JP2001259552A - 流体処理装置 - Google Patents
流体処理装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】流体噴射により試料の処理を行う装置におい
て、流体の噴射、排出、及び処理領域の雰囲気を制御す
ることにより、流体処理の処理性を高める。 【解決手段】異なる方向から試料上の略１点に向かい処
理流体を噴射する２つ以上の処理流体噴射ノズルと、処
理領域上方に設けられた処理済み流体の排出口と、試料
上の流体処理領域を処理領域外から分離する流体を供給
する機構により構成される。
て、流体の噴射、排出、及び処理領域の雰囲気を制御す
ることにより、流体処理の処理性を高める。 【解決手段】異なる方向から試料上の略１点に向かい処
理流体を噴射する２つ以上の処理流体噴射ノズルと、処
理領域上方に設けられた処理済み流体の排出口と、試料
上の流体処理領域を処理領域外から分離する流体を供給
する機構により構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、被処理試料に対し
て洗浄もしくはエッチングもしくは研磨もしくは改質等
の処理を行う流体を、前記試料に吹き付けることにより
前記処理を行う装置に関するものであり、前記装置を用
いる製品製造業にて利用される。特に、前記処理が高い
性能を要求される分野、例えば電子デバイス製造業など
での利用において、有効性が高い。
て洗浄もしくはエッチングもしくは研磨もしくは改質等
の処理を行う流体を、前記試料に吹き付けることにより
前記処理を行う装置に関するものであり、前記装置を用
いる製品製造業にて利用される。特に、前記処理が高い
性能を要求される分野、例えば電子デバイス製造業など
での利用において、有効性が高い。
【０００２】
【従来の技術】被処理試料に対して洗浄もしくはエッチ
ングもしくは研磨もしくは改質等の処理を行う流体を、
前記試料に噴射することにより前記処理を行う装置に
は、例えば特開平０４−２８７９２２号、特開平０４−
３２２４２４号公報がある。
ングもしくは研磨もしくは改質等の処理を行う流体を、
前記試料に噴射することにより前記処理を行う装置に
は、例えば特開平０４−２８７９２２号、特開平０４−
３２２４２４号公報がある。
【０００３】特開平０４−２８７９２２号公報に記載の
装置は、被処理面を上にし水平に載置した試料を回転さ
せ、洗浄液及びリンス液等を噴射して前記の試料を処理
する装置である。また特開平０４−３２２４２４号公報
に記載の装置は、水平に固定した試料の対向面に設けた
ほぼ同数のエッチングガス供給口と排気口とから前記エ
ッチングガスの供給及び排気を行うことにより前記試料
のエッチングを行う装置である。
装置は、被処理面を上にし水平に載置した試料を回転さ
せ、洗浄液及びリンス液等を噴射して前記の試料を処理
する装置である。また特開平０４−３２２４２４号公報
に記載の装置は、水平に固定した試料の対向面に設けた
ほぼ同数のエッチングガス供給口と排気口とから前記エ
ッチングガスの供給及び排気を行うことにより前記試料
のエッチングを行う装置である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前項にて述べた流体処
理装置には、それぞれ以下の問題がある。
理装置には、それぞれ以下の問題がある。
【０００５】特開平０４−２８７９２２号公報記載の装
置による処理は、試料に対する流体噴射の方向を１方向
に限定して行っているため、段差を有する試料において
流体噴射の影となる部分が必ず生じる。従って、流体が
直接噴射された部分とそうでない部分とで処理の進行に
顕著な差が出る場合、処理が不均一となる問題が生じ
る。また前記の装置では、処理後の流体の排出に配慮が
なされていないため、処理に伴う汚染物等を含有する流
体が試料の流体処理領域周辺に接触し、当該部分の汚染
を引き起こす可能性がある。さらに前記の装置では、流
体噴射の際に飛散するミストに対する対策が考慮されて
いないため、前記ミストが流体処理領域周囲を汚染する
可能性がある。
置による処理は、試料に対する流体噴射の方向を１方向
に限定して行っているため、段差を有する試料において
流体噴射の影となる部分が必ず生じる。従って、流体が
直接噴射された部分とそうでない部分とで処理の進行に
顕著な差が出る場合、処理が不均一となる問題が生じ
る。また前記の装置では、処理後の流体の排出に配慮が
なされていないため、処理に伴う汚染物等を含有する流
体が試料の流体処理領域周辺に接触し、当該部分の汚染
を引き起こす可能性がある。さらに前記の装置では、流
体噴射の際に飛散するミストに対する対策が考慮されて
いないため、前記ミストが流体処理領域周囲を汚染する
可能性がある。
【０００６】特開平０４−３２２４２４号公報に記載の
装置は、処理流体を噴射する角度に関する考慮がなされ
ていないため、段差を有するパターン付き試料において
流体噴射の影となる部分を発生させるという問題があ
る。
装置は、処理流体を噴射する角度に関する考慮がなされ
ていないため、段差を有するパターン付き試料において
流体噴射の影となる部分を発生させるという問題があ
る。
【０００７】従って本発明の第１の目的は、段差を有す
るパターン付き試料において流体噴射の影となる部分を
発生させないことである。
るパターン付き試料において流体噴射の影となる部分を
発生させないことである。
【０００８】本発明の第２の目的は、処理に伴う汚染物
等を含有する流体が試料上の流体被噴射位置の周辺に接
触することを防止し、当該部分が汚染されないようにす
ることである。
等を含有する流体が試料上の流体被噴射位置の周辺に接
触することを防止し、当該部分が汚染されないようにす
ることである。
【０００９】本発明の第３の目的は、流体噴射の際に発
生するミストが試料の流体被噴射位置周辺へ飛散するこ
とを防止することである。
生するミストが試料の流体被噴射位置周辺へ飛散するこ
とを防止することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記第１の目的を達成す
るために、試料の略１点に対し、２ヶ所以上からの流体
噴射を行う。流体照射の入射角は試料面に対し３０〜６
０度、好ましくは４５度とする。
るために、試料の略１点に対し、２ヶ所以上からの流体
噴射を行う。流体照射の入射角は試料面に対し３０〜６
０度、好ましくは４５度とする。
【００１１】前記第２の目的を達成するために、試料の
流体被噴射位置の上方に排気・排液口を設け、主として
処理直後の流体を排気させる。
流体被噴射位置の上方に排気・排液口を設け、主として
処理直後の流体を排気させる。
【００１２】前記第３の目的を達成するために、試料の
流体照射位置の外周部に、処理領域と処理領域外とを遮
断する流体のカーテンを形成する。
流体照射位置の外周部に、処理領域と処理領域外とを遮
断する流体のカーテンを形成する。
【００１３】本発明によれば、１回の流体噴射で立体構
造の全側壁の処理が可能となり、従来技術に比べて処理
性が向上する、もしくは処理時間が短縮される。
造の全側壁の処理が可能となり、従来技術に比べて処理
性が向上する、もしくは処理時間が短縮される。
【００１４】また本発明によれば、汚染物の再付着率が
低減される。
低減される。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面により本発明の実施例
を説明する。
を説明する。
【００１６】実施例１ 本実施例では、本発明をドライアイス含有二酸化炭素の
吹きつけによる洗浄に適用した例について説明する。
吹きつけによる洗浄に適用した例について説明する。
【００１７】装置は、微粒子状ドライアイスのキャリア
ガスである二酸化炭素の供給源13と、減圧弁14と、微粒
子状ドライアイス発生装置15と、雰囲気分離用ガスg2で
ある窒素の供給源17と、減圧弁18と、電荷発生装置19
と、ドライアイス含有二酸化炭素g1の供給ノズル10と、
雰囲気分離用ガスg2の供給口11と、排気口12と、排気用
ポンプ16と、これらを接続する配管系等により構成され
る。ドライアイス含有二酸化炭素g1の供給ノズル10は、
２個１組より成り、ドライアイス含有二酸化炭素g1が試
料s0上の略１点に照射されるように設置する。雰囲気分
離用ガスg2の供給口11は、４個１組より成り、雰囲気分
離用ガスg2噴射により処理領域がその周辺の雰囲気から
遮断されるように設置する。
ガスである二酸化炭素の供給源13と、減圧弁14と、微粒
子状ドライアイス発生装置15と、雰囲気分離用ガスg2で
ある窒素の供給源17と、減圧弁18と、電荷発生装置19
と、ドライアイス含有二酸化炭素g1の供給ノズル10と、
雰囲気分離用ガスg2の供給口11と、排気口12と、排気用
ポンプ16と、これらを接続する配管系等により構成され
る。ドライアイス含有二酸化炭素g1の供給ノズル10は、
２個１組より成り、ドライアイス含有二酸化炭素g1が試
料s0上の略１点に照射されるように設置する。雰囲気分
離用ガスg2の供給口11は、４個１組より成り、雰囲気分
離用ガスg2噴射により処理領域がその周辺の雰囲気から
遮断されるように設置する。
【００１８】これらの配置を図１に示す。但し前記説明
では、本発明に直接関与しない構成要素、例えば処理
槽、試料の搬送機構及び保持機構、配管の計器類及びバ
ルブ類、装置の制御機構等は省略した。また雰囲気分離
用ガスg2の供給口11は、４個の内２個を省略した。試料
s0は、側壁にレジスト残りs2がある半導体の配線パター
ンを用いた。図では１つのパターンs1を強調した断面図
で示した。
では、本発明に直接関与しない構成要素、例えば処理
槽、試料の搬送機構及び保持機構、配管の計器類及びバ
ルブ類、装置の制御機構等は省略した。また雰囲気分離
用ガスg2の供給口11は、４個の内２個を省略した。試料
s0は、側壁にレジスト残りs2がある半導体の配線パター
ンを用いた。図では１つのパターンs1を強調した断面図
で示した。
【００１９】処理手順は以下の通りである。すなわち、
前記試料s0を図では示していない試料の保持機構に設置
した後、供給口11より雰囲気分離用ガスg2を噴射させ、
電荷発生装置19と排気用ポンプ16を作動させる。その約
３秒後にノズル10より微粒子状ドライアイスを含有した
二酸化炭素g1を噴射させる。この状態で試料s0を図では
示していない試料の保持機構により移動させ、試料s0の
指定した領域もしくは全面の処理を行わせる。本装置で
は、処理時間が１平方cm当たり約１秒となるよう試料を
動かした。所定の処理が終了した後、処理流体g1の供給
を停止し、その約３秒後に雰囲気分離用ガスg2の供給及
び排気用ポンプ16を停止させる。
前記試料s0を図では示していない試料の保持機構に設置
した後、供給口11より雰囲気分離用ガスg2を噴射させ、
電荷発生装置19と排気用ポンプ16を作動させる。その約
３秒後にノズル10より微粒子状ドライアイスを含有した
二酸化炭素g1を噴射させる。この状態で試料s0を図では
示していない試料の保持機構により移動させ、試料s0の
指定した領域もしくは全面の処理を行わせる。本装置で
は、処理時間が１平方cm当たり約１秒となるよう試料を
動かした。所定の処理が終了した後、処理流体g1の供給
を停止し、その約３秒後に雰囲気分離用ガスg2の供給及
び排気用ポンプ16を停止させる。
【００２０】前記装置及び手順により処理を行うと、パ
ターンs1側壁のレジスト残りs2に処理流体が照射されな
い部位を形成すること無く処理を行うことができる。ま
た、雰囲気分離用ガスg2により処理領域と処理領域外と
が分離されるため、処理領域の周囲が前記処理流体によ
り汚染されることがない。また水を含有する処理領域外
の雰囲気が処理領域内に巻き込まれることがないため、
ドライアイス照射に伴う結露を抑えることができる。ま
た、雰囲気分離用ガスg2に含まれる電荷により、試料s0
表面へのドライアイス衝突による帯電を抑えることがで
きる。これらの効果により、高清浄な洗浄が可能とな
る。前記の試料s0を電子顕微鏡により観察した結果、試
料上のパターンs1の側壁に付着していたレジスト残りs2
が殆ど除去されていることが確認できた。
ターンs1側壁のレジスト残りs2に処理流体が照射されな
い部位を形成すること無く処理を行うことができる。ま
た、雰囲気分離用ガスg2により処理領域と処理領域外と
が分離されるため、処理領域の周囲が前記処理流体によ
り汚染されることがない。また水を含有する処理領域外
の雰囲気が処理領域内に巻き込まれることがないため、
ドライアイス照射に伴う結露を抑えることができる。ま
た、雰囲気分離用ガスg2に含まれる電荷により、試料s0
表面へのドライアイス衝突による帯電を抑えることがで
きる。これらの効果により、高清浄な洗浄が可能とな
る。前記の試料s0を電子顕微鏡により観察した結果、試
料上のパターンs1の側壁に付着していたレジスト残りs2
が殆ど除去されていることが確認できた。
【００２１】本発明による処理性能を従来技術と比較す
るために、ノズル10の一方を閉じ、雰囲気分離用ガスg2
の供給及び排気用ポンプ16を停止し、これら以外は前記
条件と全く同じ状態で処理を行った。この結果、照射位
置にとって下流側の側壁に付着するレジスト残りの除去
が完全でないこと、及び処理領域の下流部に再付着物が
観察された。処理時間を４倍にして同じ実験を行ったが
同様の結果となった。以上の結果は、本発明の有用性を
示すものである。
るために、ノズル10の一方を閉じ、雰囲気分離用ガスg2
の供給及び排気用ポンプ16を停止し、これら以外は前記
条件と全く同じ状態で処理を行った。この結果、照射位
置にとって下流側の側壁に付着するレジスト残りの除去
が完全でないこと、及び処理領域の下流部に再付着物が
観察された。処理時間を４倍にして同じ実験を行ったが
同様の結果となった。以上の結果は、本発明の有用性を
示すものである。
【００２２】本実施例の構成及び手順は一例であり、前
記のものに限定されるものではない。例えば処理流体は
微粒子状ドライアイス含有二酸化炭素に限定されるもの
ではない。またその製造方法も上記に限定されるもので
はない。流体処理時の試料移動速度は１平方mm当たり約
１秒に限定されない。ノズル10の数は２個に限定される
ものではなく３個もしくはそれ以上としても良い。雰囲
気分離用ガスg2の供給口11は４個に限定されるものでは
なく５個もしくはそれ以上としても良い。ノズル10と排
気口12の対は２組以上あっても良い。
記のものに限定されるものではない。例えば処理流体は
微粒子状ドライアイス含有二酸化炭素に限定されるもの
ではない。またその製造方法も上記に限定されるもので
はない。流体処理時の試料移動速度は１平方mm当たり約
１秒に限定されない。ノズル10の数は２個に限定される
ものではなく３個もしくはそれ以上としても良い。雰囲
気分離用ガスg2の供給口11は４個に限定されるものでは
なく５個もしくはそれ以上としても良い。ノズル10と排
気口12の対は２組以上あっても良い。
【００２３】実施例２ 本実施例では、湿式洗浄を行う装置へ適用した例につい
て説明する。
て説明する。
【００２４】装置は、洗浄剤の供給源53と、ポンプ54
と、温度調整装置55と、雰囲気分離用ガスg2である窒素
の供給源57と、洗浄剤を噴射する超音波スプレノズル50
と、雰囲気分離用ガスg2の供給口51と、排気・排液口52
と、排気・排液用ポンプ56と、これらを接続する配管系
等により構成される。洗浄剤の供給ノズル50は、２個１
組より成り、洗浄剤が試料s0上の略１点に噴射されるよ
うに設置する。雰囲気分離用ガスg2の供給口51は、４個
１組より成り、雰囲気分離用ガスg2噴射により処理領域
がその周辺の雰囲気から遮断されるように設置する。
と、温度調整装置55と、雰囲気分離用ガスg2である窒素
の供給源57と、洗浄剤を噴射する超音波スプレノズル50
と、雰囲気分離用ガスg2の供給口51と、排気・排液口52
と、排気・排液用ポンプ56と、これらを接続する配管系
等により構成される。洗浄剤の供給ノズル50は、２個１
組より成り、洗浄剤が試料s0上の略１点に噴射されるよ
うに設置する。雰囲気分離用ガスg2の供給口51は、４個
１組より成り、雰囲気分離用ガスg2噴射により処理領域
がその周辺の雰囲気から遮断されるように設置する。
【００２５】これらの配置を図２に示す。但し前記説明
では、本発明に直接関与しない構成要素、例えば処理
槽、試料の搬送機構及び保持機構、配管の計器類及びバ
ルブ類、装置の制御機構等は省略した。試料s0は、側壁
にレジスト残りs2がある半導体の配線パターンを用い
た。図では１つのパターンs1を強調した断面図で示し
た。処理手順は以下の通りである。すなわち、前記試料
s0を図では示していない試料の保持機構に設置した後、
供給口51より雰囲気分離用ガスg2を噴射させ排気・排液
用ポンプ56を作動させる。その約３秒後にノズル50より
洗浄剤を噴射させる。この状態で試料を図では示してい
ない試料の保持機構により移動させ、前記流体処理によ
り試料s0の全面もしくは指定した領域の処理を行わせ
る。所定の処理が終了した後、洗浄剤の供給を停止し、
その約３秒後に雰囲気分離用ガスg2の供給及び排気・排
液用ポンプ56を停止する。
では、本発明に直接関与しない構成要素、例えば処理
槽、試料の搬送機構及び保持機構、配管の計器類及びバ
ルブ類、装置の制御機構等は省略した。試料s0は、側壁
にレジスト残りs2がある半導体の配線パターンを用い
た。図では１つのパターンs1を強調した断面図で示し
た。処理手順は以下の通りである。すなわち、前記試料
s0を図では示していない試料の保持機構に設置した後、
供給口51より雰囲気分離用ガスg2を噴射させ排気・排液
用ポンプ56を作動させる。その約３秒後にノズル50より
洗浄剤を噴射させる。この状態で試料を図では示してい
ない試料の保持機構により移動させ、前記流体処理によ
り試料s0の全面もしくは指定した領域の処理を行わせ
る。所定の処理が終了した後、洗浄剤の供給を停止し、
その約３秒後に雰囲気分離用ガスg2の供給及び排気・排
液用ポンプ56を停止する。
【００２６】前記の試料s0を電子顕微鏡により観察した
結果、試料上のパターンs1の側壁に付着していたレジス
ト残りs2が殆ど除去されていることが確認できた。すな
わち、前記装置及び手順により、パターンs1側壁のレジ
スト残りs2に処理流体非照射部位を形成すること無く処
理を行うことができた。また雰囲気分離用ガスg2により
処理領域と処理領域外とを分離したため、処理領域の周
囲が前記処理流体により汚染されることがなかった。こ
れらの効果により、高清浄な洗浄が可能となった。
結果、試料上のパターンs1の側壁に付着していたレジス
ト残りs2が殆ど除去されていることが確認できた。すな
わち、前記装置及び手順により、パターンs1側壁のレジ
スト残りs2に処理流体非照射部位を形成すること無く処
理を行うことができた。また雰囲気分離用ガスg2により
処理領域と処理領域外とを分離したため、処理領域の周
囲が前記処理流体により汚染されることがなかった。こ
れらの効果により、高清浄な洗浄が可能となった。
【００２７】本発明による処理性能を従来技術と比較す
るために、ノズル50の一方を閉じ、雰囲気分離用ガスg2
の供給及び排気・排液用ポンプ56を停止し、これら以外
は前記条件と全く同じ状態で処理を行った。この結果、
照射位置にとって下流側の側壁に付着するレジスト残り
の除去が完全でないこと、及び処理領域の下流部に再付
着物が観察された。以上の結果は、本発明の有用性を示
すものである。
るために、ノズル50の一方を閉じ、雰囲気分離用ガスg2
の供給及び排気・排液用ポンプ56を停止し、これら以外
は前記条件と全く同じ状態で処理を行った。この結果、
照射位置にとって下流側の側壁に付着するレジスト残り
の除去が完全でないこと、及び処理領域の下流部に再付
着物が観察された。以上の結果は、本発明の有用性を示
すものである。
【００２８】本実施例の構成及び手順は一例であり、前
記のものに限定されるものではない。例えばノズル10の
数は２個に限定されるものではなく３個もしくはそれ以
上としても良い。ノズル10と排気口11の対は２個以上あ
っても良い。
記のものに限定されるものではない。例えばノズル10の
数は２個に限定されるものではなく３個もしくはそれ以
上としても良い。ノズル10と排気口11の対は２個以上あ
っても良い。
【００２９】実施例３ 本実施例では、湿式洗浄を行う装置における、洗浄剤の
噴射口と流体排出口と分離流体供給口とを一体化した装
置部品60について説明する。
噴射口と流体排出口と分離流体供給口とを一体化した装
置部品60について説明する。
【００３０】本部品は、直径約１００mm、厚さ約２０mm
の円板に、洗浄剤の供給孔61と、雰囲気分離用ガスの供
給孔62と、排気・排液孔63を穿孔したものである。排気
・排液孔63は、直径約５mmとし、前記円板の中央に該円
板に対して垂直に穿孔した。洗浄剤供給孔61は、直径約
１mmとし、排気・排液孔63を中心とした半径約３mmの同
心円上に均等に４個穿孔した。これらの洗浄剤供給孔61
は、それぞれの孔から噴射された洗浄剤が前記円板より
約３mm離れた位置で集中するように穿孔した。排気・排
液孔63を中心とした半径約３０mmの同心円の位置に深さ
約２mm、幅約２mmの溝を形成し、その底部に雰囲気分離
用ガスの供給口62を４個穿孔した。これらの配置を図３
に示す。なお、図３及び前記説明では、実際に使用する
際に本部品に接続する配管系、本部品を支持するアー
ム、及びその周辺の器具・部品等は省略した。
の円板に、洗浄剤の供給孔61と、雰囲気分離用ガスの供
給孔62と、排気・排液孔63を穿孔したものである。排気
・排液孔63は、直径約５mmとし、前記円板の中央に該円
板に対して垂直に穿孔した。洗浄剤供給孔61は、直径約
１mmとし、排気・排液孔63を中心とした半径約３mmの同
心円上に均等に４個穿孔した。これらの洗浄剤供給孔61
は、それぞれの孔から噴射された洗浄剤が前記円板より
約３mm離れた位置で集中するように穿孔した。排気・排
液孔63を中心とした半径約３０mmの同心円の位置に深さ
約２mm、幅約２mmの溝を形成し、その底部に雰囲気分離
用ガスの供給口62を４個穿孔した。これらの配置を図３
に示す。なお、図３及び前記説明では、実際に使用する
際に本部品に接続する配管系、本部品を支持するアー
ム、及びその周辺の器具・部品等は省略した。
【００３１】本部品は図４に示すように、板状試料に対
し約３mmの距離を保って平行に対向させた状態で、洗浄
剤の噴射、雰囲気分離流体の供給、排気・排液等を行
う。これらの作業の手順は、実施例２と全く同じであ
る。これにより、試料に対する作用が実施例２に記載し
た作用と全く同じになるため、本発明による効果は実施
例２と全く同じである。
し約３mmの距離を保って平行に対向させた状態で、洗浄
剤の噴射、雰囲気分離流体の供給、排気・排液等を行
う。これらの作業の手順は、実施例２と全く同じであ
る。これにより、試料に対する作用が実施例２に記載し
た作用と全く同じになるため、本発明による効果は実施
例２と全く同じである。
【００３２】本実施例の構成は一例であり、前記のもの
に限定されるものではない。例えばノズル10の数は４個
に限定されるものではなく、２個、３個、もしくは５個
以上としても良い。
に限定されるものではない。例えばノズル10の数は４個
に限定されるものではなく、２個、３個、もしくは５個
以上としても良い。
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、段差を有するパターン
付き試料において流体噴射の影となる部分を発生させる
ことがない。
付き試料において流体噴射の影となる部分を発生させる
ことがない。
【００３４】また、本発明によれば、処理に伴う汚染物
等を含有する流体が試料上の流体被噴射位置の周辺に接
触するのを防止し、当該部分が汚染されないようにする
ことができる。
等を含有する流体が試料上の流体被噴射位置の周辺に接
触するのを防止し、当該部分が汚染されないようにする
ことができる。
【００３５】さらに、本発明によれば、流体噴射の際に
発生するミストが試料の流体被噴射位置周辺に飛散する
のを防止することができる。
発生するミストが試料の流体被噴射位置周辺に飛散する
のを防止することができる。
【図１】ドライアイス含有二酸化炭素の吹きつけによる
洗浄を行う装置を示す図である。
洗浄を行う装置を示す図である。
【図２】湿式洗浄を行う装置を示す図である。
【図３】流体噴出口と流体排出口と処理領域と処理領域
外とを遮断する流体の供給口とにより構成される洗浄ヘ
ッドを示す図である。
外とを遮断する流体の供給口とにより構成される洗浄ヘ
ッドを示す図である。
【図４】洗浄ヘッドと被処理試料との位置関係を示す図
である。
である。
10… 処理流体供給ノズル、11…雰囲気分離用ガスの供
給口、12… 排気口、13…二酸化炭素の供給源、14…減
圧弁、15…微粒子状ドライアイス発生装置、16…排気用
ポンプ、17…窒素の供給源、18…減圧弁、19…電荷発生
装置、50…超音波スプレノズル、51…雰囲気分離用ガス
の供給口、52…排気・排液口、53…洗浄剤の供給源、54
…ポンプ、55…温度調整装置、56…排気・排液用ポン
プ、57…窒素の供給源、58…減圧弁、59…温度調整装
置、60…洗浄剤の噴射口と流体排出口と分離流体供給口
とを一体化した装置部品、61…洗浄剤の供給孔、62…雰
囲気分離用ガスの供給孔、63…排気・排液孔、64…溝、
s0…被処理試料、s1…半導体配線パターン、s2…レジス
ト残り。
給口、12… 排気口、13…二酸化炭素の供給源、14…減
圧弁、15…微粒子状ドライアイス発生装置、16…排気用
ポンプ、17…窒素の供給源、18…減圧弁、19…電荷発生
装置、50…超音波スプレノズル、51…雰囲気分離用ガス
の供給口、52…排気・排液口、53…洗浄剤の供給源、54
…ポンプ、55…温度調整装置、56…排気・排液用ポン
プ、57…窒素の供給源、58…減圧弁、59…温度調整装
置、60…洗浄剤の噴射口と流体排出口と分離流体供給口
とを一体化した装置部品、61…洗浄剤の供給孔、62…雰
囲気分離用ガスの供給孔、63…排気・排液孔、64…溝、
s0…被処理試料、s1…半導体配線パターン、s2…レジス
ト残り。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/304 ６４３ Ｈ０１Ｌ 21/302 Ｐ ５Ｆ０４３ 21/306 Ｒ Ｆターム(参考） 3B116 AA03 AB42 BA06 BA36 BB23 BB33 BB62 CD11 3B201 AA03 AB01 BA06 BA36 BB23 BB33 BB62 BB92 BB99 CD11 4K053 QA04 SA04 SA05 XA22 XA32 4K057 WA01 WB17 WG08 WM05 WM06 WM11 WN01 5F004 AA14 BB16 BB17 BB18 BC03 CA02 CA05 CA09 DA00 DB26 5F043 AA37 BB27 DD06 DD13 DD16 EE07 EE22 EE32 EE36 EE37 GG10
Claims (14)
- 【請求項１】 ステージ上に設置した試料に対して、洗
浄もしくはエッチングもしくは研磨もしくは改質等の処
理を行う流体を噴射することにより前記の処理を行う装
置であって、 前記試料表面の略１点に対し、前記流体を少なくとも２
ヶ所以上の異なる方向から噴射し、 噴射された前記流体を、該試料の鉛直上方に設けた流体
排出口により吸引、排出し、 前記流体処理が該試料の全面もしくは予め指定した領域
に対して行われるように、前記ステージを移動させる、
という機能を有する、試料表面の流体処理装置。 - 【請求項２】 試料に対して、洗浄もしくはエッチング
もしくは研磨もしくは改質等の処理を行う流体を、少な
くとも２ヶ所以上の異なる方向から前記試料表面の略１
点に対し噴射することにより前記の処理を行う装置であ
って、 前記流体を噴射する噴射口が、該試料の流体被噴射地点
から伸びた法線に対し互いにおおよそ軸対象となる位置
に配置されていること、 前記流体噴射口より噴射された流体を、該試料の鉛直上
方に設けた流体排出口により吸引し排出すること、及び
前記流体噴射口と前記流体排出口との対を、前記流体が
該試料の全面もしくは予め指定した領域に対して噴射さ
れるように移動させる機能を有すること、を特徴とす
る、試料表面の流体処理装置。 - 【請求項３】 請求項１あるいは２に記載した流体処理
装置において、流体の噴射される角度が試料表面に対し
て３０度ないし６０度であることを特徴とする流体処理
装置。 - 【請求項４】 請求項１あるいは２に記載した流体処理
装置において、流体供給口の数をＮ個とした時、隣合う
任意の２個の流体供給口のなす角度が、試料の鉛直上方
から見た時、３６０／Ｎ±２０（度）であることを特徴
とする流体処理装置。 - 【請求項５】 試料に対して、洗浄もしくはエッチング
もしくは研磨もしくは改質等の処理を行う流体を、少な
くとも２ヶ所以上の異なる位置にある流体噴射口から前
記試料表面の略１点に対して噴射し、且つ該試料の鉛直
上方に設けた流体排出口から吸引排出することにより前
記の処理を行う装置であって、 前記流体噴射口と前記流体排出口の対が、前記流体処理
が該試料の全面もしくは予め指定した領域に対して行わ
れるように移動するという特徴を有する、試料表面の流
体処理装置。 - 【請求項６】 試料に対して、洗浄もしくはエッチング
もしくは研磨もしくは改質等の処理を行う流体を、少な
くとも２ヶ所以上の異なる方向から前記試料表面の略１
点に対し噴射することにより前記の処理を行う装置であ
って、請求項１あるいは２に記載した特徴の他に、 前記流体処理が行われる領域の外周部から該領域の方向
に処理流体と同一の流体を供給し、これにより処理領域
と処理領域外とを分離するという特徴を有する、試料表
面の流体処理装置。 - 【請求項７】 試料に対して、洗浄もしくはエッチング
もしくは研磨もしくは改質等の処理を行う流体を、少な
くとも２ヶ所以上の異なる方向から前記試料表面の略１
点に対し噴射することにより前記の処理を行う装置であ
って、請求項１あるいは２に記載した特徴の他に、 前記流体処理が行われる領域の外周部から該領域の方向
に処理流体とは異なる流体を供給し、これにより処理領
域と処理領域外とを分離するという特徴を有する、試料
表面の流体処理装置。 - 【請求項８】 請求項１、２、３、４、５あるいは６に
記載した流体処理装置において、１つの流体処理領域を
形成する２つ以上の流体噴射口と流体排出口との対を２
組以上有することを特徴とする、流体処理装置装置。 - 【請求項９】 請求項１、２、３、４、５、６あるいは
７に記載した流体処理装置において、流体噴射口と流体
排出口が、一体構造となっていることを特徴とする、流
体処理装置装置。 - 【請求項１０】 請求項１、２、３、４、５、６あるい
は７に記載した流体処理装置において、流体噴射口と流
体排出口と雰囲気分離流体の供給口が、一体構造となっ
ていることを特徴とする、流体処理装置装置。 - 【請求項１１】 試料に対して流体を噴射することによ
り処理を行う装置の、流体噴射口と流体排出口とから構
成される部品であって、前記流体噴射口及び前記流体排
出口の機能が、請求項１、２、３、４、あるいは５に記
載された前記流体噴射口及び前記流体排出口に係る要件
を満足することを特徴とする構造体。 - 【請求項１２】 試料に対して流体を噴射することによ
り処理を行う装置の、流体噴射口と流体排出口と処理領
域を分離する流体の供給口から構成される部品であっ
て、 前記流体噴射口及び前記流体排出口の機能が、請求項
１、２、３、４、あるいは５に記載した前記流体噴射口
及び前記流体排出口に係る要件を満足し、 前記の処理領域分離流体供給口の機能が、請求項６、あ
るいは７に記載した関連要件を満足することを特徴とす
る構造体。 - 【請求項１３】 請求項１、２、３、４、５、６、７、
８、９、あるいは１０に記載した流体処理装置が組込ま
れた、薄膜デバイス、プラスティック製品、金属製品の
製造ライン。 - 【請求項１４】 請求項１３に記載した製造ラインによ
り製造された、薄膜デバイス、プラスティック製品、金
属製品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000077762A JP2001259552A (ja) | 2000-03-15 | 2000-03-15 | 流体処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000077762A JP2001259552A (ja) | 2000-03-15 | 2000-03-15 | 流体処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001259552A true JP2001259552A (ja) | 2001-09-25 |
Family
ID=18595262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000077762A Pending JP2001259552A (ja) | 2000-03-15 | 2000-03-15 | 流体処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001259552A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101533931B1 (ko) * | 2014-07-07 | 2015-07-03 | 주식회사 아이엠티 | 3차원 웨이퍼 표면 세정 방법 및 장치 |
| CN106076981A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-11-09 | 兰荣 | 物体表面清洗装置、方法及清洗冰球的制备方法 |
| KR102667944B1 (ko) * | 2016-12-15 | 2024-05-23 | 엘지전자 주식회사 | 유연필름의 표면 세정장치 |
-
2000
- 2000-03-15 JP JP2000077762A patent/JP2001259552A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101533931B1 (ko) * | 2014-07-07 | 2015-07-03 | 주식회사 아이엠티 | 3차원 웨이퍼 표면 세정 방법 및 장치 |
| WO2016006753A1 (ko) * | 2014-07-07 | 2016-01-14 | 주식회사 아이엠티 | 3차원 웨이퍼 표면 세정 방법 및 장치 |
| CN106076981A (zh) * | 2016-06-30 | 2016-11-09 | 兰荣 | 物体表面清洗装置、方法及清洗冰球的制备方法 |
| CN106076981B (zh) * | 2016-06-30 | 2019-02-01 | 兰荣 | 物体表面清洗装置、方法及清洗冰球的制备方法 |
| KR102667944B1 (ko) * | 2016-12-15 | 2024-05-23 | 엘지전자 주식회사 | 유연필름의 표면 세정장치 |
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| A711 | Notification of change in applicant |
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