CN115101467A - 一种光刻设备中的硅片承载装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及硅片承载技术领域，具体而言，涉及一种光刻设备中的硅片承载装置。该光刻设备中的硅片承载装置包括承载体，承载体的顶部用于承载硅片，承载体的顶部边缘部位固接有一圈阻挡环，阻挡环环绕在承载体的承载区域外，且阻挡环的靠近内环的部位与承载体之间存在环形通道；承载体上开设有第一气道，第一气道具有第一入口和第一出口，第一入口用于与真空泵相接；第一出口包括多个主出口和若干辅出口，主出口与阻挡环相对设置，并与环形通道相通，辅出口与承载区域的边缘相对，主出口的横截面积的总和大于辅出口的横截面积的总和。本发明提供的光刻设备中的硅片承载装置，在对硅片进行吸附支撑时，可使硅片不易翘曲，可减缓硅片上方的液体流失速度，从而，可保证硅片的曝光精度。

Description

一种光刻设备中的硅片承载装置

技术领域

本发明涉及硅片承载技术领域，具体而言，涉及一种光刻设备中的硅片承载装置。

背景技术

光刻设备中的硅片承载装置属于超精密光刻设备中的重要部件，是直接影响光刻机的成形对象-硅片曝光成功与否的关键因素。

目前，常用的光刻设备中的硅片承载装置对硅片的承载形式多为真空吸附式，其上设置有气道，通以真空气体对硅片进行吸附，常用的气道形式有内置和外置两种，因外置气道存在占用空间大、无法与所支撑面密闭不严等问题，故常以承载硅片装置自身内置气道为主；然而，现有的光刻设备中具有内置气道的硅片承载装置对硅片进行吸附支撑时，虽然解决了空间占用大问题，也能一定程度对硅片进行吸附支撑，但是为了保证对硅片的吸附效果，会存在硅片上方液体流失过快而影响硅片曝光精度的问题，也易发生硅片翘曲现象。

综上，如何克服现有的光刻设备中的硅片承载装置的上述缺陷是本领域技术人员亟待解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光刻设备中的硅片承载装置，以缓解现有技术中的光刻设备中的硅片承载装置存在的易导致硅片翘曲，硅片上方液体流失过快而影响曝光精度的技术问题。

本发明提供的光刻设备中的硅片承载装置，包括承载体，所述承载体的顶部用于承载硅片。

所述承载体的顶部边缘部位固接有一圈阻挡环，所述阻挡环环绕在所述承载体的承载区域外，且所述阻挡环的靠近内环的部位与所述承载体之间存在环形通道。

所述承载体上开设有第一气道，所述第一气道具有第一入口和第一出口，所述第一入口用于与真空泵相接；所述第一出口包括多个主出口和若干辅出口，所述主出口与阻挡环相对设置，且所述主出口与所述环形通道相通，所述辅出口与所述承载区域的边缘相对，多个所述主出口的横截面积的总和大于所述辅出口的横截面积的总和。

优选地，作为一种可实施方式，所述承载体上开设有环形积液槽，所述主出口位于所述环形积液槽的槽底，所述环形积液槽与所述阻挡环相对设置，且所述环形积液槽与所述承载区域相通。

优选地，作为一种可实施方式，多个所述主出口沿所述阻挡环的周向分散排布；

和/或，所述辅出口为两个，两个所述辅出口相对所述承载区域对称分布。

优选地，作为一种可实施方式，所述第一气道具有第一环形腔室和多个第一出口通道，多个所述第一出口通道包括多个主出口通道和若干辅出口通道，各个所述主出口通道的一端均设置有所述主出口，各个所述主出口通道的另一端均与所述第一环形腔室相通；各个所述辅出口通道的一端均设置有所述辅出口，各个所述辅出口通道的另一端均与所述第一环形腔室相通，所述第一环形腔室的容积大于多个所述第一出口通道的总容积。

优选地，作为一种可实施方式，所述承载体上开设有第二气道，所述第二气道具有第二入口和第二出口，所述第二入口用于与真空泵连通；所述第二出口位于所述承载体的顶部，并用于与硅片相对，且所处第二出口靠近所述承载区域的边缘；

和/或，所述承载体上开设有第三气道，所述第三气道具有第三入口和第三出口，所述第三入口用于与真空泵连通；所述第三出口位于所述承载体的顶部，并用于与硅片相对，所述第三出口设置在所述承载体的中间区域。

优选地，作为一种可实施方式，所述第二气道具有第二环形腔室，所述第二入口位于所述第二环形腔室的底部，所述第二出口位于所述第二环形腔室的顶部；

和/或，所述第三气道具有条形缓冲段和第三环形腔室，所述第三入口位于所述条形缓冲段的一端，所述条形缓冲段的另一端与所述第三环形腔室的底部连通，所述第三出口位于所述第三环形腔室的顶部。

优选地，作为一种可实施方式，所述第二气道还具有多个第二出口通道，各个所述第二出口通道的一端均设置有所述第二出口，各个所述第二出口通道的另一端均与所述第二环形腔室相通，所述第二环形腔室的容积大于多个所述第二出口通道的总容积；

和/或，所述第三气道还具有多个第三出口通道，各个所述第三出口通道的一端均设置有所述第三出口，各个所述第三出口通道的另一端均与所述第三环形腔室相通，所述第三环形腔室的容积大于多个所述第三出口通道的总容积。

优选地，作为一种可实施方式，所述第二出口为多个，且多个所述第二出口沿第二环形曲线均匀排布，所述第二环形曲线的中心与所述承载体的中心重合；

和/或，所述第三出口为多个，且多个所述第三出口沿第三环形曲线均匀排布，所述第三环形曲线的中心与所述承载体的中心重合。

优选地，作为一种可实施方式，所述第二环形曲线的外侧设置有第一环形凸台，所述第一环形凸台的顶部与所述承载体的硅片承载面之间存在高度差；

和/或，所述第二环形曲线的内侧设置有第二环形凸台，所述第二环形凸台的顶部与所述承载体的硅片承载面之间存在高度差。

优选地，作为一种可实施方式，所述光刻设备中的硅片承载装置还包括支撑架，所述支撑架上开设有第四气道、第五气道和第六气道，所述第四气道与所述第一入口贴合对接，所述第一气道通过所述第四气道与真空泵连通；所述第五气道与所述第二入口贴合对接，所述第二气道通过所述第五气道与真空泵连通；所述第六气道与所述第三入口贴合对接，所述第三气道通过所述第六气道与真空泵连通；

和/或，所述承载体的底部设置有第三环形凸台，所述第一入口、所述第二入口和所述第三入口均凸出于所述承载体的底面，且所述第一入口的底部端面、所述第二入口的底部端面和所述第三入口的底部端面均与所述第三环形凸台的底面平齐；

和/或，所述第一入口为腰型孔；

和/或，所述第二入口为圆形孔；

和/或，所述第一入口、所述第二入口和所述第三入口还能够与风机连通；

和/或，所述承载体的顶部设有支撑凸起，所述支撑凸起用于托举硅片；

和/或，所述承载体的材质为碳化硅、氧化铝或氮化硅。

与现有技术相比，本发明的有益效果在于：

本发明提供的光刻设备中的硅片承载装置，在需要吸附硅片时，可先将硅片置于承载体的顶部，然后，开启真空泵，利用真空泵为第一气道提供负压环境，从而，在第一气道的第一出口处会形成负压环境，在硅片的边缘与承载体之间会形成较薄的真空层，从而，可防止硅片边缘翘曲变形，硅片不易出现曝光质量缺陷，也不易报废。与此同时，硅片上方流动的液体会在自身重力以及第一出口处的负压吸附力的作用下，经由硅片边缘与阻挡环之间的缝隙，进入真空层内，部分液体会直接流入与承载区域边缘相对的辅出口，其他液体则会进入主出口，最终由第一气道的第一入口排出，从而，可减少硅片下表面与上方液体接触的面积，降低对硅片曝光精度的影响。

需要说明的是，上述主出口和辅出口均为第一气道的出口，故二者附近的真空程度接近，而多个主出口的横截面积的总和大于辅出口的横截面积的总和，故主出口对液体的抽排流量较大，辅出口对液体的抽排流量较小，即大部分液体会由主出口进入第一气道排出。因主出口距离硅片边缘与阻挡环之间的缝隙较远且二者之间的通道较曲折，故液体在由该缝隙朝向主出口流动时，承受的流阻较大，故对硅片上方的液体吸力较小，因此，可减缓硅片上方液体的流失速度，提高硅片的曝光精度；此外，辅出口距离硅片较近，可直接为硅片的边缘与承载体之间的区域提供真空环境，便于进一步提高该区域的真空度，使得进入真空层内的液体能够快速排出，保证液体尽可能不流入硅片中心区域，进一步提高硅片的曝光精度。

综上，本实施例提供的光刻设备中的硅片承载装置，在对硅片进行吸附支撑时，不但可保证较好的吸附效果，使得硅片不易发生翘曲，而且在保证液体尽可能不流入硅片中心区域的基础上，可减缓硅片上方的液体流失速度，从而，可保证硅片的曝光精度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例提供的承载有硅片的光刻设备中的硅片承载装置的纵向剖视结构示意图；

图2为图1中A部分的放大图；

图3为本发明实施例提供的光刻设备中的硅片承载装置的横向剖视结构示意图；

图4为本发明实施例提供的光刻设备中的硅片承载装置的仰视图；

图5为本发明实施例提供的光刻设备中的硅片承载装置中的承载体的俯视结构示意图；

图6为图5中B部分的放大图。

附图标记说明：

100-承载体；110-第一气道；111-第一入口；112-主出口；113-辅出口；114-第一环形腔室；115-主出口通道；116-辅出口通道；120-第二气道；121-第二入口；122-第二出口；123-第二环形腔室；124-第二出口通道；130-第三气道；131-第三入口；132-第三出口；133-条形缓冲段；134-第三环形腔室；135-第三出口通道；140-环形积液槽；150-支撑凸起；160-第一环形凸台；170-第二环形凸台；180-第三环形凸台；

200-阻挡环；

300-硅片。

具体实施方式

下面将结合附图对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

在本发明的描述中，需要说明的是，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。

下面通过具体的实施例子并结合附图对本发明做进一步的详细描述。

参见图1-图6，本实施例提供了一种光刻设备中的硅片承载装置，其包括承载体100，承载体100的顶部用于承载硅片300，承载体100的顶部边缘部位固接有一圈阻挡环200，阻挡环200环绕在承载体100的承载区域外，且阻挡环200的靠近内环的部位与承载体100之间存在环形通道；承载体100上开设有第一气道110，第一气道110具有第一入口111和第一出口，第一入口111用于与真空泵相接；第一出口包括多个主出口112和若干辅出口113，主出口112与阻挡环200相对设置，且主出口112与环形通道相通，辅出口113与承载区域的边缘相对，多个主出口112的横截面积的总和大于辅出口113的横截面积的总和。

本实施例提供的光刻设备中的硅片承载装置，在需要吸附硅片300时，可先将硅片300置于承载体100的顶部，然后，开启真空泵，利用真空泵为第一气道110提供负压环境，从而，在第一气道110的第一出口处会形成负压环境，在硅片300的边缘与承载体100之间会形成较薄的真空层，从而，可防止硅片300边缘翘曲变形，硅片300不易出现曝光质量缺陷，也不易报废。与此同时，硅片300上方流动的液体会在自身重力以及第一出口处的负压吸附力的作用下，经由硅片300边缘与阻挡环200之间的缝隙，进入真空层内，部分液体会直接流入与承载区域边缘相对的辅出口113，其他液体则会进入主出口112，最终由第一气道110的第一入口111排出，从而，可减少硅片300下表面与上方液体接触的面积，降低对硅片300曝光精度的影响。

需要说明的是，上述主出口112和辅出口113均为第一气道110的出口，故二者附近的真空程度接近，而多个主出口112的横截面积的总和大于辅出口113的横截面积的总和，故主出口112对液体的抽排流量较大，辅出口113对液体的抽排流量较小，即大部分液体会由主出口112进入第一气道110排出。因主出口112距离硅片300边缘与阻挡环200之间的缝隙较远且二者之间的通道较曲折，故液体在由该缝隙朝向主出口112流动时，承受的流阻较大，故对硅片300上方的液体吸力较小，因此，可减缓硅片300上方液体的流失速度，提高硅片300的曝光精度；此外，辅出口113距离硅片300较近，可直接为硅片300的边缘与承载体100之间的区域提供真空环境，便于进一步提高该区域的真空度，使得进入真空层内的液体能够快速排出，保证液体尽可能不流入硅片中心区域，进一步提高硅片300的曝光精度。

综上，本实施例提供的光刻设备中的硅片承载装置，在对硅片300进行吸附支撑时，不但可保证较好的吸附效果，使得硅片300不易发生翘曲，而且在保证液体尽可能不流入硅片中心区域的基础上，可减缓硅片300上方的液体流失速度，从而，可保证硅片300的曝光精度。

优选地，在承载体100上可开设环形集液槽140，将上述主出口112开设在环形集液槽140的槽底，将该环形集液槽140与阻挡环200相对设置，并使环形集液槽140与承载区域相通，如此，由硅片300边缘与阻挡环200之间的缝隙处的液体，会先进入环形集液槽140，然后才会进入主出口112，其中，环形积液槽140能够积存一定量的液体，当流入环形积液槽140的液体流量较大，主出口112无法及时排出时，可暂时积存在环形积液槽140内，尽可能地降低环形积液槽140内的液体满溢的问题，保证液体尽可能不流入硅片中心区域。

具体地，可将多个主出口112沿阻挡环200的周向分散排布，便于使得环形积液槽140各个部位的真空程度趋于一致，从而，由硅片300上方流下的液体能够更加顺利地被吸入环形积液槽140内，减少硅片300下表面与上方液体接触的面积，降低对硅片300曝光精度的影响。

优选地，将多个主出口112沿阻挡环200的周向均匀分布，进一步提高环形积液槽140各个部位的真空程度的一致形。

辅出口113可设置为两个，并将两个辅出口113相对承载区域对称设置，不但可保证良好的排液效果，而且可使得硅片300受力更均衡。

具体地，第一气道110具有第一环形腔室114和多个第一出口通道，多个第一出口通道包括多个主出口通道115和若干辅出口通道116，各个主出口通道115的一端均设置有上述主出口112，将各个主出口通道115的另一端均与第一环形腔室114相通；各个辅出口通道116的一端均设置有上述辅出口113，将各个辅出口通道116的另一端均与第一环形腔室114相通，将第一环形腔室114的容积设置为大于多个第一出口通道的总容积，如此，能够缓冲第一气道110的真空压力的波动影响，减小压力波动对硅片300上方液体抽排的能力影响。

此外，可在承载体100上开设第二气道120，该第二气道120具有第二入口121和第二出口122，第二入口121用来与真空泵连通，以能够利用真空泵为第二气道120提供负压环境，从而，在第二气道120的第二出口122处会形成负压环境，将第二出口122设置在承载体100的顶部，并将第二出口122设置在靠近承载区域的边缘的区域，能够使得第二出口122对硅片300的边缘区域进行吸附支撑，如此，可进一步缓解甚至消除硅片300的边缘区域的翘曲变形问题。

参见图2-图5，在第二气道120的具体结构中可设置第二环形腔室123，将第二入口121设置在第二环形腔室123的底部，并将第二出口122设置在第二环形腔室123的顶部，如此，在开启真空泵后，气流能够由第二环形腔室123顶部的第二出口122进入，经由第二环形腔室123后，由第二环形腔室123底部的第二入口121被真空泵吸出，如此，便可在第二环形腔室123顶部的第二出口122处形成一个负压环境。

需要说明的是，第二环形腔室123能够将气流较均匀地分散在各个第二出口122处，从而，各个第二出口122对硅片300的吸附力更加均衡，从而，硅片300的边缘区域更不易出现翘曲现象。

具体地，第二环形腔室123可以是圆环腔室。

具体地，第二气道120具有多个第二出口通道124，各个第二出口通道124的一端均设置有上述第二出口122，将各个第二出口通道124的另一端均与第二环形腔室123相通，将第二环形腔室123的容积设置为大于多个第二出口通道124的总容积，如此，能够从第二出口122处的气体实现缓冲作用，使得对硅片300的边缘区域吸附的压力稳定，减小压力波动对硅片300精度的影响。

可将第二气道120上的第二出口122设置为多个，并将多个第二出口122沿第二环形曲线均匀分布，其中，第二环形曲线的中心与承载体100的中心重合(即第二环形曲线的中心与硅片300的中心重合)，如此，可进一步提高硅片300边缘区域各个部位的受力平衡性。

还可在承载体100上开设第三气道130，该第三气道130具有第三入口131和第三出口132，第三入口131用来与真空泵连通，以能够利用真空泵为第三气道130提供负压环境，从而，在第三气道130的第三出口132处会形成负压环境，将第三出口132设置在承载体100的顶部，并将第三出口132分散设置在承载体100的中间区域，能够使得第三出口132实现对硅片300的底部的中间区域进行吸附支撑，如此，硅片300的中间区域的各个部位受力较均匀，可缓解甚至消除硅片300的中间区域的翘曲变形问题。

参见图2-图4，在上述第三气道130的具体结构中可设置条形缓冲段133和第三环形腔室134，将第三入口131设置在条形缓冲段133的一端，并将条形缓冲段133的另一端与第三环形腔室134的底部连通，将第三出口132设置在第三环形腔室134的顶部，如此，在开启真空泵后，气流能够由第三环形腔室134顶部的第三出口132进入，依次经由第三环形腔室134和条形缓冲段133，之后，由条形缓冲段133的第三入口131被真空泵吸出，如此，便可在第三环形腔室134顶部的第三出口132处形成一个负压环境。

需要说明的是，第三环形腔室134能够将气流较均匀地分散在各个第三出口132处，从而，各个第三出口132对硅片300的吸附力更加均衡；此外，条形缓冲段133的存在，能够对气体进行引导并能对气体进行缓冲，如此，第三出口132处的气流更加平稳，对硅片300的吸附力更加均匀，从而，硅片300的中间区域更不易出现翘曲现象。

具体地，第三环形腔室134可以是圆环腔室，当第三环形腔室134需要避让水道或其他结构时，第三环形腔室134可以是扇环腔室，在满足避让要求的前提下，扇环腔室对应的圆心角越大越好。

进一步地，参见图4，第三入口131可设置在承载体100的底部靠近边缘的位置，便于延长条形缓冲段133的长度，保证条形缓冲段133的缓冲效果。

具体地，参见图3、图5和图6，上述第三气道130还具有多个第三出口通道135，各个第三出口通道135的一端均设置有上述第三出口132，将各个第三出口通道135的另一端均与第三环形腔室134相通，将第三环形腔室134的容积设置为大于多个第三出口通道135的总容积，如此，能够从第三出口132处的气体实现缓冲作用，使得对硅片300的中间区域吸附的压力稳定，减小压力波动对硅片300精度的影响。

优选地，可将第三气道130上的第三出口132设置为多个，并将多个第三出口132沿第三环形曲线均匀排布，其中，第三环形曲线的中心与承载体100的中心重合(即第三环形曲线的中心与硅片300的中心重合)，如此，可进一步提高硅片300中间区域各个部位的受力平衡性。

优选地，在第二环形曲线的外侧可设置第一环形凸台160，并在第一环形凸台160的顶部与承载体100的硅片承载面之间预留高度差，如此，在硅片300放到承载体100上后，硅片300与第一环形凸台160之间会存在缝隙，当硅片300曝光时，第一环形凸台160的存在，能够对由硅片300上方流下的液体进行阻挡，尽可能地阻止液体流向硅片300下方的中间区域。

进一步地，在第二环形曲线的内侧可设置第二环形凸台170，并在第二环形凸台170的顶部与承载体100的硅片承载面之间预留高度差，如此，在硅片300放到承载体100上后，硅片300与第二环形凸台170之间会存在缝隙，第二环形凸台170的存在，能够对硅片300上方流下的液体进行二次阻挡，进一步阻止液体流向硅片300下方的中间区域；此外，第二环形凸台170与硅片300之间的缝隙能够实现第二出口122上方的真空层与第三出口132上方的真空层相通，这样能对硅片300整个下表面均匀地吸附，更大限度地实现对硅片300吸附的可靠性。

在实际使用时，可采取先对第三气道130进行抽真空，确保硅片300中心区域与承载体100紧密贴合吸附，然后，在第三气道130抽真空的同时，对第二气道120进行抽真空，使硅片300的边缘区域与承载体100紧密贴合吸附，之后，关闭第三气道130的真空气源，至此可实现硅片300整个平面的平整吸附；当硅片300进行曝光时，上方会存在流动的液体，此时，对第一气道110进行抽真空，通过第二气道120与第一气道110的持续开启配合，实现硅片300上方液体的稳定抽排，进而，保证硅片300的曝光质量精度。

在本实施例提供的光刻设备中的硅片承载装置的具体结构中还可设置支撑架，在支撑架上开设第四气道，将第四气道与第一气道110的第一入口111贴合对接，使第一气道110能够通过第四气道与真空泵连通，第四气道与第一气道110贴合对接，能够减少真空损失，提高真空泵的工作效率。

相应地，在支撑架上开设第五气道，将第五气道与第二气道120的第二入口121贴合对接，使第二气道120能够通过第五气道与真空泵连通；在支撑架上开设第六气道，将第六气道与第三气道130的第三入口131贴合对接，使第三气道130能够通过第六气道与真空泵连通。

具体地，将第一入口111设置为多个，并将多个第一入口111沿承载体100的边缘均匀分布；将第三入口131和第二入口121均设置为一个。

优选地，可在承载体100的底部设置第三环形凸台180，将第一入口111、第二入口121和第三入口131设置为凸出结构，并将第一入口111的底部端面、第二入口121的底部端面和第三入口131的底部端面设置为与第三环形凸台180的底面平齐，如此，更便于提高第一入口111与第四气道的贴合密封性，第二入口121与第五气道的贴合密封性，以及第三入口131与第六气道的贴合密封性。

具体地，第二入口121和第一入口111均可设置在第三环形凸台180的外侧；第三入口131可设置在第三环形凸台180的内侧，并紧邻第三环形凸台180。

可将第二入口121可设置为圆形孔，第一入口111可设置为腰型孔。

此外，上述第一入口111、第二入口121和第三入口131还可与风机连通，即可利用风机替换真空泵，启动风机，可将硅片300顺利取下。

特别地，本实施例提供的承载体100可选择接近于硅片300的物理特性的材质，如此，便能适应硅片300曝光环境需要的热导率和膨胀系数性能的材质要求，减少因材料本身的物理特性不同引起的对硅片300的变形影响，此外，因选用的材质与硅片300物理特性类似，故不会给硅片300带来离子污染等。

优选地，参见图5和图6，可在承载体100的顶部设置支撑凸起150，利用支撑凸起150将硅片300托举起来，如此，在将硅片300置于承载体100上后，处于承载体100上的第三出口132和第二出口122与硅片300之间便会存在间隙，启动真空泵后，在第三出口132与硅片300之间以及第二出口122与硅片300之间便均会形成真空层，从而，可利用该真空层对硅片300进行吸附，进一步提高了硅片300中间区域各个部位的受力平衡性。

具体地，可选用碳化硅、氧化铝或氮化硅制造承载体100，当然也可选择其他与硅片300物理特性类似的材质制造承载体100。

综上所述，本发明实施例公开了一种光刻设备中的硅片承载装置，其克服了传统的光刻设备中的硅片承载装置的诸多技术缺陷。本发明实施例提供的光刻设备中的硅片承载装置，在对硅片300进行吸附支撑时，硅片300的各个部位受力较均匀，中间和边缘均不易出现翘曲现象，从而，硅片300不易出现曝光质量缺陷，也不易报废。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种光刻设备中的硅片承载装置，其特征在于，包括承载体(100)，所述承载体(100)的顶部用于承载硅片(300)；

所述承载体(100)的顶部边缘部位固接有一圈阻挡环(200)，所述阻挡环(200)环绕在所述承载体(100)的承载区域外，且所述阻挡环的靠近内侧壁的部位与所述承载体之间存在环形通道；

所述承载体(100)上开设有第一气道(110)，所述第一气道(110)具有第一入口(111)和第一出口，所述第一入口(111)用于与真空泵相接；所述第一出口包括多个主出口(112)和若干辅出口(113)，所述主出口(112)与阻挡环(200)相对设置，且所述主出口(112)与所述环形通道相通，所述辅出口(113)与所述承载区域的边缘相对，多个所述主出口(112)的横截面积的总和大于所述辅出口(113)的横截面积的总和。

2.根据权利要求1所述的光刻设备中的硅片承载装置，其特征在于，所述承载体(100)上开设有环形积液槽(140)，所述主出口(112)位于所述环形积液槽(140)的槽底，所述环形积液槽(140)与所述阻挡环(200)相对设置，且所述环形积液槽(140)与所述承载区域相通。

3.根据权利要求1所述的光刻设备中的硅片承载装置，其特征在于，多个所述主出口(112)沿所述阻挡环(200)的周向分散排布；

和/或，所述辅出口(113)为两个，两个所述辅出口(113)相对所述承载区域对称分布。

4.根据权利要求1所述的光刻设备中的硅片承载装置，其特征在于，所述第一气道(110)具有第一环形腔室(114)和多个第一出口通道，多个所述第一出口通道包括多个主出口通道(115)和若干辅出口通道(116)，各个所述主出口通道(115)的一端均设置有所述主出口(112)，各个所述主出口通道(115)的另一端均与所述第一环形腔室(114)相通；各个所述辅出口通道(116)的一端均设置有所述辅出口(113)，各个所述辅出口通道(116)的另一端均与所述第一环形腔室(114)相通，所述第一环形腔室(114)的容积大于多个所述第一出口通道的总容积。

5.根据权利要求1-4任一项所述的光刻设备中的硅片承载装置，其特征在于，所述承载体(100)上开设有第二气道(120)，所述第二气道(120)具有第二入口(121)和第二出口(122)，所述第二入口(121)用于与真空泵连通；所述第二出口(122)位于所述承载体(100)的顶部，并用于与硅片(300)相对，且所述第二出口(122)靠近所述承载区域的边缘；

和/或，所述承载体(100)上开设有第三气道(130)，所述第三气道(130)具有第三入口(131)和第三出口(132)，所述第三入口(131)用于与真空泵连通；所述第三出口(132)位于所述承载体(100)的顶部，并用于与硅片(300)相对，所述第三出口(132)设置在所述承载体(100)的中间区域。

6.根据权利要求5所述的光刻设备中的硅片承载装置，其特征在于，所述第二气道(120)具有第二环形腔室(123)，所述第二入口(121)位于所述第二环形腔室(123)的底部，所述第二出口(122)位于所述第二环形腔室(123)的顶部；

和/或，所述第三气道(130)具有条形缓冲段(133)和第三环形腔室(134)，所述第三入口(131)位于所述条形缓冲段(133)的一端，所述条形缓冲段(133)的另一端与所述第三环形腔室(134)的底部连通，所述第三出口(132)位于所述第三环形腔室(134)的顶部。

7.根据权利要求6所述的光刻设备中的硅片承载装置，其特征在于，所述第二气道(120)还具有多个第二出口通道(124)，各个所述第二出口通道(124)的一端均设置有所述第二出口(122)，各个所述第二出口通道(124)的另一端均与所述第二环形腔室(123)相通，所述第二环形腔室(123)的容积大于多个所述第二出口通道(124)的总容积；

和/或，所述第三气道(130)还具有多个第三出口通道(135)，各个所述第三出口通道(135)的一端均设置有所述第三出口(132)，各个所述第三出口通道(135)的另一端均与所述第三环形腔室(134)相通，所述第三环形腔室(134)的容积大于多个所述第三出口通道(135)的总容积。

8.根据权利要求5所述的光刻设备中的硅片承载装置，其特征在于，所述第二出口(122)为多个，且多个所述第二出口(122)沿第二环形曲线均匀排布，所述第二环形曲线的中心与所述承载体(100)的中心重合；

和/或，所述第三出口(132)为多个，且多个所述第三出口(132)沿第三环形曲线均匀排布，所述第三环形曲线的中心与所述承载体(100)的中心重合。

9.根据权利要求5所述的光刻设备中的硅片承载装置，其特征在于，所述第二环形曲线的外侧设置有第一环形凸台(160)，所述第一环形凸台(160)的顶部与所述承载体(100)的硅片承载面之间存在高度差；

和/或，所述第二环形曲线的内侧设置有第二环形凸台(170)，所述第二环形凸台(170)的顶部与所述承载体(100)的硅片承载面之间存在高度差。

10.根据权利要求5所述的光刻设备中的硅片承载装置，其特征在于，所述光刻设备中的硅片承载装置还包括支撑架，所述支撑架上开设有第四气道、第五气道和第六气道，所述第四气道与所述第一入口(111)贴合对接，所述第一气道(110)通过所述第四气道与真空泵连通；所述第五气道与所述第二入口(121)贴合对接，所述第二气道(120)通过所述第五气道与真空泵连通；所述第六气道与所述第三入口(131)贴合对接，所述第三气道(130)通过所述第六气道与真空泵连通；

和/或，所述承载体的底部设置有第三环形凸台(180)，所述第一入口(111)、所述第二入口(121)和所述第三入口(131)均凸出于所述承载体(100)的底面，且所述第一入口(111)的底部端面、所述第二入口(121)的底部端面和所述第三入口(131)的底部端面均与所述第三环形凸台(180)的底面平齐；

和/或，所述第一入口(111)为腰型孔；

和/或，所述第二入口(121)为圆形孔；

和/或，所述第一入口(111)、所述第二入口(121)和所述第三入口(131)还能够与风机连通；

和/或，所述承载体(100)的顶部设有支撑凸起(150)，所述支撑凸起(150)用于托举硅片(300)；

和/或，所述承载体(100)的材质为碳化硅、氧化铝或氮化硅。

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