JPH10199854A - ウエハ乾燥機構 - Google Patents
ウエハ乾燥機構Info
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- JPH10199854A JPH10199854A JP103197A JP103197A JPH10199854A JP H10199854 A JPH10199854 A JP H10199854A JP 103197 A JP103197 A JP 103197A JP 103197 A JP103197 A JP 103197A JP H10199854 A JPH10199854 A JP H10199854A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 洗浄後のウエハの乾燥にかかる時間を短縮す
るようにしたウエハスクラバを提供する。 【解決手段】 ウエハスクラバは、ウエハ乾燥機構２２
と、ウエハ乾燥機構２２に保持されたウエハ２１を洗浄
する洗浄機構とを備えている。ウエハ乾燥機構２２は、
ウエハ保持板２３と、回転軸１８を有してウエハ保持板
２３を回転させる回転機構と、ウエハ保持板２３に設け
られたウエハ加熱手段とを備えている。ウエハ加熱手段
は、ウエハ保持板２３の内部の空洞２４と、空洞２４内
に設けられたランプ式ヒータ２６と、回転軸を軸方向に
貫通し、空洞２４を介してウエハ保持板２３のウエハ保
持面１４に連通するガス流路２８とを有する。これによ
り、ウエハ洗浄後、ウエハ乾燥機構２２を高速回転させ
て水切りをしつつ、加熱された気体をウエハ２１の下面
に吹き付け、ウエハ２１に形成された吸湿性の膜２０中
に含まれている水分を全て蒸発させることができる。
るようにしたウエハスクラバを提供する。 【解決手段】 ウエハスクラバは、ウエハ乾燥機構２２
と、ウエハ乾燥機構２２に保持されたウエハ２１を洗浄
する洗浄機構とを備えている。ウエハ乾燥機構２２は、
ウエハ保持板２３と、回転軸１８を有してウエハ保持板
２３を回転させる回転機構と、ウエハ保持板２３に設け
られたウエハ加熱手段とを備えている。ウエハ加熱手段
は、ウエハ保持板２３の内部の空洞２４と、空洞２４内
に設けられたランプ式ヒータ２６と、回転軸を軸方向に
貫通し、空洞２４を介してウエハ保持板２３のウエハ保
持面１４に連通するガス流路２８とを有する。これによ
り、ウエハ洗浄後、ウエハ乾燥機構２２を高速回転させ
て水切りをしつつ、加熱された気体をウエハ２１の下面
に吹き付け、ウエハ２１に形成された吸湿性の膜２０中
に含まれている水分を全て蒸発させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウエハ乾燥機構に
関し、更に詳しくは、吸湿性の膜が形成されたウエハに
最適で、ウエハの乾燥にかかる時間を短縮するようにし
たウエハ乾燥機構に関するものである。
関し、更に詳しくは、吸湿性の膜が形成されたウエハに
最適で、ウエハの乾燥にかかる時間を短縮するようにし
たウエハ乾燥機構に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の製造に用いるウエハは、化
学機械研磨等の処理を施した後、洗浄水で洗浄してい
る。一方、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法や
ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法により成膜す
る際、ウエハが水分を含でいると、成膜時に水蒸気とな
ってウエハ面から放出され、増殖酸化やＥＭ耐性低下が
生じ、膜質が低下する。このため、洗浄後に成膜する場
合、ウエハを高速回転させて水を振り切るスピン法によ
りウエハを乾燥させていることが多い。図３は、スピン
法を行う従来のウエハ乾燥機構を示す側面断面図であ
る。
学機械研磨等の処理を施した後、洗浄水で洗浄してい
る。一方、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法や
ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）法により成膜す
る際、ウエハが水分を含でいると、成膜時に水蒸気とな
ってウエハ面から放出され、増殖酸化やＥＭ耐性低下が
生じ、膜質が低下する。このため、洗浄後に成膜する場
合、ウエハを高速回転させて水を振り切るスピン法によ
りウエハを乾燥させていることが多い。図３は、スピン
法を行う従来のウエハ乾燥機構を示す側面断面図であ
る。
【０００３】従来のウエハ乾燥機構１２は、ウエハ保持
面１４を一方の面に有するターンテーブル状のウエハ保
持板１６と、ウエハ保持板１６の他方の面から垂直に伸
びる回転軸１８を有してウエハ保持板１６を回転させる
回転機構１８と、ウエハ周縁部を押さえてウエハ保持面
１４上にウエハを保持するウエハクランプ１９とを備え
ている。
面１４を一方の面に有するターンテーブル状のウエハ保
持板１６と、ウエハ保持板１６の他方の面から垂直に伸
びる回転軸１８を有してウエハ保持板１６を回転させる
回転機構１８と、ウエハ周縁部を押さえてウエハ保持面
１４上にウエハを保持するウエハクランプ１９とを備え
ている。
【０００４】ウエハを保持して洗浄し、次いで、ウエハ
を乾燥させる従来のウエハスクラバは、上記のウエハ乾
燥機構１２と、ウエハ乾燥機構１２に保持されたウエハ
を高圧ＪＥＴ流水及びブラシスクライブにより洗浄する
洗浄機構（図示せず）とを備えている。ウエハスクラバ
でウエハを洗浄、乾燥するには、ウエハ洗浄面を外向け
にしてウエハ乾燥機構１２でウエハを保持し、洗浄機構
によりウエハ洗浄面を洗浄し、次いで、ウエハ乾燥機構
１２を高速回転してウエハを乾燥させる。
を乾燥させる従来のウエハスクラバは、上記のウエハ乾
燥機構１２と、ウエハ乾燥機構１２に保持されたウエハ
を高圧ＪＥＴ流水及びブラシスクライブにより洗浄する
洗浄機構（図示せず）とを備えている。ウエハスクラバ
でウエハを洗浄、乾燥するには、ウエハ洗浄面を外向け
にしてウエハ乾燥機構１２でウエハを保持し、洗浄機構
によりウエハ洗浄面を洗浄し、次いで、ウエハ乾燥機構
１２を高速回転してウエハを乾燥させる。
【０００５】尚、スピン法として、ウエハスクラバ以外
に、洗浄された数十枚のウエハをキャリアに保持し、そ
のキャリアを回転してウエハを乾燥させるスピンドライ
ヤを用いる方法もあり、また、スピン法以外に、洗浄さ
れたウエハをＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気に
接触させて乾燥させるアルコール蒸気乾燥機構を用い、
洗浄後のウエハを乾燥させる方法もある。
に、洗浄された数十枚のウエハをキャリアに保持し、そ
のキャリアを回転してウエハを乾燥させるスピンドライ
ヤを用いる方法もあり、また、スピン法以外に、洗浄さ
れたウエハをＩＰＡ（イソプロピルアルコール）蒸気に
接触させて乾燥させるアルコール蒸気乾燥機構を用い、
洗浄後のウエハを乾燥させる方法もある。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、吸湿性の膜
２０がウエハ２１の洗浄面に形成されている場合、従来
のウエハスクラバでは、ウエハ乾燥機構１２の高速回転
のみで洗浄中に膜２０に吸水された水分を充分に除去す
ることはできない。この対策として、高速回転による乾
燥を行い、次いで、成膜する前にウエハを加熱している
（以後、加熱工程と言う）。スピンドライヤやアルコー
ル蒸気乾燥機構でも、加熱工程を同様に行っている。こ
の加熱工程を省くことができれば、乾燥にかかる時間が
短縮される。以上のような事情に照らして、本発明の目
的は、洗浄後のウエハの乾燥を短時間で確実に行うこと
ができるようにしたウエハ乾燥機構を提供することであ
る。
２０がウエハ２１の洗浄面に形成されている場合、従来
のウエハスクラバでは、ウエハ乾燥機構１２の高速回転
のみで洗浄中に膜２０に吸水された水分を充分に除去す
ることはできない。この対策として、高速回転による乾
燥を行い、次いで、成膜する前にウエハを加熱している
（以後、加熱工程と言う）。スピンドライヤやアルコー
ル蒸気乾燥機構でも、加熱工程を同様に行っている。こ
の加熱工程を省くことができれば、乾燥にかかる時間が
短縮される。以上のような事情に照らして、本発明の目
的は、洗浄後のウエハの乾燥を短時間で確実に行うこと
ができるようにしたウエハ乾燥機構を提供することであ
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明に係るウエハ乾燥機構（以下、第１発明と言
う）は、ウエハ保持面を一方の面に有するターンテーブ
ル状のウエハ保持板と、ウエハ保持板の他方の面から垂
直に伸びる回転軸を有してウエハ保持板を回転させる回
転機構と、ウエハ保持板に設けられた、ウエハを加熱す
る加熱手段とを備えていることを特徴としている。第１
発明により、ウエハの乾燥にかかる時間を従来に比べて
大幅に短縮することができる。
に、本発明に係るウエハ乾燥機構（以下、第１発明と言
う）は、ウエハ保持面を一方の面に有するターンテーブ
ル状のウエハ保持板と、ウエハ保持板の他方の面から垂
直に伸びる回転軸を有してウエハ保持板を回転させる回
転機構と、ウエハ保持板に設けられた、ウエハを加熱す
る加熱手段とを備えていることを特徴としている。第１
発明により、ウエハの乾燥にかかる時間を従来に比べて
大幅に短縮することができる。
【０００８】加熱手段の一例としては、ウエハ保持板が
熱伝導率の高い材料で形成され、かつウエハ保持板に発
熱体が埋設されている。発熱体は、例えば、電流を流す
ことにより発熱する抵抗線や、ランプ式のヒータであ
る。本例により、熱伝導によりウエハを加熱して、ウエ
ハに形成された吸湿性の膜に含まれている水分を全て蒸
発させることができるので、加熱工程を省くことができ
る。加熱手段の別の一例としては、加熱手段は、ウエハ
保持板のウエハ保持面に開口を有するように形成された
溝と、溝内に設けられた発熱体とを備えている。これに
より、ウエハ保持面に保持されたウエハに対して熱を放
射して加熱し、同様の作用、効果を得ることができる。
その際、上述の熱伝導を利用してもよい。
熱伝導率の高い材料で形成され、かつウエハ保持板に発
熱体が埋設されている。発熱体は、例えば、電流を流す
ことにより発熱する抵抗線や、ランプ式のヒータであ
る。本例により、熱伝導によりウエハを加熱して、ウエ
ハに形成された吸湿性の膜に含まれている水分を全て蒸
発させることができるので、加熱工程を省くことができ
る。加熱手段の別の一例としては、加熱手段は、ウエハ
保持板のウエハ保持面に開口を有するように形成された
溝と、溝内に設けられた発熱体とを備えている。これに
より、ウエハ保持面に保持されたウエハに対して熱を放
射して加熱し、同様の作用、効果を得ることができる。
その際、上述の熱伝導を利用してもよい。
【０００９】加熱手段の更に別の一例としては、加熱手
段が、ウエハ保持板の内部に形成された空洞と、空洞内
に設けられた発熱体と、回転軸を軸方向に貫通し、空洞
を介してウエハ保持面に連通するように形成されたガス
流路とを備えている。これにより、ガス流路に導入され
た気体、例えばＡｒガス等の不活性ガスを発熱体で加熱
し、ウエハ下面に吹き付けて熱伝達によりウエハを加熱
し、同様の作用、効果を得ることができる。
段が、ウエハ保持板の内部に形成された空洞と、空洞内
に設けられた発熱体と、回転軸を軸方向に貫通し、空洞
を介してウエハ保持面に連通するように形成されたガス
流路とを備えている。これにより、ガス流路に導入され
た気体、例えばＡｒガス等の不活性ガスを発熱体で加熱
し、ウエハ下面に吹き付けて熱伝達によりウエハを加熱
し、同様の作用、効果を得ることができる。
【００１０】また、本発明に係るウエハスクラバ（以
下、第２発明と言う）は、第１発明のウエハ乾燥機構
と、ウエハ保持板に保持されたウエハを洗浄する洗浄機
構とを備えている。これにより、洗浄機構でウエハを洗
浄し、次いで、ウエハ保持板を高速回転しつつ加熱手段
によりウエハを加熱して乾燥することができ、第１発明
と同様の効果が得られる。
下、第２発明と言う）は、第１発明のウエハ乾燥機構
と、ウエハ保持板に保持されたウエハを洗浄する洗浄機
構とを備えている。これにより、洗浄機構でウエハを洗
浄し、次いで、ウエハ保持板を高速回転しつつ加熱手段
によりウエハを加熱して乾燥することができ、第１発明
と同様の効果が得られる。
【００１１】また、本発明に係るウエハ乾燥装置（以
下、第３発明と言う）は、第１発明のウエハ乾燥機構
と、ウエハをアルコール蒸気に接触させて乾燥するアル
コール蒸気乾燥機構とを備えている。これにより、アル
コール蒸気乾燥機構によりウエハを乾燥させ、次いで、
ウエハ乾燥機構によりウエハを更に乾燥することがで
き、第１発明と同様の効果が得られる。
下、第３発明と言う）は、第１発明のウエハ乾燥機構
と、ウエハをアルコール蒸気に接触させて乾燥するアル
コール蒸気乾燥機構とを備えている。これにより、アル
コール蒸気乾燥機構によりウエハを乾燥させ、次いで、
ウエハ乾燥機構によりウエハを更に乾燥することがで
き、第１発明と同様の効果が得られる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に、実施例を挙げ、添付図面
を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつより詳細
に説明する。実施例１ 本実施例は、第１発明の実施例である。図１は、本実施
例ウエハ乾燥機構の側面断面図である。本実施例のウエ
ハ乾燥機構は、従来のウエハ乾燥機構１２のウエハ保持
板１６に、ウエハを加熱する加熱手段を更に設けたもの
である。尚、図２では、図１と同じ部位には同じ符号を
付してその説明を省略する。
を参照して、本発明の実施の形態を具体的かつより詳細
に説明する。実施例１ 本実施例は、第１発明の実施例である。図１は、本実施
例ウエハ乾燥機構の側面断面図である。本実施例のウエ
ハ乾燥機構は、従来のウエハ乾燥機構１２のウエハ保持
板１６に、ウエハを加熱する加熱手段を更に設けたもの
である。尚、図２では、図１と同じ部位には同じ符号を
付してその説明を省略する。
【００１３】加熱手段は、本実施例のウエハ乾燥機構２
２のウエハ保持板２３内部に形成された空洞２４と、発
熱体として空洞２４内に設けられたランプ式のヒータ２
６と、回転軸１８を軸方向に貫通し、空洞２４を介して
ウエハ保持面１４に連通するように形成されたガス流路
２８とを備えている。ウエハ保持面１４の中央には、ガ
ス流路２８に連通する熱伝達用空間領域３０が形成され
ている。熱伝達用空間領域３０は、深さが浅く、保持す
るウエハの径よりもやや小さい径の円盤状の空間領域
で、ウエハ保持時には全領域にわたりウエハに覆われる
ように形成されている。
２のウエハ保持板２３内部に形成された空洞２４と、発
熱体として空洞２４内に設けられたランプ式のヒータ２
６と、回転軸１８を軸方向に貫通し、空洞２４を介して
ウエハ保持面１４に連通するように形成されたガス流路
２８とを備えている。ウエハ保持面１４の中央には、ガ
ス流路２８に連通する熱伝達用空間領域３０が形成され
ている。熱伝達用空間領域３０は、深さが浅く、保持す
るウエハの径よりもやや小さい径の円盤状の空間領域
で、ウエハ保持時には全領域にわたりウエハに覆われる
ように形成されている。
【００１４】本実施例のウエハ乾燥機構２２を用い、吸
湿性の膜２０が形成されているウエハ２１を乾燥させる
には、ウエハ２１をウエハ乾燥機構２２に保持し、次い
で、ウエハ乾燥機構２２を高速回転させつつ、ヒータ２
６を発熱させ、ガス流路２８にＡｒガスを送給する。こ
の結果、図２に示すように、ヒータ２６で加熱された高
温のＡｒガスが、熱伝達用空間領域３０に流入してウエ
ハ２１を下面から加熱しつつ、ウエハ２１の下面周縁か
ら流出する。
湿性の膜２０が形成されているウエハ２１を乾燥させる
には、ウエハ２１をウエハ乾燥機構２２に保持し、次い
で、ウエハ乾燥機構２２を高速回転させつつ、ヒータ２
６を発熱させ、ガス流路２８にＡｒガスを送給する。こ
の結果、図２に示すように、ヒータ２６で加熱された高
温のＡｒガスが、熱伝達用空間領域３０に流入してウエ
ハ２１を下面から加熱しつつ、ウエハ２１の下面周縁か
ら流出する。
【００１５】これにより、ウエハ２１の膜２０に吸水さ
れている水分を全て蒸発させることができ、この後、加
熱工程を行うことなく膜２０上に成膜することができ
る。
れている水分を全て蒸発させることができ、この後、加
熱工程を行うことなく膜２０上に成膜することができ
る。
【００１６】実施例２ 本実施例は、第２発明の実施例である。本実施例のウエ
ハスクラバは、従来のウエハスクラバで、ウエハ乾燥機
構１２に代えて実施例１のウエハ乾燥機構２２を備えた
ものである。本実施例のウエハスクラバを用い、吸湿性
の膜が形成されているウエハ２１を洗浄、乾燥するに
は、先ず、従来と同様にして、ウエハ２１の洗浄面、す
なわち吸湿性の膜が形成されている面を外向けにしてウ
エハ乾燥機構２２に保持し、洗浄機構によりウエハ洗浄
面を洗浄する、次いで、ウエハ乾燥機構２２を高速回転
させて水切りを行い、これと併行して、ヒータ２６を発
熱させて２００℃〜４００℃にし、ガス流路２８にＡｒ
ガスを送給すると、実施例１と同様、ヒータ２６で加熱
された高温のＡｒガスが、熱伝達用空間領域３０に流入
してウエハ２１を下面から加熱しつつ、ウエハ２１の下
面周縁から流出する。
ハスクラバは、従来のウエハスクラバで、ウエハ乾燥機
構１２に代えて実施例１のウエハ乾燥機構２２を備えた
ものである。本実施例のウエハスクラバを用い、吸湿性
の膜が形成されているウエハ２１を洗浄、乾燥するに
は、先ず、従来と同様にして、ウエハ２１の洗浄面、す
なわち吸湿性の膜が形成されている面を外向けにしてウ
エハ乾燥機構２２に保持し、洗浄機構によりウエハ洗浄
面を洗浄する、次いで、ウエハ乾燥機構２２を高速回転
させて水切りを行い、これと併行して、ヒータ２６を発
熱させて２００℃〜４００℃にし、ガス流路２８にＡｒ
ガスを送給すると、実施例１と同様、ヒータ２６で加熱
された高温のＡｒガスが、熱伝達用空間領域３０に流入
してウエハ２１を下面から加熱しつつ、ウエハ２１の下
面周縁から流出する。
【００１７】これにより、水切りと併行して、膜２０に
吸水されている水分を全て蒸発させることができ、この
後、加熱工程を行うことなく膜２０上に成膜することが
できる。
吸水されている水分を全て蒸発させることができ、この
後、加熱工程を行うことなく膜２０上に成膜することが
できる。
【００１８】実施例３ 本実施例は、第３発明の実施例である。本実施例のウエ
ハ乾燥装置は、ウエハをアルコール蒸気に接触させて乾
燥させる従来のアルコール蒸気乾燥機構と、実施例１の
ウエハ乾燥機構２２とを備えている。本実施例のウエハ
乾燥装置を用いることにより、実施例１と同様、ウエハ
２１の膜２０に吸水されている水分を全て蒸発させるこ
とができる。よって、この後、加熱工程を行うことなく
膜２０上に成膜することができる。尚、スピンドライヤ
に第１発明のウエハ乾燥機構２２を備えると、本実施例
と同様の作用、効果を得ることができる。
ハ乾燥装置は、ウエハをアルコール蒸気に接触させて乾
燥させる従来のアルコール蒸気乾燥機構と、実施例１の
ウエハ乾燥機構２２とを備えている。本実施例のウエハ
乾燥装置を用いることにより、実施例１と同様、ウエハ
２１の膜２０に吸水されている水分を全て蒸発させるこ
とができる。よって、この後、加熱工程を行うことなく
膜２０上に成膜することができる。尚、スピンドライヤ
に第１発明のウエハ乾燥機構２２を備えると、本実施例
と同様の作用、効果を得ることができる。
【００１９】
【発明の効果】本発明の第１発明によれば、ウエハ乾燥
機構は、ウエハ保持面を有するターンテーブル状のウエ
ハ保持板と、ウエハ保持板を回転させる回転機構と、ウ
エハ保持板に設けられたウエハ加熱手段とを備えてい
る。これにより、ウエハは洗浄された後、高速回転によ
り水切りされつつ、ウエハ保持面上で加熱され、ウエハ
に形成された吸湿性の膜中に含まれている水分は全て蒸
発する。よって、この後、加熱工程を行うことなくＣＶ
Ｄ法やＰＶＤ法によりウエハの膜上に成膜することがで
きるので、ウエハの乾燥にかかる時間を従来に比べて大
幅に短縮することができる。
機構は、ウエハ保持面を有するターンテーブル状のウエ
ハ保持板と、ウエハ保持板を回転させる回転機構と、ウ
エハ保持板に設けられたウエハ加熱手段とを備えてい
る。これにより、ウエハは洗浄された後、高速回転によ
り水切りされつつ、ウエハ保持面上で加熱され、ウエハ
に形成された吸湿性の膜中に含まれている水分は全て蒸
発する。よって、この後、加熱工程を行うことなくＣＶ
Ｄ法やＰＶＤ法によりウエハの膜上に成膜することがで
きるので、ウエハの乾燥にかかる時間を従来に比べて大
幅に短縮することができる。
【００２０】本発明の第２発明によれば、ウエハスクラ
バは、第１発明のウエハ乾燥機構と、ウエハ保持板に保
持されたウエハを洗浄する洗浄機構とを備えている。こ
れにより、洗浄機構でウエハを洗浄し、次いで、ウエハ
保持板を高速回転しつつ加熱手段によりウエハを加熱し
て乾燥することができ、第１発明と同様の効果を得るこ
とができる。
バは、第１発明のウエハ乾燥機構と、ウエハ保持板に保
持されたウエハを洗浄する洗浄機構とを備えている。こ
れにより、洗浄機構でウエハを洗浄し、次いで、ウエハ
保持板を高速回転しつつ加熱手段によりウエハを加熱し
て乾燥することができ、第１発明と同様の効果を得るこ
とができる。
【００２１】また、本発明の第３発明によれば、第１発
明のウエハ乾燥機構と、ウエハをアルコール蒸気に接触
させて乾燥するアルコール蒸気乾燥機構とを備えてい
る。これにより、アルコール蒸気乾燥機構によりウエハ
を乾燥させ、次いで、ウエハ乾燥機構によりウエハを更
に乾燥することができ、第１発明と同様の効果を得るこ
とができる。
明のウエハ乾燥機構と、ウエハをアルコール蒸気に接触
させて乾燥するアルコール蒸気乾燥機構とを備えてい
る。これにより、アルコール蒸気乾燥機構によりウエハ
を乾燥させ、次いで、ウエハ乾燥機構によりウエハを更
に乾燥することができ、第１発明と同様の効果を得るこ
とができる。
【図１】実施例１のウエハ乾燥機構の側面断面図であ
る。
る。
【図２】実施例１でウエハを加熱することを示すウエハ
乾燥機構の側面断面図である。
乾燥機構の側面断面図である。
【図３】従来のウエハ乾燥機構の側面断面図である。
１２……ウエハ乾燥機構、１４……ウエハ保持面、１６
……ウエハ保持板、１８……回転軸、１９……ウエハク
ランプ、２０……膜、２１……ウエハ、２２……ウエハ
乾燥機構、２３……ウエハ保持板、２４……空洞、２６
……ヒータ、２８……ガス流路、３０……熱伝達用空間
領域。
……ウエハ保持板、１８……回転軸、１９……ウエハク
ランプ、２０……膜、２１……ウエハ、２２……ウエハ
乾燥機構、２３……ウエハ保持板、２４……空洞、２６
……ヒータ、２８……ガス流路、３０……熱伝達用空間
領域。
Claims (6)
- 【請求項１】 ウエハ保持面を一方の面に有するターン
テーブル状のウエハ保持板と、 ウエハ保持板の他方の面から垂直に伸びる回転軸を有し
てウエハ保持板を回転させる回転機構と、 ウエハ保持板に設けられた、ウエハを加熱する加熱手段
とを備えていることを特徴とするウエハ乾燥機構。 - 【請求項２】 ウエハ保持板が熱伝導率の高い材料で形
成され、かつ加熱手段がウエハ保持板に埋設された発熱
体であることを特徴とする請求項１に記載のウエハ乾燥
機構。 - 【請求項３】 加熱手段は、ウエハ保持板のウエハ保持
面に開口を有するように形成された溝と、溝内に設けら
れた発熱体とを備え、 ウエハ保持面に保持されたウエハに対して熱を放射して
加熱するようにしたことを特徴とする請求項１に記載の
ウエハ乾燥機構。 - 【請求項４】 加熱手段が、ウエハ保持板の内部に形成
された空洞と、空洞内に設けられた発熱体と、回転軸を
軸方向に貫通し、空洞を介してウエハ保持面に連通する
ように形成されたガス流路とを備え、 ガス流路に導入された気体を発熱体で加熱してウエハ下
面に吹き付けるようにしたことを特徴とする請求項１に
記載のウエハ乾燥機構。 - 【請求項５】 請求項１から４のうちの何れか一項に記
載のウエハ乾燥機構と、ウエハ保持板に保持されたウエ
ハを洗浄する洗浄機構とを備え、 洗浄機構でウエハを洗浄し、次いで、ウエハ保持板を高
速回転しつつ加熱手段によりウエハを加熱して乾燥する
ようにしたことを特徴とするウエハスクラバ。 - 【請求項６】 請求項１から４のうちの何れか一項に記
載のウエハ乾燥機構と、ウエハをアルコール蒸気に接触
させて乾燥するアルコール蒸気乾燥機構とを備え、 アルコール蒸気乾燥機構によりウエハを乾燥させ、次い
で、ウエハ乾燥機構によりウエハを更に乾燥するように
したことを特徴とするウエハ乾燥装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP103197A JPH10199854A (ja) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | ウエハ乾燥機構 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP103197A JPH10199854A (ja) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | ウエハ乾燥機構 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10199854A true JPH10199854A (ja) | 1998-07-31 |
Family
ID=11490207
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP103197A Pending JPH10199854A (ja) | 1997-01-08 | 1997-01-08 | ウエハ乾燥機構 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10199854A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100814448B1 (ko) * | 2003-12-12 | 2008-03-17 | 한미반도체 주식회사 | 반도체 패키지 건조시스템 |
| JP2010050143A (ja) * | 2008-08-19 | 2010-03-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| WO2014156628A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置 |
-
1997
- 1997-01-08 JP JP103197A patent/JPH10199854A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100814448B1 (ko) * | 2003-12-12 | 2008-03-17 | 한미반도체 주식회사 | 반도체 패키지 건조시스템 |
| JP2010050143A (ja) * | 2008-08-19 | 2010-03-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| WO2014156628A1 (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-02 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置 |
| JP2014209548A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-11-06 | ウシオ電機株式会社 | 光照射装置 |
| KR20150122723A (ko) * | 2013-03-28 | 2015-11-02 | 우시오덴키 가부시키가이샤 | 광조사 장치 |
| US9678428B2 (en) | 2013-03-28 | 2017-06-13 | Ushio Denki Kabushiki Kaisha | Light irradiating appatarus |
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