JP2007201452A - 液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための装置、ウェーハ・チャック・アセンブリ、および、方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体ウェーハ104を自体の支持面上に保持するように構成されたウェーハ・チャック202を有するウェーハ・チャック・アセンブリ200を含む。このウェーハ・チャック202はその内部にギャップ108を有し、このギャップ108はウェーハ104の外縁に隣接して位置し、このギャップ104は、ある体積の液浸リソグラフィ液をその中に含む。ギャップ内の液浸リソグラフィ液の半径方向外側への移動を容易にし、それによって液浸リソグラフィ液のメニスカスを、半導体ウェーハ104の上面に対する選択された高さに維持するように、ウェーハ・チャック202内に液体循環経路が形成される。
【選択図】図2
Description
102 ウェーハ・チャック
104 半導体ウェーハ
106 フォトレジスト層
108 ギャップ
110 液位(メニスカス)
200 ウェーハ・チャック・アセンブリ
202 ウェーハ・チャック
204 外溝
206 チャックの最も外側の部分
208 リップ
210 浸液供給管路
212 戻り経路
214 シール
216 側溝
500 ウェーハ・チャック・アセンブリ
502 ウェーハ・チャック
504 圧力センサ
508 リップ
510 流入経路
512 戻り経路
514 シーリング・リング
600 ウェーハ・チャック・アセンブリ
602 ウェーハ・チャック
604 第2のカラム
606 通路
607 ベンチュリ管
608 リップ
610 流入経路
612 戻り経路
614 シーリング・リング
700 ウェーハ・チャック・アセンブリ
702a 第1のチャック・セクション
702b 第2のチャック・セクション
704 栓
706 ボルト
708 Oリング
902 シーリング・リング
904 ウェーハ縁支持部
Claims (16)
- 液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための装置であって、
半導体ウェーハを自体の支持面上に保持するように構成されたウェーハ・チャックを含むウェーハ・チャック・アセンブリ
を含み、
前記ウェーハ・チャックがその内部にギャップを有し、前記ギャップが前記ウェーハの外縁に隣接して位置し、前記ギャップが、液浸リソグラフィ液をその中に含み、
さらに、
前記ギャップ内の前記液浸リソグラフィ液の半径方向外側への移動を容易にし、それによって前記液浸リソグラフィ液のメニスカスを、前記半導体ウェーハの上面に対する選択された高さに維持するように、前記ウェーハ・チャック内に形成された液体循環経路
を含む装置。 - 前記液体循環経路がさらに、
加圧された液体がそこを通して導入される、前記ギャップ内の前記液浸リソグラフィ液と連絡した流入経路と、
前記ギャップの余分な液浸リソグラフィ液がそこから除去される戻り経路と
を含む、請求項1に記載の装置。 - 前記チャックがさらに、
前記ギャップに隣接したリップと、
前記リップに隣接した外溝と
を含み、
前記ギャップが前記流入経路と連絡しており、前記外溝が前記戻り経路と連絡しており、
前記ギャップ内の余分な液浸リソグラフィ液が、前記ギャップから前記リップを越えて前記外溝内へ、半径方向外側に移動する、
請求項2に記載の装置。 - 前記リップ内に形成された1つまたは複数の溝をさらに含み、前記1つまたは複数の溝が、前記ギャップと前記外溝の間を前記液浸リソグラフィ液が移動することを許すように構成された、請求項3に記載の装置。
- 前記チャックがさらに、
前記ギャップの下方に配置された、前記流入経路と前記戻り経路との間のリップと、
前記液体循環経路と連絡した圧力センサと
を含み、
前記ギャップ内の余分な液浸リソグラフィ液が、前記ギャップから前記リップを越えて前記戻り経路内へ、半径方向外側に移動する、
請求項2に記載の装置。 - 前記圧力センサが、前記ギャップ内の前記液浸リソグラフィ液の能動制御を提供するように構成された、請求項5に記載の装置。
- 前記チャックがさらに、
前記ギャップによって画定された第1のカラムと、
前記第1のカラムに対して半径方向外側に配置された第2のカラムと
を含み、
前記第2のカラムが、その中を通る前記流入経路および前記戻り経路を含み、
さらに、
前記第1のカラムと前記第2のカラムを接続するように構成された通路
を含み、
前記液浸リソグラフィ液の前記メニスカスが、前記第2のカラム内の液位の制御によって受動制御される、
請求項2に記載の装置。 - 前記チャックがさらに、
前記第2のカラム内に配置された、前記流入経路と前記戻り経路とを分離するリップ
を含み、
前記第1のカラム内の余分な液浸リソグラフィ液が、前記ギャップから前記通路を通り、前記第2のカラム内の前記リップを越えて前記戻り経路内へ、半径方向外側に移動する、
請求項7に記載の装置。 - 前記ギャップと前記流入経路の間にベンチュリ管接続をさらに含み、前記チャックを通る前記液浸リソグラフィ液の循環を容易にするため、前記ベンチュリ管接続が、前記ギャップの前記液浸リソグラフィ液を前記流入経路内へ引き込むように構成された、請求項8に記載の装置。
- 前記ウェーハの前記外縁の下方に配置されたシーリング・リングをさらに含み、前記シーリング・リングが、前記ウェーハの底面と前記チャックの前記支持面との間に液浸リソグラフィ液が入り込むことを防ぐように構成された、請求項2に記載の装置。
- 前記シーリング・リングが、三角形、O字形、X字形および四角形のうちの1つまたは複数の形状を含む断面形状を有する、請求項10に記載の装置。
- 前記シーリング・リングが、ニトリル、ブナ(buna)、シリコーン、フルオロシリコーン、水素化ニトリル、フルオロカーボン、ネオプレン、エチレンプロピレン、ブチル、ポリウレタン、エチレンアクリル、ポリアクリレートおよびテトラフルオロエチレン−プロピレンのうちの1つまたは複数を含む、請求項11に記載の装置。
- 前記シーリング・リングが、前記チャックのウェーハ縁支持体に関して半径方向内側に配置された、請求項10に記載の装置。
- 半導体ウェーハを自体の支持面上に保持するように構成された第1のチャック・セクションと、
前記第1のチャック・セクションに取外し可能に取り付けられた第2のチャック・セクションと
を含み、
前記第1のチャック・セクションがその内部にギャップを有し、前記ギャップが前記ウェーハの外縁に隣接して位置し、前記ギャップが、ある体積の液浸リソグラフィ液をその中に含み、
さらに、
前記ギャップ内の前記液浸リソグラフィ液の半径方向外側への移動を容易にし、それによって前記液浸リソグラフィ液のメニスカスを、前記半導体ウェーハの上面に対する選択された高さに維持するように、前記第1のチャック・セクション内に形成された液体循環経路
を含むウェーハ・チャック・アセンブリ。 - 液浸リソグラフィにおける汚染を低減させるための方法であって、
ウェーハ・チャックの支持面上に半導体ウェーハを保持するステップであって、前記ウェーハ・チャックがその内部にギャップを有し、前記ギャップが前記ウェーハの外縁に隣接して位置し、前記ギャップが、ある体積の液浸リソグラフィ液体をその中に含むステップと、
前記ギャップ内の前記液浸リソグラフィ液の半径方向外側への移動を容易にし、それによって前記液浸リソグラフィ液体のメニスカスを、前記半導体ウェーハの上面に対する選択された高さに維持するように、前記ウェーハ・チャック内に液体循環経路を提供するステップと
を含む方法。 - 前記液体循環経路に含まれる流入経路を通して加圧された液体を導入するステップであって、前記流入経路が前記ギャップ内の前記液浸リソグラフィ液と連絡しているステップと、
前記ギャップの余分な液浸リソグラフィ液を、前記液体循環経路に含まれる戻り経路を通して除去するステップと
を含む、請求項15に記載の方法。
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