の面内均一性が高かった。理由は、気泡ＢＢを供給する気泡供給管２１の数が多い程、多数の気泡ＢＢがアルカリ性処理液ＬＱ中を上昇し、溶存酸素濃度を低下させることができたためと推測した。

（実施例３、実施例４、実施例５）
図２１及び図２２を参照して、本発明の実施例３～５を説明する。実施例３～５では、気泡供給管２１の近似モデルを作成して、ＶＯＦ（Ｖｏｌｕｍｅ ｏｆ Ｆｌｕｉｄ）法によって気泡ＢＢの生成挙動をシミュレーションした。ＶＯＦ法は、自由表面流れの解析手法である。

図２１（ａ）は、本発明の実施例３～５に係るシミュレーションモデルＭＤを示す斜視図である。図２１（ｂ）は、本発明の実施例３～５に係るシミュレーションモデルＭＤを示す正面図である。

図２１（ａ）に示すように、シミュレーションモデルＭＤは、気泡供給管モデル２１ｍと、アルカリ性処理液モデルＬＱｍとを含んでいた。気泡供給管モデル２１ｍは、気泡供給管２１の外壁面の近似モデルであった。気泡供給管モデル２１ｍは、気泡供給管２１の厚みの要素を含んでいなかった。気泡供給管モデル２１ｍは、円環形状を有した。気泡供給管モデル２１ｍの直径は、６ｍｍであった。気泡供給管モデル２１ｍは、２個の気泡孔モデルＧｍ１、Ｇｍ２を有していた。気泡孔モデルＧｍ１、Ｇｍ２の各々は、円形であり、気泡孔Ｇの近似モデルであった。気泡孔モデルＧｍ１、Ｇｍ２の各々直径は、０．２ｍｍであった。

図２１（ｂ）に示すように、気泡孔モデルＧｍ１と気泡孔モデルＧｍ２とを結ぶ円弧ＡＣの中心角θｘは、１０５度であった。

アルカリ性処理液モデルＬＱｍは、アルカリ性処理液ＬＱの近似モデルであった。具体的には、アルカリ性処理液モデルＬＱｍは、ＴＭＡＨの近似モデルであった。気泡供給管モデル２１ｍはアルカリ性処理液モデルＬＱｍ中に配置された。

実施例１～３では、気泡孔モデルＧｍ１、Ｇｍ２から、気泡モデルＢＢｍを発生させることで、気泡ＢＢの生成挙動をシミュレーションした。気泡モデルＢＢｍは、窒素からなる気泡ＢＢの近似モデルであった。気泡ＢＢを示す気泡モデルＢＢｍを生成するための窒素の流量として、１７ｍ／ｓを設定した。

図２２（ａ）は、実施例３に係るシミュレーション結果を示す図である。図２２（ａ）は、気泡モデルＢＢｍの生成開始時から０．９５秒経過時の状態を示す。

図２２（ａ）に示すように、実施例３では、気泡供給管モデル２１ｍは疎水性を有していた。具体的には、アルカリ性処理液モデルＬＱｍに対する気泡供給管モデル２１ｍの接触角θｂ２（図１２（ｂ））を１１０度に設定した。つまり、気泡供給管２１の接触角θｂ２を１１０度に設定して、気泡ＢＢの生成挙動をシミュレーションした。

実施例３では、気泡孔モデルＧｍ１から供給される気泡モデルＢＢｍと気泡孔モデルＧｍ２から供給される気泡モデルＢＢｍとが、気泡供給管モデル２１ｍの表面で結合し、１つの気泡モデルＢＢｍが生成された。実施例３では、気泡供給管モデル２１ｍの周方向に並んだ気泡孔モデルＧｍ１、Ｇｍ２を使用したシミュレーションであったが、気泡孔Ｇが第１方向Ｄ１０（図５）に並んでいる気泡供給管２１についても同様の気泡ＢＢの生成挙動になることが推測できる。従って、実施例３から、気泡供給管２１が疎水性を有すると、隣り合う気泡孔Ｇ（図５）からそれぞれ供給される気泡ＢＢが、アルカリ性処理液ＬＱ中の気泡供給管２１の外壁面において結合し易いことが推測できた。

図２２（ｂ）は、実施例４に係るシミュレーション結果を示す図である。図２２（ｂ）は、気泡モデルＢＢｍの生成開始時から０．９５秒経過時の状態を示す。

図２２（ｂ）に示すように、実施例４では、気泡供給管モデル２１ｍは親水性を有していた。具体的には、アルカリ性処理液モデルＬＱｍに対する気泡供給管モデル２１ｍの接触角θａ２を８０度（図１１（ｂ））に設定した。つまり、気泡供給管２１の接触角θａ２を８０度に設定して、気泡ＢＢの生成挙動をシミュレーションした。

実施例４では、気泡孔モデルＧｍ１から供給される気泡モデルＢＢｍと気泡孔モデルＧｍ２から供給される気泡モデルＢＢｍとが、気泡供給管モデル２１ｍの表面において分離していた。実施例４では、気泡供給管モデル２１ｍの周方向に並んだ気泡孔モデルＧｍ１、Ｇｍ２を使用したシミュレーションであったが、気泡孔Ｇが第１方向Ｄ１０（図５）に並んでいる気泡供給管２１についても同様の気泡ＢＢの生成挙動になることが推測できる。従って、実施例４から、気泡供給管２１が親水性を有すると、隣り合う気泡孔Ｇ（図５）からそれぞれ供給される気泡ＢＢが、アルカリ性処理液ＬＱ中の気泡供給管２１の外壁面において分離し易いことが推測できた。つまり、気泡供給管２１が親水性を有すると、気泡供給管２１が疎水性を有する場合と比較して、気泡ＢＢが、アルカリ性処理液ＬＱ中の気泡供給管２１の外壁面において分離し易いことが推測できた。従って、気泡供給管２１が親水性を有すると、気泡供給管２１が疎水性を有する場合と比較して、複数の気泡孔Ｇから供給される多数の気泡ＢＢの平均体積（サイズ）が小さくなることが推測できた。

図２２（ｃ）は、実施例５に係るシミュレーション結果を示す図である。図２２（ｃ）は、気泡モデルＢＢｍの生成開始時から０．９５秒経過時の状態を示す。

図２２（ｃ）に示すように、実施例５では、気泡供給管モデル２１ｍは親水性を有していた。具体的には、アルカリ性処理液モデルＬＱｍに対する気泡供給管モデル２１ｍの接触角θａ２を１０度（図１１（ｂ））に設定した。つまり、気泡供給管２１の接触角θａ２を１０度に設定して、気泡ＢＢの生成挙動をシミュレーションした。

実施例５では、気泡孔モデルＧｍ１から供給される気泡モデルＢＢｍと気泡孔モデルＧｍ２から供給される気泡モデルＢＢｍとが、気泡供給管モデル２１ｍの表面において分離していた。実施例５では、実施例４と比較して、気泡孔モデルＧｍ１から供給される気泡モデルＢＢｍと気泡孔モデルＧｍ２から供給される気泡モデルＢＢｍとの距離が離れていた。加えて、実施例５では、実施例４と比較して、気泡モデルＢＢｍの体積（サイズ）が小さかった。実施例５では、気泡供給管モデル２１ｍの周方向に並んだ気泡孔モデルＧｍ１、Ｇｍ２を使用したシミュレーションであったが、気泡孔Ｇが第１方向Ｄ１０（図５）に並んでいる気泡供給管２１についても同様の気泡ＢＢの生成挙動になることが推測できる。従って、実施例５から、親水性を有する気泡供給管２１の接触角θａ２が小さいほど、隣り合う気泡孔Ｇ（図５）からそれぞれ供給される気泡ＢＢが、アルカリ性処理液ＬＱ中の気泡供給管２１の外壁面において分離し易いことが推測できた。その結果、実施例５から、親水性を有する気泡供給管２１の接触角θａ２が小さいほど、複数の気泡孔Ｇから供給される多数の気泡ＢＢの平均体積（サイズ）が小さくなることが推測できた。

以上、図面を参照して本発明の実施形態について説明した。ただし、本発明は、上記の実施形態に限られるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の態様において実施できる。また、上記の実施形態に開示される複数の構成要素は適宜改変可能である。例えば、ある実施形態に示される全構成要素のうちのある構成要素を別の実施形態の構成要素に追加してもよく、または、ある実施形態に示される全構成要素のうちのいくつかの構成要素を実施形態から削除してもよい。

また、図面は、発明の理解を容易にするために、それぞれの構成要素を主体に模式的に示しており、図示された各構成要素の厚さ、長さ、個数、間隔等は、図面作成の都合上から実際とは異なる場合もある。また、上記の実施形態で示す各構成要素の構成は一例であって、特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能であることは言うまでもない。

本発明は、基板処理方法及び基板処理装置に関するものであり、産業上の利用可能性を有する。

２１、２１ａ～２１ｈ 気泡供給管
３１ プレート
１００、１００Ａ 基板処理装置
１１０ 処理槽
１２０ 基板保持部
１３０ 処理液導入部
１８０ 気泡調節部
２２１ 制御部
２２３ 記憶部
Ｇ、Ｇ１～Ｇ３ 気泡孔
Ｐ 処理液孔
Ｗ、Ｗ１～Ｗ３ 基板

Claims (19)

1. 処理槽と、前記処理槽の内部に配置される気泡供給管とを備える基板処理装置によって実行される基板処理方法であって、
   前記処理槽に貯留されたアルカリ性処理液に基板を浸漬する浸漬工程と、
   前記基板が前記アルカリ性処理液に浸漬された状態において、前記基板の下方から前記アルカリ性処理液に対して、前記気泡供給管に設けられる複数の気泡孔の各々から気泡を供給する気泡供給工程と
   を含む、基板処理方法。
2. 前記基板処理装置は、前記処理槽の内部において前記気泡供給管の下方に配置されるプレートを更に備え、
   前記アルカリ性処理液が前記処理槽に貯留された状態において、前記プレートに設けられる複数の処理液孔から上方に向けて、前記処理槽にアルカリ性処理液を導入する処理液導入工程を更に含む、請求項１に記載の基板処理方法。
3. 前記基板処理装置は、複数の前記気泡供給管を備え、
   前記気泡供給管ごとに前記気泡を調節する気泡調節工程を更に含む、請求項１又は請求項２に記載の基板処理方法。
4. 前記気泡供給工程では、前記気泡供給管ごとに前記気泡供給管に気体を供給することで、前記アルカリ性処理液に対して前記気泡孔から前記気泡を供給し、
   前記気泡調節工程では、前記気泡を調節するための制御対象を前記気泡供給管ごとに制御することで、前記気泡供給管ごとに前記気泡を調節し、
   前記制御対象は、前記気体の流量、前記気体の供給タイミング、及び、前記気体の供給期間のうちの少なくとも１つを含む、請求項３に記載の基板処理方法。
5. 前記気泡調節工程では、前記基板を前記アルカリ性処理液に浸漬する前の前記基板の処理量を示す物理量に基づいて、前記制御対象を前記気泡供給管ごとに制御する、請求項４に記載の基板処理方法。
6. 前記気泡供給工程では、前記気泡供給管ごとに前記気泡供給管に気体を供給することで、前記アルカリ性処理液に対して前記気泡孔から前記気泡を供給し、
   前記気泡調節工程では、学習データを学習することで構築された学習済みモデルを用いて、前記気泡供給管ごとに前記気泡を調節し、
   前記学習データは、浸漬前処理情報と、浸漬後処理情報とを含み、
   前記浸漬前処理情報は、前記アルカリ性処理液に浸漬する前の学習対象基板の処理量を示す物理量の情報であり、
   前記浸漬後処理情報は、前記アルカリ性処理液に浸漬して前記アルカリ性処理液から引き上げられた後の前記学習対象基板の処理量を示す物理量の情報であり、
   前記学習データは、前記学習対象基板を前記アルカリ性処理液に浸漬させた場合において、前記気体の流量を示す流量情報と、前記気体の供給タイミングを示すタイミング情報と、前記気体の供給期間を示す期間情報とのうちの少なくとも１つの情報を更に含み、
   前記気泡調節工程では、入力情報を前記学習済みモデルに入力して、出力情報を前記学習済みモデルから取得し、
   前記入力情報は、前記アルカリ性処理液に浸漬する前の前記基板の処理量を示す物理量の情報を含み、
   前記出力情報は、制御対象を示す情報を含み、
   前記制御対象は、前記基板を前記アルカリ性処理液に浸漬する場合において、前記気体の流量、前記気体の供給タイミング、及び、前記気体の供給期間のうちの少なくとも１つを含み、
   前記気泡調節工程では、前記出力情報に基づいて前記気泡を調節する、請求項３に記載の基板処理方法。
7. 前記気泡供給工程では、前記気泡供給管ごとに前記気泡供給管に気体を供給することで、前記アルカリ性処理液に対して前記気泡孔から前記気泡を供給し、
   前記気泡調節工程では、学習データを学習することで構築された学習済みモデルを用いて、前記気泡供給管ごとに前記気泡を調節し、
   前記学習データは、浸漬前処理情報と、浸漬後処理情報とを含み、
   前記浸漬前処理情報は、前記アルカリ性処理液に浸漬する前の学習対象基板の処理量を示す物理量の情報であり、
   前記浸漬後処理情報は、前記アルカリ性処理液に浸漬して前記アルカリ性処理液から引き上げられた後の前記学習対象基板の処理量を示す物理量の情報であり、
   前記学習データは、前記学習対象基板を前記アルカリ性処理液に浸漬させた場合において、前記気体の流量を示す流量情報と、前記気体の供給タイミングを示すタイミング情報と、前記気体の供給期間を示す期間情報とのうちの少なくとも１つの情報を更に含み、
   前記気泡調節工程では、入力情報を前記学習済みモデルに入力して、出力情報を前記学習済みモデルから取得し、
   前記入力情報は、前記アルカリ性処理液に浸漬する前の前記基板の処理量を示す物理量の情報と、制御対象を示す情報とを含み、
   前記制御対象は、前記基板を前記アルカリ性処理液に浸漬する場合において、前記気体の流量、前記気体の供給タイミング、及び、前記気体の供給期間のうちの少なくとも１つを含み、
   前記出力情報は、前記入力情報のクラスタリングの結果を示す情報を含み、
   前記気泡調節工程では、前記出力情報に基づいて前記制御対象を制御する、請求項３に記載の基板処理方法。
8. 前記気泡供給管は、親水性を有する、請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の基板処理方法。
9. 前記気泡供給管の素材は、石英又はポリエーテルエーテルケトンである、請求項８に記載の基板処理方法。
10. アルカリ性処理液を貯留する処理槽と、
    基板を保持し、前記処理槽に貯留された前記アルカリ性処理液に前記基板を浸漬する基板保持部と、
    複数の気泡孔を有するとともに前記処理槽の内部に配置され、前記基板が前記アルカリ性処理液に浸漬された状態において、前記基板の下方から前記アルカリ性処理液に対して、前記複数の気泡孔の各々から気泡を供給する気泡供給管と
    を備える、基板処理装置。
11. 前記処理槽の内部において前記気泡供給管の下方に配置される処理液導入部を更に備え、
    前記処理液導入部は、複数の処理液孔を有するプレートを含み、
    前記処理液導入部は、前記アルカリ性処理液が前記処理槽に貯留された状態において、前記複数の処理液孔から上方に向けて、前記処理槽にアルカリ性処理液を導入する、請求項１０に記載の基板処理装置。
12. 複数の前記気泡供給管が、前記処理槽の内部に配置され、
    前記気泡供給管ごとに前記気泡を調節する気泡調節部を更に備える、請求項１０又は請求項１１に記載の基板処理装置。
13. 制御部を更に備え、
    前記気泡調節部は、前記気泡供給管ごとに前記気泡供給管に気体を供給することで、前記アルカリ性処理液に対して前記気泡孔から前記気泡を供給し、
    前記制御部は、前記気泡調節部を制御することで、前記気泡を調節するための制御対象を前記気泡供給管ごとに制御し、
    前記制御対象は、前記気体の流量、前記気体の供給タイミング、及び、前記気体の供給期間のうちの少なくとも１つを含む、請求項１２に記載の基板処理装置。
14. 前記制御部は、前記基板を前記アルカリ性処理液に浸漬する前の前記基板の処理量を示す物理量に基づいて、前記制御対象を前記気泡供給管ごとに制御する、請求項１３に記載の基板処理装置。
15. 学習データを学習することで構築された学習済みモデルを記憶する記憶部と、
    前記記憶部を制御する制御部と
    を更に備え、
    前記気泡調節部は、前記気泡供給管ごとに前記気泡供給管に気体を供給することで、前記アルカリ性処理液に対して前記気泡孔から前記気泡を供給し、
    前記学習データは、浸漬前処理情報と、浸漬後処理情報とを含み、
    前記浸漬前処理情報は、前記アルカリ性処理液に浸漬する前の学習対象基板の処理量を示す物量の情報であり、
    前記浸漬後処理情報は、前記アルカリ性処理液に浸漬して前記アルカリ性処理液から引き上げられた後の前記学習対象基板の処理量を示す物理量の情報であり、
    前記学習データは、前記学習対象基板を前記アルカリ性処理液に浸漬させた場合において、前記気体の流量を示す流量情報と、前記気体の供給タイミングを示すタイミング情報と、前記気体の供給期間を示す期間情報とのうちの少なくとも１つの情報を更に含み、
    前記制御部は、入力情報を前記学習済みモデルに入力して、出力情報を前記学習済みモデルから取得し、
    前記入力情報は、前記アルカリ性処理液に浸漬する前の前記基板の処理量を示す物理量の情報を含み、
    前記出力情報は、制御対象を示す情報を含み、
    前記制御対象は、前記基板を前記アルカリ性処理液に浸漬する場合において、前記気体の流量、前記気体の供給タイミング、及び、前記気体の供給期間のうちの少なくとも１つを含み、
    前記制御部は、前記出力情報に基づいて前記気泡を調節する、請求項１２に記載の基板処理装置。
16. 学習データを学習することで構築された学習済みモデルを記憶する記憶部と、
    前記記憶部を制御する制御部と
    を更に備え、
    前記気泡調節部は、前記気泡供給管ごとに前記気泡供給管に気体を供給することで、前記アルカリ性処理液に対して前記気泡孔から前記気泡を供給し、
    前記学習データは、浸漬前処理情報と、浸漬後処理情報とを含み、
    前記浸漬前処理情報は、前記アルカリ性処理液に浸漬する前の学習対象基板の処理量を示す物理量の情報であり、
    前記浸漬後処理情報は、前記アルカリ性処理液に浸漬して前記アルカリ性処理液から引き上げられた後の前記学習対象基板の処理量を示す物理量の情報であり、
    前記学習データは、前記学習対象基板を前記アルカリ性処理液に浸漬させた場合において、前記気体の流量を示す流量情報と、前記気体の供給タイミングを示すタイミング情報と、前記気体の供給期間を示す期間情報とのうちの少なくとも１つの情報を更に含み、
    前記制御部は、入力情報を前記学習済みモデルに入力して、出力情報を前記学習済みモデルから取得し、
    前記入力情報は、前記アルカリ性処理液に浸漬する前の前記基板の処理量を示す物理量の情報と、制御対象を示す情報とを含み、
    前記制御対象は、前記基板を前記アルカリ性処理液に浸漬する場合において、前記気体の流量、前記気体の供給タイミング、及び、前記気体の供給期間のうちの少なくとも１つを含み、
    前記出力情報は、前記入力情報のクラスタリングの結果を示す情報を含み、
    前記制御部は、前記出力情報に基づいて前記制御対象を制御する、請求項１２に記載の基板処理装置。
17. 前記基板保持部は、所定方向に間隔をあけて複数の前記基板を保持し、
    前記気泡供給管は、前記所定方向に沿って延び、
    前記気泡供給管において、前記複数の気泡孔は、前記所定方向に間隔をあけて配置され、
    前記複数の基板の配列には、複数の隙間空間が存在し、
    前記複数の隙間空間の各々は、前記所定方向に互いに隣り合う前記基板と前記基板との隙間の空間を示し、
    前記複数の気泡孔は、
    前記複数の基板のうち前記所定方向の一方端に配置される基板よりも前記所定方向の外方に配置される第１気泡孔と、
    前記複数の基板のうち前記所定方向の他方端に配置される基板よりも前記所定方向の外方に配置される第２気泡孔と、
    前記複数の隙間空間にそれぞれ対応して配置される複数の第３気泡孔と
    を含み、
    前記第１気泡孔は、前記複数の第３気泡孔のうち、１つの前記隙間空間に対応して配置される第３気泡孔よりも多く、
    前記第２気泡孔は、前記１つの隙間空間に対応して配置される前記第３気泡孔よりも多い、請求項１０から請求項１６のいずれか１項に記載の基板処理装置。
18. 前記気泡供給管は、親水性を有する、請求項１０から請求項１７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
19. 前記気泡供給管の素材は、石英又はポリエーテルエーテルケトンである、請求項１８に記載の基板処理装置。

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