KR101002942B1 - 높은 기체 컨덕턴스를 가지는 박막 증착 장비 - Google Patents

Abstract

본 발명은 하부가 상부보다 큰 용적을 가지는 챔버와 상기 챔버 내에 위치하며, 상면에 기판이 안치되는 서셉터와 상기 기판의 상부에 공정 기체를 분사하는 기체 분사부와 상기 챔버의 상부에 위치하며, RF 전원과 연결되는 코일부와 상기 챔버의 벽에 설치되는 배기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장비를 제공한다.

본 발명에 의하면 높은 컨덕턴스 하에서도 공정기체의 유입량 및 배기량을 높일 수 있어 기판의 증착 속도를 증대시킬 수 있으며, 불필요한 공정기체들의 배기량을 증대시킬 수 있도록 하여 보다 개선된 갭 필 공정을 수행할 수 있게 해준다.

공정 챔버, HDPCVD장비, 갭필 공정, 컨덕턴스, 유전체 돔

Description

높은 기체 컨덕턴스를 가지는 박막 증착 장비{Thin-film deposition apparatus which has high gas conductance}

도 1은 종래 박막 증착 장비의 개략적인 단면 구성도.

도 2는 종래 다른 박막 증착 장비의 개략적인 단면 구성도.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 박막 증착 장비의 단면 구성도.

도 4는 서셉터가 상승한 모습을 도시한 박막 증착 장비의 단면 구성도

도 5는 측면에 인젝터가 설치된 박막 증착 장비의 단면 구성도

도 6은 가스분사수단을 이원적으로 배치한 박막 증착 장비의 단면 구성도

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명*

100 : 공정챔버 110 : 유전체 돔

120 : 연결부 130 : 슬롯밸브

140 : 챔버 몸체부 150 : 배기구

200 : 서셉터 300 : 코일부

400 : RF 전원 500 : 상부 인젝터

520, 542 : 가스유입관 540 : 측면 인젝터

560 : 환형 분사구 600 : 배기 펌프

620 : 흡입 라인 640 : 배기 라인

본 발명은 반도체 공정장비에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 반도체 소자를 제조함에 있어 높은 기체 컨덕턴스를 유지시켜 갭 필 공정의 성능을 향상시키고 파티클의 영향을 최소화할 수 있는 박막 증착 장비에 관한 것이다.

반도체 소자는 기판(웨이퍼)에 대한 박막 증착 및 패터닝 공정을 수차례 반복하여 구현되는 고 밀도 집적회로(LSI)를 의미하는 것으로서, 최근에는 이를 제조하는 기술의 발달에 따라 점차 소형화 및 고 집적화되는 추세에 있다.

그러나 이러한 고 밀도 집적회로의 소형화 및 고 집적화를 달성하기 위해서는 아직까지 몇 가지 해결해야 하는 문제점이 있는데, 그 중의 하나가 기판에 형성되는 프로파일(profile) 크기들을 축소시키고 각 프로파일의 라인 간격을 줄임에 따라 각 프로파일 사이에 발생하는 빈 공간(void)을 억제하는 것이다.

이러한 빈 공간들은 트랩된 불순물로 인하여 소자의 신뢰성을 떨어뜨릴 뿐 아니라 공정 진행 중에 금속 라인의 파손을 유발시키는 원인이 되므로, 이러한 빈 공간에 유전체 물질을 채우기 위한 갭 필(gap-fill) 공정이 필요하게 된다.

유전체 물질을 증착하여 갭필 공정을 수행하는 방법에는 여러 가지가 있으 나, 이를 효과적으로 수행하기 위해서는 충분한 밀도의 반응종이 공급되어야 하므로, 고밀도 플라즈마를 이용하는 화학기상증착(high density plasma chemical vapor deposition, HDPCVD) 방법이 현재 많이 사용되고 있다.

이 방법에 의하면 수십 mTorr 정도의 낮은 공정 압력하에서 일반적인 용량결합성 플라즈마보다 훨씬 높은 플라즈마 밀도를 얻을 수 있는 장점이 있다.

도 1은 종래 HDPCVD장비의 개략적인 단면구성을 도시한 것이다.

이를 살펴보면 HDPCVD장비는 일정한 반응공간을 형성하며 내부가 진공상태로 유지되는 공정챔버(10)와, 공정챔버(10)의 내부에 위치하며 상면에 기판(W)이 안치되고, 하부에 외부의 바이어스 전원(미도시)이 연결되는 서셉터(20)와, 상기 서셉터(20)의 상부에 위치하며 공정기체를 분사하는 기체 분사부(30)와, 상기 공정챔버(10)의 상부에 위치하는 코일부(40)와, 상기 코일부(40)에 RF전력을 공급하는 RF 전원(50)을 포함한다.

공정챔버(10)의 저면에는 잔여 공정기체를 배출하기 위한 배기구(60)가 형성되며, 상기 배기구는 배기라인을 통하여 미도시된 배기펌프에 연결된다.

이러한 구성을 가지는 HDPCVD 장비에서 공정순서를 살펴보면, 먼저 공정 챔버(10) 측벽의 미도시된 슬롯(slot) 밸브를 통해 기판(W)이 상기 서셉터(20)의 상면에 안치된 후, 서셉터 상부의 기체 분사부(30)에서 공정기체가 분사된다.

공정기체가 분사된 후에 RF전원(50)으로부터 RF전력이 코일부(40)에 인가되면, 코일부(40)에서 유도되는 전자기장에 의해 공정챔버(10) 내부의 공정기체가 이 온화되어 플라즈마 상태로 여기된다.

공정 챔버(10) 내부에 플라즈마가 형성되면 서셉터(20)에 인가되는 고주파 바이어스 전원에 의해 플라즈마 중의 이온들이 상기 서셉터(20)에 안치된 기판(W)에 입사함으로써, 기판에 대한 공정이 수행된다.

이때 외부의 배기펌프(미도시)가 동작하여, 공정 챔버(10)의 내부에 존재하는 잔여 공정기체들은 공정챔버(10) 저면의 배기구(60)를 통하여 지속적으로 외부로 빠져나가게 된다.

한편, 갭 필 공정이 성공적으로 수행되기 위해서는 고진공 상태에서의 기체 흐름이 특히 중요한데, 공정 챔버(10) 내부에 높은 기체밀도를 유지하면서도 동시에 공정 챔버를 빠져나가는 기체량이 많아야 한다는 유체역학적 조건이 바로 그것이다.

그러나 상기와 같은 구성을 가지는 종래 공정 챔버(10)로서는 이러한 조건을 충족시킬 수가 없었다.

이에 도 2와 같이 높은 펌핑 속도를 가지는 고 성능의 배기펌프(80)를챔버의 하부에 설치하는 방안이 제안되었다.

이 구성은 서셉터(20)를 공정 챔버(10)의 내부 측면에 결합시키고, 공정 챔버(10)의 하부를 빈 공간으로 형성한 다음, 저면에 배기 밸브(70)를 설치하여, 상기 배기 밸브(70)를 적당히 개방하고, 고 성능의 배기 펌프(80)를 가동하여 상기 배기 밸브(70), 흡입 라인(82) 및 배기 라인(84)을 통해 상기 공정 챔버(10) 내부 의 잔여 공정기체들을 외부로 배출되도록 함으로써 공정 챔버 내부의 기체 흐름을 제어하고자 한 것이다.

도 2는 서셉터의 상부에 위치하는 가스분사부(30) 이외에도 챔버측벽에 측면분사부(32)를 두고 있는데, 이는 공정기체를 보다 균일하게 공급하기 위한 것이다.

그런데 이와 같이 펌핑 속도가 높은 고 진공 배기펌프(80)를 이용하는 방식은 배기펌프(80)의 펌핑 속도에 전적으로 의존할 수 밖에 없으므로 공정 챔버 내부의 기체 컨덕턴스(conductance)를 효과적으로 제어하는 데는 한계를 가지고 있다.

한편 이와 같은 종래의 HDPCVD장비에서 서셉터(20) 하부의 공간이 충분하지 않아서, 서셉터 하부에 축적되는 잔여 공정기체와 공정 부산물(by-product)이 배기구 근처의 터뷸런스(turbulence)에 의해 다시 역류하여 기판(W)을 오염시키는 문제점이 있다.

본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 고안된 것으로서, 공정 챔버 내부가 높은 컨덕턴스를 유지할 수 있도록 하여 기판의 증착 속도를 증대시킬 수 있는 박막증착장비를 제공하는데 그 목적이 있다.

본 발명의 다른 목적은 공정 챔버가 높은 컨덕턴스를 유지하면서도 잔여 공정기체들의 배기량을 증대시킬 수 있도록 하여 보다 개선된 갭 필 공정을 수행할 수 있도록 하고, 잔여 공정기체나 공정 부산물이 역류하여 기판을 오염시키는 것을 방지할 수 있는 박막증착장비를 제공하는데 있다.

본 발명은 상기와 같은 목적을 달성하기 위해서, 하부가 상부보다 큰 용적을 가지는 챔버와 상기 챔버 내에 위치하며, 상면에 기판이 안치되는 서셉터와 상기 기판의 상부에 공정 기체를 분사하는 기체 분사부와 상기 챔버의 상부에 위치하며, RF 전원과 연결되는 코일부와 상기 챔버의 벽에 설치되는 배기구를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장비를 제공한다.

상기 서셉터는 승하강이 가능하며, 상기 서셉터가 최대로 하강하였을 때의 상면을 기준으로 상기 챔버의 하부용적이 상부용적 보다 큰 것을 특징으로 한다.

상기 챔버의 횡단면 내부 직경은 서셉터의 하강시 점진적으로 커지는 것을 특징으로 한다.

상기 챔버는 유전체 돔과, 상기유전체 돔의 하부에 위치하며 상기 유전체 돔보다 큰 용적을 가지는 챔버 몸체부을 포함하는 것을특징으로 한다.

상기 챔버 몸체부는 중앙의 횡직경이 상부 및 하부의 횡직경 보다 큰 것을 특징으로 한다.

제 1 항 내지 제 5 항 중 어느한 항에 있어서, 상기 기체 분사부는 상기 서셉터의 상부 또는 상기 서셉터의 상부와 측면부에 설치되는 것을 특징으로 한다.

제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 배기구는 상기 챔버의 측면 또는 저면에 설치되는 것을 특징으로 한다.

이하에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명하기로 한다.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 HDPCVD장비의 단면 구성을 보여주고 있다. 한편 본 발명은 HDPCVD장비의 문제점을 개선하기 위해 안출된 것이기는 하지만, HDPCVD장비에만 굳이 한정되는 것은 아니어서 다른 유형의 박막증착장비에도 적용될 수 있음은 물론이다.

본 발명의 박막증착장비는 일정한 반응공간을 형성하는 공정챔버(100)와, 공정챔버(100)의 내부에 위치하고 상면에 기판(W)이 안치되는 서셉터(200)와, 상기 서셉터(200)의 상부에 위치하며 공정가스를 분사하는 상부 인젝터(500)를 포함한다.

특히 본 발명의 실시예에 따른 공정챔버(100)는 공정영역을 둘러싸는 유전체 돔(110)과, 상기 유전체 돔(110)의 하부에 결합되는 챔버 몸체부(140)와, 유전체 돔(110)의 하부 가장자리와 챔버 몸체부(140)의 상부 가장자리를 연결하는 연결부(120)로 구성된다.

유전체 돔(110)은 상부의 코일부(300)를 통해 RF전력이 유입되는 에너지창의 역할을 하며, 돔으로 둘러싸인 영역에서 공정이 수행된다. 그 형상은 내벽이 둥글게 형성되는 것이 바람직하나, 어느 한 형상에 한정되는 것은 아니다.

챔버 몸체부(140)는 상기 유전체 돔(110)의 하부에 결합하며, 유전체 돔(110)의 내부 용적보다 큰 용적을 가진다. 특히 본 발명의 실시예는 챔버 몸체부(140)의 용적을 크게 하기 위하여, 챔버 몸체부(140)의 형상을 항아리 형상 으로 하는 방안을 제시하고 있다.

즉 유전체 돔(110)과 연결되는 상부 가장자리에서 아래로 갈수록 횡직경이 커지다가 가운데 부근에서 횡직경이 최대로 되고, 다시 아래로 갈수록 횡직경이 작아지는 형상을 가지고 있다. 그러나 이와 같이 챔버 몸체부(140)를 항아리 형상으로 제조하는 것은 내부 용적을 크게 하기 위한 것이므로 반드시 이러한 형상에 한정되는 것은 아니다.

특히 챔버 몸체부(140)는 서셉터(200) 상면을 기준으로 상부의 용적보다 하부의 용적이 더 큰 것이 바람직한데, 이로 인해 공정기체의 컨덕턴스가 높아질 뿐만 아니라, 잔여 공정기체나 공정 부산물이 서셉터(200)의 하부로부터 위로 역류할 가능성이 적어지므로, 기판의 오염 가능성이 줄어들게 되기 때문이다. 상기 항아리 형상은 이러한 요건을 충족시킨다.

공정기체의 컨덕턴스는 서셉터(200)의 상부와 가장자리를 거쳐 하부로 유동하는 공정기체의 유동속도 및 유동량에 관계되는 것이므로, 이와 같이 서셉터(200)의 하부 용적을 크게 하고, 서셉터(200) 하부의 배기구(150)를 통해 고진공 펌핑을 하게 되면, 공정기체의 컨덕턴스를 높일 수 있을 뿐만 아니라, 파티클 등의 부산물이 역류하는 현상을 방지할 수 있게 된다.

그런데 서셉터(200)는 일반적으로 외부의 구동장치에 의하여 승하강이 가능하므로 제작되므로, 상부 용적과 하부 용적은 서셉터(200)가 최대로 하강했을 때 서셉터 상면의 위치를 기준으로 하는 것이 바람직하다.

서셉터(200)를 승하강이 가능하도록 설치하는 것은 기판(W)을 안치한 후 유 전체 돔(110) 직하부의 공정영역까지 기판(W)을 상승시키고 공정을 마친 후에는 다시 원위치로 하강시키기 위한 것인데, 이는 유전체 돔(110) 상부의 코일부(300)에 인가되는 RF 전력에 의해 플라즈마가 발생하므로, 유전체 돔(110)의 직하부 공간에서 플라즈마 밀도가 최대로 될 뿐만 아니라, 공정 중에 하부의 파티클이나 배기구 근처의 터뷸런스의 영향을 최소화할 수 있기 때문이다.

이와 같은 구조로 챔버 몸체부(140)를 형성하게 되면, 내부에서 서셉터(200)가 하강하면서 지나게 되는 챔버의 횡단면은 점차 증가하게 된다.

연결부(120)는 유전체 돔(110)과 챔버 몸체부(140)를 결합시킬 수만 있다면 어느 하나의 형상으로 제한되는 것은 아니지만, 상기 유전체 돔(110)과 챔버 몸체부(140)의 가장자리를 연결하여야 하므로, 링 형상이 바람직하다.

또한 결합에 의해 만들어지는 내부 공간은 진공상태를 유지하여야 하므로, 유전체 돔(110)과 연결부(120), 그리고 연결부(120)와 챔버 몸체부(140)는 오링(o-ring) 등에 의하여 실링(sealing)되는 것이 바람직하다.

한편, 챔버 몸체부(140)의 측면에는 기판이 출입하는 슬롯밸브(130)가 형성되고. 유전체 돔(110)의 중앙에는 공정기체를 분사하기 위한 상부 인젝터(500)가 위치하는데, 상부 인젝터(500)는 챔버 몸체부(140)의 하부 측벽을 관통하여 인입되는 가스유입관(520)의 말단에 형성된다. 가스유입관(520)이 챔버 몸체부(140)의 저면을 관통하여 인입되어도 무방함은 물론이다.

상기 챔버 몸체부(140)의 하부 측면에는 상기 챔버 몸체부(140) 내부의 잔류 공정기체와 파티클 등의 부산물을 배출시키기 위한 배기구(150)가 형성되는데, 상기 배기구(150)에는 개폐를 위한 배기밸브가 설치된다.

또한 상기 배기구(150)는 흡입 라인(620)을 통해 배기펌프(600)에 연결되며, 배기펌프(600)를 통과한 배출가스는 배기라인(640)을 통하여 배출된다.

본 발명의 실시예에 따른 배기펌프(600)는 초고진공 상태에서도 높은 기체 컨덕턴스를 확보하기 위하여 터보분자펌프(Turbo Molecular Pump, TMP)를 이용하는 것이 바람직하다.

상기 배기구(150)는 도시된 바와 같이 챔버 몸체부(120)의 하부 측면에 형성되고, 흡인 라인(620)이 상기 배기구(150)에 수평으로 연결되는 것이 바람직하다.

그러나 이것은 챔버 몸체부(120)의 저면을 관통하여 설치되는 서셉터(200)의 존재 때문에, 챔버 몸체부(120)의 저면에 배기구(150)와 배기밸브를 설치하는 것보다는 측면에 설치하는 것이 보다 간편하기 때문이며, 챔버 몸체부(120)의 저면에 설치하는 것을 배제하는 것은 아니다.

또한 배기구(150)와 연결되는 흡인라인(620)의 직경은 도시된 것에 한정되지 않고 다양하게 변경될 수 있음은 물론이다.

이러한 구성을 가지는 본 발명에 따른 박막증착장비에서 공정이 진행되는 순서를 살펴보면, 먼저 챔버 몸체부(140)의 측면에 형성된 슬롯밸브(130)을 통해 반입된 기판(W)이 서셉터(200)의 상면에 안치되면, 서셉터(200)는 기판(W)을 안치한 채 유전체 돔(110) 직하부의 공정영역까지 상승한다. 도 4는 이와 같이 서셉터(200)가 상승한 공정장비의 단면 모습을 도시한 것이다.

서셉터(200)가 유전체 돔(110) 하부의 공정영역에 정지하면, 상부 인젝터(500)에서 공정기체를 분사한다. 이어서 RF전원(400)으로 부터 공급되는 RF 전력을 코일부(300)에 인가하면, 코일부(300)에서 발생하는 유도전자기장의 영향으로 유전체 돔(110)과 기판(W) 사이의 공간에서 공정기체가 이온화되어 플라즈마 상태로 여기된다.

이때 서셉터(200)에 고주파 바이어스 전원(미도시)을 인가하면, 플라즈마 중의 이온들이 서셉터(200)에 안치된 기판에 입사하여 공정을 수행하게 된다.

이 과정에서 배기 펌프(600)가 동작하여, 공정 챔버(100) 내부의 잔여 공정기체와 공정 부산물을 배기구(150), 흡입 라인(620) 및 배기 라인(640)을 통해 외부로 배출하게 된다.

즉, 본 발명의 실시예에 따른 공정 챔버(100)는 항아리 형상으로서 하부로 갈수록 직경이 커지다가 가운데 부근부터 다시 직경이 작아지게 되는데, 이러한 항아리 형상은 상기 챔버 몸체부(140)와 결합되는 유전체 돔(110)에 의해 공정 챔버(100) 내부 공간을 더욱 상협(狹) 하광(廣)으로 형성시킨다.

이에 따라 공정 챔버(100)로 유입되는 공정기체의 유입량 뿐만 아니라 공정 챔버(100)를 빠져나가는 공정기체의 유동속도를 증대시킬 수 있게 되는 것이다.

구체적으로는 챔버 몸체부(140)의 용적을 유전체 돔(110)의 용적보다 크게 형성하고, 특히 챔버 몸체부(140)도 최대로 하강한 서셉터(200)의 상면을 기준으로 하부용적이 상부용적보다 더 크도록 형성함으로써, 공정기체의 컨덕턴스를 높게 유지하여 기판의 증착 속도를 증대시키면서 보다 향상된 갭 필 공정을 수행할 수 있게 된다.

도 5는 본 발명의 실시예에 따른 공정장비에서 다른 방식의 가스 분사부를 구비한 예를 도시한 단면도로서, 유전체 돔(110) 하부의 정중앙에 위치하는 상부 인젝터(500) 대신에 공정챔버(100)의 측벽에 다수의 측면 인젝터(540)가 대칭적으로 설치되는 모습을 도시한 단면도이다.

이 경우 측면 인젝터(540)는 수평방향으로 공정기체를 분사하여도 무방하나, 유전체 돔(110)의 천정부를 향하여 상방으로 비스듬히 분사하는 것이 보다 바람직하며, 도면에는 측면 인젝터(540)를 2 개만 도시하고 있으나 대칭적인 기체분사가 가능하다면 3개 이상도 무방하다.

또한 도면에는 측면 인젝터(540)를 연결부(120)에 설치한 것으로 표현하였으나, 이에 한정되지는 않으므로 챔버 몸체부(140)에 설치될 수도 있다. 각 측면 인젝터(540)에는 가스유입관(542)이 연결된다.

도 6은 가스분사부를 이원적으로 배치한 경우를 도시한 것으로서, 유전체 돔(110) 하부의 정중앙에 위치하는 상부 인젝터(500)와 서셉터(200)의 가장자리에 형성되는 환형 분사구(560)를 포함하고 있다.

환형 분사구(560)는 서셉터(200)와 일체로 형성되는데, 가스유입관(미도시) 은 서셉터(200)에 내장되며, 상방으로 비스듬히 공정기체를 분사하여 공정기체가 기판(W)의 상부에 균일하게 분포하도록 한다.

이상에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 한정하여 설명하였으나 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니고 다양하게 변경 또는 수정될 수 있으며, 이와 같이 변경 또는 수정된 내용이 후술하는 특허청구범위에 포함되는 본 발명의 기술적 사상을 바탕으로 하는 한 본 발명의 권리범위에 속하게 됨은 자명하다 할 것이다.

본 발명은 공정 챔버 몸체를 항아리 형상으로 구성하여 공정기체의 높은 컨덕턴스를 유지할 수 있게 함으로써 공정 챔버 내부로 유입되는 공정기체의 유입량 및 공정 챔버 외부로 빠져나가는 불필요한 공정기체의 유출량을 증대시켜 더욱 좁은 간격을 가지는 집적회로에서도 향상된 갭 필 공정을 수행할 수 있게 해준다.

또한, 본 발명은 공정 챔버에서 불필요한 공정기체들이 배출되는 흡입 라인을 수평으로 연결시킴으로서 공정 챔버 내부가 더욱 높은 컨덕턴스를 유지할 수 있도록 해준다.

Claims (7)

1. 챔버;

   상기 챔버 내에 위치하고 상면에 기판이 안치되는 서셉터;

   상기 기판의 상부에 공정 기체를 분사하는 기체 분사부;

   상기 챔버의 상부에 위치하고, RF 전원과 연결되는 코일부; 및

   상기 챔버의 벽에 설치되는 배기구;

   를 포함하고,

   상기 서셉터는 최대높이 및 최소높이로 승강가능하고, 상기 서셉터가 상기 최소높이에 있을 때, 상기 챔버는 상기 서셉터의 상면을 기준으로 상부영역과 상기 상부영역의 체적보다 큰 체적을 가지는 하부영역로 구분되고, 상기 서셉터가 상기 최대높이에 있을 때 상기 상부영역으로 공급되는 상기 공정기체의 유입량이 상기 하부영역을 통하여 배기될 수 있는 컨덕턴스를 가지는 것을 특징으로 하는 박막 증착장비.
2. 삭제
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 하부영역의 횡단면적은 수직방향을 따라 상기 상부영역과 인접한 상측부로부터 중간부까지 연속적으로 증가하고, 상기 중간부로부터 저면부까지 연속적으로 감소하는 것을 특징으로 하는 박막 증착장비.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 챔버는 유전체 돔과, 상기유전체 돔의 하부에 위치하며 상기 유전체 돔보다 큰 용적을 가지는 챔버 몸체부를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 증착장비.
5. 제 4 항에 있어서,

   상기 챔버 몸체부는 중앙의 횡직경이 상부 및 하부의 횡직경 보다 큰 것을 특징으로 하는 박막 증착 장비.
6. 제 1 항, 제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 기체 분사부는 상기 서셉터의 상부 또는 상기 서셉터의 상부와 측면부에 설치되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장비.
7. 제 1 항, 제 3 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,

   상기 배기구는 상기 챔버의 측면 또는 저면에 설치되는 것을 특징으로 하는 박막 증착 장치

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