KR100452919B1 - 반도체 제조에 사용되는 노즐장치 - Google Patents
반도체 제조에 사용되는 노즐장치 Download PDFInfo
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- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
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- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
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Abstract
Description
Claims (13)
- 반도체 제조에 사용되는 기판의 가장자리에 유체를 분사하는 노즐 장치에 있어서,유체를 분사하는 제 1분사구가 형성된 제 1면, 상기 제 1면과 대향되도록 배치되며 흡입구가 형성된 제 2면, 그리고 상기 제 1 면과 상기 제 2면에 연결된 제 3면에 의해 제공되며 기판의 가장자리가 삽입되는 삽입구가 형성된 몸체와;상기 제 1분사구를 통해 분사된 유체가 상기 삽입구 외부로 흐르는 것을 방지하기 위한 차단수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 노즐 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 차단수단은 상기 제 1면과 상기 제 2면의 끝단부에 형성되어 상기 삽입구의 외곽에 차단막을 형성하는 가스를 분사하는 제 2분사구를 포함하는 것을 특징으로 하는 노즐 장치.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제 1면에는 상기 제 1분사구에서 분사된 상기 유체가 상기 삽입구의 안쪽으로 흐르도록 유도하는 유로가이드가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 노즐 장치.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 흡입구는 상기 기판에 분사된 유체의 강제흡입이 잘 이루어질 수 있도록 상기 삽입구의 안쪽을 향해 경사지도록 형성된 것을 특징으로 하는 노즐 장치.
- 제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 제 1면은 상기 삽입구의 상부면이고, 상기 제 2면은 상기 삽입구의 하부면인 것을 특징으로 하는 노즐 장치.
- 반도체 제조에 사용되는 기판의 가장자리에 유체를 분사하는 노즐 장치에 있어서,서로 대향되도록 배치되며 유체를 분사하는 제 1분사구가 각각 형성된 제 1면과 제 2면, 그리고 상기 제 1면과 상기 제 2면을 연결하며 제 1분사구로부터 분사된 유체를 흡입하는 흡입구가 형성된 제 3면에 의해 제공되며 기판의 가장자리를 삽입하는 삽입구가 형성된 몸체와;상기 제 1분사구를 통해 분사된 유체가 상기 삽입구 외부로 흐르는 것을 방지하기 위한 차단수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 노즐 장치.
- 제 6항에 있어서,상기 차단수단은 상기 제 1면과 상기 제 2면의 끝단부에 형성되어 상기 삽입구의 외곽에 차단막을 형성하는 가스를 분사하는 제 2분사구를 포함하는 것을 특징으로 하는 노즐 장치.
- 삭제
- 제 2항 또는 제 7항에 있어서,상기 노즐 장치는,상부 몸체와,상기 상부 몸체와의 사이에 상기 삽입구가 형성되도록 상기 상부 몸체에 결합되는 하부 몸체와;상기 상부 몸체의 전방에 일정거리 이격되어 결합되어 상기 상부 몸체와의 사이에 상기 제 2분사구를 제공하는 제 1커버와;상기 하부 몸체의 전방에 일정거리 이격되어 결합되어 상기 하부 몸체와의 사이에 상기 제 2분사구를 제공하는 제 2커버를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 노즐 장치.
- 삭제
- 제 1항 또는 제 6항에 있어서,상기 유체는 식각액인 것을 특징으로 하는 노즐 장치.
- 제 2항 또는 제 7항에 있어서,상기 제 1분사구의 분사 압력은 0.05kgf/cm2내지 0.5kgf/cm2이고, 상기 흡입구의 흡입 압력은 -0.05kgf/cm2내지 -0.5kgf/cm2인 것을 특징으로 하는 노즐 장치.
- 제 2항 또는 제 7항에 있어서,상기 흡입구의 면적은 1mm2내지 5mm2인 것을 특징으로 하는 노즐 장치.
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KR10-2002-0027852A KR100452919B1 (ko) | 2002-05-20 | 2002-05-20 | 반도체 제조에 사용되는 노즐장치 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR10-2002-0027852A KR100452919B1 (ko) | 2002-05-20 | 2002-05-20 | 반도체 제조에 사용되는 노즐장치 |
Publications (2)
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Family
ID=32383570
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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KR10-2002-0027852A KR100452919B1 (ko) | 2002-05-20 | 2002-05-20 | 반도체 제조에 사용되는 노즐장치 |
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Citations (4)
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JPH0547651A (ja) * | 1991-08-15 | 1993-02-26 | Miyazaki Oki Electric Co Ltd | レジスト塗布装置 |
JPH07115060A (ja) * | 1993-08-23 | 1995-05-02 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
KR20030087424A (ko) * | 2002-05-10 | 2003-11-14 | 한국디엔에스 주식회사 | 반도체 제조 장치 및 방법 |
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2002
- 2002-05-20 KR KR10-2002-0027852A patent/KR100452919B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
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JPH07115060A (ja) * | 1993-08-23 | 1995-05-02 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置及び処理方法 |
KR20030087424A (ko) * | 2002-05-10 | 2003-11-14 | 한국디엔에스 주식회사 | 반도체 제조 장치 및 방법 |
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