KR200157376Y1 - 화학기상증착(cvd) 장비의 게이트 밸브 - Google Patents
화학기상증착(cvd) 장비의 게이트 밸브 Download PDFInfo
- Publication number
- KR200157376Y1 KR200157376Y1 KR2019930006155U KR930006155U KR200157376Y1 KR 200157376 Y1 KR200157376 Y1 KR 200157376Y1 KR 2019930006155 U KR2019930006155 U KR 2019930006155U KR 930006155 U KR930006155 U KR 930006155U KR 200157376 Y1 KR200157376 Y1 KR 200157376Y1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- gate valve
- nozzles
- gas
- chamber
- entrance
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
본 고안은 반도체 제조장치에 관한 것으로 특히 화학기상증착장치에서 웨이퍼를 반입 및 반출하는 게이트 밸브에 불활성가스를 주입하여 게이트 밸브 주변에 필름 또는 파우더 증착을 방지토록 한 화학기상증착장치의 게이트 밸브에 관한 것이다.
이를 위하여 쳄버(1)에 출입구(6)가 형성되고, 상기 출입구(6)를 개폐기(9)의 작동에 의해 차단시키는 게이트 밸브(8)를 갖는 CVD장비에 있어서, 상기 출입구(6) 일측벽에 형성된 다수개의 제1노즐(6a)과, 상기 게이트 밸브(8)의 일측면 소정부분에 형성된 다수의 제2노즐(8a)과, 상기 출입구(6) 및 게이트 밸브(8) 일측에 설치되어 상기 제1 및 제2노즐(6a,8a)에 불활성기체를 공급하는 제1 및 제2가스공급관(6b,8b)를 포함하여 이루어져 상기 제1, 제2노즐(6a)(8a)을 통해 불활성기체를 분사시키도록 한 것이다.
Description
제1도는 종래 CVD장비의 구조도.
제2도는 종래 CVD장비의 게이트 밸브 외형도.
제3도는 본 고안에 따른 CVD장비의 게이트 밸브 외형도.
제4도는 본 고안에 따른 CVD장비의 구조도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 쳄버 2 : 서셉터
3 : 웨이퍼 4 : 분사기
5 : 진공펌프 6 : 출입구
7 : 오링 8 : 게이트 밸브
9 : 개폐기 10 : 이송장치
11 : 유량조절밸브 6a,8a : 제1 및 제2노즐
6b,8b : 가스배관
본 고안은 반도체 제조장치에 관한 것으로 특히 화학기상증착장치에서 웨이퍼를 반입 및 반출하는 게이트 밸브에 불활성가스를 주입하여 게이트 밸브 주변에 필름 또는 파우더 증착을 방지토록 한 화학기상증착장치의 게이트 밸브에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 제조장치의 CVD장비는 제1도에 도시된 바와같이 쳄버(1)내부의 하부 중앙에는 웨이퍼(3)가 안착되는 서섭터(2)가 설치되어 있고, 상부 중앙에는 서셉터(2)와 소정간격을 두고 프로세서 가스를 웨이퍼(3)에 분사하는 분사기(4)가 설치된다.
또한, 쳄버(1) 일측 하단에는 진공펌프(5)의 배관이 설치되고, 쳄버(1)타측의 서셉터(2)와 분사기(4)사이 부분에 이송장치(10)에 의해 웨이퍼(3)가 반입 또는 반출이 이루어지는 출입구(6)가 형성되어 있으며, 개폐기(9)의 동작에 의해 오링(7)으로 출입구(6)을 막아 쳄버(1)내부와 밀폐시키는 게이트 밸브(8)로 이루어진다.
상기와 같은 종래 CVD장비는, 먼저 개폐기(9)의 동작으로 게이트밸브(8)가 열리면 웨이퍼가 실린 이송장치(10)가 쳄버(1)내부로 유입되어 서셉터(2)의 소정부분에서 정지되고, 이때 서셉터(2)로부터 미도시된 리프트핀이 상승되어 웨이퍼를 이송장치(10)로부터 격리시키게 되어 리프트핀이 웨이퍼를 받치고 있는 형태가 된다.
이후 이송장치(10)는 쳄버(1)밖으로 이동되고, 리프트핀이 하강되면서 웨이퍼(3)를 서셉터(2)위에 안착시킨 다음 개폐기(9)가 동작되어 게이트 밸브(8)를 닫아 쳄버(1)내부를 밀폐시킨다.
이러한 상태에서 프로세서 가스가 유입되어 분사기(4)를 통해 웨이퍼(1)위를 분사하게 되며 사용된 프로세스 가스는 진공펌프(5)에 의해 정화장치로 유출된다.
제2도는 CVD장비의 게이트 밸브(8)외형도로서 텅스텐 계층의 몸체 상부에 오링이 설치되어 쳄버(1)에 형성된 출입구(6)를 밀폐시키게 된다.
따라서, 프로세서는 쳄버(1)내부의 공기를 완전히 제거하기 위한 퍼지를 실시하고 반응가스를 도입하여 얻고자 하는 필름을 웨이퍼(3)에 증착하게 된다.
이때 게이트 밸브(8)의 개폐시 대기중의 가스와 프로세서 가스가 반응하거나 또는 잔류 프로세서가스와 대기가스가 반응하여 웨이퍼(3)뿐만 아니라 웨이퍼 주변, 쳄버(1)내부, 그리고 게이트 밸브(8)에 까지 필름(또는 불완전 반응에 의한 파우더)이 증착되며 이러한 일련의 과정을 수회 반복한 다음 웨이퍼 이외의 부분에 증착된 필름을 제거하기 위한 클리닝작업을 실시하게 된다.
상기와 같은 종래 반도체 제조장비의 CVD장비에서는 게이트 밸브의 잦은 개폐로 발생되는 이물질을 제거하기 위해 게이트밸브 부분에 퍼지를 위한 별도의 시간을 할당해야 할 뿐만아니라 불필요하게 게이트 밸브 및 주위에 증착된 필름 또는 파우더는 반복적인 게이트 밸브의 개폐동작에 의해 떨어져 웨이퍼에 묻을 경우 파티클발생의 주요인이 됨으로써 정밀한 반도체 장치를 생산할 수 없는 문제점이 발생하게 되는 것이다.
본 고안은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 게이트 밸브 및 쳄버에 형성된 웨이퍼 출입구의 측벽에 불활성 기체를 흘려 보낼수 있도록 다수의 작은 구멍의 노즐을 형성하고, 게이트 밸브와 출입구의 측벽에 형성된 노즐을 통해 불활성 기체를 공급할 수 있는 가스배관을 설치하여 CVD과정 직전 또는 직후 잔류 대기가스와 프로세서 가스가 반응하는 것을 방지하거나 잔류 프로세서 가스와 대기가스가 반응하는 것을 방지하기 위해 쳄버를 불활성 기체로 제거하는 과정(퍼지)을 별도로 시행하지 않음에 따라 공정시간을 단축시키고, 또한 필름이나 파우더가 게이트 밸브 및 주위에 증착되는 것을 방지하여 반복되는 게이트 밸브의 개폐에 의한 필름의 낙하를 예방함으로써 파티클의 근원을 제거할 수 있는 화학기상증착장비의 게이트 밸브를 제공하는데 본 고안의 목적이 있다.
본 고안에 따른 반도체 제조장치의 CVD장비는 쳄버(1)에 출입구(6)가 형성되고, 상기 출입구(6)를 개폐기(9)의 작동에 의해 차단시키는 게이트 밸브(8)를 갖는 CVD장비에 있어서, 상기 출입구(6) 일측벽에 형성된 다수개의 제1노즐(6a)과, 상기 게이트밸브(8)의 일측면 소정부분에 형성된 다수의 제2노즐(8a)과, 상기 출입구(6) 및 게이트 밸브(8) 일측에 설치되어 상기 제1 및 제2노즐(6a,8a)에 불활성기체를 공급하는 제1 및 제2가스공급관(6b,8b)를 포함하여 이루어져 상기 제1, 제2노즐(6a)(8a)을 통해 불활성기체를 분사시키도록 한 것이다.
이하 첨부된 도면에 의해 상세히 설명하면 다음과 같다.
제3도는 본 고안에 따른 CVD장비의 게이트 밸브 외형도로서 쳄버(1)에 형성된 출입구(6)일측벽에 다수의 제1노즐(6a)이 형성되어 있으며, 상기 게이트 밸브(8)에 설치된 오링(7)내부에 다수의 제2노즐(8a)이 형성된다.
또한 상기 출입구(6) 및 게이트 밸브(8) 일측에 가스배관(6b)(8b)이 설치되어 있고, 제1, 제2노즐(6a)(8a)을 통해 불활성가스를 분사시키도록 되어 있다.
제4도는 본 고안에 따른 CVD장비의 구조도이다.
상기와 같은 본 고안에 따른 화학기상증착장비의 게이트 밸브는 먼저 개폐기(9)의 동작으로 게이트 밸브(8)가 열리면 웨이퍼가 실린 이송장치(10)가 쳄버(1)내부로 유입되어 서셉터(2)의 소정부분에서 정지되고, 이때 서셉터(2)로부터 미도시된 리프트핀이 상승되어 웨이퍼를 이송장치(10)로부터 격리시키게 되어 리프트핀이 웨이퍼를 받치고 있는 형태가 된다.
이후 이송장치(10)는 쳄버(1) 밖으로 이동되고, 리드프핀이 하강되면서 웨이퍼(3)를 서셉터(2)위에 안착시킨 다음 개폐기(9)가 동작되어 게이트 밸브(8)를 닫아 쳄버(1) 내부를 밀폐시킨다.
한편 출입구(6)를 통해 웨이퍼(2)가 쳄버(1) 내부로 반송되면 유입관(6)(8)에서 불활성가스가 가스배관(6b)(8b)을 통해 제1 및 제2노즐(6a)(8a)로 분사되어 게이트밸브(8)주위를 퍼지하게 됨으로써 게이트 밸브(8)의 개폐시 외부 대기가스와 반응하는 것을 막게 된다.
이때 불활성 가스의 유입량은 CVD장비에 유입되는 프로세스 가스의 10~30%정도의 유량으로 보내고, 사용되어진 불활성가스는 진공펌프(5)에 의해 배출되어 웨이퍼에 영향을 미치지 않도록하며, 별도의 유량조절밸브(11)를 통해 유입량을 조절할 수 있도록 한다.
이상에서 상술한 바와 같이 본 고안은 게이트 밸브 및 쳄버에 형성된 웨이퍼 출입구에 불활성기체를 흘려보낼수 있도록 다수의 작은 구멍의 노즐을 형성하고, 게이트 밸브와 출입구의 측벽에 형성된 노즐을 통해 불활성 기체를 공급할수 있는 가스배관을 설치하여 CVD과정 직전 또는 직후 잔류 대기가스와 프로세서 가스가 반응하는 것을 방지함으로써 쳄버를 불활성 기체로 제거하는 과정(퍼지)을 별도로 시행하지 않음에 따라 공정시간을 단축시키고, 또한 필름이나 파우더가 게이트 밸브 및 주위에 증착되는 것을 방지하여 반복되는 게이트 밸브의 개폐에 의해 필름의 낙하를 예방함으로써 웨이퍼에서 발생할 수 있는 파티클의 근원을 제거할 수 있는 효과를 제공하게 되는 것이다.
Claims (1)
- 쳄버(1)에 출입구(6)가 형성되고, 상기 출입구(6)를 개폐기(9)의 작동에 의해 차단시키는 게이트 밸브(8)를 갖는 CVD장비에 있어서, 상기 출입구(6) 일측벽에 형성된 다수개의 제1노즐(6a)과, 상기 게이트 밸브(8)의 일측면 소정부분에 형성된 다수의 제2노즐(8a)과, 상기 출입구(6) 및 게이트 밸브(8) 일측에 설치되어 상기 제1 및 제2노즐(6a,8a)에 불활성기체를 공급하는 제1 및 제2 가스공급관(6b,8b)를 포함하여 이루어져 상기 제1, 제2노즐(6a)(8a)을 통해 불활성기체를 분사시키는 CVD장비의 게이트 밸브.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019930006155U KR200157376Y1 (ko) | 1993-04-19 | 1993-04-19 | 화학기상증착(cvd) 장비의 게이트 밸브 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR2019930006155U KR200157376Y1 (ko) | 1993-04-19 | 1993-04-19 | 화학기상증착(cvd) 장비의 게이트 밸브 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR940025541U KR940025541U (ko) | 1994-11-18 |
| KR200157376Y1 true KR200157376Y1 (ko) | 1999-09-15 |
Family
ID=19353856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR2019930006155U KR200157376Y1 (ko) | 1993-04-19 | 1993-04-19 | 화학기상증착(cvd) 장비의 게이트 밸브 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR200157376Y1 (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101001484B1 (ko) * | 2008-06-19 | 2010-12-14 | 주식회사 동부하이텍 | 화학 기상 증착 설비내 머플존의 파우더 제거장치 |
| KR101757789B1 (ko) * | 2016-09-21 | 2017-07-14 | 서진천 | 웨이퍼이동로의 파우더 침착방지 기능이 구비된 게이트밸브 |
| KR101757784B1 (ko) * | 2016-09-21 | 2017-07-14 | 서진천 | 웨이퍼이동로의 파우더 침착방지 기능이 구비된 게이트밸브 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100406173B1 (ko) * | 2000-06-13 | 2003-11-19 | 주식회사 하이닉스반도체 | 촉매 분사 수단을 구비한 히터 블록 |
-
1993
- 1993-04-19 KR KR2019930006155U patent/KR200157376Y1/ko not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101001484B1 (ko) * | 2008-06-19 | 2010-12-14 | 주식회사 동부하이텍 | 화학 기상 증착 설비내 머플존의 파우더 제거장치 |
| KR101757789B1 (ko) * | 2016-09-21 | 2017-07-14 | 서진천 | 웨이퍼이동로의 파우더 침착방지 기능이 구비된 게이트밸브 |
| KR101757784B1 (ko) * | 2016-09-21 | 2017-07-14 | 서진천 | 웨이퍼이동로의 파우더 침착방지 기능이 구비된 게이트밸브 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR940025541U (ko) | 1994-11-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100802382B1 (ko) | 가스분리형 샤워헤드를 이용한 원자층 증착 장치 | |
| US6572924B1 (en) | Exhaust system for vapor deposition reactor and method of using the same | |
| US20030066483A1 (en) | Atomic layer deposition apparatus and method for operating the same | |
| KR20100062392A (ko) | 반도체 제조설비 및 그의 제조방법 | |
| KR200157376Y1 (ko) | 화학기상증착(cvd) 장비의 게이트 밸브 | |
| US8051870B2 (en) | Pressure reduction process device, pressure reduction process method, and pressure regulation valve | |
| US6106626A (en) | Apparatus and method for preventing chamber contamination | |
| KR102534076B1 (ko) | 증착 장치 및 증착 방법 | |
| US20020062845A1 (en) | Semiconductor manufacturing system and method for cleaning the same | |
| KR20040013965A (ko) | 멀티 챔버형의 공정설비 | |
| KR100807031B1 (ko) | 반도체 제조장치의 챔버용 퍼지 시스템 | |
| KR19990004094A (ko) | 반도체장치 제조설비의 배관 퍼지장치와 그 퍼지방법 및 이들 퍼지장치와 퍼지방법을 이용한 제조설비의 클리닝 방법 | |
| KR100517550B1 (ko) | 원자층 증착 장치 | |
| US20060141152A1 (en) | CVD apparatus and manufacturing method of semiconductor device using the same | |
| KR20010102494A (ko) | 화학 기상 증착 반응로용 압력 평형화 시스템 | |
| JP2005232591A (ja) | 高速原子層めっきのための方法及び装置 | |
| KR200168402Y1 (ko) | 공정용 가스공급라인 자동퍼지장치 | |
| KR100253299B1 (ko) | 반도체질화막증착장치의펌프세정방법 | |
| US20240141481A1 (en) | Semiconductor process system and method of cleaning the same | |
| KR20010017152A (ko) | 로드록 챔버를 구비한 저압 화학기상증착설비의 퍼지가스 운용방법 | |
| KR100273222B1 (ko) | 반도체 종형 화학기상증착장치 | |
| KR100632037B1 (ko) | 화학기상증착장비의 가스분배방법 | |
| KR970003595Y1 (ko) | 역류방지장치가 구비된 플라즈마 화학기상증착장비 | |
| KR20020042943A (ko) | 로드락챔버의 이물제거장치 및 그의 방법 | |
| KR0140082Y1 (ko) | 반도체 제조장치의 화학기상증착장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| REGI | Registration of establishment | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20050523 Year of fee payment: 7 |
|
| LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |