KR20030087424A - 반도체 제조 장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 반도체 제조 장치로, 위치 보정 장치, 승강 장치, 노즐, 노즐이동장치, 그리고 플랫존 정렬 장치를 가진다. 반도체 제조 장치 내로 이송된 웨이퍼는 위치 보정 장치에 의해 척의 중심에 정확히 놓여지도록 정위치된다. 또한, 플랫존 정렬 장치에 의해 웨이퍼의 플랫존은 일정한 방향을 향하도록 정렬된다. 노즐은 이동될 수 있으므로 웨이퍼 가장자리의 식각폭이 용이하게 조절되고, 웨이퍼의 플랫존도 동일한 식각폭으로 식각 가능하다.
Description
본 발명은 반도체 제조 장치에 관한 것으로, 더 상세하게는 기판의 가장자리에 유체를 분사하는 장치에 관한 것이다.
통상, 반도체 소자의 제조공정에서 반도체 기판으로 사용되는 웨이퍼 (wafer)상에는 다결정막, 산화막, 질화막 및 금속막 등과 같은 복수의 막질이 형성된다. 상기한 막질 위에는 포토레지스트막이 코팅되고, 노광 공정에 의해 포토마스크에 그려진 패턴은 상기 포토레지스트막으로 전사된다. 이후, 식각공정에 의해서 웨이퍼상에는 원하는 패턴이 형성된다.
따라서 반도체 소자를 제조하기 위해서는 복수의 공정이 필요하므로 하나의 공정이 진행된 웨이퍼는 다른 공정으로 이송되어야 한다. 이 때 웨이퍼는 이송장치에 의해서 가장자리가 파지되어 다른 공정으로 이송된다. 그러나 웨이퍼의 가장자리가 파지되어 이송될 때, 웨이퍼 가장자리의 막질이 떨어져 비산하여, 웨이퍼 중앙부의 표면을 오염시키거나, 다른 웨이퍼의 표면을 오염시킨다. 결과적으로 수율(yield)이 저하되므로, 웨이퍼 가장자리의 막질은 모두 제거되어야 한다. 따라서 웨이퍼의 가장자리를 식각하여 막질을 제거하는 것이 필요하다 .
종래에는 웨이퍼 가장자리를 식각하기 위해서, 2가지 방법이 사용되었다.
한가지 방법으로는 웨이퍼 가장자리의 식각되는 부분을 제외한 나머지 부분(즉, 패턴부가 포함되는 일정 면적)을 보호용 액 또는 마스크로 보호하여 웨이퍼를 식각하였다. 그러나 상기 방법은 보호용 액 또는 마스크로 패턴부가 형성된 부분을 보호하고, 후에 이를 제거해야 하므로 작업시간이 오래 걸리고, 웨이퍼의 전체표면에 식각액이 분사되므로 식각액이 댜량 소모되는 문제가 있다.
또 다른 방법으로, 웨이퍼에 형성된 패턴이 척과 마주보도록 상기 웨이퍼를 반전하여 상기 척에 설치하고, 식각액이 노즐을 통하여 웨이퍼를 향해 분사되어 웨이퍼 가장자리가 식각되었다. 그러나 이 방법에서 식각폭의 조절은 척의 중앙부로부터 분사되는 질소가스의 양에 의해서 조절되기 때문에, 정확한 식각폭으로 웨이퍼의 가장자리를 식각하기가 어려운 문제가 있다. 또한 플랫존을 가지는 웨이퍼의 플랫존부를 동일한 식각폭으로 식각할 수가 없다.
상기 2가지 방법은 다음과 같은 문제점을 더 가지고 있다. 일반적으로 로봇 아암과 같은 이송장치에 의해 웨이퍼가 척에 장착된다. 웨이퍼가 척의 중심에 정확히 장착되지 않으면(즉, 웨이퍼의 중심과 척의 중심사이에 편심이 생기면), 식각액이 웨이퍼의 가장자리에 고르게 분포되지 않아 웨이퍼의 가장자리가 과에칭되거나 부족에칭된다.
본 발명은 기판이 척에 놓일 때, 기판이 척의 중심에 정확히 장착되도록 하는 반도체 제조 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 기판 가장자리가 식각되는 폭을 용이하게 조절하고, 플랫존을 가지는웨이퍼의 플랫존부를 균일한 식각폭으로 식각할 수 있는 반도체 제조 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 제조 장치 사시도;
도 2는 본 발명인 반도체 제조 장치 정면도;
도 3은 본 발명의 위치 보정장치를 보여주는 사시도;
도 4는 위치 보정 장치의 구조를 보여주는 평면도;
도 5와 도 6은 핀들 사이에 위치된 웨이퍼를 정위치시키기 위한 핀들의 이동을 순차적으로 보여주는 도면;
도 7과 본 발명의 플랫존 정렬장치를 보여주는 사시도;
도 8은 플랫존 정렬장치의 정면도;
도 9은 플랫존 정렬장치에 의해 웨이퍼의 플랫존이 정렬되는 과정을 보여주는 도면;
도 10은 위치 보정 장치가 승강장치에 결합된 상태를 보여주는 사시도;
도 11은 본 발명인 반도체 제조 장치의 제 1 노즐이 결합된 제 1노즐 이동 장치의 사시도;
도 12a와 도 12b는 제 1 노즐이 결합된 제 1 노즐 이동 장치의 정면도와 평면도;
도 13은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 제 1노즐의 사시도;
도 14는 제 1노즐의 단면도;
도 15는 웨이퍼 가장자리로 분사된 식각액의 이동경로를 보여주는 도면; 그리고
도 16는 본 발명의 바람직한 실시예에 따라 반도체 제조 장치를 사용하여 상기 웨이퍼의 가장자리를 식각하는 방법을 설명하는 플로차트이다.
*도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명*
100 : 위치 보정 장치 112, 114, 116, 118 : 제 1, 2, 3, 4핀
120, 122 : 제 1, 2결합구 130 : 제 1 이동 레일
150 : 제 1 스토퍼 160 : 제 4 분사구
200 : 플랫존 정렬 장치 210 : 평행핀
230 : 제 1 이동봉 240 : 제 1 브라켓
300 : 승강 장치 310 : 가이드
320 : 제 2 이동봉 330 : 제 2 스토퍼
400 : 제 1 노즐 410 : 상부 몸체
420 : 하부 몸체 430 : 흡입구
440 : 제 1 분사구 450 : 제 2 분사구
460 : 삽입구 500 : 제 1 노즐 이동 장치
510 : 제 2 브라켓 520 : 제 2 이동 레일
530 : 베이스 600 : 제 2 노즐
700 : 제 2 노즐 이동 장치 800 : 척
810 : 챔버
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명인 반도체 제조 장치는 기판이 놓여지는 진공척, 상기 기판이 상기 척의 중심에 놓여질 수 있도록 상기 기판을 정위치로 이동시키는 핀들을 가지는 위치 보정 장치, 그리고 상기 기판의 가장자리에 유체를 분사하는 제 1노즐을 포함한다.
바람직하게는 상기 위치 보정 장치는 사방으로 배치되는 제 1핀 내지 제 4핀, 상기 기판을 정위치시키기 위해 상기 제 1핀 내지 제 4핀들을 세팅된 위치까지이동시키는 이동수단을 포함한다. 상기 이동수단은 상기 제 1핀과 상기 제 2핀이 결합된 제 1 결합구, 상기 제 3핀과 상기 제 4핀이 결합된 제 2 결합구, 상기 제 1 결합구와 상기 제 2 결합구의 이동을 안내하는 제 1 이동레일, 상기 제 1 결합구와 상기 제 2 결합구를 구동시키는 제 1 구동부, 그리고 상기 제 1 결합구와 상기 제 2 결합구의 이동을 제한하는 제 1 스토퍼를 구비한다.
바람직하게는 상기 제 1핀 내지 제 4핀은 상기 기판을 지지하기 위해, 상기 제 1핀 내지 상기 제 4핀의 둘레에 상기 기판의 측면이 접촉되는 홈이 형성되고, 상기 제 1핀 내지 제 4핀은 각각 회전될 수 있는 구조로 상기 제 1 결합구와 상기 제 2 결합구에 설치된다.
상기 반도체 제조 장치는 상기 핀들에 의해서 정위치로 이동되어진 상기 기판의 플랫존의 방향을 정렬시키는 플랫존 정렬 장치를 더 포함한다. 상기 플랫존정렬장치는 정렬된 상기 기판의 상기 플랫존과 평행한 평행면을 가지는 평행핀,상기 평행핀이 고정된 제 1 브라켓, 상기 제 1 브라켓이 고정된 제 1 이동봉, 상기 제 1 이동봉을 이동시키는 제 2 구동부를 구비하며, 상기 평행핀의 상기 평행면과 상기 기판의 플랫존이 면접촉될 때까지 상기 기판을 회전시키도록 상기 평행핀이 상기 플랫존의 일단을 밀어준다.
상기 반도체 제조 장치는 승강장치를 더 포함하며, 상기 위치 보정장치는 상하로 이동되도록 상기 승강장치에 결합된다. 상기 승강 장치는 상기 위치 보정 장치에 고정된 제 2 이동봉, 상기 제 2 이동봉을 이동시키는 제 3구동부, 상기 위치 보정 장치의 이동을 안내하는 가이드, 그리고 상기 위치 보정 장치가 소정거리 이상 이동되는 것을 제한하기 위한 제 2 스토퍼를 구비한다.
상기 제 1 노즐을 이동시키는 제 1 노즐 이동 장치를 더 포함한다. 상기 제 1 노즐 이동 장치는 상기 제 1 노즐이 결합되는 제 2 브라켓, 상기 제 2 브라켓이 이동될 수 있도록 결합되는 제 2 이동 레일을 가지는 베이스, 그리고 상기 제 1 노즐이 결합된 상기 브라켓을 이동시키는 제 4 구동부를 포함한다.
상기 제 1 노즐은 상기 기판의 가장자리가 삽입되는, 그리고 상부면과 하부면을 가지는 삽입구가 구비되며 상기 삽입구의 상기 상부면에는 제 1 분사구가 형성되고, 상기 삽입구의 상기 하부면에는 흡입구가 형성된다. 바람직하게는 상기 제 1 분사구를 통해 분사된 상기 유체가 상기 삽입구 밖으로 튀기는 것을 방지하기 위해 가스를 분사하는 제 2 분사구가 상기 상부 몸체 전단부 바닥면과 상기 하부 몸체 전단부 상부면에 각각 형성된다. 또한 상기 기판의 가장자리를 세정하기 위해세정액을 분사하는 제 3분사구가 상기 상부 몸체 전단부 바닥면과 상기 하부 몸체 전단부 상부면에 각각 형성된다.
상기 반도체 제조 장치는 상기 제 1 노즐을 통해서 분사된 유체와 반응된 상기 기판의 가장자리를 세정하기 위해 세정액을 분사하는 제 2 노즐과 상기 제 2 노즐을 구동하는 제 2 노즐 이동 장치를 더 구비한다. 바람직하게는 상기 제 1 노즐은 상기 기판의 가장자리에 식각액을 분사하고,상기 위치 보정 장치는 상기 제 1노즐을 통해 분사된 유체가 상기 제 1 노즐 외부로 흐르는 것을 방지하기 위해 상기 기판을 향해 가스를 분사하는 제 4 분사구를 더 구비한다.
바람직하게는 상기 제 1 노즐은 상기 플랫존을 동일한 식각폭으로 식각하기 위해, 상기 기판의 상기 플랫존의 식각이 진행되는 동안에 이동된다.
본 발명인 반도체 제조 설비에서 기판의 가장자리를 식각하는 방법은 상기 기판을 상기 척의 상부로 이송시키는 단계, 상기 기판을 상기 제 1핀 내지 제 4핀사이에 위치시키기 위해 상기 승강장치가 상기 위치 보정 장치를 이동시키는 단계, 상기 핀들이 이동되어 상기 기판을 정위치로 보정시키고, 상기 핀들에 의해 상기 기판을 지지하는 단계, 상기 위치 보정 장치가 이동되어 상기 기판을 상기 척에 위치시키는 단계, 그리고 상기 기판의 가장자리를 식각하는 단계를 포함한다.
상기 핀들이 상기 기판을 정위치로 보정하고 상기 기판을 지지하는 단계는 상기 제 1, 2 핀이 세팅된 위치로 이동되는 단계, 그리고 상기 기판을 정위치시키고 상기 기판이 상기 제 1핀 내지 제 4핀에 의해 지지되도록 상기 기판을 밀어 주기 위해 상기 제 3, 4핀이 상기 세팅된 위치로 이동되는 단계를 포함한다.
바람직하게는 상기 기판이 플랫존을 가지는 경우에 위치가 보정되고 상기 핀들에 의해 지지되는 상기 기판의 상기 플랫존부를 정렬하는 단계를 더 포함하며, 상기 플랫존부의 정렬은 정렬장치에 장착된 평행핀이 상기 플랫존부를 향하여 이동되어 상기 플랫존부의 일단을 밀어서, 상기 기판의 플랫존부와 상기 평행핀이 면접촉이 될때까지 상기 기판이 회전된다.
바람직하게는 상기 기판의 가장자리가 식각되는 단계는 상기 기판을 상기 삽입구로 삽입시키도록 상기 제 1 노즐이 직선이동되는 단계, 상기 흡입구가 열려 주변의 공기를 강제 흡입하는 단계, 상기 제 1 분사구를 통해 식각액이 분사되고 상기 웨이퍼가 회전되는 단계, 그리고 상기 식각액은 상기 흡입구에 강제 흡입되는 단계를 포함한다.
바람직하게는 상기 식각액이 상기 제 1 노즐의 상기 삽입구 외부로 흐르는 것을 방지하기 위해 상기 제 3 분사구로부터 가스가 분사되는 단계를 포함한다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다.
다음의 실시예에서는 웨이퍼(10)의 가장자리를 식각하는 장치를 예로 들어 설명되나, 상기 장치는 웨이퍼(10)를 척(800)에 위치시키고, 노즐을 통해 상기 웨이퍼(10)로 유체를 분사하는 모든 반도체 제조 장치(1)에 사용될 수 있다.
도 1은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 반도체 제조 장치(1)의 사시도, 도 2는 본 발명인 반도체 제조 장치(1)의 정면도, 그리고 도 3은 위치 보정 장치(100) 가 승강 장치(300)에 결합된 상태를 보여주는 사시도이다.
도 1과 도 2를 참조하면, 반도체 제조 장치(1)는 척(chuck)(800), 위치 보정 장치(position amending plate)(100), 승강 장치(elevating plate)(300), 제 1 노즐(first nozzle)(400)과 제 1 노즐 이동 장치(first nozzle moving plate)(500), 제 2 노즐(second nozzle)(600)과 제 2 노즐 이동 장치(second nozzle moving plate)(700), 그리고 플랫존 정렬 장치(flatzon alignment plate)(200)를 구비한다. 상기 척(800)은 식각액이 외부로 튀어서 작업환경 주변이 오염되는 것을 방지하기 위해 챔버(900)내에 위치된다. 상기 챔버(900)는 윗부분이 개방되어 있고, 상기 챔버(900)는 측면 상부에 상기 제 1 노즐(400)과 상기 제 2 노즐(600)이 상기 챔버(900)의 외부에서 상기 챔버(900) 내의 웨이퍼(10)를 향해 이동되도록 개구(910)부들을 가진다.
상기 위치 보정 장치(100)는 뒤에 설명되는 구조에 의해 상기 웨이퍼(10)를 정위치시키는 기능을 한다. 상기 위치 보정 장치(100)는 상기 승강 장치(300)에서 상하로 이동될 수 있도록, 상기 승강 장치(300)와 결합된다. 정위치된 상기 웨이퍼(10)는 상기 위치 보정 장치(100)에 의해 상기 척(800)에 장착된다. 여기서 정위치란 상기 웨이퍼(10)의 중심이 상기 척(800)의 중심에 정확히 놓여지기 위한 상기 웨이퍼(10)의 위치를 말한다.
상기 제 1 노즐(400)은 상기 웨이퍼(10)의 가장자리를 식각하기 위해 식각액을 분사하며, 상기 제 1 노즐 이동 장치(500)에 의해서 이동된다. 상기 제 1 노즐(400)은 이동될 수 있으므로, 상기 웨이퍼(10) 가장자리의 식각폭을 조절하는 것이 용이하고, 플랫존(12)을 가지는 웨이퍼(10)의 경우 상기 웨이퍼(10)의 상기 플랫존(12)부가 동일한 폭으로 식각될 수 있다.
상기 제 2 노즐(600)은 상기 식각액에 의해 식각된 상기 웨이퍼(10)의 가장자리를 세정하기 위한 것이며, 상기 제 2 노즐 이동 장치(700)에 의해 이동된다.
도 3은 본 발명의 위치 보정 장치(100)를 보여주는 사시도이고, 도 4는 상기 위치 보정 장치(100)의 구조를 보여주는 평면도이다.
도 3과 도 4를 참조하여 상기 위치 보정 장치(100)의 구조를 설명하면 다음과 같다. 상기 위치 보정 장치(100)는 제 1핀 내지 제 4핀(112, 114, 116, 118), 제 1 결합구(first connecting rod)(120), 제 2 결합구(second connecting rod)(122), 제 1 이동 레일(first moving rail)(130), 제 1 스토퍼(first stopper)(150), 그리고 제 1 구동부(140)를 구비한다.
상기 위치 보정 장치(100)는 정방형의 형상을 가지고 저면으로 돌출된 4개의 핀들(112, 114, 116, 118)을 가진다. 상기 제 1핀(112)과 상기 제 2핀(114)은 상기 제 1 결합구(120)의 양단에 각각 고정되고, 상기 제 3핀(116)과 상기 제 4핀(118)은 상기 제 2 결합구(122)의 양단에 각각 고정된다. 상기 제 1 결합구(120)와 상기 제 2 결합구(122)는 상기 제 1 이동 레일(130)상에서 이동될 수 있도록 설치된다. 상기 제 1 결합구(120)와 상기 제 2 결합구(122)는 상기 제 1 구동부(140)에 의해서 상기 제 1 이동 레일(130)상에서 이동된다. 실시예에서는 상기 제 1 구동부(140)로 공압 실린더가 사용되고 있으나, 스테핑 모터나 다른 구동 장치가 사용될 수 있음은 당연하다. 상기 제 1 결합구(120)와 상기 제 2 결합구(122)는 상기 제 1 구동부(140)에 의해서 소정거리 이동된다. 상기 제 1 스토퍼(150)는 상기 제 1 결합구(120)와 상기 제 2 결합구(122)가 세팅된 위치까지만 이동되도록 상기 위치 보정 장치(100)에 설치된다.
도 4에는 상기 제 1 결합구(120)에 고정된 상기 제 1핀(112)과 상기 제 2핀(114)이 동시에 움직이고, 상기 제 2 결합구(122)에 고정된 상기 제 3핀(116)과 상기 제 4핀(118)이 동시에 움직이며, 상기 제 1 결합구(120)와 상기 제 2 결합구(122)가 서로 마주보는 방향으로 이동되는 구조로 도시되어 있다. 그러나 상기 제 1핀 내지 제 4핀(112, 114, 116, 118)들은 각각 이동되거나, 도 6에서와 같이 상기 제 1핀 내지 제 4핀(112, 114, 116, 118)이 상기 웨이퍼(10)의 중심을 향하는 방향(즉, 대각선 방향)으로 이동될 수 있다. 상기 제 1핀 내지 제 4핀(112, 114, 116, 118)의 둘레에 상기 웨이퍼(10)를 안정적으로 지지할 수 있도록 홈(119)이 형성된다.
상기 위치 보정 장치(100)는 후에 설명될 제 1 노즐(400)로부터 분사된 식각액이 상기 제 1 노즐(400)의 삽입구(460) 외부로 흐르는 것을 방지하기 위해 질소 가스를 분사하는 제 4 분사구(160)를 가질 수 있다. 이 때, 상기 위치 보정 장치(100)는 내부에 상기 질소 가스가 공급되는 관(도시하지 않음)을 더 포함한다.
처음에 상기 웨이퍼(10)는 로봇 아암과 같은 소정의 이송 수단(20)에 의해서상기 위치 보정 장치(100)로부터 아래로 소정거리 이격되도록 이송된다. 상기 위치 보정 장치(100)는 상기 웨이퍼(10)가 상기 핀들(112, 114, 116, 118) 사이에 위치되도록 상기 승강 장치(300)의 상기 가이드(310)를 따라 아래로 이송된다. 상기 위치 보정 장치(100)는 상기 이송 수단(20)위에 놓여진 상기 웨이퍼(10)를 정위치시킨다. 이후 상기 웨이퍼(10)는 상기 위치 보정 장치(100)에 의해서 지지되고, 상기 이송 수단(20)은 상기 반도체 제조 장치(1) 외부로 반송된다. 상기 이송 수단(20)은 상기 웨이퍼(10)가 상기 이송 수단(20)상에서 보정될 수 있도록 상기 웨이퍼(10)가 유동이 가능한 공간을 가지는 것이 바람직하다.
상기 위치 보정 장치(100)가 상기 웨이퍼(10)를 정위치시키는 과정은 도 5와 도 6에 도시되어 있다. 도 5와 도 6에서, 정위치에서 벗어나서 상기 제 1핀 내지 상기 제 4핀(112, 114, 116, 118) 사이에 위치되는 위치 보정 전의 웨이퍼(10)는 실선으로 표시되고, 정위치로 보정된 웨이퍼(10)는 점선으로 표시되었다.
도 5는 상기 제 1핀(112)과 상기 제 2핀(114)이 고정된 상기 제 1 결합구(120)와 상기 제 3핀(112)과 상기 제 4핀(114)이 고정된 상기 제 2 결합구(122)가 서로 마주보는 방향으로 이동되어 상기 웨이퍼(10)를 정위치시키는 과정을 보여주는 도면이다.
도 5와 도 6에서 X표는 실선으로 표시된 상기 웨이퍼(10)의 중심이고, ●표는 점선으로 표시된 상기 웨이퍼(10)의 중심이다.
도 5a 내지 도 5c를 참조하면, 상기 웨이퍼(10)는 정위치에서 (가)방향으로 벗어나 상기 핀들(112, 114, 116, 118)사이에 위치된다. 정위치에서 벗어난 상기웨이퍼(10)를 정위치시키기 위해서, 상기 제 1, 2핀(112, 114)은 미리 세팅된 거리만큼 수평이동된다. 이 때 상기 웨이퍼(10)는 정위치에서 오른쪽으로 벗어나 있기 때문에 상기 제 1, 2핀(112. 114)과 상기 웨이퍼(10)간에는 접촉이 이루어지지 않는다. 다음에 상기 제 3, 4핀(116, 118)이 세팅된 위치로 이동된다. 상기 제 3, 4핀(116, 118)이 세팅된 위치로 이동되는 과정에서, 상기 제 3, 4핀(116, 118)과 상기 웨이퍼(10)는 접촉이 된다. 상기 웨이퍼(10)는 상기 제 3, 4핀(116, 118)의 이동에 의해 정위치를 향해 이동된다. 결국, 도 5d에 도시한 바와 같이 상기 제 1핀 내지 상기 제 4핀(112, 114, 116, 118)이 세팅된 위치로 이동됨으로써, 상기 웨이퍼(10)는 정위치되고, 상기 제 1핀 내지 상기 제 4핀(112, 114, 116, 118)에 의해 지지된다.
이송장치에 의해 이송된 상기 웨이퍼(10)는 정위치에서 왼쪽으로 벗어나 위치될 수 있다. 이 때에는, 상기 제 1, 2핀(112, 114)이 상기 웨이퍼(10)에 먼저 접촉되어 상기 웨이퍼(10)를 상기 제 3, 4핀(116, 118)을 향해 밀어준다.
도 6은 상기 제 1핀 내지 상기 제 4핀(112, 114, 116, 118)이 X점(정위치된 웨이퍼(10)의 중심)을 향하는 방향으로 이송되는 실시예를 보여둔다.
도 6a 내지 도 6c를 참조하면, 상기 제 1, 3핀(112, 116)이 세팅된 위치로 이동된다. 이후에 도 6b에 도시된 바와 같이 상기 제 2, 4핀(114, 118)이 세팅된 위치로 이동된다. 상기 제 2, 4핀(114, 118)이 이송되는 과정에서 어느 하나의 핀이 상기 웨이퍼(10)와 접촉이 된 후에는 상기 웨이퍼(10)는 접촉이 된 상기 접촉이 된 핀과 함께 정위치로 이동된다. 도 6d는 상기 과정에 의해 정위치되고, 상기 제1핀 내지 상기 제 4핀(112, 114, 116, 118)들에 의해서 지지되는 상기 웨이퍼(10)를 보여준다.
상기 웨이퍼(10)는 벗어난 상태에 따라서 상기 제 2, 4핀(114, 118)이 상기 웨이퍼(10)에 먼저 접촉되어 상기 웨이퍼(10)를 밀어줄 수 있다.
또한, 도 6과 도 7에서는 상기 제 1핀 내지 상기 제 4핀(112, 114, 116, 118)이 2개씩 쌍을 이루어 이동되도록 도시하였으나, 각각의 핀은 각각의 구동장치에 의해서 독립적으로 이동될 수 있음은 당연하다.
또한, 본 실시예에서 상기 위치 보정 장치(100)가 4개의 핀을 구비하는 경우에 대해 설명하였으나, 상기 핀들의 수는 3개, 5개 또는 6개가 될 수도 있다.
상기 위치 보정 장치(100)에 의해서 정위치되고 지지되는 상기 웨이퍼(10)는 상기 플랫존 정렬 장치(200)에 의해 플랫존(12)이 일정한 방향을 향하도록 정렬된다. 상기 플랫존(12)이 모두 동일한 방향을 향하도록 정렬되므로, 이후에 행해지는 모든 작업이 더 적은 오차를 가지고 동일하게 행해질 수 있다.
도 7은 플랫존 정렬 장치(200)를 보여주는 사시도이고, 도 8은 상기 플랫존 정렬 장치(200)의 정면도이다.
도 7과 도 8에서 보는 바와 같이 상기 플랫존 정렬 장치(200)는 평행핀(Parallel pin)(210), 제 1 브라켓(240)(First bracket), 제 1 이동봉(First feeding bar)(230), 그리고 제 2 구동부(250)를 구비한다.
상기 플랫존 정렬 장치(200)의 상기 평행핀(210)은 상기 플랫존이 정렬되었을 때 상기 웨이퍼(10)의 상기 플랫존과 평행한 평행면(212)을 가진다. 상기 평행핀(210)은 상기 제 1 브라켓(240)에 고정되어 있고, 상기 제 1 브라켓(240)은 상기 제 1 이동봉(230)에 연결되어 있다. 상기 제 1 이동봉(230)은 상기 제 3구동부(250)에 의해서 이동된다. 상기 평행핀(210)의 평행면(212)이 상기 핀들(112, 114, 116, 118)에 의해 지지되는 상기 웨이퍼(10)의 플랫존과 동일면상에 있도록, 상기 위치 이동 장치(100)에 결합되는 것이 바람직하다. 그러나 상기 플랫존 정렬 장치(200)는 상기 위치 보정 장치(100)와 별도로 위치될 수도 있다.
도 9를 참조하여 상기 플랫존 정렬 장치(200)에 의해 상기 웨이퍼(10)의 상기 플랫존이 정렬되는 과정을 설명한다.
도 9a에서 보는 바와 같이, 상기 웨이퍼가 상기 이송수단에 의해서 이송되거나, 상기 위치 보정 장치에 의해서 정위치되는 과정에서 상기 플랫존의 방향이 틀어져서 상기 핀들에 의해 지지되는 경우가 많다.
도 9b에서 보는 바와 같이 상기 평행핀(210)은 상기 웨이퍼(10)를 향하여 직선으로 이동되고, 상기 웨이퍼(10)의 일단과 상기 평행핀(210)의 상기 평행면(212)은 선접촉을 이루게 된다. 도 9c에 도시된 바와 같이, 상기 평행핀(210)이 계속 이동함으로써, 상기 웨이퍼(10)는 상기 평행면(212)과 면접촉이 될 때까지 핀들에 의해 지지된 상태에서 회전된다. 이러한 과정에 의해서 상기 플랫존이 일정한 방향을 향하도록 정렬된다.
상기 핀들(112, 114, 116, 118)은 회전되는 웨이퍼(10)와의 마찰을 줄이기 위하여 상기 핀들(112, 114, 116, 118)은 상기 제 1, 2 결합구(120, 122)상에서 회전되는 구조를 가지는 것이 바람직하다.
상기 위치 보정 장치(100)는 위치가 보정되고, 플랫존부가 정렬된 상기 웨이퍼(10)를 상기 척(800)에 놓기 위하여 상기 승강 장치(300)에 의해서 하강된다. 상기 위치 보정 장치(100)를 상하로 이동시키기 위해서 상기 승강 장치(300)가 사용된다.
도 10은 승강 장치(300)와 이에 결합된 위치 보정 장치(100)를 보여주는 도면이며 이를 참조하여 상기 승강 장치(300)를 설명하면 다음과 같다. 상기 승강 장치(300)는 가이드(guide)(310), 제 2 이동봉(second feeding bar)(320), 제 2 스토퍼(second stopper)(330), 그리고 제 3 구동부(340)를 구비한다.
도 10에서와 같이 상기 위치 보정 장치(100) 가 상기 승강 장치(300)에 결합된다. 상기 승강 장치(300)에는 상기 위치 보정 장치(100)의 상하 이동을 안내하도록 상기 가이드(310)를 구비하고 있다. 상기 승강 장치(300)의 상기 제 2 이동봉(320)은 상기 위치 보정 장치(100) 에 결합된다. 상기 제 3 구동부(340)는 상기 제 2 이동봉(320)을 상하로 이동시켜, 상기 제 2 이동봉(320)에 고정된 상기 위치 보정 장치(100)가 상기 가이드(310)를 따라 상하로 이동되도록 한다. 상기 승강 장치(300)는 상기 제 2 이동봉(320)의 이동경로상에 상기 위치 보정 장치(100)가 설정된 위치 이상으로 이동되는 것을 막기 위해, 상기 제 2 스토퍼(330)를 구비한다. 제 3 구동부로는 스테핑 모터(stepping motor)나 유공압 실린더(pneumatic or hydraulic cylinder)가 사용될 수 있다.
상기 척(800)에 위치되는 상기 웨이퍼(10)는 상기 제 1 노즐(400)을 통해 분사된 식각액에 의해서 가장자리가 식각된다. 상기 제 1 노즐(400)은 상기웨이퍼(10)의 가장자리의 식각폭을 정확하게 조절하고, 상기 웨이퍼(10)의 상기 플랫존(12)을 동일한 식각폭으로 식각하기 위해서 상기 제 1 노즐 이동 장치(500)에 의해서 이동된다.
도 11은 본 발명인 반도체 제조 장치(1)의 제 1 노즐 이동 장치(500)의 사시도, 도 12(a)와 도 12(b)는 상기 제 1 노즐 이동 장치(500)의 정면도와 평면도이며, 이하 도 11, 도 12(a)(b)를 참고하여 상기 제 1 노즐 이동 장치(500)를 설명한다.
상기 제 1 노즐 이동 장치(500)는 제 2 브라켓(second bracket)(510), 베이스(base)(530), 제 2 이동 레일(second moving rail)(520), 그리고 제 4 구동부(540)를 구비하고 있다. 상기 제 1 노즐(400)은 상기 제 2 브라켓(510)에 고정된다. 상기 베이스(530)에는 상기 제 2 이동 레일(520)이 구비되어 있고, 상기 제 2 브라켓(510)은 상기 제 2 이동 레일(520)상에서 이동될 수 있도록 상기 베이스(530)와 결합된다. 상기 제 1 노즐(400)이 고정된 상기 제 2 브라켓(510)은 상기 제 4 구동부(540)에 의해 상기 제 2 이동 레일(520)상에서 이동된다.
따라서 상기 제 1 노즐(400)은 상기 웨이퍼의 가장자리를 상기 제 1 노즐(400)의 삽입구(460)로 삽입시키기 위해 상기 제 1 노즐 이동 장치에 의해 이동된다. 상기 삽입구에 삽입되는 웨이퍼 가장자리 폭은 식각폭에 따라 달라질 수 있다. 또한, 상기 제 1 노즐(400)은 상기 플랫존을 제외한 상기 웨이퍼(10)의 가장자리를 식각할 때에는 고정되고, 상기 플랫존을 식각할 때에는 상기 플랫존 가장자리가 모두 동일한 폭으로 식각하기 위해 이동된다. 이 때 상기 웨이퍼는 스핀 척에의해 회전된다.
다음은 본 발명에서 사용되는 상기 제 1 노즐(400)을 설명한다. 도 13은 본 발명의 제 1 노즐(400)의 사시도, 도 14는 상기 제 1 노즐(400)의 단면도, 그리고 도 15는 상기 웨이퍼(10) 가장자리로 분사된 식각액의 이동경로를 보여주는 도면이다.
도 13에서 보는 바와 같이 상기 제 1 노즐(400)은 상부 몸체(top body)(410), 하부 몸체(bottom body)(420), 그리고 제 3 브라켓(third bracket)(470)을 구비하고 있다. 상기 상부 몸체(410)와 상기 하부 몸체(420)는 상기 제 3 브라켓(470)에 의해 연결된다. 상기 제 1 노즐(400)은 상기 상부 몸체(410)와 상기 하부 몸체(420)의 접촉부에 상기 웨이퍼의 가장자리가 삽입될 수 있는 삽입구(460)를 가진다. 상기 삽입구(460)는 상부면(462)과 하부면(464)을 구비하고 있다
도 14에서 보는 바와 같이 상기 삽입구(460)의 하부면(464)에는 상기 웨이퍼(10)의 가장자리에 식각액을 분사하는 제 1 분사구(440)가 형성된다. 상기 삽입구(460)의 상부면(462)에는 상기 식각액을 강제 흡입하는 흡입구(430)가 형성되는 것이 바람직하다.
그러나 상기 흡입구(430)가 상기 삽입구(460) 하부면(464)에 형성되고, 상기 제 1 분사구(440)가 상기 삽입구(460) 상부면(462)에 형성될 수 있다.
상기 제 1 노즐(400)은 상기 식각액이 상기 삽입구(460) 바깥으로 흘러나가는 것을 방지하기 위해, 상기 제 2 분사구(450)를 통해 질소가스를 분사한다. 상기제 1 노즐(400)은 상기 제 2 분사구(450)가 형성되도록 상기 상부 몸체(410)와 소정거리 이격되어 상기 상부 몸체(410) 앞에 결합되는 제 1 덮개(412)와, 상기 하부 몸체(420)와 소정거리 이격되어 상기 하부 몸체(420) 앞에 결합되는 제 2 덮개(422)를 구비한다. 이는 제조를 용이하게 하기 위한 것이다. 따라서 상기 제 2 분사구(450)는 상기 제 1 덮개(412)와 상기 제 2 덮개(422)에 의하지 않고, 별도로 상기 삽입구 상부면(462)과 상기 삽입구 하부면(464)에 각각 형성될 수 있다. 상기 제 2 분사구(450)는 상기 제 1 분사구(440)와 상기 흡입구(450)보다 외측에 형성되는 것이 바람직하다.
다음은 도 15를 참조하여 상기 제 1 노즐(400)을 통해 분사된 식각액에 의해 상기 웨이퍼(10) 가장자리가 식각되는 과정을 설명한다.
상기 제 1 노즐(400)의 외부에 위치된 약액 공급부(도시되지 않음)로부터 상기 제 1 노즐(400)로 식각액이 공급되며, 상기 식각액은 상기 제 1 분사구(440)를 통해 상기 삽입구(460)로 분사된다. 상기 식각액은 상기 웨이퍼(10) 아랫면의 가장자리, 상기 웨이퍼(10)의 측면, 그리고 상기 웨이퍼(10)의 윗면의 가장자리를 식각한 후, 상기 흡입구(430)로 강제 흡입되어 외부로 배기된다.
상기 제 1 분사구(440)를 통해 식각액이 분사되는 동안, 상기 제 2 분사구(450)를 통해 질소 가스가 분사되어 차단막을 형성한다. 따라서 상기 식각액은 상기 차단막에 의해 상기 삽입구(460) 외부로 흐르지 않게 된다.
상기한 바와 같이 본 발명에서는 상기 제 1 노즐(400)이나 상기 위치 보정 장치(100)의 상기 제 4 노즐(160)에서 질소가스가 분배되어 상기 제 1 노즐 밖으로식각액이 흐르는 것을 방지하므로, 식각을 요하지 않는 부분(즉, 패턴이 형성된 부분)을 보호용 액이나 마스크로 보호할 필요가 없어 작업시간을 줄일 수 있고, 공정 진행 중 주변 환경이 오염되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제 1 노즐은 식각하고자 하는 상기 웨이퍼의 가장자리에만 직접 식각액을 분사하므로 적은 양의 식각액으로 공정을 진행할 수 있다.
도 1에 도시된 바와 같이 식각된 상기 웨이퍼(10)의 가장자리를 세정하기 위해, 세정액을 분사하는 제 2 노즐(600)이 사용되며, 상기 제 2 노즐(600)은 상기 2 노즐 이동 장치에 의해 이동될 수 있다. 상기 제 2 노즐(600)은 세정액을 분사한다는 점에서 상기 제 1 노즐(400)과 상이하나 구조면에서는 상기 제 1 노즐(400)과 동일하다. 또한 상기 제 2 노즐 이동 장치(700)는 상기 제 1 노즐 이동 장치(500)와 동일한 구조를 가진다. 또한, 상기 제 2 노즐(600)과 상기 제 2 노즐(600) 장치를 추가로 사용하지 않는 대신에 상기 제 1 노즐(400)에 세정액을 분사하는 제 3 분사구가 형성될 수 있다.
도 16는 상기 반도체 제조 장치(1)를 사용하여 상기 웨이퍼(10)의 가장자리를 식각하는 방법을 설명하는 플로차트이다.
로봇아암과 같은 이송수단에 의해서 상기 웨이퍼(10)는 상기 반도제 제조 장치의 상기 척(800)의 상부로 위치된다(스텝 S10). 상기 승강 장치(300)는 상기 핀(112, 114, 116, 118)들의 상기 홈(119) 위치에 상기 웨이퍼(10)가 위치되도록 상기 위치 보정 장치(100)를 아래로 이동시킨다(스텝 S20). 이후에 상기 위치 보정 장치(100)에 의해 상기 웨이퍼(10)는 정위치된다.(스텝 S30)
상기 위치 보정 장치(100)가 상기 웨이퍼(10)를 정위치시키는 과정은 다음과 같다. 먼저 상기 제 1, 2핀(112, 114)이 세팅된 위치로 이동된다(스텝 S31). 이후에 상기 제 3, 4핀(116, 118)이 상기 세팅되는 위치로 이동되어 상기 웨이퍼(10)를 정위치시키고, 상기 웨이퍼(10)를 지지한다(스텝 S32). 정위치된 상기 웨이퍼의 플랫존을 정렬하기 위하여 상기 플랫존 정렬 장치(200)의 상기 평행핀(210)이 상기 플랫존를 향하여 이동된다. 상기 평행핀(210)은 상기 플랫존(12)의 일단을 밀어서, 상기 웨이퍼(10)의 상기 플랫존과 상기 평행핀(210)이 면접촉이 될 때까지 상기 웨이퍼(10)를 회전시킨다(스텝 S40). 상기 승강 장치(300)는 상기 웨이퍼(10)를 상기 척(800)에 진공흡착시키기 위해 상기 위치 보정장치(100)를 아래로 이동시킨다(스텝 S50). 다음에 상기 척(800)에 진공 흡착된 상기 웨이퍼(10)의 가장자리는 상기 제 1 노즐(400)에 의해 식각한다.(스텝 S60).
상기 제 1 노즐(400)이 상기 웨이퍼(10)의 가장자리를 식각하는 방법은 다음과 같다. 상기 웨이퍼(10)의 가장자리가 상기 삽입구(460)로 삽입되도록 상기 제 1 노즐(400)이 이동된다(스텝 S61). 상기 제 1 노즐(400)의 상기 흡입구(430)를 통해 주변의 공기가 강제 흡입된다(스텝 S62). 상기 제 1 분사구(440)로부터 식각액이 분사되고 상기 웨이퍼(10)는 회전된다(스텝 S63). 상기 식각액은 상기 웨이퍼(10)의 뒷면의 가장자리, 상기 웨이퍼(10)의 측면, 그리고 상기 웨이퍼(10)의 앞면의 가장자리를 식각하고, 상기 식각액은 상기 흡입구(430)로 강제 흡입된다. 상기 제 1 분사구(440)를 통해 상기 식각액이 분사되는 것과 동시에 상기 제 2 분사구를 통해 질소가스가 분사된다. 상기 질소 가스에 의해 상기 식각액이 상기 삽입구(460)의 바깥부분으로 흐르는 것을 방지한다. 상기 질소가스는 상기 위치 보정 장치(100)의 상기 제 4 분사구(160)를 통해서 분사될 수도 있다.
본 실시예에서는 상기 위치 보정 장치(100)가 상기 반도체 제조 장치(1)내로 이송된 상기 웨이퍼(10)의 상부에 위치되는 것을 예로 들어 설명하였다. 그러나 상기 척(800)이 위치되는 상기 챔버(900)의 내측면의 둘레에 상기 핀들을 구비한 상기 위치 보정 장치(100) 가 위치될 수 있다. 이러한 구조에 의해서도 본 발명과 동일한 효과를 얻을 수 있다.
본 발명인 반도체 제조 장치에 의하면, 다음과 같은 효과가 있다.
첫째, 이송수단에 의해 정위치에서 벗어난 상태로 웨이퍼가 이송되더라도 웨이퍼의 위치 보정이 이루어지므로, 웨이퍼의 중심이 척의 중심과 편심되지 않고, 정확히 상기 척에 위치될 수 있다. 따라서 상기 웨이퍼의 가장자리가 과식각되거나 부족식각되는 것 없이 균일하게 식각되는 효과가 있다.
둘째, 플랫존을 가지는 웨이퍼의 상기 플랫존의 방향을 일정한 방향을 향하도록 정렬시킨 후 상기 척에 장착되므로, 복수의 웨이퍼에 대해 동일한 공정 수행시 작업 오차를 줄일 수 있다.
세째, 제 1 노즐이 이동될 수 있으므로, 상기 웨이퍼의 가장자리의 식각폭의 조절이 용이하고, 웨이퍼의 플랫존부분이 모두 동일한 식각폭으로 식각할 수 있는 효과가 있다.
네째, 제 1 노즐은 식각하고자 하는 웨이퍼의 가장자리에만 직접 식각액을분사하므로 적은 양의 식각액으로 공정을 진행할 수 있다.
다섯째, 제 1 노즐이나 위치 보정 장치에서 질소가스가 분배되어 제 1 노즐 밖으로 식각액이 흐르는 것을 방지하므로, 식각을 요하지 않는 부분(즉, 패턴이 형성된 부분)을 보호용 액이나 마스크로 보호할 필요가 없어 작업시간을 줄일 수 있고, 공정 진행 중 주변 환경이 오염되는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
Claims (27)
- 반도체 제조 설비에 있어서;기판이 놓여지는 척과,상기 기판이 상기 척의 중심에 놓여질 수 있도록 상기 기판을 정위치로 이동시키는 핀들을 가지는 위치 보정 장치와, 그리고상기 기판의 가장자리에 유체를 분사하는 제 1 노즐을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 위치 보정 장치는 사방으로 배치되는 제 1핀 내지 제 4핀과,상기 기판을 정위치시키기 위해 상기 제 1핀 내지 제 4핀들을 세팅된 위치까지 이동시키는 이동수단을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 2항에 있어서상기 이동수단은,상기 제 1핀과 상기 제 2핀이 결합된 제 1 결합구와,상기 제 3핀과 상기 제 4핀이 결합된 제 2 결합구와,상기 제 1 결합구와 상기 제 2 결합구의 이동을 안내하는 제 1 이동레일과, 그리고상기 제 1 결합구와 상기 제 2 결합구를 구동시키는 제 1 구동부를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 3항에 있어서,상기 이동 수단은,상기 제 1 결합구와 상기 제 2 결합구의 이동을 제한하는 제 1 스토퍼를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 4항에 있어서,상기 제 1핀 내지 제 4핀은 각각 회전될 수 있는 구조로 상기 제 1 결합구와 상기 제 2 결합구에 결합되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1핀 내지 제 4핀은 상기 기판을 지지하기 위해, 상기 제 1핀 내지 상기 제 4핀의 둘레에 상기 기판의 측면이 접촉되는 홈이 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 기판은 플랫존을 가지고,상기 반도체 제조 장치는 상기 핀들에 의해서 정위치로 이동되어진 상기 기판의 플랫존의 방향을 정렬시키는 플랫존 정렬 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 7항에 있어서상기 플랫존 정렬장치는,정렬된 상기 기판의 상기 플랫존과 평행한 평행면을 가지는 평행핀과,상기 평행핀이 고정된 제 1 브라켓과,상기 제 1 브라켓이 고정된 제 1 이동봉과,상기 제 1 이동봉을 이동시키는 제 2 구동부를 구비하되,상기 평행핀의 상기 평행면과 상기 기판의 플랫존이 면접촉될 때까지 상기 기판을 회전시키도록 상기 평행핀이 상기 플랫존의 일단을 밀어주는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 반도체 제조 장치는 승강장치를 더 포함하되,상기 위치 보정장치는 상하로 이동되도록 상기 승강장치에 결합되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 9항에 있어서,상기 승강 장치는,상기 위치 보정 장치에 고정된 제 2 이동봉과,상기 제 1 이동봉을 이동시키는 제 3 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 10항에 있어서,상기 승강 장치는 상기 위치 보정 장치의 이동을 안내하는 가이드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도제 제조 장치.
- 제 10항에 있어서,상기 승강 장치는 상기 위치 보정 장치의 소정거리 이상의 이동을 제한하기 위한 제 2 스토퍼를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 반도체 제조 장치는 상기 제 1 노즐을 이동시키는 제 1 노즐 이동 장치를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 13항에 있어서,상기 기판은 플랫존을 가지고,상기 제 1 노즐은 상기 플랫존을 동일한 식각폭으로 식각하기 위해, 상기 기판의 상기 플랫존의 식각이 진행되는 동안에 이동되는 것을 특징으로 하는 반도체제조 장치.
- 제 14항에 있어서,상기 제 1 노즐 이동 장치는,상기 제 1 노즐이 결합되는 제 2 브라켓과,상기 제 2 브라켓이 이동될 수 있도록 결합되는 제 2 이동 레일을 가지는 베이스와, 그리고상기 제 1 노즐이 결합된 상기 제 2 브라켓을 이동시키는 제 4 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 노즐은,상기 기판의 가장자리에 상기 유체를 분사하는 제 1 분사구와,상기 기판의 가장자리에 분사된 상기 유체를 흡입하는 흡입구를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 16항에 있어서,상기 제 1 노즐에는 상기 기판의 가장자리가 삽입되는, 그리고 상부면과 하부면을 가지는 삽입구가 형성되며,상기 제 1 분사구는 상기 삽입구의 상기 하부면에 형성되고,상기 흡입구는 상기 삽입구의 상기 상부면에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 17항에 있어서,상기 제 1분사구를 통해 분사된 상기 유체가 상기 제 1 노즐의 상기 삽입구외부로 흐르는 것을 방지하기 위해 가스를 분사하는 제 2 분사구가 상기 삽입구의 상기 상부면과 상기 삽입구의 상기 하부면에 각각 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 17항에 있어서,상기 기판의 가장자리를 세정하기 위해 세정액을 분사하는 제 3 분사구가 상기 삽입구의 상기 상부면과 상기 삽입구의 상기 하부면에 각각 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 13항에 있어서,상기 반도체 제조 장치는,상기 제 1 노즐을 통해서 분사된 유체와 반응된 상기 기판의 가장자리를 세정하기 위해 세정액을 분사하는 제 2 노즐과,상기 제 2 노즐을 구동하는 제 2 노즐 이동 장치를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 기판은 진공에 의해서 상기 척에 흡착되는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 제 1항에 있어서,상기 제 1 노즐은 상기 기판의 가장자리에 식각액을 분사하고,상기 위치 보정 장치는 상기 제 1 노즐을 통해 분사된 유체가 상기 제 1노즐 외부로 튀기는 것을 방지하기 위해 상기 기판을 향해 가스를 분사하는 제 4 분사구를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 장치.
- 반도체 제조 설비에서 기판의 가장자리를 식각하는 방법에 있어서,상기 기판을 척의 상부로 이송시키는 단계와;상기 기판을 위치 보정 장치의 일면에 배치된 핀들사이로 위치시키기 위해 승강장치가 상기 위치 보정 장치를 이동시키는 단계와;상기 핀들이 이동되어 상기 기판을 정위치로 보정시키고, 상기 핀들에 의해 상기 기판을 지지하는 단계와;상기 위치 보정 장치가 이동되어 상기 기판을 상기 척에 위치시키는 단계와; 그리고상기 기판의 가장자리가 식각되는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.
- 제 23항에 있어서,상기 핀들이 상기 기판을 정위치로 보정하고 상기 기판을 지지하는 단계는,제 1핀과 제 2핀이 고정되는 제 1 결합구, 제 3핀과 제 4핀이 고정되는 제 2결합구, 그리고 상기 제 1 결합구와 상기 제 2 결합구의 이동을 안내하는 제 1 이동레일을 구비한 상기 위치 보정 장치에서 상기 제 1 결합구가 세팅된 위치로 이동되는 단계와 상기 기판을 정위치시키고 상기 기판이 상기 제 1핀 내지 제 4핀에 의해 지지되도록 상기 기판을 밀어 주기 위해 상기 제 2 결합구가 세팅된 위치로 이동되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.
- 제 23항에 있어서,상기 기판은 플랫존을 가지고,위치가 보정되고 상기 핀들에 의해 지지되는 상기 기판의 상기 플랫존를 정렬하는 단계를 더 포함하되,상기 플랫존의 정렬은 플랫존 정렬 장치에 장착된 평행핀이 상기 플랫존을 향하여 이동되면서 상기 기판의 플랫존과 상기 평행핀이 면접촉이 될때까지 상기 기판이 회전되도록 상기 플랫존의 일단을 밀어주는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.
- 제 25항에 있어서,상기 기판의 가장자리가 식각되는 단계는,식각하고자 하는 상기 기판의 가장자리가 삽입되는 삽입구가 형성된 상부 몸체와 하부 몸체를 구비하는, 그리고 상기 삽입구의 상부면에 제 1 분사구가 형성되고 상기 삽입구의 하부면에 상기 기판을 마주보는 면에 흡입구가 형성되어 있는 제 1 노즐이 상기 기판을 상기 상부 몸체와 상기 하부 몸체의 이격된 부분으로 삽입시키도록 직선이동되는 단계와,상기 흡입구를 통해 주변의 공기를 강제 흡입되는 단계와;상기 제 1 분사구를 통해 식각액이 분사되고 상기 웨이퍼가 회전되는 단계와; 그리고상기 식각액은 상기 흡입구에 강제 흡입되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.
- 제 25항에 있어서,상기 식각액이 상기 제 1 노즐의 상기 삽입구 바깥으로 흐르는 것을 방지하기 위해 상기 삽입구의 상기 상부면과 상기 삽입구의 상기 하부면에 형성된 제 2 분사구로부터 가스가 분사되는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조 방법.
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| E902 | Notification of reason for refusal | ||
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