JPS6032325A - 半導体ウエハの乾燥方法 - Google Patents
半導体ウエハの乾燥方法Info
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- JPS6032325A JPS6032325A JP14046783A JP14046783A JPS6032325A JP S6032325 A JPS6032325 A JP S6032325A JP 14046783 A JP14046783 A JP 14046783A JP 14046783 A JP14046783 A JP 14046783A JP S6032325 A JPS6032325 A JP S6032325A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum nozzle
- semiconductor wafer
- vacuum
- nozzle
- semiconductor
- Prior art date
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-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F26—DRYING
- F26B—DRYING SOLID MATERIALS OR OBJECTS BY REMOVING LIQUID THEREFROM
- F26B5/00—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat
- F26B5/08—Drying solid materials or objects by processes not involving the application of heat by centrifugal treatment
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Molecular Biology (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Drying Of Solid Materials (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（技術分野）
この発明は、半導体ウェハを清潔に乾燥できるようにし
た半導体ウェハの乾燥方法に関する。
た半導体ウェハの乾燥方法に関する。
（従来技術）
第１図は従来の洗浄ウェハの乾燥方法に適用される乾燥
装置の平面図であシ、第１図（ｂＪはその断面図である
。この第１図（ａ）、第１図（ｂ）に示す乾燥装置によ
る乾燥方法は一般的にバッチ処理で行われてお夛、ロー
タ１の中に半導体ウェハ２全入れたキャリア３を挿入し
、ロータ１を高速回転して乾燥させるものであシ、キャ
リア３ごと回転させるもので、半導体ウェア２とキャリ
ア３の接触部分が乾燥し難い。
装置の平面図であシ、第１図（ｂＪはその断面図である
。この第１図（ａ）、第１図（ｂ）に示す乾燥装置によ
る乾燥方法は一般的にバッチ処理で行われてお夛、ロー
タ１の中に半導体ウェハ２全入れたキャリア３を挿入し
、ロータ１を高速回転して乾燥させるものであシ、キャ
リア３ごと回転させるもので、半導体ウェア２とキャリ
ア３の接触部分が乾燥し難い。
また、静電気が発生して塵埃などを引き寄せるとともに
、バッチで行うため、微小な塵埃や汚わが落ち切ってな
い半導体ウエノ・２の水滴が遠心力によって外側のカバ
ー４に当たって飛散し、それが清浄な半導体ウェハ２の
上に付着したまま乾燥して、再汚染の原因となるもので
ある。
、バッチで行うため、微小な塵埃や汚わが落ち切ってな
い半導体ウエノ・２の水滴が遠心力によって外側のカバ
ー４に当たって飛散し、それが清浄な半導体ウェハ２の
上に付着したまま乾燥して、再汚染の原因となるもので
ある。
（発明の目的）
この発明は、上記従来の欠点を除去するためになされた
もので、清潔な乾燥ができ、バキュームノズルの回転全
停止して吸着部を行うときの回転立上がシが省ける半導
体ウェハの乾燥方法を提供することを目的とする。
もので、清潔な乾燥ができ、バキュームノズルの回転全
停止して吸着部を行うときの回転立上がシが省ける半導
体ウェハの乾燥方法を提供することを目的とする。
（発明の構成）
この発明の半導体ウェハの乾燥方法は、半導体ウェハの
主面の一部に第１バキユームノズルを密接させて、この
半導体ウェハを吸着保持した状態で第１バキユームノズ
ルとともに半導体ウエノ・全高速回転させ、この半導体
ウェハの表面上に付着した水分を飛散除去中に前記半導
体ウエノ１の主面の一部に第１バキユームノズルが密接
している部分と重ならない半導体ウエノ・の主面部分に
第１バキユームノズルの回転速度と等速度で回転する第
２バキユームノズルを密接させ、前記半導体ウェハを吸
着保持した後第１バキユームノズルを半導体ウェハの主
面から開放し、この半導体ウェハの表面上に残存した水
分を飛散除去するようにしたものである。
主面の一部に第１バキユームノズルを密接させて、この
半導体ウェハを吸着保持した状態で第１バキユームノズ
ルとともに半導体ウエノ・全高速回転させ、この半導体
ウェハの表面上に付着した水分を飛散除去中に前記半導
体ウエノ１の主面の一部に第１バキユームノズルが密接
している部分と重ならない半導体ウエノ・の主面部分に
第１バキユームノズルの回転速度と等速度で回転する第
２バキユームノズルを密接させ、前記半導体ウェハを吸
着保持した後第１バキユームノズルを半導体ウェハの主
面から開放し、この半導体ウェハの表面上に残存した水
分を飛散除去するようにしたものである。
（実施例）
以下、この発明の半導体ウェハの製造方法の実施例につ
いて図面に基づき説明する４、第２図（ａ）はその一実
施例に適用されるスピンドル上部のバキュームノズルの
構造を示す平面図であシ、第２図（ｂ）はその断面図で
ある。
いて図面に基づき説明する４、第２図（ａ）はその一実
施例に適用されるスピンドル上部のバキュームノズルの
構造を示す平面図であシ、第２図（ｂ）はその断面図で
ある。
まず、この第２図（ａ）、第２図（ｂ）の両図において
、１０は第１バキユームノズル、２０は第２バキユーム
ノズルでありＳ第１バキユー１ノズル１０、第２バキユ
ームノズル２０にはそノ′１ぞれバキュームによる吸着
のための１３０ａ、３Ｕｂが設けられている。
、１０は第１バキユームノズル、２０は第２バキユーム
ノズルでありＳ第１バキユー１ノズル１０、第２バキユ
ームノズル２０にはそノ′１ぞれバキュームによる吸着
のための１３０ａ、３Ｕｂが設けられている。
第２バキユームノズル２０の吸着面の直径は第１バキユ
ームノズル１０のドーナツ状の吸着部と重ならないよう
に、かつ半導体ウェハ５０の１狙すを吸着保持するよう
になっている。
ームノズル１０のドーナツ状の吸着部と重ならないよう
に、かつ半導体ウェハ５０の１狙すを吸着保持するよう
になっている。
第１バキユームノズル１０と第２バキユームノズル２０
はそれぞれ個別の真空系を有してなり、開閉が行えるよ
うになっている。また、それぞれの真空系には、半導体
ウェハ５０を吸着保持したことを検出するための吸着確
認スイッチ（図示せず）が設けられている。
はそれぞれ個別の真空系を有してなり、開閉が行えるよ
うになっている。また、それぞれの真空系には、半導体
ウェハ５０を吸着保持したことを検出するための吸着確
認スイッチ（図示せず）が設けられている。
この吸着確認スイッチは第、１バキユームノズル１０が
上下しく第２バキユームノズル２０が上下しても巧）、
第２バキユームノズル２０の吸着面と第１バキユームノ
ズル１０の吸着面の高さが同一になったときに、電気信
号を出力させるようになっている。
上下しく第２バキユームノズル２０が上下しても巧）、
第２バキユームノズル２０の吸着面と第１バキユームノ
ズル１０の吸着面の高さが同一になったときに、電気信
号を出力させるようになっている。
ｉた、ｔａ１バキュームノズル１０の内側には排水のた
めの穴４０が形成されている。そして、第１バキユーム
ノズル１０と第２バキユームノズル２０は同期回転がで
きる機構になっている。
めの穴４０が形成されている。そして、第１バキユーム
ノズル１０と第２バキユームノズル２０は同期回転がで
きる機構になっている。
第３図（ａ）ないし第３図（ｆ）はこの発明の半導体ウ
ェハの乾燥方法のステップ（工程）を示したものである
。まず、第３図（ａ）に示すように、第１バキユームノ
ズル１０上に濡れた半導体ウエノ・５０を第１バキユー
ムノズル１０の中Ｉしに合わせるようにのせる。
ェハの乾燥方法のステップ（工程）を示したものである
。まず、第３図（ａ）に示すように、第１バキユームノ
ズル１０上に濡れた半導体ウエノ・５０を第１バキユー
ムノズル１０の中Ｉしに合わせるようにのせる。
このとき、半導体ウェハ５０は素子を損傷しないように
、素子形成面と対向する而（裏面）が第１バキユームノ
ズル１０上に冨接するようにのせるとよい。
、素子形成面と対向する而（裏面）が第１バキユームノ
ズル１０上に冨接するようにのせるとよい。
次に、第３図（ｂ）の第２ステツプでは、第１バキユー
ムノズル１０の電磁弁７０をオ／（開）して、吸着確認
スイッチ９０がオンしたら第１バキユームノズル１０を
矢印のＲ方向に回転させる。
ムノズル１０の電磁弁７０をオ／（開）して、吸着確認
スイッチ９０がオンしたら第１バキユームノズル１０を
矢印のＲ方向に回転させる。
この第１バキユームノズルｌＯの回転数か用足の回転数
に達すると、回転遠心力により、第１バキユームノズル
１０の密着部以下の水滴６０は半導体ウェハ５０外に飛
散させる。
に達すると、回転遠心力により、第１バキユームノズル
１０の密着部以下の水滴６０は半導体ウェハ５０外に飛
散させる。
次に、第３図（Ｃ）に示すステップでに、第１バキユー
ムノズル１０が回転しながら下が９、半導体ウェハ５０
の吸着面の高さが第２バキユームノズル２０の吸着面と
同じ高さになったところで、等速回転している第２バキ
ユームノズル２０の電磁弁８０がオ／（開）する。
ムノズル１０が回転しながら下が９、半導体ウェハ５０
の吸着面の高さが第２バキユームノズル２０の吸着面と
同じ高さになったところで、等速回転している第２バキ
ユームノズル２０の電磁弁８０がオ／（開）する。
次に、第３図（ｄ）のステップでは、第２パキヱームノ
ズル２０の吸着確認スイッチ１ｏＯがオンしたら、第１
バキユームノズル１０の電磁弁７ｏがオフする。
ズル２０の吸着確認スイッチ１ｏＯがオンしたら、第１
バキユームノズル１０の電磁弁７ｏがオフする。
第３図（ｅ）のステップでは、第１バキユームノズル１
０が第２バキユームノズル２ｏよシ下に下が９、半導体
ウェハ５０は完全に第２バキユームノズル２０に吸着保
持される。そして、回転遠心力によって、第１バキユー
ムノズル１ｏの吸着部分に残存した水滴６０が半導体ウ
ェハ５０外に飛散される。
０が第２バキユームノズル２ｏよシ下に下が９、半導体
ウェハ５０は完全に第２バキユームノズル２０に吸着保
持される。そして、回転遠心力によって、第１バキユー
ムノズル１ｏの吸着部分に残存した水滴６０が半導体ウ
ェハ５０外に飛散される。
次の第３図（ｆ）では、半導体ウェハ５０の全面の乾燥
が終了し、第１バキュームノズル１０．第２バキユーム
ノズル２０の矢印の方向Ｒの回転が停止し、第２バキユ
ームノズル２０の電磁弁８０がオフとなる。
が終了し、第１バキュームノズル１０．第２バキユーム
ノズル２０の矢印の方向Ｒの回転が停止し、第２バキユ
ームノズル２０の電磁弁８０がオフとなる。
以上説明したように、この発明の第１の実施例では、第
１バキユームノズル１０が半導体ウェハ５０の裏面を吸
着保持した部分と重ならない位置に第２バキユームノズ
ル２０を吸着保持させるので、第１バキユームノズルと
半導体ウエノ・の裏面との間に残存する水分を完全に飛
散除去できる。
１バキユームノズル１０が半導体ウェハ５０の裏面を吸
着保持した部分と重ならない位置に第２バキユームノズ
ル２０を吸着保持させるので、第１バキユームノズルと
半導体ウエノ・の裏面との間に残存する水分を完全に飛
散除去できる。
さらに、第１バキユームノズル２０が半導体ウェハ５０
の裏面を吸着する部分は第２バキユームノズル２０の吸
着部分よフ外側であると、半導体ウェハ５０の表面上の
水分はよ）完全に除去できる。
の裏面を吸着する部分は第２バキユームノズル２０の吸
着部分よフ外側であると、半導体ウェハ５０の表面上の
水分はよ）完全に除去できる。
また、乾燥全バッチ処理で行う従来の場合と比較して、
乾燥時に清浄な半導体ウエノ・を汚染することがなくな
るとともに、不要なキャリアの乾燥を省くことができる
ので、塵埃の発生が減少し、静電気の発生も少なくな）
、塵埃吸着も減少する。
乾燥時に清浄な半導体ウエノ・を汚染することがなくな
るとともに、不要なキャリアの乾燥を省くことができる
ので、塵埃の発生が減少し、静電気の発生も少なくな）
、塵埃吸着も減少する。
加ｔて、第１バキユームノズル１０から第２バキユーム
ノズル２０への回転全停止しないので、半導体ウェハ５
０の吸着替を行うので、バキュームノズルの回転を停止
して吸着替を行うときの回転立上がり時間を省け、効率
が上がる。
ノズル２０への回転全停止しないので、半導体ウェハ５
０の吸着替を行うので、バキュームノズルの回転を停止
して吸着替を行うときの回転立上がり時間を省け、効率
が上がる。
（発明の効果）
以上のように、この発明の半導体ウエノｈの乾燥方法に
よれば、半導体ウェハの主面の一部に第１バキユームノ
ズルを密接させ、この半導体ウェハを吸着保持した状態
で第１バキユームノズルとともに半導体ウニ八を高速回
転させ、この半導体ウェハの表面上に付着した水分を飛
散除去中に半導体ウェハの主面の一部に第１バキユーム
ノズルが密接している部分と１ならない半導体ウェハの
主面部分に第１バキユームノズルの回転速度と同等速度
で回転する第２バキユームノズルを密接させて半導体ウ
ェハ’ｒｒ！ｊ、Ｎ保持した後記１バキユームノズルを
半導体ウェハの主面から開放し、この半導体ウェハの表
面上に残存した水分を飛散させるようにしたので、乾燥
を枚葉式で行うことができ、清潔に乾燥できるとともに
、バキュームノズルの回転を停止して吸着替を行うとき
の回転の立ち上が９時間を省りるなどの利点を有する。
よれば、半導体ウェハの主面の一部に第１バキユームノ
ズルを密接させ、この半導体ウェハを吸着保持した状態
で第１バキユームノズルとともに半導体ウニ八を高速回
転させ、この半導体ウェハの表面上に付着した水分を飛
散除去中に半導体ウェハの主面の一部に第１バキユーム
ノズルが密接している部分と１ならない半導体ウェハの
主面部分に第１バキユームノズルの回転速度と同等速度
で回転する第２バキユームノズルを密接させて半導体ウ
ェハ’ｒｒ！ｊ、Ｎ保持した後記１バキユームノズルを
半導体ウェハの主面から開放し、この半導体ウェハの表
面上に残存した水分を飛散させるようにしたので、乾燥
を枚葉式で行うことができ、清潔に乾燥できるとともに
、バキュームノズルの回転を停止して吸着替を行うとき
の回転の立ち上が９時間を省りるなどの利点を有する。
第１図（ａ）は従来の半導体ウエノ・の乾燥方法に適の
断面図、第２図（ａ）はこの発明の半導体ウニハリ乾燥
方法の一実施例に適用されるバキュームノズルの平面図
、第２図Φ）は第２図（ａ）の断面図、第３図（ａ）な
いし第３図（ｆ）はそれぞれこの発明の半導体ウェハの
乾燥方法の一実施例の工程説明図である。 １０・・・ｍｌｌバエームノズル、２０・・・第２バキ
ユームノズル、３０・・・排水穴、４０・・・穴、５０
・・・半導体ウェハ、６０・・・水滴、７０．８０・・
・電磁弁、９０．１００・・・吸着確認スイッチ。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図 第２図 第３図 第３図
断面図、第２図（ａ）はこの発明の半導体ウニハリ乾燥
方法の一実施例に適用されるバキュームノズルの平面図
、第２図Φ）は第２図（ａ）の断面図、第３図（ａ）な
いし第３図（ｆ）はそれぞれこの発明の半導体ウェハの
乾燥方法の一実施例の工程説明図である。 １０・・・ｍｌｌバエームノズル、２０・・・第２バキ
ユームノズル、３０・・・排水穴、４０・・・穴、５０
・・・半導体ウェハ、６０・・・水滴、７０．８０・・
・電磁弁、９０．１００・・・吸着確認スイッチ。 特許出願人 沖電気工業株式会社 第１図 第２図 第３図 第３図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １１１半導体ウェハの主面の一部に第１バキユームノズ
ルを密接させこの半導体ウェハを吸着保持した状態で前
記第１バキユームノズルとともに前記半導体ウェハを高
速回転させ、前記半導体ウェハの表面上に付着した水分
を飛散除去中に前記半導体ウェハの主面の一部に前記第
１バキユームノズルが密接している部分と重ならない前
記半導体ウェハの主面の部分に前記第１バキユームノズ
ルの回転速度と等速度で回転する第２バキユームノズル
を密接させ、前記半導体ウェハを吸着保持した後前記第
１バキユームノズルを前記半導体ウェハの表面上に残存
した水分を飛散除去することを特徴とする半導体ウェハ
の乾燥方法。 ＋２１ｉ１バキユームノズルは前記半導体ウエハノ回転
中心と同心のドーナツ彫金なし、前記第２バキユームノ
ズルの前記半導体ウェハの吸着保持位置よタガ側で吸着
保持すること全特徴と′ｊ−る特許請求の範囲第１項記
載の半導体ウェハの乾燥方法。 （３）半導体ウェハの主面は半導体素子が形成される面
と対向する面であることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の半導体ウェハの乾燥方法１゜
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14046783A JPS6032325A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | 半導体ウエハの乾燥方法 |
| US06/633,134 US4559718A (en) | 1983-08-02 | 1984-07-23 | Method and apparatus for drying semiconductor wafers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14046783A JPS6032325A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | 半導体ウエハの乾燥方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6032325A true JPS6032325A (ja) | 1985-02-19 |
| JPS6242375B2 JPS6242375B2 (ja) | 1987-09-08 |
Family
ID=15269270
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14046783A Granted JPS6032325A (ja) | 1983-08-02 | 1983-08-02 | 半導体ウエハの乾燥方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6032325A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020188035A (ja) * | 2019-05-09 | 2020-11-19 | 東京応化工業株式会社 | 基板支持装置及び基板洗浄装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0271675A (ja) * | 1988-09-07 | 1990-03-12 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ｔｖ受像機の画像輪郭補正器用周波数切換回路 |
-
1983
- 1983-08-02 JP JP14046783A patent/JPS6032325A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020188035A (ja) * | 2019-05-09 | 2020-11-19 | 東京応化工業株式会社 | 基板支持装置及び基板洗浄装置 |
| TWI839478B (zh) * | 2019-05-09 | 2024-04-21 | 日商新創機電科技股份有限公司 | 基板支持裝置及基板洗淨裝置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6242375B2 (ja) | 1987-09-08 |
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