JPS5834923A - 半導体装置の乾燥方法 - Google Patents

半導体装置の乾燥方法

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JPS5834923A
JPS5834923A JP13466281A JP13466281A JPS5834923A JP S5834923 A JPS5834923 A JP S5834923A JP 13466281 A JP13466281 A JP 13466281A JP 13466281 A JP13466281 A JP 13466281A JP S5834923 A JPS5834923 A JP S5834923A
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JP
Japan
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wafer
drying
rotating
drier
dryer
Prior art date
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Pending
Application number
JP13466281A
Other languages
English (en)
Inventor
Kinzo Tao
田尾　欣三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPS5834923A publication Critical patent/JPS5834923A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
    • H01L21/3046—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting using blasting, e.g. sand-blasting

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は半導体装置の製造工程中での乾燥方法Ｌ：関す
る。
半導体装置の製造はウェハからベレット完成Ｃ；至す各
加工工程の前後に洗浄処理がなされ。
この洗浄処理後には乾燥を行なっている。かかる洗浄処
理は酸処運が中心で純水処遇と組み合わせて加工工程１
％セ拡散やＣＶＤ等の前処理に用いられている。こうし
た洗浄処理の仕上げとしての乾燥は極めて１１１要であ
り、乾燥状態の良否によって半導体装置の特性（主にリ
ーク電流等）やＣＶＤＩ＄（：より形成した膜の性状が
大巾に変動する。
ところで、半導体装置の乾燥区：は従来１次のような２
つ方法が行なわれている。
まず、１つの方法は第１図１：示すヒータＪ及び送風！
ａ購を備えたラミナー乾燥１ｍ２にウェハ３・・・をセ
ットするが、乾燥速度を上げるためシニウエへ３・・・
を乾燥ａｌＩ２にセットする前にアセトン、アルコール
等の揮発性有機溶剤にディップする方法である。しかし
ながら、この方法にあってはウェハ表面に付看した有機
溶剤を含む水分を蒸発する形態となるため、ウニへ表面
ζ二汚れが残り昼＜、リーク電流の発生要因となるばか
りか、ＣｖＤｙＩの膜質劣化や不均一化を招く欠点があ
る。
もう一つの方法は、第２１８！３ｆｉ千梅に示す乾燥機
本体４内の回転数５上にウェハ３・・・が収納されたキ
ャリア６・・・をセットし、ｉ１体７に取付けた供給管
８から本体４内にＮ、ガス等の気体ｔ供給しながら回転
板５によってキャリア６・・・を高速回転させて乾燥す
る方法である。かかる方法によれば、ラミナー乾燥′ａ
を用いる方法に較べてリーク電流特性が良好な半導体装
置を得ることができると共にＣＶＤ膜の膜質も改善でき
る。しかしながら１回転板５により高速回転（３０００
ｒｐｍ）にしなければ充分な乾燥を行なえないため、ウ
ニへの厚さが薄くなる（２００μｍ以下程度）と破損の
恐れが生じること、ある程度高速にしても回転板がウェ
ット状態となり乾燥が充分行なえないこと等の不都合さ
を生じる。
本発明は上記欠点を解消するためになされたもので、乾
燥；二用いられスピナー乾燥機の回転板を高速回転する
ことなくクエへを十分乾燥し得る半導体装置の乾燥方法
ｖ提供しようとするものである。
以下１本発明の詳細な説明する。
第３図は本発明の実施例に用いる乾燥機の概略正面図、
第４図は第３！ｌ！ｉｌの平面図である。図中の４は乾
燥機本体であり、この本体４内には図示しない駆動軸に
より回転する回転板５が設（すられている。また、前記
本体４上部には蓋体７が取付けられ、この着体７上には
温風発生器９が設けられている。この温風発生器９は発
熱器１０とＮ、、Ｏ，或いは電気などの気体を供給する
供給管８とからｗ４成されている。
次に、ウエノ）の乾燥方法を説明する。まず。
洗浄後のウニへ３・・・をキャリア６・・・に収納し。
これらキャリア６・・・を乾ｍ機本体４内の回転板５上
Ｃニセツトする。つづいて、蓋体７により本体４を閉じ
た後１回転板５を回転させると共に。
供給管８から例えばＮ！ガスを発熱器１０に３〜Ｉ　Ｏ
’／ｍｉｎの条件で供給して同発熱器１０でＮ、ガスＹ
６０〜１５０℃Ｃ：昇温させ、この昇温Ｎ暑ガスを回転
するキャリア６・・・の各ウェハ３・・・に噴射して乾
燥処ｍを行なった。
しかして１本発明方法５二よれば乾燥機本体４内の相対
湿度を低下できること≦二より回転板５′ｊｋ面速回転
することなくウェハ３・・・に付着した水分の蒸発量を
増すことができる。その結果。
薄いウェハを用いても破損等を招くことなく良好な乾燥
を行なうことができ、その後のＣＶＤ工程において良好
なｙｋ質のＣＶＤ膜の堆積が可能となると共に、リーク
電流の少ない潰れた特性を有する半導体装置を得ること
がでさた。
【図面の簡単な説明】
第１図、第２図は夫々従来の乾燥法に用いられる乾燥機
の概略説明図、第３図は本発明方法に用いられる乾燥機
の一形態を示す正面図、第４図は第３図の平面図である
。 ３・・・ウェハ、４・・・乾燥機本体、５・・・回転板
。 ６・・・キャリア、７・・・蓋体、８・・・供給管、９
・・・温風発生器、１０・・・発熱器。 出願人代理人　弁理士　鈴　江　武　彦第舊図 第、（図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 半導体装置の製造工程中での洗浄処理後の乾燥において
    １回転乾燥機内５二洗浄処理後のウェハをセットし、ウ
    ェハを回転させながら乾燥機内に昇温した気体Ｖ＊射さ
    せると共に、乾燥機内の相対湿度を下げた状ｕ（＝して
    ウニへｆ乾燥することを特徴とする半導体装置の乾燥方
    法。
JP13466281A 1981-08-27 1981-08-27 半導体装置の乾燥方法 Pending JPS5834923A (ja)

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JPS5834923A true JPS5834923A (ja) 1983-03-01

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6083333A (ja) * 1983-10-13 1985-05-11 Fujitsu Ltd 無塵乾燥方法
JPS61189646A (ja) * 1985-02-19 1986-08-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd ウエハの乾燥装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5210069A (en) * 1975-07-14 1977-01-26 Seiko Epson Corp Automatic apparatus for cleaning and drying wafer

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