KR20000015991U - 반도체 제조용 에어분사장치 - Google Patents

Abstract

본 고안은 반도체 제조용 에어분사장치에 관한 것으로, 웨이퍼를 공정쳄버내로 이동시키는 웨이퍼보트가 공정쳄버내로 이동할 때 웨이퍼 로딩부의 이물질 및 외기가 공정쳄버로 유입되지 않도록 하는 반도체 제조용 에어분사장치로서, 웨이퍼 로딩부와 공정쳄버 사이에 설치되어 고압가스를 공급하되, 상기 고압가스가 하향 흐름을 갖도록 다수개의 분사공이 천공된 고압가스 공급관과, 상기 고압가스 공급관에서 분사된 고압가스를 상기 웨이퍼 로딩부 외부로 배기시키도록 상기 웨이퍼 로딩부 하단에 설치된 배기팬으로 이루진다.

따라서, 공정쳄버내부로 이물질 또는 외기가 유입되지 못하게 차단시킴으로써 이물질에 의한 웨이퍼의 오염을 방지하게 되고, 자연산화막이 웨이퍼표면에 증착되는 것을 방지하게 된다.

Description

반도체 제조용 에어분사장치{Apparatus for gas injection}

본 고안은 반도체 제조용 에어분사장치로서, 다수개의 웨이퍼가 장착된 웨이퍼 보트를 공정쳄버내로 이송시킬 때 외부의 이물질 또는 외기가 공정쳄버내로 유입되어 웨이퍼가 이물질 또는 외기에 의해 오염되는 것을 방지하기 위한 반도체 제조용 에어분사장치이다.

제 1 도는 본 고안인 반도체 제조용 에어분사장치가 장착되기 전의 반도체 제조장비에 대한 도면이다.

이를 참조하면, 종래의 반도체 제조장비는 열처리 공정 또는 박막증착공정이 진행되는 공정쳄버(1)가 있고, 공정쳄버(1)의 하단에는 상기 공정쳄버(1)내부로 웨이퍼를 이송시키는 웨이퍼 보트(3)가 위치되는 웨이퍼 로딩부(2)가 있다.

웨이퍼 보트(3)는 다수개의 웨이퍼가 장착되고, 상,하 방향으로 구동되면서 다수개의 웨이퍼를 웨이퍼 로딩부(2)로 이송시킨다.

상기 공정쳄버(1)와 상기 웨이퍼 로딩부(2)에는 배기수단(미도시)와 연결된 공정쳄버 배기관(4)과 웨이퍼 로딩부 배기관(5)이 각각 형성되어 있다.

이러한 구성으로 이루어진 종래의 반도체 제조장비는 웨이퍼 보트(3)에 장착된 웨이퍼는 상기 웨이퍼 보트(3)의 상방향 구동에 따라 상기 공정쳄버(1)내로 이송되어 열처리공정 또는 증착공정이 진행된 다음, 다시 상기 웨이퍼 보트(3)의 하방향 구동에 따라 상기 공정쳄버(1)내부에서 상기 웨이퍼 로딩부(2)로 이송된다.

이때, 공정쳄버(1)와 웨이퍼 로딩부(2)의 내부는 배기수단(미도시)과 연결된 공정쳄버 배기관(4)과 웨이퍼 로딩부 배기관(5)에 의해 배기되고 있다.

그러나, 이러한 종래의 반도체 제조장치는 배기수단에 의해 웨이퍼 로딩부와 공정쳄버내의 외기 및 부유된 이물질을 제거하고 있지만, 외기 및 이물질이 완전히 제거되지는 않는다.

따라서, 완전히 제거되지 않은 외기 및 이물질은 웨이퍼 로딩부에서 공정쳄버 내부로 웨이퍼 보트가 이동될 때 함께 공정쳄버내로 유입되어 웨이퍼에 이물질을 부착시키거나 자연산화막을 형성시켜 웨이퍼 불량을 유발시키게 된다.

이에 본 고안은 이러한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로, 웨이퍼 보트에 장착된 웨이퍼가 공정쳄버내로 이송될 때 웨이퍼 로딩부내에 부유된 이물질과 외기가 공정쳄버내부로 유입되지 않도록 하는 반도체 제조용 에어분사장치를 제공하는데 그 목적이 있다.

따라서, 본 고안은 상기 목적을 달성하고자, 반도체 제조용 에어분사장치에 있어서, 웨이퍼 로딩부와 공정쳄버 사이에 설치되어 고압가스를 공급하되, 상기 고압가스가 하향 흐름을 갖도록 다수개의 분사공이 천공된 고압가스 공급관과, 상기 고압가스 공급관에서 분사된 고압가스를 상기 웨이퍼 로딩부 외부로 배기시키는 배기팬을 포함하고, 상기 고압가스 공급관에서 공급되는 가스는 질소 및 아르곤 가스등의 불활성 가스를 사용한다.

제 1 도는 본 고안인 반도체 제조용 에어분사장치가 장착되기 전의 반도체 제조장치에 대한 도면이고,

제 2 도는 본 고안인 반도체 제조용 에어분사장치가 장착된 반도체 제조장치에 대한 도면이다.

< 도면의 주요부분에 대한 간략한 부호설명 >

1 : 공정쳄버 2 : 웨이퍼 로딩부

3 : 웨이퍼 보트 4 : 공정쳄버 배기관

5 : 웨이퍼 로딩부 배기관 100 : 고압가스 공급관

101 : 배기팬

이하, 첨부된 제 2는 본 고안인 반도체 제조용 에어분사장치가 장착된 반도체 제조장비를 나타낸 도면으로 이를 참조하여 본 고안인 반도체 제조용 에어분사장치를 설명하면 다음과 같다.

본 고안인 반도체 제조용 에어분사장치는 고압의 가스를 공급하는 고압가스 공급관(100)과, 상기 고압가스 공급관(100)에서 분사된 고압가스를 외부로 배기시키기 위한 배기팬(101)으로 이루어진다.

상기 고압가스 공급관(100)은 열처리 공정 또는 증착공정이 진행되는 공정쳄버(1)과 웨이퍼를 로딩시키는 웨이퍼 로딩부(2)사이에 설치되고, 공급되는 고압가스를 분사하기 위한 분사공(미도시)이 다수개 천공된다.

이때, 상기 분사공(미도시)의 천공위치는 분사되는 고압가스가 웨이퍼 로딩부(2)의 하단방향으로 분사되도록 하향흐름을 갖도록 천공하고, 공급되는 고압가스는 질소(N₂)가스 및 아르곤(Ar)가스등의 불활성 가스를 사용하면 된다.

또한, 상기 배기팬(101)은 상기 고압가스 공급관(100)에서 분사된 고압가스를 웨이퍼 로딩부(2)에서 배기시키도록 상기 웨이퍼 로딩부(2)의 하단에 설치한다.

따라서, 고압가스 공급관(100)에 분사된 고압가스는 배기팬(101)으로 배기되면서 웨이퍼 로딩부의 상단에서 하단방향으로 하향 흐름을 갖는 일정한 가스흐름을 갖게 된다.

상기 일정한 가스 흐름은 일종의 차단막 역할을 하게 된다.

이러한 구성으로 이루어진 본 고안인 반도체 제조용 에어분사장치는 웨이퍼 로딩부(2)에 위치된 웨이퍼 보트(3)가 상방향으로 구동되어 공정쳄버(1)내로 이송될 때 상기 고압가스 공급관(100)에서 고압의 가스를 분사시킨다.

상기 고압가스 공급관(100)에서 분사된 고압가스는 웨이퍼 로딩부(2)의 하단에 설치된 배기팬(101)에 의해 배기되면서 일정한 가스 흐름을 형성하게 되어 웨이퍼 로딩부(2)에 부유된 이물질을 강제적으로 배기시켜 이물질을 제거한다.

또한, 일종의 차단막 역할을 하게 되어 공정쳄버(1)내부로 이물질이 유입되지 않도록 하고, 외기가 공정쳄버(1)내부로 유입되지 못하도록 차단시키게 된다.

상기에서 상술한 바와같이,본 고안인 반도체 제조용 에어공급장치는 웨이퍼가 공정쳄버내부로 웨이퍼 보트에 의해 이송될 때 공정쳄버내부로 이물질 또는 외기가 유입되지 못하게 차단시킴으로써 이물질에 의한 웨이퍼의 오염을 방지하게 되고, 자연산화막이 웨이퍼표면에 증착되는 것을 방지하게 된다.

Claims (2)

1. 반도체 제조용 에어분사장치에 있어서,

   웨이퍼 로딩부와 공정쳄버 사이에 설치되어 고압가스를 공급하되, 상기 고압가스가 하향 흐름을 갖도록 다수개의 분사공이 천공된 고압가스 공급관과,

   상기 고압가스 공급관에서 분사된 고압가스를 상기 웨이퍼 로딩부 외부로 배기시키도록 상기 웨이퍼 로딩부 하단에 설치된 배기팬으로 이루진 것이 특징인 반도체 제조용 에어분사장치.
2. 청구항 1 에 있어서, 상기 고압가스 공급관에서 공급되는 가스는 질소 및 아르곤 가스등의 불활성 가스인 것이 특징인 반도체 제조용 에어분사장치.