JP5005571B2 - 液処理装置 - Google Patents

液処理装置 Download PDF

Info

Publication number
JP5005571B2
JP5005571B2 JP2008033522A JP2008033522A JP5005571B2 JP 5005571 B2 JP5005571 B2 JP 5005571B2 JP 2008033522 A JP2008033522 A JP 2008033522A JP 2008033522 A JP2008033522 A JP 2008033522A JP 5005571 B2 JP5005571 B2 JP 5005571B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
lift pin
cleaning liquid
pin plate
liquid
main
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2008033522A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2009194167A (ja
Inventor
藤 規 宏 伊
波 宏 光 難
Original Assignee
東京エレクトロン株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 東京エレクトロン株式会社 filed Critical 東京エレクトロン株式会社
Priority to JP2008033522A priority Critical patent/JP5005571B2/ja
Publication of JP2009194167A publication Critical patent/JP2009194167A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5005571B2 publication Critical patent/JP5005571B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B3/00Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
    • B08B3/04Cleaning involving contact with liquid
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68742Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a lifting arrangement, e.g. lift pins
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68792Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the construction of the shaft

Description

本発明は、回転駆動されている被処理体に洗浄液を供給して、当該被処理体を洗浄する液処理装置に関する。
特許文献1に示すように、従来から、被処理体である半導体ウエハ(以下、ウエハとも呼ぶ)を保持するとともに、中空になった底板と、底板に固定連結され、スピンモータにより回転駆動される回転軸と、回転軸内で延在し、底板に保持されたウエハに洗浄液を供給する供給管路と、上昇することによって下方からウエハを支持することができる基板押し上げピンと、を備えた液処理装置は知られている。
特開平9−290197号公報
従来の液処理装置においては、ウエハを洗浄するために用いられた薬液やリンス液などの洗浄液が、貫通穴を介して基板押し上げピンに付着する可能性があった。このため、ウエハの乾燥工程の後に、基板押し上げピンによってウエハを持ち上げて搬送ロボットに受け渡すときに、基板押し上げピンに付着した洗浄液の液滴がウエハの裏面に付着することがあった。
このようにウエハに洗浄液が付着すると、液滴が付着したウエハ自体にウオーターマークが形成されるだけでなく、ウエハが運び込まれたキャリア内の湿度が上昇してしまい、キャリア内に収容された他のウエハにもウオーターマークが形成されることがある。
また、従来の液処理装置においては、二重供給管路内部に、不活性ガス接続路に接続された第1の通路と洗浄液接続路に接続された第2の通路とが設けられ、第1の通路と第2の通路の先端が同じ高さに位置している。このため、第1の通路内に、洗浄液が流入してしまうことがある。
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、被処理体を持ち上げる部材に洗浄液が残ることを防止することによって、被処理体の裏面に洗浄液が付着することを防止し、かつ、不活性ガス供給部内に洗浄液が流入することを防止するとともに、被処理体に不活性ガスを効率よく供給する液処理装置を提供することを目的とする。
本発明による液処理装置は、
被処理体を保持するとともに、中空になった保持プレートと、
前記保持プレートに固定連結され、中空になった回転軸と、
前記回転軸を所定の回転方向に回転駆動する回転駆動部と、
前記保持プレートの中空内に配置され、本体と前記被処理体を支持するリフトピンとを有するリフトピンプレートと、
前記回転軸の中空内で延在し、前記保持プレートに保持された前記被処理体に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
前記回転軸の中空内で延在し、前記保持プレートに保持された前記被処理体に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
前記リフトピンプレートを昇降させて、上方位置および下方位置に配置させる昇降部材と、
前記被処理体を洗浄した洗浄液を排出する排液管と、
を備え、
前記リフトピンプレートは傾斜面を有し、
前記不活性ガス供給部の先端が、前記洗浄液供給部の先端よりも高い位置に位置している。
このような構成によって、リフトピンプレートに洗浄液が残ることを防止することができ、被処理体の裏面に洗浄液が付着することを防止することができる。また、不活性ガス供給部内に洗浄液が流入することを防止するとともに、被処理体に不活性ガスを効率よく供給することもできる。
本発明による液処理装置において、
前記被処理体を洗浄した洗浄液は、前記排液管を介して、その自重により排出されることが好ましい。
本発明による液処理装置において、
吸引装置をさらに備え、
前記被処理体を洗浄した洗浄液は、前記吸引装置による駆動力を受けて前記排液管を介して、排出されることが好ましい。
本発明による液処理装置において、
前記リフトピンプレートの傾斜面は、前記排液管の先端に向かって降下することが好ましい。
本発明による液処理装置において、
前記リフトピンプレートの傾斜面は、周縁外方に向かって降下することが好ましい。
本発明による液処理装置において、
前記リフトピンプレートの傾斜面は、前記排液管の先端に向かって降下する内周部分と、当該内周部分の周縁外方に位置して周縁外方に向かって降下する外周部分とを有することが好ましい。
本発明による液処理装置において、
前記リフトピンは、前記リフトピンプレートの本体の周縁外方に支持部を介して設けられ、
当該支持部の横断面は多角形からなり、当該多角形の頂角が上方に向かっていることが好ましい。
このような構成によって、リフトピンプレートのリフトピンに洗浄液が残ることをより確実に防止することができる。
本発明による液処理装置において、
前記保持プレートの内周部分は、前記リフトピンプレートの傾斜面と略同一角度で傾斜するとともに、当該リフトピンプレートの傾斜面と同一平面内に位置する傾斜面を有することが好ましい。
このような構成によって、保持プレートを回転させて洗浄液を振り切るときに効率よく洗浄液を振り切ることができるとともに、気流の乱れを防止することができる。
本発明によれば、リフトピンプレートが傾斜面を有するので、リフトピンプレートに洗浄液が残ることを防止することができ、被処理体の裏面に洗浄液が付着することを防止することができる。また、不活性ガス供給部の先端が、洗浄液供給部の先端よりも高い位置に位置するので、不活性ガス供給部内に洗浄液が流入することを防止するとともに、被処理体に不活性ガスを効率よく供給することができる。
発明を実施するための形態
第1の実施の形態
以下、本発明に係る液処理装置および液処理方法の第1の実施の形態について、図面を参照して説明する。ここで、図1乃至図5は本発明の第1の実施の形態を示す図である。
図1に示すように、液処理装置は、被処理体である半導体ウエハW(以下、ウエハWとも呼ぶ)を保持する保持部材60を有するとともに、中空になった保持プレート1と、保持プレート1に固定連結され、中空になった回転軸2と、回転軸2を所定の回転方向に回転駆動する回転駆動部40と、を備えている。
また、図1に示すように、回転軸2の周縁外方にはベアリング47が配置されている。また、回転駆動部40は、回転軸2の周縁外方に配置されたプーリ42と、このプーリ42に駆動ベルト43を介して駆動力を付与するモータ41とを有している。
また、図1および図2に示すように、保持プレート1の中空内には、傾斜面25a,25bを有する本体25と、リフトピン21を有するリフトピンプレート20が配置されている。より具体的には、傾斜面25a,25bは、後述する排液管13の先端に向かって降下する内周部分25aと、当該内周部分25aの周縁外方に位置して周縁外方に向かって降下する外周部分25bとを有している。
また、図1乃至図3(a)に示すように、リフトピン21は、リフトピンプレート20の本体25の周縁外方に支持部22を介して設けられている。そして、この支持部22の横断面は三角形からなり、当該三角形の鋭角からなる頂角が真上方向に向かっている(図3(b)参照)。なお、図3(b)は、図3(a)を直線B−Bで切断した断面図である。
また、図1に示すように、回転軸2の中空内には、リフトピンプレート20に固定連結された支持軸35が上下方向に延在している。また、図1に示すように、支持軸35には、リフトピンプレート20および支持軸35を昇降させて、上方位置および下方位置に配置させる昇降部材30が設けられている。
なお、図2に示すように、リフトピンプレート20が下方位置にある場合でも、リフトピンプレート20と保持プレート1との間には間隙Gが設けられている。そして、当該間隙Gから薬液やリンス液などの洗浄液が流入しないように、Nなどの気体が間隙Gから外方に向かって吹きつけられるようになっている(パージされるようになっている)。
また、図1および図2に示すように、リフトピンプレート20の本体25の周縁部には、下方突出部26が設けられている。そして、この下方突出部26により間隙Gを小さくすることによっても、リフトピンプレート20と保持プレート1との間に洗浄液が流入することが防止されている。
また、図1および図2に示すように、支持軸35とリフトピンプレート20とは中空形状になっており、これら支持軸35とリフトピンプレート20の内部(中空空間内)には、保持プレート1に保持されたウエハWの裏面側に洗浄液を供給する裏面側洗浄液供給管(洗浄液供給部)11が上下方向に延在している。
また、図1に示すように、この裏面側洗浄液供給管11には、三方弁57を介して供給管55が連結されている。また、この供給管55には、供給切換部53を介して、薬液を供給する薬液供給源51とリンス液を供給するリンス液供給源52が連結されている。
なお、裏面側洗浄液供給管11と、裏面側洗浄液供給管11に三方弁57を介して連結された供給管55と、この供給管55に連結された薬液供給源51およびリンス液供給源52と、によって裏面側洗浄液供給機構が構成されている(図1参照)。
ところで、裏面側洗浄液供給管11は、保持プレート1に保持されたウエハWを洗浄した洗浄液を排出する排液管13としても機能する。すなわち、図1に示すように、裏面側洗浄液供給管11には、三方弁57を介して、外部に連通した排出管59が連結されている。このため、三方弁57のうち、供給管55側が閉じられ排出管59側が開かれた状態において、裏面側洗浄液供給管11は排液管13として機能することとなる。
また、図1および図2に示すように、支持軸35とリフトピンプレート20の内部(中空空間内)には、保持プレート1に保持されたウエハWの裏面側にNなどの不活性ガス(乾燥ガス)を供給する不活性ガス供給管(不活性ガス供給部)10が上下方向に延在している。なお、図1乃至図3(a)に示すように、不活性ガス供給管10の先端(上端)は、裏面側洗浄液供給管11の先端(上端)よりも高い位置に位置している。ところで、この不活性ガス供給管10の開口は、先端に向かって細くなっている(図1および図2参照)。このため、不活性ガス供給管10から供給される不活性ガスを速い速度で、ウエハWの裏面に供給することができる。
ところで、この不活性ガス供給管10と、当該不活性ガス供給管10に連結された不活性ガス供給源50と、によって不活性ガス供給機構が構成されている(図1参照)。
また、図1に示すように、保持プレート1の上方には、保持プレート1によって保持されたウエハWの表面側に洗浄液を供給する表面側洗浄液供給部65が配置されている。
ところで、洗浄液とは、薬液やリンス液のことを意味している。そして、薬液としては、例えば、希フッ酸、アンモニア過水(SC1)、塩酸過水(SC2)などを用いることができる。他方、リンス液としては、例えば、純水(DIW)などを用いることができる。
また、表面側洗浄液供給部65からはIPA(イソプロピルアルコール)などからなる乾燥液も供給されるようになっている。
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について述べる。
まず、昇降部材30によって、リフトピンプレート20が上方位置(ウエハ搬送ロボットがウエハWを受け渡す位置)に位置づけられる(上方位置づけ工程81)(図4参照)。より具体的には、昇降部材30によって支持軸35が上方位置に位置づけられ、このことによって、支持軸35に固定連結されたリフトピンプレート20が上方位置に位置づけられる。
次に、リフトピンプレート20のリフトピン21によって、ウエハ搬送ロボット(図示せず)からウエハWが受け取られ、当該リフトピン21によってウエハWが支持される(支持工程82)(図4参照)。
次に、昇降部材30によって、リフトピンプレート20が下方位置(ウエハWを洗浄液によって処理する位置)に位置づけられる(下方位置づけ工程83)(図1および図4参照)。より具体的には、昇降部材30によって支持軸35が下方位置に位置づけられ、このことによって、支持軸35に固定連結されたリフトピンプレート20が下方位置に位置づけられる。
このようにリフトピンプレート20が下方位置に位置づけられる際に、保持プレート1の保持部材60によって、ウエハWが保持される(保持工程)(図1参照)。
次に、回転駆動部40によって回転軸2が回転駆動されることによって、保持プレート1で保持されたウエハWが回転される(回転工程)。
このように、保持プレート1に保持されたウエハWと、リフトピンプレート20とが回転している間に、以下の工程が行われる。
まず、表面側洗浄液供給部65と裏面側洗浄液供給機構とによって、ウエハWに薬液が供給される(薬液供給工程91)(図1および図4参照)。すなわち、表面側洗浄液供給部65によってウエハWの表面に薬液が供給されるとともに、裏面側洗浄液供給機構によって(裏面側洗浄液供給管11から)ウエハWの裏面に薬液が供給される。このとき、供給管55には、供給切換部53を介して、薬液供給源51から薬液が供給されている。
次に、表面側洗浄液供給部65と裏面側洗浄液供給機構とによって、ウエハWにリンス液が供給される(リンス工程92)(図1および図4参照)。すなわち、表面側洗浄液供給部65によってウエハWの表面にリンス液が供給されるとともに、裏面側洗浄液供給機構によって(裏面側洗浄液供給管11から)ウエハWの裏面にリンス液が供給される。このとき、供給管55には、供給切換部53を介して、リンス液供給源52からリンス液が供給されている。
このような薬液供給工程91およびリンス工程92において、リフトピンプレート20の本体25が傾斜面25a,25bを有するので、本体25に薬液やリンス液などの洗浄液が残ることを防止することができる。また、このように本体25に洗浄液が残ることが防止することによって、ウエハWを持ち上げるリフトピン21に洗浄液が残ることも防止することもできる。
また、本実施の形態では、リフトピン21が、リフトピンプレート20の本体25の周縁外方に支持部22を介して設けられ、かつ、この支持部22の横断面が三角形からなり、当該三角形の鋭角からなる頂角が真上方向に向かっている(図3(a)(b)参照)。このため、本体25からリフトピン21まで洗浄液が伝わって行くことを防止することができ、ウエハWを持ち上げるリフトピン21に洗浄液が残ることをより確実に防止することができる。
さらに、図1および図2に示すように、不活性ガス供給管10の先端が、裏面側洗浄液供給管11の先端よりも高い位置に位置するので、裏面側洗浄液供給管11から供給される薬液やリンス液などの洗浄液が不活性ガス供給管10内に流入することを防止することができる。
なお、このリンス工程92において、裏面側洗浄液供給機構からウエハWの裏面に供給されるリンス液は、途中から小流量で供給されるようになる。その後、この裏面側洗浄液供給機構から供給されるリンス液がリフトピン21の本体25内にためられる。
上述したリンス工程92が終了すると、三方弁57が切り換えられ、裏面側洗浄液供給管11は排出管59に連通され、排液管13として機能する。そして、ウエハWを洗浄したリンス液が、排液管13を介して、その自重により排出される(排出工程93)(図1および図4参照)。ここで、上述のように、リンス液をリフトピン21の本体25内に一度ためた後、当該リンス液を排液管13によって排出するので、リフトピン21の本体25に付着した液滴を確実に洗い流すことができる。
このように、リンス液が排出されると、表面側洗浄液供給部65からIPA(イソプロピルアルコール)などからなる乾燥液が供給され、裏面側には不活性ガス供給機構の不活性ガス供給管10からNなどからなる不活性ガス(乾燥気体)が供給される(乾燥工程95)(図1および図4参照)。
このとき、不活性ガス供給管10の先端が、裏面側洗浄液供給管11の先端よりも高い位置に位置し、ウエハWの裏面に近い位置に位置しているので、不活性ガスは、その流速が遅くなる前に、ウエハWの裏面に到達することができる。このため、ウエハWの裏面に、効率よく不活性ガスを供給することができる。
上述した乾燥工程95が終了すると、リフトピンプレート20のリフトピン21によってウエハWが持ち上げられ、ウエハ搬送ロボットに移動させられる(搬出工程96)(図4参照)。
ここで、上述のように、リフトピン21およびリ本体25には洗浄液が残っていない。このため、リフトピンプレート20のリフトピン21によってウエハWを持ち上げる際に、リフトピン21に残った洗浄液の液滴および本体25に溜まった洗浄液の液滴がウエハWの裏面に付着することはない。
この結果、液滴の付着したウエハW自体にウオーターマークが形成されることを防止することができ、かつ、ウエハWが運び込まれたキャリア(図示せず)内に収容された他のウエハWにウオーターマークが形成されてしまうことも防止することができる。
なお、リフトピンプレート20の本体25と保持プレート1の上面部分は、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)などの親水性の材料からなることが好ましい。リフトピンプレート20の本体25と保持プレート1の上面部分を、このような親水性の材料から構成することによって、例え洗浄液の液滴が残ったとしても、その高さを小さくすることができ、洗浄液の液滴がウエハWの裏面に付着することを、より確実に防止することができるためである。
ところで、上記では、支持部22の横断面が三角形からなり、当該三角形の鋭角からなる頂角が真上方向に向かっている態様を用いて説明したが、これに限られることはなく、支持部22の横断面が多角形からなり、当該多角形の頂角が上方に向かっていればよい。例えば、支持部22の横断面は四角形や五角形などからなってもよいし、頂角は鋭角になっていなくてもよい。しかしながら、上方に向かう頂角が鋭角になっている場合には、より効率よく、本体25からリフトピン21まで洗浄液が伝わって行くことを防止することができるので好ましい。
また、上記では、ウエハWを洗浄したリンス液が、排液管13を介して、その自重により排出される態様を用いて説明したが、これに限られることはない。例えば、図5に示すように、排出管59にアスピレータなどからなる吸引装置58が設けられ、ウエハWを洗浄した洗浄液が、吸引装置58による駆動力を受けて排液管13を介して、排出される態様を用いてもよい。このような吸引装置58を用いることによって、洗浄液をより効率よく排出することができる。
第2の実施の形態
次に、図6乃至図8により、本発明の第2の実施の形態について説明する。図6乃至図8に示す第2の実施の形態は、リフトピンプレート20の形態を変えたものであり、その他の構成は図1乃至図5に示す第1の実施の形態と略同一である。
図6乃至図8に示す第2の実施の形態において、図1乃至図5に示す第1の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
図6および図7に示すように、リフトピンプレート20の本体25の傾斜面25cは、排液管13の先端に向かって降下している。また、リフトピンプレート20の本体25の周縁部には、間隙Gから洗浄液が流入することを防止するための下方突出部26’が設けられている。
本実施の形態によっても、第1の実施の形態と同様の効果を奏することができ、主要な点でいえば、以下の効果を奏することができる。
すなわち、図6および図7に示すように、リフトピン21を有するリフトピンプレート20が傾斜面25cを有するので、薬液供給工程91およびリンス工程92において、リフトピンプレート20の本体25に薬液やリンス液などの洗浄液が残ることを防止することができる。
また、図6に示すように、保持プレート1の内周部分は、リフトピンプレート20の傾斜面25と略同一角度で傾斜するとともに、リフトピンプレート20の傾斜面25と同一平面内に位置する傾斜面1aを有している。このため、乾燥工程95において保持プレート1を回転させて洗浄液を振り切るときに、効率よく洗浄液を振り切ることができる。また、気流の乱れを防止することもできる。
また、図6および図7に示すように、不活性ガス供給管10の先端が、裏面側洗浄液供給管11の先端よりも高い位置に位置するので、裏面側洗浄液供給管11から供給される薬液やリンス液などの洗浄液が不活性ガス供給管10内に流入することを防止することができる。
さらに、図6および図7に示すように、不活性ガス供給管10の先端が、裏面側洗浄液供給管11の先端よりも高い位置に位置し、ウエハWの裏面に近い位置に位置しているので、乾燥工程95において、不活性ガスは、その流速が遅くなる前に、ウエハWの裏面に到達することができる。このため、ウエハWの裏面に、効率よく不活性ガスを供給することができる。
なお、本実施の形態においては、リフトピンプレート20の本体25の上面部分は、PEEK(ポリエーテルエーテルケトン)などの親水性の材料ではなく、PTFE(ポリテトラフルオロエチレン)などの疎水性の材料から構成されてもよい。このように、リフトピンプレート20の本体25の上面部分を、疎水性の材料から構成することによって、洗浄液のはけを良くすることができ、リフトピンプレート20に洗浄液が残ることを防止することができる。
ところで、リフトピンプレート20のリフトピン21は、第1の実施の形態と同様、支持部22を介して本体25に設けられてもよい(図8参照)。ここで、支持部22の横断面は、第1の実施の形態と同様、三角形(多角形)からなり当該三角形の頂角が真上方向に向かっている。なお、図8に示す態様においては、保持プレート1の内周部分に位置する傾斜面1aは、リフトピンプレート20の傾斜面25と同一平面内には位置しておらず、リフトピンプレート20の傾斜面25と異なる角度で傾斜している。
このように、支持部22を介して、リフトピン21を本体25に設けることによって、第1の実施の形態と同様、本体25からリフトピン21まで洗浄液が伝わって行くことを防止することができ、ウエハWを持ち上げるリフトピン21に洗浄液が残ることをより確実に防止することができる。
第3の実施の形態
次に、図9および図10により、本発明の第3の実施の形態について説明する。図9および図10に示す第3の実施の形態は、リフトピンプレート20の形態を変えたものであり、その他の構成は図1乃至図5に示す第1の実施の形態と略同一である。
図9および図10に示す第3の実施の形態において、図1乃至図5に示す第1の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
図9および図10に示すように、リフトピンプレート20の本体25の傾斜面25dは、周縁外方に向かって降下している。また、リフトピンプレート20の本体25の周縁部には、間隙Gから洗浄液が流入することを防止するための下方突出部26”が設けられている。
本実施の形態によっても、第1の実施の形態と同様の効果を奏することができ、主要な点でいえば、以下の効果を奏することができる。
すなわち、図9および図10に示すように、リフトピン21を有するリフトピンプレート20が傾斜面25dを有するので、薬液供給工程91およびリンス工程92において、リフトピンプレート20の本体25に薬液やリンス液などの洗浄液が残ることを防止することができる。
また、図9および図10に示すように、不活性ガス供給管10の先端が、裏面側洗浄液供給管11の先端よりも高い位置に位置するので、裏面側洗浄液供給管11から供給される薬液やリンス液などの洗浄液が不活性ガス供給管10内に流入することを防止することができる。
さらに、図9および図10に示すように、不活性ガス供給管10の先端が、裏面側洗浄液供給管11の先端よりも高い位置に位置し、ウエハWの裏面に近い位置に位置しているので、乾燥工程95において、不活性ガスは、その流速が遅くなる前に、ウエハWの裏面に到達することができる。このため、ウエハWの裏面に、効率よく不活性ガスを供給することができる。
本発明の第1の実施の形態による液処理装置を示す側方断面図。 本発明の第1の実施の形態による液処理装置を拡大した拡大側方断面図。 本発明の第1の実施の形態による液処理装置のリフトピンプレートの斜視図と支持部の断面図。 本発明の第1の実施の形態による液処理装置を用いた液処理方法のフロー図。 本発明の第1の実施の形態の変形例による液処理装置の一部を示す側方断面図。 本発明の第2の実施の形態による液処理装置を拡大した拡大側方断面図。 本発明の第2の実施の形態による液処理装置のリフトピンプレートの斜視図。 本発明の第2の実施の形態の変形例による液処理装置を拡大した拡大側方断面図。 本発明の第3の実施の形態による液処理装置を拡大した拡大側方断面図。 本発明の第3の実施の形態による液処理装置のリフトピンプレートの斜視図。
符号の説明
1 保持プレート
2 回転軸
10 不活性ガス供給管(不活性ガス供給部)
11 裏面側洗浄液供給管(洗浄液供給部)
13 排液管
20 リフトピンプレート
21 リフトピン
22 支持部
25 本体
25a−25d 傾斜面
30 昇降部材
40 回転駆動部
50 不活性ガス供給源
51 薬液供給源
52 リンス液供給源
57 三方弁
58 吸引装置
81 上方位置づけ工程
82 支持工程
83 下方位置づけ工程
91 薬液供給工程
92 リンス工程
93 排出工程
95 乾燥工程
96 搬出工程
W ウエハ(被処理体)

Claims (10)

  1. 被処理体を保持するとともに、中心部が中空になった保持プレートと、
    前記保持プレートに固定連結され、中心部が中空になった回転軸と、
    前記回転軸を所定の回転方向に回転駆動する回転駆動部と、
    前記保持プレートの中空内に配置されるとともに、中心部が中空形状になった本体と、該本体に設けられて前記被処理体を支持するリフトピンとを有するリフトピンプレートと、
    前記回転軸の中空内および前記リフトピンプレートの前記本体の中空内で上下方向に延在し、前記保持プレートに保持された前記被処理体に洗浄液を供給する洗浄液供給部と、前記回転軸の中空内および前記リフトピンプレートの前記本体の中空内で上下方向に延在し、前記保持プレートに保持された前記被処理体に不活性ガスを供給する不活性ガス供給部と、
    前記リフトピンプレートを昇降させて、上方位置および下方位置に配置させる昇降部材と、
    前記被処理体を洗浄した洗浄液を排出する排液管と、
    を備え、
    前記リフトピンプレートの前記本体は傾斜面を有し、
    前記リフトピンプレートが前記下方位置にあるときに、前記不活性ガス供給部の先端は、前記洗浄液供給部の先端よりも高い位置に位置するとともに、前記リフトピンプレートの前記本体の傾斜面の上端よりも高い位置に位置していることを特徴とする液処理装置。
  2. 前記被処理体を洗浄した洗浄液は、前記排液管を介して、その自重により排出されることを特徴とする請求項1に記載の液処理装置。
  3. 吸引装置をさらに備え、
    前記被処理体を洗浄した洗浄液は、前記吸引装置による駆動力を受けて前記排液管を介して、排出されることを特徴とする請求項1に記載の液処理装置。
  4. 前記リフトピンプレートの前記本体の傾斜面は、前記排液管の先端に向かって降下することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の液処理装置。
  5. 前記リフトピンプレートの前記本体の傾斜面は、周縁外方に向かって降下することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の液処理装置。
  6. 前記リフトピンプレートの前記本体の傾斜面は、前記排液管の先端に向かって降下する内周部分と、当該内周部分の周縁外方に位置して周縁外方に向かって降下する外周部分とを有することを特徴とする請求項1乃至3のいずれか1項に記載の液処理装置。
  7. 前記リフトピンは、前記リフトピンプレートの本体の周縁外方に支持部を介して設けられ、
    当該支持部の横断面は多角形からなり、当該多角形の頂角が上方に向かっていることを特徴とする請求項1乃至6のいずれか1項に記載の液処理装置。
  8. 前記保持プレートの内周部分は、前記リフトピンプレートの傾斜面と略同一角度で傾斜するとともに、当該リフトピンプレートの傾斜面と同一平面内に位置する傾斜面を有することを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の液処理装置。
  9. 前記不活性ガス供給管は、先端に向かって細くなる開口を有することを特徴とする請求項1乃至8のいずれか1項に記載の液処理装置。
  10. 前記洗浄液供給部は、前記排液管としても機能することを特徴とする請求項1乃至9のいずれか1項に記載の液処理装置。
JP2008033522A 2008-02-14 2008-02-14 液処理装置 Active JP5005571B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008033522A JP5005571B2 (ja) 2008-02-14 2008-02-14 液処理装置

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008033522A JP5005571B2 (ja) 2008-02-14 2008-02-14 液処理装置
KR1020090009813A KR101215254B1 (ko) 2008-02-14 2009-02-06 액처리 장치
TW098104388A TWI404130B (zh) 2008-02-14 2009-02-11 液體處理裝置
US12/371,126 US8444772B2 (en) 2008-02-14 2009-02-13 Liquid processing apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2009194167A JP2009194167A (ja) 2009-08-27
JP5005571B2 true JP5005571B2 (ja) 2012-08-22

Family

ID=40953745

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008033522A Active JP5005571B2 (ja) 2008-02-14 2008-02-14 液処理装置

Country Status (4)

Country Link
US (1) US8444772B2 (ja)
JP (1) JP5005571B2 (ja)
KR (1) KR101215254B1 (ja)
TW (1) TWI404130B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10290518B2 (en) 2014-08-27 2019-05-14 Tokyo Electron Limited Substrate liquid processing apparatus

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5156661B2 (ja) * 2009-02-12 2013-03-06 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
JP5642574B2 (ja) * 2011-01-25 2014-12-17 東京エレクトロン株式会社 液処理装置および液処理方法
CN110197805A (zh) * 2019-07-05 2019-09-03 德淮半导体有限公司 半导体设备及作业方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62164347A (en) 1986-01-16 1987-07-21 Csk Corp Time division multiplex communications i/o device
JPH0334750Y2 (ja) * 1986-04-09 1991-07-23
JP3638374B2 (ja) 1996-04-25 2005-04-13 大日本スクリーン製造株式会社 回転式基板処理装置
JP4327304B2 (ja) * 1999-07-27 2009-09-09 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
TW430960B (en) * 1999-11-09 2001-04-21 Liu Yu Tsai Rotary chuck for dual-sided processing
JP4402226B2 (ja) 1999-11-26 2010-01-20 芝浦メカトロニクス株式会社 スピン処理装置
US6578853B1 (en) * 2000-12-22 2003-06-17 Lam Research Corporation Chuck assembly for use in a spin, rinse, and dry module and methods for making and implementing the same
US6742279B2 (en) * 2002-01-16 2004-06-01 Applied Materials Inc. Apparatus and method for rinsing substrates
JP4805003B2 (ja) * 2006-04-18 2011-11-02 東京エレクトロン株式会社 液処理装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10290518B2 (en) 2014-08-27 2019-05-14 Tokyo Electron Limited Substrate liquid processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR20090088313A (ko) 2009-08-19
TWI404130B (zh) 2013-08-01
US20090205155A1 (en) 2009-08-20
JP2009194167A (ja) 2009-08-27
US8444772B2 (en) 2013-05-21
TW200941567A (en) 2009-10-01
KR101215254B1 (ko) 2012-12-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5005770B2 (ja) 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP6229933B2 (ja) 処理カップ洗浄方法、基板処理方法および基板処理装置
JP5301505B2 (ja) 液処理装置および液処理方法
KR101280768B1 (ko) 기판처리장치 및 기판처리방법
KR101371572B1 (ko) 액처리 장치, 액처리 방법 및 기억 매체
JP4455228B2 (ja) 基板処理方法および基板処理装置
JP2003203891A (ja) 基板処理装置
KR101377196B1 (ko) 액처리 장치
JP5005571B2 (ja) 液処理装置
JP4722570B2 (ja) 基板洗浄方法,記録媒体及び基板洗浄装置
JP4850952B2 (ja) 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP4093878B2 (ja) 多段式処理装置
KR20100054559A (ko) 기판 세정 방법
JP5143657B2 (ja) 液処理装置
JP2005045005A (ja) ウェット処理方法
US10910235B2 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
JPH11102882A (ja) 基板洗浄装置
JP4095236B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP2006060252A (ja) 基板処理装置
JP2013254959A (ja) 液処理装置および液処理方法
JP2008166574A (ja) 基板処理装置、基板乾燥方法および基板処理方法
JPH11150173A (ja) 基板処理装置および基板搬送方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20100208

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20100607

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100611

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20100805

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110301

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20110425

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20111026

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20111122

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111125

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20120427

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20120523

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5005571

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150601

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250