JP2005340661A - 液処理装置及び液処理方法 - Google Patents
液処理装置及び液処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005340661A JP2005340661A JP2004160078A JP2004160078A JP2005340661A JP 2005340661 A JP2005340661 A JP 2005340661A JP 2004160078 A JP2004160078 A JP 2004160078A JP 2004160078 A JP2004160078 A JP 2004160078A JP 2005340661 A JP2005340661 A JP 2005340661A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- substrate
- cleaning liquid
- wafer
- cleaning
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/02—Cleaning by the force of jets or sprays
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning In General (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
【解決手段】 基板保持部に水平に保持された基板に処理液を供給して所定の処理を行うにあたり、例えば処理液を供給する前に基板の裏面に全周に亘って対向する吐出口から洗浄液を吐出すると共に、この基板の裏面側に供給された洗浄液及び基板の表面から回り込んでくる液を基板の裏面に全周に亘って吸引口が対向する第1の吸引手段から吸引することにより、基板の裏面に沿って例えば内側から外側に向かって流れる洗浄液の液流を形成する構成とする。この場合、例えば回転による液の振り切り作用を頼らなくとも、基板の表面側から裏面側に回り込む液を抑制することができるので基板を良好に洗浄することができる。
【選択図】 図1
Description
この基板保持部に保持された基板の表面に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部に保持された基板の表面に処理液が供給されて液処理が行われた後、当該基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、
前記基板保持部に保持された基板の裏面側の周縁部に洗浄液を供給するために、基板の全周に亘って吐出口が開口する洗浄液供給部と、
この洗浄液供給部により基板の裏面側に供給された洗浄液を吸引して、基板の裏面に沿って内側及び外側の一方側から他方側に向かって流れる洗浄液の液流を形成し、基板の表面側から裏面側に回り込む液を当該洗浄液の液流と共に吸引するために、当該基板の裏面の全周に亘って吸引口が対向する第1の吸引手段と、を備えたことを特徴とする。
洗浄液の液流が基板の内側から外側に向かうように形成する構成においては、洗浄液供給部及び第1の吸引手段よりも基板の外側に設けられ、基板の表面から零れ落ちた液を吸引する第2の吸引手段を更に備えた構成、
洗浄液供給部の洗浄液の吐出口と第1の吸引手段の吸引口との間に形成される液流部の吸引口側は吸引口に向かって傾斜している構成、
前記基板の裏面に対向し、前記洗浄液供給部から吐出された洗浄液の液流に接触する部材の内側部位は疎水性部材により形成され、その外側部位は親水性部材により形成される構成、などを採用することが好ましい。
この基板が静止している状態で当該基板の表面に処理液を供給して液処理を行う工程と、
次いで前記基板が静止している状態で当該基板の表面に洗浄液を供給する工程と、
前記基板の表面に処理液を供給しているとき及び洗浄液を供給しているときに、基板の裏面に沿ってかつ基板の全周に亘って内側及び外側の一方側から他方側に向かって流れる洗浄液の液流を形成し、基板の表面側から裏面側に回り込む液を当該洗浄液の液流と共に吸引する工程と、を含むことを特徴とする。なお「基板が静止している状態」とは、基板を回転させてその遠心力で洗浄液を振り切るいわゆるスピン洗浄を行うためではなく、洗浄液を遠心力で振り切れない程度の回転数で基板を回転させた場合にも、本発明の効果は得られるため、このような基板の回転は、本発明でいう基板が静止している状態と等価であるため、本発明の技術的範囲に含まれるものとする。
2 バキュームチャック
3 リング部材
31 外側溝
32 中央溝
33 内側溝
34 第1の越流部
35 第2の越流部
4 吐出口
44 吸引口
5 現像液ノズル
6 リンスノズル
63 吸引ノズル
Claims (19)
- 基板を水平に保持する基板保持部と、
この基板保持部に保持された基板の表面に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部に保持された基板の表面に処理液が供給されて液処理が行われた後、当該基板の表面に洗浄液を供給する洗浄液ノズルと、
前記基板保持部に保持された基板の裏面側の周縁部に洗浄液を供給するために、基板の全周に亘って吐出口が開口する洗浄液供給部と、
この洗浄液供給部により基板の裏面側に供給された洗浄液を吸引して、基板の裏面に沿って内側及び外側の一方側から他方側に向かって流れる洗浄液の液流を形成し、基板の表面側から裏面側に回り込む液を当該洗浄液の液流と共に吸引するために、当該基板の裏面に全周に亘って吸引口が対向する第1の吸引手段と、を備えたことを特徴とする液処理装置。 - 洗浄液供給部の洗浄液の吐出口と第1の吸引手段の吸引口との間には、これら吐出口及び吸引口よりも高い越流部が形成され、この越流部と基板の裏面との間に液流によるシール部が形成されることを特徴とする請求項1記載の液処理装置。
- 洗浄液供給部は、第1の吸引手段よりも基板の内側に位置し、前記洗浄液の液流は基板の内側から外側に向かうように形成されることを特徴とする請求項1または2に記載の液処理装置。
- 洗浄液供給部の洗浄液の吐出口と第1の吸引手段の吸引口との間に形成される液流部の吸引口側は吸引口に向かって傾斜していることを特徴とする請求項3記載の液処理装置。
- 前記基板の裏面に対向し、前記洗浄液供給部から吐出された洗浄液の液流に接触する部材の内側部位は疎水性部材により形成され、その外側部位は親水性部材により形成されていることを特徴とする請求項3または4記載の液処理装置。
- 基板の表面に処理液を供給しているとき及び洗浄液を供給しているときに前記洗浄液の液流が形成されるように洗浄液供給部及び第1の吸引手段を制御する制御部を備えたことを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一に記載の液処理装置。
- 前記洗浄液供給部からの洗浄液の供給を止めた後に、基板の裏面に乾燥用の気体を供給する気体供給部を設けたことを特徴とする請求項1ないし6のいずれか一に記載の液処理装置。
- 気体供給部は、基板の中央部を保持する基板保持部を兼ね、内部がバッファ室となる平面形状が円形の空洞体と、この空洞体の周方向に沿って設けられ、外方に向かって気体を吐出する気体吐出口と、を備えたことを特徴とする請求項7記載の液処理装置。
- 洗浄液供給部の洗浄液吐出口と気体供給部の気体吐出口とは共通化されていることを特徴とする請求項7記載の液処理装置。
- 洗浄液供給部及び第1の吸引手段よりも基板の外側に設けられ、基板の表面から零れ落ちた液を吸引する第2の吸引手段を更に備えたことを特徴とする請求項記載3、4または5に記載の液処理装置。
- 洗浄液供給部及び第1の吸引手段よりも外側に、基板の表面からの液の回り込みを規制する規制部材を設けたことを特徴とする請求項1ないし9のいずれか一に記載の記載の液処理装置。
- 基板を水平に保持する工程と、
この基板が静止している状態で当該基板の表面に処理液を供給して液処理を行う工程と、
次いで前記基板が静止している状態で当該基板の表面に洗浄液を供給する工程と、
前記基板の表面に処理液を供給しているとき及び洗浄液を供給しているときに、基板の裏面に沿ってかつ基板の全周に亘って内側及び外側の一方側から他方側に向かって流れる洗浄液の液流を形成し、基板の表面側から裏面側に回り込む液を当該洗浄液の液流と共に吸引する工程と、を含むことを特徴とする液処理方法。 - 前記洗浄液の液流は、基板の全周に亘って開口する吐出口から基板の裏面側の周縁部に洗浄液を供給し、基板の裏面に全周に亘って対向する吸引口から当該洗浄液を吸引することにより形成されることを特徴とする請求項12記載の液処理方法。
- 洗浄液の液流は、基板の裏面に接近して設けられた越流部を越えるように形成され、この越流部と基板の裏面との間に液流によるシール部を形成することを特徴とする請求項12または13記載の液処理方法。
- 洗浄液の液流は、内側から外側に向かって形成されることを特徴とする請求項12ないし14のいずれか一に記載の液処理方法。
- 洗浄液の液流を停止した後、基板の裏面に乾燥用の気体を供給する工程を行うことを特徴とする請求項12ないし15のいずれかに記載の液処理方法。
- 乾燥用の気体は、内側から外側に向かって流れ、吸引口から吸引されることを特徴とする請求項16記載の液処理方法。
- 洗浄液の液流を形成しているときに、洗浄液を吸引する吸引口の外側部位にて基板の表面から零れ落ちた液を吸引する工程を行うことを特徴とする請求項15記載の液処理方法。
- 洗浄液の液流を形成しているときに、液流よりも外側に位置する規制部材により基板の表面からの液の回り込みを規制することを特徴とする請求項12ないし17のいずれか一に記載の記載の液処理方法。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004160078A JP4043455B2 (ja) | 2004-05-28 | 2004-05-28 | 液処理装置及び液処理方法 |
PCT/JP2005/006260 WO2005117081A1 (ja) | 2004-05-28 | 2005-03-31 | 液処理装置及び液処理方法 |
US11/579,979 US7431038B2 (en) | 2004-05-28 | 2005-03-31 | Wet processing device and wet processing method |
KR1020067024993A KR101062530B1 (ko) | 2004-05-28 | 2005-03-31 | 액처리 장치 및 액처리 방법 |
CN200580025536.8A CN100521099C (zh) | 2004-05-28 | 2005-03-31 | 液体处理装置及液体处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004160078A JP4043455B2 (ja) | 2004-05-28 | 2004-05-28 | 液処理装置及び液処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005340661A true JP2005340661A (ja) | 2005-12-08 |
JP4043455B2 JP4043455B2 (ja) | 2008-02-06 |
Family
ID=35451140
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004160078A Expired - Fee Related JP4043455B2 (ja) | 2004-05-28 | 2004-05-28 | 液処理装置及び液処理方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7431038B2 (ja) |
JP (1) | JP4043455B2 (ja) |
KR (1) | KR101062530B1 (ja) |
CN (1) | CN100521099C (ja) |
WO (1) | WO2005117081A1 (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007201452A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための装置、ウェーハ・チャック・アセンブリ、および、方法 |
JP2008177436A (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理装置 |
JP2008300451A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Tokyo Electron Ltd | 搬送装置並びに液処理装置及び同液処理装置における被処理体の搬送方法 |
KR100904462B1 (ko) * | 2007-09-27 | 2009-06-24 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법 |
JP2010118519A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Tokyo Electron Ltd | ウエハの洗浄方法及び記憶媒体 |
US7938129B2 (en) | 2006-02-07 | 2011-05-10 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
JP2011135002A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置 |
JP2013110292A (ja) * | 2011-11-22 | 2013-06-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | エッチング装置 |
WO2013132881A1 (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、液処理装置及び記憶媒体 |
JP2019132828A (ja) * | 2017-12-01 | 2019-08-08 | エレメンタル・サイエンティフィック・インコーポレイテッドElemental Scientific, Inc. | 半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4621038B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2011-01-26 | Okiセミコンダクタ株式会社 | 半導体ウエハの洗浄方法及び半導体ウエハの洗浄装置 |
JP4637741B2 (ja) * | 2005-12-28 | 2011-02-23 | 株式会社ジェイ・イー・ティ | 基板処理装置 |
KR100687011B1 (ko) * | 2006-01-13 | 2007-02-26 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 |
JP4781834B2 (ja) * | 2006-02-07 | 2011-09-28 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 現像装置および現像方法 |
JP4954795B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2012-06-20 | 芝浦メカトロニクス株式会社 | 基板の保持装置及び基板の処理方法 |
KR101296659B1 (ko) | 2008-11-14 | 2013-08-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 세정 장치 |
TWI381475B (zh) * | 2009-03-23 | 2013-01-01 | Au Optronics Corp | 基板處理系統及顯影方法 |
JP4983885B2 (ja) * | 2009-10-16 | 2012-07-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置、液処理方法及び記憶媒体 |
JP4893799B2 (ja) * | 2009-10-23 | 2012-03-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 現像装置、現像方法及び記憶媒体 |
JP5310693B2 (ja) * | 2010-10-07 | 2013-10-09 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理装置 |
US9632426B2 (en) * | 2011-01-18 | 2017-04-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | In-situ immersion hood cleaning |
CN103177934B (zh) * | 2011-12-26 | 2016-06-15 | 北京七星华创电子股份有限公司 | 薄片盘状物清洗甩干器 |
JP5818751B2 (ja) * | 2012-07-18 | 2015-11-18 | 三菱電機株式会社 | 太陽電池製造装置およびこれを用いた太陽電池の製造方法 |
US20140041803A1 (en) * | 2012-08-08 | 2014-02-13 | Lam Research Ag | Method and apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles |
US9076834B2 (en) * | 2012-09-28 | 2015-07-07 | United Microelectronics Corp. | Spacer for thermal plate in semiconductor processing |
WO2017154173A1 (ja) * | 2016-03-10 | 2017-09-14 | 三菱電機株式会社 | 基板吸着ステージ、基板処理装置、基板処理方法 |
JP6686581B2 (ja) | 2016-03-16 | 2020-04-22 | 富士電機株式会社 | 炭化珪素半導体素子および炭化珪素半導体素子の製造方法 |
US11289880B2 (en) * | 2019-05-07 | 2022-03-29 | Lite-On Opto Technology (Changzhou) Co., Ltd. | Light source package structure |
KR20230025614A (ko) * | 2021-08-13 | 2023-02-22 | 주식회사 제우스 | 기판처리방법 |
CN115101467A (zh) * | 2022-05-11 | 2022-09-23 | 北京华卓精科科技股份有限公司 | 一种光刻设备中的硅片承载装置 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2903284B2 (ja) | 1993-04-26 | 1999-06-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置及び処理方法 |
JP3198377B2 (ja) | 1994-08-31 | 2001-08-13 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法及び処理装置 |
JP2001319849A (ja) | 2000-05-08 | 2001-11-16 | Tokyo Electron Ltd | 液処理装置及び液処理方法 |
US6827814B2 (en) | 2000-05-08 | 2004-12-07 | Tokyo Electron Limited | Processing apparatus, processing system and processing method |
JP2003007664A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-10 | Ses Co Ltd | 枚葉式基板洗浄方法および枚葉式基板洗浄装置 |
JP2004022783A (ja) * | 2002-06-17 | 2004-01-22 | Sharp Corp | 処理装置 |
-
2004
- 2004-05-28 JP JP2004160078A patent/JP4043455B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-03-31 CN CN200580025536.8A patent/CN100521099C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-31 US US11/579,979 patent/US7431038B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-03-31 WO PCT/JP2005/006260 patent/WO2005117081A1/ja not_active Application Discontinuation
- 2005-03-31 KR KR1020067024993A patent/KR101062530B1/ko active IP Right Grant
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007201452A (ja) * | 2006-01-27 | 2007-08-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための装置、ウェーハ・チャック・アセンブリ、および、方法 |
US7938129B2 (en) | 2006-02-07 | 2011-05-10 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
JP2008177436A (ja) * | 2007-01-19 | 2008-07-31 | Tokyo Electron Ltd | 現像処理装置 |
JP2008300451A (ja) * | 2007-05-29 | 2008-12-11 | Tokyo Electron Ltd | 搬送装置並びに液処理装置及び同液処理装置における被処理体の搬送方法 |
KR100904462B1 (ko) * | 2007-09-27 | 2009-06-24 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 설비 및 기판 처리 방법 |
JP2010118519A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Tokyo Electron Ltd | ウエハの洗浄方法及び記憶媒体 |
JP2011135002A (ja) * | 2009-12-25 | 2011-07-07 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理方法、その基板処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体及び基板処理装置 |
KR101207872B1 (ko) | 2009-12-25 | 2012-12-04 | 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 | 기판 처리 방법, 이 기판 처리 방법을 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 기록 매체 및 기판 처리 장치 |
JP2013110292A (ja) * | 2011-11-22 | 2013-06-06 | Disco Abrasive Syst Ltd | エッチング装置 |
WO2013132881A1 (ja) * | 2012-03-06 | 2013-09-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 液処理方法、液処理装置及び記憶媒体 |
US8956465B2 (en) | 2012-03-06 | 2015-02-17 | Tokyo Electron Limited | Liquid processing method, liquid processing device, and storage medium |
JP2019132828A (ja) * | 2017-12-01 | 2019-08-08 | エレメンタル・サイエンティフィック・インコーポレイテッドElemental Scientific, Inc. | 半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム |
JP7366533B2 (ja) | 2017-12-01 | 2023-10-23 | エレメンタル・サイエンティフィック・インコーポレイテッド | 半導体ウエハの統合した分解および走査のためのシステム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7431038B2 (en) | 2008-10-07 |
CN100521099C (zh) | 2009-07-29 |
WO2005117081A1 (ja) | 2005-12-08 |
KR101062530B1 (ko) | 2011-09-06 |
JP4043455B2 (ja) | 2008-02-06 |
US20070221253A1 (en) | 2007-09-27 |
CN1993810A (zh) | 2007-07-04 |
KR20070019746A (ko) | 2007-02-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4043455B2 (ja) | 液処理装置及び液処理方法 | |
US8512478B2 (en) | Cleaning and drying-preventing method, and cleaning and drying-preventing apparatus | |
KR100855129B1 (ko) | 매엽식 기판세정방법 | |
US6165552A (en) | Film forming method | |
KR102566736B1 (ko) | 기판 처리 장치, 기판 처리 방법 및 기억 매체 | |
KR101512642B1 (ko) | 현상 처리 방법 및 현상 장치 | |
KR100895030B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 이에 구비된 노즐의 세정 방법 | |
WO2005064656A1 (ja) | 現像装置及び現像方法 | |
JP2007318087A (ja) | 現像装置、現像処理方法、現像処理プログラム、及びそのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 | |
KR100822511B1 (ko) | 기판처리장치 및 기판처리방법 | |
WO2003105201A1 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法及び現像装置 | |
JP4106017B2 (ja) | 現像装置及び現像方法 | |
KR20160039035A (ko) | 기판 처리 장치 및 이를 가지는 기판 처리 설비 | |
TWI637434B (zh) | 基板處理方法及基板處理裝置 | |
JP4343025B2 (ja) | 現像装置及び現像方法 | |
KR102570394B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
JP4288207B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP5258999B2 (ja) | 液処理におけるノズル洗浄方法及びその装置 | |
JP2005259874A (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
JP2005347326A (ja) | 基板処理方法及び基板処理装置 | |
JP2010253403A (ja) | 塗布膜形成装置及び塗布膜形成方法 | |
JP2011129953A (ja) | 現像装置 | |
JP4043423B2 (ja) | 現像装置及び現像方法 | |
KR100819157B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
JP2004267870A (ja) | 処理液供給ノズル及び処理液供給装置、並びにノズルの洗浄方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060529 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070731 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20071001 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20071030 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071113 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101122 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131122 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |