CN110197805A - 半导体设备及作业方法 - Google Patents

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CN110197805A CN201910605306.2A CN201910605306A CN110197805A CN 110197805 A CN110197805 A CN 110197805A CN 201910605306 A CN201910605306 A CN 201910605306A CN 110197805 A CN110197805 A CN 110197805A
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云巴图
陈章晏
崔亚东
颜超仁
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Abstract

本发明提供了一种半导体设备及作业方法，所述半导体设备包括：晶圆固定平台，用于在工艺过程中固定晶圆；所述晶圆固定平台上设有将所述晶圆容纳于指定平面内指定位置上的晶圆放置位；晶圆翻转装置，用于将所述晶圆相对于所述指定平面进行翻转。本发明通过引入晶圆翻转装置对晶圆进行翻转，减少了因翻转晶圆而额外增加的晶圆传送过程，避免了因额外增加的晶圆传送过程而导致的颗粒物污染和破片风险，提升了产品良率。

Description

半导体设备及作业方法
技术领域
本发明涉及半导体集成电路制造领域，特别是涉及一种半导体设备及作业方法。
背景技术
晶圆的湿法刻蚀或清洗等湿法工艺是影响半导体器件良率的重要制程。随着湿法工艺要求的不断提高，单片式湿法工艺已在先进制程中得到广泛应用。在单片式湿法工艺中，单次工艺的实施范围仅限于晶圆的正面或背面。根据制程需要，还会对晶圆的正面和背面按序先后执行湿法工艺。
目前，在现有的半导体设备中，普遍采用各自独立的工艺腔室对晶圆的正面和背面分别执行湿法工艺。在湿法工艺过程中，晶圆保持正面或背面朝上，并通过喷布药液对晶圆朝上的表面进行刻蚀或清洗。在执行完晶圆正面或背面的湿法工艺后，晶圆将被传送至工艺腔室外，通过专门的晶圆翻转模块对晶圆进行翻转，将未处理的晶圆表面朝上放置，并传送至下一工艺腔室继续对未处理表面执行湿法工艺。所述晶圆翻转模块的内部一般包括多个晶圆固定及翻转机构，单次晶圆翻转过程涉及对晶圆的多次传送及翻转操作。
然而，对于晶圆制造的品质管控而言，每增加一步晶圆的传送过程都伴随着额外的颗粒污染风险及晶圆掉落破片风险。在对晶圆的一面完成湿法工艺后，传送至晶圆翻转模块进行翻转需要增加额外的晶圆传送过程，这就将额外增加颗粒污染风险及晶圆掉落破片风险，进而影响产品良率。此外，现有设备中的单个工艺腔室仅能处理晶圆的正面或背面，这也大幅降低了晶圆处理效率，限制了设备产能。
因此，有必要提出一种新的半导体设备及作业方法，解决上述问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种半导体设备及作业方法，用于解决现有技术中的设备在翻转晶圆时需要增加额外步骤的问题。
为实现上述目的及其它相关目的，本发明提供了一种半导体设备，其特征在于，包括：
晶圆固定平台，用于在工艺过程中固定晶圆；所述晶圆固定平台上设有将所述晶圆容纳于指定平面内指定位置上的晶圆放置位；
晶圆翻转装置，用于将所述晶圆相对于所述指定平面进行翻转。
作为本发明的一种可选方案，所述晶圆翻转装置包括相对设置的一对夹持翻转件和驱动所述夹持翻转件夹持并翻转所述晶圆的驱动单元，一对所述夹持翻转件之间的连线重合于所夹持的所述晶圆的直径。
作为本发明的一种可选方案，所述驱动单元包括分别设置于一对所述夹持翻转件上的一对驱动马达，所述驱动马达用于驱动所述夹持翻转件夹持并翻转所述晶圆。
作为本发明的一种可选方案，所述驱动单元还包括分别设置于一对所述夹持翻转件上的一对升降气缸，所述升降气缸用于驱动所述夹持翻转件沿垂直于所述指定平面的方向移动。
作为本发明的一种可选方案，所述晶圆固定平台包括夹持卡盘，所述夹持卡盘用于在工艺过程中夹持并固定所述晶圆。
作为本发明的一种可选方案，所述晶圆固定平台还包括升降吸盘，所述升降吸盘设置于所述夹持卡盘的中央，并通过所述升降吸盘的升降切换升起或降下状态；当所述升降吸盘处于升起状态时，所述升降吸盘吸附并固定所述晶圆，使所述晶圆的所在平面高于所述夹持卡盘夹持并固定所述晶圆时所述晶圆的所在平面；当所述升降吸盘处于降下状态时，所述夹持卡盘夹持并固定所述晶圆，使所述晶圆的所在平面高于所述升降吸盘吸附并固定所述晶圆时所述晶圆的所在平面。
作为本发明的一种可选方案，所述夹持卡盘和所述升降吸盘上还设置有气体吹扫管路，所述气体吹扫管路用于在工艺过程中对所述晶圆朝向所述晶圆固定平台的一面进行气体吹扫。
作为本发明的一种可选方案，所述半导体设备还包括控制模块，所述控制模块连接并控制所述晶圆固定平台和所述晶圆翻转装置进行动作。
作为本发明的一种可选方案，所述半导体设备还包括工艺腔和设备前端模块；所述设备前端模块连接所述工艺腔，用于向所述工艺腔中装载或卸载晶圆；所述晶圆固定平台和所述晶圆翻转装置设置于所述工艺腔中。
本发明还提供了一种半导体设备的作业方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供如本发明所述的半导体设备以及具有相对的第一表面和第二表面的晶圆；
通过所述晶圆固定平台将所述晶圆固定于所述晶圆放置位上，所述晶圆的第一表面和第二表面分别平行于所述指定平面；
通过所述晶圆翻转装置将所述晶圆相对于所述指定平面进行翻转，使所述晶圆的第一表面和第二表面分别平行于所述指定平面，且所述第一表面面向翻转前的所述第二表面所面向的方向，所述第二表面面向翻转前的所述第一表面所面向的方向。
作为本发明的一种可选方案，在通过所述晶圆翻转装置将所述晶圆相对于所述指定平面进行翻转的前后，还包括对所述晶圆远离所述晶圆固定平台的一面进行工艺的步骤。
作为本发明的一种可选方案，在对所述晶圆远离所述晶圆固定平台的一面进行工艺时，还同时对所述晶圆朝向所述晶圆固定平台的一面进行气体吹扫。
如上所述，本发明提供了一种半导体设备及作业方法，通过引入晶圆翻转装置对晶圆进行翻转，减少了因翻转晶圆而额外增加的晶圆传送过程，避免了因额外增加的晶圆传送过程而导致的颗粒物污染和破片风险，提升了产品良率。
附图说明
图1显示为本发明实施例一中提供的半导体设备的横截面示意图。
图2显示为本发明实施例一中提供的晶圆翻转装置的示意图。
图3显示为本发明实施例一中提供的晶圆固定平台的示意图。
图4显示为本发明实施例一中提供的升降吸盘吸附固定晶圆的横截面示意图。
图5显示为本发明实施例一中提供的限位结构夹持固定晶圆的横截面示意图。
图6显示为本发明实施例二中提供的半导体设备的作业方法的流程图。
图7至图12显示为本发明实施例二中提供的半导体设备的作业方法的各步骤示意图。
元件标号说明
100 晶圆
101 晶圆固定平台
101a 夹持卡盘
101b 升降吸盘
101c 基座
101d 限位结构
102 晶圆翻转装置
102a 夹持翻转件
102b 驱动马达
102c 升降气缸
102d 连接件
103 气体吹扫管路
103a 吸盘吹扫管路
103b 卡盘吹扫管路
104 药液供给装置
S1～S3 步骤1)～步骤3)
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其它优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图1至12。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的形态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。
实施例一
请参阅图1至5，本实施例提供了一种半导体设备，包括：
晶圆固定平台101，用于在工艺过程中固定晶圆；所述晶圆固定平台101上设有将所述晶圆容纳于指定平面内指定位置上的晶圆放置位；
晶圆翻转装置102，用于将所述晶圆相对于所述指定平面进行翻转。
如图1所示，是本实施例所提供的半导体设备的横截面示意图。可选地，在本实施例中，所述半导体设备为用于晶圆的湿法工艺过程的湿法设备。在图1中，所述晶圆固定平台101用于在湿法工艺过程中将所述晶圆固定于晶圆放置位上，成对的所述晶圆翻转装置102设置于所述晶圆固定平台101的上方。需要指出的是，所述半导体设备也不限于湿法设备，在本发明的其他实施案例中，也可以是其他需要对晶圆进行翻转操作的工艺设备，例如背面金属化机台或背面涂胶机台等。当用于湿法设备时，所述晶圆固定平台101还可以带动所述晶圆旋转，以使得喷布的湿法药液能够均匀分布到晶圆表面，提升工艺均匀性。
如图2所示，是本实施例所提供的单个所述晶圆翻转装置102的示意图。所述晶圆翻转装置102包括夹持翻转件102a和驱动所述夹持翻转件夹持并翻转所述晶圆的驱动单元。一对所述晶圆翻转装置102的所述夹持翻转件102a之间的连线重合于所夹持的所述晶圆的直径。可选地，所述驱动单元包括设置于所述夹持翻转件102a上的驱动马达102b，所述驱动马达102b用于驱动所述夹持翻转件102a沿箭头所示的水平方向前后移动以夹持或放开所述晶圆。所述驱动马达102b还可以通过转动所述夹持翻转件102a以翻转所述晶圆。所述驱动单元还包括分别设置于所述夹持翻转件102a上的升降气缸102c，所述升降气缸102c用于驱动所述夹持翻转件102a沿箭头所示的垂直方向上下移动。可选地，所述晶圆翻转装置102还包括连接件102d，以连接固定于设备顶部等固定位置。需要指出的是，所述驱动单元并不限于采用马达或气缸作为驱动单元，在本发明的其他实施案例中，还可以采用其他任意可行的驱动方式。
如图3所示，是本实施例所提供的所述晶圆固定平台101的示意图。在图3中，所述晶圆固定平台101包括夹持卡盘101a。所述夹持卡盘101a设置于一基座101c上，用于在湿法工艺过程中夹持并固定所述晶圆。具体地，在本实施例中，所述夹持卡盘101a通过在四周均匀分布设置的六个限位结构101d夹持并固定所述晶圆。所述晶圆固定平台101还包括升降吸盘101b，所述升降吸盘101b设置于所述夹持卡盘101a的中央，能够通过所述升降吸盘101b的升降切换为升起或降下状态。可选地，所述升降吸盘101b通过马达驱动进行升降，并通过真空吸附或静电吸附等方法对所述晶圆进行吸附固定。
如图4至图5所示，是本实施例中所述晶圆固定平台101以不同状态固定所述晶圆的示意图。在图4中，当所述升降吸盘101b处于升起状态时，所述升降吸盘101b吸附并固定所述晶圆100，使所述晶圆100的所在平面高于所述夹持卡盘101a夹持并固定所述晶圆100时所述晶圆100的所在平面。在图5中，当所述升降吸盘101b处于降下状态时，所述夹持卡盘101a通过所述限位结构101d夹持并固定所述晶圆100，使所述晶圆100的所在平面高于所述升降吸盘101b吸附并固定所述晶圆100时所述晶圆100的所在平面。从图4和图5中可以看出，本实施例所提供的所述晶圆固定平台101可以通过切换所述升降吸盘101b的升降状态，以两种不同状态对所述晶圆100进行固定，即存在由所述升降吸盘101b固定或由所述限位结构101d固定的两种不同的晶圆放置位。
作为示例，如图3至图5所示，所述夹持卡盘101a和所述升降吸盘101b上还设置有气体吹扫管路103，所述气体吹扫管路103的开口方向朝向所述晶圆100朝下的一面，用于在湿法工艺过程中对所述晶圆100朝向所述晶圆固定平台101的一面进行气体吹扫。通过增加对晶圆下表面的气体吹扫可以防止施加于晶圆上表面的工艺药液流向晶圆下表面。可选地，所述气体吹扫管路103包括位于所述升降吸盘101b上的吸盘吹扫管路103a和位于所述夹持卡盘101a上的卡盘吹扫管路103b。其中，所述吸盘吹扫管路103a仅在采用所述夹持卡盘101a夹持所述晶圆100时对所述晶圆100进行吹扫，而在所述升降吸盘101b固定所述晶圆100时不对所述晶圆100进行吹扫。可选地，以上多路吹扫管路的进气端都连接于一条主供气管路，以统一供给氮气或洁净空气等吹扫气体。
作为示例，所述半导体设备还包括控制模块，所述控制模块连接并控制所述晶圆固定平台101和所述晶圆翻转装置102进行动作。例如，在本实施例中，所示控制模块连接所述晶圆固定平台101中驱动所述升降吸盘101b升降的马达，以控制所述所述升降吸盘101b进行升降；所示控制模块还连接所述晶圆翻转装置102上的驱动马达102b和升降气缸102c，以控制所述晶圆翻转装置102对所述晶圆100进行夹持和翻转；所示控制模块还连接所述气体吹扫管路103，以控制所述气体吹扫管路103对所述晶圆100进行吹扫。
作为示例，所述半导体设备还包括工艺腔和设备前端模块；所述设备前端模块连接所述工艺腔，用于向所述工艺腔中装载或卸载晶圆；所述晶圆固定平台101和所述晶圆翻转装置102设置于所述工艺腔中。可选地，所述工艺腔具有与外界环境隔离的封闭空间，通过将所述晶圆固定平台101和所述晶圆翻转装置102设置于所述工艺腔中，可以维持湿法工艺过程中的洁净度，并防止工艺药液飞溅。所述工艺腔顶部还可以设置风机过滤机组(FFU)，以进一步增加环境的洁净度。所述设备前端模块(EFEM)连接所述工艺腔，用于从标准晶圆盒中装卸载晶圆，并向所述工艺腔取放所述晶圆。需要注意的是，所述工艺腔需要具有足够的内部空间，不但可以容纳所述晶圆固定平台101和所述晶圆翻转装置102，也需要确保所述晶圆100在进行翻转或传送等操作过程中不会碰触到所述工艺腔的侧壁、顶部的风机过滤机组(FFU)或其他部件。此外，所述湿法设备还可包括传送机械手臂、药液供给装置、清洗装置和干燥装置等湿法设备中常备的部件。
实施例二
请参阅图6至图12，本实施例提供了一种半导体设备的作业方法，包括如下步骤：
1)提供如实施例一中所述的半导体设备以及具有相对的第一表面和第二表面的晶圆100；
2)通过所述晶圆固定平台101将所述晶圆100固定于所述晶圆放置位上，所述晶圆100的第一表面和第二表面分别平行于所述指定平面；
3)通过所述晶圆翻转装置102将所述晶圆100相对于所述指定平面进行翻转，使所述晶圆100的第一表面和第二表面分别平行于所述指定平面，且所述第一表面面向翻转前的所述第二表面所面向的方向，所述第二表面面向翻转前的所述第一表面所面向的方向。
在步骤1)中，请参阅图6的S1及图1和图7，提供如实施例一中所述的半导体设备以及具有相对的第一表面和第二表面的晶圆100。如图1所示，在本实施例中，采用如实施例一中所述的半导体设备。在图7中，所述晶圆100具有相对的第一表面和第二表面。可选地，本实施例中的半导体设备为湿法设备，所述作业方法为晶圆湿法工艺过程的作业方法。
在步骤2)中，请参阅图6的S2及图7，通过所述晶圆固定平台101将所述晶圆100固定于所述晶圆放置位上，所述晶圆100的第一表面和第二表面分别平行于所述指定平面。在图7中，所述晶圆100的第一表面为晶圆背面且所面向的方向朝上，而所述晶圆100的第二表面为晶圆正面且所面向的方向朝下。所述晶圆的第一表面和第二表面分别平行于所述晶圆放置位所在的平面。
在步骤3)中，请参阅图6的S3及图7至图12，通过所述晶圆翻转装置102将所述晶圆100相对于所述指定平面进行翻转，使所述晶圆100的第一表面和第二表面分别平行于所述指定平面，且所述第一表面面向翻转前的所述第二表面所面向的方向，所述第二表面面向翻转前的所述第一表面所面向的方向。通过所述晶圆翻转装置102可以对所述晶圆100进行翻转操作，以改变所述晶圆100朝上放置的等待进行工艺的表面。在本实施例中，需要依次对所述晶圆100的背面和正面进行湿法刻蚀或清洗等湿法工艺。因此，在所述晶圆100翻转的前后，还包括对所述晶圆100朝上放置的表面进行湿法工艺的过程。
作为示例，在通过所述晶圆翻转装置102将所述晶圆100相对于所述指定平面进行翻转的前后，还包括对所述晶圆100远离所述晶圆固定平台101的一面进行湿法工艺的步骤。所述晶圆100远离所述晶圆固定平台101的一面即本实施例中所述晶圆100朝上放置的表面。而在本发明的其他实施案例中，所述晶圆固定平台101不一定为水平放置，所固定的晶圆的表面也可能不与水平面平行。此时，需要进行工艺的晶圆表面仍是远离所述晶圆固定平台101的一面。
作为示例，在对所述晶圆100远离所述晶圆固定平台101的一面进行湿法工艺时，还同时对所述晶圆100朝向所述晶圆固定平台101的一面进行气体吹扫。通过增加对晶圆下表面的气体吹扫可以防止施加于晶圆上表面的工艺药液流向晶圆下表面。所采用的吹扫气体包括氮气或洁净空气等。
作为示例，本实施例中的湿法设备的作业方法包括对所述晶圆100的背面及正面的工艺过程。在图7中，所述晶圆100由设备前端模块或机械手臂等传送机构从标准晶圆盒中传入位于工艺腔中的所述晶圆固定平台101上。此时，所述升降吸盘101b处于降下状态，并由所述限位结构101d夹持并固定所述晶圆100。在图8中，通过药液供给装置104对所述晶圆100的背面涂布药液，并进行湿法工艺。同时，所述吸盘吹扫管路103a和所述卡盘吹扫管路103b同时对所述晶圆100的正面进行吹扫，以确保晶圆上表面的药液不会流向所述晶圆100的正面。在图9中，在所述晶圆100完成湿法工艺及清洗干燥后，通过所述升降吸盘101b吸附并顶起所述晶圆100，并通过所述晶圆翻转装置102夹持并固定所述晶圆100。在图10中，所述晶圆翻转装置102在夹持所述晶圆100的状态下进一步将所述晶圆100抬升至远离所述晶圆固定平台101的位置，并通过所述晶圆翻转装置102对所述晶圆100进行翻转操作。需要注意的是，此时，所述晶圆100的四周需要预设有足够的空间，以确保翻转过程中不会对所述晶圆100造成碰撞。图10所示的是所述晶圆100翻转至一半的状态。在图11中，完成翻转过程的所述晶圆100在所述晶圆翻转装置102的夹持下被送回至所述升降吸盘101b上，并保持由所述升降吸盘101b吸附固定所述晶圆100的状态。此时，所述晶圆100上等待工艺处理的正面朝上放置。在图12中，所述晶圆翻转装置102放开所述晶圆100，并通过所述药液供给装置104对所述晶圆100的正面涂布药液，并进行湿法工艺。此时，晶圆正面与背面交界的边缘区域也能得湿法工艺处理。同时，所述卡盘吹扫管路103b对所述晶圆100的背面进行吹扫，以确保晶圆上表面的药液不会流向所述晶圆100的背面。在完成对所述晶圆100正面的湿法工艺及清洗干燥过程后，所述晶圆100由设备前端模块等传送机构传回标准晶圆盒内，完成设备的作业过程。当所述湿法工艺为湿法清洗过程时，本实施例通过先清洗所述晶圆100的背面，确保药液不会流向所述晶圆100的正面，而后翻转所述晶圆100，并对所述晶圆100的正面及晶圆边缘进行清洗，使所述晶圆100的正面相比背面能够具备更高的洁净度。
需要指出的是，本实施例中介绍的是对所述晶圆100的背面和正面先后进行湿法工艺的作业方法，在本发明的其他实施案例中，还可以是对所述晶圆100的正面和背面先后进行湿法工艺，或者所述晶圆100在标准晶圆盒中为正面朝上放置，通过本实施例的湿法机台的翻转后，仅对所述晶圆100的背面进行湿法工艺。
从本实施例中可以看出，相比现有的湿法设备，本发明的优势在于，可以在同一工艺腔中对晶圆的正面和背面先后完成湿法工艺，且在工艺腔中就可以完成对所述晶圆的翻转操作，而无需引入额外的晶圆翻转模块进行晶圆翻转。这无疑大幅提升了湿法设备的使用效率，也减少了由于晶圆翻转的传送过程而引入的颗粒物污染风险及破片风险。此外，通过在升降吸盘中设置的吸盘吹扫管路，加强了对所述晶圆下表面的吹扫能力，防止晶圆背面清洗时的药液流到晶圆正面。
综上所述，本发明提供了一种半导体设备及作业方法，所述半导体设备包括：晶圆固定平台，用于在湿法工艺过程中固定晶圆；所述晶圆固定平台上设有将所述晶圆容纳于指定平面内指定位置上的晶圆放置位；晶圆翻转装置，用于将所述晶圆相对于所述指定平面进行翻转。所述半导体设备的作业方法包括如下步骤：提供如本发明所述的半导体设备以及具有相对的第一表面和第二表面的晶圆；通过所述晶圆固定平台将所述晶圆固定于所述晶圆放置位上，所述晶圆的第一表面和第二表面分别平行于所述指定平面；通过所述晶圆翻转装置将所述晶圆相对于所述指定平面进行翻转，使所述晶圆的第一表面和第二表面分别平行于所述指定平面，且所述第一表面面向翻转前的所述第二表面所面向的方向，所述第二表面面向翻转前的所述第一表面所面向的方向。本发明通过引入晶圆翻转装置对晶圆进行翻转，减少了因翻转晶圆而额外增加的晶圆传送过程，避免了因额外增加的晶圆传送过程而导致的颗粒物污染和破片风险，提升了产品良率。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (12)

1.一种半导体设备，其特征在于，包括：
晶圆固定平台，用于在工艺过程中固定晶圆；所述晶圆固定平台上设有将所述晶圆容纳于指定平面内指定位置上的晶圆放置位；
晶圆翻转装置，用于将所述晶圆相对于所述指定平面进行翻转。
2.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述晶圆翻转装置包括相对设置的一对夹持翻转件和驱动所述夹持翻转件夹持并翻转所述晶圆的驱动单元，一对所述夹持翻转件之间的连线重合于所夹持的所述晶圆的直径。
3.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于：所述驱动单元包括分别设置于一对所述夹持翻转件上的一对驱动马达，所述驱动马达用于驱动所述夹持翻转件夹持并翻转所述晶圆。
4.根据权利要求2所述的半导体设备，其特征在于：所述驱动单元还包括分别设置于一对所述夹持翻转件上的一对升降气缸，所述升降气缸用于驱动所述夹持翻转件沿垂直于所述指定平面的方向移动。
5.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述晶圆固定平台包括夹持卡盘，所述夹持卡盘用于在工艺过程中夹持并固定所述晶圆。
6.根据权利要求5所述的半导体设备，其特征在于：所述晶圆固定平台还包括升降吸盘，所述升降吸盘设置于所述夹持卡盘的中央，并通过所述升降吸盘的升降切换升起或降下状态；当所述升降吸盘处于升起状态时，所述升降吸盘吸附并固定所述晶圆，使所述晶圆的所在平面高于所述夹持卡盘夹持并固定所述晶圆时所述晶圆的所在平面；当所述升降吸盘处于降下状态时，所述夹持卡盘夹持并固定所述晶圆，使所述晶圆的所在平面高于所述升降吸盘吸附并固定所述晶圆时所述晶圆的所在平面。
7.根据权利要求6所述的半导体设备，其特征在于：所述夹持卡盘和所述升降吸盘上还设置有气体吹扫管路，所述气体吹扫管路用于在工艺过程中对所述晶圆朝向所述晶圆固定平台的一面进行气体吹扫。
8.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述半导体设备还包括控制模块，所述控制模块连接并控制所述晶圆固定平台和所述晶圆翻转装置进行动作。
9.根据权利要求1所述的半导体设备，其特征在于：所述半导体设备还包括工艺腔和设备前端模块；所述设备前端模块连接所述工艺腔，用于向所述工艺腔中装载或卸载晶圆；所述晶圆固定平台和所述晶圆翻转装置设置于所述工艺腔中。
10.一种半导体设备的作业方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供如权利要求1至9中任意一项所述的半导体设备以及具有相对的第一表面和第二表面的晶圆；
通过所述晶圆固定平台将所述晶圆固定于所述晶圆放置位上，所述晶圆的第一表面和第二表面分别平行于所述指定平面；
通过所述晶圆翻转装置将所述晶圆相对于所述指定平面进行翻转，使所述晶圆的第一表面和第二表面分别平行于所述指定平面，且所述第一表面面向翻转前的所述第二表面所面向的方向，所述第二表面面向翻转前的所述第一表面所面向的方向。
11.根据权利要求10所述的半导体设备的作业方法，其特征在于：在通过所述晶圆翻转装置将所述晶圆相对于所述指定平面进行翻转的前后，还包括对所述晶圆远离所述晶圆固定平台的一面进行工艺的步骤。
12.根据权利要求11所述的半导体设备的作业方法，其特征在于：在对所述晶圆远离所述晶圆固定平台的一面进行工艺时，还同时对所述晶圆朝向所述晶圆固定平台的一面进行气体吹扫。
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