KR970012994A - 반도체장치 - Google Patents

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KR970012994A
KR970012994A KR1019950025969A KR19950025969A KR970012994A KR 970012994 A KR970012994 A KR 970012994A KR 1019950025969 A KR1019950025969 A KR 1019950025969A KR 19950025969 A KR19950025969 A KR 19950025969A KR 970012994 A KR970012994 A KR 970012994A
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KR
South Korea
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gas injector
manifold
semiconductor device
gas
furnace
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KR1019950025969A
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English (en)
Inventor
유영섭
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
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Abstract

신규한 반도체장치가 개시되어 있다. 내튜브 및 외튜브로 구성된 로와, 상기 로의 저부에 위치하고 상기 외튜브를 지지하고 있는 매니폴드, 및 상기 매니폴드 내에 위치한 타원형의 가스 인젝터를 구비하며, 상기 가스 인젝터에 의해 매니폴드 내의 두 지점 이상에서 가스가 분사된다. 가스분출의 균일성을 개선할 수 있으며, 미립자의 유발을 방지하면서 자연산화막의 성장을 억제할 수 있다.

Description

반도체장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1실시예에 의한 가스 인젝터를 사용한 가스분출방법을 설명하기 위한 개략도.

Claims (7)

  1. 내튜브 및 외튜브로 구성된 로; 상기 로의 저부에 위치하고 상기 외튜브를 지지하고 있는 매니폴드; 및 상기 매니폴드 내에 위치한 타원형의 가스 인젝터를 구비하며, 상기 가스 인젝터에 의해 매니폴드 내의 두 지점 이상에서 가스가 분사되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가스 인젝터는 Sus 316 또는 석영제품중의 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 가스 인젝터는 링형 또는 원형 중의 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  4. 내튜브 및 외튜브로 구성된 로; 상기 로의 내부에 위치하며, 그 안에 웨이퍼 및 보트가 들어가는 챔버; 상기 로의 저부에 위치하고 상기 외튜브를 지지하고 있는 매니폴드; 및 불활성 가스를 공급하기 위해 상기 매니폴드 내에 위치한 타원형의 가스 인젝터를 구비하며, 상기 가스 인젝터에 의해 상기 웨이퍼 및 보트가 상기 챔버의 높은 온도와 만나는 지점에서 불활성 분위기가 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  5. 제4항에 있어서, 상기 가스 인젝터는 링형 또는 반원형 중의 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  6. 제4항에 있어서, 상기 가스 인젝터는 Sus 316 또는 석영제품중의 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  7. 제4항에 있어서, 상기 웨이퍼 및 보트가 상기 챔버 내에 들어가서 일정시간 동안 상기 불활성가스가 분사되는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
KR1019950025969A 1995-08-22 1995-08-22 반도체장치 KR970012994A (ko)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100273222B1 (ko) * 1997-08-20 2000-12-15 김영환 반도체 종형 화학기상증착장치

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100273222B1 (ko) * 1997-08-20 2000-12-15 김영환 반도체 종형 화학기상증착장치

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