KR102404961B1 - 기판 처리 장치 - Google Patents

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고노스케 하야시
다카시 오오타가키
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시바우라 메카트로닉스 가부시끼가이샤
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Abstract

실시형태에 관련된 기판 처리 장치는, 오목부(30)에 존재하는 액적을 제거하는 제거부(D1)와, 노즐 헤드(32)의 오목부(30)의 바닥부에 형성되고, 제거 대상이 되는 액적을 오목부(30)의 밖으로 배출하는 배액 구멍(30a)과, 피처리면에 대한 처리액에 의한 린스 처리가 종료되며, 또한 기체를 이용한 건조 처리가 개시되기까지의 기간에, 기체 토출 노즐(33)로부터, 기판(W)의 피처리면까지는 닿지 않는 정도의 유량의 기체를 토출시키는 기간이 존재하도록 기체 토출 노즐(33)의 토출 상태를 제어하는 제어부(8)를 구비한다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING DEVICE}
실시형태는, 기판 처리 장치에 관한 것이다.
기판 처리 장치는, 반도체나 액정 패널 등의 제조 공정에 있어서, 웨이퍼나 액정 기판 등의 기판의 표면에 처리액(예컨대, 레지스트 박리액, 에칭액 등의 약액이나, 순수 등의 린스액)을 공급하여 기판 표면을 처리하는 장치이다.
이 기판 처리 장치 중에는, 기판을 수평 상태에서 회전시켜 기판 표면의 대략 중앙에 약액을 노즐로부터 공급하고, 그 약액을 원심력에 의해 기판 표면에 퍼트리는 스핀 처리를 행하는 장치가 개발되어 있다. 또한, 그 회전하는 기판의 표면에 더하여, 기판의 이면에 노즐로부터 약액을 분사하여 공급하고, 기판의 양면을 처리하는 장치도 개발되어 있다.
그리고 기판에 대하여 전술한 바와 같은 처리가 행해진 후에는, 기판의 양면을 순수 등의 린스액을 이용하여 세정 처리를 행하고, 그 후, 기판을 회전시킴으로써 기판에 잔류 부착되는 린스액을 제거하는 건조 처리가 행해진다.
기판의 이면에 대하여 상기 세정 처리, 건조 처리가 행해지는 경우에는, 노즐 헤드에 설치되는 노즐로부터 린스액, 혹은, 건조 처리에 이용되는 기체가 토출된다. 즉 노즐은, 기판의 피처리면인 이면에 대향하는 위치에 배치된다. 또한 노즐 헤드에는, 이 이면을 향하여 개구되는 단면 형상이 역원뿔 형상이 되는 오목부가 구비된다.
특허문헌 1: 일본 공개특허공보 제2005-217138호
그러나, 종래의 기판 처리 장치에서는, 다음의 점에 관해서 배려가 이루어져 있지 않다.
즉, 기판의 이면에 대하여 세정 처리가 행해졌을 때에 기판의 이면으로부터 흘러내린, 약액이나, 약액을 포함하는 린스액, 혹은, 약액을 토출하는 노즐 등으로부터의 약액이, 액적이 되어 전술한 오목부에 체류할 가능성을 생각할 수 있다. 특히 노즐 선단이 오목부의 표면으로부터 다소라도 돌출되어 형성되어 있는 경우에는, 상기 노즐 근방에 액적이 체류하기 쉽다.
세정 처리가 종료되면, 다음으로 기판 이면의 건조 처리로 진행되는데, 그 때, 노즐로부터 기체를 토출하여 건조 처리의 촉진이 도모된다. 노즐로부터 기체를 토출할 때, 오목부의 표면이나 약액을 토출하는 노즐 근방에 액적이 체류하고 있으면, 노즐로부터 토출된 기체에 의해, 체류하고 있던 액적이 미스트상으로 확산할 가능성이 있다. 이 미스트상의 액이 기판의 이면에 재차 부착되면, 물얼룩(water mark)이 되어 버린다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는, 노즐 헤드의 오목부에 존재하는 액적을 확실하게 제거, 혹은 오목부에 액적이 머물지 않도록 함으로써, 기판 처리 공정에 있어서의 재부착에 의한 물얼룩의 발생을 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것이다.
일실시형태에 의한 기판 처리 장치에 의하면, 기판의 피처리면에 대향하고, 피처리면을 향하여 개구된 오목부를 구비하는 노즐 헤드와, 노즐 헤드에 형성되고, 피처리면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐, 피처리면을 향하여 기체를 토출하는 기체 토출 노즐을 갖고, 피처리면에 대하여, 처리액에 의한 처리와, 기체를 이용한 건조 처리를 행하는 기판 처리 장치에 있어서, 오목부에 존재하는 액적을 제거하는 제거부와, 노즐 헤드의 오목부의 바닥부에 형성되고, 제거 대상이 되는 액적을 오목부의 밖으로 배출하는 배액부와, 피처리면에 대한 처리액에 의한 린스 처리가 종료되며, 또한 기체를 이용한 건조 처리가 개시되기까지의 기간에, 기체 토출 노즐로부터, 기판의 피처리면까지는 닿지 않는 정도의 유량의 기체를 토출시키는 기간이 존재하도록 기체 토출 노즐의 토출 상태를 제어하는 제어부를 구비한다.
상기한 실시형태에 관련된 기판 처리 장치에 의하면, 노즐 헤드의 오목부에 존재하는 액적을 확실하게 제거, 혹은 오목부에 액적이 머물지 않도록 함으로써, 기판 처리 공정에 있어서의 재부착에 의한 물얼룩의 발생을 억제할 수 있다.
도 1은, 본 발명을 적용하여 이루어지는 기판 처리 장치로서의 스핀 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
도 2는, 도 1에 나타내는 기판 처리 장치에 있어서 이용되는 배관 계통도이다.
도 3은, 제1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치를 구성하는 노즐 헤드를 기판측으로부터 본 상태를 나타내는 확대 평면도이다.
도 4는, 제1 실시형태에 관련된 제거부의 구성을 나타내는 개략 단면도이다.
도 5는, 제2 실시형태에 관련된 제거부의 구성을 기판측으로부터 본 상태를 나타내는 확대 평면도이다.
도 6은, 도 5에 있어서의 X-X 선으로 절단하고, 배관 계통을 나타낸 확대 개략 사시도이다.
도 7은, 도 6에 있어서의 부분 확대도이다.
도 8은, 제3 실시형태에 관련된 제거부를 나타내는 도 6에 상당하는 확대 개략 사시도이다.
도 9는, 제4 실시형태에 관련된 제거부를 나타내는 도 6에 상당하는 확대 개략 사시도이다.
도 10은, 제5 실시형태에 관련된 제거부의 구성을 기판측으로부터 본 상태를 나타내는 확대 평면도이다.
도 11은, 도 10에 있어서의 A-A 선으로 절단한 개략 단면도이다.
도 12는, 도 10에 있어서의 B-B 선으로 절단한 개략 사시도이다.
도 13은, 제6 실시형태에 관련된 제거부를 나타내는 도 12에 상당하는 개략 사시도이다.
도 14는, 제7 실시형태에 관련된 제거부의 구성을 기판측으로부터 본 상태를 나타내는 확대 평면도이다.
도 15는, 제8 실시형태에 관련된 제거부의 구성을 기판측으로부터 본 상태를 나타내는 확대 평면도이다.
도 16은, 도 15에 있어서의 C-C 선으로 절단하여 나타내는 개략 부분 확대 단면도이다.
도 17은, 제9 실시형태에 관련된 제거부를 나타내는 도 16에 상당하는 개략 부분 확대 단면도이다.
도 18은, 제10 실시형태에 관련된 제거부의 구성을 기판측으로부터 본 상태를 나타내는 확대 평면도이다.
도 19는, 도 18에 있어서의 D-D 선으로 절단한 개략 사시도이다.
도 20은, 제11 실시형태에 관련된 제거부의 구성을 나타내고, 도 19에 상당하는 개략 사시도이다.
도 21은, 제12 실시형태에 관련된 제거부의 구성을 기판측으로부터 본 상태를 나타내는 확대 평면도이다.
도 22는, 도 21에 있어서의 E-E 선으로 절단한 개략 단면도이다.
도 23은, 제13 실시형태에 관련된 제거부의 구성을 도 21에 있어서의 F-F 선으로 절단한 도면에 상당하는 개략 사시도이다.
도 24는, 제14 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
도 25는, 제15 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
도 26은, 제16 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
도 27은, 제17 실시형태에 관련된 제거부의 구성을 기판측으로부터 본 상태를 나타내는 확대 평면도이다.
도 28은, 제18 실시형태에 관련된 제거부의 구성을 기판측으로부터 본 상태를 나타내는 확대 평면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태에 관해서 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도 1은, 본 발명을 적용하여 이루어지는 기판 처리 장치로서의 스핀 처리 장치(100)의 개략 구성을 나타내는 단면도이다.
이 스핀 처리 장치(100)는, 동도면에 2점 쇄선으로 나타내는 컵체(1)를 갖는다. 이 컵체(1)의 바닥부의 직경 방향 중심부에는 통공(通孔)(2)이 형성되고, 주변부에는 복수의 배출관(1a)이 주위 방향으로 소정 간격으로 접속되어 있다.
통공(2)에는 원통형의 동력 전달체(3)가 설치되어 있다. 이 동력 전달체(3)는, 구동 수단인 제어 모터(4)에 의해 회전 구동된다. 이 제어 모터(4)는, 통 형상의 고정자(5)와, 이 고정자(5) 내에 회전 가능하게 삽입된 동일하게 통 형상의 회전자(6)를 갖는다.
동력 전달체(3)는, 하단을 회전자(6)의 상단면에 접촉시키고, 그 부분이 나사(7)에 의해 고정되어 있다. 따라서, 동력 전달체(3)는, 회전자(6)와 일체적으로 회전하도록 되어 있다. 또, 제어 모터(4)는, 제어부(8)(도 2 참조)에 의해 회전 속도가 제어된다.
동력 전달체(3)의 컵체(1) 내로 돌출된 상단부에는, 회전 테이블(11)이 부착되어 있다. 이 회전 테이블(11)은, 원반 형상을 이룬 하판(12)과 상판(13)을 중첩시켜 이루어지고, 이들 하판(12)과 상판(13)의 중심 부분에는, 동력 전달체(3)의 내부 공간에 연통하는 통공(14)이 형성되어 있다.
회전 테이블(11)의 상판(13)의 주변부에는, 주위 방향으로 소정 간격, 예컨대 90도 간격으로 4개의 지지 통부(15)가 일체 형성되어 있다. 하판(12)의 지지 통부(15)와 대응하는 부분에는, 통공(16)이 형성되어 있다.
지지 통부(15)와 통공(16)에는, 각각 부시(17a, 17b)가 끼워 맞춰 장착되고, 이 부시(17a, 17b)에는, 유지 부재(18)가 회전 가능하게 지지되어 있다. 이 유지 부재(18)는, 부시(17a, 17b)에 지지된 축부(19)와, 이 축부(19)의 상단부에 일체 형성된 상기 축부(19)보다 대직경인 두부(頭部)(20)를 갖는다.
두부(20)의 상단면에는, 축부(19)의 회전 중심으로부터 편심한 위치에 테이퍼 부재(21)가 설치되어 있다. 이 테이퍼 부재(21)의 테이퍼면(21a)의 경사 방향 상단부에는, 걸어맞춤 핀(22)이 돌출되어 설치되어 있다.
그리고, 각 유지 부재(18)에 설치된 테이퍼 부재(21)에는, 반도체 웨이퍼 등의 기판(W)이 주변부의 이면(W2)을 그 테이퍼면(21a)에 적재하여 설치된다. 그 상태에서, 각 유지 부재(18)를 소정 방향, 예컨대 시계 방향으로 회전시키면, 테이퍼 부재(21)가 편심 회전한다. 그것에 의해, 기판(W)의 주변부가 테이퍼 부재(21)의 테이퍼면(21a)을 따라 상승하고, 그 외주면이 걸어맞춤 핀(22)에 접촉하기 때문에, 기판(W)은 4개의 유지 부재(18)에 의해 회전 테이블(11)에 일체적으로 유지된다.
유지 부재(18)를 상기와 역방향인, 반시계 방향으로 회전시키면, 걸어맞춤 핀(22)이 기판(W)의 외주면으로부터 떨어지는 방향으로 편심 회전한다. 그것에 의해, 기판(W)의 4개의 유지 부재(18)에 의한 유지 상태가 개방된다.
도 1에 나타내는 바와 같이, 유지 부재(18)의 축부(19)는, 하단이 회전 테이블(11)의 하면측으로 돌출되고, 그 돌출 단부에는 피니언(25)이 고정되어 있다. 각 유지 부재(18)의 축부(19)에 고정된 피니언(25)은, 마스터 기어(26)에 맞물려 있다. 이 마스터 기어(26)는, 동력 전달체(3)에 베어링(27)을 통해 회전 가능하게 유지되어 있다.
마스터 기어(26)는, 동력 전달체(3)의 외주면에 설치된 스프링(28)에 의해 소정의 회전 방향, 예컨대 반시계 방향으로 가압되어 있다. 그것에 의해, 피니언(25)이 시계 방향으로 회전하고, 그 회전에 유지 부재(18)가 연동하여 테이퍼 부재(21)가 편심 회전함으로써, 기판(W)은 각 유지 부재(18)의 걸어맞춤 핀(22)에 의해 회전 테이블(11)에 유지된다.
기판(W)의 유지 상태를 해제하려면, 마스터 기어(26)를 도시하지 않은 해제 기구에 의해, 스프링(28)의 가압력에 대항하여 시계 방향으로 회전시킨다. 구체적으로는, 해제 기구에 의해 마스터 기어(26)가 회전하는 것을 저지하고, 그 상태에서 회전 테이블(11)을 제어 모터(4)에 의해 반시계 방향으로 회전시킨다. 그것에 의해, 유지 부재(18)는 반시계 방향으로 회전하기 때문에, 걸어맞춤 핀(22)에 의한 기판(W)의 유지 상태가 해제되게 된다.
동력 전달체(3)의 내부에는, 스핀 처리 장치(100)의 본체에 고정된 유지통(31)이 삽입 관통되어 있다. 이 유지통(31)의 상단에는, 노즐 헤드(32)가 장착되어 있다. 이 노즐 헤드(32)에는, 상면으로 개구된 단면 형상이 역원뿔 형상이나, 막자사발 형상(이하, 역원뿔 형상으로 대표시킴)의 오목부(30)가 형성되어 있다. 유지통(31)은, 동력 전달체(3)로부터 분리되어 있기 때문에, 회전 테이블(11) 등이 회전해도, 노즐 헤드(32)는 회전하지 않는다.
노즐 헤드(32)에는, 회전 테이블(11)에 유지된 기판(W)의 이면(W2)의 중심부를 향하여, 질소 가스 등의 기체를 토출하는 기체 토출 노즐(33)과, 린스액으로서의 순수를 토출하는 순수 토출 노즐(34)과, 에칭액 등의 약액을 토출하는 제1 약액 토출 노즐(40)(도 3 참조)과, 예컨대 암모니아수와 과산화수소수를 포함하는 약액(SC-1 용액)을 토출하는 제2 약액 토출 노즐(41)(도 3 참조)이 선단을 오목부(30)의 표면으로 개구시켜 형성되어 있다.
순수 토출 노즐(34), 제1 약액 토출 노즐(40), 제2 약액 토출 노즐(41)은, 처리액 공급 노즐을 구성한다. 또한, 노즐 헤드(32)에는, 오목부(30)의 내면의 최하단에 선단을 개구시킨 배액 구멍(30a)이 형성되어 있다.
기체 토출 노즐(33)의 후단에는 급기관(35)이 접속되고, 순수 토출 노즐(34)의 후단에는 순수 급액관(36)이 접속되어 있다. 또한, 배액 구멍(30a)에는 배액관(37)이 접속되고, 배액 구멍(30a)과 배액관(37)은, 배액부를 형성한다. 또, 도시되지는 않았지만, 제1 약액 토출 노즐(40), 제2 약액 토출 노즐(41)의 후단에는, 제1 약액 급액관, 제2 약액 급액관이 각각 접속되어 있다.
도 2에 나타내는 바와 같이, 급기관(35)은, 기체 토출 노즐(33)에 질소 가스 등의 기체를 공급하는 기체 공급원(35c)에, 유량 조정 밸브(35a), 개폐 밸브(35b)를 통해 접속되어 있다. 따라서, 개폐 밸브(35b)가 열림이 되면, 기체 토출 노즐(33)로부터는 기체가 토출되고, 개폐 밸브(35b)가 닫힘이 되면 기체의 토출은 정지된다. 토출시의 기체의 유량은, 유량 조정 밸브(35a)에 의해 설정된다.
순수 급액관(36)은, 순수 토출 노즐(34)에 린스액(순수 등)을 공급하는 린스액 공급원(36c)에, 유량 조정 밸브(36a), 개폐 밸브(36b)를 통해 접속되어 있다. 따라서, 개폐 밸브(36b)가 열림이 되면, 순수 토출 노즐(34)로부터는 순수가 토출되고, 개폐 밸브(36b)가 닫힘이 되면 순수의 토출은 정지된다. 토출시의 린스액의 유량은, 유량 조정 밸브(36a)에 의해 설정된다.
또한, 도시는 하지 않았지만, 제1 약액 급액관은, 제1 약액 토출 노즐(40)에 에칭액 등의 약액을 공급하는 공급원에, 제2 약액 급액관은, 제2 약액 토출 노즐(41)에 SC-1 액 등의 약액을 공급하는 공급원에, 각각 유량 조정 밸브, 개폐 밸브를 통해 접속되어 있다. 또, 상세한 것은 후술하겠지만, 배관의 도중에 설치되는 유량 조정 밸브나 개폐 밸브는, 제어부(8)에 의해 제어되도록 되어 있다.
회전 테이블(11)의 상면 및 외주면은, 이 회전 테이블(11)과 일체의 커버(45)에 의해 덮여 있다. 이 커버(45)는, 회전 테이블(11)에 유지되는 기판(W)의 이면(W2)에 대향하는 대향 벽부(46)와, 이 대향 벽부(46)의 주연부에 수직으로 형성된 둘레 벽부(47)를 갖는다.
대향 벽부(46)에는, 기체 토출 노즐(33)로부터 토출되는 질소 가스 등의 기체, 순수 토출 노즐(34)로부터 토출되는 순수, 제1, 제2 약액 토출 노즐(40, 41)로부터 토출되는 약액을 기판(W)의 이면(W2)에 도달시키기 위한 개구(48)가 형성되어 있다.
회전 테이블(11)의 상면에 설치된 4개의 유지 부재(18)의 상단부는, 커버(45)의 대향 벽부(46)를 관통하도록 형성된 통공(49)으로부터 그 상면측으로 돌출되어 있다.
또한, 회전 테이블(11)의 상방에는, 기판(W)의 이면(W2)측과 마찬가지로, 기판(W)에 에칭액 등의 약액을 토출하는 제1 상부 노즐체(50), SC-1 용액 등의 약액을 토출하는 제2 상부 노즐체(51), 린스액으로서 순수를 토출하는 제3 상부 노즐체(52), 및 질소 가스 등의 기체를 토출하는 제4 상부 노즐체(53)가 배치되어 있다.
여기서, 상기 구성의 스핀 처리 장치(100)에 의해 기판(W)을 처리할 때의 동작에 관해서 설명한다. 이 실시형태에 있어서의 기판(W)의 처리는, 에칭 공정, 약액 세정 공정, 린스 공정 및 건조 공정으로 이루어진다. 또한, 동작 제어는, 전부 제어부(8)가 행한다.
제어부(8)는, 각 부를 집중적으로 제어하는 마이크로컴퓨터와, 기판 처리에 관한 기판 처리 정보나 각종 프로그램 등을 기억하는 기억부를 구비하고 있다. 이 제어부(8)는, 기판 처리 정보나 각종 프로그램에 기초하여, 다음과 같이 제어한다.
우선, 기판(W)을 회전 테이블(11)에 유지하고, 이 회전 테이블(11)을 수십∼수백 r.p.m의 저속도로 회전시킨다. 회전 테이블(11)을 회전시키면서, 제1 약액 토출 노즐(40)과 제1 상부 노즐체(50)로부터, 기판(W)의 표면(W1)(상면)과 이면(W2)(하면)에 대하여 에칭액을 공급한다. 기판(W)에 공급된 에칭액은, 원심력에 의해 기판(W)의 외주부로 향하고, 기판 전면에 고루 퍼진다. 에칭액의 공급 개시로부터 소정 시간 경과하여 에칭 처리가 종료되면, 에칭액의 공급을 정지한다. 다음으로 제2 약액 토출 노즐(41)과 제2 상부 노즐체(51)로부터, 기판(W)의 표면(W1)과 이면(W2)에 대하여 SC-1 용액을 공급한다. 이에 따라, 기판(W)에 잔류하는 에칭액을 제거한다.
기판(W)을 SC-1 용액에 의해 처리했으면, SC-1 용액의 공급을 정지한다. 다음으로 순수 토출 노즐(34)과 제3 상부 노즐체(52)로부터, 기판(W)의 표면(W1)과 이면(W2)에 대하여 순수를 공급한다. 이에 따라, 린스 처리를 행하여, 기판(W) 표리면에 부착 잔류하는 SC-1 용액을 제거한다.
마지막으로, 회전 테이블(11)을 수천 r.p.m의 고속도로 회전시키고, 기체 토출 노즐(33)과 제4 상부 노즐(53)로부터, 기판(W)의 표면(W1)과 이면(W2)에 대하여 질소 가스 등의 기체를 분사한다. 이것에 의해, 기판(W)에 잔류하는 처리액을 기판(W)의 표리면으로부터 날려, 건조 처리를 행한다.
또, 기판(W)의 표면(W1)에 공급된 약액이나 린스액은, 기판(W)의 회전에 의한 원심력에 의해 외측으로 날려지고, 컵체(1)의 내면에 충돌 후, 배출관(1a)으로부터 회수된다. 한편, 기판(W)의 이면(W2)에 공급된 약액이나 린스액도, 원심력에 의해 외측으로 날려지지만, 이면(W2)에 공급된 약액이나 린스액의 일부는 오목부(30)에 비산되고, 오목부(30)를 흘러, 배액 구멍(30a)으로부터 배출된다.
그런데, 전술한 바와 같은 스핀 처리 장치(100)로 대표되는 기판 처리 장치에 있어서, 약액이나, 약액을 포함하는 린스액이, 오목부(30)에 액적이 되어 체류하면, 기판의 이면에 물얼룩(water mark)이 발생하는 것은 전술한 바와 같지만, 이하, 그것을 방지하는 실시형태에 관해서 순서대로 설명해 나간다.
도 3은, 제1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치(100)를 구성하는 노즐 헤드(32)를 기판(W)측으로부터 본 상태를 나타내는 확대 평면도이다. 상기 평면도에 있어서, 가장 외측의 선으로 표시되어 있는 것은, 노즐 헤드(32)의 외연(32a)이다. 또한, 그 내측에 표시되어 있는 것이, 오목부(30)의 사면(30b)의 상단이 되는, 노즐 헤드(32)의 내연(32b)이다. 내연(32b)보다 내측에서, 도 3에 있어서의 중앙에는, 오목부(30)의 바닥부에 형성되어 있는 배액 구멍(30a)이 도시되어 있다.
도 3에 나타내는 평면도에 있어서는, 사면(30b)에 설치되는 4개의 노즐이 도시되어 있다. 도 3의 평면도에 있어서, 배액 구멍(30a)의 좌측에는, 이면(W2)을 향하여 기체를 토출하는 기체 토출 노즐(33)이 설치되어 있고, 배액 구멍(30a)을 사이에 두고 기체 토출 노즐(33)과 대향하는 위치에는, 이면(W2)을 향하여 순수를 토출하는 순수 토출 노즐(34)이 설치되어 있다. 또한, 도 3에 있어서, 배액 구멍(30a)의 상측에는, 에칭액 등의 약액을 토출하는 제1 약액 토출 노즐(40)이 설치되어 있고, 배액 구멍(30a)의 하측에는, SC-1 용액 등의 약액을 토출하는 제2 약액 토출 노즐(41)이 설치되어 있다.
또한, 도 3에는, 배액 구멍(30a)의 중심을 통과하도록, 서로 직교하는 중심선이 1점 쇄선으로 표시되어 있다. 전술한 4개의 노즐은, 모두 그 중심이 상기 중심선 상에 위치하도록 설치되어 있다.
또, 각종 노즐의 수, 배치 위치에 관해서는, 본 발명의 실시형태에 있어서는 도 3에 나타내는 평면도와 같지만, 그 수나 배치 위치에 관해서는, 임의로 설정할 수 있다.
또한, 설명에 있어, 액적을 제거하는 기구, 구조를, 이하 「제거부(D)」라고 표시한다.
도 4는, 제1 실시형태에 관련된 제거부(D1)의 구성을 나타내는 개략 단면도이다. 도 4에서 나타내는 제거부(D1)를 편의상 「제1 노즐(D1)」이라고 표시한다. 제1 노즐(D1)은, 기체 토출 노즐(33)의 구성을 이용한다. 따라서, 제1 노즐(D1)은, 기체 토출 노즐(33)이 갖는, 이면(W2)의 건조 처리에 있어서의 건조 촉진을 위해 이면(W2)에 대하여 기체를 토출시키는 역할도 수행한다.
그래서 도 4에 나타내는 바와 같이, 우선 제1 노즐(D1)의 토출구를, 그 일단부가 오목부(30)의 사면(30b)으로부터 돌출되도록 구성한다. 제1 노즐(D1)의 일단부를 이와 같이 조금 돌출시키는 구성을 채용하더라도, 기체를 이면(W2)에 대하여 적절히 토출하는 것이 담보되어 있으면, 건조 처리에 폐해를 초래하는 경우는 없다.
이 사면(30b)으로부터 돌출된 제1 노즐(D1)의 일단부측에, 구멍(D1a)을 새롭게 형성한다. 제1 노즐(D1)의 일단부에는, 이면(W2)에 대하여 기체를 토출하기 위한 토출구가 형성되어 있는 점에서, 이 토출구로부터 토출되는 기체는, 도 4의 화살표로 표시되는 방향으로 토출된다.
이에 대하여, 구멍(D1a)이 형성되어 있는 위치는, 보다 구체적으로는, 토출구로부터의 기체의 토출 방향(도 4의 화살표 방향)에 직교하는 방향으로서 오목부(30)를 향하여 기체를 토출시키는 것이 가능한 위치이다. 도 4에 있어서, 구멍(D1a)은, 그 개구가, 정면에 보이는 위치에 형성되어 있다.
또한, 구멍(D1a)의 개구경은, 이 구멍(D1a)으로부터 기체가 토출됨으로써, 토출구로부터 이면(W2)을 향하여 건조를 위해 화살표 방향으로 토출되는 기체의 위력이 감쇠하지 않는 것을 고려하여 결정된다.
기체 토출 노즐(33)은, 도 2를 이용하여 설명한 바와 같이, 유량 조정 밸브(35a), 개폐 밸브(35b)를 통해 기체 공급원(35c)에 접속되어 있다. 제어부(8)는, 제1 노즐(D1)의 일단부로부터 토출하는 기체와, 제1 노즐(D1)의 구멍(D1a)으로부터 토출하는 기체의 토출량을 유량 조정 밸브(35a)를 조정함으로써 조정하고, 기체의 토출 타이밍을 개폐 밸브(35b)의 전환에 의해 조정한다.
보다 구체적으로는, 제어부(8)는, 제1 노즐(D1)의 일단부로부터 토출하는 기체의 유량(유속)을, 적어도 2개의 상이한 제1 유량과 제2 유량으로 전환한다. 여기서 제1 유량이란, 제1 노즐(D1)의 일단부로부터 토출하는 기체가, 기판(W)의 이면(W2)까지는 닿지 않지만, 제1 노즐(D1)의 구멍(D1a)으로부터 토출되는 기체가, 오목부(30)의 사면(30b)을 따라 오목부(30)의 주위 방향으로, 소용돌이형이나, 나선(螺旋)형으로 이동할 수 있는 정도의 유량이다. 이에 대하여 제2 유량은, 제1 노즐(D1)의 일단부로부터 토출하는 기체의 유량이, 기판의 이면(W2)의 건조 처리를 행하는 데 충분한 유량이다. 따라서, 제1 유량은 제2 유량보다 훨씬 적다.
그리고, 본 실시형태에 있어서는, 앞서 서술한 에칭 공정, 약액 세정 공정, 린스 공정까지는, 개폐 밸브(35b)를 닫힘으로 하고 있다. 그리고, 린스 공정이 종료되며, 또한 건조 공정이 개시되기까지의 사이에서, 개폐 밸브(35b)를 열림으로 전환한다. 개폐 밸브(35b)가 열림으로 전환되면, 우선은 제1 노즐(D1)의 일단부로부터 토출하는 기체의 유량이, 제1 유량으로 설정된다. 오목부(30)는, 역원뿔 형상으로 형성되어 있는 점에서, 구멍(D1a)을 형성함으로써 구멍(D1a)으로부터 토출된 기체는, 오목부(30)의 사면(30b)을 주위 방향을 따라 이동하게 된다. 그 때문에, 오목부(30)에 존재하는 액적을 배액 구멍(30a)으로 이동시킬 수 있다. 즉, 이 실시형태에서는, 기판의 건조에 이용되는 질소 가스 등의 기체가 제거재로서 기능한다.
이 상태가 미리 설정한 시간이 경과하면, 제1 노즐(D1)의 일단부로부터 토출하는 기체의 유량이 제2 유량으로 전환된다. 이에 따라, 제1 노즐(D1)의 일단부로부터는, 고속 회전하는 기판(W)의 이면(W2)에 대하여 제2 유량의 기체가 토출되고, 건조 공정이 행해진다. 이 때, 제1 노즐(D1)의 구멍(D1a)으로부터도 기체의 토출은 계속된다. 그리고 건조 공정이 종료되면, 개폐 밸브(35b)가 닫힘이 되고, 제1 노즐(D1)과 구멍(D1a)으로부터의 기체의 토출은 정지된다.
이와 같이 본 실시형태에서는, 약액이나, 약액을 포함하는 린스액이, 오목부(30)에 액적이 되어 체류하고 있었다 하더라도, 그 액적을 제1 노즐(D1)의 구멍(D1a)으로부터 토출되는 기체에 의해 사면(30b)을 이동시켜, 배액 구멍(30a)으로 유도할 수 있다. 이 때문에, 건조 공정 중에 약액 등이 기판에 부착된다는 문제점(물얼룩 등의 발생)을 방지할 수 있다.
또한, 이면(W2)의 건조 촉진을 위해 이용되는 기체(불활성 가스 등)를, 오목부(30)에 존재하는 액적을 제거할 때에도 이용하는 것이 가능하기 때문에, 액적의 제거를 위해 별도의 기체를 준비하지 않아도 된다.
또한, 린스 공정이 종료되고, 건조 공정이 개시되기 전단계에서, 우선 제1 노즐(D1)의 일단부로부터 토출하는 기체의 유량을 제1 유량으로 설정하고, 제1 노즐(D1)의 일단부로부터는, 비록 소량이라도, 기체를 토출시키도록 했다. 이 때문에, 에칭 공정, 약액 세정 공정, 린스 공정 등, 처리액을 이용한 처리 공정에 있어서, 제1 노즐(D1)의 일단부, 혹은 제1 노즐(D1)에 형성한 구멍(D1a) 내에 처리액이 침입해 있었다 하더라도, 그 처리액을 건조 공정이 개시되기 전단계에서 양노즐 내로부터 제거할 수 있다. 이것에 의해서도, 건조 공정 중에 약액 등이 기판에 부착된다는 문제점을 방지할 수 있다.
또, 도 4에서 도시되어 있는 구멍(D1a)은 정면을 향하고 있고, 하나만이 형성되어 있다. 다만, 구멍(D1a)은 복수 형성되어 있어도 좋다. 예컨대, 사면(30b)을 향하여 기체를 토출할 수 있도록, 제1 노즐(D1)에는, 사면(30b)을 향하여 각도를 변경하여 복수의 구멍을 형성해도 좋다. 이면(W2)에 대하여 건조 촉진용의 기체를 토출할 때에, 아울러 사면(30b)의 넓은 범위에 대하여 상기 기체를 토출함으로써, 더욱 효율적으로 액적의 제거를 행할 수 있다.
다음으로, 도 5 내지 도 7을 이용하여, 제2 실시형태인 제거부(D2)에 관해서 설명한다.
또, 이하의 설명에서는, 이미 설명한 구성 요소와 동일한 구성 요소에는 동일한 부호를 붙이고, 동일한 구성 요소의 설명은 중복되기 때문에 생략한다.
도 5는, 제2 실시형태에 관련된 제거부의 구성을, 기판측으로부터 본 상태를 나타내는 확대 평면도이다.
제거부(D2)는, 제1 실시형태와 동일하게 이면(W2)에 토출하는 기체를 이용하지만, 기체 토출 노즐(33)과는 별도로 제2 노즐(D2)을 설치하고, 이 제2 노즐(D2)로부터 기체를 오목부(30)에 토출시키도록 한 것이다.
도 5에 나타내는 도면에 있어서는, 오목부(30)에 있어서의, 순수 토출 노즐(34)과 제2 약액 토출 노즐(41) 사이에 제2 노즐(D2)이 형성되어 있다. 제2 노즐(D2)은, 커버(45)를 향하여 기체를 토출하는 노즐이다. 제2 실시형태에 있어서는, 커버(45)를 향하여 토출된 기체의 방향을 변경하여, 오목부(30)로 기체를 유도하는 구조를 채용한다.
도 6은 도 5에 있어서의 X-X 선으로 절단하고, 배관 계통을 나타낸 개략 단면도, 도 7은 도 6에 있어서의 부분 확대도이다.
*도 6에 있어서는, 제2 노즐(D2)은, 노즐 헤드(32)의 내부를 관통하도록 형성되어 있고, 기체의 토출구인 제2 노즐(D2)의 일단은, 사면(30b)으로 개구되어 있다. 또한 제2 노즐(D2)의 타단은 기체 공급원(35c)과 접속되어 있고, 공급된 기체가 제2 노즐(D2)의 일단으로부터 커버(45)를 향하여 토출된다. 또, 도 5에 있어서는, 제2 노즐(D2)은 노즐 헤드(32)에 1개소만 설치되어 있지만, 복수 설치해도 좋다.
커버(45)에는, 제2 노즐(D2)로부터 커버(45)를 향하여 토출된 기체의 방향을 변경하는 되돌림부(45a)가, 개구(48)의 가장자리의 전체 둘레에 걸쳐 형성되어 있다. 되돌림부(45a)는, 도 6, 도 7에 도시되어 있는 바와 같이, 사면(30b)의 상부를 덮는 차양과 같은 형상을 채용하고 있다. 제2 노즐(D2)로부터 토출된 기체는, 이 되돌림부(45a)에 닿아 확산한다.
다음으로 제2 노즐(D2)로부터 토출된 기체의 흐름과, 이 기체에 의한 사면(30b)으로부터의 액적의 제거에 관해서 설명한다.
제2 노즐(D2)로부터 토출된 기체는, 우선 커버(45)에 닿는다. 토출된 기체가 닿는 것은, 커버(45)의 되돌림부(45a)를 포함하는 영역이다. 되돌림부(45a)에 닿은 기체는, 되돌림부(45a)를 따라 그 주위로 확산한다. 되돌림부(45a)에서 확산한 기체는, 되돌림부(45a)를 따라 흐르고, 그 일부는, 노즐 헤드(32)와 커버(45)의 간극으로부터 커버(45)의 외측으로 빠져나가기는 하지만, 나머지 기체는, 사면(30b)의 상부로부터 배액 구멍(30a)을 향하여 흐른다.
한편, 이 커버(45), 및 기판(W)이 회전하면, 기류는 그 회전 방향으로 흐른다. 이 기류 흐름의 작용도 있어, 제2 노즐(D2)로부터 토출된 기체는, 배액 구멍(30a)을 향하여 사면(30b)을 따라 흐름과 동시에, 사면(30b)의 주위 방향으로 흐른다. 이 기체의 흐름은, 도 6의 화살표로 표시하는 바와 같다.
이와 같이 기체가 흐름으로써, 사면(30b) 상에 존재하는 액적을 배액 구멍(30a)으로 이동시킬 수 있어, 오목부(30)에 체류하는 액적을 제거할 수 있다.
제2 노즐(D2)의 상방에 형성되는 되돌림부(45a)는, 토출된 기체를 확산시킴과 동시에, 그 방향을 변경할 필요가 있는 점에서, 확실하게 기체의 확산, 방향의 변경이 이루어지도록 형성되어 있다. 또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 커버(45)는 대략 원반 형상으로 형성되어 있는 점에서, 되돌림부(45a)도 대략 원반 형상으로 형성되어 있다.
제2 노즐(D2)은, 도 6에 나타내는 바와 같이, 유량 조정 밸브(38a), 삼방 밸브(38b)를 통해, 기체 공급원(35c)에 접속된다. 이 기체 공급원(35c)은, 기체 토출 노즐(33)에 기체를 공급하는 공급원이다. 또한 이 삼방 밸브(38b)는, 밸브의 개폐를 행하여 기체 공급원(35c)으로부터 공급되는 기체를, 기판의 이면(W2)을 향하여 기체를 토출하는 기체 토출 노즐(33)과 제2 노즐(D2)에 배분한다.
그리고 제1 실시형태와 마찬가지로, 제어부(8)는, 린스 공정이 종료되며, 또한 건조 공정이 개시되기까지의 사이에서, 삼방 밸브(38b)를 열림으로 전환한다. 이에 따라, 제2 노즐(D2)로부터 기체의 토출이 행해진다. 이 토출은, 건조 공정에 있어서도 계속되고, 건조 공정이 종료되면, 삼방 밸브(38b)가 닫힘이 되어 정지된다.
도 8은, 제3 실시형태에 관련된 제거부를 나타내고 있지만, 되돌림부(45a)를 개구(48)의 일부에만 형성하고, 그 밖의 부분에는 되돌림부(45a)를 형성하지 않는 것도 가능하다.
도 9는, 제4 실시형태에 관련된 제거부를 나타내고 있지만, 개구(48)의 주위를 따라, 되돌림부(45a)가 명확히 형성되어 있는 영역과 되돌림부(45a)가 형성되어 있지 않은 영역을 형성하고, 2개의 영역 사이에 위치하는 영역에 관해서는, 되돌림부(45a)의 부분이, 개구(48)의 주위 방향을 따라 서서히 없어지도록 형성되어 있다.
제3, 제4 실시형태와 같이, 개구(48)의 주연부의 일부에만 되돌림부(45a)를 형성하는 경우, 되돌림부(45a)가 형성되어 있는 영역에 있어서는, 전술한 바와 같이, 제2 노즐(D2)로부터 토출된 기체가 확산하고 그 일부가 사면(30b)을 주위 방향을 따라 흐르도록 이동한다.
한편, 되돌림부(45a)가 형성되어 있지 않은 영역에 있어서는, 제2 노즐(D2)로부터 토출된 기체는, 기판(W)의 이면(W2)을 향하여 진행되어, 이면(W2)에서 확산하고, 그 일부는 커버(45)의 표면에 도달하게 된다. 커버(45)의 표면에 도달한 기체는, 일체가 되어 회전하는, 커버(45)와 기판(W) 사이에 생기는 기류의 흐름에 끌려, 커버(45)의 표면을 외주 방향을 향하여 이동하게 된다. 이 때, 예컨대, 기판의 이면(W2)의 세정이 행해졌을 때에 커버(45)의 표면에 부착된 처리액을 커버(45)의 외측으로 강제적으로 이동시켜, 제거하게 되기 때문에, 기판의 이면(W2)의 세정도를 유지할 수 있다.
또한, 삼방 밸브(38b)의 조작에 의해, 제2 노즐(D2)로부터 토출되는 기체가, 그 토출 방향에 되돌림부(45a)가 위치하는 경우에만 토출(간헐 토출)되도록 제어해도 좋다.
다음으로, 제5 실시형태에 관해서, 도 10 내지 도 12를 이용하여 설명한다. 도 10은, 제5 실시형태에 관련된 제거부(D3)를 기판(W)으로부터 본 상태를 나타내는 확대 평면도이다.
여기서는 오목부(30)에 존재하는 약액 등의 액적을, 예컨대, 순수와 같은 액체를 제거재로서 이용하여 제거한다. 순수를 토출하는 토출구인 제거부(D3)는, 오목부(30)의 주연부를 따라 환형으로 형성되어 있다. 도 10의 확대 평면도에 나타내는 바와 같이, 제거부(D3)는, 노즐 헤드(32)의 내연(32b)에 가까운 오목부(30)의 상부에, 내연(32b)을 따라 환형으로 배치되어 있다. 즉, 오목부(30)의 사면(30b)의 가능한 한 높은 위치로부터 순수를 배액 구멍(30a)을 향하여 흘림으로써, 사면(30b)에 존재하는 액적을 확실하게 제거하도록 하고 있다.
제거부(D3)는, 오목부(30)의 사면(30b)에 존재하는 액적을 제거하기 위해 형성되는 것으로, 순수를 사면(30b)을 따라 배액 구멍(30a)을 향하여 흘리기 때문에, 도 11에 나타내는 바와 같이, 제거부(D3)의 토출구는, 사면(30b)의 기울기와 동일한 기울기를 갖도록 형성되어 있다. 이러한 제거부(D3)로부터 순수 등의 제거재를 토출시킴으로써, 오목부(30)에 존재하는 액적을 제거할 수 있다.
이와 같이 제거부(D3)는, 사면(30b)에 순수를 흘림으로써 액적을 제거하지만, 도 12에는 제거부(D3)에 대하여 제거재를 공급하는 제거재 공급 통로(D3a)가 도시되어 있다. 제거재 공급 통로(D3a)는, 노즐 헤드(32) 내를 관통하여 형성되어 있음과 동시에, 도 12에 나타내는 바와 같이, 오목부(30)의 상부에, 내연(32b)을 따라 환형으로 배치되어 있는 제거부(D3)에 제거재를 충분히 공급하도록, 노즐 헤드(32) 내에 환형으로 형성되어 있다. 또, 도 12에 있어서는, 순수 토출 노즐(34)은 도시를 생략하고 있다.
도 12에도 도시되어 있는 바와 같이 제거부(D3)는, 노즐 헤드(32)의 내연(32b)에 가까운 오목부(30)의 상부에, 내연(32b)을 따라 환형으로 배치되어 있다. 즉, 내연(32b)과 사면(30b) 사이에, 제거재가 사면(30b)을 향하여 흘러나가게 하기 위한 간극인 토출구가 형성되어 있고, 이곳으로부터 제거재가 토출된다. 즉 상기 간극이 제거부(D3)에 해당한다. 또한, 이 제거부(D3)의 모두에 남김없이 제거재를 공급하도록, 제거재 공급 통로(D3a)도 환형으로 형성되어 있다.
이러한 구성에 있어서, 제거부(D3)에 의해 오목부(30)의 주위 방향 전역으로부터 흘러나온 순수는, 도 12의 화살표로 표시하는 바와 같이, 사면(30b)을 타고, 배액 구멍(30a)을 향하여 직선적으로 흘러내린다. 이 때문에, 사면(30b)을 흘러내리는 순수를 이용하여, 오목부(30), 즉 사면(30b)에 존재하는 액적을 제거할 수 있다.
도 13은, 제6 실시형태에 관련된 제거부(D3)를 나타내는 도 12에 상당하는 개략 사시도이다. 도 12에 나타내는 제거부(D3)와의 차이는, 노즐 헤드(32)의 내연(32b)의 부분에 차양(D3b)이 설치되어 있는 점이다. 도 13에 나타내는 제거부(D3)도, 노즐 헤드(32)의 내연(32b)과 사면(30b) 사이에 형성된 간극인 토출구로부터 제거재(순수 등)가 사면(30b)을 향하여 토출되는 것이지만, 내연(32b)에 차양(D3b)이 설치되어 있음으로써, 제거재 공급 통로(D3a)로부터 순수가 비록 강한 기세를 가지고 토출되었다 하더라도, 제거부(D3)로부터 토출된 순수는 차양(D3b)에 닿아, 내연(32b) 근방에 떨어지게 된다. 따라서 제거부(D3)로부터 토출된 순수는, 반드시 사면(30b)의 높은 위치로부터 배액 구멍(30a)을 향하여 흐르게 된다. 그 때문에, 사면(30b)에 존재하는 액적을 확실하게 제거할 수 있다.
또한, 차양(D3b)이 설치됨으로써, 사면(30b)에 존재하는 액적을 제거하기 위해 이용되는 제거재로서, 액체뿐만 아니라, 기체도 이용하는 것이 가능해진다. 즉 제거부(D3)로부터 토출된 기체는, 차양(D3b)에 닿아 사면(30b)을 향하여 분사되게 된다.
이와 같이 차양(D3b)을 설치함으로써, 토출구로부터 토출된 제거재의 방향을 강제적으로 변경시킬 수 있기 때문에, 제거재가 기체이더라도, 토출구로부터 토출된 기체는, 확산하는 일 없이 사면(30b)으로 유도할 수 있다.
도 14는, 제7 실시형태에 관련된 제거부(D3c)의 구성을 기판(W)측으로부터 본 상태를 나타내는 확대 평면도이다. 이 실시형태에서는, 전술한 제거부(D3)와 같이 오목부(30)의 사면(30b)에 환형으로 형성한 토출구로부터 제거재를 토출하는 것이 아니고, 사면(30b)의 주위를 따라 복수의 토출구를 형성하고, 각 토출구로부터 제거재를 토출시키도록 한 것이다.
도 14에 나타내는 확대 평면도에서는, 4개의 토출구를 구비하는 제거부(D3c)가 형성되어 있다. 4개의 제거부(D3c)는, 각각, 처리액의 토출 노즐보다 상부에 형성되어 있다. 또한, 이들 제거부(D3c)는, 배액 구멍(30a)의 중심과, 예컨대, 제1 약액 토출 노즐(40)이나 제2 약액 토출 노즐(41)의 중심을 각각 연결하는 선 상에 형성되어 있다.
이러한 위치에 제거부(D3c)를 형성함으로써, 예컨대, 제1 약액 토출 노즐(40)이나 제2 약액 토출 노즐(41)로부터 토출된 약액으로서, 이들 토출 노즐 근방에 체류하는 액적을 확실하게 세정, 제거할 수 있다.
또, 사면(30b)에 존재하는 액적을 빠짐없이 제거할 수 있는 것이면, 토출구(제거부(D3c))를 몇개 형성할지에 관해서는 임의로 설정할 수 있다. 또한, 각 토출구(제거부(D3c))로부터 토출시키는 제거재의 토출 각도도 임의로 설정할 수 있고, 예컨대, 제거재를 광각으로 토출할 수 있도록 각도를 설정해도 좋다. 나아가서는, 제거부(D3c)로부터는, 순수 등의 액체가 아니라 기체를 토출시키는 것도 가능하다.
이와 같이, 복수 형성되는 제거부(D3c)의 토출구로부터 제거재가 토출되는 점에서, 사면(30b)을 따라 제거재를 배액 구멍(30a)을 향하여 흘리고, 오목부(30)에 존재하는 액적을 배액하여 제거할 수 있다.
또, 에칭 공정의 단계부터 제거부(D3), 혹은, 제거부(D3c)로부터 계속적으로 제거재를 토출시킴으로써, 사면(30b)에 액적이 체류할 기회를 빼앗을 수 있다. 이러한 제어를 행하면, 사면(30b)에 대한 액적의 존재 자체를 없앨 수 있어, 액적의 제거 자체를 간편히 행하는 것이 가능해진다.
또한, 제거부(D3, D3c)로부터 계속적으로 제거재를 토출시키기 위해서는, 노즐 헤드(32)의 오목부(30)에 설치되는 각 노즐(33, 34, 40, 41)의 선단부를, 오목부(30)의 사면(30b)으로부터 돌출시키도록 하면 바람직하다. 이와 같이 구성하면, 제거부(D3, D3c)로부터 토출되어 사면(30b)을 흐르는 처리액이, 각 노즐(33, 34, 40, 41) 내에 침입하는 것을 방지할 수 있기 때문이다.
도 15는, 제8 실시형태에 관련된 제거부(D4)의 구성을 기판(W)측으로부터 본 상태를 나타내는 확대 평면도, 도 16은, 도 15에 있어서의 C-C 선으로 절단하여 나타내는, 개략 부분 확대 단면도이다. 제거부(D4)는, 단면이 원 형상인 노즐(D4a)로 구성되고, 노즐 헤드(32)의 내연(32b)에 가까운 오목부(30)의 상부에, 그 토출구가 사면(30b)과 대략 평행이 되는 방향으로 형성되어 있다. 즉, 토출구는 사면(30b)의 주위 방향을 향하도록 배치된다.
그 때문에, 노즐(D4a)로부터 제거재가 토출되면, 도 15의 화살표로 표시되어 있는 바와 같이, 제거재는 사면(30b)을 나선형(소용돌이형)으로 흘러 배액 구멍(30a)에 도달한다. 사면(30b)을 제거재가 나선형으로 흐름으로써, 제거재는 사면(30b)을 망라하여 흐르게 되기 때문에, 오목부(30)에 존재하는 액적을 빠짐없이 제거할 수 있다.
도 17은, 제9 실시형태에 관련된 제거부(D4)를 나타내는 도 16에 상당하는 개략 부분 확대 단면도이다. 도 17에 나타내는 개략 단면도의 예에서는, 제거부(D4)는, 제거재를 토출하는 개구(D4b)로서 구성되어 있고, 사면(30b)에 직접 형성되어 있다. 그리고, 제거부(D4)를 구성하는 개구(D4b)는, 제거재의 토출시에, 제거재를 사면(30b)의 주위 방향으로 병행하여 흐르도록, 사면(30b)의 주위 방향을 향하도록 형성되어 있다. 도 17의 개략 단면도에서는, 개구(D4b)의 토출구 정면이 도시되어 있고, 토출구의 형상은 대략 삼각형이다.
이와 같이 구성해도, 제8 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
그런데, 제8, 제9 실시형태에서는, 노즐로부터 토출된 제거재를, 그 토출력을 이용하여, 사면(30b) 상을 나선형으로 흘리는 것이었지만, 노즐이나 개구로부터 토출된 제거재를, 보다 확실하게 사면(30b)에 있어서 나선형으로 흘리기 위한 가이드 홈(D4c)을 형성한 것이 다음의 실시형태이다.
도 18은, 제10 실시형태에 관련된 제거부(D4)의 구성을 기판(W)측으로부터 본 상태를 나타내는 확대 평면도, 도 19는, 도 18에 있어서의 D-D 선으로 절단한 개략 사시도이다. 또, 도 19에 있어서는, 순수 토출 노즐(34)이나 제1 약액 토출 노즐(40)을 생략하고 있다.
이 실시형태가, 도 15를 이용하여 설명한 제8 실시형태와 상이한 점은, 제거부(D4)에 있어서의, 제거재가 토출되는 개구로부터 사면(30b)을 따라, 곡선형으로 가이드 홈(D4c)이 형성되어 있는 점이다. 가이드 홈(D4c)은, 제거재가 토출되는 개구로부터, 어느 거리에 걸쳐 형성되어 있다. 도 18에 있어서는, 제거부(D4)가, 순수 토출 노즐(34)의 상부에 형성되어 있는 점에서, 가이드 홈(D4c)의 시점(始點)은 순수 토출 노즐(34)의 상부가 된다. 가이드 홈(D4c)은, 이 시점으로부터, 사면(30b)의 주위 방향을 따라 곡선형으로 형성되고, 대략 제1 약액 토출 노즐(40)의 상부 바로 전까지 형성되어 있다.
따라서, 제거부(D4)로부터 토출된 순수 등의 제거재는, 토출 직후부터 가이드 홈(D4c)으로 유도되어 사면(30b) 상을 흐르고, 제1 약액 토출 노즐(40)의 상부 바로 전에 있어서의 상기 가이드 홈(D4c)의 종점을 통과한 후에는, 사면(30b)을 나선형으로 내려가, 사면(30b)에 존재하는 액적을 휩쓸리게 하면서 배액 구멍(30a)을 향하여 흐르게 된다. 이 제거재의 흐름에 의해, 오목부(30)에 존재하는 액적을 배액하여, 제거할 수 있다.
또, 도 19에 나타내는 실시형태에서는, 가이드 홈(D4c)은, 그 시점부터 종점까지 일정한 홈폭을 가지고 형성되어 있다.
도 20은, 제11 실시형태에 관련된 제거부(D4)의 구성을 나타내고, 도 19에 상당하는 도면이다. 도 20에서는, 가이드 홈(D4c)에 있어서의 시점에서의 폭에 비해, 종점에 있어서의 폭 쪽이 넓게 형성되어 있다. 즉, 가이드 홈(D4c)의 폭이 시점으로부터 종점을 향하여 서서히 넓어지도록 형성됨으로써, 가이드 홈(D4c)을 흐르는 순수 등의 제거재는, 서서히 배액 구멍(30a)을 향하여 사면(30b)을 흐르게 되기 때문에, 토출된 제거재를 보다 자연스럽게 나선형으로 흘리는 것이 가능해진다.
또, 가이드 홈(D4c)에 있어서의 시단과 종단 사이의 길이를 어느 정도로 할 것인가, 즉, 사면(30b)의 어느 위치에 종점을 설정할 것인가는 임의로 결정할 수 있다. 따라서, 도 18 내지 도 20에 나타내는 가이드 홈(D4c)의 거리는 일례에 불과하다.
예컨대, 사면(30b)의 주위를 1주시키도록 가이드 홈(D4c)을 형성하고, 그 종단을 예컨대, 제거부(D4)의 뒤, 혹은, 하부까지 형성해도 좋다. 또한, 가이드 홈(D4c)의 형성 각도, 즉, 시점으로부터 종점을 향하는 각도도 임의로 설정할 수 있다.
도 21은, 제12 실시형태에 관련된 제거부(D4)의 구성을 기판(W)측으로부터 본 상태를 나타내는 확대 평면도이다. 예컨대, 도 16, 도 17에서 나타낸 제거부(D4)는, 사면(30b)의 표면으로 돌출되는 경우가 없는 위치에 형성되어 있었다. 이에 대하여 도 22에 나타내는 바와 같이, 제거부(D4)를 구성하는 토출구(D4d)가 사면(30b) 상으로 돌출되도록 형성되어 있다. 다만, 지나치게 사면(30b) 상으로 크게 튀어나오도록 토출구(D4d)가 형성되면, 토출구(D4d)에 액적이 체류하는 원인이 될지도 모르기 때문에, 도 22에 도시된 바와 같이, 어디까지나 사면(30b) 상에 완만한 솟아오름이 가능한 정도로 형성되어 있다. 이러한 형상이면, 비록 사면(30b) 상에 형성되었다 하더라도, 예컨대, 사면(30b) 상에 있어서 액 튐이 생겼다 하더라도 토출구(D4d)에 액적이 부착되는 것을 회피할 수 있다.
도 23은, 제13 실시형태에 관련된 제거부(D4)의 구성을 나타내는 개략 사시도이다. 구체적으로는, 도 21에 있어서의 F-F 선으로 절단한 도면에 상당하는 개략 사시도이다. 사면(30b)에 토출구(D4d)를 형성하고, 더구나 토출구(D4d)는, 그 개구가 사면(30b)과 평행이 아니라, 조금 사면(30b)의 하방을 향하도록 형성되어 있다.
이 때문에, 토출구(D4d)로부터 토출된 제거재는, 도 23의 화살표로 표시하는 바와 같이, 비스듬히, 즉 토출 직후부터 조금 사면(30b)의 하방을 향하여 토출된다. 이와 같이 각도를 부여하여 토출구(D4d)를 형성함으로써, 보다 나선형으로 제거재를 흘리는 것이 가능해진다. 또한 도 23에서는 나타내고 있지 않지만, 토출구(D4d)에, 전술한 가이드 홈(D4c)을 형성하는 것도 가능하다.
이와 같이 제12, 제13 실시형태에 있어서도, 전술한 제8, 제9 실시형태와 동일한 효과를 얻을 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 사면(30b)을 따라 기체나 액체 등의 제거재를 나선형(소용돌이형)으로 흘리는 것이 가능한 구성을 채용함으로써, 오목부(30)에 존재하는 액적을 빠짐없이 제거할 수 있다.
또, 도 15 내지 도 23을 이용하여 설명을 가한 내용에, 각각의 개소에 있어서 설명한 내용을 추가해도 좋다. 제거부(D4)는, 예컨대, 서로 90도의 간격을 가지고 사면(30b) 상에 4개소 형성한다고 하는 바와 같이, 사면(30b) 상에 몇개 형성해도 좋다. 또한, 적절하게, 가이드 홈(D4c)을 조합해도 좋고, 가이드 홈(D4c)의 길이, 폭도 자유롭게 설정하는 것이 가능하다. 또한, 어느 사시도에 있어서도 파선으로 표시하고 있지만, 제거부(D3, D4)에 제거재를 공급하기 위한 제거재 공급 통로(D3a)가 형성되어 있다.
도 24는, 제14 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 단면도인 기판 처리 장치(100A)는, 진동부(60)를 구비하고 있다. 진동부(60)는, 노즐 헤드(32)에 접속되어 있고, 제어부(8)로부터의 제어에 기초하여, 노즐 헤드(32)에 대하여 진동을 부가한다.
진동부(60)로서는, 예컨대, 초음파 진동 장치를 채용할 수 있다.
이와 같이, 노즐 헤드(32)에 대하여 직접 진동을 가함으로써, 오목부(30)에 존재하는 액적은 사면(30b)을 따라 흘러 배액 구멍(30a)에 모이고, 제거된다.
또한 일례로서, 노즐 헤드(32)에 대한 초음파 진동의 부여는, 린스 공정이 종료되고, 건조 공정이 개시되기 전단계에서 개시되고, 건조 공정의 단계도 계속된다. 그리고, 건조 공정의 종료와 함께, 초음파 진동의 부여는 정지된다. 또, 노즐 헤드(32)에 대한 초음파 진동의 부여가, 에칭 공정의 당초부터 개시되고, 건조 공정의 종료시까지 계속되도록 해도 좋다. 요는, 린스 공정이 종료되며, 또한 건조 공정이 개시되기까지의 기간에, 진동 부여 기간이 존재하고 있으면 된다.
다음으로, 도 25는, 제15 실시형태에 관련된 기판 처리 장치(100B)의 개략 구성을 나타내는 단면도이다. 기판 처리 장치(100B)는, 가열부(70)를 구비하고 있다. 가열부(70)는, 노즐 헤드(32) 전체를 가열한다. 노즐 헤드(32)를 가열함으로써, 오목부(30)에 존재하는 액적을 증발시켜 제거한다.
또, 노즐 헤드(32)를 가열부(70)를 이용하여 가열하고, 오목부(30)에 존재하는 액적을 증발시키는 처리는, 기판(W)이 유지 부재(18)에 적재되어 있는 동안에는 행해지지 않는 것이 바람직하다. 오목부(30)에 존재하고 있는 액적이 증발하여 기판(W)의 이면(W2) 등에 부착되면, 재부착에 의한 물얼룩을 생성하게 될지도 모르기 때문이다.
가열부로서는, 예컨대, 오목부(30)의 상부로부터, 예컨대 할로겐 램프 등의 광을 조사시킴으로써 노즐 헤드(32)(오목부(30))를 가열하는 방법도 생각할 수 있다. 구체적으로는, 기판 처리 장치(100B)에 있어서의 기판(W)의 처리가 종료되어, 기판(W)이 반출된 후, 기판(W)에 의해 막히는 경우가 없는 상부(오목부(30)에 대향하는) 위치로부터 오목부(30)를 가열함으로써, 액적을 증발시킨다.
또, 가열부로서는, 오목부(30)의 상부로부터 광을 조사시킴으로써 노즐 헤드(32)를 가열하는 외에, 전열 히터를 이용하는 등, 노즐 헤드(32)를 가열하여 액적을 증발시킬 수 있으면 수단을 불문하고, 또한, 가열부(70)의 설치 위치에 관해서도 한정되지 않는다.
다음으로, 도 26은, 제16 실시형태에 관련된 기판 처리 장치(100C)의 개략 구성을 나타내는 단면도이다. 도 26에 나타내는 기판 처리 장치(100C)는, 흡인부(80)를 구비하고 있다. 흡인부(80)는, 오목부(30)의 바닥부에 형성되는 배액 구멍(30a)에 접속되고, 배액 구멍(30a)에 배액되는 액적을 흡인한다.
흡인부(80)는, 액적을 오목부(30) 밖으로 강제적으로 배액하는 장치이고, 배액관(37)을 통해 배액 구멍(30a)에 접속되어 있다. 흡인부(80)는, 제어부(8)에도 접속되고, 제어부(8)로부터의 제어 신호에 기초하여 구동된다. 흡인부(80)의 구동에는, 예컨대, 공기나 질소와 같은 기체를 이용하고, 유량계 및 에어 오퍼레이션 밸브를 구비하여 유량 관리를 행하도록 해도 좋다.
이 실시형태에 의하면, 배액 구멍(30a)에 흡인력을 부여함으로써, 오목부(30)에 체류한 액적이나, 오목부에 부착되려고 하는 액적을 오목부 밖으로 강제적으로 배액할 수 있기 때문에, 오목부(30)의 표면에 체류한 액적에 의한 건조 불량을 방지할 수 있다.
도 27은, 제17 실시형태에 관련된 제거부(D5)의 구성을 기판(W)측으로부터 본 상태를 나타내는 확대 평면도이다. 또, 기판 처리 장치(100)의 기본적인 구성은 지금까지 설명한 것과 동일하다.
도 27에 있어서 특징적인 것은, 사면(30b)의 상단인 내연(32b)과 배액 구멍(30a)을 최단 거리로 연결하도록, 사면(30b)을 따라 제거부인 홈(D5a)이 형성되어 있는 것이다. 사면(30b)을 따라 홈(D5a)이 형성되어 있음으로써, 사면(30b)에 머물려고 하는 액적은, 홈(D5a)을 타고 자연스럽게 배액 구멍(30a)으로 유도되게 된다.
홈(D5a)은, 도 27에서는 내연(32b)의 주위에 있어서 등간격이 되도록 16개 형성되어 있다. 다만, 홈(D5a)의 수는, 지나치게 적으면 사면(30b)에 머물려고 하는 액적을 적절히 배액 구멍(30a)으로 유도하는 것이 곤란한 한편, 홈(D5a)의 수가 지나치게 많고 홈의 폭이 지나치게 작아져도 적절히 액적을 흘릴 수 없다고 생각된다. 따라서, 홈의 크기, 깊이 등을 고려하여, 사면(30b)에 몇개의 홈(D5a)을 형성할지에 관해서는 적절히 설정된다.
또, 사면(30b)의 상단인 내연(32b)과 배액 구멍(30a)을 최단 거리로 연결하여 홈(D5a)이 형성되는 경우, 홈(D5a)의 도중에 기체 토출 노즐(33), 순수 토출 노즐(34), 제1 약액 토출 노즐(40), 제2 약액 토출 노즐(41)이 존재하는 경우가 있다. 이러한 홈(D5a)에 관해서는, 도 27에 나타내는 바와 같이, 내연(32b)과 기체 토출 노즐(33) 등의 각 노즐을 연결하는 영역에 있어서는, 홈(D5a)이 형성되지 않도록 하면 바람직하다. 이것은, 홈(D5a)을 타고 흐르는 액적이, 기체 토출 노즐(33) 등의 각 노즐에 침입하는 것을 막기 위해서이다.
홈(D5a)은, 사면(30b)의 표면과의 경계가, 각을 구성하지 않고, 완만한 곡면을 그려 연속하도록 구성되어 있는 것이 바람직하다. 즉, 이 부분이 각을 수반하여 형성되면, 액적의 표면 장력에 의해 사면(30b)에 부착되는 힘이 강해져, 홈(D5a)에 침입하기 어렵고, 홈(D5a)을 타고 배액 구멍(30a)으로 액적을 유도하는 것이 곤란해질 가능성이 있다. 또한, 홈(D5a) 자체도 마찬가지로 곡면으로 구성되어 있으면 바람직하다.
도 28은, 제18 실시형태에 관련된 제거부(D6)의 구성을 기판(W)측으로부터 본 상태를 나타내는 확대 평면도이다.
제거부(D6)를 구성하는 홈(D6a)은, 오목부(30)의 상부인 내연(32b)으로부터 배액 구멍(30a)을 향하여, 사면(30b)에 나선형(도 28에 있어서의 평면에서 보아 소용돌이형)으로 형성되어 있다. 또한, 홈(D6a)은, 사면(30b)에 설치되어 있는 각 노즐을 피하도록 하여 형성되어 있다. 다만, 홈(D6a)의 크기, 깊이에 관해서는, 임의로 설정 가능하다.
또한, 홈(D6a)의 형상에 관해서도, 홈(D5a)과 마찬가지로, 사면(30b)과 홈(D6a)의 경계, 및, 홈(D6a) 자체는 모두 곡면을 가지고 형성되어 있는 것이 바람직하다. 이러한 홈(D6a)을 사면(30b)의 표면에 나선형(도 28에 있어서의 평면에서 보아 소용돌이형)으로 형성함으로써, 사면(30b)에 머물려고 하는 액적은, 가장 가까이의 홈(D6a)에 떨어져 흐름으로써, 배액 구멍(30a)으로 유도된다.
홈(D6a)의 나선의 방향은, 도 28에 나타내는 바와 같이, 내연(32b)으로부터 배액 구멍(30a)을 향하여, 반시계 방향으로 형성된다. 이것은, 노즐 헤드(32)의 상방에 적재되는 기판(W)에 대하여 각종 처리가 이루어질 때에 있어서의, 상기 기판(W)의 회전 방향과 동일한 방향이다. 기판(W)의 회전 방향과 동일한 방향으로 홈(D6a)의 나선의 방향을 형성함으로써, 기판(W)의 반시계 방향의 회전에 따라 발생하는 기류를 이용하여 오목부(30)에 존재하는 액적을 이동시킬 수 있기 때문이다.
다음으로, 제19 실시형태로서, 노즐 헤드(32)의 사면(30b)의 표면을 거칠게 형성하는 구성도 채용할 수 있다. 즉, 사면(30b)의 형성에 있어, 표면 거칠기(Ra)를 소정의 값으로 설정하고, 원하는 표면 거칠기를 가진 사면(30b)으로서 형성할 수 있다.
예컨대, 액적이 표면 장력에 의해, 뭉쳐서 사면(30b)에 존재하면, 예컨대, 기체 토출 노즐(33)로부터 기체를 토출했을 때에, 특히 노즐 헤드(32)가 소수성의 재질로 형성되어 있는 경우에는, 그 기체에 의해 액적이 오목부(30) 내에 있어서 튀거나 날리는 것과 같은 현상이 생기고, 튄 액적이 예컨대 기판(W)의 이면(W2)에 부착되거나 하여 재부착에 의한 물얼룩의 발생으로 이어져 버린다.
그래서, 사면(30b)에 존재하는 액적을 가능한 한 표면 장력에 의해 뭉치는 경우가 없도록 사면(30b)의 표면이 거칠게 형성됨으로써, 사면(30b)에 존재하는 액적이 표면 장력에 의해 뭉치지 않고, 수시로, 배액 구멍(30a)으로 흘리는 것이 가능해진다.
또, 표면 거칠기(Ra)의 설정에 관해서는, 노즐 헤드(32)의 재질에 맞춰 임의로 설정할 수 있다. 예컨대, 노즐 헤드(32)가 친수성의 재질로 형성되어 있는 경우를 상정한다. 이 경우, 친수성의 표면을 거칠게 하면, 액적의 접촉각이 작아지기 때문에, 액적의 노즐 헤드(32)에 대한 친수성이 증가하게 된다. 친수성이 증가하면, 액적이 사면(30b)에 부착되면 액적은 사면(30b)에 달라붙기 쉬워진다. 따라서, 액적의 비산을 방지하는 것이 가능해진다.
한편, 노즐 헤드(32)가 소수성의 재질로 형성되어 있는 경우에는, 사면(30b)의 표면을 거칠게 형성하면, 액적의 사면(30b)에 대한 접촉각이 커지기 때문에, 보다 액적이 사면(30b)을 흐르기 쉬워진다. 다만, 전술한 바와 같이 액적이 비산할 가능성도 높아지기 때문에, 이 점을 고려한 표면 거칠기(Ra)의 설정을 행할 필요가 있다. 또, 예컨대, 기판(W)의 이면(W2)의 약액 처리와 동시에, 액 튐이 생기지 않는 정도로 사면(30b)을 향하여 기체를 분사함으로써, 액적의 비산을 억제하면서 원활하게 배액 구멍(30a)을 향하여 액적을 흘리는 것이 가능해진다.
이와 같이 표면 장력에 의해 액적이 뭉침으로써, 사면(30b) 상의 액적이 비산하여 기판의 이면(W2)에 부착되는 것을 회피하도록, 전술한 바와 같이, 사면(30b)의 표면을 거칠게 하는 방법을 채용할 수 있다. 그리고, 동시에 제15 실시형태에 있어서 설명한 가열부(70)를 이용할 수도 있다.
즉, 가열부(70)를 이용하여 노즐 헤드(32) 전체를 가열하여, 사면(30b)의 표면 온도를 올려 둠으로써, 표면 장력에 의해 액적이 뭉치는 것을 방지하는 것도 생각할 수 있다. 가열부(70)에 의해 노즐 헤드(32)를 가열해 둠으로써, 혹은, 계속해서 가열함으로써, 사면(30b)의 표면을 높은 온도로 유지하여, 액적 자체를 증발시킴으로써, 기판(W)의 이면(W2)에 액적이 비산하는 것을 방지하면서, 액적이 뭉치는 것을 방지하여 배액 구멍(30a)에 흐르도록 한다. 이러한 구성을 채용해도 오목부(30)에 존재하는 액적을 제거할 수 있다.
제20 실시형태로서, 노즐 헤드(32)를 다공질의 재질로 형성하고, 사면(30b)에 존재하는 액적을 사면(30b)의 내부, 즉, 노즐 헤드(32) 내에 받아들이는 방법도 채용할 수 있다. 이렇게 함으로써, 오목부(30)에 존재하는 액적을 배액 구멍(30a)으로 흘리는 것만으로는 대응할 수 없는 경우여도, 사면(30b)의 표면으로부터 액적을 흡수해 버리기 때문에, 결과적으로 오목부(30)로부터 액적을 제거하는 것이 가능해진다.
또한, 노즐 헤드(32) 전체를 다공질의 재질로 형성하는 것은 아니고, 예컨대, 다공질의 성질을 갖는 재료를 사면(30b)에 도포하고, 도포된 재료 중에 사면(30b)에 존재하는 액적을 받아들인다고 하는 실시형태도 생각할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 노즐 헤드의 오목부에 존재하는 액적을 확실하게 제거, 혹은 오목부에 액적이 머물지 않도록 함으로써, 기판 처리 공정에 있어서의 재부착에 의한 물얼룩의 발생을 억제할 수 있는 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.
또, 본 발명의 실시에 있어서는, 상기한 실시형태를 적절하게 선택하고, 조합하여 이용하는 것도 가능하다.
예컨대, 오목부에 존재하는 액적을, 기체를 이용한 제거와, 액체를 흘리는 것에 의한 제거를 조합함으로써 제거하도록 해도 좋다. 구체예로는, 처음에 순수 등의 액체의 제거재를 이용하여 오목부(30)에 존재하는 액적을 씻어 내리고, 그 후, 기체의 제거재를 오목부(30)에 분사함으로써, 잔류한 액적이나 제거재를 배액 구멍(30a)까지 유도한다는 양태이다. 나아가서는, 흡인부(80)를 조합함으로써 액적을 오목부(30)로부터 흡출함과 동시에, 사면(30b)에 홈(D5a)이나 홈(D6a)을 형성함으로써 사면에 액적이 남지 않는 것과 같은 구성을 조합함으로써 보다 확실하게 액적을 제거하도록 해도 좋다.
또한, 전술한 각 실시형태에 있어서, 린스 공정(처리)이 종료되며, 또한 건조 공정(처리)이 개시되기까지의 기간에, 제거부(D)로부터 제거재가 토출되고 있는 기간이나, 제16 실시형태에 있어서는, 배액 구멍(30a)에 흡인력이 부여되는 기간이 존재하고 있는 것이 바람직하다. 예컨대, 제거재의 토출 개시 타이밍이나 흡인력의 부여 개시 타이밍을, 린스 공정이 종료되며, 또한 건조 공정이 개시되기까지의 사이로 해도 좋고, 린스 공정이 종료되기 전단계, 예컨대, 린스 공정 중이나, 에칭 공정의 당초의 단계에 설정해도 좋다. 또한, 토출이나 흡인의 종료 타이밍에 관해서도, 건조 공정이 개시되기 전이어도 좋고, 건조 공정 중에도 토출, 혹은 흡인을 계속하고, 건조 공정의 도중 혹은, 건조 공정의 종료와 함께, 혹은, 건조 공정이 종료된 후에 정지시키도록 해도 좋다.
또한, 제1 실시형태에 있어서는, 린스 공정이 종료되며, 또한 건조 공정이 개시되기까지의 사이에서, 제1 노즐(D1)의 일단부나 구멍(D1a)으로부터, 즉, 기체 토출 노즐(33)로부터, 제1 유량(기체 토출 노즐(33)로부터 토출하는 기체가 기판(W)의 이면(W2)까지는 닿지 않는 정도의 유량(유속))으로 기체의 토출을 개시함으로써, 건조 공정이 개시되기 전단계에서 양노즐 내에 침입한 약액 등의 처리액을 제거하도록 하고, 건조 공정 중에 약액 등이 기판에 부착된다는 문제점을 방지하도록 했다.
그러나, 이 토출은, 린스 공정이 종료되기 전단계부터 개시하도록 해도 좋다. 예컨대, 기체의 토출을 린스 공정 중부터 개시해도 좋고, 에칭 공정의 당초의 단계부터 개시해도 좋다. 요는, 린스 공정(처리)이 종료되며, 또한 건조 공정(처리)이 개시되기까지의 기간에, 기체 토출 노즐(33)로부터 기체를 제1 유량으로 토출하는 기간이 존재하고 있는 것이 바람직하다. 기체의 토출을 에칭 공정의 당초의 단계부터 개시하면, 약액 등이 기체 토출 노즐 내에 침입하는 것 자체를 막을 수 있기 때문에, 린스 공정이 종료된 후, 대기 시간 없이 건조 공정으로 이행하는 것이 가능해지고, 더구나 건조 공정 중에 약액 등이 기판에 부착된다는 문제점을 방지할 수도 있다.
또한, 제거부(D)로부터 토출되는 제거재가 액체인 경우, 기체 토출 노즐 내에 제거재가 침입하거나, 기체 토출 노즐 내에 침입한 제거재를 그 노즐 내로부터 제거하기 위해, 제거부(D)로부터 제거재가 토출되고 있는 도중, 혹은 토출이 종료된 이후에, 기체 토출 노즐(33)로부터 기체를 제1 유량으로 토출시키도록 하는 것이 바람직하다.
또, 이들 실시양태를 다른 실시형태에 있어서도 병용하는 것은 유용하다.
또한 기판의 처리 내용으로서, 에칭 공정, 약액 세정 공정, 린스 공정, 건조 공정의 일련의 처리를 행하는 예로 설명했지만, 본 발명은, 처리액을 이용한 처리가 포함되는 것이면 적용은 가능하다.
본 발명의 실시형태를 설명했지만, 이 실시형태는, 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것을 의도하지 않는다. 이 실시형태는, 그 밖의 여러가지 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서, 여러가지 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이 실시형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함됨과 동시에, 특허 청구의 범위에 기재된 발명과 그 균등한 범위에 포함된다.
산업상 이용 가능성
본 발명은, 기판 처리 장치에 있어서 이용된다.
100: 기판 처리 장치, 30: 오목부, 30a: 배액 구멍, 30b: 사면, 32: 노즐 헤드, 33: 기체 토출 노즐, 34: 순수 토출 노즐, D1: 제거부(제1 노즐), D1a: 구멍

Claims (5)

  1. 기판의 피처리면에 대향하고, 상기 피처리면을 향하여 개구된 오목부를 구비하는 노즐 헤드와, 상기 노즐 헤드에 설치되고, 상기 피처리면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐, 상기 피처리면을 향하여 기체를 토출하는 기체 토출 노즐을 갖고, 상기 피처리면에 대하여, 상기 처리액에 의한 처리와, 상기 기체를 이용한 건조 처리를 행하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 오목부에 존재하는 액적을 제거하는 제거부와,
    상기 노즐 헤드의 상기 오목부의 바닥부에 형성되고, 제거 대상이 되는 상기 액적을 상기 오목부의 밖으로 배출하는 배액부
    를 포함하고,
    상기 제거부는, 상기 노즐 헤드의 표면으로부터 돌출시켜 형성되는 제1 노즐을 포함하고,
    상기 제1 노즐은 상기 오목부의 주위 방향을 향해서 상기 기체를 토출시키는 것이 가능한 구멍을 구비하고,
    상기 구멍으로부터 토출되는 상기 기체에 의해, 상기 오목부에 존재하는 상기 액적을 상기 배액부로 유도하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  2. 기판의 피처리면에 대향하고, 상기 피처리면을 향하여 개구된 오목부를 구비하는 노즐 헤드와, 상기 노즐 헤드에 설치되고, 상기 피처리면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐, 상기 피처리면을 향하여 기체를 토출하는 기체 토출 노즐을 갖고, 상기 피처리면에 대하여, 상기 처리액에 의한 처리와, 상기 기체를 이용한 건조 처리를 행하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 오목부에 존재하는 액적을 제거하는 제거부와,
    상기 노즐 헤드의 상기 오목부의 바닥부에 형성되고, 제거 대상이 되는 상기 액적을 상기 오목부의 밖으로 배출하는 배액부와,
    상기 노즐 헤드와 상기 기판 사이에 배치되고, 상기 처리액 공급 노즐로부터 토출되는 처리액을 통과시키는 개구를 구비하는 커버
    를 포함하고,
    상기 제거부는, 상기 노즐 헤드에 형성되고, 상기 커버를 향한 기체의 토출구를 구비하는 제2 노즐, 및 상기 커버의 상기 개구에 형성되는 되돌림부를 포함하고,
    상기 제2 노즐은, 토출된 상기 기체를 상기 오목부로 유도하도록, 상기 되돌림부를 향하여 상기 기체를 토출하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  3. 기판의 피처리면에 대향하고, 상기 피처리면을 향하여 개구된 오목부를 구비하는 노즐 헤드와, 상기 노즐 헤드에 설치되고, 상기 피처리면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐, 상기 피처리면을 향하여 기체를 토출하는 기체 토출 노즐을 갖고, 상기 피처리면에 대하여, 상기 처리액에 의한 처리와, 상기 기체를 이용한 건조 처리를 행하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 오목부에 존재하는 액적을 제거하는 제거부와,
    상기 노즐 헤드의 상기 오목부의 바닥부에 형성되고, 제거 대상이 되는 상기 액적을 상기 오목부의 밖으로 배출하는 배액부
    를 포함하고,
    상기 제거부는, 상기 오목부의 표면에 환형으로 배치되고, 상기 오목부에 존재하는 액적을 제거하도록 상기 배액부를 향해서 제거재를 토출하는 토출구를 구비하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  4. 기판의 피처리면에 대향하고, 상기 피처리면을 향하여 개구된 오목부를 구비하는 노즐 헤드와, 상기 노즐 헤드에 설치되고, 상기 피처리면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 노즐, 상기 피처리면을 향하여 기체를 토출하는 기체 토출 노즐을 갖고, 상기 피처리면에 대하여, 상기 처리액에 의한 처리와, 상기 기체를 이용한 건조 처리를 행하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 오목부에 존재하는 액적을 제거하는 제거부와,
    상기 노즐 헤드의 상기 오목부의 바닥부에 형성되고, 제거 대상이 되는 상기 액적을 상기 오목부의 밖으로 배출하는 배액부
    를 포함하고,
    상기 제거부는, 상기 오목부의 상부 표면에 배치되고, 상기 오목부에 존재하는 액적을 제거하도록 상기 배액부를 향해서 제거재를 토출하는 토출구를 구비하고,
    상기 토출구는, 그 배치 장소와 상기 배액부 사이를 최단으로 연결하는 선에 대하여 직교하며, 또한 상기 오목부 표면을 따라 상기 제거재를 토출시키는 것이 가능한 방향으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 제1 노즐은, 상기 기체 토출 노즐을 겸용하는 것인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
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