KR100273222B1 - 반도체 종형 화학기상증착장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 반도체 종형 화학기상증착장치에 관한 것으로, 종래에는 보트의 로딩시 튜브의 내측으로 외부공기가 유입되어 웨이퍼에 산화막을 형성함으로서 품질이 저하되는 문제점이 있었다. 본 발명 반도체 종형 화학기상증착장치는 셔터(12)의 외측에 공기차단수단(20)을 설치하여, 보트(14)의 로딩시 튜브(11)의 개구부(11a) 하측면에 질소커튼(50)을 형성함으로서, 튜브의 내측으로 외부공기가 유입되는 것을 차단하게 되고, 따라서 종래와 같이 외부공기에 의하여 웨이퍼에 산화막이 형성되는 것을 방지하게 되어 웨이퍼의 품질을 향상시키는 효과가 있다.

Description

반도체 종형 화학기상증착장치{APPARATUS FOR SEMICONDUCTOR CHEMICAL VAPOR DEPOSITION}

본 발명은 반도체 종형 화학기상증착장치에 관한 것으로, 특히 보트의 로딩시 챔버의 내측으로 외부공기가 유입되는 것을 차단하여 웨이퍼에 산화막이 형성되는 것을 방지하도록 하는데 적합한 반도체 종형 화학기상증착장치에 관한 것이다.

일반적으로 반도체 공정에서 이용되는 화학기상증착(CVD)이란 것은, 기체상태의 화합물을 분해한 후, 화학적 반응에 의해 반도체 웨이퍼 위에 박막이나 에피층을 형성하는 것이다. 이와 같은 일반적인 종래 종형 화학기상증착장치가 도 1에 도시되어 있는 바, 이를 간단히 설명하면 다음과 같다.

도 1은 종래 반도체 종형 화학기상증착장치의 구조를 보인 종단면도로서, 도시된 바와 같이, 하측방향으로 개구된 원통형의 석영 튜브(1)와, 웨이퍼(2)들을 탑재하여 공정 진행시 웨이퍼(2)들을 상기 석영 튜브(1)에 로딩시키기 위한 보트(3)와, 상기 석영 튜브(1)의 개구부 하면에 복개가능토록 설치되는 셔터(4)를 구비하여서 구성되어 있다.

상기와 같이 구성되어 있는 종래 반도체 종형 화학기상증착장치의 동작을 설명하면 다음과 같다.

먼저, 석영 튜브(1)의 내측이 일정 온도가 되도록 가열한 상태에서, 보트(3)에 다수개의 웨이퍼(2)을 탑재한다. 그런 다음, 엘리베이터(5)를 이용하여 도 2와 같이 웨이퍼(2)가 탑재된 보트(3)를 튜브(1)의 내측으로 로딩시킨다. 그런 다음, 튜브(1)의 내측으로 공정가스를 주입하여 웨이퍼(2)의 상면에 증착막이 형성되도록 한다.

그러나, 상기와 같은 종래 반도체 종형 화학기상증착장치에서는 웨이퍼(2)들이 탑재된 보트(3)를 튜브(1)의 내측으로 로딩시에 튜브(1)의 개구부(1a)를 통하여 외부공기가 유입되어 증착하기 전에 웨이퍼(2)에 산화막이 형성되어 품질을 저하시키는 문제점이 있었다.

상기와 같은 문제점을 감안하여 안출한 본 발명의 목적은 보트의 로딩시 외부공기가 튜브의 내측으로 유입되는 것을 차단할 수 있도록 하는데 적합한 반도체 종형 화학기상증착장치를 제공함에 있다.

도 1은 종래 반도체 종형 화학기상증착장치의 구조를 보인 종단면도.

도 2는 종래 종형 화학기상증착장치의 보트가 로딩되는 상태를 보인 종단면도.

도 3은 본 발명 반도체 종형 화학기상증착장치의 구조를 보인 종단면도.

도 4는 본 발명의 요부인 공기차단수단을 보인 평면도.

도 5는 본 발명 종형 화학기상증착장치의 보트가 로딩되는 상태를 보인 종단면도.

* * 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 * *

11 : 튜브 11a: 개구부

12 : 셔터 13 : 웨이퍼

14 : 보트 20 : 공기차단수단

21 : 질소분사부 22 : 질소흡입부

31 : 질소분사관 31a: 분사공

32 : 질소공급호스 41 : 질소흡입관

41a: 흡입공 42 : 질소배출호스

상기와 같은 본 발명의 목적을 달성하기 위하여 튜브의 하측 개구부에 복개가능토톡 셔터가 설치되어 있고, 그 셔터의 하부에 웨이퍼들을 탑재하기 위한 보트가 설치되어 있는 반도체 종형 화학기상증착장치에 있어서, 상기 튜브의 입구부 일측에 다수개의 분사공이 형성됨과 아울러 질소공급호스가 연결되어 있는 질소분사관을 설치하고, 타측에 다수개의 흡입공이 형성됨과 아울러 질소배출호스가 연결되어 있는 질소흡입관을 설치하여, 질소분사관에서 분사되는 질소가스를 질소흡입관에서 흡입하며 형성되는 질소커튼에 의하여 외부공기가 튜브의 내부로 유입되는 것을 차단하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 종형 화학기상증착장치가 제공된다.

이하, 상기와 같이 구성되는 본 발명 반도체 종형 화학기상증착장치를 첨부된 도면의 실시예를 참고하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.

도 3은 본 발명 반도체 종형 화학기상증착장치의 구조를 보인 종단면도이고, 도 4는 본 발명의 요부인 공기차단수단을 보인 평면도로서, 도시된 바와 같이, 본 발명 반도체 화학기상증착장치는 튜브(11)의 하측 개구부에 복개가능토록 셔터(12)가 설치되어 있고, 그 셔터(12)의 하부에는 웨이퍼(13)들을 탑재하기 위한 보트(14)가 설치되어 있으며, 상기 셔터(12)의 외측에는 보트(14)의 로딩시 튜브(11)의 내측으로 외부공기가 유입되는 것을 차단하기 위한 공기차단수단(20)이 설치되어 있다.

상기 공기차단수단(20)은 튜브(11)의 개구부(11a) 하면 일측에 설치되어 내측방향으로 질소가스를 분사하여 질소커튼을 형성하기 위한 질소분사부(21)와, 타측에 설치되어 상기 질소분사부(21)에서 분사되는 질소가스를 흡입하기 위한 질소흡입부(22)로 구성되어 있다.

상기 질소분사부(21)는 질소가스를 분사하기 위한 다수개의 분사공(31a)이 내측방향으로 형성되어 있는 반원형의 질소분사관(31)과, 그 질소분사관(31)에 연결되어 질소분사관(31)으로 질소가스를 공급하기 위한 질소공급호스(32)로 구성되어 있다.

상기 질소흡입부(22)는 질소가스를 흡입하기 위한 다수개의 흡입공(41a)이 내측방향으로 형성되어 있는 반원형의 질소흡입관(41)과, 그 질소흡입관(41)에 연결되어 질소흡입관(41)에서 흡입된 질소가스를 외부로 배출하기 위한 질소배출호스(42)로 구성되어 있다.

상기와 같이 구성되어 있는 본 발명 반도체 종형 화학기상증착장치의 작용을 설명하면 다음과 같다.

튜브(11)가 일정온도로 가열된 상태에서 웨이퍼(13)들이 탑재된 보트(14)를 튜브(11)의 내측으로 로딩시키고, 튜브(11)의 내측으로 공정가스를 주입하여 웨이퍼(13)의 상면에 증착막을 형성한다.

그리고, 본 고안에서는 상기와 같이 보트(14)를 튜브(11)의 내측에 로딩하기 위하여 셔터(12)를 오픈할 때, 도 5와 같이 상기 질소공급호스(32)를 통하여 질소분사관(31)으로 질소가스를 공급하고, 그 공급된 질소가스가 질소분사관(31)에 형성된 다수개의 분사공(31a)들을 통하여 분사되어 튜브(11)의 개구부(11a) 하면에 질소커튼(50)을 형성함으로서, 튜브(11)의 내측으로 외부공기가 유입되는 것을 차단한다. 그리고, 상기와 같이 분사된 질소가스는 질소흡입관(41)에 형성된 다수개의 흡입공(41a)을 통하여 흡입되어 질소배출호스(42)로 배출된다.

이상에서 상세히 설명한 바와 같이 본 발명 반도체 종형 화학기상증착장치는 셔터의 외측에 공기차단수단을 설치하여, 보트의 로딩시 튜브의 개구부 하측면에 질소커튼을 형성함으로서, 튜브의 내측으로 외부공기가 유입되는 것을 차단하게 되고, 따라서 종래와 같이 외부공기에 의하여 웨이퍼에 산화막이 형성되는 것을 방지하게 되어 웨이퍼의 품질을 향상시키는 효과가 있다.

Claims (1)

1. 튜브의 하측 개구부에 복개가능토톡 셔터가 설치되어 있고, 그 셔터의 하부에 웨이퍼들을 탑재하기 위한 보트가 설치되어 있는 반도체 종형 화학기상증착장치에 있어서, 상기 튜브의 입구부 일측에 다수개의 분사공이 형성됨과 아울러 질소공급호스가 연결되어 있는 질소분사관을 설치하고, 타측에 다수개의 흡입공이 형성됨과 아울러 질소배출호스가 연결되어 있는 질소흡입관을 설치하여, 질소분사관에서 분사되는 질소가스를 질소흡입관에서 흡입하며 형성되는 질소커튼에 의하여 외부공기가 튜브의 내부로 유입되는 것을 차단하도록 한 것을 특징으로 하는 반도체 종형 화학기상증착장치.

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