JP2007201452A - 液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための装置、ウェーハ・チャック・アセンブリ、および、方法 - Google Patents

液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための装置、ウェーハ・チャック・アセンブリ、および、方法 Download PDF

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Abstract

【課題】液浸リソグラフィにおける汚染を低減させる。
【解決手段】半導体ウェーハ104を自体の支持面上に保持するように構成されたウェーハ・チャック202を有するウェーハ・チャック・アセンブリ200を含む。このウェーハ・チャック202はその内部にギャップ108を有し、このギャップ108はウェーハ104の外縁に隣接して位置し、このギャップ104は、ある体積の液浸リソグラフィ液をその中に含む。ギャップ内の液浸リソグラフィ液の半径方向外側への移動を容易にし、それによって液浸リソグラフィ液のメニスカスを、半導体ウェーハ104の上面に対する選択された高さに維持するように、ウェーハ・チャック202内に液体循環経路が形成される。
【選択図】図2

Description

本発明は一般に半導体デバイスの製造に関し、詳細には、液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための装置および方法に関する。
リソグラフィは、半導体製造において利用される最も重要な技法の1つであり、特に、例えば配線層をパターン形成するプロセス、被ドープ領域を画定するプロセスなどで使用されるパターンなどのパターンを画定するために使用される。リソグラフィ・プロセスは一般に露光ステップと現像ステップとを含み、露光ステップは光源を利用して、フォトレジスト層に直接に、またはフォトマスクを通して光を当て、露光部分に化学反応を生じさせる。現像ステップは、ポジ型レジストの露光部分(またはネガ型レジストの非露光部分)を除去し、フォトレジスト・パターンを形成し、それによってレジスト材料へのフォトマスク・パターンまたは虚像パターンの転写を完了させるために実施される。
液浸リソグラフィ(Immersion lithography:IL)は、従来の193nm露光源を使用してサブ100nmフォトレジスト構造をプリントするための選択の技法として、急速に脚光を浴びている。露光ツールの最後のレンズ要素とレジストが塗布された基板との間の媒質の屈折率を増大させることによって、リソグラフィ・システムの開口数は増大し、それによって露光波長に対するプリント可能な最小フィーチャ(構造)・サイズを、よく知られたレイリーの式に従って低減させることができる。したがって、液相環境で既存の液浸リソグラフィ・プロセスが実行され、液浸リソグラフィ液(例えば超純水)の屈折率は空気の屈折率よりも大きい(約1.47対1.0)ため、それにより、より高い解像度が達成される。したがって、液浸リソグラフィ技法を使用することによって、形成されるICデバイスの寸法をさらにスケーリングすることができる。
しかし、液浸リソグラフィに関連した1つの欠点は、液浸リソグラフィ液とレジスト材料との間の物理的な接触に起因し、このような接触は潜在的に、像の完全性を部分的に失わせ、レジストの内部または下に汚染物質を入り込ませることにつながる。具体的には、露光中にシャワーヘッドの後縁のレジストの表面から液浸リソグラフィ液が蒸発し、それによって痕跡汚染物質が濃縮し、この濃縮した汚染物質が、後続の処理ステップ中に移転され、最終的に、デバイスの歩留りおよび性能に深刻な影響を及ぼす可能性がある。例えば、液浸リソグラフィ液の蒸発が確認された領域で、液浸リソグラフィ液中に存在する痕跡量のコロイド・シリカが濃縮されていることがある。
さらに、シャワーヘッドが含む(液浸リソグラフィ液としての)水のプールの後縁は、特定の走査条件下で、その後に液浸リソグラフィ液層を残しやすく、または最終的にこの層は、不定のサイズの小液滴に分解される。例えば、500〜1000mm/秒程度である一般的なウェーハ・ステージ速度において、走査面上に存在する任意の不連続部は液浸リソグラフィ液のプールの機械的安定性に影響を及ぼし、小液滴を形成させる。同様に、液浸リソグラフィ液と走査面との間の小さな接触角は、液浸リソグラフィ液の後縁の形状およびサイズを増大させ、これによって残留液層が形成される可能性を増大させる。残留液層の存在も小液滴の存在も欠陥の形成に容易につながる。トップコートまたはレジスト層の抽出可能成分(例えばオリゴマー材料、光酸発生剤、光生成された酸、塩基失活剤)は液浸リソグラフィ液によって抽出される可能性があり、液浸リソグラフィ液の乾燥時にマイクロマスキング(micromasking)またはウォーターマークのような欠陥を残す可能性がある。
したがって、液浸リソグラフィによって後に残される汚染を低減させ、または完全に排除することができることが望ましい。
以上に論じた従来技術の欠点および欠陥は、液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための装置によって解決されまたは緩和される。例示的な一実施形態では、この装置が、半導体ウェーハを自体の支持面上に保持するように構成されたウェーハ・チャックを含むウェーハ・チャック・アセンブリを含む。このウェーハ・チャックはその内部にギャップを有し、このギャップはウェーハの外縁に隣接して位置し、このギャップは、ある体積の液浸リソグラフィ液をその中に含む。ギャップ内の液浸リソグラフィ液の半径方向外側への移動を容易にし、それによって液浸リソグラフィ液のメニスカスを、半導体ウェーハの上面に対する選択された高さに維持するように、ウェーハ・チャック内に液体循環経路が形成される。
他の実施形態では、ウェーハ・チャック・アセンブリが、半導体ウェーハを自体の支持面上に保持するように構成された第1のチャック・セクションと、第1のチャック・セクションに取外し可能に取り付けられた第2のチャック・セクションとを含む。第1のチャック・セクションはその内部にギャップを有し、このギャップはウェーハの外縁に隣接して位置し、このギャップは、ある体積の液浸リソグラフィ液体をその中に含む。ギャップ内の液浸リソグラフィ液の半径方向外側への移動を容易にし、それによって液浸リソグラフィ液のメニスカスを、半導体ウェーハの上面に対する選択された高さに維持するように、第1のチャック・セクション内に液体循環経路が形成される。
他の実施形態では、液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための方法が、ウェーハ・チャックの支持面上に半導体ウェーハを保持するステップを含み、このウェーハ・チャックはその内部にギャップを有し、このギャップはウェーハの外縁に隣接して位置し、このギャップは、ある体積の液浸リソグラフィ液をその中に含む。ギャップ内の液浸リソグラフィ液の半径方向外側への移動を容易にし、それによって液浸リソグラフィ液のメニスカスを、半導体ウェーハの上面に対する選択された高さに維持するように、ウェーハ・チャック内に液体循環経路が提供される。
添付の例示のための図面では、同様の要素に同様の符号が付けられている。
本明細書には、液浸リソグラフィに関連した汚染を低減させるための装置および方法が開示される。一般的に言って、ウェーハの汚染はウェーハの縁の近くに残され、このような汚染は、ウェーハの縁とチャックの間のトポグラフィ(topography、相対的配置関係に基づく形状)と液浸リソグラフィ液との間の相互作用の結果として生み出される。最近のシミュレーションによれば、ツールのシャワーヘッドによって覆われる表面のトポグラフィを低減させることは、メニスカス(meniscus)を維持し、気泡の形成を防ぐのに役立つ。したがって、ウェーハとチャックの移行部ができるだけ平らになり、急な移行部が生じないように、ウェーハの表面を人為的に広げると有利である。
後に詳述するが、本明細書の例示的な実施形態は、ウェーハとチャック間のトポグラフィ・ギャップ(topography gap、相対的配置関係に基づく形状によるギャップ)内の液体メニスカスの完全性を、チャック内に内部液体循環経路を導入することによって維持する。この循環経路はギャップ自体を含み、それにより(ウェーハの外縁とチャックの間の)ギャップ内の液浸リソグラフィ液を半径方向外側へ流し、ウェーハの表面と同じ高さに液浸リソグラフィ液としての例えば水の水位を維持する。さらに、水位は、液体循環経路の能動または受動制御によってウェーハの表面と同じ高さに維持することができる。リソグラフィ・プロセスの浸液と光学的に調和し、ウェーハの表面を傷つけない限りにおいて、チャック内の液体循環経路に対して適当な任意の液体を使用することができることに留意されたい。
最初に図1を参照すると、例えば液浸リソグラフィ液とともに使用することができるチャック・アセンブリ100の一部分の部分断面図が示されている。図示のとおり、ウェーハ・チャック102は、薄いフォトレジスト材料層106が表面に形成された半導体ウェーハ104を保持する。チャック102、ウェーハ104およびレジスト層106の相対寸法は正確ではなく、単に例示目的でそのように描かれているにすぎないことに留意されたい。しかし、図1に示されているように、ウェーハ104の外縁には、チャック102内に形成されたエア・ギャップ108の結果として、かなりのトポグラフィ(単純でない形状)が存在する。
図2は、液浸リソグラフィ用に構成された本発明の例示的な一実施形態に基づくチャック・アセンブリ200の部分断面図である。図示のとおり、ウェーハ・チャック202は、液浸リソグラフィ液供給管路210および外溝204を含むように変更されており、外溝204は、ギャップ108内の液浸リソグラフィ液が外側へ流れ、したがってウェーハ104の上面の縁からウェーハ・チャック202の表面に延びる液面を形成し、それによって追加された液体がエア・ギャップ108を満たすことを容易にする。チャック202の最も外側の部分206の高さは、ウェーハ104の高さにほぼ対応し、ギャップ108と外溝204の間のチャックの中間部分(リップ(lip))208の高さは、最も外側の部分206およびウェーハ104の上面よりも低いことに留意されたい。このことは、リップ208の上面を越えて液体が移動することを可能にし、このことは、スプラッシング(splashing、飛び散り)の低減、したがって汚染の低減につながる。
外溝204に加えて、チャック202内にはさらに液体循環経路が形成されている。具体的には、流入経路210は、加圧された液体源がギャップ108の底に流入することを可能にし、負圧戻り経路212は、外溝204内に形成された側壁を起点とする。ウェーハ104がチャック202と接触する側のウェーハ104の表面の下に光学液体が入ることを防ぐために、ウェーハ104の底面とギャップ108の底面の間にシール214(例えばOリング)が配置される。後に詳細に論じるが、さまざまな形状および材料のシールを使用することができる。
図3に、チャックが移動するときの波を排除するために図2のチャック・アセンブリ200内に導入することができる任意選択のフィーチャ(feature)を示す。より具体的には、チャック202のリップ208に(一定の間隔で)複数の側溝216が形成される。光学液体は、リップ208の上面を越えて流れるだけでなく、それぞれの側溝216の中を流れることができるので、それによって液位制御の追加のレベルが達成される。図4は、リップ208に形成された溝216の1つを詳細に示す、図3の線4−4に沿って切った部分側断面図である。
次に図5を参照すると、液浸リソグラフィ用に構成された本発明の代替実施形態に基づくチャック・アセンブリ500の部分断面図が示されている。図示のとおり、ウェーハ・チャック502は、内部液体循環経路を含むように変更されている。しかし、図2から4の実施形態とは対照的に、図5のチャック502の内部液体循環経路は、既存のギャップ108の下方に直接に形成されている。そのため、ギャップ108内の液浸リソグラフィ液が加速されると、液浸リソグラフィ液は、加圧された流入経路510の方向から、ギャップ108の下方のリップ508を越えて、戻り経路512に流入する。さらに、図5の実施形態の液位は、経路内の液圧を感知するためにチャック502内に圧力センサ504を配置する能動制御法によって維持される。このようにすると、ギャップ108内の液浸リソグラフィ液の圧力変化に合わせて、流入経路510の正圧と戻り経路512の負圧を独立に制御することができ、それによって(液浸リソグラフィ液が水の場合)水位(メニスカス)110および通過する浸液のメニスカスの完全性を維持することができる。
図5の実施形態に関連した1つの利点は、チャック502内の液体の流れがより単純なことである。図2と同様に、液浸リソグラフィ液がウェーハ104の底面とチャック502の間に入り込むことを防ぐため、チャック502はさらにシーリング・リング514を含む。
能動制御だけでなく、液浸リソグラフィ・チャック・アセンブリ内の液位は、受動制御手段によっても維持することができる。例えば、図6は、液浸リソグラフィ用に構成された本発明の他の実施形態に基づくチャック・アセンブリ600の部分断面図である。図示のとおり、この受動制御実施形態は、第1のカラム(すなわち既存のギャップ108)と、チャック602の半径方向外側に形成された第2のカラム604とを含む変更されたウェーハ・チャック602を提供する。以前の実施形態と同様に、液体(液浸リソグラフィ液)のメニスカス110の完全性を維持するためにチャック602内にはやはり液体循環経路が提供される。
第2のカラム604内には、流入経路610および戻り経路612を含む液体循環経路が導かれ、液体循環経路はさらに越流リップ608を含む。したがって、外側へ移動する液体(液浸リソグラフィ液)は、リップ608を越えて第2のカラム604の戻り経路612に流入する。ギャップ108は、チャック602内に形成された通路606によって第2のカラム604に接続されているため、第2のカラム604の制御によって、ギャップ108内の液位(メニスカス110)の受動制御が達成される。さらに、ギャップ108の底には、ギャップ108を流入経路610に接続し、したがってギャップ108内にも液体が循環することを可能にするベンチュリ管607が形成されている。図2および5の実施形態と同様に、液浸リソグラフィ液がウェーハ104の底面とチャック602の間に入り込むことを防ぐため、チャック602はさらにシーリング・リング614を含む。
したがって、受動制御チャック・アセンブリ600の動作では、液体が第1のカラム(すなわちギャップ108)およびベンチュリ管607を通り過ぎ、ベンチュリ管607がギャップ108の液体(液浸リソグラフィ液)を吸い出す。それによって、ギャップ108の上方のメニスカス110から上に残された余分な液体がギャップ108から除去される。その後、この余分な液体は流入経路610に合流し、次いでリップ608を越えて排液路(すなわち戻り経路612)に流入し、それによって液位をチャック602の上面に維持する。2つのカラム(ギャップ108、第2のカラム604)は(例えば通過606によって)、等しい高さの等圧帯において接続されているので、ギャップ108内の液体は、第2のカラム604内に存在する液体と同じ高さに維持される。チャック602内のこの液体の流れは連続している必要はなく、チャック602の周囲の選択されたいくつかの位置で生じるようにしてもよい。
このように構成すると、受動制御チャック・アセンブリ600は、メニスカス110が横切るトポグラフィ(形状)を安定な方法で最小化することによって、ウェーハ104に隣接した液位を非常に迅速に制御することを可能にする。ベンチュリ管607がチャック・ギャップ108内の浸液の循環を提供するため、液体の汚染は蓄積しにくく、その結果、ウェーハ104の表面に汚染粒子が付着する確率はより小さくなる。一定の間隔で一連のベンチュリ管607および接続通路606を配置する第2の利点は、これらが、チャックの加速中にギャップ108内の液圧が過度に増大することを防ぐ方法を提供することである。
他の例として、図7は、図6に示した受動制御型のチャック・アセンブリ700の断面図であり、この図は、2片構成の受動制御型チャック・アセンブリの例示的な一実施形態を示している。図示のとおり、第1のチャック・セクション702aは、チャックの内部配管およびウェーハ104が保持された表面を含む。具体的には、第1のチャック・セクション702aは、前述の液体流入経路610および戻り経路612を含み、ギャップ108の底にベンチュリ管607を含む。第1のチャック・セクション702a内に栓704を挿入して、チャックの外側に液体が漏れることを防ぐことができる。
さらに、第1のチャック・セクション702aは、第2のチャック・セクション702bに(例えばボルト706によって)取外し可能に取り付けられている。取り付けられた後は第2のチャック・セクション702bも、第1のカラム(ギャップ108)と第2のカラム604の間の受動液位制御用の障壁を画定する役目を果たす。図示のとおり、第2のチャック・セクション702bはさらに、第1のカラムと第2のカラムを互いに連絡させ、ギャップ108内の液体(液浸リソグラフィ液)の受動制御を達成するための内部通路606を含む。図7に示されているように、第1のチャック・セクション702aと第2のチャック・セクション702bを一体にシールするために、Oリング708を使用してもよい。図7の詳細な例示的な実施形態には、ウェーハ104の底面と第1のチャック・セクション702aの間に液体が入り込むことを防ぐシーリング・リングが示されていないことに留意されたい。
図8は、図7のチャック・アセンブリ700の上面図である。例示的な1つの液体(液浸リソグラフィ液)分配経路を示す他に、図8はさらに、液体流入および戻り経路610、612に関する第2のカラム604内の流入および流出口の相対的な数および配置の可能な一例を示している。ギャップ108内のベンチュリ管607の例示的な分布も示されているが、それとは異なる数および配置のベンチュリ管を使用することもできることを理解されたい。
前述のとおり、どの特定のチャック・アセンブリ実施形態を利用するのかにかかわらず、ウェーハ104の下、ウェーハ104の底面とチャック(特に702a)の表面の間に、液浸リソグラフィ液(例えば水)が入り込むことを防ぐことが望ましい。より具体的には、真空によってウェーハを保持しているため、液浸リソグラフィ液はこの低い圧力に向かって漏れやすい。そのため、(例えば)ウェーハ支持体の外縁にシーリング・リングを配置することによってこの経路を遮断すると有利である。この目的のためには、いくつかのタイプおよび形状、ならびにさまざまな材料のシーリング・リングが使用可能である。
例えば図9から12は、先に論じたシーリング・リングの可能なさまざまな断面形状を示す。具体的にはシーリング・リングは、図9に示すような三角形、図10に示すようなX字形、図11に示すようなO字形、図12に示すような四角形とすることができる。しかし他の断面形状も企図される。また、シーリング・リングは、ニトリル、(ブナ(buna))、シリコーン、フルオロシリコーン、水素化ニトリル、フルオロカーボン(例えばデュポン(DuPont)社のViton(R))、ネオプレン、エチレンプロピレン、ブチル、ポリウレタン、エチレンアクリル樹脂(例えばデュポン社のVamac(R))、ポリアクリレートおよびテトラフルオロエチレン−プロピレン(例えば旭硝子のAflas(R))を含む適当な任意の材料から製作することができる。ただし適当な材料はこれらに限定されるわけではない。
最後に、図13は、チャック・アセンブリのウェーハ縁支持部904に対するシーリング・リング902の代替位置を示す。前述の実施形態では、シーリング・リングがウェーハ縁支持体904の(ウェーハの中心に関して)外側に配置されているが、図13のシーリング・リング902はウェーハ縁支持体904の内側に配置されている。シーリング・リング902がウェーハ縁支持体の外側に位置する場合、ウェーハに(正の外部シール圧力による)小さな力がかかり、この力が場合によってはウェーハを上方へ曲げ、ウェーハの縁の近くで焦点ずれエラーを生じさせる可能性がある。この状態は、ウェーハの縁とウェーハ縁支持体の間のオーバーラップ距離が小さい場合には起こりそうもないが、シーリング・リング902をウェーハ縁支持体904に関して内側に配置すると、このような曲がりは排除されるであろう。
好ましい1つまたは複数の実施形態に関して本発明を説明してきたが、本発明の範囲から逸脱することなくさまざまな変更を加えることができ、その要素にかわって等価物を使用することができることを当業者は理解されたい。さらに、特定の状況または材料を本発明の教示に適合させるために、本発明の本質的な範囲から逸脱することなく多くの修正を加えることができる。したがって本発明は、本発明を実施するための最良の形態として開示された特定の実施形態には限定されず、添付の請求項の範囲に含まれる全ての実施形態を含む。
液浸リソグラフィとともに使用することができる従来のチャック・アセンブリの一部分の部分断面図である。 液浸リソグラフィ用に構成された本発明の例示的な一実施形態に基づくチャック・アセンブリの部分断面図である。 図2のチャック・アセンブリ内に導入することができる任意選択の溝フィーチャを示す図である。 図3の線4−4に沿って切った任意選択の溝フィーチャ(形状)の部分側断面図である。 液浸リソグラフィ用に構成された本発明の代替実施形態に基づくチャック・アセンブリの部分断面図である。 液浸リソグラフィ用に構成された本発明の他の実施形態に基づくチャック・アセンブリの部分断面図である。 図6に示した受動制御型のチャック・アセンブリの断面図であって、2片構成の受動制御型チャック・アセンブリの例示的な一実施形態を示す図である。 図7のチャック・アセンブリの上面図である。 チャック・アセンブリ実施形態において使用されるシーリング・リングの可能な1つの断面形状を示す図である。 チャック・アセンブリ実施形態において使用されるシーリング・リングの可能な1つの断面形状を示す図である。 チャック・アセンブリ実施形態において使用されるシーリング・リングの可能な1つの断面形状を示す図である。 チャック・アセンブリ実施形態において使用されるシーリング・リングの可能な1つの断面形状を示す図である。 チャック・アセンブリのウェーハ縁支持部に対するシーリング・リングの代替位置を示す図である。
符号の説明
100 ウェーハ・チャック・アセンブリ
102 ウェーハ・チャック
104 半導体ウェーハ
106 フォトレジスト層
108 ギャップ
110 液位(メニスカス)
200 ウェーハ・チャック・アセンブリ
202 ウェーハ・チャック
204 外溝
206 チャックの最も外側の部分
208 リップ
210 浸液供給管路
212 戻り経路
214 シール
216 側溝
500 ウェーハ・チャック・アセンブリ
502 ウェーハ・チャック
504 圧力センサ
508 リップ
510 流入経路
512 戻り経路
514 シーリング・リング
600 ウェーハ・チャック・アセンブリ
602 ウェーハ・チャック
604 第2のカラム
606 通路
607 ベンチュリ管
608 リップ
610 流入経路
612 戻り経路
614 シーリング・リング
700 ウェーハ・チャック・アセンブリ
702a 第1のチャック・セクション
702b 第2のチャック・セクション
704 栓
706 ボルト
708 Oリング
902 シーリング・リング
904 ウェーハ縁支持部

Claims (16)

  1. 液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための装置であって、
    半導体ウェーハを自体の支持面上に保持するように構成されたウェーハ・チャックを含むウェーハ・チャック・アセンブリ
    を含み、
    前記ウェーハ・チャックがその内部にギャップを有し、前記ギャップが前記ウェーハの外縁に隣接して位置し、前記ギャップが、液浸リソグラフィ液をその中に含み、
    さらに、
    前記ギャップ内の前記液浸リソグラフィ液の半径方向外側への移動を容易にし、それによって前記液浸リソグラフィ液のメニスカスを、前記半導体ウェーハの上面に対する選択された高さに維持するように、前記ウェーハ・チャック内に形成された液体循環経路
    を含む装置。
  2. 前記液体循環経路がさらに、
    加圧された液体がそこを通して導入される、前記ギャップ内の前記液浸リソグラフィ液と連絡した流入経路と、
    前記ギャップの余分な液浸リソグラフィ液がそこから除去される戻り経路と
    を含む、請求項1に記載の装置。
  3. 前記チャックがさらに、
    前記ギャップに隣接したリップと、
    前記リップに隣接した外溝と
    を含み、
    前記ギャップが前記流入経路と連絡しており、前記外溝が前記戻り経路と連絡しており、
    前記ギャップ内の余分な液浸リソグラフィ液が、前記ギャップから前記リップを越えて前記外溝内へ、半径方向外側に移動する、
    請求項2に記載の装置。
  4. 前記リップ内に形成された1つまたは複数の溝をさらに含み、前記1つまたは複数の溝が、前記ギャップと前記外溝の間を前記液浸リソグラフィ液が移動することを許すように構成された、請求項3に記載の装置。
  5. 前記チャックがさらに、
    前記ギャップの下方に配置された、前記流入経路と前記戻り経路との間のリップと、
    前記液体循環経路と連絡した圧力センサと
    を含み、
    前記ギャップ内の余分な液浸リソグラフィ液が、前記ギャップから前記リップを越えて前記戻り経路内へ、半径方向外側に移動する、
    請求項2に記載の装置。
  6. 前記圧力センサが、前記ギャップ内の前記液浸リソグラフィ液の能動制御を提供するように構成された、請求項5に記載の装置。
  7. 前記チャックがさらに、
    前記ギャップによって画定された第1のカラムと、
    前記第1のカラムに対して半径方向外側に配置された第2のカラムと
    を含み、
    前記第2のカラムが、その中を通る前記流入経路および前記戻り経路を含み、
    さらに、
    前記第1のカラムと前記第2のカラムを接続するように構成された通路
    を含み、
    前記液浸リソグラフィ液の前記メニスカスが、前記第2のカラム内の液位の制御によって受動制御される、
    請求項2に記載の装置。
  8. 前記チャックがさらに、
    前記第2のカラム内に配置された、前記流入経路と前記戻り経路とを分離するリップ
    を含み、
    前記第1のカラム内の余分な液浸リソグラフィ液が、前記ギャップから前記通路を通り、前記第2のカラム内の前記リップを越えて前記戻り経路内へ、半径方向外側に移動する、
    請求項7に記載の装置。
  9. 前記ギャップと前記流入経路の間にベンチュリ管接続をさらに含み、前記チャックを通る前記液浸リソグラフィ液の循環を容易にするため、前記ベンチュリ管接続が、前記ギャップの前記液浸リソグラフィ液を前記流入経路内へ引き込むように構成された、請求項8に記載の装置。
  10. 前記ウェーハの前記外縁の下方に配置されたシーリング・リングをさらに含み、前記シーリング・リングが、前記ウェーハの底面と前記チャックの前記支持面との間に液浸リソグラフィ液が入り込むことを防ぐように構成された、請求項2に記載の装置。
  11. 前記シーリング・リングが、三角形、O字形、X字形および四角形のうちの1つまたは複数の形状を含む断面形状を有する、請求項10に記載の装置。
  12. 前記シーリング・リングが、ニトリル、ブナ(buna)、シリコーン、フルオロシリコーン、水素化ニトリル、フルオロカーボン、ネオプレン、エチレンプロピレン、ブチル、ポリウレタン、エチレンアクリル、ポリアクリレートおよびテトラフルオロエチレン−プロピレンのうちの1つまたは複数を含む、請求項11に記載の装置。
  13. 前記シーリング・リングが、前記チャックのウェーハ縁支持体に関して半径方向内側に配置された、請求項10に記載の装置。
  14. 半導体ウェーハを自体の支持面上に保持するように構成された第1のチャック・セクションと、
    前記第1のチャック・セクションに取外し可能に取り付けられた第2のチャック・セクションと
    を含み、
    前記第1のチャック・セクションがその内部にギャップを有し、前記ギャップが前記ウェーハの外縁に隣接して位置し、前記ギャップが、ある体積の液浸リソグラフィ液をその中に含み、
    さらに、
    前記ギャップ内の前記液浸リソグラフィ液の半径方向外側への移動を容易にし、それによって前記液浸リソグラフィ液のメニスカスを、前記半導体ウェーハの上面に対する選択された高さに維持するように、前記第1のチャック・セクション内に形成された液体循環経路
    を含むウェーハ・チャック・アセンブリ。
  15. 液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための方法であって、
    ウェーハ・チャックの支持面上に半導体ウェーハを保持するステップであって、前記ウェーハ・チャックがその内部にギャップを有し、前記ギャップが前記ウェーハの外縁に隣接して位置し、前記ギャップが、ある体積の液浸リソグラフィ液体をその中に含むステップと、
    前記ギャップ内の前記液浸リソグラフィ液の半径方向外側への移動を容易にし、それによって前記液浸リソグラフィ液体のメニスカスを、前記半導体ウェーハの上面に対する選択された高さに維持するように、前記ウェーハ・チャック内に液体循環経路を提供するステップと
    を含む方法。
  16. 前記液体循環経路に含まれる流入経路を通して加圧された液体を導入するステップであって、前記流入経路が前記ギャップ内の前記液浸リソグラフィ液と連絡しているステップと、
    前記ギャップの余分な液浸リソグラフィ液を、前記液体循環経路に含まれる戻り経路を通して除去するステップと
    を含む、請求項15に記載の方法。
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