JPS6242375B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） この発明は、半導体ウエハを清潔に乾燥できる
ようにした半導体ウエハの乾燥方法に関する。

（従来技術） 第１図ａは従来の洗浄ウエハの乾燥方法に適用
される乾燥装置の平面図であり、第１図ｂはその
断面図である。この第１図ａ、第１図ｂに示す乾
燥装置による乾燥方法は一般的にバツチ処理で行
われており、ロータ１の中に半導体ウエハ２を入
れたキヤリア３を挿入し、ロータ１を高速回転し
て乾燥させるものであり、キヤリア３ごと回転さ
せるもので、半導体ウエア２とキヤリア３の接触
部分が乾燥し難い。

また、静電気が発生して塵埃などを引き寄せる
とともに、バツヂで行うため、微小な塵埃や汚れ
が落ち切つてない半導体ウエハ２の水滴が遠心力
によつて外側のカバー４に当たつて飛散し、それ
が清浄な半導体ウエハ２の上に付着したまま乾燥
して、再汚染の原因となるものである。

（発明の目的） この発明は、上記従来の欠点を除去するために
なされたもので、清潔な乾燥ができ、バキユーム
ノズルの回転を停止して吸着替を行うときの回転
立上がりが省ける半導体ウエハの乾燥方法を提供
することを目的とする。

（発明の構成） この発明の半導体ウエハの乾燥方法は、半導体
ウエハの主面の一部に第１バキユームノズルを密
接させて、この半導体ウエハを吸着保持した状態
で第１バキユームノズルとともに半導体ウエハを
高速回転させ、この半導体ウエハの表面上に付着
した水分を飛散除去中に前記第１バキユームノズ
ルが密接している部分と重ならない半導体ウエハ
の主面部分に第１バキユームノズルの回転速度と
等速度で回転する第２バキユームノズルを密接さ
せ、前記半導体ウエハを吸着保持した後第１バキ
ユームノズルを半導体ウエハの主面から開放し、
この半導体ウエハの表面上に残存した水分を飛散
除去するようにしたものである。

（実施例） 以下、この発明の半導体ウエハの乾燥方法の実
施例について図面に基づき説明する。第２図ａは
その一実施例に適用されるスピンドル上部のバキ
ユームノズルの構造を示す平面図であり、第２図
ｂはその断面図である。

まず、この第２図ａ、第２図ｂの両図におい
て、１０は第１バキユームノズル、２０は第２バ
キユームノズルであり、第１バキユームノズル１
０、第２バキユームノズル２０にはそれぞれバキ
ユームによる吸着のための溝３０ａ，３０ｂが設
けられている。

第２バキユームノズル２０の吸着面の直径は第
１バキユームノズル１０のドーナツ状の吸着部と
重ならないように、かつ半導体ウエハ５０の内側
を吸着保持するようになつている。

第１バキユームノズル１０と第２バキユームノ
ズル２０はそれぞれ個別の真空系を有してなり、
開閉が行えるようになつている。また、それぞれ
の真空系には、半導体ウエハ５０を吸着保持した
ことを検出するための吸着確認スイツチ（図示せ
ず）が設けられている。

この吸着確認スイツチは第１バキユームノズル
１０が上下し（第２バキユームノズル２０が上下
しても可）、第２バキユームノズル２０の吸着面
と第１バキユームノズル１０の吸着面の高さが同
一になつたときに、電気信号を出力させるように
なつている。

また、第１バキユームノズル１０の内側には排
水のための穴４０が形成されている。そして、第
１バキユームノズル１０と第２バキユームノズル
２０は同期回転ができる機構になつている。

第３図ａないし第３図ｆはこの発明の半導体ウ
エハの乾燥方法のステツプ（工程）を示したもの
である。まず、第３図ａに示すように、第１バキ
ユームノズル１０上に漏れた半導体ウエハ５０を
第１バキユームノズル１０の中心に合わせるよう
にのせる。

このとき、半導体ウエハ５０は素子を損傷しな
いように、素子形成面と対向する面（裏面）が第
１バキユームノズル１０上に密接するようにのせ
るとよい。

次に、第３図ｂの第２ステツプでは、第１バキ
ユームノズル１０の電磁弁７０をオン（開）し
て、吸着確認スイツチ９０がオンしたら第１バキ
ユームノズル１０を矢印のＲ方向に回転させる。

この第１バキユームノズル１０の回転数が所定
の回転数に達すると、回転遠心力により、第１バ
キユームノズル１０の密着部以下の水滴６０は半
導体ウエハ５０外に飛散させる。

次に、第３図ｃに示すステツプでは、第１バキ
ユームノズル１０が回転しながら下がり、半導体
ウエハ５０の吸着面の高さが第２バキユームノズ
ル２０の吸着面と同じ高さになつたところで、等
速回転している第２バキユームノズル２０の電磁
弁８０がオン（開）する。

次に、第３図ｄのステツプでは、第２バキユー
ムノズル２０の吸着確認スイツチ１００がオンし
たら、第１バキユームノズル１０の電磁弁７０が
オフする。

第３図ｅのステツプでは、第１バキユームノズ
ル１０が第２バキユームノズル２０より下に下が
り、半導体ウエハ５０は完全に第２バキユームノ
ズル２０に吸着保持される。そして、回転遠心力
によつて、第１バキユームノズル１０の吸着部分
に残存した水滴６０が半導体ウエハ５０外に飛散
される。

次の第３図ｆでは、半導体ウエハ５０の全面の
乾燥が終了し、第１バキユームノズル１０、第２
バキユームノズル２０の矢印の方向Ｒの回転が停
止し、第２バキユームノズル２０の電磁弁８０が
オフとなる。

以上説明したように、この発明の第１の実施例
では、第１バキユームノズル１０が半導体ウエハ
５０の裏面を吸着保持した部分と重ならない位置
に第２バキユームノズル２０を吸着保持させるの
で、第１バキユームノズルと半導体ウエハの裏面
との間に残存する水分を完全に飛散除去できる。

さらに、第１バキユームノズル２０が半導体ウ
エハ５０の裏面を吸着する部分は第２バキユーム
ノズル２０の吸着部分より外側であると、半導体
ウエハ５０の表面上の水分はより完全に除去でき
る。

また、乾燥をバツチ処理で行う従来の場合と比
較して、乾燥時に清浄な半導体ウエハを汚染する
ことがなくなるとともに、不要なキヤリアの乾燥
を省くことができるので、塵埃の発生が減少し、
静電気の発生も少なくなり、塵埃吸着も減少す
る。

加えて、第１バキユームノズル１０から第２バ
キユームノズル２０への回転を停止しないので、
半導体ウエハ５０の吸着替を行うので、バキユー
ムノズルの回転を停止して吸着替を行うときの回
転立上がり時間を省け、効率が上がる。

（発明の効果） 以上のように、この発明の半導体ウエハの乾燥
方法によれば、半導体ウエハの主面の一部に第１
バキユームノズルを密接させ、この半導体ウエハ
を吸着保持した状態で第１バキユームノズルとと
もに半導体ウエハを高速回転させ、半導体ウエハ
の表面上に付着した水分を飛散除去中に第１バキ
ユームノズルが密接している部分と重ならない半
導体ウエハの主面部分に第１バキユームノズルの
回転速度と同等速度で回転する第２バキユームノ
ズルを密接させて半導体ウエハを吸着保持した後
第１バキユームノズルを半導体ウエハの主面から
開放し、この半導体ウエハの表面上に残存した水
分を飛散させるようにしたので、乾燥を枚葉式で
行うことができ、清潔に乾燥できるとともに、バ
キユームノズルの回転を停止して吸着替を行うと
きの回転の立ち上がり時間を省けるなどの利点を
有する。

【図面の簡単な説明】

第１図ａは従来の半導体ウエハの乾燥方法に適
用される乾燥装置の平面図、第１図ｂは第１図ａ
の断面図、第２図ａはこの発明の半導体ウエハの
乾燥方法の一実施例に適用されるバキユームノズ
ルの平面図、第２図ｂは第２図ａの断面図、第３
図ａないし第３図ｆはそれぞれこの発明の半導体
ウエハの乾燥方法の一実施例の工程説明図であ
る。 １０……第１バキユームノズル、２０……第２
バキユームノズル、３０ａ，３０ｂ……溝、４０
……穴、５０……半導体ウエハ、６０……水滴、
７０，８０……電磁弁、９０，１００……吸着確
認スイツチ。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 半導体ウエハの主面の一部に第１バキユーム
   ノズルを密接させこの半導体ウエハを吸着保持し
   た状態で前記第１バキユームノズルとともに前記
   半導体ウエハを高速回転させ、前記半導体ウエハ
   の表面上に付着した水分を飛散除去中に前記第１
   バキユームノズルが密接している部分と重ならな
   い前記半導体ウエハの主面の部分に前記第１バキ
   ユームノズルの回転速度と等速度で回転する第２
   バキユームノズルを密接させ、前記半導体ウエハ
   を吸着保持した後前記第１バキユームノズルを前
   記半導体ウエハの主面から開放し、この半導体ウ
   エハの表面上に残存した水分を飛散除去すること
   を特徴とする半導体ウエハの乾燥方法。 ２ 第１バキユームノズルは前記半導体ウエハの
   回転中心と同心のドーナツ形をなし、前記第２バ
   キユームノズルの前記半導体ウエハの吸着保持位
   置より外側で吸着保持することを特徴とする特許
   請求の範囲第１項記載の半導体ウエハの乾燥方
   法。 ３ 半導体ウエハの主面は半導体素子が形成され
   る面と対向する面であることを特徴とする特許請
   求の範囲第１項記載の半導体ウエハの乾燥方法。