JP3887257B2 - サリサイド構造の改良された形成方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に半導体の加工に関し、特に自己整合(サリサイド)技術に用いられるコバルトシリサイド層を形成するための改良された技術に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体デバイスの製作においては、サリサイド(すなわち自己整合されたシリサイド)材料をゲート導体および拡散領域上に形成して、CMOSデバイスの線抵抗を低減しその速度特性を改善する。サリサイド技術では、チタンなどの高融点金属または準貴金属をシリコン基板上に付着し、次いで付着したチタンをアニ−ルして、基板の露出した領域だけにシリサイド層を形成する。次いで誘電体上に残った未反応のチタン領域を、マスキングの段階なしに選択的にエッチングによって除去することができる。したがって、このプロセスは「自己整合された」ものである。
【0003】
しかし、回路デバイスのサイズが引き続き縮小するにつれて、チタンシリサイド(TiSi2)は不満足なシリサイド材料になることがわかった。デバイスの線幅が0.20μm未満に減少すると、そのシート抵抗は急激に増大しはじめるのである。最近では、線幅に左右されるシート抵抗の問題がないので、チタンの代替としてコバルトダイシリサイド(CoSi2)がシリサイド構造で使用されている。一方、コバルトシリサイド構造の使用もそれ自体の欠点がないわけではない。例えば、コバルトがアニーリング工程中の汚染物に敏感であるため、チタンとは異なり、コバルト層は窒化チタン(TiN)などのキャップ層を必要とする。さらに、コバルトを付着させる前に、シリコン基板からどんな自然酸化膜層も除かなければならないことがわかった。さもないと、シリコンとコバルトの拡散が阻害されて、CoSiの形成が不完全になり、結果としてシリサイド形成が不良になる。したがって、前記の欠点を最小限にするかまたは排除して、あるいはその両方によって、効果的なCoSi2層の生成を可能にするプロセスが必要とされている。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、半導体構造の製造において良好なシリサイド層の形成方法を提供することである。また、本発明の目的は、良好なシリサイド層の形成のための半導体材料の調整方法を提供することである。また、本発明のさらにもう1つの目的は、シート抵抗が低い、窒化物スペーサを有するサリサイド構造を提供することである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
前記およびその他の従来技術の欠点および欠陥は、選択領域にシリサイド層を形成するための半導体材料の一調製方法によって克服または軽減される。本発明の代表的な実施形態では、この方法は、選択領域から窒化膜およびオキシ窒化膜の少なくとも一つを除去するステップ、選択領域から金属性パーティクルを除去するステップ、選択領域から表面パーティクルを除去するステップ、選択領域から有機物を除去するステップ、および選択領域から酸化膜層を除去するステップを含む。
【0006】
好ましい実施形態では、選択領域から窒化膜およびオキシ窒化膜の少なくとも一つを除去するステップは、選択領域をフッ酸(HF)/エチレングリコール(EG)・エッチング溶液で処理することをさらに含む。フッ酸(HF)/エチレングリコール(EG)・エッチング溶液の濃度は、エチレングリコール約96%:HF4%(49容積%)である。さらに、選択領域から金属性パーティクル、表面パーティクル、および有機物を除去するステップは、S/P HuangAB洗浄を含む。これは、選択領域を硫酸(H2SO4)と過酸化水素(H2O2)の溶液で処理するステップ、選択領域を過酸化水素(H2O2)と水酸化アンモニウム(NH4OH)の溶液で処理するステップ、および選択領域を過酸化水素(H2O2)と塩酸(HCl)の溶液で処理するステップを含む。選択領域から有機物を除去するステップはまた、オゾン・プラズマ洗浄を含む。これによって、選択領域に約5〜60オングストロームの酸化膜層が生成する。最後に、選択領域から酸化膜層を除去するステップは、選択領域を希フッ酸(DHF)エッチング溶液で処理することを含む。
【0007】
【発明の実施の形態】
初めに図1から図4について、狭ゲート導体(およびMOSトランジスタのソース/ドレイン領域)への既存の前洗浄プロセスを用いた金属サリサイドの形成を図示する。特に、図1は、ゲート酸化膜14の上、かつドープト・シリコン拡散領域16の間に形成されたドープト・ポリシリコン・ゲート構造12を有するMOSトランジスタ10を図示する。基板18内のドープト・シリコン拡散領域16は、トランジスタのソースおよびドレイン領域であり、近くのシリコン拡散領域(図示せず)から浅いトレンチ酸化膜(STI)20によっておのおの分離されている。窒化物のスペーサ22が、ポリシリコン・ゲート構造12をドープト・シリコン拡散領域16から分離している。
【0008】
ポリシリコン・ゲート構造およびシリコン拡散領域にCoSi層を形成する前に、均一なサリサイド構造を形成するために、まず、その上に存在するどんな自然酸化膜層をも含めて前の工程の残留物を、ウエーハの表面から前洗浄する。既存の前洗浄シーケンスでは、下記のように、以下の洗浄ステップが用いられる。
(1)S/P HuangAB 洗浄
(2)オゾン・プラズマ洗浄、および
(3)希フッ酸(DHF)エッチング
【0009】
(1)第1に、「S/P HuangAB」洗浄を用いて、CoSi形成プロセスを妨げる恐れのあるどんなささいな有機物、金属物、またはその他表面パーティクルも除去する。S/P HuangAB洗浄は、硫酸/過酸化水素洗浄サイクルで始まり、次いで「RCA洗浄」プロセスが続く当技術分野で周知の3段階湿式化学プロセスである。
【0010】
FSIスプレイ・プロセッサ、Mercury MPモードなどの湿式洗浄用スプレイ装置を用いて、ウエーハ表面を、硫酸(H2SO4)と過酸化水素(H2O2)の混合溶液中で、流速比約800cc/分(H2SO4):200cc/分(H2O2)、温度約90℃で約90秒間洗浄する。次いでRCA洗浄の前に、ウエーハを、雰囲気温度の純水で約335秒間リンスする。RCA洗浄は、標準洗浄1(SC1)および標準洗浄2(SC2)と通常呼ばれる2つの追加ステップを含む。この場合、SC1では、過酸化水素(H2O2)と水酸化アンモニウム(NH4OH)を純水に容積比約12:2:1で溶解した洗浄剤溶液を用いる。SC1を温度約60℃で約180秒間作用させ、その後SC1溶液を、雰囲気温度で約300秒間純水でリンスする。次いでSC2では、過酸化水素(H2O2)と塩酸(HCl)を純水に容積比約12:2:1で溶解したもう一つの溶液を用いる。SC2を温度約60℃で約180秒間作用させ、その後SC2溶液を、雰囲気温度で約600秒間純水でリンスする。次いでウエーハをスピン・ドライして、S/P HuangABプロセスが完了する。
【0011】
(2)次いでオゾン・プラズマ洗浄を用いて、後続の湿式洗浄ステップの効果を妨害する恐れのあるどんな有機物もウエーハ表面から除去する。さらに、オゾン・プラズマ洗浄はシリコン表面を酸化するものであるが、これは実質上、シリコン表面の上または内部にあるどんな汚染物質に対しても強力な洗浄作用がある。このプロセスでは、少量のシリコンを酸化することになるが、この酸化膜はその後DHFエッチングで除去される。オゾン・プラズマ洗浄は、Applied Materials, Inc.のAME5000などの酸化膜付着装置で実施することができる。オゾンの流速は約3900標準立法センチメートル毎分で、気圧約8.5トールで、約60秒間にわたって行う。
【0012】
有機残留物を効果的に洗浄し露出したシリコン基板上に少量のSiO2(約5〜60オングストローム)を生成させる限り、他のO2プラズマ・プロセスをこのステップの代替とすることができることを留意されたい。
【0013】
(3)この後、既存の前洗浄プロセスは、DHFエッチングで完了する。付着したコバルトが下層のシリコンと完全に反応することができるように、DHFエッチングを用いて、ポリシリコン・ゲートおよびシリコン拡散領域の自然酸化膜を除去する。これを乾燥するプロセスでは、前に形成したどんなケイ酸塩または他の残留物もウエーハ上に残らないよう注意する。DHFエッチング溶液の濃度は、純水:HF(49重量%)が約200:1である。エッチングは、約22℃で、約150オングストローム相当の熱酸化膜が除去されるまで行う。次いでウエーハは、純水で約600秒間リンスし、マランゴニ・ドライヤ(Marangoni dryer)などに入れて表面張力傾斜乾燥によって乾燥する。
【0014】
目標とする熱酸化膜約30〜200オングストロームの除去が制御され、高品質の乾燥プロセスが用いられる限り、バッファード・フッ酸(BHF)または異なるDHF濃度など、他のHF溶液を上記の代替とすることができることに留意されたい。
【0015】
次に図2では、上記の前洗浄シーケンスに引き続き、厚さ約60〜100オングストローム(好ましくは80オングストローム)のコバルト層24を含むシリサイド材料を、ポリシリコン・ゲート構造12およびシリコン拡散領域16を含めてトランジスタ10に付着させる。次いで、図3に示すように、コバルト層24の上にTiNキャップ層26を付着させる。TiNキャップ層26は、厚さが約50〜400オングストローム(好ましくは約200オングストローム)である。コバルト層24がアニーリング工程での汚染に敏感なので、これを保護するためにキャップ層26を用いるものである。
【0016】
サリサイド形成プロセスにおける次のステップは、図4に示すように、初期コバルトモノシリサイド(CoSi)層28を形成するための第1の急速熱アニ−ル(RTA)である。第1RTAは、窒素またはアルゴンの存在下、約480〜575℃の温度範囲で、約30秒〜2分間行う。第1RTAの間、シリコンの上方への拡散(ゲート構造12および領域16から)およびコバルト原子の下方への拡散(層24から)が初期CoSi層28を形成する。第1RTAに引き続き、TiNキャップ層26を(層24からの任意の未反応コバルトとともに)標準S/P HunagAB洗浄で除去する。その結果、初期CoSi層28は、ポリシリコン・ゲート構造12およびドープト・シリコン拡散領域16上に残る。最後に、第2RTAの結果、サリサイド構造が完成する。第2RTAは、約700〜800℃で、約30秒〜2分間行う。この結果、図5に示すように、最終のコバルトダイシリサイド(CoSi2)層29が、ポリシリコン・ゲート構造12およびシリコン拡散領域16上に形成される。
【0017】
しかし、ドープト・シリコン上に窒化膜またはオキシ窒化膜が存在すると、上記の前洗浄プロセス後でも、第1RTAの後に不完全なCoSi形成を引き起こす恐れのあることが最近わかった。具体的には、窒化膜またはオキシ窒化膜層の存在が、CoおよびSi原子の拡散プロセスを遅くする(または完全に妨害する)おそれもある。さらに、遅い拡散プロセスのために、TiNキャップ層からの窒素原子が下方に移動し、さらに完全な反応を阻害する。シリコンオキシ窒化膜はシリコンの上方への拡散を妨害するので、コバルトの金属リッチな層が残る。ある場合には、窒素の下方拡散が多すぎて、第1RTA後でも、純金属層が残る結果となる。したがって、TiNキャップ層を除去すると、いかなる未反応コバルトも除去されてしまう。結局、第2RTA後に残存CoSiがあっても、薄すぎて効果的なCoSi2層を形成することができない。薄いCoSi2層では、ポリライン(polyline)抵抗または拡散抵抗の増大を引き起こすからである。特に、ドープト・シリコンおよびポリシリコン領域のコーナーの領域(図5に矢印で示す)は、CoSi形成が不良になりやすい。
【0018】
したがって、本発明の一実施形態によれば、その上にシリサイド層を形成するための基板材料の改良された調製方法が開示される。具体的には、第1RTAの前に、どんな薄い窒化膜またはオキシ窒化膜も除去することを目標とした、改良された前洗浄プロセスが開示される。
【0019】
図6には、方法100の実施形態による前洗浄シーケンスを説明するブロック図を示す。方法100は、まずウエーハ表面(図1に示す)をフッ酸(HF)/エチレングリコール(EG)エッチングで処理するブロック102から始まる。HF/EGエッチングは、高沸点の有機溶媒であり、有機溶媒の存在が窒化ケイ素のエッチング速度と比べて二酸化ケイ素のエッチング速度をかなり低下させるので、窒化膜またはオキシ窒化膜層の除去に特に適している。好ましい実施形態では、HF/EG溶液濃度は、溶液温度約80℃で、エチレングリコール約96%:HF(49容積%)4%である。所望のLPCVD相当の窒化物の除去は約60オングストロームである。したがって、約30〜60オングストロームの窒化物除去に対して、エッチング時間は約45〜90秒である。HF/EGエッチングの後に、表面張力傾斜乾燥によってウエーハを乾燥する。
【0020】
ブロック102において、HF/EG溶液をHF/グリセリン溶液で代替することができる。さらに、約10〜100オングストローム(好ましくは約30〜60オングストローム)の目標窒化ケイ素/酸化ケイ素エッチングが保たれる限り、プロセスの時間、温度、および溶液濃度を変えることができる。
【0021】
次いで前洗浄シーケンスは、ブロック104、106、および108で完了する。ここでは、上記したように、S/P HuangAB洗浄ステップ、オゾン・プラズマ洗浄ステップ、および希フッ酸(DHF)エッチング・ステップを実施する。ただし、今回は、シリサイド構造の形成は改良されている。一つには、DHFエッチングによる計画されたウエーハ表面の洗浄を妨げたかもしれない窒化膜およびオキシ窒化膜層の除去によるものである。
【0022】
図7および図8は、図6に示す前洗浄ステップをすべて実施した場合、およびすべては実施しなかった場合に形成されたサリサイド構造のシート抵抗を比較したグラフである。どちらの図でも、一つのロットを、既存の前洗浄プロセスと前洗浄方法100とに分けて示した。ポリシリコンの線幅は所与のロット内で固定し、約60〜100ナノメートルの範囲であった。図7では、コバルトシリサイド構造を有するウエーハの第1の実験ロット200を、前記の従来の前洗浄プロセスおよび図6の前洗浄方法100を用いて形成した。第1の実験ロット200のウエーハ10個の中で、一つのグループ202のウエーハ3個は、前記の従来の前洗浄プロセスを用いて形成したサリサイド構造を有し、英数字のウエーハ名称に続く接尾辞「0」で示す。他のグループ204のその他7個のウエーハは、方法100によって形成され、英数字のウエーハ名称に続く接尾辞「1」で示す。
【0023】
CoSi2の相互接続を有するドープト・ポリシリコン・ゲート構造のシート抵抗(オーム毎平方)を、数個の任意の点について測定した。抵抗値が低ければ、CoSiおよびCoSi2の形成がより均一であることを示唆している。図7のグラフからわかるように、試験したウエーハ各々には抵抗値の範囲がある。抵抗の範囲は、すべての測定値の第10百分位数から第90百分位数である。抵抗値のより狭い範囲、すなわち第25百分位数から第75百分位数を太いバー206で示す。太いバー206の上方の垂直線208は、第75百分位数と第90百分位数の間の抵抗値を表し、太いバー206の下方の垂直線210は、第10百分位数と第25百分位数の間の抵抗値を表す。破線212は、各ウエーハの中央値(ひし形で示す)をつないでいる。
【0024】
図7からわかることは、著しく大きな抵抗値の範囲を有すると同時に、従来の前洗浄シーケンスで形成したデバイスのシート抵抗の全中央値は、方法100の前洗浄シーケンスで形成したデバイスの値より高い。サリサイド層を有する狭ゲート構造については、そのシート抵抗が24オーム/平方未満であることが望ましい。図7に示すデバイスの中では、グループ202の3個のウエーハすべてが48オーム/平方より大きなシート抵抗中央値を示したが、グループ204のウエーハでは、24オーム/平方より大きなシート抵抗中央値を示したのは1個だけであった。
【0025】
最後に、図8は、前記の従来の前洗浄プロセスおよび図6の前洗浄方法100を用いて形成したコバルトシリサイド構造を有するウエーハの第2の実験ロット300の抵抗値を示す。第2の実験ロット300のウエーハすべてについての全体的な結果は、シート抵抗に関しては、第1の実験ロット200から改良されているが、やはり、グループ302(従来の前洗浄)のウエーハの抵抗値は、グループ304(方法100による前洗浄)のウエーハより高くかつ広い範囲を有することがわかる。
【0026】
窒化膜およびオキシ窒化膜を除去する前洗浄ステップを追加することによって、付着およびアニーリング後のCoSiおよびCoSi2の成膜がより均一になり、その結果従来の前洗浄方法より低いシート抵抗が得られることが実証された。さらに、説明した代表的実施形態ではサリサイド構造の準貴金属としてコバルトを使ったが、方法100は、それだけに限らないが、チタン(Ti)、モリブデン(Mo)、ニッケル(Ni)、またはその任意の合金型の組合せを含めたその他の材料にも利用できることがわかるであろう。さらに、方法100の前洗浄ステップのシーケンスは、DHFエッチングを最後に実施する限り、変えることができる。例えば、方法100の別の実施形態として、以下のシーケンスの前洗浄ステップを含むことができる:(1)オゾン・プラズマ洗浄、(2)HF/EGエッチング、(3)S/P HuangAB洗浄、および(4)DHFエッチング。
【0027】
まとめとして、本発明の構成に関して以下の事項を開示する。
【0028】
(1)半導体材料の調製方法であって、選択領域にシリサイドを形成する前に前記選択領域から窒化膜およびオキシ窒化膜の少なくとも一つを除去するステップ、
前記選択領域から金属性パーティクルを除去するステップ、
前記選択領域から表面パーティクルを除去するステップ、
前記選択領域から有機物を除去するステップ、および
前記選択領域から酸化膜層を除去するステップを含む方法。
(2)前記選択領域から窒化膜およびオキシ窒化膜の少なくとも一つを除去するステップが、前記選択領域をフッ酸(HF)/エチレングリコール(EG)・エッチング溶液で処理するステップを含む、上記(1)に記載の方法。
(3)前記フッ酸(HF)/エチレングリコール(EG)・エッチング溶液の濃度が、エチレングリコール96%:HF(49容積%)4%である上記(2)に記載の方法。
(4)前記選択領域から窒化膜およびオキシ窒化膜の少なくとも一つを除去するステップが、前記選択領域をフッ酸(HF)/グリセリン・エッチング溶液で処理するステップを含む上記(1)に記載の方法。
(5)前記窒化膜およびオキシ窒化膜の少なくとも一つを除去するステップで除去される厚さの範囲が、約30〜60オングストロームである上記(1)に記載の方法。
(6)前記選択領域から金属性パーティクルを除去するステップ、前記表面パーティクルを除去するステップ、および前記有機物を除去するステップが、S/PHuangAB洗浄を含み、前記S/P HuangAB洗浄は、
前記選択領域を硫酸(H2SO4)と過酸化水素(H2O2)の溶液で処理するステップ、
前記選択領域を過酸化水素(H2O2)と水酸化アンモニウム(NH4OH)の溶液で処理するステップ、および
前記選択領域を過酸化水素(H2O2)と塩酸(HCl)の溶液で処理するステップを含む上記(1)に記載の方法。
(7)前記選択領域から有機物を除去するステップが、オゾン・プラズマ洗浄を含む上記(1)に記載の方法。
(8)前記オゾン・プラズマ洗浄が、前記選択領域に約5〜60オングストロームの酸化膜層を形成する上記(7)に記載の方法。
(9)前記選択領域から酸化膜層を除去するステップが、前記選択領域を希フッ酸(DHF)エッチング溶液で処理するステップを含む上記(1)に記載の方法。
(10)前記希フッ酸(DHF)エッチング溶液の濃度が、純水:HF(49重量%)=200:1である上記(9)に記載の方法。
(11)半導体構造の製造方法において
半導体基板の選択領域にシリサイド構造を形成する方法であって、
半導体基板の選択領域を前洗浄するステップ、
シリサイド材料を、前記選択領域を含む前記半導体基板上に付着させるステップ、
前記シリサイド材料をアニーリングし、それにより前記シリサイド材料を前記選択領域と反応させ、シリサイド層を形成するステップ、および
前記シリサイド材料の未反応部分を前記半導体基板から除去するステップを含み、
前記前洗浄ステップは、
前記選択領域から窒化膜およびオキシ窒化膜の少なくとも一つを除去するステップ、
前記選択領域から金属性パーティクルを除去するステップ、
前記選択領域から表面パーティクルを除去するステップ、
前記選択領域から有機物を除去するステップ、および
前記選択領域から酸化膜層を除去するステップを含む方法。
(12)前記シリサイド材料上にキャップ層を付着させるステップ、
前記シリサイド材料に第1の急速熱アニ−ルを行い、それにより前記シリサイド材料を前記選択領域と反応させ、初期シリサイド層を形成するステップ、
前記キャップ層を除去するステップ、
前記シリサイド材料の未反応部分を前記半導体基板から除去するステップ、および
前記初期シリサイド層に第2の急速熱アニ−ルを行い、それにより最終シリサイド層を形成するステップをさらに含む上記(11)に記載の方法。
(13)前記シリサイド材料が、コバルトを含み、
前記初期シリサイド層が、コバルトモノシリサイド(CoSi)を含み、
前記最終シリサイド層が、コバルトダイシリサイド(CoSi2)を含む上記(12)に記載の方法。
(14)前記選択領域から窒化膜およびオキシ窒化膜の少なくとも一つを除去するステップが、前記選択領域をフッ酸(HF)/エチレングリコール(EG)・エッチング溶液で処理することを含む上記(13)に記載の方法。
(15)前記選択領域から窒化膜およびオキシ窒化膜の少なくとも一つを除去するステップが、前記選択領域をフッ酸(HF)/グリセリン・エッチング溶液で処理することを含む上記(13)に記載の方法。
(16)前記フッ酸(HF)/エチレングリコール(EG)・エッチング溶液の濃度が、エチレングリコール約96%:HF(49容積%)4%である上記(14)に記載の方法。
(17)前記窒化膜またはオキシ窒化膜、あるいはその両方の除去範囲が、約30〜60オングストロームである上記(13)に記載の方法。
(18)前記選択領域から金属性パーティクルまたは表面パーティクル、あるいはその両方を除去するステップが、S/P HuangAB洗浄を含み、前記S/P HuangAB洗浄が、
前記選択領域を硫酸(H2SO4)と過酸化水素(H2O2)の溶液で処理するステップ、
前記選択領域を過酸化水素(H2O2)と水酸化アンモニウム(NH4OH)の溶液で処理するステップ、および
前記選択領域を過酸化水素(H2O2)と塩酸(HCl)の溶液で処理するステップを含む上記(13)に記載の方法。
(19)前記選択領域から有機物を除去するステップが、オゾン・プラズマ洗浄を含む上記(13)に記載の方法。
(20)前記オゾン・プラズマ洗浄が、前記選択領域に約5〜60オングストロームの酸化膜層を形成する上記(19)に記載の方法。
(21)前記選択領域から酸化膜層を除去するステップが、前記選択領域を希フッ酸(DHF)エッチング溶液で処理するステップを含む上記(13)に記載の方法。
(22)前記希フッ酸(DHF)エッチング溶液の濃度が、純水:HF(49重量%)=200:1であり、
前記酸化膜層の除去範囲が約150オングストロームである上記(21)に記載の方法。
(23)ゲート酸化膜上に形成されたポリシリコン・ゲート構造と、
基板内に形成されたドープト・シリコン拡散領域と、
前記ポリシリコン・ゲート構造および前記シリコン拡散領域上に形成されたコバルトダイシリサイド(CoSi2)層とを含み、
前記コバルトダイシリサイド(CoSi2)層が、15オーム毎平方未満の接触抵抗を有するサリサイド構造。
(24)前記コバルトダイシリサイド(CoSi2)層が、
前記ポリシリコン・ゲート構造および前記ドープト・シリコン拡散領域が前洗浄された後、前記ポリシリコン・ゲート構造および前記ドープト・シリコン拡散領域上に付着したコバルト層の第1の急速熱アニ−ルによって形成された初期コバルトモノシリサイド(CoSi)層と、
前記初期コバルトモノシリサイド(CoSi)層の第2の急速熱アニ−ルによって形成された最終コバルトダイシリサイド(CoSi2)層とをさらに含む上記(23)に記載のサリサイド構造。
(25)ポリシリコン・ゲート構造および前記ドープト・シリコン拡散領域が、
窒化膜またはオキシ窒化膜、あるいはその両方をそこから除去すること、
金属性パーティクルまたは表面パーティクル、あるいはその両方をそこから除去すること、
有機物をそこから除去すること、および
酸化膜層をそこから除去することによって前洗浄される、上記(24)に記載のサリサイド構造。
【図面の簡単な説明】
【図1】ドープト・シリコン拡散領域の間に形成されたドープト・ポリシリコン・ゲート構造を有する、前洗浄前のMOSトランジスタの横断面図である。
【図2】図1のMOSトランジスタについて、既存の前洗浄プロセス後にコバルト層を付着した、ドープト・ポリシリコン・ゲート構造およびドープト・シリコン拡散領域を示す、MOSトランジスタの横断面図である。
【図3】図2のMOSトランジスタについて、窒化チタンキャップ層付着後の、ドープト・ポリシリコン・ゲート構造およびドープト・シリコン拡散領域を示す、MOSトランジスタの横断面図である。
【図4】図3のMOSトランジスタについて、初期CoSi層の形成を示す、MOSトランジスタの横断面図である。
【図5】図4のMOSトランジスタについて、CoSi2サリサイド構造の最終的な形成を図示する、MOSトランジスタの横断面図である。
【図6】本発明の一実施形態による前洗浄ステップのシーケンスを示すブロック図である。
【図7】既存の前洗浄ステップおよび図6に示す前洗浄ステップをすべて実施して形成されたサリサイド構造のシート抵抗を比較したグラフである。
【図8】既存の前洗浄ステップおよび図6に示す前洗浄ステップをすべて実施して形成されたサリサイド構造のシート抵抗を比較したまた別のグラフである。
【符号の説明】
10 MOSトランジスタ
12 ドープト・ポリシリコン・ゲート構造
14 ゲート酸化膜
16 ドープト・シリコン拡散領域
18 基板
20 浅いトレンチ酸化膜(STI)
22 窒化物スペーサ
24 コバルト層
26 TiNキャップ層
28 初期コバルトモノシリサイド(CoSi)層
29 最終コバルトダイシリサイド(CoSi2)層
Claims (18)
- 半導体材料の調製方法であって、選択領域にシリサイド層を形成する前に、
前記選択領域から窒化膜およびオキシ窒化膜の少なくとも一つを除去するステップ、
前記選択領域から金属性パーティクル、表面パーティクル又は有機物を除去する湿式洗浄ステップ、
前記選択領域から有機残留物を除去するステップ、および
前記選択領域から酸化膜層を除去するステップを含む
方法。 - 前記選択領域から窒化膜およびオキシ窒化膜の少なくとも一つを除去するステップが、前記選択領域をフッ酸(HF)/エチレングリコール(EG)・エッチング溶液で処理するステップを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記フッ酸(HF)/エチレングリコール(EG)・エッチング溶液の濃度が、エチレングリコール96%:HF(49容積%)4%である請求項2に記載の方法。
- 前記選択領域から窒化膜およびオキシ窒化膜の少なくとも一つを除去するステップが、前記選択領域をフッ酸(HF)/グリセリン・エッチング溶液で処理するステップを含む請求項1に記載の方法。
- 前記窒化膜およびオキシ窒化膜の少なくとも一つを除去するステップで除去される厚さの範囲が、30〜60オングストロームである請求項1に記載の方法。
- 前記選択領域から金属性パーティクル、表面パーティクル又は有機物を除去する湿式洗浄ステップが、S/P HuangAB洗浄を含み、前記S/P HuangAB洗浄は、前記選択領域を硫酸(H2SO4)と過酸化水素(H2O2)の溶液で処理するステップ、前記選択領域を過酸化水素(H2O2)と水酸化アンモニウム(NH4OH)の溶液で処理するステップ、および前記選択領域を過酸化水素(H2O2)と塩酸(HCl)の溶液で処理するステップを含む請求項1に記載の方法。
- 前記選択領域から有機残留物を除去するステップが、オゾン・プラズマ洗浄を含む請求項1に記載の方法。
- 前記オゾン・プラズマ洗浄が、前記選択領域に5〜60オングストロームの酸化膜層を形成する請求項7に記載の方法。
- 前記選択領域から酸化膜層を除去するステップが、前記選択領域を希フッ酸(DHF)エッチング溶液で処理するステップを含む請求項1に記載の方法。
- 前記希フッ酸(DHF)エッチング溶液の濃度が、純水:HF(49重量%)=200:1である請求項9に記載の方法。
- 半導体構造の製造方法において
半導体基板の選択領域にシリサイド構造を形成する方法であって、
半導体基板の選択領域を前洗浄するステップ、
シリサイド材料を、前記選択領域を含む前記半導体基板上に付着させるステップ、
前記シリサイド材料をアニーリングし、それにより前記シリサイド材料を前記選択領域と反応させ、シリサイド層を形成するステップ、および
前記シリサイド材料の未反応部分を前記半導体基板から除去するステップを含み、
前記前洗浄ステップは、
前記選択領域から窒化膜およびオキシ窒化膜の少なくとも一つを除去するステップ、
前記選択領域から金属性パーティクル、表面パーティクル又は有機物を除去する湿式洗浄ステップ、
前記選択領域から有機残留物を除去するステップ、および
前記選択領域から酸化膜層を除去するステップを含む
方法。 - 前記シリサイド材料をアニーリングし、それにより前記シリサイド材料を前記選択領域と反応させ、シリサイド層を形成するステップ、および前記シリサイド材料の未反応部分を前記半導体基板から除去するステップの2ステップに替えて、
前記シリサイド材料上にキャップ層を付着させるステップ、
前記シリサイド材料に第1の急速熱アニ−ルを行い、それにより前記シリサイド材料を前記選択領域と反応させ、コバルトモノシリサイド(CoSi)層を形成するステップ、
前記キャップ層を除去するステップ、
前記シリサイド材料の未反応部分を前記半導体基板から除去するステップ、および
前記初期シリサイド層に第2の急速熱アニ−ルを行い、それによりコバルトダイシリサイド(CoSi 2 )層を形成するステップを含む請求項11に記載の方法。 - 前記選択領域から窒化膜およびオキシ窒化膜の少なくとも一つを除去するステップが、前記選択領域をフッ酸(HF)/エチレングリコール(EG)・エッチング溶液で処理することを含む請求項12に記載の方法。
- 前記選択領域から窒化膜およびオキシ窒化膜の少なくとも一つを除去するステップが、前記選択領域をフッ酸(HF)/グリセリン・エッチング溶液で処理することを含む請求項12に記載の方法。
- 前記選択領域から金属性パーティクル、表面パーティクル又は有機物を除去する湿式洗浄ステップが、S/P HuangAB洗浄を含み、前記S/P HuangAB洗浄が、前記選択領域を硫酸(H2SO4)と過酸化水素(H2O2)の溶液で処理するステップ、前記選択領域を過酸化水素(H2O2)と水酸化アンモニウム(NH4OH)の溶液で処理するステップ、および前記選択領域を過酸化水素(H2O2)と塩酸(HCl)の溶液で処理するステップを含む請求項12に記載の方法。
- 前記選択領域から有機残留物を除去するステップが、オゾン・プラズマ洗浄を含む請求項12に記載の方法。
- 前記選択領域から酸化膜層を除去するステップが、前記選択領域を希フッ酸(DHF)エッチング溶液で処理するステップを含む請求項12に記載の方法。
- ゲート酸化膜上に形成されたポリシリコン・ゲート構造と、
基板内に形成されたドープト(doped)・シリコン拡散領域と、
前記ポリシリコン・ゲート構造と前記ドープト(doped)・シリコン拡散領域とを分離する窒化物のスペーサと、
前記ポリシリコン・ゲート構造および前記シリコン拡散領域上に形成されたコバルトダイシリサイド(CoSi2)層とを含み、
前記ドープト(doped)・シリコン拡散領域が請求項1〜10いずれか1つに記載の方法により調製されたものであり、
前記コバルトダイシリサイド(CoSi2)層が、24オーム毎平方未満の接触抵抗を有する
サリサイド構造。
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