JPS59161826A - リンサ・ドライヤ - Google Patents
リンサ・ドライヤInfo
- Publication number
- JPS59161826A JPS59161826A JP3584583A JP3584583A JPS59161826A JP S59161826 A JPS59161826 A JP S59161826A JP 3584583 A JP3584583 A JP 3584583A JP 3584583 A JP3584583 A JP 3584583A JP S59161826 A JPS59161826 A JP S59161826A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- dryer
- wafers
- heating device
- cage
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
−〔技術分野〕
本発明は半導体ウェーハ等の乾燥に有効なリンサ・ドラ
イヤに関するものである。
イヤに関するものである。
半導体装置の製造工程に際して半導体ウニーノ・（シリ
コンウェーハ）に種々の加工を加えるが、通常では各工
程の完Ｔ時にウニーノ・の洗浄（水洗）と乾燥を行なっ
ている。この乾燥には所謂リンサ。
コンウェーハ）に種々の加工を加えるが、通常では各工
程の完Ｔ時にウニーノ・の洗浄（水洗）と乾燥を行なっ
ている。この乾燥には所謂リンサ。
ドライヤが使用されており、これまで本発明者は第１図
に示すリンサ・ドライヤを使用してきている。
に示すリンサ・ドライヤを使用してきている。
このリンサ・ドライヤ１は、同図のように外部からの埃
の侵入を防止した気密なチャンバ２内に高速で自転する
回転体３な配殺し、この回転体３０周辺部位に乾燥物で
ある半導体クエーノ１４なしっかりと取着したものであ
る。そして、回転体３を高速回転すればこれと一体に半
導体ウニーノ・４も高速回転され、その遠心力によって
ウニーノ・４表面に付着している水滴が吹き飛ばされて
乾燥が行なわれる。
の侵入を防止した気密なチャンバ２内に高速で自転する
回転体３な配殺し、この回転体３０周辺部位に乾燥物で
ある半導体クエーノ１４なしっかりと取着したものであ
る。そして、回転体３を高速回転すればこれと一体に半
導体ウニーノ・４も高速回転され、その遠心力によって
ウニーノ・４表面に付着している水滴が吹き飛ばされて
乾燥が行なわれる。
ところで、近年の半導体装置は半導体ウニーノ・に形成
される回路が益々高密度化、高集積化され、ウェーハ表
面も微細な凹凸に形成さｎる傾向にある。このため、微
細凹凸内に侵入している水滴はその表面張力や毛細現象
によって取除くことが困難になり、したがって前述した
遠心力の入に頼つたドライヤでは乾燥が不充分なものに
なる。この場合、回転体３０回転スピードを増大するこ
とが考えられるが、これによる脱水乾燥効果の増大には
限界があり、充分ではない。
される回路が益々高密度化、高集積化され、ウェーハ表
面も微細な凹凸に形成さｎる傾向にある。このため、微
細凹凸内に侵入している水滴はその表面張力や毛細現象
によって取除くことが困難になり、したがって前述した
遠心力の入に頼つたドライヤでは乾燥が不充分なものに
なる。この場合、回転体３０回転スピードを増大するこ
とが考えられるが、これによる脱水乾燥効果の増大には
限界があり、充分ではない。
このように、脱水が不充分であるとウェーハ表面に残存
付着した水分の作用によってＡ４のふくれ等、半導体装
置の性能を低下させる現象が生ずる原因となる。
付着した水分の作用によってＡ４のふくれ等、半導体装
置の性能を低下させる現象が生ずる原因となる。
本発明の目的は遠心脱水効果を増大して乾燥効果の向上
な図ったリンサ・ドライヤを提供することにある。
な図ったリンサ・ドライヤを提供することにある。
また、本発明の目的は水分の蒸発効果を生ぜしめて乾燥
効果の向上を図ったり／す・ドライヤな提供することに
ある。
効果の向上を図ったり／す・ドライヤな提供することに
ある。
本発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は１
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
本明細書の記述および添付図面からあきらかになるであ
ろう。
〔発明の概要〕
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要
な簡単に説明すれば、下記の通りである。
な簡単に説明すれば、下記の通りである。
すなわち、回転体を内装したチャンバ内を真空状態とす
ることにより、水分の沸点を低下して水分の脱水効率を
増大し、これにより乾燥効果の向上を達成するものであ
る。
ることにより、水分の沸点を低下して水分の脱水効率を
増大し、これにより乾燥効果の向上を達成するものであ
る。
〔実施例１〕
第２図は本発明の一実施例のりンサ・ドライヤ１０を示
しており、内部を気密状態に保った円筒状のチャンバ１
１内に回転体１２な設置している。
しており、内部を気密状態に保った円筒状のチャンバ１
１内に回転体１２な設置している。
この回転体１２は、モータ１３で代表される回転駆動部
によって高速軸転される回転軸１４と、この回転軸１４
の周囲に一体形成された液状のフレーム１５とからなり
、このフレーム１５内には複数枚の半導体ウェーハ１６
を同時に支持することができる。また、前記チャンバ１
１には真空引き装置としてのロータリポンプ１７に接続
される排気管１８を開設し、チャンバ１１内を数ｒｎＴ
ｏｒｒ（１〜１０ｍ’ｌ’ｏｒｒ） の真空状態に設
定できるようになっている。
によって高速軸転される回転軸１４と、この回転軸１４
の周囲に一体形成された液状のフレーム１５とからなり
、このフレーム１５内には複数枚の半導体ウェーハ１６
を同時に支持することができる。また、前記チャンバ１
１には真空引き装置としてのロータリポンプ１７に接続
される排気管１８を開設し、チャンバ１１内を数ｒｎＴ
ｏｒｒ（１〜１０ｍ’ｌ’ｏｒｒ） の真空状態に設
定できるようになっている。
このリンサ・ドライヤによれば、ロータリポンプ１７の
作用によってチャンバ１１内をｉｔｍＴｏｒｒに真空引
きするのと同時にモータ１３を駆動して回転体１２を高
速で回転すれば、フレーム１１内に支持されたウェーハ
１６はこれに伴なって高速回転され、表面に付着した水
滴（水分）が遠心力によって取り除かれる。そして、こ
れと同時にチャンバ１１内の真空状態によって水の沸点
が低下され、水は常温における気化作用が活発化される
ので、ウェーハ１６表面の微細凹凸内に存在して遠心力
が有効に作用しない水分の気化も促進される。この結果
、ウェーハ表面の水分を有効に取除いて完全な乾燥な達
成することができる。
作用によってチャンバ１１内をｉｔｍＴｏｒｒに真空引
きするのと同時にモータ１３を駆動して回転体１２を高
速で回転すれば、フレーム１１内に支持されたウェーハ
１６はこれに伴なって高速回転され、表面に付着した水
滴（水分）が遠心力によって取り除かれる。そして、こ
れと同時にチャンバ１１内の真空状態によって水の沸点
が低下され、水は常温における気化作用が活発化される
ので、ウェーハ１６表面の微細凹凸内に存在して遠心力
が有効に作用しない水分の気化も促進される。この結果
、ウェーハ表面の水分を有効に取除いて完全な乾燥な達
成することができる。
〔実施例２〕
第３図は本発明の第二実施例のリンサ・ドライヤ２０を
示しており、第２図の実施例と同一部分には同一符号を
付して説明は省略する。本実施例が特徴とするところは
、前例の構成に加えてチャンバ１１内の内壁に沿って赤
外ランプに代表される加熱装置２１を設けた点にある。
示しており、第２図の実施例と同一部分には同一符号を
付して説明は省略する。本実施例が特徴とするところは
、前例の構成に加えてチャンバ１１内の内壁に沿って赤
外ランプに代表される加熱装置２１を設けた点にある。
この加熱装置２１は前記回転体１２の周辺部、即ちフレ
ーム１５内のウェーハ１６に対向するように配設し、ウ
ェーハ１６を数１０〜１０００程度に加熱することがで
きる。
ーム１５内のウェーハ１６に対向するように配設し、ウ
ェーハ１６を数１０〜１０００程度に加熱することがで
きる。
この構成によれば、回転体１２０回転による遠心力の作
用と、ロータリポンプ１７の真空引作用とによって前例
のような乾燥を行なうのに加えて、加熱装置２１によっ
てウェーハ１６な加熱することにより、ウェーハ１６に
付着している水分も加熱さ扛でその気化が更に促進され
る。これにより。
用と、ロータリポンプ１７の真空引作用とによって前例
のような乾燥を行なうのに加えて、加熱装置２１によっ
てウェーハ１６な加熱することにより、ウェーハ１６に
付着している水分も加熱さ扛でその気化が更に促進され
る。これにより。
前例のリンサ・ドライヤよりも更に乾燥効果を向上する
ことができる。
ことができる。
〔実施例３〕
第４図のリンサ・ドライヤ２０Ａは前記第３図の一部を
改善したものであり、第３図のものに対応する部分には
添字を付した同一符号で示している。本例のものは、回
転体１２Ａ内に排気口２２な開設すると共に加熱装置２
１Ａを内装したものである。即ち５回転軸１４Ａを中空
に形成してこれに排気管１８Ａおよびロークリポンプ１
７Ａを従続する−１、フレーム１５Ａにヒータ（抵抗コ
イル）からなる加熱装置２１Ａを内装しているう本例に
よれば１回転体１２Ａが若干重くなると共に構造が若干
複雑になるが、チャンバ１１八等は第１図に示した従来
のものをそのまま利用することができる上に、加熱効率
が向上できると共にチャンバ内における空気流を対称に
してチャンバ内の温度分布、気圧状態を均一にでき、乾
燥ムラの発生な防止できろ。１３Ａはモータである。
改善したものであり、第３図のものに対応する部分には
添字を付した同一符号で示している。本例のものは、回
転体１２Ａ内に排気口２２な開設すると共に加熱装置２
１Ａを内装したものである。即ち５回転軸１４Ａを中空
に形成してこれに排気管１８Ａおよびロークリポンプ１
７Ａを従続する−１、フレーム１５Ａにヒータ（抵抗コ
イル）からなる加熱装置２１Ａを内装しているう本例に
よれば１回転体１２Ａが若干重くなると共に構造が若干
複雑になるが、チャンバ１１八等は第１図に示した従来
のものをそのまま利用することができる上に、加熱効率
が向上できると共にチャンバ内における空気流を対称に
してチャンバ内の温度分布、気圧状態を均一にでき、乾
燥ムラの発生な防止できろ。１３Ａはモータである。
＋１１ 回転体を内装したチャンバ内を真空にしてい
るので、回転体の回転に伴なう遠心力と真空による沸点
の低下によって水分の取除きと蒸発を促進でき、これに
より乾燥効果を高めることができる。
るので、回転体の回転に伴なう遠心力と真空による沸点
の低下によって水分の取除きと蒸発を促進でき、これに
より乾燥効果を高めることができる。
（２） チャンバ内に加熱装置な設けているので、水
分の気化な更に促進して乾燥な一層効果的なものとする
。
分の気化な更に促進して乾燥な一層効果的なものとする
。
（３） 半導体ウニーノ・の表面に付着した水分の乾
燥を効果的に行なうことができるので、人形ふくれ等の
問題が生じることはなく、半導体装置の信頼性を向上す
ることができる。
燥を効果的に行なうことができるので、人形ふくれ等の
問題が生じることはなく、半導体装置の信頼性を向上す
ることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例にもとづき
具体的に説明したが、本発明を工上記実施例に限定され
るものではすく、その要旨な逸脱しない範囲で柚々変更
可能であることは（・うまでもない。たとえば、チャン
ノ（の形状、加熱装置の自己段位置、回転体の構造等適
宜の変更は可能である。
具体的に説明したが、本発明を工上記実施例に限定され
るものではすく、その要旨な逸脱しない範囲で柚々変更
可能であることは（・うまでもない。たとえば、チャン
ノ（の形状、加熱装置の自己段位置、回転体の構造等適
宜の変更は可能である。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発明
をその背景となった利用分野である半導体ウニーノ・の
乾燥装置に適用した場合につり・て説明したが、それに
限定されるもので１エナ＜、たとえば治具や器具等の物
品の乾燥用にも適用できる。
をその背景となった利用分野である半導体ウニーノ・の
乾燥装置に適用した場合につり・て説明したが、それに
限定されるもので１エナ＜、たとえば治具や器具等の物
品の乾燥用にも適用できる。
第１図は提案されるリンサ・ドライヤの断面図。
第２図を１本発明の第一実施例のリンサ・ドライヤの断
面図、 第３図は第二実施例のリンサ・ドライヤの断面図、 第４図は第三実施例のリンサ・ドライヤの断面図である
。 １１ 、１． Ｉ Ａ・・・チャンバ、１２．１２Ａ・
・・回転体、１３，１３Ａ・・・回転駆動部（モータ）
、１４゜＃ １４Ａ・・・回転軸、１５．１
５Ａ・・・フレーム、１６・・・乾燥物（ウェーハ）、
１７．１７Ａ・・・真空引き装置（ロータリポンプ）、
２１，２１Ａ・・・加熱装置（赤外ランプ、ヒータ）。 １３ 第 ４ 図 ／／ρＡ
面図、 第３図は第二実施例のリンサ・ドライヤの断面図、 第４図は第三実施例のリンサ・ドライヤの断面図である
。 １１ 、１． Ｉ Ａ・・・チャンバ、１２．１２Ａ・
・・回転体、１３，１３Ａ・・・回転駆動部（モータ）
、１４゜＃ １４Ａ・・・回転軸、１５．１
５Ａ・・・フレーム、１６・・・乾燥物（ウェーハ）、
１７．１７Ａ・・・真空引き装置（ロータリポンプ）、
２１，２１Ａ・・・加熱装置（赤外ランプ、ヒータ）。 １３ 第 ４ 図 ／／ρＡ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １゜内部を気密に保ち得るチャンバと、このチャンバ内
に配置さね乾燥物品な支持して高速回転される回転体と
、前記チャンバ内を真空状態にする真空引き装置とを備
えることを特徴とするリンサ・ドライヤ。 ２、チャンバ内に加熱装置を備えてなる特許請求の範曲
第１項記載のリンサ・ドライヤ。 ３、加熱装置はチャンバ内壁に取着した赤外ランプであ
る特許請求の範囲第２項記載のリンサ・ドライヤ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3584583A JPS59161826A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | リンサ・ドライヤ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3584583A JPS59161826A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | リンサ・ドライヤ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59161826A true JPS59161826A (ja) | 1984-09-12 |
| JPH0468773B2 JPH0468773B2 (ja) | 1992-11-04 |
Family
ID=12453321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3584583A Granted JPS59161826A (ja) | 1983-03-07 | 1983-03-07 | リンサ・ドライヤ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59161826A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4960141A (en) * | 1987-10-05 | 1990-10-02 | Nukem Gmbh | Device for cleaning in particular of disc-shaped oxide substrates |
| EP0420555A2 (en) * | 1989-09-25 | 1991-04-03 | Ulrich M. Goesele | Method of bubble-free bonding of silicon wafers |
| US6823880B2 (en) * | 2001-04-25 | 2004-11-30 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | High pressure processing apparatus and high pressure processing method |
| WO2009021941A1 (fr) * | 2007-08-13 | 2009-02-19 | Alcatel Lucent | Procede de traitement d'un support de transport pour le convoyage et le stockage atmospherique de substrats semi-conducteurs, et station de traitement pour la mise en œuvre d'un tel procede |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5272464U (ja) * | 1975-11-26 | 1977-05-30 | ||
| JPS5831534A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-24 | Toshiba Corp | 半導体基体の乾燥装置 |
-
1983
- 1983-03-07 JP JP3584583A patent/JPS59161826A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5272464U (ja) * | 1975-11-26 | 1977-05-30 | ||
| JPS5831534A (ja) * | 1981-08-18 | 1983-02-24 | Toshiba Corp | 半導体基体の乾燥装置 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4960141A (en) * | 1987-10-05 | 1990-10-02 | Nukem Gmbh | Device for cleaning in particular of disc-shaped oxide substrates |
| EP0420555A2 (en) * | 1989-09-25 | 1991-04-03 | Ulrich M. Goesele | Method of bubble-free bonding of silicon wafers |
| EP0420555A3 (en) * | 1989-09-25 | 1992-01-15 | Ulrich M. Goesele | Method of bubble-free bonding of silicon wafers |
| US6823880B2 (en) * | 2001-04-25 | 2004-11-30 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | High pressure processing apparatus and high pressure processing method |
| US7252719B2 (en) | 2001-04-25 | 2007-08-07 | Kabushiki Kaisha Kobe Seiko Sho | High pressure processing method |
| WO2009021941A1 (fr) * | 2007-08-13 | 2009-02-19 | Alcatel Lucent | Procede de traitement d'un support de transport pour le convoyage et le stockage atmospherique de substrats semi-conducteurs, et station de traitement pour la mise en œuvre d'un tel procede |
| JP2010536185A (ja) * | 2007-08-13 | 2010-11-25 | アルカテル−ルーセント | 半導体基板の運搬および大気中保管のための輸送支持具を処理する方法、ならびにそのような方法を実施するための処理ステーション |
| KR101176715B1 (ko) * | 2007-08-13 | 2012-08-23 | 알까뗄 루슨트 | 반도체 기판의 대기 보관 및 운반을 위한 이송 지지부 처리 방법 및 이러한 방법의 실행을 위한 처리 스테이션 |
| US8898930B2 (en) | 2007-08-13 | 2014-12-02 | Alcatel Lucent | Method for treating a transport support for the conveyance and atmospheric storage of semiconductor substrates, and treatment station for the implementation of such a method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0468773B2 (ja) | 1992-11-04 |
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