JPS5850740A - 半導体処理装置 - Google Patents
半導体処理装置Info
- Publication number
- JPS5850740A JPS5850740A JP14790181A JP14790181A JPS5850740A JP S5850740 A JPS5850740 A JP S5850740A JP 14790181 A JP14790181 A JP 14790181A JP 14790181 A JP14790181 A JP 14790181A JP S5850740 A JPS5850740 A JP S5850740A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- drying
- guide
- intermediate guide
- pusher
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
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- Power Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体処理装置に関する。
従来、半導体製品の製造工程において半導体基板（ウェ
ハ）を洗浄して乾燥する場合、良好な品質を得るために
イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の蒸気を用いて乾燥
を行う方法が用いられている。
ハ）を洗浄して乾燥する場合、良好な品質を得るために
イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）の蒸気を用いて乾燥
を行う方法が用いられている。
ところが、従来はウェハをカートリッジに収納してカー
トリッジ単位でパッチ式＆ＣＩ＆理するものであるので
、装置が大ｆｊ１になるという欠点があった。また、イ
ソプロピルアルコールは引火性ガスであるので、集中排
気を行う必要があるが、装置が大きいために必要排気量
も多く、コストが高い上に、引火の危険性も完全に排除
されてはいなかった。さらに、従来は前記したようにカ
ー、トリッジ単位のパッチ処理であるので、場所によっ
て乾燥にばらつきが生じるという欠点もあった。
トリッジ単位でパッチ式＆ＣＩ＆理するものであるので
、装置が大ｆｊ１になるという欠点があった。また、イ
ソプロピルアルコールは引火性ガスであるので、集中排
気を行う必要があるが、装置が大きいために必要排気量
も多く、コストが高い上に、引火の危険性も完全に排除
されてはいなかった。さらに、従来は前記したようにカ
ー、トリッジ単位のパッチ処理であるので、場所によっ
て乾燥にばらつきが生じるという欠点もあった。
本発明の目的は、前記従来技術の欠点を解消し、コンパ
クトな装置で均一な乾燥を行うことができ、必要□排気
量や引火の危険性の少い半導体処理装置を提供すること
Ｋある。
クトな装置で均一な乾燥を行うことができ、必要□排気
量や引火の危険性の少い半導体処理装置を提供すること
Ｋある。
この目的を達成するため、本発明による半導体処理装置
は、ウェハな１枚ずつ処理することＫより均一な乾燥を
自動的に行うようにしたものである。
は、ウェハな１枚ずつ処理することＫより均一な乾燥を
自動的に行うようにしたものである。
以下、本発明を図面に示す実施例にしたがって詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明による半導体処理装置の一実施例を示す
平面図、第２図はその半断面図である。
平面図、第２図はその半断面図である。
本実施例において、符号１はウェハ２・を洗浄する水洗
槽（処理槽）であり、ウェハ２は誼水洗槽１の□中をプ
ッシャー３により搬送されている間に水洗処理される。
槽（処理槽）であり、ウェハ２は誼水洗槽１の□中をプ
ッシャー３により搬送されている間に水洗処理される。
水洗槽１の下流側には、移換中間ガイド４が設けられ、
該移換中間ガイド４は水洗槽１から送られて来たウェハ
２を円形の乾燥槽５の中に搬入する。そのため、移換中
間ガイド４はその回転軸の回りに水平位置から喬、直位
置まで矢印方向に９０度回転可能であり、ウェハ２を受
は止める開閉可能な２本のストッパ６を有している。
該移換中間ガイド４は水洗槽１から送られて来たウェハ
２を円形の乾燥槽５の中に搬入する。そのため、移換中
間ガイド４はその回転軸の回りに水平位置から喬、直位
置まで矢印方向に９０度回転可能であり、ウェハ２を受
は止める開閉可能な２本のストッパ６を有している。
前記移換中間ガイド４の下方の位置における乾燥槽５の
蓋７にはウェハ２用の出入口８が形成され、ウェハ２は
この出入口８を通って乾燥槽５の乾燥室９の中に搬入さ
れる。そのため、移換中間ガイド４０側方には、出入口
８を買通して延びるＬ字状の石英製のプッシャー１０が
位置し、このプッシャー１０は垂直状態に回転した移換
中間ガイド４からウェハ２を乾燥室９内の各ウェハホル
ダｌｌｋ受は渡す。ウェハホルダ１１は乾燥ｉ！９内に
ウェハ２を保持するため乾燥槽５の円周方向に多数配設
され、図示しない回転モータにより反時計方向に回転す
る。
蓋７にはウェハ２用の出入口８が形成され、ウェハ２は
この出入口８を通って乾燥槽５の乾燥室９の中に搬入さ
れる。そのため、移換中間ガイド４０側方には、出入口
８を買通して延びるＬ字状の石英製のプッシャー１０が
位置し、このプッシャー１０は垂直状態に回転した移換
中間ガイド４からウェハ２を乾燥室９内の各ウェハホル
ダｌｌｋ受は渡す。ウェハホルダ１１は乾燥ｉ！９内に
ウェハ２を保持するため乾燥槽５の円周方向に多数配設
され、図示しない回転モータにより反時計方向に回転す
る。
乾燥室９の底部には、たとえばインプロピ尤アルコール
のような乾燥用の処理液１ｉが収容され、この処理液１
２は、外側に断熱材１４をｉけた石英製の加熱部１３に
より加勢される。
のような乾燥用の処理液１ｉが収容され、この処理液１
２は、外側に断熱材１４をｉけた石英製の加熱部１３に
より加勢される。
前記移換中間ガイド４とは乾燥槽５の直径方向反対側の
位置には、乾燥室９内で乾燥されかつウェハホルダ１１
の回転で矢印方向に送られ【来たウェハ２を乾燥槽５か
ら搬出する移換中間ガイド１６が設けられ、また蓋７に
はウェハ２の搬出用の出入口１７が形成されている。移
換中間ガイド１６は前記移換中間ガイド４と実質的に円
周方向に対称であり、２本の開閉可・能なストッパ１８
およびウェハ受渡し用のプッシャー１９を有している。
位置には、乾燥室９内で乾燥されかつウェハホルダ１１
の回転で矢印方向に送られ【来たウェハ２を乾燥槽５か
ら搬出する移換中間ガイド１６が設けられ、また蓋７に
はウェハ２の搬出用の出入口１７が形成されている。移
換中間ガイド１６は前記移換中間ガイド４と実質的に円
周方向に対称であり、２本の開閉可・能なストッパ１８
およびウェハ受渡し用のプッシャー１９を有している。
移換中間ガイド１６の下流側には、移換中間ガイド１６
から送られたウェハ２を次工程に案内するためのガイド
２０が設けられている。
から送られたウェハ２を次工程に案内するためのガイド
２０が設けられている。
次Ｋ、本実施例の作用について説明する。まず、処理さ
れるウェハ２はプッシャー３により水洗槽ｌの中を搬送
される間に洗浄され、水平位置にある移換中間ガイド４
に送られる。移換中間ガイド４に送られたウェハ２はス
トッパ６で受は止められ、その後移換中間ガイド４が回
転軸回りに矢印方向に９０度回転することに゛より垂直
状態になる。
れるウェハ２はプッシャー３により水洗槽ｌの中を搬送
される間に洗浄され、水平位置にある移換中間ガイド４
に送られる。移換中間ガイド４に送られたウェハ２はス
トッパ６で受は止められ、その後移換中間ガイド４が回
転軸回りに矢印方向に９０度回転することに゛より垂直
状態になる。
この状態でウェハ２の゛下側をプッシャー１０で支持し
てストッパ６を開くと、ウェハ２はプッシャー１０に受
は渡され、その後プッシャー１０が下降することにより
、ウェハ２はプッシャー１０からウェハホルダ１１に受
は渡され、乾燥槽５のドーナツ状乾燥室９の中に保持さ
れる。
てストッパ６を開くと、ウェハ２はプッシャー１０に受
は渡され、その後プッシャー１０が下降することにより
、ウェハ２はプッシャー１０からウェハホルダ１１に受
は渡され、乾燥槽５のドーナツ状乾燥室９の中に保持さ
れる。
この状態では、乾燥室、９内の処理液１２は加熱部１３
により加熱されて蒸気となり、乾燥室９内は乾燥雰囲気
となっているので、ウェハ２は図牟しな（＝回転モータ
でウェハホルダ１１と共に乾燥室９内を反時計方向に一
鼾される−っれて乾燥、される。
により加熱されて蒸気となり、乾燥室９内は乾燥雰囲気
となっているので、ウェハ２は図牟しな（＝回転モータ
でウェハホルダ１１と共に乾燥室９内を反時計方向に一
鼾される−っれて乾燥、される。
ウェハホルダ１１が反時計方向に約１８０度回転される
と、ウェハ２は別の！換中間ガイド１６の下方位装置に
移動し、前記移換中間ガイド４の動作とは逆の手順で該
移換中間ガイド１６上に搬出される。その後、ウェハ２
は移換中間ガイド１６からガイド２０で案内されながら
次工程に送られる。
と、ウェハ２は別の！換中間ガイド１６の下方位装置に
移動し、前記移換中間ガイド４の動作とは逆の手順で該
移換中間ガイド１６上に搬出される。その後、ウェハ２
は移換中間ガイド１６からガイド２０で案内されながら
次工程に送られる。
本実施例によれば、ウェハ２の搬出入！１１枚ずつ行わ
れ、各ウェハ２は同一の乾燥処理を受けるので、極めて
均一で良好な乾燥を行うことができ、装置の構造もコン
パクトである。また、本実施例における乾燥用蒸気の排
気はＩＩＬ、！ｌｋ室９の周囲忙矢印の如く行われ、ま
たその必要排気量も少く、低コストで済む上に、出入口
８と１７は小さいものであるので、蒸気の外部流出によ
る引火の危険性も少い。
れ、各ウェハ２は同一の乾燥処理を受けるので、極めて
均一で良好な乾燥を行うことができ、装置の構造もコン
パクトである。また、本実施例における乾燥用蒸気の排
気はＩＩＬ、！ｌｋ室９の周囲忙矢印の如く行われ、ま
たその必要排気量も少く、低コストで済む上に、出入口
８と１７は小さいものであるので、蒸気の外部流出によ
る引火の危険性も少い。
なお、本実施例では、ウェハ２を乾燥室９に搬出入する
ために移換中間ガイド４と１６を２つに分けて設置した
が、たとえば移換中間ガイド４のみを単独的に設け、ウ
ェハ２の乾燥はウェハホルダ１１が３６０度回転する間
に行うようにすれば、１つの移換中間ガイドでウニへの
搬出入をすべて自動的に行うことも可能である。
ために移換中間ガイド４と１６を２つに分けて設置した
が、たとえば移換中間ガイド４のみを単独的に設け、ウ
ェハ２の乾燥はウェハホルダ１１が３６０度回転する間
に行うようにすれば、１つの移換中間ガイドでウニへの
搬出入をすべて自動的に行うことも可能である。
以上説明したように、本発明によれば、コンパクトな構
造でウニへの均一な乾燥処理を行うことができ、排気の
コストや引火の危険性も低減できる。
造でウニへの均一な乾燥処理を行うことができ、排気の
コストや引火の危険性も低減できる。
第１図は本発明による半導体処理装置の一実施例の平面
図、第２図はその半断面図である。 １・・・水洗槽、２・・・ウェハ 、、３ ＊＊・プッ
シャー、４・・・移換中間ガイド、５・・・乾燥槽、６
・・・ストッパ、７・・・蓋、８・・・出入口、９・・
・乾燥室、１０・・・プッシャー、１１・・・ウェハホ
ルダ、１２・・・処理液、１３・・・加熱部、１４・・
・断熱材、１６・・・移換中間ガイド、１７・・・出入
口、１８・・・ストッパ、１９・・・プッシャー、２０
・・・ガイド。
図、第２図はその半断面図である。 １・・・水洗槽、２・・・ウェハ 、、３ ＊＊・プッ
シャー、４・・・移換中間ガイド、５・・・乾燥槽、６
・・・ストッパ、７・・・蓋、８・・・出入口、９・・
・乾燥室、１０・・・プッシャー、１１・・・ウェハホ
ルダ、１２・・・処理液、１３・・・加熱部、１４・・
・断熱材、１６・・・移換中間ガイド、１７・・・出入
口、１８・・・ストッパ、１９・・・プッシャー、２０
・・・ガイド。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 ウエノ・を搬送する搬送手段と、ウニＩ・を乾燥
処理する乾燥装置と、前記搬送手段から受は取ったウェ
ハを１枚ずつ前記乾燥装置に搬入しかつ該乾燥装置から
搬出する搬出入機構と、前記乾燥装置の中に搬入された
ウエノ・を乾燥するよう処理液を加熱する加熱手段と、
ウエノ・を前記乾燥鋏置内に保持する回転可能なウェア
’ｈホルダと、前記乾燥装置から搬出されたウェハを案
内する案内手段とからなる半導体処理装置。 ２、前記搬出入機構は、前記搬送手段からウエノ・を受
は取った後で回転軸の回りに回転可能な移換中間ガイド
と、ウエノ・を受は止めるストッパと、ウェハを前記移
換中間ガイドから前記ウエノ・ホルダに１枚ずつ受は渡
すプッシャーとを含むことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14790181A JPS5850740A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 半導体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14790181A JPS5850740A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 半導体処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5850740A true JPS5850740A (ja) | 1983-03-25 |
Family
ID=15440693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14790181A Pending JPS5850740A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 半導体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5850740A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6148367A (ja) * | 1984-08-13 | 1986-03-10 | 花王株式会社 | 芳香剤容器 |
| JPS61146266A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-03 | 花王株式会社 | 芳香剤容器 |
| JPS61237429A (ja) * | 1985-04-15 | 1986-10-22 | Wakomu:Kk | 蒸気乾燥洗浄装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5364473A (en) * | 1976-11-20 | 1978-06-08 | Nec Home Electronics Ltd | Production of semiconductor device and its apparatus |
| JPS5613729A (en) * | 1979-07-16 | 1981-02-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | Drying method for semiconductor wafer |
| JPS56103440A (en) * | 1980-01-21 | 1981-08-18 | Mitsubishi Electric Corp | Apparatus for treating semiconductor substrate |
-
1981
- 1981-09-21 JP JP14790181A patent/JPS5850740A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5364473A (en) * | 1976-11-20 | 1978-06-08 | Nec Home Electronics Ltd | Production of semiconductor device and its apparatus |
| JPS5613729A (en) * | 1979-07-16 | 1981-02-10 | Oki Electric Ind Co Ltd | Drying method for semiconductor wafer |
| JPS56103440A (en) * | 1980-01-21 | 1981-08-18 | Mitsubishi Electric Corp | Apparatus for treating semiconductor substrate |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6148367A (ja) * | 1984-08-13 | 1986-03-10 | 花王株式会社 | 芳香剤容器 |
| JPH0133179B2 (ja) * | 1984-08-13 | 1989-07-12 | Kao Corp | |
| JPS61146266A (ja) * | 1984-12-20 | 1986-07-03 | 花王株式会社 | 芳香剤容器 |
| JPH0136379B2 (ja) * | 1984-12-20 | 1989-07-31 | Kao Corp | |
| JPS61237429A (ja) * | 1985-04-15 | 1986-10-22 | Wakomu:Kk | 蒸気乾燥洗浄装置 |
| JPH0457094B2 (ja) * | 1985-04-15 | 1992-09-10 | Wakomu Kk |
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