JP5411115B2 - リソグラフィ装置及びデバイス製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、リソグラフィ装置、支持テーブル、及びリソグラフィ装置を使用してデバイスを製造する方法に関する。

リソグラフィ装置は、所望のパターンを基板の目標部分、通常は基板の目標部分に転写する機械である。リソグラフィ装置は例えば集積回路（ＩＣ）の製造に用いられる。この場合、例えばマスクまたはレチクルとも称されるパターニングデバイスが、集積回路の個別の層に形成されるべき回路パターンを生成するために使用される。このパターンが基板（例えばシリコンウェーハ）の（例えばダイの一部、あるいは１つまたは複数のダイからなる）目標部分に転写される。パターン転写は典型的には基板に形成された放射感応性材料（レジスト）層への結像による。一般に一枚の基板には網状に隣接する一群の目標部分が含まれ、これらは連続的に露光される。公知のリソグラフィ装置にはいわゆるステッパとスキャナとがある。ステッパにおいては、目標部分にパターン全体が一度に露光されるようにして各目標部分は照射を受ける。スキャナにおいては、所与の方向（スキャン方向）に放射ビームによりパターンを走査するとともに基板をスキャン方向に平行または逆平行に走査するようにして各目標部分は照射を受ける。パターニングデバイスから基板へのパターン転写は、基板にパターンをインプリントすることによっても可能である。

リソグラフィ投影装置において基板を液体に浸すことが提案されている。この液体は比較的高い屈折率をもつ液体であり、例えば水である。そうして投影系の最終要素と基板との間の空間が液体で満たされる。一実施例においては液体は蒸留水であるが、その他の液体も使用可能である。本発明の一実施形態は液体に言及して説明しているが、その他の流体、特に濡れ性流体、非圧縮性流体、及び／又は屈折率が空気より高い、望ましくは屈折率が水より高い流体が適切なこともある。気体を除く流体が特に好ましい。その真意は、露光放射は液体中で波長が短くなるので、より小さい形状の結像が可能となるということである（液体の効果は、システムの有効開口数（ＮＡ）を大きくし、焦点深度も大きくすることと見なすこともできる。）。別の液浸液も提案されている。固体粒子（例えば石英）で懸濁している水や、ナノ粒子（例えば最大寸法１０ｎｍ以下）で懸濁している液体である。懸濁粒子はその液体の屈折率と同程度の屈折率を有していてもよいし、そうでなくてもよい。その他に適切な液体として炭化水素もある。例えば芳香族、フッ化炭化水素、及び／または水溶液がある。

基板を、又は基板と基板テーブルとを液体の浴槽に浸すということは（例えば米国特許第ＵＳ４，５０９，８５２号参照）、走査露光中に加速すべき大きい塊の液体があるということである。これには、追加のモータ又はさらに強力なモータが必要であり、液体中の乱流が望ましくない予測不能な効果を引き起こすことがある。

液浸装置においては液浸流体が、流体ハンドリングシステム、流体ハンドリングデバイス構造、または流体ハンドリング装置によって操作される。一実施例においては流体ハンドリングシステムは液浸流体を供給してもよく、よって流体供給システムであってもよい。一実施例においては流体ハンドリングシステムは液浸流体を少なくとも部分的に閉じ込めてもよく、流体閉じ込めシステムであってもよい。一実施例においては流体ハンドリングシステムは液浸流体に対する障壁を提供してもよく、バリア部材、例えば流体閉じ込め構造であってもよい。一実施例においては流体ハンドリングシステムは気体流れを生成または使用して、例えば液浸流体の流れ及び／または位置の制御を助けるようにしてもよい。その気体流れは液浸流体を閉じ込めるシールを形成してもよく、流体ハンドリング構造はシール部材と称されてもよい。こうしたシール部材が流体閉じ込め構造であってもよい。一実施例においては液浸流体として液浸液が使用される。その場合、流体ハンドリングシステムは液体ハンドリングシステムであってもよい。上記の記載において流体に関し定義された構成への本段落での言及は、液体に関し定義される構成も含むものと理解されたい。

液浸液が投影系下方の表面の局所域に流体ハンドリングシステムによって閉じ込められる場合には、その表面と流体ハンドリングシステムとの間にメニスカスが延びる。表面にある特徴部分をメニスカスが通過すれば、メニスカスはその特徴部分に一時的に留められることになる。これは、例えばメニスカスからの滴や膜（以下では滴との言及は膜を含む）としての液浸液の損失、または液浸液への気泡の生成を招きうる。いずれの状態も好ましくない。漏れ出た滴は、それが位置する表面に蒸発冷却を生じさせ得る。それによって一時的なまたは永続的な変形が表面に生じるおそれがあり、あるいは乾燥ステインが残されるおそれがある。気泡が含まれていることで投影ビームが妨げられ、結像誤差が生じるおそれがある。

例えば、液浸空間からの滴の漏れ、または液浸空間への気泡の生成の可能性を低減するリソグラフィ装置を提供することが望ましい。

一態様によれば、投影系の最終要素と断面に特徴部分を有する表面との間に液浸液を供給する流体ハンドリングシステムと、液浸液のメニスカスが前記特徴部分に接触するときに少なくとも、液浸液の表面張力に局所的減少を起こすよう液浸液の組成を局所的に変化させる調整流体源と、を備える液浸リソグラフィ装置が提供される。

一態様によれば、パターンが与えられた放射ビームを、投影系の最終要素と基板との間の空間に流体ハンドリングシステムによって閉じ込められた液浸液を通じて投影することと、断面に特徴部分を有する表面を移動させることと、液浸液のメニスカスが前記特徴部分を移動する際に液浸液の組成を局所的に変化させることと、を含むデバイス製造方法が提供される。

一態様によれば、断面に特徴部分を有する表面をもつ支持テーブルであって、該支持テーブルは流体を供給する表面張力調整流体源を備え、該表面張力調整流体源は、液浸液メニスカスが前記特徴部分を移動するときに該源からの表面張力調整流体が該メニスカスでの表面張力に局所的減少を起こすよう前記特徴部分にて液浸液組成を局所的に変化させるように、前記表面に流体流通可能である、支持テーブルが提供される。

一態様によれば、投影系の最終要素と該投影系に対し移動する本体の表面であって特徴部分を備える表面との間の空間に液浸液を供給する流体ハンドリング構造と、前記流体ハンドリング構造と前記表面との間の液体メニスカスが前記表面に相対移動する際に前記メニスカスの表面張力を調整することで前記特徴部分にて液浸液組成を局所的に変化させる表面張力調整流体源と、を備える液浸リソグラフィ装置が提供される。

本発明の実施形態が付属の図面を参照して以下に説明されるがこれらは例示に過ぎない。各図面において対応する参照符号は対応する部分を指し示す。

本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を示す図である。 リソグラフィ投影装置に使用される液体供給システムを示す図である。 リソグラフィ投影装置に使用される液体供給システムを示す図である。 リソグラフィ投影装置に使用される他の液体供給システムを示す図である。 リソグラフィ投影装置に使用される他の液体供給システムを示す図である。 表面の端部を通過する液体のメニスカスの形状を示す断面図である。 表面の端部を通過する液体のメニスカスの形状を示す断面図である。 表面の端部を通過する液体のメニスカスの形状を示す断面図である。 表面の端部を通過する液体のメニスカスの形状を示す断面図である。 表面の上にある部材の断面図である。 表面張力調整流体源を含む基板テーブルの一実施例の断面図である。 基板テーブル及び計測テーブルを示す図である。

図１は、本発明の一実施形態に係るリソグラフィ装置を模式的に示す図である。この装置は、
放射ビームＢ（例えばＵＶ放射またはＤＵＶ放射）を調整するよう構成されている照明系（イルミネータ）ＩＬと、
パターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡを支持するよう構成され、いくつかのパラメタに従ってパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めするよう構成されている第１の位置決め装置ＰＭに接続されている支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴと、
物体を支持するよう構成され例えば基板テーブルである場合には基板（例えばレジストで被覆されたウエーハ）Ｗを保持するよう構成され、いくつかのパラメタに従って基板Ｗを正確に位置決めするよう構成されている第２の位置決め装置ＰＷに接続されているテーブル（例えば基板テーブルまたはウエーハテーブル）ＷＴと、
パターニングデバイスＭＡにより放射ビームＢに付与されたパターンを基板Ｗの（例えば１つまたは複数のダイからなる）目標部分Ｃに投影するよう構成されている投影系（例えば屈折投影レンズ系）ＰＳと、を備える。

照明系ＩＬは、放射の方向や形状の調整またはその他の制御のために、各種の光学素子例えば屈折光学素子、反射光学素子、磁気的光学素子、電磁気的光学素子、静電的光学素子または他の各種光学部品を含んでもよく、あるいはこれらの任意の組み合わせを含んでもよい。

支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡの向きやリソグラフィ装置の設計、あるいはパターニングデバイスＭＡが真空環境下で保持されるか否かなどの他の条件に応じた方式でパターニングデバイスＭＡを保持する。支持構造ＭＴは、機械的固定、真空固定、静電固定、またはパターニングデバイスＭＡを保持するその他の固定技術を用いてもよい。支持構造ＭＴは例えばフレームまたはテーブルであってよく、必要に応じて固定されていてもよいし移動可能であってもよい。支持構造ＭＴは、パターニングデバイスＭＡが例えば投影系ＰＳに対して所望の位置にあることを保証してもよい。本明細書では「レチクル」または「マスク」という用語を用いた場合には、より一般的な用語である「パターニングデバイス」に同義であるとみなされるものとする。

本明細書では「パターニングデバイス」という用語は、基板の目標部分にパターンを形成すべく放射ビームの断面にパターンを付与するために使用され得るいかなるデバイスをも指し示すよう広く解釈されるべきである。放射ビームに与えられるパターンは、基板の目標部分に所望されるパターンと厳密に対応していなくてもよい。このような場合には例えば、放射ビームのパターンが位相シフトフィーチャあるいはいわゆるアシストフィーチャを含む場合がある。一般には、放射ビームに付与されるパターンは、目標部分に形成される集積回路などのデバイスにおける特定の機能層に対応する。

パターニングデバイスＭＡは透過型であっても反射型であってもよい。パターニングデバイスの例としては、マスクやプログラマブルミラーアレイ、プログラマブルＬＣＤパネルがある。マスクはリソグラフィの分野では周知であり、バイナリマスクやレベンソン型位相シフトマスク、ハーフトーン型位相シフトマスク、更に各種のハイブリッド型マスクが含まれる。プログラマブルミラーアレイの一例としては、小型のミラーがマトリックス状に配列され、各ミラーが入射してくる放射ビームを異なる方向に反射するように個別に傾斜されるというものがある。これらの傾斜ミラーにより、マトリックス状ミラーで反射された放射ビームにパターンが付与されることになる。

本明細書では「投影系」という用語は、使用される露光光あるいは液浸や真空の利用などの他の要因に関して適切とされるいかなる投影系をも包含するよう広く解釈されるべきである。投影系には屈折光学系、反射光学系、反射屈折光学系、磁気的光学系、電磁気的光学系、静電的光学系、またはこれらの任意の組み合わせなどが含まれる。以下では「投影レンズ」という用語は、より一般的な用語である「投影系」と同義に用いられ得る。

ここに図示されるのは、（例えば透過型マスクを用いる）透過型のリソグラフィ装置である。これに代えて、（例えば上述のようなプログラマブルミラーアレイまたは反射型マスクを用いる）反射型のリソグラフィ装置を用いることもできる。

リソグラフィ装置は２つ以上（２つの場合にはデュアルステージと呼ばれる）の支持テーブル例えば基板テーブルＷＴ（及び／または２つ以上のパターニングデバイステーブル）を備えてもよい。こうした多重ステージ型の装置においては追加されたテーブルは並行して使用されるか、あるいは１以上のテーブルで露光が行われている間に他の１以上のテーブルで準備工程を実行するようにしてもよい。一実施例においては、少なくとも１つのテーブルは基板テーブルであり、ある別のテーブルは１つまたは複数のその他の物体例えばセンサを支持する。一実施例においては、投影ビームの計測は、基板がそれとは別の露光される基板に交換されている間に行われてもよい。

図１を参照すると、イルミネータＩＬは放射源ＳＯから放射ビームを受け取る。例えば放射源ＳＯがエキシマレーザである場合には、放射源ＳＯとリソグラフィ装置とは別体であってもよい。この場合、放射源ＳＯはリソグラフィ装置の一部を構成しているとはみなされなく、放射ビームは放射源ＳＯからイルミネータＩＬへとビーム搬送系ＢＤを介して受け渡される。ビーム搬送系ＢＤは例えば適当な方向変更用のミラー及び／またはビームエキスパンダを備える。あるいは放射源ＳＯが例えば水銀ランプである場合には、放射源ＳＯはリソグラフィ装置に一体に構成されていてもよい。放射源ＳＯとイルミネータＩＬとは、またビーム搬送系ＢＤが必要とされる場合にはこれも合わせて、放射システムと総称される。

イルミネータＩＬは放射ビームの角強度分布を調整するためのアジャスタＡＤを備えてもよい。一般には、イルミネータＩＬの瞳面における照度分布の少なくとも外径及び／または内径（通常それぞれ「シグマ−アウタ（σ−ｏｕｔｅｒ）」、「シグマ−インナ（σ−ｉｎｎｅｒ）」と呼ばれる）が調整される。加えてイルミネータＩＬは、インテグレータＩＮ及びコンデンサＣＯなどの他の要素を備えてもよい。イルミネータＩＬはビーム断面における所望の均一性及び照度分布を得るべく放射ビームを調整するために使用されてもよい。放射源ＳＯと同様に、イルミネータＩＬはリソグラフィ装置の一部を構成するとみなされてもよいし、そうでなくてもよい。例えば、イルミネータＩＬは、リソグラフィ装置に一体の部分であってもよいし、リソグラフィ装置とは別体であってもよい。後者の場合、リソグラフィ装置はイルミネータＩＬを搭載可能に構成されていてもよい。イルミネータＩＬは取り外し可能とされ、（例えば、リソグラフィ装置の製造業者によって、またはその他の供給業者によって）別々に提供されてもよい。

放射ビームＢは、支持構造（例えばマスクテーブル）ＭＴに保持されるパターニングデバイス（例えばマスク）ＭＡに入射して、パターニングデバイスＭＡによりパターンが付与される。パターニングデバイスＭＡを通過した放射ビームＢは投影系ＰＳに進入する。投影系ＰＳはビームを基板Ｗの目標部分Ｃに合焦する。第２の位置決め装置ＰＷと位置センサＩＦ（例えば、干渉計、リニアエンコーダ、静電容量センサなど）により基板テーブルＷＴを正確に移動させることができる。そうして基板テーブルＷＴは例えば放射ビームＢの経路に異なる目標部分Ｃを順次位置決めするように移動される。同様に、第１の位置決め装置ＰＭと他の位置センサ（図１には明示せず）とにより放射ビームＢの経路に対してパターニングデバイスＭＡを正確に位置決めすることができる。この位置決めは例えばマスクライブラリからのマスクの機械的交換後や走査中に行われる。一般に支持構造ＭＴの移動は、第１の位置決め装置ＰＭの一部を構成するロングストロークモジュール（粗い位置決め用）及びショートストロークモジュール（精細な位置決め用）により実現される。同様に基板テーブルＷＴの移動は、第２の位置決め装置ＰＷの一部を構成するロングストロークモジュール及びショートストロークモジュールにより実現される。ステッパでは（スキャナとは異なり）、支持構造ＭＴはショートストロークのアクチュエータにのみ接続されているか、あるいは固定されていてもよい。パターニングデバイスＭＡと基板Ｗとは、パターニングデバイスアライメントマークＭ１、Ｍ２及び基板アライメントマークＰ１、Ｐ２を用いてアライメントされてもよい。図においては基板アライメントマークが専用の目標部分を占拠しているが、アライメントマークは目標部分間のスペースに配置されてもよい（これはスクライブライン・アライメントマークとして公知である）。同様に、パターニングデバイスＭＡに複数のダイがある場合にはパターニングデバイスアライメントマークをダイ間に配置してもよい。

図示の装置は例えば次のうちの少なくとも１つのモードで使用され得る。

１．ステップモードにおいては、放射ビームＢに付与されたパターンの全体が１回の照射（すなわち単一静的露光）で目標部分Ｃに投影される間、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは実質的に静止状態とされる。そして基板テーブルＷＴがＸ方向及び／またはＹ方向に移動されて、異なる目標部分Ｃが露光される。ステップモードでは露光フィールドの最大サイズが単一静的露光で転写される目標部分Ｃのサイズを制限することになる。

２．スキャンモードにおいては、放射ビームＢに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間（すなわち単一動的露光の間）、支持構造ＭＴ及び基板テーブルＷＴは同期して走査される。支持構造ＭＴに対する基板テーブルＷＴの速度及び方向は、投影系ＰＳの拡大（縮小）特性及び像反転特性により定められる。スキャンモードでは露光フィールドの最大サイズが単一動的露光での目標部分Ｃの（非走査方向の）幅を制限し、走査移動距離が目標部分Ｃの（走査方向の）長さを決定する。

３．別のモードにおいては、支持構造ＭＴがプログラム可能パターニングデバイスを保持して実質的に静止状態とされ、放射ビームに付与されたパターンが目標部分Ｃに投影される間、基板テーブルＷＴが移動または走査される。このモードではパルス放射源が通常用いられ、プログラム可能パターニングデバイスは、基板テーブルＷＴの毎回の移動後、または走査中の連続放射パルス間に必要に応じて更新される。この動作モードは、上述のプログラマブルミラーアレイ等のプログラム可能パターニングデバイスを利用するマスクレスリソグラフィに容易に適用することができる。

上記で記載したモードを組み合わせて動作させてもよいし、各モードに変更を加えて動作させてもよいし、さらに全く別のモードでリソグラフィ装置を使用してもよい。

本明細書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、リソグラフィ装置はマイクロスケールの、更にはナノスケールをもつ要素の製造における他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。こうした他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。

投影系の最終要素と基板との間に液体を提供する構成は少なくとも二種類に大きく分類することができる。浴槽型の構成といわゆる局所液浸システムとである。浴槽型は基板の実質的に全体と任意的に基板テーブルの一部とが液槽に浸される。いわゆる局所液浸システムは、基板の局所域にのみ液体を供給する液体供給システムを使用する。後者の分類においては、液体で満たされる空間は平面図にて基板上面よりも小さく、液体で満たされた領域は基板がその領域の下を移動しているとき投影系に対し実質的に静止状態にある。本発明の一実施例が指向する更なる一構成は、液体が閉じ込められない全濡れ型である。この構成においては、基板上面全体と基板テーブルの全体または一部が液浸液で覆われる。少なくとも基板を覆う液体の深さは浅い。液体はフィルム状であってもよく、基板上の薄い液体フィルムであってもよい。図２乃至図５の液体供給装置はいずれもこうしたシステムに使用可能であるが、シール機能はなくすか、動作させないか、通常ほどは効果的でないようにするか、あるいはその他の手法で、局所域のみに液体を封じないようにする。４つの異なる形式の局所液体供給システムが図２乃至図５に図示されている。

１つの提案される構成は、液体供給システムが基板の局所域のみにかつ投影系の最終要素と基板との間に液体閉じ込めシステムを使用して供給するというものである（基板は一般に投影系の最終要素よりも大きな面積をもつ）。そのための構成の一例がＰＣＴ特許出願第ＷＯ９９／４９５０４号に開示されている。図２及び図３に示されるように、液体が少なくとも１つの入口によって基板上に、好ましくは最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給され、投影系の下を通過した後に少なくとも１つの出口によって除去される。つまり、基板が−Ｘ方向に最終要素の下を走査されると、液体が要素の＋Ｘ側にて供給され、−Ｘ側にて除去される。図２は、液体が入口を介して供給され、低圧源に接続された出口によって要素の他方側で除去される構成を概略的に示したものである。図において基板Ｗの上方の矢印は液体流れ方向を示し、基板Ｗの下方の矢印は基板テーブル移動方向を示す。図２では液体が最終要素に対する基板の移動方向に沿って供給されるが、こうである必要はない。最終要素の周囲に配置された入口及び出口の様々な方向及び数が可能であり、一例が図３に示され、ここでは各側に４組の入口と出口が、最終要素の周囲に規則的なパターンで設けられる。液体供給デバイス及び液体回収デバイスにおける矢印が液体流れ方向を示す。

局所液体供給システムをもつ液浸リソグラフィの更なる解決法が、図４に示されている。液体は、投影系ＰＳの両側にある２つの溝入口によって供給され、入口の半径方向外側に配置された複数の分離された出口によって除去される。入口及び出口は、投影ビームを通す穴を実質的に中心に有するプレートに設けることができる。液体は、投影系ＰＳの一方側にある１つの溝入口によって供給され、投影系ＰＳの他方側にある複数の分離された出口によって除去され、これによって投影系ＰＳと基板Ｗとの間に液体の薄膜の流れが生じる。入口と出口のどちらの組合せを使用するかの選択は、基板Ｗの移動方向によって決まる（他方の組合せの入口及び出口は作動させない）。図４の断面図において矢印は入口での液体流入方向と出口での液体流出方向とを示す。

本明細書にその全体が援用される欧州特許出願公開第１４２０３００号及び米国特許出願公開第２００４−０１３６４９４号には、二重ステージまたはデュアルステージの液浸リソグラフィ装置の着想が開示されている。こうした装置には基板を支持するための２つのテーブルが設けられている。レベリング計測が１つのテーブルで第１位置で液浸液なしで実行され、露光が１つのテーブルで第２位置で液浸液ありで実行される。一実施例においては、装置は１つのテーブルのみを有する。デュアルステージのリソグラフィ装置の一実施例においては、装置は基板テーブルＷＴである支持テーブルと、基板を支持可能ではなく１つまたは複数のセンサを支持する計測テーブルである支持テーブルと、を有する。計測テーブルは１つまたは複数の洗浄デバイスを支持してもよい。例えば複数基板を順次露光する合間に、及び／または基板テーブルでの基板交換の際に、計測テーブルの少なくとも１つのセンサを使用して投影ビームの計測が実行されてもよい。

提案されている別の構成は流体閉じ込め構造をもつ液体供給システムを設けることである。流体閉じ込め構造は、投影系の最終要素と基板テーブルとの間の空間の境界の少なくとも一部に沿って延在する。こうした構成を図５に示す。流体閉じ込め構造は、投影系に対してＸＹ面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（光軸の方向）では多少の相対運動があってよい。流体閉じ込め構造と基板または基板テーブルまたはその両方の表面との間にシールが形成される（以下の説明においては、そうではないと明示していない限り、基板Ｗの表面との言及は、それに加えてまたはそれに代えて支持テーブル例えば基板テーブルＷＴまたは計測テーブルの表面にも言及するものである）。一実施例においては、流体閉じ込め構造と基板の表面との間にシールが形成され、このシールはガスシール等の非接触シールであってもよい。こうしたシステムは米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されている。一実施例においては流体閉じ込め構造は液体の閉じ込めに使用され、液体閉じ込め構造とも称される。

図５は、流体閉じ込め構造を形成する本体１２を有する流体ハンドリング構造または流体ハンドリングデバイス等をもつ局所液体供給システムを模式的に示す図である。局所液体供給システムは、空間１１の境界の少なくとも一部に沿って延在する。この空間は投影系ＰＳの最終要素と基板テーブルＷＴまたは基板Ｗまたはその両方の表面との間に形成されてもよい。液体ハンドリング構造は、投影系に対してＸＹ面で実質的に静止しているが、Ｚ方向（一般には光軸方向）では多少の相対運動があってよい。一実施例においては、本体１２と基板Ｗ及び／または基板テーブルＷＴの表面との間にシールが形成され、このシールはガスシールまたはその他の流体シール等の非接触シールであってもよい。

流体ハンドリングデバイスは、投影系ＰＳの最終要素と基板Ｗとの間の空間１１の少なくとも一部に液体を収容する。基板Ｗに対する非接触シール、例えばガスシール１６が投影系ＰＳの像フィールドの周囲に形成され、空間１１に液体が閉じ込められてもよい。この空間１１は少なくとも一部が本体１２により形成される。本体１２は投影系ＰＳの最終要素の下方に配置され、当該最終要素を囲む。液体が、投影系ＰＳの下方かつ本体１２内部の空間１１に、液体入口１３によって供給される。液体出口１３によって液体が除去されてもよい。本体１２は、投影系ＰＳの最終要素の少し上方まで延在していてもよい。液位が最終要素の上まで上昇することで、液体のバッファが提供される。一実施例においては本体１２は、上端において内周が投影系ＰＳまたはその最終要素の形状に近似し、例えば円形であってもよい。下端において内周が像フィールドの形状に近似し、例えば長方形であってもよい。これらの形状は必須ではない。内周はいかなる形状であってもよく、例えば内周は投影系の最終要素の形状に一致していてもよい。内周は円形であってもよい。

液体は、本体１２の底部と基板Ｗの表面との間に使用時に形成されるガスシール１６によって空間１１に収容されてもよい。ガスシール１６は、例えば空気又は合成空気、一実施例ではＮ_２又はその他の不活性ガスなどの気体によって形成される。ガスシール１６の気体は、圧力の作用で入口１５を介して本体１２と基板Ｗとの隙間に提供される。気体は出口１４から抜き取られる。気体入口１５での過剰圧力、出口１４の真空レベル、及び隙間の幾何学的形状は、液体を閉じ込める内側への高速の気体流れが存在するように構成される。本体１２と基板Ｗとの間の液体に作用する気体の力が空間１１に液体を収容する。入口及び出口は空間１１を取り巻く環状溝であってもよい。環状溝は連続していてもよいし不連続であってもよい。気体流れは空間１１に液体を収容する効果がある。こうしたシステムは本明細書にその全体が援用される米国特許出願公開第２００４−０２０７８２４号に開示されている。

図５の例はいわゆる局所域型であり、液体はいかなる時点においても基板Ｗの上面の局所域に供給されるのみである。異なる構成も可能であり、本明細書にその全体が援用される例えば米国特許出願公開第２００６−００３８９６８号には、単相抽出器または二相抽出器を利用する流体ハンドリングシステムを含む構成が開示されている。一実施例においては、単相抽出器または二相抽出器は、多孔質材料に覆われている入口を備えてもよい。一実施例の単相抽出器においては、多孔質材料が気体から液体を分離し液体単相の液体抽出を可能とするために使用される。多孔質材料の下流のチャンバがいくらか負圧に保たれて液体で満たされる。そのチャンバの負圧は、多孔質材料の孔に形成されるメニスカスが周囲の気体のチャンバへの引き込みを妨げるような大きさとされる。その一方、多孔質材料が液体に接触すれば流れを制限するメニスカスはなくなるので液体が自由にチャンバに流入できる。多孔質材料は多数の小孔、例えば５μｍ乃至３００μｍの、望ましくは５μｍ乃至５０μｍの範囲の直径の小孔を有する。一実施例においては、多孔質材料は少なくともいくらかの親液性（例えば親水性）をもつ。すなわち、多孔質材料は液浸液例えば水に対する接触角が９０度未満である。

その他にも多様な液体供給システムが可能である。例えば液体は流体ハンドリング構造の表面にある開口を通じて二相流で抽出されてもよい。空間１１の液体は流体ハンドリング構造１２の表面と対向表面との間にメニスカス１７０を形成してもよく、この対向表面は基板Ｗ、基板テーブルＷＴ、またはその両方の表面であってもよい。開口が使用に際してメニスカス１７０を留める役割を果たしてもよい。本発明の一実施形態は、投影系ＰＳの最終要素と基板Ｗとの間に液体を閉じ込める閉じ込め型液浸システムへの使用に有利であり、例えばその使用を最適とするが、本発明の一実施形態はいかなるその他の液体供給システムにも使用可能であり、いかなる特定の形式の液体供給システムにも限定されない。

液体が流体ハンドリング構造システムにより供給されるときには、表面１００が流体ハンドリング構造１２の下にある。表面１００は流体ハンドリング構造１２に使用中に対面してもよく、よって対向表面１００と呼ぶこともできる。液体が対向表面１００の局所領域に流体ハンドリング構造１２によって提供される。局所領域の端部は液体メニスカス１７０により画定される。使用中に表面１００は流体ハンドリング構造１２に対し移動する。液体を空間１１において局所領域に閉じ込める（または収容する）ためには、メニスカス１７０は安定的であるべきである。

問題が生じうるのは、局所領域の表面１００が断面に特徴部分を、例えば構造的特徴のある端部１５０を、例えば流体ハンドリング構造１２の表面と対向表面１００との間の距離変化を、有する場合である。距離変化は緩やかでも不連続であってもよく、その距離変化をステップと称してもよい。ステップにおいては表面１００に高さ差がある（そのためステップは高さステップと呼ぶこともできる）。ステップは表面高さの不連続な変化であってもよい。メニスカス１７０はステップに留められることができる。メニスカス１７０を留めることは、対向表面１００が流体ハンドリング構造１２に対し更に移動するに際してメニスカス１７０を伸張したり引っ張ったりすることにつながる。最終的には液体メニスカス１７０は破れ、おそらくは１つまたはいくつかの滴が対向表面１００（またはリソグラフィ装置のその他の表面）及び／または端部１５０の角部に残されるか、流体ハンドリング構造１２に閉じ込められる液体に気泡を含ませる結果となる。

滴は、例えば滴の位置する表面に、局所的な蒸発冷却をもたらす可能性がある。こうした冷却が熱変形例えば膨張作用または収縮作用をもたらす可能性がある。液滴は溶質及び／または微粒子物質を含み得る。滴の蒸発によって乾燥ステインが形成される可能性がある。加えてまたは代替的に、滴とメニスカス１７０との衝突はそれ自体で気泡生成を、例えば付着気泡（つまり液体に接触する表面に付着した気泡）または浮遊気泡（つまり液体に浮遊する気泡）を、流体ハンドリング構造１２に閉じ込められた液浸液に生じさせる可能性がある。流体ハンドリング構造１２の液体中の気泡は像欠陥を起こし得る。

図６は、例えばステップである端部１５０を断面に有する特徴部分をもつ表面１００の断面図である。矢印１０５は流体ハンドリング構造１２（図示せず）に対する表面１００の移動方向を示す。一実施例においては、流体ハンドリング構造１２は静止している。流体ハンドリング構造１２に対して、表面１００は対向表面である。メニスカス１７０が対向表面１００と流体ハンドリング構造１２との間に延びている。図６が示すのは、方向１０５の表面１００とメニスカス１７０との例えば表面１００が移動する相対運動中のメニスカス１７０と表面１００との相対位置である。図６に示される場合においては、メニスカス１７０の相対移動は、端部１５０の一方の側の表面１００の高い部位と端部１５０の他方の側の低い部位との間である。メニスカス１７０の表面１００に位置する部分はこのステップを越えて下方へと移動する。

メニスカス１７０が端部１５０を越えて移動する（例えば進む）際に、メニスカス１７０は、図６の中央左図及び中央右図に示される位置に端部１５０において留められる。図６の中央右図ではメニスカス１７０がちょうど伸張されている。図６の最右図はメニスカスが伸張され端部１５０から外れた後の状態を示す。見てわかるように、後退する後側のメニスカス１７０がステップを降りるときに滴１７１が形成されている。

図７に示すのは図６と類似の状況であるが、メニスカス１７０と表面１００との相対運動に関してメニスカス１７０がステップである端部１５０を反対方向に移動していることが異なる。図７に示されるように、メニスカス１７０は端部１５０の一方側の低い部位から端部１５０の他方側の高い部位へと移動する。メニスカス１７０は表面１００に対しステップを登る。このとき図７の中央図にあるようにメニスカスが端部１５０に留められる。右図ではメニスカス１７０の留めが外されているが、滴１７１が残されている。滴１７１はステップ下方の表面１００の低い部位に残されている。

一実施例においては、メニスカス１７０での液体表面張力がその留め位置（すなわち特徴部分または端部１５０）にあるときに低下させられる。液体の表面張力の留め位置における低下は、留め位置及びメニスカス１７０の近傍で局所的に液膜を弱める。その結果、メニスカス１７０が外れて、例えば表面１００を移動することができる。このようにして図６及び図７に示す液体損失を避けることが可能になる。

加えてまたは代替的に、液体表面張力のメニスカス１７０での局所低減により気泡生成を抑えることもできる。気泡生成のメカニズムを図８及び図９に示す。図８において気泡１７２が形成されるのは、メニスカス１７０の前端部が端部１５０を登るときに端部１５０においてガス領域１７３を含める場合である。図８に示される一実施例においては、気泡１７２は、メニスカス１７０例えば前進メニスカスが端部１５０の一方側の低い部位から端部１５０の他方側の高い部位へと移動する際に形成されている。メニスカス１７０が表面１００の低い部位にあり端部１５０がメニスカスに近づくときには、表面１００の上方にあるメニスカス１７０の接触部１７４が端部１５０に当たる。このメニスカス１７０の部位が端部１５０に留められ、ガス領域１７３が、接触部１７４と表面１００の低い部位との間の部分のメニスカス１７０と表面１００との間に形成される。メニスカス１７０と表面１００との相対移動は接触部１７４の上方で上記高い部位を越えて継続されている。気泡１７２が、ガス領域１７３に含まれる気体から形成される。

図９に示す一例においては、ガス領域１７３が空間１１の液体に含まれるのは、メニスカス１７０が端部１５０を降りるときである。図９に示す一実施例においては、メニスカス１７０が端部１５０の一方側の高い部位から端部１５０の他方側の低い部位へと移動するときにガス領域１７３を形成し、その結果気泡１７２が生じる。このメカニズムは図８に示す構成に類似しているが、端部１５０に留められたメニスカス１７０が引き伸ばされてメニスカス１７０の接触部１７４が表面１００の低い部位に接触し気泡１７２を生成する点が異なる。気泡１７２がステップの下側にて形成されたとみることができる。

一実施例においては、調整流体源が設けられる。調整流体は例えば、溶媒等の液体例えば有機液体であってもよい。調整流体源（または溶媒源）は、液浸液の組成を局所的に変化させるよう構成されている。具体的には、調整流体源は、液浸液組成をメニスカス１７０において、例えば端部１５０近傍のメニスカス１７０の液体域において、変化させる。こうしてメニスカス１７０が端部１５０を移動するときにメニスカス１７０に局所的な表面張力の減少をもたらす。誘起された局所の表面張力減少によって、留め位置近傍の液膜を局所的に弱くする。こうしてメニスカス１７０を引っ込めることができる。調整流体源から供給される調整流体の量は望ましくは、調整流体の存在により液浸液の光学特性に副作用を与えないよう十分に少なくする。一実施例においては、調整流体の供給は、空間１１に液浸液が広がってしまう前に該液体から除去し得る位置において行うことが望ましい。

調整流体の適用によってメニスカスに余分な「力」を与えることにより、メニスカス１７０の接触線を縮めることができる。メニスカスの表面張力が減少することで液体の塊は液体を端部１５０から引き離すことができ、留め外し効果がもたらされる。

液浸液に溶けて液浸液の表面張力を下げる任意の界面活性剤を使用しうる。例えば、有機化合物例えばアルコール等を使用しうる。一実施例においては、調整流体は、液浸液が水である場合は例えばイソプロパノール（ＩＰＡ）であってもよい。部材２００（図１０及び後述の説明を参照）の下方の厚さ１０μｍのイソプロパノール層が使用される場合には、投影系ＰＳ下方の流れを約１リットル／ｍとすると、イソプロパノールは液浸液に約１０ナノグラムのＩＰＡ／Ｌの濃度で存在すべきである。こうした濃度であれば結像欠陥に大きなリスクを及ぼさない。他の一構成においては、計算により流体流れのパラメタにつきおそらくはより現実的な異なる見積を与えることができる。部材２００（図１０及び後述の説明を参照）の下方の厚さ１μｍのイソプロパノール層が使用される場合には、投影系ＰＳ下方の流れを約２．５リットル／ｍとすると、イソプロパノールは液浸液に約１０ミリグラムのＩＰＡ／Ｌの濃度で存在すべきである。この構成においてはＩＰＡ濃度は結像欠陥に大きなリスクを及ぼさない。

端部１５０の側面１５２が表面１００となす角度は（図６において角度θにより測定されたときに）、３０°以下であることが望ましい。したがって一実施例においては、端部１５０の側面１５２が表面１００となす角度は３０°未満、望ましくは２０°未満である。端部１５０の側面１５２の表面１００との角度が３０°未満であり上面のコーティングが疎液性である場合には、留め作用を理論的にはある限界速度まで抑制することができる。ところが実際には、通常こうした完璧な端部を製造することは可能ではない。端部の最も薄い部分は７０°乃至９０°の傾斜のある数ミクロンの厚さをもつ部位を有する可能性がある。この位置にメニスカス１７０は留められ得る。しかし、こうした場合に調整流体源を設けることは特に有効であり得る。調整流体源から留め位置までの距離が、端部１５０の側面１５２の全体が表面１００に対し９０°であれば、より小さくなるからである。

図１０に示す一実施例においては、端部１５０が表面１００に、表面１００上の更なる構成要素または部材２００の存在により、形成されている。部材２００は例えば、表面１００に取り付けられている平面部材であってもよい。この平面部材は、表面１００の少なくとも一部に接着されていてもよい（そのためこの部材は「ステッカ」と呼ぶこともできる。）。平面部材は（例えば要素間の隙間を橋渡しするための）ブリッジであってもよく、これについては図１１及び図１２を参照して後述する。一実施例においては、部材２００は、追加的にまたは代替的に、表面１００の被覆される部位に表面特性を、例えば液浸液に対する接触角を、与える。

調整流体源２１０は部材２００と表面１００との間に設けられていてもよい。調整流体が液体の形をとる場合には、部材２００と表面１００との間の毛管力は部材２００と表面１００との間に調整流体２１０を維持するのに役立つ。メニスカス１７０が端部１５０を通過するときに、メニスカス１７０における液体表面張力は局所的に減少させられる。調整流体源２１０の調整流体に触れるからである。そうして端部１５０からのメニスカス１７０の留め外しがなされる。

一実施例においては、調整流体源２１０は（溶解速度が十分に大きければ）固体の調整流体源であってもよい。固体調整流体源は液浸液に溶ける溶解性を有しており、それによって表面張力を変化させ所望の効果を引き起こす。

一実施例においては、部材２００はそれ自体が調整流体源であってもよいし、調整流体源に一体に形成されていてもよい。例えば、部材２００は疎液性の上面を有していてもよい。部材２００は上面の疎液表面の下側に層を有してもよく、この層が表面１００に接着し得る調整流体源２１０であってもよい。調整流体源２１０はその上層の下側にあってもよい。調整流体源２１０は下層として形成された層内にあってもよい。調整流体源は例えばこの下層の場合、表面１００に接着されていてもよい。調整流体源２１０は調整流体を含浸させた多孔質材料であってもよい。

図１１は更なる一実施例の断面を示す。図１１の実施例においては、ステップの形をとる端部１５０が表面１００に存在する。表面１００は基板テーブルＷＴの上面である。基板テーブルＷＴは微動のためのショートストロークモジュールを備えてもよい。基板テーブルＷＴは基板支持部ＳＳを支持しており、基板支持部ＳＳが基板Ｗを支持する。ショートストロークモジュールはロングストロークモジュール（図示せず）によって運ばれる。ロングストロークモジュールは基板Ｗの粗い位置決めに使用されショートストロークモジュールはロングストロークモジュールに対する基板Ｗの精細な位置決めのために移動する。基板支持部ＳＳは例えばいわゆるピンプルテーブルであってもよい。

図１１には（可動）平面部材２１５が示されている。平面部材２１５は、基板Ｗの端部と基板テーブルＷＴの端部との間隙を基板Ｗが基板支持部ＳＳにあるときに橋渡しするシールとして機能する。こうした平面部材２１５は基板端部シール２１５と名付けることもできる。一実施例においては、基板端部シール２１５は間隙をシールするときにリングを形成する（リングであってもよい）。使用に際して基板端部シール２１５の内端が基板Ｗの外端にちょうど位置するか、基板Ｗの外端の上に延びて位置する。基板端部シール２１５の外端は基板テーブルＷＴの上面１００に一致してまたはその上に接触して位置する。

図１１に示されるように基板端部シール２１５は、例えば基板テーブルＷＴの位置決めモジュールによって、基板支持部ＳＳ及び基板Ｗが置かれる基板テーブルＷＴの凹部の端部の上に配置される。いかなる隙間も、例えば基板Ｗの上面と基板テーブルＷＴの上面との基板端隙間も、基板端部シール２１５によって覆われる。基板端部シール２１５は、基板Ｗと基板テーブルＷＴとの間の、例えば基板支持部ＳＳの周縁の少なくとも一部を包囲する基板テーブルＷＴの端部と基板支持部ＳＳ上にある基板Ｗとの間の、基板端隙間に液体の進入路が生じるのを防ぐのに役立つ。例えば、基板Ｗの端部に像が形成され液体が流体ハンドリング構造１２により基板端隙間の上に供給されているときに、基板端部シール２１５は基板端隙間への液体進入を防ぐのに役立つ。基板端部シール２１５は、基板Ｗの交換の前に取り外すことができ、基板Ｗの交換の後に基板支持部ＳＳ上の新たな基板Ｗの端部の上に再配置することができ、これは２００９年６月３０日に出願された米国特許出願第６１／２１３，６５８号に記載されている。基板端部シール２１５は例えば、基板テーブルＷＴに内蔵のアクチュエータに接続されている。アクチュエータは、基板端部シール２１５を基板Ｗ端部から径方向に離れるよう上昇させる。

基板端部シール２１５は、表面１００に対しステップ１５０を形成する端部１５０を有する。その上をメニスカス１７０が、基板テーブルＷＴの移動の際に通過する。

図１１の実施例においては、調整流体源は毛管流路３１０の一端における開口という形式で設けられている。毛管流路３１０は供給開口をもつ当該流路３１０の一端から、第２の（例えば反対の）一端へと延びている。この第２の一端によって当該流路３１０は、調整流体室３２０に流体流通可能である。供給開口は少なくともその一部が基板端部シール２１５内または近傍に形成されている。供給開口は、メニスカス１７０が端部１５０の上を通過するときに調整流体が液浸液へと望ましくは端部１５０にて局所的に溶け出すように、端部１５０に隣接していてもよい。そのようにして、調整流体はメニスカス１７０の表面張力の低減に役立ち、端部１５０に留めるのを妨げるよう役立ちうる。

調整流体室３２０での流体のはねを防止または軽減するために、調整流体室３２０は調整流体を保持する多孔質媒体を有してもよい。追加的にまたは代替的に、（自由表面がないよう）液体を押すピストンをもつポンプが使用されてもよい。望ましくは毛管流路３１０での毛細管圧は、基板テーブルＷＴの加速による調整流体室３２０での調整流体の圧力ピークよりも高くする。このことが（毛管流路３１０の径及び調整流体の選択により）実現される場合には、調整流体の基板テーブルＷＴの表面例えば上面へのこぼれを避けることができる。

液浸リソグラフィ装置には多くの位置に端部１５０（例えば、ステッカ等の接着可能平面部材によるもの）があり、端部１５０は液体が流体ハンドリング構造１２により供給される表面例えば上面に存在する。こうした位置の大半は図１２に示されているが、これらは例示にすぎないと見るべきであり限定するものではない。すべての場合において、メニスカス１７０は部材（例えば接着されたステッカ等の平面部材）の端部１５０によって留められる危険性があり、それによって液体が失われるおそれがある。本発明の一実施形態は、複数の端部１５０のいずれかまたはすべてに適用することができる。

基板テーブルＷＴは基板Ｗを支持する。図１２に示す基板テーブルＷＴは基板端部シール２１５をもつ基板支持部ＳＳ（図示せず）を有する。基板端部シール２１５は基板Ｗ及び／または基板支持部ＳＳと基板テーブルＷＴとの間隙を橋渡しする。図１２に示されるのは、センサ５０と、そのセンサ５０と基板テーブルＷＴとの間隙を覆うステッカ２２０とである。これに加えてまたは代えて、センサターゲット６０が基板テーブルＷＴの凹部に搭載される別個の部材であってもよい。ステッカ２３０が、センサターゲット６０と基板テーブルＷＴとの間隙を橋渡ししてもよい。

ブリッジ８０が図示されている。ブリッジ８０は格納可能であってもよい。投影系下方でのテーブル交換に際して、例えば基板テーブルＷＴと計測テーブルＭＳＴとの交換に際して、投影系ＰＳまたはその最終要素に液体の接触を保つことが乾燥ステインを防ぐには望ましい。これを実現するには、流体ハンドリング構造１２の下方に常に表面を位置させるようにすればよい。ブリッジ８０は、２つのテーブル例えば図１２に示す基板テーブルＷＴと計測テーブルＭＳＴとの間隙に橋渡しをするために設けられている。ブリッジ８０は、基板テーブルＷＴにブリッジ８０を取り付けるためのブリッジヘッド８５を有してもよい。ブリッジヘッド８５は、ブリッジ８０を適時に展開し格納するための機構を収容してもよい。ブリッジヘッド８５と基板テーブルＷＴとの間には隙間が存在しうるので、ステッカ２４０等の平面部材によってこの隙間が橋渡しされていてもよい。図においてはブリッジ８０及びブリッジヘッド８５は基板テーブルに設けられているが、これらの一方または両方が他のテーブル例えば計測テーブルＭＳＴに配置されていてもよい。

計測テーブルＭＳＴは、１つまたは複数のセンサが２つのテーブルの一方にあり基板Ｗが他方によって支持されるというデュアルステージの設計において使用される。計測テーブルＭＳＴは計測を行うために設けられているが、例えば基板テーブルＷＴでの基板Ｗの交換の際に流体ハンドリング構造１２に液体を封じるための表面として使用されてもよい。この目的のために上面１００が設けられている。一実施例においては、上面１００は液浸液に対し疎液性をもつ。この目的のために、接着された平面部材例えばステッカ２５０が上面１００に設けられていてもよい。ステッカ２５０はそれ自体疎液性上面をもつ。ステッカ２５０は表面１００を疎液性にしてもよいし、上面１００の疎液性特性が例えば使用のうちに劣化したときに上面１００の疎液性特性を復元してもよい。こうしたステッカ２５０は追加的にまたは代替的に、基板テーブルＷＴにあってもよい（図示参照）。

計測テーブルＭＳＴは、センサ５０と、基板テーブルＷＴにあるのと同様のステッカ２２０と、を備えてもよい。センサターゲット６０及び関連するステッカ２３０についても同様に設けられていてもよい。計測テーブルＭＳＴに設けられたセンサターゲット６０及びセンサ５０は、基板テーブルＷＴに設けられているそれらと同一であってもよいし異なるものであってもよい。加えて、図示のように、洗浄ステーション９０が計測テーブルＭＳＴに設けられていてもよい。洗浄ステーション９０は、液体ハンドリングシステム及び／または投影系ＰＳの最終要素を洗浄するための洗浄ステーションであってもよい。ステッカ２６０が洗浄ステーション９０と計測テーブルＭＳＴとの間隙を橋渡しするために設けられていてもよい。

本発明の一実施例は、図１２に示す部材またはステッカ２１０、２２０、２３０、２４０、２５０、２６０により作られる端部のいずれかまたはすべてに適用されてもよい。

本発明の一実施形態は、液体の損失及び／または気泡の生成の可能性を低減するという点で有効である。したがって、１つのあり得る効果は、欠陥の低減である。これに加えて、またはこれに代えて、高スループットも可能となりうる。特徴部分にメニスカス１７０が留まる可能性が小さくなるので流体ハンドリング構造１２に対しより高速にテーブルＷＴ、ＭＳＴを動かすことが可能となるからである。

理解されるように、本願にて網羅される明記された組み合わせには限られず、任意の上記の特徴は他の任意の上記の特徴とともに使用可能である。

本明細書ではＩＣの製造におけるリソグラフィ装置の使用を例として説明しているが、リソグラフィ装置は他の用途にも適用することが可能であるものと理解されたい。他の用途としては、集積光学システム、磁区メモリ用案内パターンおよび検出パターン、フラットパネルディスプレイ、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、薄膜磁気ヘッドなどがある。当業者であればこれらの他の適用に際して、本明細書における「ウェーハ」あるいは「ダイ」という用語がそれぞれ「基板」あるいは「目標部分」という、より一般的な用語と同義であるとみなされると理解することができるであろう。基板は露光前または露光後においてトラック（典型的にはレジスト層を基板に塗布し、露光後のレジストを現像する装置）、メトロロジツール、及び／またはインスペクションツールにより処理されてもよい。適用可能であれば、本明細書の開示はこれらのまたは他の基板処理装置にも適用され得る。また、基板は例えば多層ＩＣを製造するために複数回処理されてもよく、その場合には本明細書における基板という用語は既に処理されている多数の処理層を含む基板をも意味する。

本明細書において「放射」及び「ビーム」という用語は、紫外（ＵＶ）放射（例えば約３６５ｎｍ、２４８ｎｍ、１９３ｎｍ、１５７ｎｍ、または１２６ｎｍの波長を有する）を含むあらゆる種類の電磁放射を示す。「レンズ」という用語は、文脈が許す限り、屈折光学素子及び反射光学素子を含む１つの光学素子またはこれら各種の光学素子の組み合わせを指し示すものであってもよい。

本発明の特定の実施形態が上述されたが、説明したもの以外の態様で本発明が実施されてもよい。例えば、本発明の実施形態は、上述の方法を記述する機械で読み取り可能な命令の１つまたは複数のシーケンスを含むコンピュータプログラムの形式をとってもよいし、そのコンピュータプログラムを記録したデータ記録媒体（例えば半導体メモリ、磁気ディスク、または光ディスク）であってもよい。機械で読み取り可能な命令は２以上のコンピュータプログラムにより実現されてもよい。それら２以上のコンピュータプログラムは１つまたは複数の異なるメモリ及び／またはデータ記録媒体に記録されていてもよい。

本明細書に記載の１つまたは複数のコントローラは各々がまたは組み合わされて、リソグラフィ装置の少なくとも１つの構成要素内部に設けられた１つまたは複数のコンピュータプロセッサによって１つまたは複数のコンピュータプログラムが読み取られたときに動作可能であってもよい。コントローラは信号を受信し処理し送信するのに適切ないかなる構成であってもよい。１つまたは複数のプロセッサは少なくとも１つのコントローラに通信可能に構成されていてもよい。例えば、複数のコントローラの各々が上述の方法のための機械読み取り可能命令を含むコンピュータプログラムを実行するための１つまたは複数のプロセッサを含んでもよい。各コントローラはコンピュータプログラムを記録する記録媒体及び／またはそのような媒体を受けるハードウェアを含んでもよい。コントローラは１つまたは複数のコンピュータプログラムの機械読み取り可能命令に従って動作してもよい。

本発明の１つまたは複数の実施形態はいかなる液浸リソグラフィ装置に適用されてもよい。上述の形式のものを含むがこれらに限られない。液浸液が浴槽形式で提供されてもよいし、基板の局所領域のみに提供されてもよいし、非閉じ込め型であってもよい。非閉じ込め型においては、液浸液が基板及び／または基板テーブルの表面から外部に流れ出ることで、基板テーブル及び／または基板の覆われていない実質的に全ての表面が濡れ状態であってもよい。非閉じ込め液浸システムにおいては、液体供給システムは液浸流体を閉じ込めなくてもよいし、液浸液の一部が閉じ込められるが完全には閉じ込めないようにしてもよい。

本明細書に述べた液体供給システムは広く解釈されるべきである。ある実施形態においては投影系と基板及び／または基板テーブルとの間の空間に液体を提供する機構または構造体の組合せであってもよい。１つまたは複数の構造体、及び１つまたは複数の流体開口の組合せを含んでもよい。流体開口は、１つまたは複数の液体開口、１つまたは複数の気体開口、１つまたは複数の二相流のための開口を含む。開口のそれぞれは、液浸空間への入口（または流体ハンドリング構造からの出口）または液浸空間からの出口（または流体ハンドリング構造への入口）であってもよい。一実施例においては、液浸空間の表面は基板及び／または基板テーブルの一部であってもよい。あるいは液浸空間の表面は基板及び／または基板テーブルの表面を完全に含んでもよいし、液浸空間が基板及び／または基板テーブルを包含してもよい。液体供給システムは、液体の位置、量、性質、形状、流速、またはその他の性状を制御するための１つまたは複数の要素をさらに含んでもよいが、それは必須ではない。

要約すれば、本開示は以下の特徴の１つまたは複数を含む。

１．投影系の最終要素と断面に特徴部分を有する表面との間に液浸液を供給する流体ハンドリングシステムと、
液浸液のメニスカスが前記特徴部分に接触するときに少なくとも、液浸液の表面張力に局所的減少を起こすよう液浸液の組成を局所的に変化させる調整流体源と、を備える液浸リソグラフィ装置。

２．前記調整流体源は、前記特徴部分に隣接する前記表面に位置する、特徴１に記載の液浸リソグラフィ装置。

３．前記源は固体調整流体源を備える、特徴１または２に記載の液浸リソグラフィ装置。

４．前記調整流体源は、毛管流路の一端にある開口を備え、該毛管流路は他端において調整流体室に流体流通可能である、特徴１から３のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。

５．前記表面はテーブルの表面を含む、特徴１から４のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。

６．前記テーブルは基板テーブルまたは計測テーブルである、特徴５に記載の液浸リソグラフィ装置。

７．前記特徴部分は、前記表面の少なくとも２つの隣接する部位の間にある端部である、特徴１から６のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。

８．前記端部は前記表面にある高さステップである、特徴７に記載の液浸リソグラフィ装置。

９．前記特徴部分は前記表面上にある平面部材の端部である、特徴１から８のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。

１０．前記平面部材は、該平面部材が位置する前記表面とは異なる表面特性をもつ、特徴９に記載の液浸リソグラフィ装置。

１１．前記平面部材は前記表面に接着されている、特徴９または１０に記載の液浸リソグラフィ装置。

１２．前記平面部材は、第１物体と第２物体との間隙を橋渡しする、特徴９から１１のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。

１３．前記第１物体は、センサ、洗浄ステーション、基板支持部、センサターゲット、ブリッジヘッド、またはブリッジから選択される少なくとも１つである、特徴１２に記載の液浸リソグラフィ装置。

１４．前記第２物体はテーブルである、特徴１３に記載の液浸リソグラフィ装置。

１５．前記第２物体は、基板テーブルの内部に配置されている基板支持部である、特徴１４に記載の液浸リソグラフィ装置。

１６．前記第１物体はブリッジヘッドであり、前記第２物体はブリッジである、特徴１２に記載の液浸リソグラフィ装置。

１７．前記平面部材は基板端部シールであり、前記第１物体はテーブルである、特徴１２に記載の液浸リソグラフィ装置。

１８．前記第２物体は基板である、特徴１７に記載の液浸リソグラフィ装置。

１９．前記流体ハンドリングシステムは、最終光学素子と基板またはテーブルまたはその両方の対向表面との間の空間に液浸液を供給し閉じ込める、特徴１から１８のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。

２０．前記流体ハンドリングシステムは、基板及び／またはテーブルの上面の局所領域のみに液体を供給する局所流体ハンドリングシステムである、特徴１から１９のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。

２１．前記特徴部分は、前記表面にある部材により形成される端部であり、前記調整流体源は、該部材と該表面との間に位置する、特徴１から２０のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。

２２．前記調整流体源は、液体であり、前記部材と前記表面との間に毛管力によって保持されている、特徴２１に記載の液浸リソグラフィ装置。

２３．前記部材は接着可能である、特徴２１または特徴２２に記載の液浸リソグラフィ装置。

２４．パターンが与えられた放射ビームを、投影系の最終要素と基板との間の空間に流体ハンドリングシステムによって閉じ込められた液浸液を通じて投影することと、
断面に特徴部分を有する表面を移動させることと、
液浸液のメニスカスが前記特徴部分を移動する際に液浸液の組成を局所的に変化させることと、を含むデバイス製造方法。

２５．断面に特徴部分を有する表面をもつ支持テーブルであって、
該支持テーブルは流体を供給する表面張力調整流体源を備え、該表面張力調整流体源は、液浸液メニスカスが前記特徴部分を移動するときに該源からの表面張力調整流体が該メニスカスでの表面張力に局所的減少を起こすよう前記特徴部分にて液浸液組成を局所的に変化させるように、前記表面に流体流通可能である、支持テーブル。

２６．投影系の最終要素と該投影系に対し移動する本体の表面であって特徴部分を備える表面との間の空間に液浸液を供給する流体ハンドリング構造と、
前記流体ハンドリング構造と前記表面との間の液体メニスカスが前記表面に相対移動する際に前記メニスカスの表面張力を調整することで前記特徴部分にて液浸液組成を局所的に変化させる表面張力調整流体源と、を備える液浸リソグラフィ装置。

上述の説明は例示であり、限定を意図しない。よって、後述の請求項の範囲から逸脱することなく既述の本発明に変更を加えることができるということは、関連技術の当業者には明らかなことである。

Claims (14)

1. 投影系の最終要素と断面に特徴部分を有する表面との間に液浸液を供給する流体ハンドリングシステムと、
   液浸液のメニスカスが前記特徴部分に接触するときに少なくとも、液浸液の表面張力に局所的減少を起こすよう液浸液の組成を局所的に変化させる調整流体源と、
   前記特徴部分に又はその近傍に位置する調整流体の出口と、を備え、前記出口は液浸液が接触するとき液浸液に調整流体が溶解するよう前記表面に位置しており、
   前記特徴部分は、前記表面上にある部材の端部であり、
   前記部材は、前記表面にある隙間を覆っている、液浸リソグラフィ装置。
2. 投影系の最終要素と断面に特徴部分を有する表面との間に液浸液を供給する流体ハンドリングシステムと、
   液浸液のメニスカスが前記特徴部分に接触するときに少なくとも、液浸液の表面張力に局所的減少を起こすよう液浸液の組成を局所的に変化させる調整流体源と、
   前記特徴部分に又はその近傍に位置する調整流体の出口と、を備え、前記出口は液浸液が接触するとき液浸液に調整流体が溶解するよう前記表面に位置しており、
   前記調整流体源は固体調整流体源を備え、前記固体調整流体源は、液浸液に溶ける固体を備え、前記調整流体は液浸液に溶けた前記固体を含む、液浸リソグラフィ装置。
3. 前記調整流体源は、前記特徴部分に隣接する前記表面に位置する、請求項１または２に記載の液浸リソグラフィ装置。
4. 前記出口は、毛管流路の一端にある開口を備え、該毛管流路は他端において調整流体室に流体流通可能である、請求項１から３のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。
5. 前記表面はテーブルの表面を含む、請求項１から４のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。
6. 前記端部は、前記表面の少なくとも２つの隣接する部位の間にある、請求項１、３から５のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。
7. 前記部材は前記表面上にある平面部材である、請求項１、３から６のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。
8. 前記平面部材は、該平面部材が位置する前記表面とは異なる表面特性をもつ、請求項７に記載の液浸リソグラフィ装置。
9. 前記平面部材は前記表面に接着されている、請求項７または８に記載の液浸リソグラフィ装置。
10. 前記流体ハンドリングシステムは、最終光学素子と基板またはテーブルまたはその両方の対向表面との間の空間に液浸液を供給し閉じ込める、請求項１から９のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。
11. 前記調整流体源は、該部材と該表面との間に位置し、前記部材は接着可能である、請求項１、３から１０のいずれかに記載の液浸リソグラフィ装置。
12. パターンが与えられた放射ビームを、投影系の最終要素と基板との間の空間に流体ハンドリングシステムによって閉じ込められた液浸液を通じて投影することと、
    断面に特徴部分を有する表面を移動させることと、
    液浸液のメニスカスが前記特徴部分を移動する際に液浸液の組成を局所的に変化させることと、を含み、
    前記局所的に変化させることは、前記特徴部分に又はその近傍にありかつ前記表面に位置する出口に液浸液が接触するとき液浸液に調整流体を溶解させることを含み、
    前記特徴部分は、前記表面上にある部材の端部であり、
    前記部材は、前記表面にある隙間を覆っている、デバイス製造方法。
13. 断面に特徴部分を有する表面をもつ支持テーブルであって、該支持テーブルは、
    流体を供給する表面張力調整流体源を備え、該表面張力調整流体源は、液浸液メニスカスが前記特徴部分を移動するときに該源からの表面張力調整流体が該メニスカスでの表面張力に局所的減少を起こすよう前記特徴部分にて液浸液組成を局所的に変化させるように、前記表面に流体流通可能であり、該支持テーブルは更に、
    前記特徴部分に又はその近傍に位置する調整流体の出口を備え、
    前記出口は液浸液が接触するとき液浸液に調整流体が溶解するよう前記表面に位置しており、
    前記特徴部分は、前記表面上にある部材の端部であり、
    前記部材は、前記表面にある隙間を覆っている、支持テーブル。
14. 投影系の最終要素と該投影系に対し移動する本体の表面であって特徴部分を備える表面との間の空間に液浸液を供給する流体ハンドリング構造と、
    前記流体ハンドリング構造と前記表面との間の液体メニスカスが前記表面に相対移動する際に前記メニスカスの表面張力を調整することで前記特徴部分にて液浸液組成を局所的に変化させる表面張力調整流体源と、
    前記特徴部分に又はその近傍に位置する調整流体の出口と、を備え、前記出口は液浸液が接触するとき液浸液に調整流体が溶解するよう前記表面に位置しており、
    前記特徴部分は、前記表面上にある部材の端部であり、
    前記部材は、前記表面にある隙間を覆っている、液浸リソグラフィ装置。

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