JP7417577B2 - 基板処理装置及び方法 - Google Patents

基板処理装置及び方法 Download PDF

Info

Publication number
JP7417577B2
JP7417577B2 JP2021209136A JP2021209136A JP7417577B2 JP 7417577 B2 JP7417577 B2 JP 7417577B2 JP 2021209136 A JP2021209136 A JP 2021209136A JP 2021209136 A JP2021209136 A JP 2021209136A JP 7417577 B2 JP7417577 B2 JP 7417577B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
nozzle
port
cleaning
cleaning liquid
liquid
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2021209136A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2022105296A (ja
Inventor
ドゥー チェ，ビョウン
ホ チェ，ジン
Original Assignee
セメス カンパニー，リミテッド
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by セメス カンパニー，リミテッド filed Critical セメス カンパニー，リミテッド
Publication of JP2022105296A publication Critical patent/JP2022105296A/ja
Priority to JP2023173466A priority Critical patent/JP2024012309A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7417577B2 publication Critical patent/JP7417577B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/46—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428
    • H01L21/461—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/469—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/428 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After-treatment of these layers
    • H01L21/47—Organic layers, e.g. photoresist
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B13/00—Machines or plants for applying liquids or other fluent materials to surfaces of objects or other work by spraying, not covered by groups B05B1/00 - B05B11/00
    • B05B13/02—Means for supporting work; Arrangement or mounting of spray heads; Adaptation or arrangement of means for feeding work
    • B05B13/0278—Arrangement or mounting of spray heads
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B15/00—Details of spraying plant or spraying apparatus not otherwise provided for; Accessories
    • B05B15/50—Arrangements for cleaning; Arrangements for preventing deposits, drying-out or blockage; Arrangements for detecting improper discharge caused by the presence of foreign matter
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08—CLEANING
    • B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00—Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/02—Cleaning pipes or tubes or systems of pipes or tubes
    • B08B9/023—Cleaning the external surface
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67023—Apparatus for fluid treatment for general liquid treatment, e.g. etching followed by cleaning
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706—Mechanical details, e.g. roller, belt
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Robotics (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Coating Apparatus (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Description

本発明は、基板を処理する装置及び方法に関するものである。
半導体素子を製造するためには洗浄、蒸着、写真、蝕刻、そしてイオン注入などのような多様な工程が遂行される。このような工程らのうちで写真工程は基板の表面にはフォトレジストのような感光液を塗布して膜を形成する塗布工程、基板に形成された膜に回路パターンを転写する露光工程、露光処理された領域またはその反対領域で選択的に基板上に形成された膜を除去する現像工程を含む。
液処理工程はその工程が進行される中にノズルが基板と見合わせる位置で処理液を供給し、工程の前後である待機中にノズルが待機ポートで待機される。待機ポートは収容空間を含む共通ボディーを含み、複数のノズルを共通ボディーの収容空間に収容される。収容空間に収容された複数のノズルは待機される中にノズルの吐出端を向けて洗浄液が吐出され、吐出端及びその周辺部が共に洗浄される。
しかし、ノズルのうちで洗浄液の吐出口と向い合う領域は洗浄されても、その反対側はまともに洗浄されない問題がある。
また、複数のノズルは待機される中にフォトレジストなどの処理液を共通ボディーに吐出するが、この過程で発生される多量のミストが周辺ノズルを汚染させる問題がある。
また、ノズル収容空間に収容された複数のノズルに対して同時洗浄が進行されることによって、洗浄が必要ではないノズルまでも洗浄処理が進行されてノズル洗浄液が過多に使用される問題がある。
本発明は、複数のノズルを個別的または選択的に洗浄することができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
また、本発明はノズルの全体面を洗浄することができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
また、本発明はノズルが待機される中に逆汚染されることを防止することができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
また、本発明はノズル洗浄液を待機ポートに供給する供給配管から洗浄液の漏水(leak)現像を防止することができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
また、本発明は待機ポート内に収容される洗浄液の水位調節が可能であり、待機ポートの上に流れてあふれる現像を防止することができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
また、本発明は洗浄処理が完了された洗浄液の排出時、排出速度が遅延されることを防止することができる基板処理装置を提供することを一目的とする。
また、本発明はノズル管路内のフォトレジストが硬化されることを防止することができる基板処理方法を提供することを一目的とする。
本発明の目的はこれに制限されないし、言及されなかったまた他の目的らは下の記載から当業者に明確に理解されることができるであろう。
本発明は、基板を処理する装置を開示する。
基板処理装置は基板を処理する処理空間を有する処理容器と、前記処理容器の一側に位置され、処理液を吐出するノズルが待機される待機ポートと、前記処理容器と前記待機ポートの間に移動され、前記ノズルを有する液供給ユニットを含み、前記待機ポートは、内部に前記ノズルと洗浄液を収容可能な収容空間を有するノズル洗浄部を含むノズル収容部材と、前記ノズル洗浄部の側面に提供されて前記洗浄液を前記ノズルに吐出する吐出口を有する吐出部を含み、上側から見た時前記吐出口は前記ノズルの少なくとも一部と重畳されるように提供される。
前記吐出口で供給される洗浄液は、前記ノズルの外面と前記ノズル収容部の壁に沿って回転されることができる。
前記吐出口から吐出される洗浄液は前記ノズルの外面のうちで前記洗浄液の吐出方向の反対側に位置される面まで回転されることができる。
前記ノズル洗浄部は複数個で提供され、お互いの間に独立されるように位置され、上部から眺める時一方向に沿って配列されることができる。
前記待機ポートは、前記複数のノズル洗浄部の配列方向と垂直な方向に連通されるように提供されるあふれ防止ホールを含むことができる。
前記待機ポートは、前記ノズル収容部材に結合され、前記吐出口に前記洗浄液を供給する洗浄液供給配管を固定する配管固定部材を含み、前記配管固定部材は前記洗浄液供給配管が挿入される配管挿入ホールと、前記配管挿入ホールに形成される漏水防止溝または防止する構造物を含むことができる。
前記吐出部は前記ノズル収容部材の側面から突き出され、前記洗浄液供給配管が結合される結合部を含み、前記結合部は第１幅を有する第１部分と、前記第１部分から延長されて前記第１幅より小さな幅を有する第２部分を含み、前記配管挿入ホールの直径は前記結合部の前記第２部分の末端の幅より小さく提供されることができる。
前記ノズル収容部材は、前記ノズル収容部材の下部面に提供される移動防止溝または防止する構造物を含み、前記移動防止溝または防止する構造物は前記ノズル洗浄部と前記あふれ防止ホールのまわりに沿って延長されることができる。
前記ノズル収容部材は、前記ノズル洗浄部の下に位置される排出部を含み、前記排出部は、前記ノズル洗浄部に下端から下に延長される第１ポートと、前記第１ポートの下に延長され、前記第１ポートから遠くなる方向に行くほど幅が増加する第２ポートを含み、前記第１ポートと前記第２ポートとの間の角度は鈍角で提供されることができる。
前記第１ポートの上下方向での長さは、前記ノズルの吐出端の内径より小さく提供されることができる。
前記処理液は感光液を含み、前記洗浄液はシンナー(Thinner)を含むことができる。
本発明は、基板を処理する装置を開示する。
基板処理装置は基板を処理する処理空間を有する処理容器と、前記処理容器の一側に位置され、処理液を吐出するノズルが待機される待機ポートと、前記処理容器と前記待機ポートとの間に移動され、前記ノズルを有する液供給ユニットを含み、前記待機ポートは、内部に前記ノズルと洗浄液を収容可能な収容空間を有するノズル洗浄部を含むノズル収容部材と、前記ノズル洗浄部の側面に提供されて前記洗浄液を前記ノズルに供給する吐出口を有する吐出部を含み、上側から見た時前記吐出口は前記ノズルの少なくとも一部と重畳されるようにしながら前記中心軸の外側に提供されることができる。
前記吐出口で供給される洗浄液は吐出される洗浄液は前記ノズルの外面に沿って回転され、洗浄液は前記ノズルの外面のうちで前記洗浄液の吐出口方向の反対側に位置される面まで回転されることができる。
前記ノズル洗浄部は複数個で提供され、お互いの間に独立されるように位置され、上部から眺める時一方向に沿って配列されることができる。
前記待機ポートは、前記複数のノズル洗浄部の配列方向と垂直な方向に連通されるように提供されるあふれ防止ホールと、前記ノズル収容部材の下部面に提供される移動防止溝または防止する構造物を含み、前記移動防止溝または防止する構造物は前記ノズル洗浄部と前記あふれ防止ホールのまわりに沿って延長されることができる。
前記待機ポートは、前記ノズル収容部材に結合され、前記吐出口に前記洗浄液を供給する洗浄液供給配管を固定する配管固定部材を含み、前記配管固定部材は前記洗浄液供給配管が挿入される配管挿入ホールと、前記配管挿入ホールに形成される漏水防止溝または防止する構造物を含むことができる。
前記処理液は感光液を含み、前記洗浄液はシンナー(Thinner)を含むことができる。
本発明は、前記基板処理装置を利用して基板を処理する方法を開示する。
基板処理方法は前記ノズルは、前記待機ポートに移動される前に前記ノズルの吐出端に満たされた処理液をサックバックして前記吐出端に第１がス層を形成する第１がス層形成段階と、前記第１がス層を形成した状態で前記収容空間に前記吐出端を挿入して前記吐出端を洗浄する吐出端洗浄段階と、前記吐出端が前記洗浄液に浸された状態で前記洗浄液をサックバックして液層を形成する液層形成段階と、前記収容空間に満たされた前記洗浄液を排出した状態で前記ノズルをサックバックして前記吐出端に第２がス層を形成する第２がス層形成段階を含み、前記吐出端洗浄段階では、前記洗浄液が前記ノズルの外面のうちで前記洗浄液の吐出口方向の反対側に位置される面まで回転されるように吐出される。
前記吐出端洗浄段階では、前記ノズルに吐出される洗浄液によって前記収容空間が満たされ、前記ノズルは前記第１がス層が形成された状態で前記収容空間に満たされた前記洗浄液に前記吐出端が浸されるように前記収容空間に挿入されて前記吐出端を洗浄することができる。
前記処理液は感光液を含み、前記洗浄液はシンナーを含むことがある。
本発明によれば、複数のノズルを個別的または選択的に洗浄することができる。
また、本発明の一実施例によれば、ノズルの全体面を洗浄することができる。
また、本発明の一実施例によれば、ノズルが待機される中に逆汚染されることを防止することができる。
また、本発明の一実施例によれば、ノズル洗浄液を待機ポートに供給する供給配管から洗浄液の漏水(leak)現象を防止することができる。
また、本発明の一実施例によれば、待機ポート内に収容される洗浄液の水位調節が可能で、待機ポートの上に流れてあふれる現象を防止することができる。
また、本発明の一実施例によれば、洗浄処理が完了された洗浄液の排出時、排出速度が遅延されることを防止することができる。
また、本発明の一実施例によれば、ノズル管路内のフォトレジストが硬化されることを防止することができる。
本発明の効果が上述した効果らに限定されるものではなくて、言及されない効果らは本明細書及び添付された図面から本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者に明確に理解されることができるであろう。
本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる斜視図である。 図１の塗布ブロックまたは現像ブロックを見せてくれる基板処理装置の断面図である。 図１の基板処理装置の平面図である。 図３の返送ロボットのハンドの一例を見せてくれる図面である。 図３の熱処理チャンバの一例を概略的に見せてくれる平面図である。 図５の熱処理チャンバの正面図である。 図３の液処理チャンバの一例を概略的に見せてくれる図面である。 図７のノズルらを見せてくれる斜視図である。 図７の液処理チャンバを見せてくれる平面図である。 本発明の実施例による待機ポートの斜視図である。 本発明の実施例による待機ポートの分解斜視図である。 図１０のノズル収容部材を一側から眺めた断面図である。 図１０のノズル収容部材は他側から眺めた断面図である。 図１０のノズル収容部材を下から眺めた底面図である。 図１０のノズル収容部材のノズル洗浄部を見せてくれる断面図である。 図１０のノズル収容部材と配管固定部材の結合図である。 図１６のノズル収容部材と配管固定部材の結合過程を概略的に示した図面である。 本発明の実施例による待機ポートでノズルが洗浄される過程を概略的に示した図面である。
以下では添付した図面を参照にして本発明の実施例に対して本発明が属する技術分野で通常の知識を有した者が容易に実施できるように詳しく説明する。しかし、本発明はいろいろ相異な形態で具現されることができるし、ここで説明する実施例で限定されない。また、本発明の望ましい実施例を詳細に説明するにおいて、関連される公知機能または構成に対する具体的な説明が本発明の要旨を不必要に曇ることがあると判断される場合にはその詳細な説明を略する。また、類似機能及び作用をする部分に対しては図面全体にかけて等しい符号を使用する。
ある構成要素を‘包含'するということは、特別に反対される記載がない限り他の構成要素を除くことではなく、他の構成要素をさらに含むことができるということを意味する。具体的に，“含む”または“有する”などの用語は明細書上に記載した特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定しようとすることであって、一つまたはその以上の他の特徴らや数字、段階、動作、構成要素、部品またはこれらを組み合わせたものなどの存在または付加可能性をあらかじめ排除しないものとして理解されなければならない。
単数の表現は文脈上明白に異なるように志さない限り、複数表現を含む。また、図面で要素らの形状及び大きさなどはより明確な説明のために誇張されることがある。
用語“及び/または”は該当列挙された項目のうちで何れか一つ及び一つ以上のすべての組合を含む。また、本明細書で“連結された”という意味はＡ部材とＢ部材が直接連結される場合だけではなく、Ａ部材とＢ部材との間にＣ部材が介されてＡ部材とＢ部材が間接連結される場合も意味する。
本発明の実施例はさまざまな形態で変形することができるし、本発明の範囲が下の実施例らに限定されるものとして解釈されてはいけない。本実施例は当業界で平均的な知識を有した者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。したがって、図面での要素の形状はより明確な説明を強調するために誇張された。
制御機(図示せず)は基板処理装置の全体動作を制御することができる。制御機(図示せず)はＣＰＵ(Central Processing Unit)、ＲＯＭ(Read Only Memory)及びＲＡＭ(Random Access Memory)を含むことができる。ＣＰＵはこれらの記憶領域に記憶された各種レシピによって、後述される液処理、乾燥処理などの所望の処理を行う。レシピにはプロセス条件に対する装置の制御情報であるプロセス時間、プロセス圧力、プロセス温度、各種ガス流量などが入力されている。一方、これらプログラムや処理条件を示すレシピは、ハードディスクや半導体メモリーに記憶されても良い。また、レシピはCD-ROM、ＤＶＤなどの可搬性のコンピューターによって判読可能な記憶媒体に収容された状態で記憶領域の所定位置にセットするようにしても良い。
本実施例の装置は円形基板に対して写真工程を遂行するのに使用されることができる。特に、本実施例の装置は露光装置に連結されて基板に対して塗布工程及び現像工程を遂行することに使用されることができる。しかし、本発明の技術的思想はこれに限定されないで、基板を回転させながら基板に処理液を供給する多様な種類の工程に使用されることができる。以下では基板でウェハーが使用された場合を例に挙げて説明する。
以下では、図１乃至図１８を参照して本発明の実施例に対して説明する。
図１は本発明の一実施例による基板処理装置を概略的に見せてくれる斜視図であり、図２は図１の塗布ブロックまたは現像ブロックを見せてくれる基板処理装置の断面図であり、図３は図１の基板処理装置の平面図である。
図１乃至図３を参照すれば、本発明の一実施例による基板処理装置１はインデックスモジュール（index module)２０、処理モジュール（treating module)３０、そして、インターフェースモジュール（interface module)４０を含む。一実施例によって、インデックスモジュール２０、処理モジュール３０、そして、インターフェースモジュール４０は順次に一列に配置される。以下、インデックスモジュール２０、処理モジュール３０、そして、インターフェースモジュール４０が配列された方向を第１方向１２といって、上部から眺める時第１方向１２と垂直な方向を第２方向１４といって、第１方向１２及び第２方向１４にすべて垂直な方向を第３方向１６という。
インデックスモジュール２０は基板(Ｗ)が収納された容器１０から基板(Ｗ)を処理モジュール３０に返送し、処理が完了された基板(Ｗ)を容器１０に収納する。インデックスモジュール２０の長さ方向は第２方向１４に提供される。インデックスモジュール２０はロードポート２２とインデックスフレーム２４を有する。インデックスフレーム２４を基準でロードポート２２は処理モジュール３０の反対側に位置される。基板(Ｗ)らが収納された容器１０はロードポート２２に置かれる。ロードポート２２は複数個が提供されることができるし、複数のロードポート２２は第２方向１４に沿って配置されることができる。
容器１０としては、前面開放一体式ポッド(Front Open Unified Pod:ＦＯＵＰ)のような密閉用容器１０が使用されることがある。容器１０はオーバーヘッドトランスファー(Overhead Transfer)、オーバーヘッドコンベヤー(Overhead Conveyor)、または自動案内車両(Automatic Guided Vehicle)のような移送手段(図示せず)や作業者によってロードポート２２に置かれることができる。
インデックスフレーム２４の内部にはインデックスロボット２２００が提供される。インデックスフレーム２４内には長さ方向が第２方向１４に提供されたガイドレール２３００が提供され、インデックスロボット２２００はガイドレール２３００上で移動可能に提供されることができる。インデックスロボット２２００は基板(Ｗ)が置かれるハンド２２２０を含み、ハンド２２２０は前進及び後進移動、第３方向１６を軸にした回転、そして、第３方向１６に沿って移動可能に提供されることができる。
処理モジュール３０は基板(Ｗ)に対して塗布工程及び現像工程を遂行する。処理モジュール３０は塗布ブロック３０a及び現像ブロック３０ｂを有する。塗布ブロック３０aは基板(Ｗ)に対して塗布工程を遂行し、現像ブロック３０ｂは基板(Ｗ)に対して現像工程を遂行する。塗布ブロック３０aは複数個が提供され、これらはお互いに積層されるように提供される。現像ブロック３０ｂは複数個が提供され、現像ブロックら３０ｂはお互いに積層されるように提供される。図１の実施例によれば、塗布ブロック３０aは２個が提供され、現像ブロック３０ｂは２個が提供される。塗布ブロックら３０aは現像ブロックら３０ｂの下に配置されることができる。一例によれば、２個の塗布ブロックら３０aはお互いに同一な工程を遂行し、お互いに同一な構造で提供されることができる。また、２個の現像ブロックら３０ｂはお互いに同一な工程を遂行し、お互いに同一な構造で提供されることができる。
図３を参照すれば、塗布ブロック３０aは熱処理チャンバ３２００、返送チャンバ３４００、液処理チャンバ３６００、そして、バッファーチャンバ３８００を有する。熱処理チャンバ３２００は基板(Ｗ)に対して熱処理工程を遂行する。熱処理工程は冷却工程及び加熱工程を含むことができる。液処理チャンバ３６００は基板(Ｗ)上に液を供給して液膜を形成する。液膜はフォトレジスト膜または反射防止膜であることがある。返送チャンバ３４００は塗布ブロック３０a内で熱処理チャンバ３２００と液処理チャンバ３６００との間に基板(Ｗ)を返送する。
返送チャンバ３４００はその長さ方向が第１方向１２と平行に提供される。返送チャンバ３４００には返送ロボット３４２２が提供される。返送ロボット３４２２は熱処理チャンバ３２００、液処理チャンバ３６００、そして、バッファーチャンバ３８００の間に基板を返送する。一例によれば、返送ロボット３４２２は基板(Ｗ)が置かれるハンド３４２０を有して、ハンド３４２０は前進及び後進移動、第３方向１６を軸にした回転、そして、第３方向１６に沿って移動可能に提供されることができる。返送チャンバ３４００内にはその長さ方向が第１方向１２と平行に提供されるガイドレール３３００が提供され、返送ロボット３４２２はガイドレール３３００上で移動可能に提供されることができる。
図４は、図３の返送ロボットのハンドの一例を見せてくれる図面である。
図４を参照すれば、ハンド３４２０はベース３４２８及び支持突起３４２９を有する。ベース３４２８は円周の一部が折曲された環形のリング形状を有することができる。ベース３４２８は基板(Ｗ)の直径より大きい内径を有する。支持突起３４２９はベース３４２８からその内側に延長される。支持突起３４２９は複数個が提供され、基板(Ｗ)の縁領域を支持する。一例によって、支持突起３４２９は等間隔で４個が提供されることができる。
熱処理チャンバ３２００は複数個で提供される。熱処理チャンバ３２００らは第１方向１２に沿って羅列されるように配置される。熱処理チャンバ３２００らは返送チャンバ３４００の一側に位置される。
図５は、図３の熱処理チャンバの一例を概略的に見せてくれる平面図であり、図６は図５の熱処理チャンバの正面図である。
図５及び図６を参照すれば、熱処理チャンバ３２００はハウジング３２１０、冷却ユニット３２２０、加熱ユニット３２３０、そして、返送プレート３２４０を有する。
ハウジング３２１０は概して直方体の形状で提供される。ハウジング３２１０の側壁には基板(Ｗ)が出入りされる搬入口(図示せず)が形成される。搬入口は開放された状態で維持されることができる。選択的に搬入口を開閉するようにドア(図示せず)が提供されることができる。冷却ユニット３２２０、加熱ユニット３２３０、そして、返送プレート３２４０はハウジング３２１０内に提供される。冷却ユニット３２２０及び加熱ユニット３２３０は第２方向１４に沿って並んで提供される。一例によれば、冷却ユニット３２２０は加熱ユニット３２３０に比べて返送チャンバ３４００にさらに近く位置されることができる。
冷却ユニット３２２０は冷却板３２２２を有する。冷却板３２２２は上部から眺める時に概して円形の形状を有することができる。冷却板３２２２には冷却部材３２２４が提供される。一例によれば、冷却部材３２２４は冷却板３２２２の内部に形成され、冷却流体が流れる流路で提供されることができる。
加熱ユニット３２３０は加熱板３２３２、カバー３２３４、そして、ヒーター３２３３を有する。加熱板３２３２は上部から眺める時に概して円形の形状を有する。加熱板３２３２は基板(Ｗ)より大きい直径を有する。加熱板３２３２にはヒーター３２３３が設置される。ヒーター３２３３は電流が印加される発熱低抗体で提供されることができる。加熱板３２３２には第３方向１６に沿って上下方向に駆動可能なリフトピン３２３８らが提供される。リフトピン３２３８は加熱ユニット３２３０外部の返送手段から基板(Ｗ)の引受を受けて加熱板３２３２上に下ろすか、または加熱板３２３２から基板(Ｗ)を持ち上げて加熱ユニット３２３０外部の返送手段に引き継ぐ。一例によれば、リフトピン３２３８は３個が提供されることができる。カバー３２３４は内部に下部が開放された空間を有する。カバー３２３４は加熱板３２３２の上部に位置されて駆動機３２３６によって上下方向に移動される。カバー３２３４が加熱板３２３２に接触されれば、カバー３２３４と加熱板３２３２によって取り囲まれた空間は基板(Ｗ)を加熱する加熱空間に提供される。
返送プレート３２４０は概して円盤形状で提供され、基板(Ｗ)と対応される直径を有する。返送プレート３２４０の縁にはノッチ３２４４が形成される。ノッチ３２４４は上述した返送ロボット３４２２のハンド３４２０に形成された突起３４２９と対応される形状を有することができる。また、ノッチ３２４４はハンド３４２０に形成された突起３４２９と対応される数で提供され、突起３４２９と対応される位置に形成される。ハンド３４２０と返送プレート３２４０が上下方向に整列された位置でハンド３４２０と返送プレート３２４０の上下位置が変更すれば、ハンド３４２０と返送プレート３２４０との間に基板(Ｗ)の伝達がなされる。返送プレート３２４０はガイドレール３２４９上に装着され、駆動機３２４６によってガイドレール３２４９に沿って移動されることができる。返送プレート３２４０にはスリット形状のガイド溝３２４２が複数個提供される。ガイド溝３２４２は返送プレート３２４０の末端で返送プレート３２４０の内部まで延長される。ガイド溝３２４２はその長さ方向が第２方向１４に沿って提供され、ガイド溝３２４２らは第１方向１２に沿ってお互いに離隔されるように位置される。ガイド溝３２４２は返送プレート３２４０と加熱ユニット３２３０との間に基板(Ｗ)の引受引き継ぎがなされる時に返送プレート３２４０とリフトピン１３４０がお互いに干渉されることを防止する。
基板(Ｗ)の加熱は基板(Ｗ)が加熱板３２３２上に直接置かれた状態でなされ、基板(Ｗ)の冷却は基板(Ｗ)が置かれた返送プレート３２４０が冷却板３２２２に接触された状態でなされる。冷却板３２２２と基板(Ｗ)との間に熱伝逹がよくなされるように返送プレート３２４０は熱伝逹率が高い材質で提供される。一例によれば、返送プレート３２４０は金属材質で提供されることができる。
熱処理チャンバ３２００らのうちで一部の熱処理チャンバ３２００に提供された加熱ユニット３２３０は基板(Ｗ)加熱中にガスを供給してフォトレジストの基板(Ｗ)付着率を向上させることができる。一例によれば、ガスはヘキサメチルジシラン(hexamethyldisilane)ガスであることができる。
液処理チャンバ３６００は複数個で提供される。液処理チャンバ３６００らのうちで一部はお互いに積層されるように提供されることができる。液処理チャンバ３６００らは返送チャンバ３４００の一側に配置される。液処理チャンバ３６００らは第１方向１２に沿って並んで配列される。液処理チャンバ３６００らのうちで一部はインデックスモジュール２０と隣接した位置に提供される。以下、これら液処理チャンバを前端液処理チャンバ３６０２(front liquid treating chamber)と称する。液処理チャンバ３６００らのうちで他の一部はインターフェースモジュール４０と隣接した位置に提供される。以下、これら液処理チャンバを後端液処理チャンバ３６０４(rear heat treating chamber)と称する。
前端液処理チャンバ３６０２は基板(Ｗ)上に第１液を塗布し、後端液処理チャンバ３６０４は基板(Ｗ)上に第２液を塗布する。第１液と第２液はお互いに相異な種類の液であることがある。一実施例によれば、第１液は反射防止膜であり、第２液はフォトレジストである。フォトレジストは反射防止膜が塗布された基板(Ｗ)上に塗布されることができる。選択的に第１液はフォトレジストであり、第２液は反射防止膜であることができる。この場合、反射防止膜はフォトレジストが塗布された基板(Ｗ)上に塗布されることができる。選択的に第１液と第２液は等しい種類の液であり、これらはすべてフォトレジストであることができる。
再び図２及び図３を参照すれば、バッファーチャンバ３８００は複数個で提供される。バッファーチャンバ３８００らのうちで一部はインデックスモジュール２０と返送チャンバ３４００との間に配置される。以下、これらバッファーチャンバを前端バッファー３８０２(front buffer)と称する。前端バッファー３８０２は複数個で提供され、上下方向に沿ってお互いに積層されるように位置される。バッファーチャンバ３８００らのうちで他の一部は返送チャンバ３４００とインターフェースモジュール４０との間に配置される。以下、これらバッファーチャンバを後端バッファー３８０４(rear buffer)と称する。後端バッファー３８０４は複数個で提供され、上下方向に沿ってお互いに積層されるように位置される。前端バッファー３８０２ら及び後端バッファー３８０４らそれぞれは複数の基板ら(Ｗ)を一時的に保管する。前端バッファー３８０２に保管された基板(Ｗ)はインデックスロボット２２００及び返送ロボット３４２２及び第１ロボット４６０２によって搬入または搬出される。後端バッファー３８０４に保管された基板(Ｗ)は返送ロボット３４２２によって搬入または搬出される。
現像ブロック３０ｂは熱処理チャンバ３２００、返送チャンバ３４００、そして液処理チャンバ３６００を有する。現像ブロック３０ｂの熱処理チャンバ３２００、そして、返送チャンバ３４００は塗布ブロック３０aの熱処理チャンバ３２００、そして、返送チャンバ３４００と概して類似な構造及び配置で提供されるので、これに対する説明は略する。
現像ブロック３０ｂで液処理チャンバ３６００らはすべて等しく現像液を供給して基板を現像処理する現像チャンバで提供される。
インターフェースモジュール４０は処理モジュール３０を外部の露光装置５０と連結する。インターフェースモジュール４０はインターフェースフレーム４１００、付加工程チャンバ４２００、インターフェースバッファー４４００、そして、返送部材４６００を有する。
インターフェースフレーム４１００の上端には内部に下降気流を形成するファンフィルターユニットが提供されることができる。付加工程チャンバ４２００、インターフェースバッファー４４００、そして、返送部材４６００はインターフェースフレーム４１００の内部に配置される。付加工程チャンバ４２００は塗布ブロック３０aで工程が完了された基板(Ｗ)が露光装置５０に搬入される前に所定の付加工程を遂行することができる。選択的に付加工程チャンバ４２００は露光装置５０で工程が完了された基板(Ｗ)が現像ブロック３０ｂに搬入される前に所定の付加工程を遂行することができる。一例によれば、付加工程は基板(Ｗ)のエッジ領域を露光するエッジ露光工程、または基板(Ｗ)の上面を洗浄する上面洗浄工程、または基板(Ｗ)の下面を洗浄する下面洗浄工程であることができる。付加工程チャンバ４２００は複数個が提供され、これらはお互いに積層されるように提供されることができる。付加工程チャンバ４２００はすべて同一な工程を遂行するように提供されることができる。選択的に付加工程チャンバ４２００らのうちで一部はお互いに異なる工程を遂行できるように提供されることができる。
インターフェースバッファー４４００は塗布ブロック３０a、付加工程チャンバ４２００、露光装置５０、そして、現像ブロック３０ｂの間に返送される基板(Ｗ)が返送途中に一時的にとどまる空間を提供する。インターフェースバッファー４４００は複数個が提供され、複数のインターフェースバッファー４４００らはお互いに積層されるように提供されることができる。
一例によれば、返送チャンバ３４００の長さ方向の延長線を基準で一側面には付加工程チャンバ４２００が配置され、他側面にはインターフェースバッファー４４００が配置されることができる。
返送部材４６００は塗布ブロック３０a、付加工程チャンバ４２００、露光装置５０、そして現像ブロック３０ｂの間に基板(Ｗ)を返送する。返送部材４６００は１個または複数個のロボットで提供されることができる。一例によれば、返送部材４６００は第１ロボット４６０２及び第２ロボット４６０６を有する。第１ロボット４６０２は塗布ブロック３０a、付加工程チャンバ４２００、そして、インターフェースバッファー４４００の間に基板(Ｗ)を返送し、第２ロボット４６０６はインターフェースバッファー４４００と露光装置５０との間またはインターフェースバッファー４４００と現像ブロック３０ｂの間に基板(Ｗ)を返送するように提供されることができる。
第１ロボット４６０２及び第２ロボット４６０６はそれぞれ基板(Ｗ)が置かれるハンドを含み、ハンドは前進及び後進移動、第３方向１６に平行な軸を基準にした回転、そして、第３方向１６に沿って移動可能に提供されることができる。
インデックスロボット２２００、第１ロボット４６０２、そして、第２ロボット４６０６のハンドはすべて返送ロボット３４２２のハンド３４２０と等しい形状で提供されることができる。選択的に熱処理チャンバの返送プレート３２４０と直接基板(Ｗ)を取り交わすロボットのハンドは、返送ロボット３４２２のハンド３４２０と等しい形状で提供され、残りロボットのハンドはこれと相異な形状で提供されることができる。
一実施例によれば、インデックスロボット２２００は塗布ブロック３０aに提供された前端熱処理チャンバ３２００の加熱ユニット３２３０と直接基板(Ｗ)を取り交わすように提供される。
また、塗布ブロック３０a及び現像ブロック３０ｂに提供された返送ロボット３４２２は熱処理チャンバ３２００に位置された返送プレート３２４０と直接基板(Ｗ)を取り交わすように提供されることができる。
以下では、本発明の工程チャンバらのうちで回転する基板上に処理液を供給して基板を処理する基板処理装置の構造に対して詳しく説明する。以下では基板処理装置がフォトレジストを塗布する装置の場合を例に挙げて説明する。しかし、基板処理装置は回転する基板(Ｗ)に保護膜または反射防止膜のような膜を形成する装置であることができる。また、選択的に基板処理装置は基板(Ｗ)に現像液のような処理液を供給する装置であることができる。
図７は図３の液処理チャンバの一例を概略的に見せてくれる図面である。図８は図７のノズルらを見せてくれる斜視図である。図９は図７の液処理チャンバを見せてくれる平面図である。
図７を参考すれば、液処理チャンバ３６００はハウジング３６１０、コップ３６２０、基板支持ユニット３６４０、液供給ユニット１０００、そして、待機ポート５０００を有する。ハウジング３６１０は概して直方体の形状で提供される。ハウジング３６１０の側壁には基板(Ｗ)が出入りされる搬入口(図示せず)が形成される。搬入口はドア(図示せず)によって開閉されることができる。コップ３６２０、支持ユニット３６４０、液供給ユニット１０００そして、待機ポート５０００はハウジング３６１０内に提供される。ハウジング３６１０の上壁にはハウジング３２６０内に下降気流を形成するファンフィルターユニット３６７０が提供されることができる。コップ３６２０は上部が開放された処理空間を有する。基板支持ユニット３６４０は処理空間内に配置され、基板(Ｗ)を支持する。基板支持ユニット３６４０は液処理途中に基板(Ｗ)が回転可能になるように提供される。液供給ユニット１０００は基板支持ユニット３６４０に支持された基板(Ｗ)で液を供給する。
液供給ユニット１０００は複数個のノズル１１００を含む。複数個のノズル１１００それぞれはお互いに異なる種類の処理液を供給する。ノズル１１００らそれぞれにはお互いに独立された液供給管が連結される。ノズル１１００らは待機位置と工程位置との間に移動して処理液を供給する。工程位置はノズル１１００らが処理液を基板(Ｗ)の中心に吐出可能な位置であり、待機位置はノズル１１００らが待機ポートに待機される位置である。例えば、処理液はフォトレジストのような感光液であることがある。
待機ポート５０００は処理容器の一側でノズル１１００らが待機する空間を提供する。ノズル１１００らは液処理工程を進行する前後に待機ポート５０００で待機される。待機ポート５０００はノズル１１００らが待機される間に、ノズル１１００らを洗浄する同時にノズル１１００らの吐出端に残留された処理液が硬化されることを防止する。
図１０は、本発明の実施例による待機ポートの斜視図であり、図１１は本発明の実施例による待機ポートの分解斜視図であり、図１２は図１０のノズル収容部材を一側から眺めた断面図であり、図１３は図１０のノズル収容部材は他側から眺めた断面図であり、図１４は図１０のノズル収容部材を下から眺めた底面図であり、図１５は図１０のノズル収容部材のノズル洗浄部を見せてくれる断面図である。
図７及び図９を参考すれば、待機ポート５０００はハウジング３６１０内に配置される。待機ポート５０００はハウジング３６１０内でコップ３６２０の外側に配置される。待機ポート５０００はノズル１１００らの待機位置と対応される位置に提供される。待機ポート５０００はノズル１１００らが工程位置と待機位置との間に移動する移動経路上に位置することができる。
図１０及び図１１を参考すれば、待機ポート５０００はノズル収容部材５２００、配管固定部材５４００を含む。また、待機ポート５０００はドレイン部材５６００をさらに含むことができる。ノズル収容部材５２００は待機中のノズル１１００らを収容する。ノズル収容部材５２００は待機中のノズル１１００らに対して、ノズル１１００らを洗浄すると共にノズル１１００らの吐出端に残留された処理液が硬化されることを防止する。
図１２及び図１３を参照すれば、ノズル収容部材５２００はノズル収容部５２２０、あふれ防止ホール５２４０、移動防止溝または防止する構造物５２６０を含む。
ノズル収容部５２２０はノズル１１００が収容可能になるように提供される。ノズル収容部５２２０は複数個で設けられる。一例で、ノズル収容部５２２０はノズル１１００の個数と一対一対応されるか、またはさらに多く提供されることができる。それぞれのノズル収容部５２２０はお互いに独立されるように位置される。したがって、何れか一つのノズル１１００から発生されたパーティクルが他の一つまたはノズル１１００全部に影響を及ぼすことを防止することができる。上部から眺める時ノズル収容部５２２０らは一方向に沿って一列に配列されるように位置される。一例で、複数のノズル収容部５２２０はノズル洗浄部材５２００の長辺方向に沿って一列に配列される。
図１５を参照すれば、ノズル収容部５２２０の内部にはノズル１１００または洗浄液(Ｌ)が収容される収容空間５２２１が形成される。ノズル収容部５２２０は上下方向を向ける桶形状を有する。ノズル収容部５２２０は上から下に行くほど幅が細くなってから再び広くなる形状を有する。ノズル収容部５２２０はノズル洗浄部５２２０aと排出部５２２０ｂを有する。ノズル洗浄部５２２０aにはノズル１１００が収容される。ノズル洗浄部５２２０aは収容されたノズル１１００を洗浄する空間を提供する。ノズル洗浄部５２２０aの収容空間に洗浄液(Ｌ)が一定水位まで満たされた状態またはノズルのチップが収容空間に下った状態５２２４で洗浄液が一定水位まで満たされた状態で、ノズル１１００のチップ(tip)を洗浄液(Ｌ)にディッピング(dipping)してノズル１１００の洗浄が遂行される。
複数のノズル収容部５２２０それぞれには複数のノズル洗浄部５２２０aが設けられる。複数のノズル洗浄部５２２０aは複数のノズル１１００それぞれと一対一対応される数で設けられる。洗浄が必要なノズル１１００に対応されるノズル洗浄部５２２０aに洗浄液(Ｌ)が満たされ、個別ノズル１１００ごとに個別的、選択的にノズル洗浄作業が遂行される。
ノズル洗浄部５２２０aは上部胴部５２２２、第１傾斜部５２２３、吐出端収容部５２２４、第２傾斜部５２２５を含む。上部胴部５２２２、第１傾斜部５２２３、吐出端収容部５２２４、第２傾斜部５２２５は上から下に向ける方向に沿って順次に延長されるように提供される。上部胴部５２２２はノズル洗浄部５２２０aの上部領域に提供される。上部胴部５２２２は上下方向に沿って一定な幅を有するように提供される。上部胴部５２２２と後述する下部胴部５２２８は他の部分に比べて大幅を有するように提供される。
上部胴部５２２２の内側面には吐出口５２８２が形成される。吐出口５２８２は上部胴部５２２２に洗浄液を吐出するホールとして機能する。吐出口５２８２には洗浄液供給配管５００２が連結され、洗浄液供給配管５００２は貯蔵タンク(図示せず)から吐出口５２８２に洗浄液を供給する。例えば、洗浄液はノズル１１００の吐出端及び周辺に付着された処理液と異物を除去する液で提供されることができる。洗浄液は気泡を含む液であることがある。洗浄液はシンナー(thinner)を含むことができる。吐出口５２８２は上面から見た時、ノズルチップ１１００と重畳されるように位置する。
第１傾斜部５２２３は上部胴部５２２２の下端から下に延長される桶形状を有する。第１傾斜部５２２３は上から下に行くほど漸進的に幅が細くなるように提供される。第１傾斜部５２２３は収容空間５２２１に残留された液が下の方向に流れるように１次案内する。
吐出端収容部５２２４は第１傾斜部５２２３の下端から下に延長される桶形状を有する。吐出端収容部５２２４は上下方向に一定な幅を有するように提供される。吐出端収容部５２２４はノズル１１００の吐出端が位置される空間であり、ノズル１１００に比べて大幅を有するように提供される。
第２傾斜部５２２５は吐出端収容部５２２４の下端から下の方向に延長される。第２傾斜部５２２５は上から下に行くほど幅が細くなる桶形状で提供される。第１傾斜部５２２３と第２傾斜部５２２４はそれぞれ地面から３０～６０度の勾配角を有するように提供されることができる。
排出部５２２０ｂはノズル洗浄部５２２０aの下に配置される。排出部５２２０ｂはノズル洗浄部５２２０aと連通される。排出部５２２０ｂはノズル洗浄部５２２０aで洗浄処理された洗浄液を下部に排出する。排出部５２２０ｂは第１ポート５２２６、第２ポート５２２７を含む。排出部５２２０ｂは下部胴部５２２８をさらに含むことができる。第１ポート５２２６、第２ポート５２２７、下部胴部５２２８は上から下に向ける方向に順に延長される。
第１ポート５２２６は第２傾斜部５２２５の下端から下に延長される桶形状を有する。第１ポート５２２６は他の部分に比べて小さな幅を有するように提供される。例えば、第１ポート５２２６の幅はノズル１１００の吐出端の内径より大きく提供されることができる。また、第１ポート５２２６は上下方向を向ける長さが異なる部分に比べて短く提供される、例えば、第１ポート５２２６の上下方向での長さは、ノズル１１００の吐出端の内径未満で提供されることができる。このような第１ポート５２２６の長さは第１ポート５２２６を通過した気泡が上に逆流されることを防止することができる。
第２ポート５２２７は第１ポート５２２６の下端から下に延長される桶形状を有する。第２ポート５２２７は下に行くほど幅が大きくなるように提供されることができる。第２ポート５２２７は第１ポート５２２６の延長方向に対して傾くように形成される。この時、第１ポート５２２６と第２ポート５２２７との間の角度(Θ)は９０度超過１８０度未満の範囲を有することができる。これを通じて、第１ポート５２２６を通過する気泡が裂けるか、またはその気泡をさらに大きくすることで、気泡の逆流を防止することができる。
下部胴部５２２８は第２ポート５２２７の下端から下に延長される桶形状を有する。下部胴部５２２８は上下方向に一定な幅を有するように提供される。例えば、下部胴部５２２８は上部胴部５２２２と等しい幅を有することができる。下部胴部５２２８には排出ライン(図示せず)が連結される。排出ラインは下部胴部５２２８に伝達された洗浄液を外部に排出させる。排出ラインにはこれを開閉するバルブが設置される。
制御機(図示せず)は排出ラインに設置されたバルブを制御する。制御機は収容空間５２２１に洗浄液が満たされるように洗浄液を吐出する中に排出ラインが閉まるようにバルブを制御する。これによってノズル１１００の吐出端は収容空間５２２１に満たされた洗浄液に浸されて吐出端を洗浄処理することができる。
図１２乃至図１４を参考すれば、ノズル収容部材５２００はあふれ防止ホール５２４０を含む。あふれ防止ホール５２４０はノズル収容部材５２００の上部面５２０２から陷沒形成される。あふれ防止ホール１３２５は断面積がノズル収容部５２２０aの断面積より小さいか、または類似に提供される。あふれ防止ホール５２４０はノズル洗浄部５２２０aと連通される。あふれ防止ホール５２４０は複数個で設けられる。複数のあふれ防止ホール５２４０は複数のノズル洗浄部５２２０aと一対一対応される数で設けられる。あふれ防止ホール５２４０は、複数のノズル洗浄部５２２０aの配列方向に垂直な方向にノズル洗浄部５２２０aと連通される。あふれ防止ホール５２４０は収容空間５２２１に満たされた洗浄液とフォトレジストが収容空間５２２１上部方向外部にあふれることを防止する。また、あふれ防止ホール５２４０はノズル洗浄部５２２０a内に満たされる洗浄液の水位を調節する。よって、あふれ防止ホール５２４０はノズル洗浄部５２２０aの長さ方向と対応される長さを同じになるように形成される。あふれ防止ホール５２４０は吐出口５２８２の反対側に提供される。
図１２を参考すれば、あふれ防止ホール５２４０とノズル収容部５２２０aとの間には段顎部５２３０が提供される。段顎部５２３０はあふれ防止ホール５２４０とノズル収容部５２２０aが連通される通路を形成する。段顎部５２３０はノズル収容部５２２０aの上部胴部５２２２とあふれ防止ホール５２４０の連通通路を形成する。右から見た時、段顎部５２３０は上部胴部５２２２及びあふれ防止ホール５２４０より内側に突き出されるように提供される。段顎部５２３０は上部胴部５２２２と第１傾斜部５２２４が連結される部分より上に突き出されるように提供される。これを通じて、吐出口５２８２から吐出される洗浄液がノズル洗浄部５２２０aに先に満たされるように誘導することができる。
移動防止溝または防止する構造物５２６０はノズル収容部材５２００の下部面５２０４から上に陷沒形成される。移動防止溝または防止する構造物５２６０はノズル収容部５２２０とあふれ防止ホール５２４０の外周に沿って延長形成される。より具体的に、移動防止溝または防止する構造物５２６０排出部５２２０ｂの下部胴部５２２８とあふれ防止ホール５２４０のまわりに沿って延長される。移動防止溝または防止する構造物５２６０は洗浄液のドレイン時、洗浄液が左右に移動することを防止し、これを通じてドレイン速度が遅延されることを防止する。
図１６は、図１０のノズル収容部材と配管固定部材の結合図である。図１７は図１６のノズル収容部材と配管固定部材の結合過程を概略的に示した図面である。
図１６を参考すれば、ノズル収容部材５２００は吐出部５２８０を含む。吐出部５２８０はノズル収容部材５２００の側面に提供される。吐出部５２８０はノズル収容部材５２００の側面から突き出形成される。吐出部５２８０には洗浄液供給配管５００２が結合される。洗浄液供給配管５００２を流れる洗浄液は吐出部５２８０を通じて収容空間５２２１に吐出される。
吐出部５２８０は洗浄液供給配管５００２が挿入され、配管固定部材５４００と結合される結合部５２８６を含む。結合部５２８６はノズル収容部材５２００の側面から突き出形成される。結合部５２８６は第１幅を有する第１部分５２８６aと、第１部分５２８６aから延長されて第１幅より小さな幅を有する第２部分５２８６bを含む。結合部５２８６の第２部分５２８６bの幅は第１部分から遠くなる方向に行くほど小くなるように提供される。結合部５２８６の内部には洗浄液(Ｌ)供給配管５００２から吐出される洗浄液(Ｌ)が流れる吐出流路５２８４が形成される。吐出流路５２８４の端部には吐出口５２８２が位置する。吐出口５２８２はノズル洗浄部５２２０aの側面に提供される。吐出口５２８２は上部胴部５２２２の内側面に提供される。吐出口５２８２の幅はノズル収容部５２２０aに収容されたノズル１１００の末端の一部と重畳されるように提供される。これを通じて、吐出口５２８２から吐出された洗浄液(Ｌ)がノズル１１００の外周面に沿って回転されてノズル１１００の外周面のうちで洗浄液(Ｌ)の吐出方向の反対面に移動することができる。この場合、ノズル１１００の全体面が均一に洗浄されることができる。
図１６及び図１７を参考すれば、配管固定部材５４００はノズル収容部材５２００に結合される。配管固定部材５４００はノズル収容部材５２００の一側に結合される。配管固定部材５４００はノズル収容部材５２００に洗浄液(Ｌ)を供給する洗浄液供給配管５００２を固定する。配管固定部材５４００は配管挿入ホール５４２０と、漏水防止溝または防止する構造物５４４０を含む。
配管挿入ホール５４２０は配管固定部材５４００の２個の側面を貫通して形成される。配管挿入ホール５４２０には洗浄液供給配管５００２が挿入される。配管挿入ホール５４２０の直径は洗浄液供給配管５００２の外径と等しいか、または少し大きく形成される。配管挿入ホール５４２０の直径は結合部５２８６の第２部分５２８６b末端の直径より小さく提供される。配管挿入ホール５４２０の直径は結合部５２８６の第２部分５２８６bの最小幅より小さく提供される。これを通じて、ノズル収容部材５２００と配管固定部材５４００が完全に結合された時、配管挿入ホール５４２０に結合部５２８６の末端が押されて洗浄液(Ｌ)の漏水が防止される。
漏水防止溝または防止する構造物５４４０は配管挿入ホール５４２０の内面に形成される。漏水防止溝または防止する構造物５４４０は配管挿入ホール５４２０の内面のうちで結合部５２８６が結合される部分に形成される。漏水防止溝または防止する構造物５４４０は配管挿入ホール５４２０より大きい直径を有するように提供される。漏水防止溝または防止する構造物５４４０の直径は、結合部５２８６の第１部分５２８６aの直径と等しいか、または少し大きく提供される。漏水防止溝または防止する構造物５４４０の直径は、結合部５２８６の第２部分５２８６bの最大直径より大きく提供される。
漏水防止溝または防止する構造物５４４０は、配管挿入ホール５４２０の内面より外側に位置する第１面５４４２と、配管挿入ホール５４２０の内面と第１面５４４２を連結する第２面５４４４を含む。第１面５４４２は配管挿入ホール５４２０の内面と平行に提供され、第２面５４４４は配管挿入ホール５４２０の内面と垂直するように提供される。ノズル収容部材５２００と配管固定部材５４００が結合された時、配管挿入ホール５４２０の内面と第２面５４４２が連結される支点(Ｐ１)が結合部５２８６と接触及び加圧することで洗浄液(Ｌ)の漏水を防止する。ノズル収容部材５２００と配管固定部材５４００が結合された時、配管挿入ホール５４２０の内面と第２面５４４２が連結される支点(Ｐ１)が洗浄液供給配管５００２と接触及び加圧することで洗浄液(Ｌ)の漏水を防止する。
図１８は、本発明の実施例による待機ポートでノズルが洗浄される過程を概略的に示した図面である。
図１８を参考すれば、吐出口５２８２はノズル１１００の中心から一側にかたよって位置される。上面から見た時、吐出口５２８２はノズル１１００と一部重畳されるように提供される。この場合、吐出口５２８２から吐出される洗浄液(Ｌ)は向い合うノズル１１００の外周面に沿って流れながらノズル１１００の全体面を洗浄することができる。
次には上述した基板処理装置１を利用して基板を処理する方法の一実施例に対して説明する。
次は上述した基板処理装置を利用して基板を処理する方法に対して説明する。基板を処理する方法としては液処理段階及びノズル１１００洗浄段階を含む。液処理段階にはノズル１１００が工程位置に移動されて基板上に処理液を供給する。処理液の供給が完了すれば、ノズル１１００は処理液供給を中止し、ノズル１１００洗浄段階を遂行する。
ノズル１１００洗浄段階には第１がス層形成段階、ノズルの吐出端洗浄段階、液層形成段階、そして、第２がス層形成段階を含む。第１がス層形成段階にはノズル１１００が工程位置から待機位置に移動される前にノズル１１００の吐出端に位置された処理液を吐出方向と反対方向に後進されるようにサクションする。処理液の末端がノズル１１００の吐出端より高く位置されれば、ノズル１１００は待機位置に移動される。
吐出端洗浄段階にはノズル１１００の吐出端が収容空間５２２１に満たされた洗浄液(Ｌ)が浸されるように収容空間５２２２１に挿入されるように位置される。この時、排出ラインは閉まられた状態を維持して洗浄液(Ｌ)の水位が変動されることを防止することができる。ノズル１１００の吐出端は洗浄液(Ｌ)によって洗浄される。ノズル１１００の吐出端から処理液の末端の間には第１がス層が形成されているので、洗浄液(Ｌ)がノズル１１００内部に流入されることが防止される。ノズル１１００の吐出端及びこれの周辺部が洗浄処理されれば、液層形成段階を遂行する。
液層形成段階には収容空間５２２１に収容された洗浄液(Ｌ)をサクションする。これによってノズル１１００内に提供された処理液及び第１がス層が共に後進され、処理液と離隔された位置に洗浄液(Ｌ)による液層が形成される。洗浄液(Ｌ)による液層は一部が揮発されながら処理液の末端が硬化されることを防止することができる。
液層形成段階が完了すれば、排出ラインを開放して収容空間５２２１に満たされた洗浄液(Ｌ)を排出させる。洗浄液(Ｌ)が排出されれば、ノズル１１００は第２がス層が形成されるようにノズル１１００内部をサクションする。ノズル１１００の吐出端と液層との間には第２がス層が形成される。これによってノズル１１００内部には上から下方向に沿って処理液、第１がス層、液層、そして、第２がス層が順次に形成されることができる。
以上の詳細な説明は本発明を例示するものである。また、上述した内容は本発明の望ましい実施形態を示して説明するものであり、本発明は多様な他の組合、変更及び環境で使用することができる。すなわち、本明細書に開示された発明の概念の範囲、著わした開示内容と均等な範囲及び/または当業界の技術または知識の範囲内で変更または修正が可能である。著わした実施例は本発明の技術的思想を具現するための最善の状態を説明するものであり、本発明の具体的な適用分野及び用途で要求される多様な変更も可能である。したがって、以上の発明の詳細な説明は開示された実施状態で本発明を制限しようとする意図ではない。また、添付された請求範囲は他の実施状態も含むものとして解釈されなければならない。
５０００ 待機ポート
５２００ ノズル収容部材
５２２０ ノズル洗浄部
５２３０ 段顎部
５２４０ あふれ防止ホール
５２６０ 移動防止溝または防止する構造物
５２８０ 吐出部
５４００ 配管固定部材
５４２０ 配管挿入ホール
５４４０ 漏水防止溝または防止する構造物
５６００ ドレイン部材

Claims (15)

  1. 基板処理装置であって、
    基板を処理する処理空間を有する処理容器と、
    前記処理容器の一側に位置され、処理液を吐出するノズルが待機される待機ポートと、
    前記処理容器と前記待機ポートとの間に移動され、前記ノズルを有する液供給ユニットを含み、
    前記待機ポートは、
    内部に前記ノズルと洗浄液を収容可能な収容空間を有するノズル洗浄部を含むノズル収容部材と、
    前記ノズル洗浄部の側面に提供されて前記洗浄液を前記ノズルに吐出する吐出口を有する吐出部を含み、
    前記吐出口は上側から見た時前記吐出口は前記ノズルの少なくとも一部と重畳されるように提供され、
    前記ノズル洗浄部は複数個で提供され、お互いの間に独立されるように位置され、上部から眺める時一方向に沿って配列され、
    前記待機ポートは、
    前記複数個のノズル洗浄部の配列方向と垂直な方向に連通されるように提供されるあふれ防止ホールを含み、
    前記ノズル収容部材は、
    前記ノズル収容部材の下部面に提供され、かつ前記洗浄液が左右に移動することを防止する移動防止溝または構造物を含み、
    前記移動防止溝または構造物は前記ノズル洗浄部と前記あふれ防止ホールのまわりに沿って延長されることを特徴とする基板処理装置。
  2. 前記吐出口から吐出される洗浄液は前記ノズルの外面とノズル収容部壁に沿って回転されるように前記待機ポートが構成されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 前記吐出口から吐出される洗浄液は前記ノズルの外面のうちで前記洗浄液の吐出方向の反対側に位置される面まで回転されるように前記待機ポートが構成されることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
  4. 前記待機ポートは、
    前記ノズル収容部材に結合され、前記吐出口に前記洗浄液を供給する洗浄液供給配管を固定する配管固定部材を含み、
    前記配管固定部材は前記洗浄液供給配管が挿入される配管挿入ホールと、前記配管挿入ホールに形成される漏水防止溝または防止する構造物を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  5. 前記吐出部は前記ノズル収容部材の側面から突き出され、前記洗浄液供給配管が結合される結合部を含み、
    前記結合部は第１幅を有する第１部分と、前記第１部分から延長されて前記第１幅より小さな幅を有する第２部分を含み、
    前記配管挿入ホールの直径は前記結合部の前記第２部分の末端の幅より小さく提供されることを特徴とする請求項４に記載の基板処理装置。
  6. 前記ノズル収容部材は、
    前記ノズル洗浄部の下に位置される排出部を含み、
    前記排出部は、
    前記ノズル洗浄部に下端から下に延長される第１ポートと、
    前記第１ポートの下に延長され、前記第１ポートから遠くなる方向に行くほど幅が増加する第２ポートを含み、
    前記第１ポートと前記第２ポートとの間の角度は鈍角で提供されることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  7. 前記第１ポートの上下方向での長さは前記ノズルの吐出端の内径より小さく提供されることを特徴とする請求項６に記載の基板処理装置。
  8. 前記処理液は感光液を含み、
    前記洗浄液はシンナー(Thinner)を含むことを特徴とする請求項１乃至請求項７のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
  9. 基板処理装置であって、
    基板を処理する処理空間を有する処理容器と、
    前記処理容器の一側に位置され、処理液を吐出するノズルが待機される待機ポートと、
    前記処理容器と前記待機ポートとの間に移動され、前記ノズルを有する液供給ユニットを含み、
    前記待機ポートは、
    内部に前記ノズルと洗浄液を収容可能な収容空間を有するノズル洗浄部を含むノズル収容部材と、
    前記ノズル洗浄部の側面に提供されて前記洗浄液を前記ノズルに供給する吐出口を有する吐出部を含み、
    前記吐出口は上面から見た時前記吐出口は前記ノズルの少なくとも一部と重畳されるように前記ノズルの中心軸の外側に提供され、
    前記ノズル洗浄部は複数個で提供され、お互いの間に独立されるように位置され、上部から眺める時一方向に沿って配列され、
    前記待機ポートは、
    前記複数個のノズル洗浄部の配列方向と垂直な方向に連通されるように提供されるあふれ防止ホールを含み、
    前記待機ポートは、
    前記ノズル収容部材の下部面に提供され、かつ前記洗浄液が左右に移動することを防止する移動防止溝または構造物を含み、
    前記移動防止溝または構造物は前記ノズル洗浄部と前記あふれ防止ホールのまわりに沿って延長されることを特徴とする基板処理装置。
  10. 前記吐出口から供給される洗浄液は前記ノズルの外面に沿って回転され、
    洗浄液は前記ノズルの外面のうちで吐出口方向の反対側に位置される面まで回転されるように前記待機ポートが構成されることを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
  11. 前記待機ポートは、
    前記ノズル収容部材に結合され、前記吐出口に前記洗浄液を供給する洗浄液供給配管を固定する配管固定部材を含み、
    前記配管固定部材は前記洗浄液供給配管が挿入される配管挿入ホールと、前記配管挿入ホールに形成される漏水防止溝または防止する構造物を含むことを特徴とする請求項９に記載の基板処理装置。
  12. 前記処理液は感光液を含み、
    前記洗浄液はシンナー(Thinner)を含むことを特徴とする請求項９乃至請求項１１のうちで何れか一つに記載の基板処理装置。
  13. 請求項１の装置を利用して基板を処理する方法（基板処理方法）であって、
    前記ノズルは前記待機ポートに移動される前に前記ノズルの吐出端に満たされた処理液をサックバックして前記吐出端に第１ガス層を形成する第１ガス層形成段階と、
    前記第１ガス層を形成した状態で前記収容空間に前記吐出端を挿入して前記吐出端を洗浄する吐出端洗浄段階と、
    前記吐出端が前記洗浄液に浸された状態で前記洗浄液をサックバックして液層を形成する液層形成段階と、
    前記収容空間に満たされた前記洗浄液を排出した状態で前記ノズルをサックバックして前記吐出端に第２ガス層を形成する第２ガス層形成段階を含み、
    前記吐出端洗浄段階では、
    前記洗浄液が前記ノズルの外面のうちで前記洗浄液の吐出方向の反対側に位置される面まで回転されるように吐出されることを特徴とする基板処理方法。
  14. 前記吐出端洗浄段階では、
    前記ノズルに吐出される洗浄液によって前記収容空間が満たされ、
    前記ノズルは前記第１ガス層が形成された状態で前記収容空間に満たされた前記洗浄液に前記吐出端が浸されるように前記収容空間に挿入されて前記吐出端を洗浄することを特徴とする請求項１３に記載の基板処理方法。
  15. 前記処理液は感光液を含み、
    前記洗浄液はシンナーを含むことを特徴とする請求項１３または請求項１４に記載の基板処理方法。
JP2021209136A 2020-12-31 2021-12-23 基板処理装置及び方法 Active JP7417577B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2023173466A JP2024012309A (ja) 2020-12-31 2023-10-05 基板処理装置及び方法

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020200189124A KR102635382B1 (ko) 2020-12-31 2020-12-31 기판 처리 장치 및 방법
KR10-2020-0189124 2020-12-31

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023173466A Division JP2024012309A (ja) 2020-12-31 2023-10-05 基板処理装置及び方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2022105296A JP2022105296A (ja) 2022-07-13
JP7417577B2 true JP7417577B2 (ja) 2024-01-18

Family

ID=82116923

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2021209136A Active JP7417577B2 (ja) 2020-12-31 2021-12-23 基板処理装置及び方法
JP2023173466A Pending JP2024012309A (ja) 2020-12-31 2023-10-05 基板処理装置及び方法

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023173466A Pending JP2024012309A (ja) 2020-12-31 2023-10-05 基板処理装置及び方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20220205100A1 (ja)
JP (2) JP7417577B2 (ja)
KR (1) KR102635382B1 (ja)
CN (1) CN114695196A (ja)
TW (1) TWI813112B (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220097680A (ko) * 2020-12-30 2022-07-08 세메스 주식회사 노즐 대기 포트와 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 이를 이용한 노즐 세정 방법
JP2022124070A (ja) * 2021-02-15 2022-08-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置、および、筒状ガードの加工方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010062352A (ja) 2008-09-04 2010-03-18 Tokyo Electron Ltd 液処理におけるノズル洗浄、処理液乾燥防止方法及びその装置
JP2013243284A (ja) 2012-05-22 2013-12-05 Sokudo Co Ltd 現像処理装置
JP2013251409A (ja) 2012-05-31 2013-12-12 Tokyo Electron Ltd ノズル洗浄装置、ノズル洗浄方法および基板処理装置
JP2016162865A (ja) 2015-02-27 2016-09-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理装置の制御方法
JP2017092239A (ja) 2015-11-10 2017-05-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス ノズル待機装置および基板処理装置
JP2019079886A (ja) 2017-10-23 2019-05-23 東京エレクトロン株式会社 ノズル待機装置、液処理装置及び液処理装置の運転方法並びに記憶媒体
US20190317408A1 (en) 2018-04-16 2019-10-17 Semes Co., Ltd. Method and apparatus for processing substrate

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4582654B2 (ja) * 2006-05-23 2010-11-17 東京エレクトロン株式会社 ノズル洗浄装置、ノズル洗浄方法、ノズル洗浄プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体
KR100895030B1 (ko) * 2007-06-14 2009-04-24 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이에 구비된 노즐의 세정 방법
KR102065599B1 (ko) * 2018-04-06 2020-01-13 세메스 주식회사 노즐 세정 장치 및 이를 포함하는 기판 처리 장치

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010062352A (ja) 2008-09-04 2010-03-18 Tokyo Electron Ltd 液処理におけるノズル洗浄、処理液乾燥防止方法及びその装置
JP2013243284A (ja) 2012-05-22 2013-12-05 Sokudo Co Ltd 現像処理装置
JP2013251409A (ja) 2012-05-31 2013-12-12 Tokyo Electron Ltd ノズル洗浄装置、ノズル洗浄方法および基板処理装置
JP2016162865A (ja) 2015-02-27 2016-09-05 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理装置の制御方法
JP2017092239A (ja) 2015-11-10 2017-05-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス ノズル待機装置および基板処理装置
JP2019079886A (ja) 2017-10-23 2019-05-23 東京エレクトロン株式会社 ノズル待機装置、液処理装置及び液処理装置の運転方法並びに記憶媒体
US20190317408A1 (en) 2018-04-16 2019-10-17 Semes Co., Ltd. Method and apparatus for processing substrate

Also Published As

Publication number Publication date
KR102635382B1 (ko) 2024-02-14
CN114695196A (zh) 2022-07-01
US20220205100A1 (en) 2022-06-30
TWI813112B (zh) 2023-08-21
TW202227200A (zh) 2022-07-16
KR20220097765A (ko) 2022-07-08
JP2024012309A (ja) 2024-01-30
JP2022105296A (ja) 2022-07-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7417577B2 (ja) 基板処理装置及び方法
JP7168699B2 (ja) 基板処理装置
US8739729B2 (en) Chemical liquid supply unit, and substrate treating apparatus and method using the same
US11309194B2 (en) Substrate liquid treatment apparatus
KR101901012B1 (ko) 기판 처리 장치
JP6986917B2 (ja) 基板液処理装置
JP6792368B2 (ja) 熱処理装置、基板処理装置および熱処理方法
JP2005340661A (ja) 液処理装置及び液処理方法
KR20100103375A (ko) 도포 현상 장치, 도포 현상 방법 및 기억 매체
JP7250868B2 (ja) 洗浄ジグ、これを含む基板処理装置、そして基板処理装置の洗浄方法
JP2003324049A (ja) 基板処理装置
KR102288984B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP7304932B2 (ja) ノズル待機ポートとこれを含む基板処理装置及びこれを利用したノズル洗浄方法
KR102616521B1 (ko) 기판 처리 장치, 처리액 공급 장치 및 처리액 공급 방법
KR20210042628A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2906103B2 (ja) 処理装置
JP4034285B2 (ja) 温度調節システム及び温度調節方法
JP7445698B2 (ja) 基板処理装置及び方法
KR102415323B1 (ko) 노즐 유닛 및 기판 처리 장치
JP7357111B1 (ja) 基板処理装置
KR102259066B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP4043423B2 (ja) 現像装置及び現像方法
KR102281045B1 (ko) 기판 처리 장치 및 방법
JP2001327909A (ja) 処理液吐出装置
KR20220084537A (ko) 액 공급 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20211223

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20221130

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20221206

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230228

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20230606

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20231005

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20231121

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20231212

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20240105

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 7417577

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150