JPS61189646A - ウエハの乾燥装置 - Google Patents
ウエハの乾燥装置Info
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- JPS61189646A JPS61189646A JP3092985A JP3092985A JPS61189646A JP S61189646 A JPS61189646 A JP S61189646A JP 3092985 A JP3092985 A JP 3092985A JP 3092985 A JP3092985 A JP 3092985A JP S61189646 A JPS61189646 A JP S61189646A
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- Japan
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- wafer
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- wiring
- centrifugal force
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- Pending
Links
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- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 11
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- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 3
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
- H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体ウェハを乾燥する乾燥装置に関する。
従来の技術
従来、ウェハを一枚づつ乾燥する装置として、ウェハ上
に部分的なシミを生じないという点で第３図に示す口伝
式スピンナーによる乾燥装置が良く使用されている。す
なわち、外筒１で保持された回転軸２の先端部にウェハ
保持具３を取付け、ウェハ４の外周面をウェハ保持具３
で保持し、回転軸２を高速で回転させることによシ、遠
心力でウェハ４の表面及び裏面の水分を除去して乾燥し
ている。
に部分的なシミを生じないという点で第３図に示す口伝
式スピンナーによる乾燥装置が良く使用されている。す
なわち、外筒１で保持された回転軸２の先端部にウェハ
保持具３を取付け、ウェハ４の外周面をウェハ保持具３
で保持し、回転軸２を高速で回転させることによシ、遠
心力でウェハ４の表面及び裏面の水分を除去して乾燥し
ている。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら上記構成では、ウェハの外周部の水分の除
去は容易であるが、ウェハの中心部の水分を完全に除去
することが困難である。又最近は線巾が２μｍ以下の微
細パターンの方向に進展し、微細加工の方法もプラズマ
エツチング及びイオンエツチングで行われるようになり
、第４図に示すようにエツチングされた配線部が直角に
近いナイフェツジとなっているため、回ｌ駈式スピンナ
ーの遠心分離では配線間の水分を確実に除去できないと
いう欠点を有する。すなわちウェハ５の中心６と外周７
を結ぶ線に直角に配列された配線８の線間９に付着した
水分のうち、ウェハ５の中心側のすみの水分１ｏは回転
遠心力でウェハ６外に飛ばされるが、外周側のすみの水
分１１は回転遠心力では確実に除去できない。
去は容易であるが、ウェハの中心部の水分を完全に除去
することが困難である。又最近は線巾が２μｍ以下の微
細パターンの方向に進展し、微細加工の方法もプラズマ
エツチング及びイオンエツチングで行われるようになり
、第４図に示すようにエツチングされた配線部が直角に
近いナイフェツジとなっているため、回ｌ駈式スピンナ
ーの遠心分離では配線間の水分を確実に除去できないと
いう欠点を有する。すなわちウェハ５の中心６と外周７
を結ぶ線に直角に配列された配線８の線間９に付着した
水分のうち、ウェハ５の中心側のすみの水分１ｏは回転
遠心力でウェハ６外に飛ばされるが、外周側のすみの水
分１１は回転遠心力では確実に除去できない。
そこで本発明は線巾が２μｍ以下の微細な配線間の水分
をも除去するウェハの乾燥装置を提供するものである。
をも除去するウェハの乾燥装置を提供するものである。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために本発明のウェハ乾燥装置は
、回転式スピンナーに空気又は窒素ガスの供給管と外周
方向に向けたノズルをウェハの上方に配置するという構
成からなっている。
、回転式スピンナーに空気又は窒素ガスの供給管と外周
方向に向けたノズルをウェハの上方に配置するという構
成からなっている。
作用
本発明は上記の構成によって、回転スピンナーによる遠
心分離でウェハの表面及び裏面の水分を除去すると共に
、ウェハの中心と外周を結ぶ線に直角に配線された線間
に残った水分を外周方向に向けたノズルがら空気又は窒
素ガスを吹き寸けることによって確実に除去するもので
ある。
心分離でウェハの表面及び裏面の水分を除去すると共に
、ウェハの中心と外周を結ぶ線に直角に配線された線間
に残った水分を外周方向に向けたノズルがら空気又は窒
素ガスを吹き寸けることによって確実に除去するもので
ある。
実施例
以下本発明の一実施例のウェハの乾燥装置について図面
を参照しながら説明する。
を参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例２示す断面図である。
図において外筒１２に保持された回転軸１３の先端部に
ウェハ１４を保持するウェハ保持具１５を取付け、空気
又は窒素ガスを供給するガス供給管１６と外周方向に向
けだノズ／Ｌ／１７をウェハ１４の上方に配置した構成
になっている。
ウェハ１４を保持するウェハ保持具１５を取付け、空気
又は窒素ガスを供給するガス供給管１６と外周方向に向
けだノズ／Ｌ／１７をウェハ１４の上方に配置した構成
になっている。
回転軸１３を高速で回転させることにより遠心力でウェ
ハ１４の表面及び裏面の水分を除去する。
ハ１４の表面及び裏面の水分を除去する。
回転による遠心力では除去しきれない微細な配線間の水
分は第２図に示す方法で除去する。すなわち、ウェハ１
８上の２μｍ以下の配線間１９の外周側のすみに残った
水分２ｏにウェハ１８上に取付けた外周方向に向けたノ
ズ）ｖ２１よシ吹き出した空気又は窒素ガス２２を吹き
つけて水分２ｏを配線間１９の外２３に吹き飛ばし、更
に遠心力で外周へ完全に除去する。外周方向に向けたノ
ズル２１の角度は微細な配線の間隔に対応して変えるこ
とができ、配線間１９の水分２０の除去に最適な角度に
調整できる。
分は第２図に示す方法で除去する。すなわち、ウェハ１
８上の２μｍ以下の配線間１９の外周側のすみに残った
水分２ｏにウェハ１８上に取付けた外周方向に向けたノ
ズ）ｖ２１よシ吹き出した空気又は窒素ガス２２を吹き
つけて水分２ｏを配線間１９の外２３に吹き飛ばし、更
に遠心力で外周へ完全に除去する。外周方向に向けたノ
ズル２１の角度は微細な配線の間隔に対応して変えるこ
とができ、配線間１９の水分２０の除去に最適な角度に
調整できる。
発明の効果
以上のように本発明は、回転スピンナーに空気又は窒素
ガスの供給管と外周方向に向けたノズルを配置すること
によシ、２ｐｒ１１以下の微細な配線間の水分を確実に
除去し、ウェハを完全に乾燥することができる。また回
転式スピンナーの遠心力と空気又は窒素ガスの吹き付け
との併用のため、従来の回１駄式スピンナーよりも乾燥
時間を短かくすることができる。
ガスの供給管と外周方向に向けたノズルを配置すること
によシ、２ｐｒ１１以下の微細な配線間の水分を確実に
除去し、ウェハを完全に乾燥することができる。また回
転式スピンナーの遠心力と空気又は窒素ガスの吹き付け
との併用のため、従来の回１駄式スピンナーよりも乾燥
時間を短かくすることができる。
第１図は本発明の一実施例におけるウェハの乾燥装置の
断面図、第２図は第１図のウェハ上の微細線の拡大断面
図、第３図は従来のウェハの乾燥装置の断面図、第４図
は第３図のウェハ上の微細線の拡大断面図である。 １３・・−・・回転軸、１４・・・・・・ウェハ、１６
・・・・・・ウェハ保持具、１６・・・・・・ガス供給
管、１７・・・・・・ノズル。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１３
−ｍ−回転柚 （つ 第４図
断面図、第２図は第１図のウェハ上の微細線の拡大断面
図、第３図は従来のウェハの乾燥装置の断面図、第４図
は第３図のウェハ上の微細線の拡大断面図である。 １３・・−・・回転軸、１４・・・・・・ウェハ、１６
・・・・・・ウェハ保持具、１６・・・・・・ガス供給
管、１７・・・・・・ノズル。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名１３
−ｍ−回転柚 （つ 第４図
Claims (1)
- ウェハを略水平状態に保持する保持具と、この保持具
を端部に取付け、前記ウェハを水平面内で高速回転させ
る回転軸と、前記保持具の上方に配置されたガス供給管
と、このガス供給管に設けられ、前記ウェハの外周方向
に向ってガスを吹き付けるノズルとを備えたウェハの乾
燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3092985A JPS61189646A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | ウエハの乾燥装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3092985A JPS61189646A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | ウエハの乾燥装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61189646A true JPS61189646A (ja) | 1986-08-23 |
Family
ID=12317370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3092985A Pending JPS61189646A (ja) | 1985-02-19 | 1985-02-19 | ウエハの乾燥装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61189646A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5834923A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-01 | Toshiba Corp | 半導体装置の乾燥方法 |
| JPS6064436A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-13 | Fujitsu Ltd | スピンドライヤ |
-
1985
- 1985-02-19 JP JP3092985A patent/JPS61189646A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5834923A (ja) * | 1981-08-27 | 1983-03-01 | Toshiba Corp | 半導体装置の乾燥方法 |
| JPS6064436A (ja) * | 1983-09-19 | 1985-04-13 | Fujitsu Ltd | スピンドライヤ |
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