JP2009260257A - 基板処理装置及び基板処理方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】制御部25は、カウンタ37で計数された基板Wの枚数のうち、厚膜のものに相当する基板Wの枚数が通常ライフカウントに達したことに基づき、部分液交換を実施しながら基板Wを処理させる。つまり、燐酸溶液の劣化度合いが大きな厚膜のものに相当する基板Wの処理枚数を基準にして部分液交換を実施するので、燐酸溶液のエッチングレートを一定の範囲に保持することができる。
【選択図】図3
Description
すなわち、基板に被着された窒化膜の膜厚には、例えば、100nm程度の厚膜と、10nm程度の薄膜とがあるにも関わらず、従来の装置では基板に被着されている膜厚に関係なく共通のライフカウントというパラメータで管理を行っている。したがって、部分液交換を行う時点での処理液の劣化度合いが異なるので、部分液交換を行っても処理レートを一定の範囲に保持することができないことがあるという問題がある。
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板を処理液で処理する基板処理装置において、基板の枚数を計数する基板計数手段と、処理液を貯留し、基板に対して所定の処理を行う処理槽と、前記処理槽に処理液を供給する処理液供給手段と、前記処理槽から処理液を排出する処理液排出手段と、前記処理槽に貯留された処理液で厚膜の基板を処理することが許容される処理枚数を規定したライフカウントを予め記憶する記憶手段と、前記基板計数手段で計数された基板の枚数のうち、厚膜のものに相当する基板の枚数が前記記憶手段により記憶されているライフカウントに達したことに基づいて、前記処理槽の処理液の一部にあたる所定量を前記処理液排出手段で排出するとともに、前記処理液供給手段から前記所定量に相当する新たな処理液を供給する部分液交換を行なわせつつ基板を処理させる制御手段と、を備えていることを特徴とするものである。
図1は、実施例に係る基板処理装置を備えた基板処理システムの概略構成を示す平面図である。また、図2は、実施例に係る基板処理装置を備えた基板処理システムの概略構成を示すブロック図である。
制御部25は、各部を操作して全液交換を行わせる。但し、処理槽41は空であるので、開閉弁61,63を開放させるとともに開閉弁79,83を閉止させ、制御弁69を開放させて供給部71から内槽43に燐酸を供給させる。そして、ポンプ55を作動させるとともに、インラインヒータ57を作動させて燐酸溶液を循環させつつ所要の処理条件(例えば、180℃の温度)の燐酸溶液を生成させる。また、制御弁89を開放させて、純水供給部87から純水を希釈液として適宜に供給させて、燐酸濃度を調整して初期の処理条件を整える。さらに、カウンタ37をリセットして、処理枚数及び処理回数の積算値をゼロにする。この状態は、図4、図5の時点t1にあたる。
基板Wのうち厚膜相当の基板Wについて計数し、カウンタ37の処理枚数及び処理回数をインクリメントさせる(ステップS2)。そして、処理枚数(または処理回数)が調整ライフカウントILCに到達しているか否かにより処理を分岐する(ステップS3)。具体的には、処理枚数が調整ライフカウントILCに到達している場合には、ステップS6に移行して部分液交換を行う。なお、到達している状態は、図4、図5の時点t2にあたる。一方、到達していない場合には、ステップS4に移行する。ここでは、まず到達していない場合として説明する。なお、不一致の状態は、図4、図5の時点t1から時点t2の間にあたる。
保持アーム47に基板Wを保持させ、保持アーム47を処理位置にまで下降させ、所定時間の処理を行わせる(ステップS4)。処理を終えたら、保持アーム47を上昇させて基板Wを搬出させる(ステップS5)。そして、上述したステップS2に戻って処理を繰り返し行わせる。
処理枚数(または処理回数)が初期ライフカウントILCに到達した場合、制御部25は、各部を操作して部分液交換を行わせる。まず、インラインヒータ57を停止させる。そして、開閉弁79,63を閉止させるとともに、開閉弁83を開放させる。そして、ポンプ55を所定時間だけ動作させて、所定量の燐酸溶液を処理槽41から排出させる。次に、開放弁83を閉止させるとともに、開閉弁63を開放させる。そして、制御弁69を開放させて、排出させた量に相当する量の燐酸を供給部71から内槽43に供給させるとともに、ポンプ55及びインラインヒータ57を作動させて、部分液交換後の燐酸溶液を処理条件に調整させる。さらに、カウンタ37をリセットして、処理枚数及び処理回数の積算値をゼロにする。なお、この状態は、図4、図5の時点t2にあたる。
厚膜に相当する基板Wについて計数し、カウンタ37の処理枚数及び処理回数をインクリメントさせる(ステップS7)。そして、処理回数(または処理回数)が通常ライフカウントNLCに到達しているか否かにより処理を分岐する(ステップS8)。具体的には、処理枚数が調整ライフカウントICLに到達している場合には、ステップS6に戻って部分液交換を行う。なお、到達している状態は、図4、図5の時点t3にあたる。一方、到達していない場合には、ステップS9に移行する。ここでは、まず到達していないとして説明する。なお、到達していない状態は、図4、図5の時点t2から時点t3の間にあたる。
保持アーム47に基板Wを保持させ、保持アーム47を処理位置にまで下降させ、所定時間の処理を行わせる(ステップS9)。処理を終えたら、保持アーム47を上昇させて基板Wを搬出させる(ステップS10)。
全処理対象のロットについて処理を終えたか、あるいは、生成された処理液がライフタイム(最大使用可能な処理時間)を越えたか否かに応じて処理を分岐する。全処理対象のロットについて処理を終えていない場合あるいはライフタイム未満である場合には、ステップS7に戻って次の処理を行わせ、全処理対象のロットについて処理を終えた場合あるいはライフタイム以上の場合には、上述した一連の処理を終える。
CTC … 第1搬送機構
WTR … 第2搬送機構
LPD … 乾燥処理部
CHB1,CHB2 … 薬液処理部
23 … 指示部
25 … 制御部
27 … 個別機能部
33 … 第1メモリ
35 … 第2メモリ
37 … カウンタ
41 … 処理槽
43 … 内槽
45 … 外槽
47 … 保持アーム
53 … 循環配管
55 … ポンプ
NLC … 通常ライフカウント
TC … 厚膜のロット
Claims (6)
- 基板を処理液で処理する基板処理装置において、
基板の枚数を計数する基板計数手段と、
処理液を貯留し、基板に対して所定の処理を行う処理槽と、
前記処理槽に処理液を供給する処理液供給手段と、
前記処理槽から処理液を排出する処理液排出手段と、
前記処理槽に貯留された処理液で厚膜の基板を処理することが許容される処理枚数を規定したライフカウントを予め記憶する記憶手段と、
前記基板計数手段で計数された基板の枚数のうち、厚膜のものに相当する基板の枚数が前記記憶手段により記憶されているライフカウントに達したことに基づいて、前記処理槽の処理液の一部にあたる所定量を前記処理液排出手段で排出するとともに、前記処理液供給手段から前記所定量に相当する新たな処理液を供給する部分液交換を行なわせつつ基板を処理させる制御手段と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1に記載の基板処理装置において、
厚膜または薄膜の種別を含む、基板を処理するための手順を規定したレシピを指示する指示手段を備え、
前記制御手段は、前記レシピに基づいて基板が厚膜であることを判断することを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1または2に記載の基板処理装置において、
前記ライフカウントを設定するための設定手段をさらに備えていることを特徴とする基板処理装置。 - 請求項1から3のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記記憶手段は、部分液交換を行う際の所定量に応じた1未満の補充量パラメータを予め記憶し、
前記制御手段は、前記基板計数手段がライフカウントを計数した際には、前記基板計数手段の初期値として、部分液交換を行うまでに計数した基板の枚数に前記補充量パラメータを乗じた値を設定することを特徴とする基板処理装置。 - 基板を処理液で処理する基板処理方法において、
基板の枚数を計数する過程と、
基板を処理液により処理する過程と、
厚膜のものに相当する基板の枚数が、処理液で基板を処理することが許容される処理枚数を規定したライフカウントに達した場合には、処理液の一部にあたる所定量を排出するとともに、前記所定量に相当する新たな処理液を供給する部分液交換を行う過程と、
を備えていることを特徴とする基板処理方法。 - 請求項5に記載の基板処理方法において、
前記厚膜であることの判断は、予め指示された、厚膜または薄膜の種別を含む、基板を処理するための手順を規定したレシピに基づき行われることを特徴とする基板処理方法。
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