JP4368288B2 - 基板周縁処理装置および基板周縁処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、基板の周縁部の処理を行う基板周縁処理装置および基板周縁処理方法に関する。

半導体デバイス、液晶ディスプレイ等の製造工程では、半導体ウエハ、ガラス基板等の基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、イオン注入、レジスト剥離、層間絶縁膜の形成、熱処理、エッチング処理等の各種処理が行われる。

基板の上面および周縁部に配線の形成のための例えば銅からなる金属膜が形成された後、上記のエッチング処理を行うことにより、基板上の素子形成領域を除いた基板の裏面の全体、上面の周縁部および周端面（ベベル部）に形成された不要な金属膜が除去される。

また、上記のエッチング処理を行うことにより、基板を搬送する基板搬送ロボットのハンドが基板の裏面の全体、上面の周縁部および周端面を保持した場合に、基板の裏面の全体、上面の周縁部および周端面における銅または銅イオンにより基板搬送ロボットのハンドが汚染されることが防止されている。

さらに、近年では、半導体デバイスには様々な金属材料が使用されつつある。これらの金属材料の金属イオンの中には、熱処理を経てシリコンからなる基板中に容易に拡散するものがある。そこで、上記のエッチング処理を行うことにより、金属膜の不要部分が除去され、金属イオンの拡散による基板の電気特性の悪化が防止されている。

このようなエッチング処理を行うための基板周縁処理装置は、一般的に、基板を水平に保持して回転させるスピンチャックと、不活性ガス（例えば、窒素ガス）を吐出するための吐出口を有するとともにスピンチャックに保持された基板に対向するように基板の上方に設けられた遮断板と、基板の裏面にエッチング液を供給するエッチング液供給ノズルとを含む。このエッチング液供給ノズルは、スピンチャックの回転軸に挿通されたエッチング液流通配管の先端に設けられている。

基板の裏面の中心部に供給されたエッチング液は、遠心力により基板の裏面の中心部から周端面を伝わり基板の上面に回り込む。このとき、遮断板の吐出口から適量の不活性ガスが基板の上面に向けて供給されており、かつ適切にスピンチャックの回転数が調整される。それにより、エッチング液の基板の上面への回り込み量が調整されている。

しかしながら、上記の基板周縁処理装置では、エッチング液の回り込み量を精度よく制御することができない。その結果、基板の上面の周縁部の複数の部分で処理幅（エッチング幅）が不均一となる。

そこで、均一なエッチング幅を得るための基板周縁処理装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この基板周縁処理装置の遮断板は、基板の上面の周縁部に対向する位置に環状部を有する。基板に供給されるエッチング液は、基板の裏面から周端面を伝わった後、上面の周縁部に回り込み、上記の環状部に接触することにより生じる表面張力によって液膜を形成する。この液膜は環状部の内方へ浸入することができない。それにより、所定のエッチング幅が得られる。
特開平２００４−７９９０９号公報

基板上に形成する金属膜のエッチング幅は、基板上に形成される膜の材料により異なる。したがって、従来までは、環状部の直径が異なる別の遮断板を用いることにより金属膜のエッチング幅を変更していた。

しかしながら、遮断板を交換することは作業者にとって煩雑である。その結果、交換作業時の基板周縁処理装置の停止時間が長くなり、スループットが低下する。

また、遮断板の環状部が所望のエッチング幅が得られるよう精密に設計されていても、エッチング液の種類、濃度および温度ならびに基板表面の親水性および疎水性等の状態によって、エッチング液の基板への接触状態は異なり、エッチング幅が変化してしまう。

本発明の目的は、容易に所望のエッチング幅を得ることができる基板周縁処理装置および基板周縁処理方法を提供することである。

第１の発明に係る基板周縁処理装置は、基板の上面の周縁部に対して選択的にエッチング処理を施す基板周縁処理装置であって、基板を保持しつつ回転させる基板回転手段と、基板回転手段により回転される基板の裏面に向けてエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、基板の上面に対向するように設けられ、基板の裏面から上面の周縁部へ回り込むエッチング液に接触することによりエッチング液の内方への移動を阻止する環状部を有する遮断板と、遮断板の基板の平面方向における環状部と基板との相対位置を変更する位置変更手段とを備えたものである。

本実施の形態に係る基板周縁処理装置においては、基板回転手段により基板が保持されつつ回転される。基板回転手段により回転される基板の裏面に向けてエッチング液供給手段によりエッチング液が供給される。また、基板の上面に対向するように設けられた遮断板の環状部が基板の裏面から上面の周縁部へ回り込むエッチング液に接触することにより、エッチング液の内方への移動が阻止される。

基板の処理幅（エッチング幅）を変更する場合には、遮断板の基板の平面方向における環状部と基板との相対位置が位置変更手段により変更される。それにより、遮断板の交換を行うことなく基板のエッチング幅を容易に変更することができる。これにより、エッチング液の種類、濃度および温度ならびに基板表面の親水性および疎水性等の状態に応じて容易に所望のエッチング幅を得ることができる。

基板回転手段により基板が回転される際に、遮断板を回転される基板と相対的に回転させる遮断板回転手段をさらに備えてもよい。この場合、基板回転手段により回転される基板と相対的に遮断板回転手段により遮断板が回転されることによって、エッチング液の内方への移動が十分に阻止される。それにより、確実に所望のエッチング幅を得ることができる。

遮断板は、エッチング液供給手段によりエッチング液が基板上に供給される際に、基板の上面に対して気体を供給する気体供給手段を備えてもよい。この場合、エッチング液供給手段によりエッチング液が基板上に供給される際に、基板の上面に対して気体が気体供給手段により供給されることによって、エッチング液の内方への移動が確実に阻止される。それにより、より確実に所望のエッチング幅を得ることができる。

気体は、不活性ガスを含んでもよい。この場合、基板に影響を与えることなく基板処理を行うことができる。

位置変更手段は、遮断板を基板の平面方向に移動させる遮断板位置変更手段を含んでもよい。この場合、遮断板位置変更手段により遮断板が基板に対して基板の平面方向に移動されることによって、遮断板の環状部が基板の平面方向に移動される。それにより、容易にエッチング幅を変更することができる。

位置変更手段は、基板を保持する基板回転手段を基板の平面方向に移動させる基板位置変更手段を含んでもよい。この場合、基板位置変更手段により基板回転手段が基板の平面方向に移動されることによって、基板が遮断板の環状部に対して基板の平面方向に移動される。それにより、容易にエッチング幅を変更することができる。

基板回転手段は、基板の外周端面から離間した位置と基板の外周端面に当接する位置とに移動可能に設けられた複数の基板保持部を有し、位置変更手段は、複数の基板保持部の移動量をそれぞれ変更する移動機構を含んでもよい。

この場合、移動機構により複数の基板保持部の移動量がそれぞれ変更されることによって、基板が遮断板の環状部に対して基板の平面方向に移動される。それにより、容易にエッチング幅を変更することができる。

遮断板は、遮断板本体部と、遮断板本体部に移動可能に設けられるとともに環状部を有する移動部とを含み、位置変更手段は、移動部を基板の平面方向に移動させる環状部位置変更手段を含んでもよい。

この場合、環状部位置変更手段により移動部が基板に対して基板の平面方向に移動されることによって、遮断板の環状部が基板の平面方向に移動される。それにより、容易にエッチング幅を変更することができる。

第２の発明に係る基板周縁処理方法は、環状部を有する遮断板を基板に対向させた状態で基板の上面の周縁部に対して選択的にエッチング処理を施す基板周縁処理方法であって、基板の平面方向における遮断板の環状部と基板との相対位置を変更するステップと、基板を保持しつつ回転させるステップと、回転される基板の裏面に向けてエッチング液を供給するステップと、遮断板を基板の上面に対して対向するように配置し、基板の裏面から上面の周縁部へ回り込むエッチング液に環状部を接触させることによりエッチング液の内方への移動を阻止するステップとを備えたものである。

本発明に係る基板周縁処理方法においては、基板が保持されつつ回転される。回転される基板の裏面に向けてエッチング液が供給される。また、基板の上面に対向するように配置された遮断板の環状部が基板の裏面から上面の周縁部へ回り込むエッチング液に接触することにより、エッチング液の内方への移動が阻止される。

基板のエッチング幅を変更する場合には、遮断板の基板の平面方向における環状部と基板との相対位置が変更される。それにより、遮断板の交換を行うことなく基板の処理幅（エッチング幅）を容易に変更することができる。これにより、エッチング液の種類、濃度および温度ならびに基板表面の親水性および疎水性等の状態に応じて容易に所望のエッチング幅を得ることができる。

本発明によれば、遮断板の交換を行うことなく基板のエッチング幅を容易に変更することができる。それにより、エッチング液の種類、濃度および温度ならびに基板表面の親水性および疎水性等の状態に応じて容易に所望のエッチング幅を得ることができる。

以下の説明において、基板とは、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等をいう。

（第１の実施の形態）
図１は、本実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。図１に示すように、基板処理装置１００は、処理領域Ａ，Ｂを有し、処理領域Ａ，Ｂ間に搬送領域Ｃを有する。

処理領域Ａには、制御部４、流体ボックス部２ａ、基板のエッチング処理を行う複数の基板周縁処理装置１０および流体ボックス部２ｂが配置されている。

流体ボックス部２ａ，２ｂは、それぞれ処理領域Ａの各基板周縁処理装置１０へのエッチング液および純水の供給ならびに各基板周縁処理装置１０からの廃液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、エッチング液貯留タンク等の流体関連機器を収納する。

処理領域Ｂには、流体ボックス部２ｃ、基板のエッチング処理を行う複数の基板周縁処理装置１０および流体ボックス部２ｄが配置されている。

流体ボックス部２ｃ，２ｄは、それぞれ処理領域Ｂの各基板周縁処理装置１０へのエッチング液および純水の供給ならびに各基板周縁処理装置１０からの廃液等に関する配管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器、エッチング液貯留タンク等の流体関連機器を収納する。

搬送領域Ｃには、基板搬送ロボットＣＲが設けられている。処理領域Ａ，Ｂの一端部側には、基板の搬入および搬出を行うインデクサＩＤが配置されている。インデクサＩＤには、基板Ｗを収納するキャリア１が載置される。本実施の形態においては、キャリア１として、基板Ｗを密閉した状態で収納するＦＯＵＰ（Front Opening Unified Pod）を用いているが、これに限定されるものではなく、ＳＭＩＦ（Standard Mechanical Inter Face）ポッド、ＯＣ（Open Cassette）等を用いてもよい。

インデクサＩＤのインデクサロボットＩＲは、矢印Ｕの方向に移動し、キャリア１から基板Ｗを取り出して基板搬送ロボットＣＲに渡し、逆に、一連の処理が施された基板Ｗを基板搬送ロボットＣＲから受け取ってキャリア１に戻す。

基板搬送ロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲから渡された基板Ｗを指定された基板周縁処理装置１０に搬送し、または、基板周縁処理装置１０から受け取った基板Ｗを他の基板周縁処理装置１０またはインデクサロボットＩＲに搬送する。

制御部４は、ＣＰＵ（中央演算処理装置）を含むコンピュータ等からなり、処理領域Ａ，Ｂの各基板周縁処理装置１０の動作、搬送領域Ｃの基板搬送ロボットＣＲの動作およびインデクサＩＤのインデクサロボットＩＲの動作を制御する。

図２は、図１の基板周縁処理装置１０の一部側面図である。基板周縁処理装置１０は、上面および周縁部に金属膜が形成された後に素子形成領域を除いた基板Ｗの裏面の全体、上面の周縁部および周端面（ベベル部）に形成された不要な金属膜を除去（エッチング）するものである。

図２に示すように、基板周縁処理装置１０は、基板Ｗを水平に保持するとともに基板Ｗの中心を通る鉛直な回転軸の周りで基板Ｗを回転させるための複数のチャックピン１１を備える。複数のチャックピン１１はスピンベース１２上に設けられている。

スピンベース１２は、チャック回転駆動モータ１４によって回転される回転軸１３の上端に固定されている。基板Ｗは、エッチング処理を行う場合等にチャック１１により水平に保持された状態で回転する。

スピンベース１２の回転軸１３は中空軸からなる。回転軸１３の内部には、液体供給管１６が挿通されている。液体供給管１６には、図示しないエッチング液供給源からのエッチング液をエッチング液供給弁１７を介して供給することができるとともに、図示しない純水供給源からの純水を純水供給弁１８を介して供給することができる。

液体供給管１６は、チャックピン１１に保持された基板Ｗの下面に近接する位置まで延びている。液体供給管１６の先端には、基板Ｗの下面中央に向けてエッチング液または純水を吐出する裏面ノズル１６ａが設けられている。

基板Ｗの上方には遮断板１９が設けられている。この遮断板１９は、基板Ｗの上面に対向する位置に環状部１９ａを有する。

遮断板１９は、スピンベース１２の回転軸１３と同軸上に配置された回転軸２０の下端に固定されている。回転軸２０には、遮断板１９を昇降させるための遮断板昇降駆動機構２２ならびに遮断板１９を回転される基板Ｗと相対的に回転させるための遮断板回転駆動機構２３が接続されている。また、回転軸２０には、遮断板１９を基板Ｗの平面方向に移動させるための遮断板横移動駆動機構２１が接続されている。遮断板横移動駆動機構２１の詳細については後述する。

遮断板１９の回転軸２０は中空軸からなる。回転軸２０の内部には、不活性ガス供給管２４が挿通されている。不活性ガス供給管２４には、図示しない不活性ガス供給源からの不活性ガスを不活性ガス供給弁２５を介して供給することができる。本実施の形態では、不活性ガスとして窒素を用いているが、アルゴン等の他の不活性ガスを用いてもよい。

本実施の形態において基板周縁処理装置１０により基板Ｗのエッチング処理を行う場合には、基板Ｗがチャックピン１１により保持された状態で回転される。また、遮断板１９の環状部１９ａが基板Ｗの上面に近接する位置まで遮断板昇降駆動機構２２により遮断板１９が下降される。遮断板１９は、遮断板回転駆動機構２３により回転される。

そして、液体供給管１６の裏面ノズル１６ａから基板Ｗの裏面にエッチング液が供給される。

裏面ノズル１６ａにより基板Ｗの裏面に供給されたエッチング液は、遠心力により基板Ｗの裏面の中心部から周端面を伝わり基板Ｗの上面の周縁部に回り込む。

基板Ｗの上面の周縁部に回り込んだエッチング液は、遮断板１９の環状部１９ａに接触することにより生じる表面張力によって液膜を形成する。この液膜は環状部１９ａの内方へ浸入することができない。それにより、所定のエッチング幅が得られる。

以下、基板Ｗの上面における周縁部の処理幅（エッチング幅）を変更する方法について説明する。以下の各実施の形態に係る基板周縁処置装置１０は、基板Ｗと遮断板１９の環状部１９ａとの位置を相対的に変更することができる可変機構を有する。これらの各可変機構により基板Ｗのエッチング幅を変更することができる。

図３は、図２の遮断板横移動駆動機構２１の構成を説明するための説明図である。なお、図３に示す遮断板横移動駆動機構２１の構成は一例であり、その要旨を変更するものでなければこれに限定されるものではない。

図３に示すように、遮断板１９を回転させる回転軸２０はアーム３１に接続されている。アーム３１は、支持部材３２に接続されている。支持部材３２にはねじ軸３４が螺合するナット部３３が設けられている。ねじ軸３４は、支持部材３７を介してモータ３５の回転軸３６に接続されている。アーム３１、支持部材３２、ナット部３３、ねじ軸３４、モータ３５、回転軸３６および支持部材３７が遮断板横移動駆動機構２１を構成する。

モータ３５を正回転または逆回転させることによりアーム３１が基板Ｗの平面方向に移動する。それにより、基板Ｗの上面に近接される遮断板１９の環状部１９ａを基板Ｗの平面方向に移動させることができる。

基板Ｗのエッチング幅は、遮断板１９の環状部１９ａの最内部（基板Ｗの中心側の環状部１９ａの内周面）の位置により決定される。遮断板１９の回転軸２０とスピンベース１２の回転軸１３とが同軸となっている場合で、エッチング幅を例えば初期設定値の１．５ｍｍから２ｍｍに変更したい場合、遮断板横移動駆動機構２１により遮断板１９の環状部１９ａの位置を基板Ｗの中心側に０．５ｍｍ移動させる。それにより、所望の２ｍｍのエッチング幅を得ることができる。

なお、本実施の形態では、モータ３５によってねじ軸３４を回転させることにより、遮断板１９の環状部１９ａの基板Ｗに対する位置を変更することとしたが、これに限定されるものではなく、ビス等により手動で上記位置を変更してもよい。

（第２の実施の形態）
図４は、基板周縁処理装置１０の一部側面図の他の例である。図４に示すように、本実施の形態に係る基板周縁処理装置１０ａが第１の実施の形態に係る基板周縁処理装置１０と異なる点は、遮断板横移動駆動機構２１の代わりに回転軸横移動駆動機構１５が設けられている点である。回転軸横移動駆動機構２１は、スピンベース１２の回転軸１３に接続されており、回転軸１３を基板Ｗの平面方向に移動させるものである。

図５は、図４の回転軸横移動駆動機構１５の構成を説明するための説明図である。なお、図５に示す回転軸横移動駆動機構１５の構成は一例であり、その要旨を変更するものでなければこれに限定されるものではない。

図５に示すように、スピンベース１２を回転させる回転軸１３が接続されたチャック回転駆動モータ１４は、保持ベース４１の上面に設けられている。保持ベース４１の下面には支持部材４２が接続されている。支持部材４２にはねじ軸４４が螺合するナット部４３が設けられている。ねじ軸４４は、支持部材４７を介してモータ４５の回転軸４６に接続されている。保持ベース４１、支持部材４２、ナット部４３、ねじ軸４４、モータ４５、回転軸４６および支持部材４７が回転軸横移動駆動機構１５を構成する。

モータ４５を正回転または逆回転させることにより保持ベース４１が基板Ｗの平面方向に移動する。それにより、チャックピン１１に保持された基板Ｗを基板Ｗの平面方向に移動させることができる。これにより、遮断板１９の環状部１９ａに対する基板Ｗの位置を変更することができる。

なお、本実施の形態では、モータ４５によってねじ軸４４を回転させることにより、基板Ｗの遮断板１９の環状部１９ａに対する位置を変更することとしたが、これに限定されるものではなく、ビス等により手動で上記位置を変更してもよい。

（第３の実施の形態）
本実施の形態に係る基板周縁処理装置１０においては、以下に説明するように、基板Ｗを保持するチャックピン１１の開度を変更することにより基板Ｗの保持位置を移動させる。

図６（ａ）は、本実施の形態に係るチャックピン１１を示す側面図であり、図６（ｂ）は、基板Ｗがチャックピン１１に保持される状態を示す説明図である。

図６（ａ）に示すように、チャックピン１１は、支持ピン５１、棒状のピン部材５２、ピン固定板５３および連結部材５４により構成される。

支持ピン５１およびピン部材５２はピン固定板５３上に固定されている。支持ピン５１は、基板Ｗの裏面を支持する。ピン部材５２はＶ字状の溝を有し、基板Ｗの周端面を支持する。ピン固定板５３は連結部材５４を介してリンク部５５に回転自在に取り付けられている。なお、リンク部５５は、図２のスピンベース１２内に設けられている。

図６（ｂ）に示すように、各チャックピン１１（図６（ｂ）の例では３つ）のピン固定板５３は連結部材５４を基点として、初期位置からピン部材５２が基板Ｗの外周端面に近づく方向に回転される。それにより、基板Ｗは各チャックピン１１のピン部材５２により保持される。以下、連結部材５４を中心軸とした初期位置からのピン部材５２の回転角度をピン固定板５３の開度と呼ぶ。

本実施の形態では、上記ピン固定板５３の開度をそれぞれ変更することにより基板Ｗの保持位置を変更する。それにより、基板Ｗの遮断板１９の環状部１９ａに対する位置を変更することができる。

（第４の実施の形態）
本実施の形態では、以下の構成を有する遮断板１９を用いることにより遮断板１９の環状部１９ａの基板Ｗに対する位置を変更する。

図７は、遮断板１９の一例を示す模式図である。図７（ａ）は遮断板１９の断面図を示し、図７（ｂ）は遮断板１９の下面図を示す。

図７（ａ），（ｂ）に示すように、遮断板１９は、遮断板本体部１９ｂ、環状部１９ａを備える移動部１９ｃおよびねじ部１９ｄにより構成される。

移動部１９ｃは長孔１９ｅを有する。この長孔１９ｅを介してねじ部１９ｄにより遮断板本体部１９ｂに移動部１９ｃが固定されている。

上記のような構成によって、移動部１９ｃが長孔１９ｅを有することにより、ねじ部１９ｄによる遮断板本体部１９ｂに対する移動部１９ｃの固定位置を変更することができる。それにより、遮断板１９の環状部１９ａの基板Ｗに対する位置を変更することができる。

（第１〜第４の実施の形態における効果）
上記各実施の形態においては、基板Ｗと遮断板１９の環状部１９ａとの位置を相対的に変更することにより、遮断板１９の交換を行うことなく基板Ｗのエッチング幅を容易に変更することができる。それにより、エッチング液の種類、濃度および温度ならびに基板Ｗ表面の親水性および疎水性等の状態に応じて容易に所望のエッチング幅を得ることができる。

（他の変形例）
なお、上記各実施の形態においては、基板Ｗと遮断板１９の環状部１９ａとの位置を相対的に変更する構成の例について示されているが、基板Ｗと遮断板１９の環状部１９ａとの位置を相対的に変更できる構成であれば上記各実施の形態に係る構成にのみ限定されるものではない。例えば、第４の実施の形態において移動部１９ｃを駆動装置を用い移動させてもよい。

また、上記第１〜第４の実施の形態における構成をそれぞれ組み合わせて基板Ｗと遮断板１９の環状部１９ａとの位置を相対的に変更させてもよい。

本実施の形態においては、チャックピン１１およびスピンベース１２が基板回転手段に相当し、液体供給管１６、裏面ノズル１６ａおよびエッチング液供給弁１７がエッチング液供給手段に相当し、遮断板回転駆動機構２３が遮断板回転手段に相当し、不活性ガス供給管２４および不活性ガス供給弁２５が気体供給手段に相当する。

また、本実施の形態においては、遮断板横移動駆動機構２１が遮断板位置変更手段に相当し、回転軸横移動駆動機構１５が基板位置変更手段に相当し、チャックピン１１が基板保持部に相当し、ピン固定板５３が移動機構に相当し、ねじ部１９ｄおよび長孔１９ｅが環状部位置変更手段に相当する。

本発明は、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板等の種々の基板に処理を行うため等に利用することができる。

本実施の形態に係る基板処理装置の平面図である。 図１の基板周縁処理装置の一部側面図である。 図２の遮断板横移動駆動機構の構成を説明するための説明図である。 基板周縁処理装置の一部側面図の他の例である。 図４の回転軸横移動駆動機構の構成を説明するための説明図である。 （ａ）は、本実施の形態に係るチャックピンを示す側面図であり、（ｂ）は、基板がチャックピンに保持される状態を示す説明図である。 遮断板の一例を示す模式図である。

符号の説明

１０，１０ａ 基板周縁処理装置
１１ チャックピン
１２ スピンベース
１３ 回転軸
１４ チャック回転駆動モータ
１５ 回転軸横移動駆動機構
１６ 液体供給管
１６ａ 裏面ノズル
１７ エッチング液供給弁
１９ 遮断板
１９ａ 環状部
１９ｂ 遮断板本体部
１９ｃ 移動部
１９ｄ ねじ部
１９ｅ 長孔
２０ 回転軸
２１ 遮断板横移動駆動機構
２３ 遮断板回転駆動機構
２４ 不活性ガス供給管
２５ 不活性ガス供給弁
３１ アーム
３２，４２ 支持部材
３３，４３ ナット部
３４，４４ ねじ軸
３５，４５ モータ
３６，４６ 回転軸
３７，４７ 支持部材
４１ 保持ベース
５１ 支持ピン
５２ ピン部材
５３ ピン固定板
５４ 連結部材
５５ リンク部
Ｗ 基板

Claims (9)

1. 基板の上面の周縁部に対して選択的にエッチング処理を施す基板周縁処理装置であって、
   前記基板を保持しつつ回転させる基板回転手段と、
   前記基板回転手段により回転される前記基板の裏面に向けてエッチング液を供給するエッチング液供給手段と、
   前記基板の上面に対向するように設けられ、前記基板の裏面から上面の周縁部へ回り込むエッチング液に接触することによりエッチング液の内方への移動を阻止する環状部を有する遮断板と、
   前記遮断板の前記基板の平面方向における前記環状部と前記基板との相対位置を変更する位置変更手段とを備えたことを特徴とする基板周縁処理装置。
2. 前記基板回転手段により前記基板が回転される際に、前記遮断板を前記回転される基板と相対的に回転させる遮断板回転手段をさらに備えたことを特徴とする請求項１記載の基板処理装置。
3. 前記遮断板は、前記エッチング液供給手段によりエッチング液が前記基板上に供給される際に、前記基板の上面に対して気体を供給する気体供給手段を備えたことを特徴とする請求項１または２記載の基板周縁処理装置。
4. 前記気体は、不活性ガスを含むことを特徴とする請求項３記載の基板周縁処理装置。
5. 前記位置変更手段は、前記遮断板を前記基板の平面方向に移動させる遮断板位置変更手段を含むことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
6. 前記位置変更手段は、前記基板を保持する前記基板回転手段を前記基板の平面方向に移動させる基板位置変更手段を含むことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
7. 前記基板回転手段は、前記基板の外周端面から離間した位置と前記基板の外周端面に当接する位置とに移動可能に設けられた複数の基板保持部を有し、
   前記位置変更手段は、前記複数の基板保持部の移動量をそれぞれ変更する移動機構を含むことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
8. 前記遮断板は、遮断板本体部と、前記遮断板本体部に移動可能に設けられるとともに前記環状部を有する移動部とを含み、
   前記位置変更手段は、前記移動部を前記基板の平面方向に移動させる環状部位置変更手段を含むことを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載の基板周縁処理装置。
9. 環状部を有する遮断板を基板に対向させた状態で前記基板の上面の周縁部に対して選択的にエッチング処理を施す基板周縁処理方法であって、
   前記基板の平面方向における前記遮断板の前記環状部と前記基板との相対位置を変更するステップと、
   前記基板を保持しつつ回転させるステップと、
   回転される前記基板の裏面に向けてエッチング液を供給するステップと、
   前記遮断板を前記基板の上面に対して対向するように配置し、前記基板の裏面から上面の周縁部へ回り込むエッチング液に前記環状部を接触させることによりエッチング液の内方への移動を阻止するステップとを備えたことを特徴とする基板周縁処理方法。

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