JPH02271622A - 異物除去装置 - Google Patents

異物除去装置

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Publication number
JPH02271622A
JPH02271622A JP1093704A JP9370489A JPH02271622A JP H02271622 A JPH02271622 A JP H02271622A JP 1093704 A JP1093704 A JP 1093704A JP 9370489 A JP9370489 A JP 9370489A JP H02271622 A JPH02271622 A JP H02271622A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
foreign matter
support base
brush
cleaning
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1093704A
Other languages
English (en)
Inventor
Yasuhito Momotake
百武 康仁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP1093704A priority Critical patent/JPH02271622A/ja
Publication of JPH02271622A publication Critical patent/JPH02271622A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B1/00Cleaning by methods involving the use of tools
    • B08B1/30Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface
    • B08B1/32Cleaning by methods involving the use of tools by movement of cleaning members over a surface using rotary cleaning members

Landscapes

  • Cleaning In General (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は異物除去装置、特に半導体ウェハ(以下ウェ
ハという)上に付着しtこ、微細な異物を除去するのに
適しtこ装置に関するものである。
〔従来の技術〕
一般に半導体装置の進歩は目覚ましく、高集積化・微細
化が急速に進んでいる。このような半導体装置の製造工
程において、ウェハ上に異物が付着すると、製品の完全
不良か、極端な低歩留りが生じてしまう。そのため、半
導体装置の製造は、ウェハ上をこ異物を付着させない1
こめに、塵埃が極端ニ少ないクリーンルーム内で行って
(するが、半導体装置の製造工程)こは、常圧化学気相
成長法がスパッタリング法を用いる工程などのように装
置内での発塵及びウェハ上への異物付着の避けられない
工程が存在するOこの1こめ、−度つエA上)こ付着し
1こ異物を除去する技術が、半導体装置の製造艮とって
不可欠なものとなっている。
第3図は、従来の異物除去装置の上面図であり、第4図
は第3図のX−Xにおける断面図である0図において、
(1)はウェハ、(2)はウエノ′%(1)を支持し高
速回転可能な支持台、(3)はウエノ這1)の主面を洗
浄するモヘアなどから成る円筒型のブラシ、(4)はウ
ェハ(1)上に純水を吹きつけるためのノズル、(5)
はカバーを示している。
次に動作について詳しく説明する。まず始めに、除去す
べき異物の付着し1こウエノ′%(1)が、支持台(2
)の所定の位置にセットされる。このとき、ウエノ1(
1)は支持台(2)上に真空吸引などにより密着される
次ニ、ウェハ(1)のセットされた支持台(2)が、所
定回転数で回転させられると同時にノズル(4)から純
水がウェハ(1)上に吹きつけられる。次に、ブラシ(
3)が所定回転数で回転させられながら、ウェハ(1)
の主面上に擦りつけられる。ウェハ(1)上に付着した
異物は純水の吹きつけ及びブラシ(3)による洗浄で除
去される。次にブラシ(3)がウェハ(1)上から離さ
れ、ノズル(4)からの純水の吹きつけが止められた後
、ウェハ(1)を支持した支持台(2)が高速回転し、
ウェハ(1)は乾燥させられる。次に、異物の除去され
たウェハ(1)が、支持台(2)より取り外される。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来の異物除去装置は以上のように構成されるので、モ
ヘアなどから成るブラシを回転させ、ウェハに接触させ
ることだけで、ウェハ上の異物を除去する方法であつt
こため、微細な異物はウエノ1上に形成されたパターン
のエツジや溝に付着したまま除去できなくなるという問
題があった。
この発明は、以上のような問題点を解消するためになさ
れたもので、ウェハ上に付着した微細な異物を、ウェハ
にダメージを与えることなしに、すべて除去できる異物
除去装置を提供することを目的とする。
〔課題を解決する1こめの手段〕 この発明に係る異物除去装置は、ウェハを支持する回転
可能な支持台と、上記支持台中にウエノ1を振動させる
1こめの振動発生器と、ウエノ1を洗浄するためのブラ
シとを含んでいる。
〔作用〕
この発明によれば、ウェハ上に形成された微細なパター
ン上、特にパターンのエツジ部分や溝の中、に付着し1
こ異物は、振動発生器より与えられる振動により付着力
を弱められ遊離する。更に、遊離した異物はブラシによ
りウェハ上から除去される1こめ、ウェハ上に形成され
たパターンを破壊することな(効率良く異物を除去する
ことができる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図によって説明する。第1
図は異物除去装置の上面図、第2図は第1図のY−Yに
おける断面図である。図において、(1)〜(5)は第
3図及び第4図の従来例に示したものと同等であるので
説明を省略する。(6)はウェハ(1)に振動を与える
ための振動発生器、(7)はウェハ(1)と振動発生器
(6)との間にある緩衝材である。
次に、動作について説明する。まず、ウェハ(1)が支
持台(2)にセットされると共に、真空吸引などにより
ウェハ(1)は支持台(こ密着される。なお、このとき
、ブラシ(3)はウェハ(1)から離れ1こ状態にある
。次に、ウェハ(1)のセットされた支持台(2)はモ
ータなどにより所定回転数で回転される。次に、ノズル
(4)から純水などがウェハ(1)上へ吹き付けらレル
。ウェハ(1)上へノズル(4)から純水などが吹き付
けられた状態で、振動発生器(6)によりウェハ(1)
は超音波振動させられる。この超音波振動により、ウェ
ハ(1)上に付着した異物は遊離することになる。
次にブラシ(3)が所定回転数で回転しなからウェハ(
1)に接触され、超音波振動により遊離した異物が除去
される。次にブラシ(3)による洗浄、振動発生器(6
)による振動が止められた後、ノズル(4)からの純水
などによる洗浄がなされる。次に、ノズル(4)からの
純水などが止められた後、支持台(2)は高速回転され
、ウェハ(1)は乾燥される。ウェハ(1)の乾燥後、
支持台(2)の回転は止められ、ウェハ(1)は、支持
台(2)より取り外される。
なお、上記実施例では、振動発生器(6)よりウェハ(
1)に与える振動は、超音波振動とする場合について説
明したが、ウェハ(1)にダメージを与えず、かつウェ
ハ(1)上の異物が除去できるように、適当な振動数を
設定すればよい。
〔発明の効果〕
この発明によれば、ウェハ上に付着した異物は、ウェハ
の振動と、ブラシ洗浄により取り除かれるため、従来の
異物除去装置では取り除くことが困難であった、ウェハ
上に形成された微細なパターンのエツジや溝に付着した
異物を効率良く取り除くことができる。この発明を、半
導体装置の製造工程に用いれば、高信頼度な半導体装置
を製造することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、この発明の一実施例による異物除去装置の上
面図、第2図は第1図のY−Yにおける断面図、第3図
は従来の異物除去装置の上面図、第4図は第3図のX−
X+こおける断面図である。 図において、(INよウェハ、(2)は支持台、(3)
はブラシ、(4)はノズル、(5)はカバー、(6)は
振動発生器、(7)は緩衝材である。 なお、図中、同一符号は同一、又は相当部分を示す〇 第1図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  半導体ウェハ上に付着した異物をブラシにより除去す
    る異物除去装置において、半導体ウェハを支持し、回転
    可能な支持台と、上記支持台中にウェハを振動させるた
    めの振動発生器と、ウェハを洗浄するためのブラシとを
    有することを特徴とする異物除去装置。
JP1093704A 1989-04-13 1989-04-13 異物除去装置 Pending JPH02271622A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1093704A JPH02271622A (ja) 1989-04-13 1989-04-13 異物除去装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1093704A JPH02271622A (ja) 1989-04-13 1989-04-13 異物除去装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02271622A true JPH02271622A (ja) 1990-11-06

Family

ID=14089797

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1093704A Pending JPH02271622A (ja) 1989-04-13 1989-04-13 異物除去装置

Country Status (1)

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JP (1) JPH02271622A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7231682B1 (en) * 2003-08-28 2007-06-19 Lam Research Corporation Method and apparatus for simultaneously cleaning the front side and back side of a wafer
CN111774353A (zh) * 2020-07-10 2020-10-16 李峰 一种用于晶圆检测的除尘装置

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US7231682B1 (en) * 2003-08-28 2007-06-19 Lam Research Corporation Method and apparatus for simultaneously cleaning the front side and back side of a wafer
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