JP2005340661A - 液処理装置及び液処理方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 静止した状態の基板の表面に処理液を供給して処理するにあたり、基板の裏面側に処理液が回り込むのを抑制して良好に洗浄すること
【解決手段】 基板保持部に水平に保持された基板に処理液を供給して所定の処理を行うにあたり、例えば処理液を供給する前に基板の裏面に全周に亘って対向する吐出口から洗浄液を吐出すると共に、この基板の裏面側に供給された洗浄液及び基板の表面から回り込んでくる液を基板の裏面に全周に亘って吸引口が対向する第1の吸引手段から吸引することにより、基板の裏面に沿って例えば内側から外側に向かって流れる洗浄液の液流を形成する構成とする。この場合、例えば回転による液の振り切り作用を頼らなくとも、基板の表面側から裏面側に回り込む液を抑制することができるので基板を良好に洗浄することができる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、例えば表面にレジストなどの塗布液を塗布して露光した後の基板に対して、例えば現像液などの処理液を供給して所定の処理をする液処理装置及び液処理方法に関する。
従来、半導体製造工程の一つであるフォトレジスト工程においては、例えば半導体ウエハ(以下、「ウエハ」という)の表面に薄膜状にレジストを塗布し、露光により所定の回路パターンを転写した後、処理液である現像液を供給して現像することにより当該ウエハの表面にマスクパターンを形成している。このような処理は、一般にレジストの塗布・現像を行う塗布・現像装置に、露光装置を接続したシステムを用いて行われる。
従来の現像処理は以下のように行われる。先ず、例えば図14(a)に示すように、ウエハWを鉛直軸回りに回転可能なスピンチャック1に水平姿勢にウエハWを保持した状態にて、例えばウエハWの直径と同じ長さの直線状の吐出口を備えた現像液ノズル11を表面から僅かに浮かせてスライド移動(スキャン)させながら現像液Dを供給し、ウエハWを現像する。続いて、例えば図14(b)に示すように、ウエハWを鉛直軸回りに回転させると共に、上側リンスノズル12からウエハWの表面中央部にリンス液R例えば純水を供給し、更に下側リンスノズル13からウエハWの裏面側周縁部にリンス液Rを夫々供給する。これらリンス液Rは、回転するウエハWの遠心力の作用によりウエハWの表面全体及び裏面側周縁部の全周に亘って夫々広がり、これによりウエハWは洗浄される。更に続いて、例えば図14(c)に示すように、ウエハWを高速回転させてリンス液Rを振り飛ばすスピン乾燥が行われる。
ここで、ウエハWの表面に現像液Dを供給すると、その表面張力によりウエハWの側周面を介して裏面側に現像液Dが回り込むことがあり、現像液Dが裏面内側まで広がった現像液Dを除去するには洗浄機構が大掛かりになってしまう。そのためウエハWの裏面側周縁部に全周に亘って液膜(液シール)を形成することによりウエハWの側周面を介して裏面側に現像液Dが回り込むのを抑制する手法が知られている(例えば、特許文献1及び特許文献2参照。)。この液シールを形成する手法について図15を用いて簡単に説明する。図中14はウエハWの裏面側周縁部と僅かな隙間を介して対向する円筒壁であり、この円筒壁14の上端面は周方向に沿って溝などが形成されている。そして、例えば現像液DをウエハW表面に供給する前に、ウエハWを鉛直軸周りに回転させると共に下側リンスノズル13からウエハWの裏面と円筒壁14の上端面との隙間に例えば純水を供給することにより、ウエハWと円筒壁14との隙間に全周に亘って表面張力により純水が保持され、これにより液シール15が形成されて現像液Dの回り込みが抑制される。
特許第2903284号明細書(第2実施例、図11、12) 特許第3198377号明細書(段落0054、図11)
ところで、近年、ウエハWは大型化しており、上述のようにウエハWを回転させて遠心力の作用によりリンス液RをウエハW表面に広げ、更にスピン乾燥を行うようにすると、大型化した分において中央部と周縁部との間の回転速度の差が大きくなってしまう。そのため洗浄効率及び乾燥効率が面内で不均一となったり、また回転速度の大きい周縁部ではレジストパターンの転倒(パターン倒れ)が起きる懸念がある。更には、ウエハWを回転させるための回動機構が大型化してしまい、例えばユニット化した現像装置を積層して塗布・現像装置に組み込むのが困難になる場合がある。そのため本発明者らによりウエハWを回転させないで、例えばウエハWを静止した状態で洗浄及び乾燥を行う手法の検討が進められており、これに併せてウエハWを静止した状態で液シールを形成して現像液Dの回り込みを抑制する手法の検討が必要になっている。
本発明はこのような事情の基づいてなされたものであり、その目的は、例えば静止した状態の基板の表面に処理液を供給して処理するにあたり、基板の裏面側に処理液が回り込むのを抑制して良好に洗浄することのできる液処理装置及びその方法を提供することにある。
本発明の液処理装置は、基板を水平に保持する基板保持部と、
この基板保持部に保持された基板の表面に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部に保持された基板の表面に処理液が供給されて液処理が行われた後、当該基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、
前記基板保持部に保持された基板の裏面側の周縁部に洗浄液を供給するために、基板の全周に亘って吐出口が開口する洗浄液供給部と、
この洗浄液供給部により基板の裏面側に供給された洗浄液を吸引して、基板の裏面に沿って内側及び外側の一方側から他方側に向かって流れる洗浄液の液流を形成し、基板の表面側から裏面側に回り込む液を当該洗浄液の液流と共に吸引するために、当該基板の裏面の全周に亘って吸引口が対向する第1の吸引手段と、を備えたことを特徴とする。
前記「基板の全周に亘って吐出口が開口する洗浄液供給部」とは、吐出口から洗浄液を静止している基板の周縁に向けて吐出したときに、基板の周縁部全体に洗浄液が行きわたるように設けられているという意味であり、具体的には、基板が例えばウエハであれば、ウエハと同心円状に吐出口をなすスリットが形成されている場合つまりリング状にスリットが形成されている場合、あるいは吐出口をなす多数の孔がリングのラインに沿って狭い間隔例えば30mm以内で配列されている場合などをいう。また「基板の裏面に全周に亘って吸引口が対向する」とは、基板が静止しているときに洗浄液供給部から供給された洗浄液を吸引することで基板の全周に亘って内側及び外側の一方から他方に向かう液流が形成されるように吸引口が設けられていることを意味し、吸引口がリング状のスリットである場合、あるいは多数の孔がリングのラインに沿って狭い間隔例えば30mm以内で配列されている場合などをいう。
この発明の具体的な態様としては、前記洗浄液供給部からの洗浄液の供給を止めた後に、基板の裏面に乾燥用の気体を供給する気体供給部が設けられる。また基板の表面に処理液を供給しているとき及び洗浄液を供給しているときに前記洗浄液の液流が形成されるように洗浄液供給部及び第1の吸引手段を制御する制御部が設けられる。
この発明の更に具体的な態様の例を以下に列挙する。洗浄液供給部の洗浄液の吐出口と第1の吸引手段の吸引口との間には、これら吐出口及び吸引口よりも高い越流部が形成され、この越流部と基板の裏面との間に液流によるシール部が形成される。洗浄液供給部は、第1の吸引手段よりも基板の内側に位置し、前記洗浄液の液流は基板の内側から外側に向かうように形成される。
洗浄液の液流が基板の内側から外側に向かうように形成する構成においては、洗浄液供給部及び第1の吸引手段よりも基板の外側に設けられ、基板の表面から零れ落ちた液を吸引する第2の吸引手段を更に備えた構成、
洗浄液供給部の洗浄液の吐出口と第1の吸引手段の吸引口との間に形成される液流部の吸引口側は吸引口に向かって傾斜している構成、
前記基板の裏面に対向し、前記洗浄液供給部から吐出された洗浄液の液流に接触する部材の内側部位は疎水性部材により形成され、その外側部位は親水性部材により形成される構成、などを採用することが好ましい。
また気体供給部は、基板の中央部を保持する基板保持部を兼ね、内部がバッファ室となる平面形状が円形の空洞体と、この空洞体の周方向に沿って設けられ、外方に向かって気体を吐出する気体吐出口と、を備えるようにしてもよい。更にまた洗浄液供給部の洗浄液吐出口と気体供給部の気体吐出口とは共通化されていてもよい。洗浄液供給部及び第1の吸引手段よりも外側に、基板の表面からの液の回り込みを規制する規制部材を設けるようにしてもよい。
また本発明の液処理方法は、基板を水平に保持する工程と、
この基板が静止している状態で当該基板の表面に処理液を供給して液処理を行う工程と、
次いで前記基板が静止している状態で当該基板の表面に洗浄液を供給する工程と、
前記基板の表面に処理液を供給しているとき及び洗浄液を供給しているときに、基板の裏面に沿ってかつ基板の全周に亘って内側及び外側の一方側から他方側に向かって流れる洗浄液の液流を形成し、基板の表面側から裏面側に回り込む液を当該洗浄液の液流と共に吸引する工程と、を含むことを特徴とする。なお「基板が静止している状態」とは、基板を回転させてその遠心力で洗浄液を振り切るいわゆるスピン洗浄を行うためではなく、洗浄液を遠心力で振り切れない程度の回転数で基板を回転させた場合にも、本発明の効果は得られるため、このような基板の回転は、本発明でいう基板が静止している状態と等価であるため、本発明の技術的範囲に含まれるものとする。
本発明によれば、基板の表面に処理液を供給しているとき及び洗浄液を供給しているときに、基板の裏面に沿ってかつ基板の全周に亘って内側及び外側の一方側から他方側に向かって流れる洗浄液の液流を形成し、基板の表面側から裏面側に回り込む液を当該洗浄液の液流と共に吸引するようにしているため、基板を回転させて液を振り切る作用がなくとも、基板の表面から裏面側に回り込んで内側に向かおうとする液(処理液や処理液の成分を含む洗浄液)は、内側から外側あるいはその逆向きの液流に引き込まれるので、良好に洗浄することができる。
本発明の実施の形態に係る液処理装置について図1及び図2を参照しながら以下に説明するが、ここでは処理液の一つである現像液を基板に供給して現像する現像装置を一例に挙げて説明する。図中2は基板例えばウエハWを水平姿勢に保持するための昇降自在な基板保持部である平面形状が円形のバキュームチャックである。このバキュームチャック2の表面にはウエハWの裏面側中央部を吸引吸着するための図示しないバキューム孔が設けられている。このバキューム孔は、図示は省略するが、吸引路を介して吸引手段例えば吸引ポンプと接続されており、当該吸引手段によりバキューム孔を負圧にしてその表面にウエハWの裏面が吸引吸着されるように構成されている。
前記バキュームチャック2の表面に保持されたウエハWの側方及び下方を囲むようにして液受け部をなす矩形のカップ体21が設けられており、このカップ体21の底部にはウエハW表面からこぼれ落ちた現像液やリンス液などのドレインを排出するための排出口22が設けられている。更に、バキュームチャック2の側周面には、ウエハWの裏面と後述する裏面洗浄部との間の隙間に乾燥用気体例えば温度及び湿度が調整された乾燥空気又は乾燥窒素を供給するための気体吐出口である例えば細径の気体噴射孔23が周方向に狭い間隔例えば8mm以下の間隔をおいて形成されている。これら気体噴射孔23はバキュームチャック2の内部の例えば中央部に形成された気体貯留部24と流路25を介して連通しており、更に気体貯留部24は例えば垂立するチャック支持部26の内部に形成された流路を介して気体供給路27例えば配管の一端と接続されている。この気体供給路27の他端は気体の供給源28と接続されており、その途中には図示しない流量調整部が設けられている。なお、図中29は、バキュームチャック2と後述する裏面洗浄部との隙間から乾燥用気体が漏れるのを抑制するためのシール部材例えばO−リングである。但し、作図の便宜上、図2では記載を省略してある。
バキュームチャック2に保持されたウエハWの下方側には、当該ウエハWの裏面側周縁部と隙間をあけて対向する裏面洗浄部をなすリング部材3が設けられており、このリング部材3の外周縁は例えば上から見てウエハWの外周縁の投影領域と重なるように形成されている。更に、リング部材3の上端面の外周縁寄りの部位には、各々周方向に全周に亘って形成された例えば幅1〜5mmの3本の溝が例えばウエハWの中心から同心円状に形成されている(作図の便宜上、図2では記載を省略する)。本例ではこれらの溝を外側から順に外側溝31、中央溝32、内側溝33と呼ぶものとすると、外側溝31の外周縁はリング部材3の外周縁から例えば1〜5mm内側にあたる位置に設定されている。つまりリング部材3の上端面のうち外側溝31の外周縁よりも外側にある部位の水平断面の幅は例えば1〜5mmに設定されている。更にこの部位は例えば外方下方側に傾斜しており、その先端部とウエハWの裏面との隙間は例えば0.1〜3mmに設定されている。
前記リング部材3について図3を用いて詳しく説明すると、前記各溝31〜33は、垂立する外周面(垂立面)と外方下方側に傾斜する内周面(傾斜面)とにより断面V字状に各々形成されており、互いに隣り合う溝31(32)と溝32(33)との間に形成される断面三角状の凸部は第1の越流部34及び第2の越流部35として夫々形成されている。この第2の越流部35の上端部はリング部材3の表面よりも高く例えばウエハWの裏面との隙間が0.1〜3mmに設定されており、また第1の越流部34はその上端部が例えば前記第2の越流部35の上端部よりも例えば0.5〜2mm低く形成されており、例えばウエハWの裏面との隙間が0.5〜3mmに設定されている。なお、リング部材3の上端面のうち内側溝33よりも内側にある部位と、ウエハWの裏面とにより形成される隙間は、上記気体噴射孔23からの乾燥用気体が通流する流路として形成され、また内側溝33は上記気体噴射孔23から噴射された乾燥用気体のバッファ部として形成されている。このような構成とすれば、内側からの乾燥用気体を周方向に均一に広げることができるので得策である。
前記中央溝32の表面のうち例えば外方下方側に傾斜した傾斜面の表面には、ウエハWの裏面に液シールを形成するためのシール水を兼用する洗浄液例えば純水を吐出する洗浄液吐出口をなす例えば幅1mmのスリット状の吐出口4が周方向に沿って例えば全周に亘って形成されている。この吐出口4は洗浄液供給部を構成する。また、吐出口4はリング部材3の内部に形成された流路41と接続され、流路41の途中にはバッファ部をなす液貯留部41aが形成されている。そして更に、流路41には供給路42例えば配管の一端が接続されており、この供給路42の他端は洗浄液の供給源43と接続され、その途中には図示しない流量調整部が設けられている。
前記外側溝31の表面のうち例えば外方下方側に傾斜した傾斜面の表面には、前記吐出口4からの洗浄液及び、液処理時においてウエハWの表面から裏面に回り込もうとする液例えば現像液及びリンス液を吸引するための吸引口をなす例えば幅1mmのスリット状の吐出口44が周方向に沿って例えば全周に亘って形成されている。即ち、吸引口44は前記吐出口4よりも外側(つまりウエハWの外周縁側)に設けられた構成である。この吸引口44は第1の吸引手段を構成する。また、吸引口44はリング部材3の内部に形成された流路45と接続され、流路45の途中にはバッファ部をなす流体貯留部45aが形成されている。そして更に、流路45には、吸引路46例えば配管の一端が接続され、この吸引路46の他端は吸引手段47例えば吸引ポンプやエジェクタなどと接続されており、その途中には図示しない吸引圧調整部が設けられている。
更に、リング部材3の少なくとも表面部は、例えば洗浄液に対し疎水性を有する材質例えばポリプロピレン(PP)などの樹脂、四弗化エチレンパーフロロアルコキシエチレン(PFA)やポリテトラフルオロエチレン(PTFE)などのフッ素系の樹脂の中から選択される材質により形成されている。疎水性を有するとは例えば洗浄液との接触角が50度以上あることを意味する。またリング部材3の上端面のうち、外側溝31の表面及び中央溝32の表面は例えば洗浄液に対し親水性を有するように例えばプラズマ照射やUV照射などの表面処理がなされている。親水性を有するとは、例えば洗浄液との接触角が50度以下であることを意味する。即ち、リング部材3の上端面は、内側から順に疎水性→親水性→疎水性を有している。なお、外側溝31の外側にある疎水性の部位は、詳しくは後述するが、ウエハWとリング部材3との間の隙間内に現像液及びリンス液が浸入するのを規制するための液規制部材として構成される。
なお洗浄液吐出口及び吸引口は必ずしもスリット状に形成しなくともよく、例えば図4に示すように、例えば直径0.5mmの細径の吐出孔4を周方向に例えば1mm以下の狭い間隔をおいて並べることで洗浄液吐出口を形成し、また例えば直径2mmの細径の吸引孔44を周方向に例えば10mm以下の狭い間隔をおいて並べることで吸引口を形成するようにしてもよい。
説明を図1及び図2に戻し、バキュームチャック2に保持されたウエハWの上方には、当該ウエハWの表面に現像液を供給するためのウエハWの有効領域(デバイス形成領域)の幅と同じか又はこの幅よりも長い直線状の吐出口50を備えた進退自在且つ昇降自在な現像液ノズル5がウエハWの表面と対向して設けられている。前記直線状の吐出口50はスリット状に形成することもあり、また複数の細径の吐出孔をノズルの長手方向に並べて形成することもある。この現像液ノズル5は供給路51例えば配管を介して現像液の供給源52と接続されており、その途中には図示しない流量調整部が設けられている。現像液ノズル5について吐出口50がスリット状に形成された例を図5を用いて詳しく説明すると、吐出口50は内部に形成された液貯留部53と連通しており、その途中には長さ方向において均一に現像液を吐出するための干渉棒54が内壁面と隙間をあけて設けられている。更に液貯留部53は供給口55と連通しており、この供給口55に前記供給路51が接続されている。
更に、例えば現像後のウエハWの表面に洗浄液であるリンス液例えば純水を供給するためのリンスノズル6がウエハWの表面と対向する位置まで進退自在且つ昇降自在に設けられている。このリンスノズル6は例えば上記現像液ノズル5と同じ形状に構成されており、ウエハWの有効領域の幅と同じか又はこの幅よりも長い直線状の吐出口60を有している。またリンスノズル6は供給路61例えば配管を介してリンス液の供給源62と接続されており、その途中には図示しない流量調整部が設けられている。
また更に、前記リンスノズル6によりウエハW表面に供給されたリンス液を吸引除去することによりウエハWを乾燥させるための吸引ノズル63がウエハWの表面と対向する位置まで進退自在且つ昇降自在な設けられている。この吸引ノズル63は例えば上記現像液ノズル5と同じ形状に構成されており、ウエハWの有効領域の幅と同じか、又はこの幅よりも長い直線状の吸引口64を有している。また吸引ノズル63は吸引路65例えば配管を介して吸引手段66例えば吸引ポンプやエジェクタなどと接続されており、その途中には図示しない吸引圧調整部が設けられている。
上述の現像液ノズル5、リンスノズル6及び吸引ノズル63は、ノズルアーム7,71,72により各々独立して支持されており、このノズルアーム7,71,72の基端側は移動基体73,74,75と夫々接続されている(図2参照)。更に、各々の移動基体73,74,75は図示しない昇降機構を備えており、これにより現像液ノズル5,リンスノズル6及び吸引ノズル63を各々独立して昇降可能なように構成されている。また移動基体73,74,75は、バキュームチャック2上のウエハWのY方向に伸びる直径と並んで伸びるガイドレール76により支持されており、図示しない駆動機構により各々独立してスライド移動可能なように構成されている。なお、図2では一本のガイドレール76に移動基体73,74,75を支持した構成を記載しているが、各々の移動基体73,74,75に対して専用のガイドレールを設けた構成とすることもある。
なお、図示は省略するが、バキュームチャック2の表面には前記気体貯留部24及び流路25と干渉しないように貫通孔が形成されており、この貫通孔を介して例えば3本の基板支持ピンが突没自在に設けられている。当該基板支持ピンは、例えば装置の外部から進入してくる図示しないウエハ搬送手段との協働作用によりバキュームチャック2にウエハWの受け渡しをするように構成されている。
上記現像装置は図示しない制御部を備えており、この制御部は上述のバキュームチャック2のバキューム孔を負圧にするための吸引手段、現像液及びリンス液の流量調整部、吸引ノズル63の吸引圧調整部、移動基体73,74,75などの動作、並びに吐出口4から洗浄液を吐出する動作及び吸引手段47により吸引口44を吸引手段47により負圧にする動作を制御する機能を有している。
続いて、例えば表面にレジストを塗布し、露光した後の基板例えばウエハWを上述の現像装置を用いて現像する工程について図6を参照しながら説明する。先ず、各ノズル5,6,63がカップ体21の外側の待機位置にある状態にて、図示しないウエハ搬送手段により図示しないウエハ搬送口を介して装置内にウエハWが搬入され、バキュームチャック2の上方位置に案内される。次いで、このウエハ搬送手段と図示しない基板支持ピンとの協働作用によりウエハWはバキュームチャック2に受け渡され、水平姿勢に吸着保持される。
続いて、例えば図6(a)に示すように、吐出口4から洗浄液L例えば純水を吐出してウエハWの裏面側周縁部に供給すると共に、吸引手段47により吸引口44を負圧状態にする。ウエハWに供給された洗浄液Lは、例えば図7に模式的に示すように、ウエハWの裏面に沿って外側に向かい、第1の越流部34を乗り越えて外側溝31に流れ込み、そして吸引口44から吸引される。即ち、ウエハWの裏面に沿って内側から外側に流れる液流が全周に亘って形成され、これによりウエハWの裏面周縁部と第1の越流部34との隙間に洗浄液Lにより液シール(シール部)が形成される。
続いて、ウエハWの表面から例えば0.1〜5mm浮かせた位置であって且つウエハWの一端縁の僅かに外側の吐出開始位置に現像液ノズル5が配置され、例えば図6(b)に示すように、その吐出口50から現像液Dを吐出すると共に当該現像液ノズル5をウエハWの一端から他端に向かってスライド移動(スキャン)させることにより、ウエハWの表面に現像液Dの液膜を形成する。このときウエハWの表面からこぼれ落ちる現像液Dは、例えば図8に模式的に示すように、その殆どはリング部材3の外周面に沿って落下するが、僅かながらウエハWとリング部材3との隙間に例えば毛細管現象により浸入する。この浸入した現像液Dは洗浄液Lと共に吸引口44から吸引される。そして例えば現像液ノズル3がウエハWの他端を通過するタイミングに合わせて、吐出口4からの洗浄液Lの吐出動作及び吸引口44の吸引動作を停止し、ウエハWの表面に現像液Dの液膜が形成された状態を例えば所定の時間保持して静止現像が行われる。このときレジストの一部が現像液に溶解し、残ったレジストによりマスクパターンが形成される。なお、ウエハWの他端を通過した現像液ノズル5は現像液の吐出を停止すると共に更に前方側に移動してから待機する。
前記静止現像が終わると、吐出口4からの洗浄液Lの吐出動作及び吸引口44からの吸引動作を再開して前記した場合と同様に液流(液シール)を形成する。その後、リンスノズル6が既述の吐出開始位置に配置され、例えば図6(c)に示すように、その吐出口60からリンス液Rを吐出すると共に当該リンスノズル6をウエハWの一端から他端に向かってスキャンさせることによりウエハWの表面に付着した現像液がリンス液Rに置換され、ウエハWが洗浄される。リンス液Rも現像液Dと同様にその殆どはリング部材3の外周縁に沿って落下するが、僅かなリンス液RはウエハWとリング部材3との隙間に例えば毛細管現象により浸入する。浸入したリンス液Rは洗浄液Lと共に吸引口44から吸引される(図8参照)。なお、1回のスキャンでは現像液の置換が充分でない場合など、その洗浄具合によってはリンスノズル6をウエハWの他端から一端に向かってスキャンさせるようにしてもよく、更にはこの往復動作を複数回例えば2〜3回繰り返すようにしてもよい。しかる後、リンスノズル6はリンス液Rの吐出を停止すると共にウエハWの他端側の更に前方に移動して待機する。
続いて、例えば図6(d)に示すように、吐出口4の吐出動作を停止して洗浄液L(シール水)を吸引口44から吸引してしまう一方で、気体噴射口23から乾燥用気体を噴射する。噴射された乾燥用気体はリング部材3の表面とウエハWの裏面との隙間を外側に向かって広がり、この乾燥用気体によりウエハWの裏面側およびリング部材3の上端面が乾燥される。更に乾燥用気体は表面張力によりウエハWの側周面にまで回り込んで当該側周面を乾燥させる。
更に続いて、ウエハWの表面から例えば0.01〜5mm浮かせた位置であって且つウエハWの一端縁の僅かに外側の吸引開始位置に吸引ノズル63が配置され、例えば図6(e)に示すように、吸引手段66により吸引口64を負圧状態にすると共に当該吸引ノズル63をウエハWの一端から他端に向かってスキャンさせる。ウエハWの表面に付着しているリンス液Rは吸引口64から吸引され、これによりウエハW表面が乾燥される。なお、1回のスキャンでは吸引が充分でない場合など、その吸引具合によっては吸引ノズル63をウエハWの他端から一端に向かってスキャンさせるようにしてもよく、更にはこの往復動作を複数回例えば2〜3回繰り返すようにしてもよい。なお、吸引ノズル63は吸引動作を停止すると共にウエハWの他端側の更に前方に移動して待機する。しかる後、気体噴射孔23からの気体噴射を停止し、バキュームチャック2の吸引動作が停止された後、バキュームチャック2からウエハ搬送手段にウエハWが受け渡され、ウエハWは装置の外部に搬出される。
上述の実施の形態によれば、現像液ノズル5からの現像液をウエハWの表面に供給しているとき及びリンスノズル6からのリンス液をウエハWの表面に供給しているときに、ウエハWの裏面に沿ってかつ当該ウエハWの全周に亘って吐出口4から吸引口44に向かって流れる洗浄液の液流を形成すると共に、ウエハWの表面側から裏面側に回り込む現像液及びリンス液を当該洗浄液の液流と共に吸引口44から吸引する構成とすることにより、例えばウエハWを回転させて液を振り切る作用がなくとも裏面側周縁部に全周に亘って内側から外側に向かう液流からなるシール部を形成することができる。このためウエハW表面からの現像液やリンス液の回り込みを抑制しつつウエハW裏面を良好に洗浄することができる。
更に上述の実施の形態によれば、外側溝31及び中央溝32の表面を親水性とし、その内側を疎水性とする構成としたことにより、吐出口4からの洗浄液は外側の親水性の部位に引っ張られ、また内側の疎水性の部位が洗浄液をいわば後押しすることとなり、このため外側から内側に向かう液流の形成を促進させることができる。その結果、前記吸引口44の吸引作用と相俟ってウエハWの裏面側周縁部に全周に亘ってシール部をより確実に形成することができる。更には、リング部材3の上端面のうち、外側溝31よりも外側にある部位を疎水性とする構成としたことにより、ウエハWとリング部材3との隙間に現像液及びリンス液が浸入することが抑制されるので、前記シール部による回り込み抑制作用と相俟って裏面側への回り込みをより確実に抑えることができる。
更に上述の実施の形態によれば、第1の越流部34の内側に第2の越流部35を配置し、この第2の越流部35の上端部の高さよりも第1の越流部34の上端部を低く設定したことにより、洗浄液が内側に向かうのを抑えて外側に向かう液流の形成を促進させることができる。その結果、前記吸引口44の吸引作用と相俟ってウエハWの裏面側周縁部に全周に亘ってシール部をより確実に形成することができる。更にまた、上述の実施の形態によれば、中央溝32の表面のうち外方下方側に傾斜した面の表面、つまり第2の越流部35の表面のうち吸引口44側の傾斜面に洗浄液の吐出口4を形成したことにより、洗浄液が内側に向かうのを抑えて外側に向かう液流の形成を促進させることができる。つまり、液流の流れ方向とは逆の方向に洗浄液が向かうのを抑制することができる。その結果、前記吸引口44の吸引作用と相俟ってウエハWの裏面側周縁部に全周に亘ってシール部をより確実に形成することができる。
更に上述の実施の形態によれば、現像後のウエハWの表面にリンス液を供給しているときに、このウエハWの表面側から裏面側に回り込むリンス液を洗浄液の液流と共に吸引口44から吸引する構成とすることにより、ウエハWの裏面のシール部の外側にある部位、つまり外側溝31よりも外側にあたる部位に現像液が付着していてもリンス液で洗い流すことができるので、結果としてウエハWの裏面の洗浄を良好に行うことができる。
上述の実施の形態においては、気体噴射口23はバキュームチャック2に設けた構成に限られず、例えば図9に示すように、吐出口4が気体噴射口23を兼用するようにしてもよい。この場合、例えば吐出口4と流路41を介して接続された供給路42を分岐させて洗浄液の供給源43及び乾燥用気体の供給源28と夫々接続し、その途中に設けられた切り替え部8例えば三方バルブを切り替えることにより洗浄液及び乾燥用気体のいずれか一方を吐出可能な構成とする。このような構成であっても上述の場合と同様の効果を得ることができる。
但し、図1及び図2に記載のように、バキュームチャック2の内部に形成された気体貯留部24に乾燥用気体を供給し、側周面に形成された気体噴射口23から放射線状に噴射する構成とすれば、その周方向においてより均一に気体を噴射することができ、結果としてウエハWの裏面をより確実に乾燥させることができるので得策である。そして更に、この例ではウエハWとリング部材3との間の隙間に気体を流すことで通流抵抗(圧力損失)を持たせることにより、更により確実に周方向に均一に気体を広げることができる。
更には、例えば図10に示すように、内側溝33の表面のうちの傾斜した内周面の表面に気体噴射口81を設けた構成であってもよく、この場合、乾燥用気体がより確実に外側に向かって広がるように内側溝33の内側に第3の越流部82を形成するのが好ましい。この第3の越流部82の上端部は、例えば第2の越流部34の上端部と同じか又はこれよりも高い位置(つまりウエハWの裏面に接近させた位置)に設定する。なお、図中83は、途中に気体貯留部83aが形成された乾燥気体の流路であり、図示は省略するが、この流路83に供給路を介して乾燥用気体の供給源28が接続されている。このような構成であっても上述の場合と同様の効果を得ることができる。
続いて本発明の液処理装置の一つである現像装置の他の実施の形態についで説明する。本実施例の現像装置は、リング部材3の構成が異なることを除いて図1及び図2記載の現像装置と装置構成は同じである。本例のリング部材3について図11を用いて以下に説明するが、図1及び図2記載のリング部材3と同じ構成を採用したところについては同じ符号を付して詳しい説明を省略する。当該リング部材3はウエハWの外周縁よりも外側に突出し、この突出した部位の上端面には例えば幅1〜5mmの溝84が形成されている。更に、当該溝84の内側及び外側に第4の越流部85及び第5の越流部86が夫々形成されており、この第4の越流部85及び第5の越流部86はウエハWとリング部材3との間の隙間内に現像液及びリンス液が浸入するのを規制するための液規制部材として構成される。第4の越流部85及び第5の越流部86の上端部の高さは、例えば横から見てウエハWの裏面との隙間が0.1〜3mmとなるように設定されている。
この溝84の表面の内の傾斜した内周面の表面にはウエハWの表面からこぼれ落ちる液例えば現像液及びリンス液を吸引するための第2の吸引手段をなす吸引口である例えばスリット状の吸引口85が周方向に例えば全周に亘って形成されている。この吸引口85はリング部材3の内部に形成された流路88と夫々接続され、この流路88の途中には流体貯留部88aが形成されている。更に、流路88には、吸引路88b例えば配管の一端が接続され、この吸引路88bの他端は吸引手段89例えば吸引ポンプやエジェクタなどと接続されており、その途中には図示しない吸引圧調整部が設けられている。また溝84の表面は現像液に対し親水性を有するように例えば表面処理されている。ここで言う親水性を有するとは、例えば現像液の接触角が50度以下であることを意味する。なお、吸引口は必ずしもスリット状に形成する必要はなく、例えば細径の吸引孔を周方向に狭い間隔をおいて並べて形成することもある。また本例では第4の越流部85及び第5の越流部86をウエハWの外周縁よりも外に突出させているが、第4の越流部85のみを外に突出させることもある。
この場合、例えば図6記載の工程と同じにしてウエハWの処理が行われるが、現像液ノズル5によりウエハWに現像液を供給する際、及びリンスノズル6によりウエハWにリンス液を供給する際に、吸引口85を負圧状態にしてウエハWの表面からこぼれ落ちる現像液及びリンス液を吸引する構成とする。この構成であっても上述の場合と同様の効果を得ることができ、更に本例によればウエハWの表面からこぼれ落ちる現像液及びリンス液を吸引口85から吸引することにより、液受けする量が少ない分においてカップ体21の容積を小さくすることができるので、結果として装置面積を小さくすることができるので得策である。またウエハWの表面からこぼれ落ちる現像液及びリンス液は吸引口85から速やかに吸引されるので、カップ体21内で例えばパーティクル発生の一因となり得る現像液及びリンス液のミストが発生することが少ない。更に、本例のリング部材3においては、ウエハWの外周縁よりも外に突出した部位と、内側の部位とを別個の部材で形成しておき、外側の部位を昇降する機構を設けた構成としてもよい。この場合であっても上述の場合と同様の効果を得ることができる。
本発明においては、ウエハWの裏面に沿って流れる液流は、ウエハWの内側から外側に向かって流れるように形成する構成に限られず、例えば吸引口44を吐出口4よりも内側に配置して、外側から内側に流れる液流を形成するようにしてもよい。この場合であっても上述の場合と同様の効果を得ることができる。更には、吸引口44を吐出口4の内側及び外側の両方に設けることにより、内側から外側に向かう液流と、外側から内側に向かう液流の両方を形成するようにしてもよい。
また本発明においては処理液は現像液に限られず、例えばウエハWの表面に液層を形成して露光する液浸露光を行う前にレジストが塗布されたウエハWの表面を浄液液例えば純水で洗浄し乾燥させる処理に適用することもできる。また処理する基板は半導体ウエハ以外の基板、例えばLCD基板、フォトマスク用レチクル基板であってもよい。
最後に本発明の液処理装置の一つである上述の現像装置が組み込まれた塗布・現像装置の一例について図12及び図13を参照しながら簡単に説明する。図中B1は基板であるウエハWが例えば13枚密閉収納されたキャリアCを搬入出するためのキャリア載置部であり、キャリアCを複数個載置可能な載置部90を備えたキャリアステーション9と、このキャリアステーション9から見て前方の壁面に設けられる開閉部91と、開閉部91を介してキャリアCからウエハWを取り出すための受け渡し手段A1とが設けられている。
キャリア載置部B1の奥側には筐体92にて周囲を囲まれる処理部B2が接続されており、この処理部B2には手前側から順に加熱・冷却系のユニットを多段化した棚ユニットU1,U2,U3と、後述する塗布・現像ユニットを含む各処理ユニット間のウエハWの受け渡しを行うウエハ搬送手段である主搬送手段A2,A3とが交互に配列して設けられている。即ち、棚ユニットU1,U2,U3及び主搬送手段A2、A3はキャリア載置部B1側から見て前後一列に配列されると共に、各々の接続部位には図示しないウエハ搬送用の開口部が形成されており、ウエハWは処理部B1内を一端側の棚ユニットU1から他端側の棚ユニットU3まで自由に移動できるようになっている。また主搬送手段A2、A3は、キャリア載置部B1から見て前後方向に配置される棚ユニットU1,U2,U3側の一面部と、後述する例えば右側の液処理ユニットU4,U5側の一面部と、左側の一面をなす背面部とで構成される区画壁93により囲まれる空間内に置かれている。また図中94、95は各ユニットで用いられる処理液の温度調節装置や温湿度調節用のダクト等を備えた温湿度調節ユニットである。
液処理ユニットU4,U5は、例えば図13に示すように塗布液(レジスト液)や現像液といった薬液供給用のスペースをなす収納部96の上に、塗布ユニットCOT、上述の現像装置をユニット化した現像ユニットDEV及び反射防止膜形成ユニットBARC等を複数段例えば5段に積層した構成とされている。また既述の棚ユニットU1,U2,U3は、液処理ユニットU4,U5にて行われる処理の前処理及び後処理を行うための各種ユニットを複数段例えば10段に積層した構成とされており、その組み合わせはウエハWを加熱(ベーク)する加熱ユニット、ウエハWを冷却する冷却ユニット等が含まれる。
処理部B2における棚ユニットU3の奥側には、例えば第1の搬送室97及び第2の搬送室98からなるインターフェイス部B3を介して露光部B4が接続されている。インターフェイス部B3の内部には処理部B2と露光部B4との間でウエハWの受け渡しを行うための2つの受け渡し手段A4、A5の他に、棚ユニットU6及びバッファキャリアC0が設けられている。
この装置におけるウエハの流れについて一例を示すと、先ず外部からウエハWの収納されたキャリアCが載置台90に載置されると、開閉部91と共に キャリアCの蓋体が外されて受け渡し手段AR1によりウエハWが取り出される。そしてウエハWは棚ユニットU1の一段をなす受け渡しユニット(図示せず)を介して主搬送手段A2へと受け渡され、棚ユニットU1〜U3内の一の棚にて、塗布処理の前処理として例えば反射防止膜形成処理、冷却処理が行われ、しかる後、塗布ユニットにてレジスト膜が形成されると、ウエハWは棚ユニットU1〜U3の一の棚をなす加熱ユニットで加熱(ベーク処理)され、更に冷却された後棚ユニットU3の受け渡しユニットを経由してインターフェイス部B3へと搬入される。このインターフェイス部B3においてウエハWは例えば受け渡し手段A4→棚ユニットU6→受け渡し手段A5という経路で露光部B4へ搬送され、露光が行われる。露光後、ウエハWは逆の経路で主搬送手段A2まで搬送され、現像ユニットDEVにて現像されることでレジストマスクが形成される。しかる後ウエハWは載置台90上の元のキャリアCへと戻される。
本発明の実施の形態に係る現像装置を示す縦断面図である。 上記現像装置の斜視図である。 上記現像装置の裏面洗浄部を示す説明図である。 上記現像装置の裏面洗浄部の他の例を示す説明図である。 上記現像装置の現像ノズルを示す説明図である。 上記現像装置を用いてウエハを現像する工程を示す説明図である。 ウエハの裏面に液シールを形成する様子を示す説明図である。 裏面洗浄部の他の例を示す説明図である。 裏面洗浄部の他の例を示す説明図である。 裏面洗浄部の他の例を示す説明図である。 裏面洗浄部の他の例を示す説明図である。 上記現像装置が組み込まれた塗布・現像装置を示す平面図である。 上記塗布・現像装置の斜視図である。 従来の現像工程を示す説明図である。 従来の液シールを形成する手法を示す説明図である。
符号の説明
W ウエハ
2 バキュームチャック
3 リング部材
31 外側溝
32 中央溝
33 内側溝
34 第1の越流部
35 第2の越流部
4 吐出口
44 吸引口
5 現像液ノズル
6 リンスノズル
63 吸引ノズル

Claims (19)

  1. 基板を水平に保持する基板保持部と、
    この基板保持部に保持された基板の表面に処理液を供給する処理液供給部と、
    前記基板保持部に保持された基板の表面に処理液が供給されて液処理が行われた後、当該基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、
    前記基板保持部に保持された基板の裏面側の周縁部に洗浄液を供給するために、基板の全周に亘って吐出口が開口する洗浄液供給部と、
    この洗浄液供給部により基板の裏面側に供給された洗浄液を吸引して、基板の裏面に沿って内側及び外側の一方側から他方側に向かって流れる洗浄液の液流を形成し、基板の表面側から裏面側に回り込む液を当該洗浄液の液流と共に吸引するために、当該基板の裏面に全周に亘って吸引口が対向する第1の吸引手段と、を備えたことを特徴とする液処理装置。
  2. 洗浄液供給部の洗浄液の吐出口と第1の吸引手段の吸引口との間には、これら吐出口及び吸引口よりも高い越流部が形成され、この越流部と基板の裏面との間に液流によるシール部が形成されることを特徴とする請求項1記載の液処理装置。
  3. 洗浄液供給部は、第1の吸引手段よりも基板の内側に位置し、前記洗浄液の液流は基板の内側から外側に向かうように形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の液処理装置。
  4. 洗浄液供給部の洗浄液の吐出口と第1の吸引手段の吸引口との間に形成される液流部の吸引口側は吸引口に向かって傾斜していることを特徴とする請求項3記載の液処理装置。
  5. 前記基板の裏面に対向し、前記洗浄液供給部から吐出された洗浄液の液流に接触する部材の内側部位は疎水性部材により形成され、その外側部位は親水性部材により形成されていることを特徴とする請求項3または4記載の液処理装置。
  6. 基板の表面に処理液を供給しているとき及び洗浄液を供給しているときに前記洗浄液の液流が形成されるように洗浄液供給部及び第1の吸引手段を制御する制御部を備えたことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一に記載の液処理装置。
  7. 前記洗浄液供給部からの洗浄液の供給を止めた後に、基板の裏面に乾燥用の気体を供給する気体供給部を設けたことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一に記載の液処理装置。
  8. 気体供給部は、基板の中央部を保持する基板保持部を兼ね、内部がバッファ室となる平面形状が円形の空洞体と、この空洞体の周方向に沿って設けられ、外方に向かって気体を吐出する気体吐出口と、を備えたことを特徴とする請求項7記載の液処理装置。
  9. 洗浄液供給部の洗浄液吐出口と気体供給部の気体吐出口とは共通化されていることを特徴とする請求項7記載の液処理装置。
  10. 洗浄液供給部及び第1の吸引手段よりも基板の外側に設けられ、基板の表面から零れ落ちた液を吸引する第2の吸引手段を更に備えたことを特徴とする請求項記載3、4または5に記載の液処理装置。
  11. 洗浄液供給部及び第1の吸引手段よりも外側に、基板の表面からの液の回り込みを規制する規制部材を設けたことを特徴とする請求項1ないし9のいずれか一に記載の記載の液処理装置。
  12. 基板を水平に保持する工程と、
    この基板が静止している状態で当該基板の表面に処理液を供給して液処理を行う工程と、
    次いで前記基板が静止している状態で当該基板の表面に洗浄液を供給する工程と、
    前記基板の表面に処理液を供給しているとき及び洗浄液を供給しているときに、基板の裏面に沿ってかつ基板の全周に亘って内側及び外側の一方側から他方側に向かって流れる洗浄液の液流を形成し、基板の表面側から裏面側に回り込む液を当該洗浄液の液流と共に吸引する工程と、を含むことを特徴とする液処理方法。
  13. 前記洗浄液の液流は、基板の全周に亘って開口する吐出口から基板の裏面側の周縁部に洗浄液を供給し、基板の裏面に全周に亘って対向する吸引口から当該洗浄液を吸引することにより形成されることを特徴とする請求項12記載の液処理方法。
  14. 洗浄液の液流は、基板の裏面に接近して設けられた越流部を越えるように形成され、この越流部と基板の裏面との間に液流によるシール部を形成することを特徴とする請求項12または13記載の液処理方法。
  15. 洗浄液の液流は、内側から外側に向かって形成されることを特徴とする請求項12ないし14のいずれか一に記載の液処理方法。
  16. 洗浄液の液流を停止した後、基板の裏面に乾燥用の気体を供給する工程を行うことを特徴とする請求項12ないし15のいずれかに記載の液処理方法。
  17. 乾燥用の気体は、内側から外側に向かって流れ、吸引口から吸引されることを特徴とする請求項16記載の液処理方法。
  18. 洗浄液の液流を形成しているときに、洗浄液を吸引する吸引口の外側部位にて基板の表面から零れ落ちた液を吸引する工程を行うことを特徴とする請求項15記載の液処理方法。
  19. 洗浄液の液流を形成しているときに、液流よりも外側に位置する規制部材により基板の表面からの液の回り込みを規制することを特徴とする請求項12ないし17のいずれか一に記載の記載の液処理方法。
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Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007201452A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための装置、ウェーハ・チャック・アセンブリ、および、方法
JP2008177436A (ja) * 2007-01-19 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd 現像処理装置
JP2008300451A (ja) * 2007-05-29 2008-12-11 Tokyo Electron Ltd 搬送装置並びに液処理装置及び同液処理装置における被処理体の搬送方法
KR100904462B1 (ko) * 2007-09-27 2009-06-24 세메스 주식회사 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법
JP2010118519A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Tokyo Electron Ltd ウエハの洗浄方法及び記憶媒体
US7938129B2 (en) 2006-02-07 2011-05-10 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP2011135002A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置
JP2013110292A (ja) * 2011-11-22 2013-06-06 Disco Abrasive Syst Ltd エッチング装置
WO2013132881A1 (ja) * 2012-03-06 2013-09-12 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置及び記憶媒体
JP2019132828A (ja) * 2017-12-01 2019-08-08 エレメンタル・サイエンティフィック・インコーポレイテッドElemental Scientific, Inc. 半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4621038B2 (ja) * 2005-02-18 2011-01-26 Okiセミコンダクタ株式会社 半導体ウエハの洗浄方法及び半導体ウエハの洗浄装置
JP4637741B2 (ja) * 2005-12-28 2011-02-23 株式会社ジェイ・イー・ティ 基板処理装置
KR100687011B1 (ko) * 2006-01-13 2007-02-26 세메스 주식회사 기판 처리 장치
JP4781834B2 (ja) * 2006-02-07 2011-09-28 大日本スクリーン製造株式会社 現像装置および現像方法
JP4954795B2 (ja) * 2007-05-31 2012-06-20 芝浦メカトロニクス株式会社 基板の保持装置及び基板の処理方法
KR101296659B1 (ko) 2008-11-14 2013-08-14 엘지디스플레이 주식회사 세정 장치
TWI381475B (zh) * 2009-03-23 2013-01-01 Au Optronics Corp 基板處理系統及顯影方法
JP4983885B2 (ja) * 2009-10-16 2012-07-25 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体
JP4893799B2 (ja) * 2009-10-23 2012-03-07 東京エレクトロン株式会社 現像装置、現像方法及び記憶媒体
JP5310693B2 (ja) * 2010-10-07 2013-10-09 東京エレクトロン株式会社 液処理装置
US9632426B2 (en) * 2011-01-18 2017-04-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. In-situ immersion hood cleaning
CN103177934B (zh) * 2011-12-26 2016-06-15 北京七星华创电子股份有限公司 薄片盘状物清洗甩干器
JP5818751B2 (ja) * 2012-07-18 2015-11-18 三菱電機株式会社 太陽電池製造装置およびこれを用いた太陽電池の製造方法
US20140041803A1 (en) * 2012-08-08 2014-02-13 Lam Research Ag Method and apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
US9076834B2 (en) * 2012-09-28 2015-07-07 United Microelectronics Corp. Spacer for thermal plate in semiconductor processing
WO2017154173A1 (ja) * 2016-03-10 2017-09-14 三菱電機株式会社 基板吸着ステージ、基板処理装置、基板処理方法
JP6686581B2 (ja) 2016-03-16 2020-04-22 富士電機株式会社 炭化珪素半導体素子および炭化珪素半導体素子の製造方法
US11289880B2 (en) * 2019-05-07 2022-03-29 Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. Light source package structure
KR20230025614A (ko) * 2021-08-13 2023-02-22 주식회사 제우스 기판처리방법
CN115101467A (zh) * 2022-05-11 2022-09-23 北京华卓精科科技股份有限公司 一种光刻设备中的硅片承载装置

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2903284B2 (ja) 1993-04-26 1999-06-07 東京エレクトロン株式会社 処理装置及び処理方法
JP3198377B2 (ja) 1994-08-31 2001-08-13 東京エレクトロン株式会社 処理方法及び処理装置
JP2001319849A (ja) 2000-05-08 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
US6827814B2 (en) 2000-05-08 2004-12-07 Tokyo Electron Limited Processing apparatus, processing system and processing method
JP2003007664A (ja) * 2001-06-22 2003-01-10 Ses Co Ltd 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置
JP2004022783A (ja) * 2002-06-17 2004-01-22 Sharp Corp 処理装置

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007201452A (ja) * 2006-01-27 2007-08-09 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための装置、ウェーハ・チャック・アセンブリ、および、方法
US7938129B2 (en) 2006-02-07 2011-05-10 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP2008177436A (ja) * 2007-01-19 2008-07-31 Tokyo Electron Ltd 現像処理装置
JP2008300451A (ja) * 2007-05-29 2008-12-11 Tokyo Electron Ltd 搬送装置並びに液処理装置及び同液処理装置における被処理体の搬送方法
KR100904462B1 (ko) * 2007-09-27 2009-06-24 세메스 주식회사 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법
JP2010118519A (ja) * 2008-11-13 2010-05-27 Tokyo Electron Ltd ウエハの洗浄方法及び記憶媒体
JP2011135002A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Tokyo Electron Ltd 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置
KR101207872B1 (ko) 2009-12-25 2012-12-04 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체 및 기판 처리 장치
JP2013110292A (ja) * 2011-11-22 2013-06-06 Disco Abrasive Syst Ltd エッチング装置
WO2013132881A1 (ja) * 2012-03-06 2013-09-12 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置及び記憶媒体
US8956465B2 (en) 2012-03-06 2015-02-17 Tokyo Electron Limited Liquid processing method, liquid processing device, and storage medium
JP2019132828A (ja) * 2017-12-01 2019-08-08 エレメンタル・サイエンティフィック・インコーポレイテッドElemental Scientific, Inc. 半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム
JP7366533B2 (ja) 2017-12-01 2023-10-23 エレメンタル・サイエンティフィック・インコーポレイテッド 半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム

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