CN112514032A - 基板处理装置、处理液以及基板处理方法 - Google Patents

基板处理装置、处理液以及基板处理方法 Download PDF

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Abstract

基板处理装置(1)具备基板保持部(2)、处理液供给部、加热部(5)以及液体去除部。基板保持部(2)将基板(9)保持为水平状态。处理液供给部将表面张力比IPA高的处理液供给至基板(9)的上表面(91)，由此形成覆盖基板(9)的上表面(91)的整面的处理液的液膜。加热部(5)从下表面(92)的侧加热基板(9)并使液膜的一部分气化，由此在基板(9)的上表面(91)与液膜之间形成气相层。液体去除部去除气相层上的液膜。由此，能抑制液膜非预期性的破损。

Description

基板处理装置、处理液以及基板处理方法
技术领域
本发明涉及一种用以处理基板的基板处理装置、在该基板处理装置中使用的处理液以及用以处理基板的基板处理方法。
背景技术
以往，在半导体基板(以下简称为“基板”)的制造工序中对基板施予各种处理。例如，从喷嘴对在表面上形成有抗蚀剂(resist)的图案(pattern)(亦即多个细微的构造体)的基板上喷出药液，由此对基板的表面进行蚀刻等药液处理。
此外，在对基板进行药液处理后，进一步进行冲洗(rinse)处理以及干燥处理，冲洗处理是对基板供给纯水并去除药液的处理，干燥处理是高速地旋转基板并去除基板上的液体的处理。在基板上形成有细微的图案的情形中，当依次进行冲洗处理以及干燥处理时，在干燥途中在邻接的两个图案要素之间形成有纯水的液面。在此情形中，有因为作用于图案要素的纯水的表面张力导致图案要素倒塌的担心。
因此，在日本特开2014-112652号公报(文献1)、日本特开2016-136599号公报(文献2)以及日本特开2016-162847号公报(文献3)的基板处理装置中，在执行冲洗处理后，对基板的上表面供给IPA(isopropyl alcohol；异丙醇)液体并与冲洗液置换，在基板上形成IPA的液膜。接着，加热基板并在IPA的液膜与基板上表面之间形成IPA的蒸气膜，由此使IPA的液膜从基板上表面浮起，之后，从基板上去除该液膜。从基板上去除液膜时，从喷嘴对液膜的中心部喷吹氮气并局部性地去除液膜，由此形成小径的干燥区域；并且，一边使基板旋转一边进一步地对中心部喷吹氮气，由此使该干燥区域扩大并扩展至基板上表面的整体。由此，一边抑制图案要素的倒塌一边使基板的上表面干燥。
此外，在文献3的基板处理装置中，从基板上去除液膜时，在液膜的中心部形成干燥区域后，从设置于喷嘴的外周面的周状的狭缝(slit)开口喷出非活性气体。由此，形成有从喷嘴朝向斜下方的放射状的气流，并通过该气流促进干燥区域的扩大。
然而，在基板处理装置中，会有在形成以及加热IPA的液膜时(亦即开始去除IPA的液膜前)液膜非预期性的破损的担心。具体而言，会有IPA从基板的周缘或者卡盘销(chuckpin)与液膜之间的接触部流下的情形。或者，会有因在IPA的液膜下产生的IPA的蒸气而在液膜产生龟裂的情形。如此，会有加热IPA的液膜的时间减少的可能性。从通过蒸气膜使IPA的液膜从基板上表面充分地浮起并去除的观点而言，较佳为确保IPA的液膜的加热时间在某种程度以上。
发明内容
本发明着眼于用以处理基板的基板处理装置，目的在于抑制液膜非预期性的破损。
本发明的一个较佳方式的基板处理装置具备：基板保持部，将基板保持为水平状态；处理液供给部，将表面张力比异丙醇高的处理液供给至所述基板的上表面，由此形成覆盖所述基板的所述上表面的整面的所述处理液的液膜；加热部，从下表面侧加热所述基板并使所述液膜的一部分气化，由此在所述基板的所述上表面与所述液膜之间形成气相层；以及液体去除部，去除所述气相层上的所述液膜。依据该基板处理装置，能抑制液膜非预期性的破损。
较佳为，所述处理液的蒸气压比异丙醇的蒸气压高。
较佳为，所述处理液包括顺-1,2-二氯乙烯(cis-1,2-dichloroethylene)、三氯甲烷(trichloromethane)、乙酸甲酯(methyl acetate)、1,3-二氧戊烷(1,3-dioxolane)、四氢呋喃(tetrahydrofuran)、1,1,1-三氯乙烷(1,1,1-trichloroethane)、四氯甲烷(tetrachloromethane)、苯(benzene)、环己烷(cyclohexane)、乙腈(acetonitrile)、三氯乙烯(trichloroethylene)、四氢哌喃(tetrahydropyran)、硝酸、1,2-二氯乙烷(1,2-dichloroethane)、1,2-二氯丙烷(1,2-dichloropropane)、氟三硝基甲烷(fluorotrinitromethane)、吡咯啶(pyrrolidine)、丙烯腈(acrylonitrile)、环己烯(cyclohexene)中的至少一者。
较佳为，所述加热部对所述基板的加热在通过从所述处理液供给部供给的所述处理液覆盖所述基板的所述上表面的整面后开始。
较佳为，在通过异丙醇覆盖所述基板的所述上表面的整面的状态下，从所述处理液供给部对所述基板的所述上表面供给所述处理液，并通过所述处理液置换所述基板的所述上表面上的异丙醇，由此形成所述处理液的所述液膜。
较佳为，所述处理液是将表面张力比异丙醇高且蒸气压比所述异丙醇低的物质混合至异丙醇而成的混合液。
较佳为，所述液体去除部具备：气体喷出部，朝所述液膜的中央部喷出气体；通过来自所述气体喷出部的气体形成从所述液膜的所述中央部朝向周围的放射状的气流，使处理液从所述液膜的所述中央部朝所述基板的外缘移动并从所述基板上去除。
较佳为，所述气体喷出部具备：第一喷出口，朝所述液膜的所述中央部喷出气体；以及多个第二喷出口，周状地配置于所述第一喷出口的周围，向从所述液膜的所述中央部朝向周围的方向放射状地喷出气体。
较佳为，所述基板处理装置进一步具备：腔室(chamber)，将所述基板保持部收容于内部空间；以及气流形成部，从所述腔室的上部对所述内部空间送出气体，并在所述基板的周围形成从所述基板的上侧朝向下侧的下降气流。所述下降气流在从所述基板上去除所述处理液时促进所述基板的所述上表面的周缘部中的所述处理液朝所述外缘移动。
较佳为，所述基板处理装置进一步具备：旋转机构，旋转所述基板保持部；杯(cup)，隔着间隙配置于所述基板保持部的周围，用以接住从旋转中的所述基板飞散的液体；以及杯移动机构，将所述杯相对于所述基板保持部相对性地移动。从所述基板上去除所述处理液时，通过所述杯移动机构使所述杯相对性地移动，缩小所述基板保持部与所述杯之间的间隙。
较佳为，在所述加热部开始加热所述基板时，所述气流形成部停止形成所述下降气流。
较佳为，在所述加热部开始加热所述基板之前，所述处理液供给部停止供给所述处理液，同时，所述气流形成部停止形成所述下降气流。
较佳为，在所述基板的所述周缘部的温度变成预定温度以上后，所述气流形成部再次开始形成所述下降气流。
本发明亦着眼于一种在基板的处理中使用的处理液。本发明的一个较佳方式的处理液，表面张力比异丙醇高，且在所述基板处理装置中被供给至所述基板的所述上表面。
本发明亦着眼于一种用以处理基板的基板处理方法。本发明的一个较佳干什么蝴蝶结哦的基板处理方法具备：工序(a)，将基板保持为水平状态；工序(b)，将表面张力比异丙醇高的处理液供给至所述基板的上表面，由此形成覆盖所述基板的所述上表面的整面的所述处理液的液膜；工序(c)，从下表面侧加热所述基板并使所述液膜的一部分气化，由此在所述基板的所述上表面与所述液膜之间形成气相层；以及工序(d)，去除所述气相层上的所述液膜。依据该基板处理方法，能抑制液膜非预期性的破损。
本发明的目的以及其他的目的、特征、方式以及优点参照附图并通过以下所进行的本发明的详细的说明而明了。
附图说明
图1是实施方式之一的基板处理装置的侧视图。
图2是表示液体供给部以及气体供给部的框图。
图3是将第一喷嘴放大表示的侧视图。
图4是表示基板的处理的流程的图。
图5是表示处理途中的基板以及基板处理装置的一部分的图。
图6是表示处理途中的基板以及基板处理装置的一部分的图。
图7是将基板的上表面附近放大表示的纵剖视图。
图8是将基板的上表面附近放大表示的纵剖视图。
图9是基板的处理的流程的图。
图10是表示处理途中的基板以及基板处理装置的一部分的图。
图11是表示处理途中的基板以及基板处理装置的一部分的图。
图12是表示处理途中的基板以及基板处理装置的一部分的图。
具体实施方式
图1是表示本发明的实施方式之一的基板处理装置1的构成的侧视图。基板处理装置1是用以逐片地处理半导体基板9(以下简称为“基板9”)的单张式的装置。基板处理装置1对上表面91形成有细微的图案(pattern)的基板9供给药液并进行液体处理。在图1中以剖面表示基板处理装置1的构成的一部分。
基板处理装置1具备基板保持部2、旋转机构3、杯部4、加热部5、液体供给部6、气体供给部7以及腔室(chamber)11。基板保持部2、旋转机构3、杯部4、加热部5、液体供给部6的一部分以及气体供给部7的一部分收容于腔室11的内部空间。
基板保持部2是机械卡盘(mechanical chuck)，用以直接地接触至基板9的周缘部并固定基板9的位置。基板9以水平状态被基板保持部2保持。旋转机构3将朝向上下方向的中心轴J1作为中心旋转基板9以及基板保持部2。旋转机构3例如为电动马达。基板保持部2以及旋转机构3构成用以保持基板9并使基板9旋转的旋转卡盘(spin chuck)。
基板保持部2具备基座部21、保持轴部22以及多个卡盘销(chuck pin)23。基座部21是将中心轴J1作为中心的大致圆板状的部位。保持轴部22是从基座部21的中央部朝下方延伸的大致圆筒状的部位。保持轴部22收容于大致有盖圆筒状的罩(cover)部24的内部，罩部24设置于基座部21的下方。在罩部24的内部亦收容有用以旋转保持轴部22的旋转机构3。罩部24的直径例如与基座部21的直径略相同。
多个卡盘销23从基座部21的上表面朝上方突出。多个卡盘销23以大致等角度间隔地配置于将中心轴J1作为中心的周向(以下亦简称为“周向”)中。多个卡盘销23的数量例如为三个或者四个。基板9通过多个卡盘销23支撑周缘部，由此在基座部21的上方配置于从基座部21的上表面离开的位置。
杯部4具备杯41以及杯移动机构42。杯41隔着间隙配置于基板9以及基板保持部2的周围。杯41接住从旋转中的基板9飞散的药液、冲洗液以及处理液等液体。杯41具备杯侧壁部43以及杯顶盖部44。杯侧壁部43是将中心轴J1作为中心的大致圆筒状的部位。杯顶盖部44是将中心轴J1作为中心的大致圆环状的部位。杯顶盖部44从杯侧壁部43的上端部朝径向内侧延伸。在图1所示的例子中，杯顶盖部44的内侧面是越朝向径向内侧则越朝向上方的倾斜面。从旋转中的基板9的周缘部朝径向外侧飞散的液体例如在碰撞至杯41的内侧面后朝杯41的底部落下，经由设置于该底部的排出口(discharge port)45朝腔室11的外部排出。
杯移动机构42将杯41相对于基板保持部2移动。在图1所示的例子中，杯移动机构42是用以将杯41在上下方向移动的升降机构。杯移动机构42例如具备：汽缸(aircylinder)，朝向上下方向；以及连接构件，连接汽缸的可动部与杯41。此外，杯移动机构42未必是移动杯41的机构，亦可为用以将基板保持部2在上下方向移动的机构。
加热部5具备加热板51、加热轴部52以及板升降机构53。加热板51是将中心轴J1作为中心的大致圆板状的部位。加热板51位于基板保持部2的基座部21与基板9之间，并在上下方向与基板9的下表面92对向。加热板51的上表面与基板9的下表面92大致平行。加热板51的上表面的直径比基板9的直径稍小。例如，在基板9的直径为300mm的情形中，加热板51的上表面的直径为294mm。在加热板51的内部设置有未图示的加热器。
加热轴部52是大致圆筒状的部位，且连接于加热板51的中央部。加热轴部52从加热板51通过保持轴部22的内部朝下方延伸。在加热轴部52连接有板升降机构53。板升降机构53例如为电动马达。通过板升降机构53使加热轴部52升降，由此加热板51在基座部21与基板9之间在上下方向移动。具体而言，加热板51在图1中以实线所示的位置(以下称为“待机位置”)与图1中以双点划线所示的位置(以下称为“加热位置”)之间在上下方向移动。
位于加热位置的加热板51的上表面直接地接触至基板9的下表面92。或者，位于加热位置的加热板51的上表面与基板9的下表面92的间隔着极小的间隙(例如高度约0.1mm的间隙)并从基板9的下表面92朝下方离开。在位于加热位置的加热板51中，对内置的加热器供给电力，由此大致均等地加热加热板51的上表面的大致整面，且亦大致均等地加热基板9的大致整面。上面所说明的待机位置是比加热位置靠下侧的位置。由于位于待机位置的加热板51从基板9的下表面92较大幅度地离开至下方，因此不会加热基板9。此外，加热板51以及加热轴部52不会旋转。
图2是表示基板处理装置1的液体供给部6以及气体供给部7的框图。在图2中也一并表示液体供给部6以及气体供给部7以外的构成。液体供给部6对基板9分别单独地供给多种的液体。该多种的液体例如包括药液、冲洗液以及处理液。如图1以及图2所示，液体供给部6具备第一喷嘴61、第二喷嘴62以及第三喷嘴63。第一喷嘴61、第二喷嘴62以及第三喷嘴63分别从基板9的上方朝基板9的上表面91供给液体。气体供给部7具备气流形成部71。上面所说明的第一喷嘴61亦包含于气体供给部7。
在图1所示的例子中，第一喷嘴61可在基板9的上方(例如基板9的中心的上方)的处理位置与比基板9的外缘靠径向外侧的退避位置之间移动。第一喷嘴61的移动通过第一喷嘴移动机构610而进行。第一喷嘴移动机构610例如具备：臂部，支撑第一喷嘴61；以及电动马达，使从第一喷嘴61朝侧方延伸的臂部转动以及升降。
与第一喷嘴61同样地，第二喷嘴62亦可在基板9的上方(例如基板9的中心的上方)的处理位置与比基板9的外缘靠径向外侧的退避位置之间移动。第二喷嘴62的移动通过第二喷嘴移动机构620而进行。第二喷嘴移动机构620例如具备：臂部，支撑第二喷嘴62；以及电动马达，使从第二喷嘴62朝侧方延伸的臂部转动以及升降。
第三喷嘴63将液体的喷出口朝向基板9的上表面91的中心并固定于基板9的上方。此外，与第一喷嘴61以及第二喷嘴62同样地，第三喷嘴63亦可在处理位置与退避位置之间移动。
图3是将第一喷嘴61放大表示的侧视图。第一喷嘴61具备喷嘴本体611、处理液流路612、第一气体流路613以及第二气体流路614。喷嘴本体611是大致圆柱状的构件。处理液流路612、第一气体流路613以及第二气体流路614形成于喷嘴本体611的内部。
处理液流路612的喷出口615设置于喷嘴本体611的下端面的中央部。第一气体流路613的第一喷出口616亦设置于喷嘴本体611的下端面的中央部。在第一喷嘴61位于处理位置的状态下，处理液流路612的喷出口615以及第一气体流路613的第一喷出口616在上下方向与基板9的上表面91的中央部对向。
第二气体流路614连接于小的多个第二喷出口617，多个第二喷出口617周状地配置于第一喷出口616的周围。在图3所示的例子中，多个第二喷出口617在第一喷嘴61的外侧面中以大致等角度间隔地周状地排列于上下方向中的大致相同的位置。多个第二喷出口617的形状以及大小大致相同。侧面观看时各个第二喷出口617的形状例如为大致圆形。各个第二喷出口617的直径例如比第一喷出口616的直径小，约1mm。
第一喷嘴61的处理液流路612经由图2所示的配管641以及阀642连接于处理液供给源64。在第一喷嘴61位于处理位置的状态下开启阀642，由此从处理液供给源64经由配管641朝处理液流路612供给处理液并从喷出口615朝基板9的上表面91的中央部喷出。关闭阀642，由此停止从第一喷嘴61喷出处理液。第一喷嘴61是处理液供给部，用以对基板9的上表面91供给处理液。配管641以及阀642亦可包含于该处理液供给部。
从第一喷嘴61供给至基板9的处理液的表面张力比相同温度的异丙醇(分子式：C3H8O，以下称为“IPA”)的表面张力高。此外，较佳为该处理液的蒸气压比相同温度的IPA的蒸气压高。换言之，该处理液的沸点比相同压力下的IPA的沸点低。以下在说明多个液体的表面张力、蒸气压以及沸点的大小关系时，将多个液体的表面张力、蒸气压以及沸点设定成在相同温度且相同压力下。此外，IPA的常温(25℃)、常压(100kPa)下的表面张力为20.8mN/m，IPA的常温(25℃)、常压(100kPa)下的蒸气压为5.87kPa，IPA的常温(25℃)、常压(100kPa)下的沸点为82.4℃。处理液的表面张力例如比纯水低。此外，处理液的蒸气压例如比纯水高。
较佳为，该处理液包括顺-1,2-二氯乙烯(分子式：C2H2Cl2)、三氯甲烷(分子式：CHCl3)、乙酸甲酯(分子式：C3H6O2)、1,3-二氧戊烷(分子式：C3H6O2)、四氢呋喃(分子式：C4H8O)、1,1,1-三氯乙烷(分子式：C2H3Cl3)、四氯甲烷(分子式：CCl4)、苯(分子式：C6H6)、环己烷(分子式：C6H12)、乙腈(分子式：C2H3N)、三氯乙烯(分子式：C2HCl3)、四氢哌喃(分子式：C5H10O)、硝酸(分子式：HNO3)、1,2-二氯乙烷(分子式：C2H4Cl2)、1,2-二氯丙烷(分子式：C3H6Cl2)、氟三硝基甲烷(分子式：CFN3O6)、吡咯啶(分子式：C4H9N)、丙烯腈(分子式：C3H3N)、环己烯(分子式：C6H10)中的至少一者的液体。
上面所说明的液体组所含有的各个液体的表面张力以及蒸气压比IPA的表面张力以及蒸气压高。此外，该处理液亦可为上面所说明的液体组中的两个以上的液体的混合物。此外，该处理液亦可为上面所说明的液体组中的一个或者两个以上的液体被溶剂稀释的处理液。
第一气体流路613(参照图3)经由配管741以及阀742连接于气体供给源74。第二气体流路614(参照图3)经由配管743以及阀744连接于气体供给源74。在第一喷嘴61位于处理位置的状态下开启阀742，由此从气体供给源74经由配管741朝第一气体流路613供给气体，并从第一喷出口616(参照图3)朝基板9的上表面91的中央部喷出。关闭阀742，由此停止从第一喷出口616喷出气体。此外，开启阀744，由此从气体供给源74经由配管743朝第二气体流路614供给气体，并从多个第二喷出口617(参照图3)向从基板9的上表面91的中央部朝向周围的倾斜方向(亦即朝径向外侧的倾斜下方)放射状地喷出。关闭阀744，由此停止从第二喷出口617喷出气体。
如上所述，第一喷嘴61为气体喷出部，具备第一喷出口616以及多个第二喷出口617。亦可在该气体喷出部包括配管741、743以及阀742、744。在第一喷嘴61中可分别单独地控制从第一喷出口616喷出气体与停止从第一喷出口616喷出气体以及从第二喷出口617喷出气体与停止从第二喷出口617喷出气体。此外，可分别单独地控制从第一喷出口616喷出的气体的流量以及从第二喷出口617喷出的气体的流量。从气体供给源74朝第一喷嘴61送出的气体较佳为非活性气体(例如氮(N2)、氩(Ar)或者干净的干燥气体等)。在图1所示的例子中，从第一喷嘴61的第一喷出口616以及第二喷出口617喷出氮。从第一喷嘴61喷出的气体亦可为非活性气体以外的气体。
第二喷嘴62经由配管651以及阀652连接于药液供给源65。在第二喷嘴62位于处理位置的状态下开启阀652，由此从药液供给源65经由配管651朝第二喷嘴62供给处理液并朝基板9的上表面91的中央部喷出。关闭阀652，由此停止从第二喷嘴62喷出药液。药液为酸、碱等液体。该药液例如为蚀刻液或者清洗液。具体而言，使用氢氟酸、SC1(standard clean-1；第一标准冲洗液；亦即氨与过氧化氢水的混和液)、SC2(standard clean-2；第二标准冲洗液；亦即盐酸与过氧化氢水的混合液)、或者缓冲氢氟酸(buffered HF；亦即氢氟酸与氟化铵的混合液)等作为该药液。
第三喷嘴63经由配管661以及阀662连接于冲洗液供给源66。开启阀662，由此从冲洗液供给源66经由配管661朝第三喷嘴63供给冲洗液并朝基板9的上表面91的中央部喷出。关闭阀662，由此停止从第三喷嘴63喷出冲洗液。利用例如DIW(De-ionized Water；去离子水)、碳酸水、臭氧水或者氢水等作为冲洗液。在图1所示的例子中，利用DIW作为冲洗液。
如图1所示，气流形成部71具备设置于腔室11的上部(亦即比基板保持部2以及杯部4靠上侧的位置)的风扇单元72。在图1所示的例子中，风扇单元72设置于腔室11的顶盖部。风扇单元72经由图2所示的配管751以及阀752连接于与气体供给源74不同的其他的气体供给源75。开启阀752，由此从气体供给源75经由配管751朝风扇单元72供给气体并在腔室11的内部空间中朝下方送出。关闭阀752，由此停止从风扇单元72送出气体。从气体供给源75朝风扇单元72送出的气体例如为洁净气体(亦即经过过滤器过滤的空气)。该气体亦可为例如氮或者氩等非活性气体。在图1所示的例子中，从风扇单元72送出洁净气体。
从风扇单元72送出的气体通过杯41的上部开口在杯41内朝向下方，并在基板9的周围形成从基板9的上侧朝向下侧的下降气流(亦即所谓的降流(down flow))。到达至杯41的底部的气体经由排出口45朝腔室11的外部排出。排出口45例如连接于配置在腔室11的外部的吸引机构(未图示)。在基板处理装置1中，该吸引机构以及排出口45亦包含于用以形成下降气流的气流形成部71。
接着，参照图4说明基板处理装置1对基板9的处理的流程的一例。在基板处理装置1中处理基板9时，首先，搬入至腔室11内的基板9被基板保持部2以水平状态保持(步骤S11)。从风扇单元72对腔室11内送出洁净空气，由此在基板9的周围形成有上面所说明的下降气流。从风扇单元72供给洁净气体持续至后述的步骤S15中的停止供给处理液为止，以维持该下降气流。
接着，旋转机构3开始旋转基板9，基板9以预定的旋转速度旋转。此外，通过第二喷嘴移动机构620，第二喷嘴62朝处理位置移动。此外，第一喷嘴61位于退避位置。接着，开始从第二喷嘴62对旋转中的基板9供给药液。被供给至基板9的上表面91的中央部的药液通过离心力朝径向外侧移动并扩展至基板9的上表面91整体。到达至基板9的周缘部的药液从该周缘部朝径向外侧飞散，如图1所示被围绕基板9的周围的杯41接住并经由排出口45朝腔室11外排出。对基板9供给药液持续预定时间，由此结束对基板9的药液处理(步骤S12)。
当结束药液处理时，停止对基板9供给药液，第二喷嘴62从处理位置朝退避位置移动。此外，开始从第三喷嘴63对旋转中的基板9供给冲洗液。被供给至基板9的上表面91的中央部的冲洗液通过离心力朝径向外侧移动并扩展至基板9的上表面91整体。由此，冲掉基板9的上表面91上的药液并从基板9上去除。到达至基板9的周缘部的冲洗液从该周缘部朝径向外侧飞散，被围绕基板9的周围的杯41接住并经由排出口45朝腔室11外排出。对基板9供给冲洗液持续预定时间，由此结束对基板9的冲洗处理(步骤S13)。
当结束冲洗处理时，停止对基板9供给冲洗液。此外，第一喷嘴61从退避位置朝处理位置移动，开始从第一喷嘴61对旋转中的基板9供给处理液。被供给至基板9的上表面91的中央部的处理液通过离心力朝径向外侧移动并扩展至基板9的上表面91整体。由此，冲掉基板9的上表面91上的冲洗液而被处理液置换。亦即，该处理液是在基板9上与冲洗液置换的置换液。到达至基板9的周缘部的处理液从该周缘部朝径向外侧飞散，被围绕基板9的周围的杯41接住并经由排出口45朝腔室11外排出。对基板9供给处理液持续预定时间，由此结束从冲洗液置换成处理液的置换处理。
当结束置换处理时，在持续从第一喷嘴61供给处理液的状态下，旋转机构3降低基板9的旋转速度并停止旋转基板9。由此，如图5所示，形成有覆盖静止状态的基板9的上表面91的整面的较厚的处理液的液膜93(步骤S14)。换言之，成为基板9的上表面91被处理液覆液(paddle)的状态。此外，不一定需要停止旋转基板9，亦可以以在基板9上适当地维持处理液的液膜93的较低的旋转速度旋转。
接着，停止从第一喷嘴61朝基板9供给处理液(步骤S15)。此外，停止供给处理液的同时，风扇单元72停止形成洁净气体的下降气流(步骤S16)。由此，能防止基板9上的处理液的液膜93因下降气流而紊乱。此外，停止供给处理液亦可在直至接着要说明的加热板51即将开始加热基板9之前进行。由此，在基板9上适当地维持处理液的液膜93。
接着，通过加热部5的板升降机构53，预先升温的加热板51从待机位置朝加热位置上升，且加热板51开始加热基板9(步骤S17)。加热板15的加热对静止状态的基板9进行。此外，加热板51的加热亦可对以低转速旋转中的基板9进行。在此情形中，加热板51从基板9朝下方离开微小距离。如上所述，开始加热基板9时，风扇单元72停止形成下降气流。此外，如后述那样，下降气流的形成保持停止的状态直至基板9被加热至预定条件为止。
接着，通过加热板51从下表面92侧加热基板9，基板9的上表面91的温度成为比处理液的沸点更高，由此在处理液的液膜93中的与基板9的上表面91接触的部分，处理液气化。换言之，处理液的液膜93的一部分在基板9的上表面91上气化。由此，如图6所示，在基板9的上表面91与处理液的液膜93之间形成有处理液的气相层94(步骤S18)。在图6中，将气相层94的厚度描绘得比实际还厚。气相层94形成于基板9的上表面91整体。由此，处理液的液膜93从基板9的上表面91朝上方离开，并被气相层94从下方支撑。换言之，处理液的液膜93以经由气相层94浮游于基板9的上表面91上的状态被保持。此外，处理液的气相层94亦称为处理液的气相膜、蒸气膜或者蒸气层。
图7是将在步骤S14中形成有液膜93的状态下的基板9的上表面91附近放大表示的纵剖视图。图8是将在步骤S18中形成有气相层94的状态下的基板9的上表面91附近放大表示的纵剖视图。在图7所示的状态下，用以构成设置于基板9上的细微的图案的凸状的构造体911之间的空间被处理液的液膜93充满。此外，处理液的液膜93存在达至比构造体911的上端(亦即基板9的上表面91)还靠上侧。换言之，处理液的液膜93的上表面比构造体911的上端靠上侧。
如上所述，当基板9被加热板51加热至比处理液的沸点还高温(例如比该沸点还高10℃至50℃的温度)时，与基板9接触的处理液气化(亦即蒸发)并产生处理液的气体，且如图8所示形成有气相层94。气相层94充满构造体911之间的空间，并进一步扩展至比构造体911的上端还靠上侧。在图8所示的状态中，处理液的气相层94与液膜93之间的界面95(亦即气相层94的上表面)比构造体911的上端还靠上侧。因此，处理液的液膜93(亦即液状的处理液)从构造体911朝上方离开而未与构造体911接触。
在基板处理装置1中，风扇单元72停止形成下降气流，直至基板9的周缘部的温度变成预定温度(例如比处理液的沸点还高10℃至50℃的温度)以上为止。并且，从开始加热基板9经过预定时间，由此在基板9的周缘部的温度变成该预定温度以上后，风扇单元72再次开始形成下降气流(步骤S19)。换言之，在基板9的周缘部中，亦在形成有处理液的气相层94且液膜93从构造体911朝上方离开后，再次开始在基板9的周围形成下降气流。由此，防止或者抑制在基板9的周缘部中的气相层94的形成途中处理液的温度因下降气流而下降从而阻碍气相层94的形成。在步骤S19中，亦可通过温度传感器测量基板9的周缘部的温度，亦可预先测量基板9的温度变成上面所说明的预定温度以上为止的加热时间，并通过经过该加热时间而判断成基板9的周缘部的温度已变成上面所说明的预定温度以上。
当在基板9的上表面91上的整面形成有处理液的气相层94时，从基板9上去除气相层94上的液膜93(步骤S20)。在步骤S20中，处理液的液膜93在维持未与基板9上的构造体911接触的状态下从基板9上被去除。因此，能防止处理液的表面张力导致的构造体911的倒塌，并将处理液从基板9上去除。
步骤S20中的处理液的液膜93的去除亦可通过各种方法进行。图9是表示液膜93的去除处理的流程的一例的图。在图9所示的步骤S31至步骤S33中，基板9未被旋转而是静止状态。在去除液膜93时，首先，在上述步骤S19之后，从第一喷嘴61的第一喷出口616朝位于基板9的中央部上的液膜93的中央部喷出非活性气体(例如氮)。由此，如图10所示，在液膜93的中央部形成有较小的孔96，基板9的上表面91的一部分从孔96露出(步骤S31)。在步骤S31中，从第一喷出口616喷出的非活性气体的流量是较小的第一流量(例如3升/分钟)。
在基板处理装置1中，通过第一喷出口616喷出的非活性气体，形成有从处理液的液膜93的中央部朝向周围(亦即朝向径向外侧)的放射状的气流。而且，通过该气流扩大处理液的液膜93的孔96。随着孔96的扩大，构成液膜93的处理液朝径向外侧移动，基板9的周缘部上的处理液从基板9的外缘流下并从基板9上去除。因此，第一喷嘴61是用以将液膜93从基板9上去除的液体去除部。
在基板处理装置1中，与从第一喷出口616喷出非活性气体并行地，加热部5的加热板51亦持续对基板9加热。由此，在与液膜93的孔96重叠的区域中基板9的温度迅速地上升，在基板9产生温度梯度。由于气相层94上的液膜93从高温侧朝低温侧(亦即朝径向外侧)移动，因此液膜93的孔96亦通过该温度梯度而扩大。如上所述，由于基板9的周缘部上的处理液随着孔96的扩大而从基板9上被去除，因此加热部5亦包含于上面所说明的液体去除部。
如上所述，由于在基板9的周围中再次开始形成洁净气体的下降气流，因此在基板9的周缘部中被支撑于气相层94上的液膜93亦通过下降气流而朝径向外侧移动。换言之，通过该下降气流促进基板9的上表面91的周缘部中处理液朝径向外侧移动(亦即朝基板9的外缘移动)。由此，促进基板9的周缘部上的处理液的去除。
此外，在基板处理装置1中，与步骤S31并行或者在步骤S31之后，通过杯移动机构42使杯41朝下方移动，且如图11所示，杯41的杯顶盖部44的内周缘与基板保持部2的基座部21配置于上下方向相同的位置。换言之，杯顶盖部44的内周缘在上下方向位于基座部21的上表面与下表面之间的位置。由此，基座部21与杯41之间的间隙缩小，在基座部21的周围，从杯41的上方朝杯41的内部流入的下降气流的流路面积变小(步骤S32)。结果，基板9的周围的下降气流的流速增大，进一步地促进基板9的周缘部上的处理液的去除。此外，步骤S32只要在步骤S14中停止旋转基板9之后，则亦可在步骤S31之前进行。
当开始从图10所示的第一喷嘴61的第一喷出口616喷出非活性气体经过预定时间后，从第一喷出口616喷出的非活性气体的流量增大至比第一流量更大的第二流量(例如30升/分钟)。由此，促进液膜93的孔96的扩大。此外，通过板升降机构53使加热板51下降至待机位置，加热板51停止加热基板9。
如图12所示，当处理液的液膜93的孔96变大至某种程度时，除了从第一喷嘴61的第一喷出口616喷出非活性气体之外，亦从多个第二喷出口617喷出非活性气体(步骤S33)。来自多个第二喷出口617的非活性气体放射状地喷出至从液膜93的中央部(亦即基板9的中央部)朝向周围的方向。由此，处理液的液膜93的孔96进一步地扩大，基板9的上表面91上的处理液从基板9的外缘流下并从基板9上去除。此外，由于能通过来自多个第二喷出口617的放射状的气流高效地使基板9的周缘部上的处理液朝径向外侧移动，因此能适当地防止或者抑制于基板9的周缘部残存有处理液。
此外，在处理液的液膜93的去除中，亦可省略步骤S33(亦即从多个第二喷出口617喷出非活性气体)。即使在此种情形中，亦通过步骤S31至步骤S32，将基板9的上表面91上的处理液的液膜93从基板9的中央部朝外缘移动并从基板9上去除。
当结束处理液的液膜93的去除(步骤S20)时，进行基板9的干燥处理(步骤S21)。在步骤S21中，在杯41上升并位于基板9的周围的状态下，以较高的旋转速度使基板保持部31旋转。由此，有可能残存于基板9上的液体成分被甩离并被去除，使基板9干燥。在步骤S21中，持续从第一喷嘴61喷出非活性气体。因此，防止或者抑制从杯41溅起的液滴以及雾气再次附着至基板9的上表面91等。
已结束干燥处理的基板9从基板处理装置1被搬出。在基板处理装置1中，依次对多个基板9进行上述步骤S11至步骤S21的处理。
如上所述，基板处理装置1具备基板保持部2、处理液供给部、加热部5以及液体去除部。基板保持部2以水平状态保持基板9。处理液供给部(在上述例子中为第一喷嘴61)将表面张力比IPA还高的处理液供给至基板9的上表面91，由此形成覆盖基板9的上表面91的整面的处理液的液膜93。加热部5从下表面92侧加热基板9并使液膜93的一部分气化，由此在基板9的上表面91与液膜93之间形成气相层94。液体去除部(在上述例子中为第一喷嘴61)去除气相层94上的液膜93。
如此，以与由IPA形成液膜的情形相比，以表面张力比IPA还高的处理液形成液膜93，由此能抑制去除液膜93之前液膜93非预期性的破损(例如处理液从基板9的周缘以及卡盘销23流下或者因液膜93与基板9之间所产生的处理液的蒸气导致的液膜93的龟裂等)。结果，能确保形成处理液的气相层94所需的加热时间，从而能使液膜93适当地朝基板9的上方浮起。因此，能防止或者抑制基板9上的图案的倒塌(亦即上面所说明的构造体911的倒塌)，并稳定地从基板9上去除液膜93。
如上所述，较佳为该处理液的蒸气压比IPA的蒸气压还高。由此，与由IPA的液膜形成气相层的情形相比，能以低的温度形成处理液的气相层94。此外，与由IPA的液膜形成气相层的情形相比，只要加热温度相同，即能缩短形成处理液的气相层94所需的时间。结果，能以较短的时间使液膜93朝基板9的上方浮起。此外，亦能缩短基板处理装置1中的基板9的处理所需的时间。
较佳为该处理液包括顺-1,2-二氯乙烯(分子式：C2H2Cl2)、三氯甲烷(分子式：CHCl3)、乙酸甲酯(分子式：C3H6O2)、1,3-二氧戊烷(分子式：C3H6O2)、四氢呋喃(分子式：C4H8O)、1,1,1-三氯乙烷(分子式：C2H3Cl3)、四氯甲烷(分子式：CCl4)、苯(分子式：C6H6)、环己烷(分子式：C6H12)、乙腈(分子式：C2H3N)、三氯乙烯(分子式：C2HCl3)、四氢哌喃(分子式：C5H10O)、硝酸(分子式：HNO3)、1,2-二氯乙烷(分子式：C2H4Cl2)、1,2-二氯丙烷(分子式：C3H6Cl2)、氟三硝基甲烷(分子式：CFN3O6)、吡咯啶(分子式：C4H9N)、丙烯腈(分子式：C3H3N)、环己烯(分子式：C6H10)中的至少一者。由此，能将处理液的表面张力以及蒸气压设定成比IPA的表面张力以及蒸气压还高。
如上所述，较佳为加热部5对基板9的加热(步骤S17)在通过从处理液供给部供给的处理液覆盖基板9的上表面91的整面(步骤S14)后开始。由此，与供给处理液之前加热基板的情形以及在处理液覆盖基板的上表面整体之前加热基板的情形相比，能抑制供给至基板9上的处理液的温度急剧地上升以及急速地气化。结果，能在基板9上稳定且适当地形成处理液的液膜93。
在基板处理装置1中，较佳为液体去除部具备用以朝液膜93的中央部喷出气体的气体喷出部(在上述例子中为第一喷嘴61)。在此情形中，通过来自气体喷出部的气体形成从液膜93的中央部朝向周围的放射状的气流，使处理液从液膜93的中央部朝基板9的外缘移动并从基板9上去除。由此，能以简单的构造实现从基板9上去除液膜93。
较佳为气体喷出部具备第一喷出口616以及多个第二喷出口617。第一喷出口616朝液膜93的中央部喷出气体。多个第二喷出口617周状地配置于第一喷出口616的周围。多个第二喷出口617向从液膜93的中央部朝向周围的方向放射状地喷出气体。由此，能迅速地扩大形成于液膜93的中央部的孔96。结果，能容易且迅速地进行从基板9上去除液膜93。此外，与设置有圆周状的狭缝状的喷出口的情形相比，通过周状地设置有较小的多个第二喷出口617，能使从第二喷出口617喷出的气体的流速增大。结果，能适当地防止或者抑制在基板9的周缘部残存有处理液。
较佳为，基板处理装置1进一步具备腔室11以及气流形成部71。腔室11将基板保持部2收容于内部空间。气流形成部71从腔室11的上部对内部空间送出气体，在基板9的周围形成从基板9的上侧朝向下侧的下降气流。在从基板9上去除处理液时，该下降气流促进基板9的上表面91的周缘部中的处理液朝外缘移动。由此，能迅速地从基板9上去除液膜93。
更佳为，基板处理装置1进一步具备旋转机构3、杯41以及杯移动机构42。旋转机构3旋转基板保持部2。杯41隔着间隙配置于基板保持部2的周围。杯41接住从旋转中的基板9飞散的液体。杯移动机构42使杯41相对于基板保持部2地移动。从基板9上去除处理液时，通过杯移动机构42使杯41相对性地移动，由此缩小基板保持部2与杯41之间的间隙。由此，能使基板9的周围中的上面所说明的下降气流的流速增大。结果，能更迅速地从基板9上去除液膜93。
如上所述，较佳为在加热部5开始加热基板9时(步骤S17)，气流形成部71停止形成下降气流。由此，能防止液膜93的周缘部被下降气流冷却。例如，停止形成下降气流且已加热预定时间的基板9的周缘部的温度比与未停止形成下降气流的情形相比高约10℃至20℃。结果，能大致均等地加热液膜93整体并适当地形成气相层94。此外，能缩短将基板9加热至期望的温度为止所需的时间。
更佳为，在加热部5开始加热基板9(步骤S17)之前，处理液供给部停止供给处理液(步骤S15)，同时，气流形成部71停止形成下降气流(步骤S16)。由此，能抑制形成于基板9上的处理液的液膜93的周缘部因下降气流而紊乱，从而能稳定地保持液膜93。
此外，更佳为在基板9的周缘部的温度变成预定温度以上后气流形成部71再次开始形成下降气流(步骤S19)。由此，能防止或者抑制在基板9的周缘部形成气相层94的途中处理液的温度因下降气流而降低并阻碍气相层94的形成。
上述基板处理方法具备下述工序：以水平状态保持基板9(步骤S11)；将表面张力比IPA还高的处理液供给至基板9的上表面91，由此形成覆盖基板9的上表面91的整面的处理液的液膜93(步骤S14)；从下表面92侧加热基板9并使液膜93的一部分气化，由此在基板9的上表面91与液膜93之间形成气相层94(步骤S18)；以及去除气相层94上的液膜93(步骤S20)。由此，如上所述，与由IPA形成液膜的情形相比，能抑制去除液膜93之前的液膜93非预期性的破损。结果，能确保形成处理液的气相层94所需的加热时间，并能使液膜93适当地朝基板9的上方浮起。因此，能防止或者抑制基板9上的图案的倒塌，并能从基板9上稳定地去除液膜93。
在基板处理装置1中，在上面所说明的冲洗液与处理液不易亲近的情形等，亦可在冲洗处理(步骤S13)与对基板9供给处理液(步骤S14)之间对基板9进行IPA供给处理。具体而言，在结束基板9的冲洗处理后，对旋转中的基板9供给IPA并扩展至基板9的上表面91的整体。由此，冲掉基板9的上表面91上的冲洗液并置换成IPA。之后，停止对基板9供给IPA，且如上面所说明那样对旋转中的基板9供给处理液。接着，处理液从基板9的中央部扩展至上表面91整体，基板9的上表面91上的IPA被冲掉并被置换成处理液。
如此，在基板处理装置1中，亦可在基板9的上表面91的整面被IPA覆盖的状态下从处理液供给部(在上述例子中为第一喷嘴61)对基板9的上表面91供给处理液。接着，基板9的上表面91上的IPA被处理液置换，由此形成有处理液的液膜93。由于处理液与IPA比较容易亲近，因此能使处理液与基板9亲近并容易进入至图案的构造体911之间。结果，能在基板9上适当地形成处理液的液膜93。
上述处理液亦可为将表面张力比IPA还高且蒸气压比IPA还低的物质混合至IPA而成的混合液。在此种情形中亦与上述同样地，与由IPA形成液膜的情形相比，能抑制在去除液膜93之前液膜93非预期性的破损。此外，由于IPA与冲洗液比较容易亲近，因此能容易地进行步骤S14中的冲洗液与处理液的置换，或者如上述那样在进行IPA供给时能容易地进行IPA与处理液的置换。再者，由于该物质的蒸气压比IPA的蒸气压还低，因此能够防止在加热处理液的液膜93并形成气相层94时仅该物质比IPA先气化而导致处理液的表面张力降低。作为该物质，例如能利用烯丙醇(allyl alcohol；分子式C3H6O)或者1-丙醇(1-propanol；分子式C3H8O)等。
在上述基板处理装置1以及基板处理方法中，可进行各种变更。
例如，亦可设置有周状的狭缝状的喷出口以取代多个第二喷出口617，或者亦可除了设置有多个第二喷出口617之外还设置有周状的狭缝状的喷出口，周状的狭缝状的喷出口向从中央部朝向周围的方向放射状地喷出气体。此外，亦可不在第一喷嘴61的外侧面设置用以喷出气体的喷出口。
在步骤S14中供给至基板9的处理液未限定于上面所说明且例示的液体，亦可利用表面张力比IPA还高的各种液体作为该处理液。例如，亦可利用表面张力比IPA还高且蒸气压为IPA以下的液体作为上述处理液。
步骤S16中停止形成下降气流并不一定需要与步骤S15中停止供给处理液同时地进行，亦可在步骤S15之前或者之后进行。此外，亦可与基板9的周缘部的温度无关地进行步骤S19中的再次开始形成下降气流。此外，在步骤S11至步骤S21的期间亦可不停止形成下降气流而是持续形成下降气流。
如上所述，在加热部5开始加热基板9时，气流形成部71停止形成下降气流，由此能大致均等地加热液膜93整体并适当地形成气相层94。因此，从大致均等地加热处理液的液膜93整体并适当地形成气相层94的观点而言，处理液并不一定需要为表面张力比IPA还高的液体，亦可为表面张力为IPA以下的液体。例如，处理液亦可为IPA。
步骤S17中的基板9的加热并不一定需要在步骤S14中的液膜93的形成后才开始，亦可与步骤S14同时地开始或者在步骤S14之前开始。此外，用以加热基板9的加热部5亦可例如具备加热灯以取代加热板51，该加热灯用以对基板9的下表面92照射光线并加热基板9。
在步骤S20中的液膜93的去除中，由于不一定需要缩小基板保持部2与杯41之间的间隙，因此亦可省略步骤S32。此外，在步骤S20中，亦可不进行通过下降气流促进处理液的移动。
在步骤S20中，亦可通过旋转基板9来促进液膜93的去除。在此情形中，亦可在上述液体去除部包括用以旋转基板9的旋转机构3。
液体去除部对于液膜93的去除亦可通过其他的各种方法进行。例如，亦可利用吸引喷嘴作为液体去除部；该吸引喷嘴插入至被支撑在气相层94的液膜93中并吸引液膜93，由此将液膜93从基板9上去除。或者，亦可利用海绵等作为液体去除部，该海绵接触至被支撑在气相层94上的液膜93的上表面并吸收液膜93。此外，亦可一边从比基板9的直径还长的狭缝状的非活性气体喷出口朝基板9的上表面91带状地喷出非活性气体，一边使该非活性气体喷出口在基板9的上方往复移动，由此从基板9上去除液膜93。
上述基板处理装置1除了利用于半导体基板的处理之外，亦可利用于液晶显示设备或者有机EL(Electro Luminescence；电致发光)显示设备等平面显示设备(Flat PanelDisplay)所使用的玻璃基板的处理，或者亦可利用于其他的显示设备所使用的玻璃基板的处理。此外，上述基板处理装置1亦可利用于光盘用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩模用基板、陶瓷基板以及太阳能电池用基板等的处理。
上述实施方式以及各变化例中的构成只要未互相矛盾，则亦可适当地组合。
虽然已详细地描绘并说明本发明，但上述说明仅为例示性而非是限定性。因此，只要未脱离本发明的范围，则可有多种变化以及方式。
【附图标记的说明】
1 基板处理装置
2 基板保持部
3 旋转机构
5 加热部
9 基板
11 腔室
41 杯
42 杯移动机构
61 第一喷嘴
71 气流形成部
91 (基板的)上表面
92 (基板的)下表面
93 液膜
94 气相层
616 第一喷出口
617 第二喷出口
S11～S21、S31～S33 步骤

Claims (15)

1.一种基板处理装置，用以处理基板，并具备：
基板保持部，将基板保持为水平状态；
处理液供给部，将表面张力比异丙醇高的处理液供给至所述基板的上表面，由此形成覆盖所述基板的所述上表面的整面的所述处理液的液膜；
加热部，从下表面侧加热所述基板并使所述液膜的一部分气化，由此在所述基板的所述上表面与所述液膜之间形成气相层；以及
液体去除部，去除所述气相层上的所述液膜。
2.如权利要求1所记载的基板处理装置，其中，
所述处理液的蒸气压比异丙醇的蒸气压高。
3.如权利要求2所记载的基板处理装置，其中，
所述处理液包括顺-1,2-二氯乙烯、三氯甲烷、乙酸甲酯、1,3-二氧戊烷、四氢呋喃、1,1,1-三氯乙烷、四氯甲烷、苯、环己烷、乙腈、三氯乙烯、四氢哌喃、硝酸、1,2-二氯乙烷、1,2-二氯丙烷、氟三硝基甲烷、吡咯啶、丙烯腈、环己烯中的至少一者。
4.如权利要求1至3中任一项所记载的基板处理装置，其中，
所述加热部对所述基板的加热在通过从所述处理液供给部供给的所述处理液覆盖所述基板的所述上表面的整面后开始。
5.如权利要求1至4中任一项所记载的基板处理装置，其中，
在通过异丙醇覆盖所述基板的所述上表面的整面的状态下，从所述处理液供给部对所述基板的所述上表面供给所述处理液，通过所述处理液置换所述基板的所述上表面上的异丙醇，由此形成所述处理液的所述液膜。
6.如权利要求1至5中任一项所记载的基板处理装置，其中，
所述处理液是将表面张力比异丙醇高且蒸气压比所述异丙醇低的物质混合至异丙醇而成的混合液。
7.如权利要求1至6中任一项所记载的基板处理装置，其中，
所述液体去除部具备：气体喷出部，朝所述液膜的中央部喷出气体；
通过来自所述气体喷出部的气体来形成从所述液膜的所述中央部朝向周围的放射状的气流，使处理液从所述液膜的所述中央部朝所述基板的外缘移动并从所述基板上去除。
8.如权利要求7所记载的基板处理装置，其中，
所述气体喷出部具备：
第一喷出口，朝所述液膜的所述中央部喷出气体；以及
多个第二喷出口，周状地配置于所述第一喷出口的周围，向从所述液膜的所述中央部朝向周围的方向放射状地喷出气体。
9.如权利要求7或8所记载的基板处理装置，其中，进一步具备：
腔室，将所述基板保持部收容于内部空间；以及
气流形成部，从所述腔室的上部对所述内部空间送出气体，并在所述基板的周围形成从所述基板的上侧朝向下侧的下降气流；
所述下降气流在从所述基板上去除所述处理液时促进所述基板的所述上表面的周缘部中的所述处理液朝所述外缘移动。
10.如权利要求9所记载的基板处理装置，其中，进一步具备：
旋转机构，旋转所述基板保持部；
杯，隔着间隙配置于所述基板保持部的周围，用以接住从旋转中的所述基板飞散的液体；以及
杯移动机构，将所述杯相对于所述基板保持部相对性地移动；
在从所述基板上去除所述处理液时，通过所述杯移动机构使所述杯相对性地移动，缩小所述基板保持部与所述杯之间的间隙。
11.如权利要求9或10所记载的基板处理装置，其中，
在所述加热部开始加热所述基板时，所述气流形成部停止形成所述下降气流。
12.如权利要求11所记载的基板处理装置，其中，
在所述加热部开始加热所述基板之前，所述处理液供给部停止供给所述处理液，同时，所述气流形成部停止形成所述下降气流。
13.如权利要求11或12所记载的基板处理装置，其中，
在所述基板的所述周缘部的温度变成预定温度以上后，所述气流形成部再次开始形成所述下降气流。
14.一种处理液，在基板的处理中使用，表面张力比异丙醇高，并在权利要求1至13中任一项所记载的基板处理装置中被供给至所述基板的所述上表面。
15.一种基板处理方法，用以处理基板，并具备：
工序(a)，将基板保持为水平状态；
工序(b)，将表面张力比异丙醇高的处理液供给至所述基板的上表面，由此形成覆盖所述基板的所述上表面的整面的所述处理液的液膜；
工序(c)，从下表面侧加热所述基板并使所述液膜的一部分气化，由此在所述基板的所述上表面与所述液膜之间形成气相层；以及
工序(d)，去除所述气相层上的所述液膜。
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