TWI625817B - Substrate holding device and substrate processing device - Google Patents

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Abstract

提供一種可以均勻的狀態吸附保持基板的基板保持裝置。基板保持裝置包括:平臺4,具有載置基板3的保持面41;多個吸附孔42,設置於平臺4;多根升降銷7,相對於保持面41升降;以及銷孔43,供升降銷7插通;且經由第1排氣配管82進行排氣而使所述銷孔43內成為負壓,並且使多個吸附孔42內也成為負壓,由此利用吸附孔42及銷孔43將基板3吸附保持於保持面41。

Description

基板保持裝置及基板處理裝置
本發明關於一種保持液晶顯示裝置用玻璃基板、半導體晶片、電漿顯示屏(Plasma Display Panel,PDP)用玻璃基板、光罩幕用玻璃基板、彩色濾光片用基板、記錄磁碟用基板、太陽電池用基板、電子紙用基板等精密電子裝置用基板(以下簡稱為“基板”)的基板保持裝置及包括所述基板保持裝置的基板處理裝置。
通常,已知有如下技術:在狹縫塗布機中,使對基板保持裝置所包括的吸附平臺所保持的方形玻璃基板等噴出塗布液的狹縫噴嘴移動,從而在基板上形成塗膜。
所述吸附平臺例如在專利文獻1中有記載,包括多個吸附孔及多根升降銷。多根升降銷經由形成於吸附平臺的保持面的多個銷孔而相對於保持面升降,並將支撐的基板載置於保持面。利用因對多個吸附孔進行排氣而在基板與保持面之間產生的負壓,使載置於保持面的基板吸附保持於保持面 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2006-73931號公報(例如圖5、圖6)
[發明所要解決的問題] 伴隨基板的大型化或薄型化,在由多根升降銷支撐基板並使基板升降時為了防止基板撓曲、或破裂,需要增加升降銷的根數。若升降銷的根數增加,則在保持面內多個銷孔所占的區域增加。
如上所述,若多個銷孔所占的區域增加,則在所述區域內,無法使保持面與基板之間充分地產生負壓。其結果,無法自保持面與基板的背面之間的空間經由吸附孔充分地抽吸環境氣體(空氣),而在保持面與基板之間產生空氣積存。
如此,以產生空氣積存的狀態保持於保持面的基板的表面成為自保持面局部浮起的狀態,從而基板以基板的表面的高度位置不均勻的狀態保持於保持面。若利用狹縫塗布機對以不均勻的狀態保持於保持面的基板實施塗布處理,則產生形成於基板的表面的塗布膜的膜厚分佈變得不均勻的問題。
鑒於所述方面,本發明的目的在於提供一種可以均勻的狀態吸附保持基板的基板保持裝置、及包括所述基板保持裝置的基板處理裝置。 [解決課題的技術手段]
技術方案1的第1發明(基板保持裝置)包括:保持部,具有載置基板的保持面;多個吸附孔,設置於保持部;多根升降銷,相對於保持面升降;多個銷孔,設置於保持部且分別供多根升降銷插通;第1負壓產生部,使多個吸附孔中產生負壓;以及第2負壓產生部,使多個銷孔中的一個以上的銷孔中產生負壓。
技術方案2的第2發明是根據第1發明,還包括:密封構件,供升降銷插通並且在銷孔內將上方空間與下方空間之間密封;以及切口部,設置於密封構件;且由所述切口部形成排氣流路。
技術方案3的第3發明是根據第1發明或第2發明,第1負壓產生部具有:第1排氣配管,使多個吸附孔與負壓源流路連接;壓縮空氣配管,使第1排氣配管與壓縮空氣源流路連接;以及第1切換閥門,選擇性地切換為第1排氣配管流路連接於負壓源的吸附狀態、或第1排氣配管流路連接於壓縮空氣配管的吸附解除狀態,第2負壓產生部具有:第2排氣配管,使銷孔與負壓源流路連接;開放配管,使第2排氣配管對大氣開放;以及第2切換閥門,選擇性地切換為第2排氣配管流路連接於負壓源的吸附狀態、或第2排氣配管流路連接於開放配管的吸附解除狀態。
技術方案4的第4發明是根據第1發明至第3發明的任一發明,第2負壓產生部僅使多個銷孔中的一部分銷孔中產生負壓。
技術方案5的第5發明是根據第4發明,第2負壓產生部僅使多個銷孔中的與載置於保持面的基板的中央部相向的銷孔中產生負壓。
技術方案6的第6發明(基板處理裝置)包括:根據第1發明至第5發明的任一發明的基板保持裝置;以及處理部,對基板保持裝置的保持部所保持的基板實施規定處理。
技術方案7的第7發明是根據第6發明,處理部為對基板保持裝置的保持部所保持的基板的表面塗布塗布液的塗布處理部。
技術方案8的第8發明是根據第7發明,塗布處理部具有:狹縫噴嘴,自狹縫狀的噴出口噴出塗布液;以及狹縫噴嘴移動部,使狹縫噴嘴在與噴出口的長邊方向正交的方向上移動。 [發明的效果]
根據技術方案1至技術方案8的任一發明,可以均勻的狀態吸附保持基板。
以下,參照隨附附圖對本發明的實施形態進行說明。圖1是示意性地表示本發明的基板處理裝置之一的塗布裝置的一例的立體圖。此外,在圖1及以後的各圖中,為了明確這些的方向關係而適宜標注將Z方向設為垂直方向並將XY平面設為水平面的XYZ正交坐標系。另外,出於容易理解的目的,視需要將各部的尺寸或數量誇張或簡略化地加以描述。
塗布裝置1為使用狹縫噴嘴2對基板3的表面31塗布塗布液的、被稱為狹縫塗布機的塗布裝置。所述塗布裝置1包括可以水平姿勢吸附保持基板3的平臺4、使用狹縫噴嘴2對平臺4所保持的基板3實施塗布處理的塗布處理部5、以及對這些各部進行控制的控制部6。
塗布裝置1可使用抗蝕液、彩色濾光片用液、包含聚醯亞胺、矽、奈米金屬油墨、導電性材料的漿料等各種塗布液。另外,關於成為塗布對象的基板3,也可使用矩形玻璃基板、半導體基板、膜液晶用柔性基板、光罩幕用基板、彩色濾光片用基板、太陽電池用基板、有機電致發光(Electroluminescence,EL)用基板等各種基板。此外,在本說明書中,所謂“基板3的表面31”是指基板3的兩主表面中的塗布塗布液的一側的主表面。
狹縫噴嘴2具有在X方向上延伸的長條狀的開口部即噴出口,可自噴出口向平臺4所保持的基板3的表面31噴出塗布液。
平臺4包含具有大致長方體的形狀的花崗岩等石材,且為在其上表面(+Z側)中的-Y側具有加工成大致水平的平坦面且保持基板3的保持面41的保持部。
在塗布裝置1中,在塗布處理部5設置有使狹縫噴嘴2在與所述噴出口正交的方向(Y方向)上移動的移動機構,可使狹縫噴嘴2在保持面41的上方沿Y方向往返移動。而且,自在保持面41的上方沿Y方向移動的狹縫噴嘴2噴出的塗布液被塗布於保持面41上的基板3的表面31。如此,在塗布裝置1中,Y方向成為塗布塗布液的塗布方向。
塗布處理部5的移動機構具有在X方向上橫貫平臺4的上方且支撐狹縫噴嘴2的橋架結構的噴嘴支撐體51、以及使噴嘴支撐體51在Y方向上水平移動的狹縫噴嘴移動部52。因此,可利用狹縫噴嘴移動部52使支撐於噴嘴支撐體51的狹縫噴嘴2在Y方向上水平移動。
噴嘴支撐體51具有固定狹縫噴嘴2的固定構件51a、以及對固定構件51a進行支撐並且使其升降的兩個升降機構51b。固定構件51a為以X方向為長邊方向的剖面為矩形的棒狀構件,且包含碳纖維強化樹脂等。兩個升降機構51b與固定構件51a的長邊方向的兩端部連結,分別具有交流電(alternating current,AC)伺服馬達(servo motor)及滾珠螺杆(ball screw)等。利用這些升降機構51b,使固定構件51a與狹縫噴嘴2沿垂直方向(Z軸方向)一體地升降,對狹縫噴嘴2的噴出口與基板3的表面31的間隔,即,對噴出口相對於基板3的表面31的相對高度進行調整。此外,可利用線性編碼器(linear encoder)51c(圖6)檢測狹縫噴嘴2的Z方向上的位置。所述線性編碼器51c具有設置於升降機構51b的側面的省略圖示的刻度(scale)部、以及與所述刻度部相向而設置於狹縫噴嘴2的側面的省略圖示的檢測感測器。
狹縫噴嘴移動部52包括在Y軸方向上引導狹縫噴嘴2的移動的兩根導軌53、作為驅動源的兩個線性馬達54、以及用以檢測狹縫噴嘴2的噴出口的位置的兩個線性編碼器55。
兩根導軌53以自X方向隔著基板3的載置範圍的方式配置於平臺4的X方向的兩端,並且以包含基板3的載置範圍的方式在Y方向上延伸設置。而且,藉由沿兩根導軌53對兩個升降機構51b的下端部分別進行引導,而使狹縫噴嘴2在保持於平臺4上的基板3的上方向Y方向移動。
兩個線性馬達54分別為具有定子(stator)54a及動子54b的AC無芯線性馬達。定子54a沿Y方向設置於平臺4的X方向上的兩側面。另一方面,動子54b固定設置於升降機構51b的外側。線性馬達54藉由在這些定子54a與動子54b之間產生的磁力而作為狹縫噴嘴移動部52的驅動源發揮作用。
另外,兩個線性編碼器55分別具有刻度部55a及檢測部55b。刻度部55a沿Y方向設置於固定設置於平臺4的線性馬達54的定子54a的下部。另一方面,檢測部55b固定設置於在升降機構51b固定設置的線性馬達54的動子54b的更外側位置,與刻度部55a相向配置。線性編碼器55基於刻度部55a與檢測部55b的相對位置關係,檢測Y方向上的狹縫噴嘴2的噴出口的位置。
如此,塗布處理部5可利用升降機構51b在Z方向上對狹縫噴嘴2與基板3的間隔進行調整,並且利用狹縫噴嘴移動部52使狹縫噴嘴2相對於基板3在Y方向上相對移動。
繼而,對設置於塗布裝置1的基板保持裝置9進行說明。如圖2及圖3所示,基板保持裝置9包括作為保持部的所述平臺4及升降部40。
圖2是表示平臺4的保持面41的平面圖。多個吸附孔42設置於平臺4,且所述多個吸附孔42的多個開口例如呈格子狀分散形成於保持面41。藉由利用這些吸附孔42吸附基板3,而在塗布處理時將基板3大致水平地保持於規定位置。
另外,多個銷孔43設置於平臺4,且所述多個銷孔43的多個開口例如呈格子狀分散形成於保持面41。此外,在圖2中,為了容易理解,以白底的圓圖示吸附孔42,以塗黑的圓圖示銷孔43。
圖3是表示升降部40的側面圖,示出了多根升降銷7位於下方位置且基板3吸附保持於保持面41的狀態。如圖3所示,多個銷孔43分別沿垂直方向貫通平臺4,且為供升降銷7插通的貫通孔。
升降部40包括升降臺44、升降驅動部45及驅動軸46。沿垂直方向延伸的多根升降銷7的下端分別固定於板狀的升降臺44。在升降臺44隔著驅動軸46而設置有升降驅動部45。若所述升降驅動部45在垂直方向上對驅動軸46進行上下驅動,則升降臺44及多根升降銷7一體地升降。
升降驅動部45使多根升降銷7在上方位置與下方位置之間沿垂直方向進退,從而使多根升降銷7相對於保持面41升降,所述上方位置為多根升降銷7的上端較平臺4的保持面41更突出至上方的位置,所述下方位置為多根升降銷7的上端自平臺4的保持面41退出至下方的位置。此外,下方位置可為多根升降銷7的頂端的高度位置與保持面41的高度位置相同的位置。
另外,如圖3所示,多個吸附孔42為沿垂直方向貫通平臺4的貫通孔。此外,吸附孔42可並非為貫通平臺4的構成,只要為可與後述的負壓源85等流路連接的構成即可。
圖4是用以說明配管系統80的圖。如圖4所示,在多個吸附孔42分別流路連接有第1排氣配管81的一端。第1排氣配管81的一端側為與多個吸附孔42對應地自主管分支的多根支管。第1排氣配管81的主管的另一端流路連接於負壓源85。負壓源85為工廠的必需動力裝置(necessary power)(通用工具(utility))或附設於塗布裝置1的真空泵等。
在第1排氣配管81的主管插設有第1切換閥門83。第1切換閥門83選擇性地切換為第1排氣配管81流路連接於負壓源85的吸附狀態、或第1排氣配管81流路連接於後述的壓縮空氣配管87的吸附解除狀態。
在第1切換閥門83流路連接有壓縮空氣配管87的一端。壓縮空氣配管87的另一端流路連接於壓縮空氣源86。壓縮空氣源86為工廠的必需動力裝置(通用工具)等,例如以規定壓力向第1切換閥門83供給氮氣等惰性氣體。
第1切換閥門83在第1排氣配管81的另一端流路連接於負壓源85的排氣狀態、及使所述排氣狀態停止並經由壓縮空氣配管87使第1排氣配管81與壓縮空氣源86流路連接的吸附解除狀態之間選擇性地切換流路。
第1切換閥門83例如為三通閥,將流路選擇性地切換為所述排氣狀態、吸附解除狀態、或使第1排氣配管81並不流路連接於負壓源85及壓縮空氣源86的任一者的關閉狀態的任一狀態。此外,第1排氣配管81及第1切換閥門83等相當於使多個吸附孔42中產生負壓的本發明的第1負壓產生部。
另外,在多個銷孔43分別流路連接有第2排氣配管82的一端。第2排氣配管82的一端側為與多個銷孔43對應地自主管分支的多根支管。第2排氣配管82的主管的另一端流路連接於負壓源85。
在第2排氣配管82的主管插設有第2切換閥門84。第2切換閥門84選擇性地切換為第2排氣配管82流路連接於負壓源85的吸附狀態、或第2排氣配管82流路連接於後述的開放配管88的吸附解除狀態。
在第2切換閥門84流路連接有開放配管88的一端。開放配管88的另一端對大氣開放。
第2切換閥門84在第2排氣配管82的另一端流路連接於負壓源85的排氣狀態、及使所述排氣狀態停止並經由開放配管88使第2排氣配管82對大氣開放的吸附解除狀態之間選擇性地切換流路。
第2切換閥門84例如為三通閥,將流路選擇性地切換為所述排氣狀態、吸附解除狀態、或使第2排氣配管82並不流路連接於負壓源85及開放配管88的任一者的關閉狀態的任一狀態。此外,第2排氣配管82及第2切換閥門84等相當於使多個銷孔43中產生負壓的本發明的第2負壓產生部。
圖5是用以說明銷孔43的剖面圖。銷孔43為分別在垂直方向上貫通平臺4的圓筒狀的貫通孔,但為其流路直徑在保持面41附近階段性變小的錐形狀。
在銷孔43的內部沿垂直方向設置有套筒狀的筒狀構件72。在筒狀構件72的上端配置有密封構件71。密封構件71具有可供升降銷7插通的孔,並且其外周面的大部分(後述的切口部71a以外的部分)抵接於銷孔43的內表面。
密封構件71在銷孔43內將上方空間與下方空間之間密封。在密封構件71的外周面的一部分形成有切入至內部的切口部71a。所述切口部71a作為排氣流路發揮功能。
銷孔43的下端由固定於平臺4的背面的蓋構件73阻塞。在蓋構件73設置有可供升降銷7插通的孔。另外,在蓋構件73,設置有開口73a,在所述開口73a經由接口74而流路連接有第2排氣配管82的一端。
在銷孔43的內部由所述筒狀構件72、密封構件71及蓋構件73形成半密閉空間。如此,藉由形成半密閉空間,而抑制伴隨升降銷7的升降而產生的顆粒自半密閉空間向外擴散。其結果,可抑制所述顆粒附著於基板3。
升降銷7以插通至蓋構件73、筒狀構件72及密封構件71的狀態利用升降部40升降。另外,第2排氣配管82與形成於銷孔43的上端即保持面41的開口經由接口74、開口73a、形成於筒狀構件72與銷孔43的內表面之間的流路43a、及切口部71a連通。
圖6是表示各部對於控制部的電性連接關係的方塊圖。塗布裝置1所包括的控制部6為包含中央處理器(Central Processing Unit,CPU)或隨機存取記憶體(Random Access Memory,RAM)的電腦,並對狹縫噴嘴2的垂直移動、水平移動及塗布液的噴出等各動作進行控制。即,控制部6基於由線性編碼器51c檢測出的狹縫噴嘴2的高度來控制升降機構51b,由此將狹縫噴嘴2調整為目標高度。由此,狹縫噴嘴2與基板3的表面31的Z方向上的間隔即噴嘴間隙G被調整為目標間隔。
另外,控制部6基於由線性編碼器55檢測出的狹縫噴嘴2的Y方向上的位置的變化率來控制線性馬達54,由此使狹縫噴嘴2以目標塗布速度在Y方向上移動。
進而,控制部6藉由控制對狹縫噴嘴2供給塗布液的泵59,而使塗布液以目標流量自狹縫噴嘴2噴出。而且,控制部6藉由使狹縫噴嘴2的各動作連動,而一邊調整狹縫噴嘴2與基板3的表面31的間隔,一邊使狹縫噴嘴2在沿基板3的表面31的方向(Y方向)上相對於基板3進行相對移動並使塗布液自狹縫噴嘴2噴出。由此,將塗布液塗布於基板3的表面31。
另外,控制部6藉由對升降驅動部45進行控制而使多根升降銷7在上方位置與下方位置之間升降。
另外,控制部6對第1切換閥門83進行控制而在利用吸附孔42的基板3的保持動作中選擇性地切換為所述排氣狀態、吸附解除狀態或關閉狀態。進而,控制部6對第2切換閥門84進行控制而在利用銷孔43的基板3的保持動作中選擇性地切換為所述排氣狀態、吸附解除狀態或關閉狀態。
繼而,使用圖7對包含基板3的保持動作在內的塗布處理動作進行說明。圖7是表示基板處理動作的流程圖。
在圖7所示的步驟S10中,自未圖示的搬送機器人等將基板3交付至處於上方位置的多根升降銷7的上端,而將基板3搬入至塗布裝置1(搬入步驟)。繼而,在步驟S20中,支撐有基板3的多根升降銷7下降至下方位置,從而基板3被載置於平臺4的保持面41。
繼而,在步驟S30的吸附步驟中,將處於關閉狀態的第1切換閥門83切換為排氣狀態,使第1排氣配管81流路連接於負壓源85。其結果,使多個吸附孔42中產生負壓。具體而言,在多個吸附孔42的上部開口由載置於保持面41的基板3阻塞的狀態下,經由第1排氣配管81對多個吸附孔42內進行排氣,由此使多個吸附孔42中產生負壓。
利用在多個吸附孔42中產生的負壓,基板3的背面與保持面41之間殘留的環境氣體(空氣)也被排出,其結果,基板3吸附保持於保持面41。
另外,在步驟S30(吸附步驟)中,將處於關閉狀態的第2切換閥門84切換為排氣狀態,使第2排氣配管82流路連接於負壓源85。其結果,使多個銷孔43中產生負壓。具體而言,在多個銷孔43的上部開口由載置於保持面41的基板3阻塞的狀態下,經由第2排氣配管82、接口74、開口73a、流路43a及切口部71a對多個銷孔43內進行排氣,由此使多個銷孔43中產生負壓。
利用在多個銷孔43中產生的負壓,基板3的背面與保持面41之間殘留的環境氣體(空氣)也被排出,其結果,基板3吸附保持於保持面41。如此,除了吸附孔42以外,還利用銷孔43吸附保持基板3,因此可充分抽吸基板3與保持面41之間的空氣,可抑制在保持面41與基板3之間產生空氣積存。其結果,可以均勻的狀態由平臺4吸附保持基板3。
繼而,在步驟S40中,對平臺4所保持的基板3的表面31供給自在Y方向上移動的狹縫噴嘴2的噴出口噴出的塗布液,而在將表面31的周緣除外的大致整個面上形成塗布膜(塗布步驟)。此時,如上所述,基板3以均勻的狀態由平臺4吸附保持,因此可使形成於基板3的表面31的塗布膜的膜厚分佈均勻。
繼而,在步驟S50的吸附解除步驟中,將處於排氣狀態的第1切換閥門83切換為吸附解除狀態,使第1排氣配管81與壓縮空氣源86流路連接。其結果,使多個吸附孔42中產生正壓。具體而言,在多個吸附孔42的上部開口由載置於保持面41的基板3阻塞的狀態下,經由第1排氣配管81向多個吸附孔42內供給氮氣等氣體,由此使多個吸附孔42中產生正壓。
利用在多個吸附孔42中產生的正壓,基板3的背面與保持面41之間也被供給氣體,其結果,基板3與保持面41的吸附狀態得到解除。而且,在吸附狀態得到解除後,將第1切換閥門83自吸附解除狀態切換為關閉狀態。
另外,在步驟S50(吸附解除步驟)中,將處於排氣狀態的第2切換閥門84切換為吸附解除狀態,使第2排氣配管82對大氣開放。其結果,多個銷孔43成為大氣壓狀態。具體而言,在多個銷孔43的上部開口由載置於保持面41的基板3阻塞的狀態下,經由第2排氣配管82、接口74、開口73a、流路43a及切口部71a而使多個銷孔43內對大氣開放,由此,多個銷孔43成為大氣壓狀態,其結果,基板3與保持面41的吸附狀態得到解除。
可與吸附孔42的吸附解除動作同樣地藉由利用氣體供給的正壓產生而實現銷孔43的吸附解除動作,但若考慮到顆粒對基板3的污染,則優選對大氣開放的吸附解除動作。即,有在銷孔43內伴隨升降銷7的升降動作而產生顆粒的擔憂。和使所述顆粒與所供給的氣體一同自銷孔43噴出至保持面41的上方相比,使銷孔43對大氣開放可抑制顆粒到達保持面41的上方,可抑制基板3受到污染。
繼而,在步驟S60中,使多根升降銷7上升而將經吸附解除的基板3自保持面41上頂至上方位置。繼而,在步驟S70中,未圖示的搬送機器人等接收支撐於處於上方位置的多根升降銷7的上端的基板3,並自塗布裝置1搬出形成有塗布膜的基板3(搬出步驟)。
在所述實施形態中,第2負壓產生部為使多個銷孔43的全部中產生負壓的構成,但第2負壓產生部也可僅使多個銷孔43中的一部分銷孔43(一個以上的銷孔43)中產生負壓。例如,第2負壓產生部也可僅使與產生空氣積存的可能性高的部位對應的銷孔43中產生負壓。
另外,在載置於保持面41的基板3的中央部,因遠離基板3的周圍而並未形成經由周圍的排氣流路,因此有在基板3的背面的中央部產生空氣積存的傾向。因此,為了抑制在基板3的背面的中央部產生空氣積存,第2負壓產生部可僅使多個銷孔43中的與載置於保持面41的基板3的中央部相向的銷孔43中產生負壓。
例如,圖2中示出了16個銷孔43,但也可為僅使這些中與基板3的中央部相向的4個銷孔43中產生負壓,而並不使其周圍的12個銷孔43中產生負壓的形態。
在所述實施形態中,作為處理部,關於對基板保持基板9的保持部(平臺4)所保持的基板3的表面31實施塗布塗布液的塗布處理的塗布處理部進行了說明,但處理部可為在均勻地保持有基板的狀態下進行處理所必需的、塗布處理部以外的處理部。例如,可為將基板吸附保持於保持部並實施對基板進行加熱或冷卻的熱處理的熱處理部。另外,也可為將基板吸附保持於保持部並對基板實施照射規定圖案的光的曝光處理的曝光處理部。
1‧‧‧塗布裝置(基板處理裝置)
2‧‧‧狹縫噴嘴
3‧‧‧基板
4‧‧‧平臺(保持部)
5‧‧‧塗布處理部(處理部)
6‧‧‧控制部
7‧‧‧升降銷
9‧‧‧基板保持裝置
31‧‧‧基板的表面
40‧‧‧升降部
41‧‧‧保持面
42‧‧‧吸附孔
43‧‧‧銷孔
43a‧‧‧流路
44‧‧‧升降臺
45‧‧‧升降驅動部
46‧‧‧驅動軸
51‧‧‧噴嘴支撐體
51a‧‧‧固定構件
51b‧‧‧升降機構
51c‧‧‧線性編碼器
52‧‧‧狹縫噴嘴移動部
53‧‧‧導軌
54‧‧‧線性馬達
54a‧‧‧定子
54b‧‧‧動子
55‧‧‧線性編碼器
55a‧‧‧刻度部
55b‧‧‧檢測部
59‧‧‧泵
71‧‧‧密封構件
71a‧‧‧切口部
72‧‧‧筒狀構件
73‧‧‧蓋構件
73a‧‧‧開口
74‧‧‧接口
80‧‧‧配管系統
81‧‧‧第1排氣配管
82‧‧‧第2排氣配管
83‧‧‧第1切換閥門
84‧‧‧第2切換閥門
85‧‧‧負壓源
86‧‧‧壓縮空氣源
87‧‧‧壓縮空氣配管
88‧‧‧開放配管
S10~S70‧‧‧步驟
X、Y、Z‧‧‧方向
圖1是表示本發明的一實施形態的基板處理裝置的概略立體圖。 圖2是表示保持面的平面圖。 圖3是表示升降部的側面圖。 圖4是用以說明配管系統的圖。 圖5是用以說明銷孔的剖面圖。 圖6是表示各部對於控制部的電性連接關係的方塊圖。 圖7是表示基板處理的動作的流程圖。

Claims (8)

  1. 一種基板保持裝置,包括:保持部,具有載置基板的保持面;多個吸附孔,設置於所述保持部;多根升降銷,上端抵接於所述基板的背面而支撐所述基板,並相對於所述保持面升降;多個銷孔,設置於所述保持部且分別供多根所述升降銷插通;第1負壓產生部,使多個所述吸附孔中產生負壓;以及第2負壓產生部,使多個所述銷孔中的一個以上的所述銷孔中產生負壓。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的基板保持裝置,還包括:密封構件,供所述升降銷插通並且在所述銷孔內將上方空間與下方空間之間密封;以及切口部,設置於所述密封構件;且由所述切口部形成排氣流路。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板保持裝置,其中:所述第1負壓產生部具有:第1排氣配管,使多個所述吸附孔與負壓源流路連接;壓縮空氣配管,使所述第1排氣配管與壓縮空氣源流路連接;以及第1切換閥門,選擇性地切換為所述第1排氣配管流路連接於所述負壓源的吸附狀態、或所述第1排氣配管流路連接於所述壓縮空氣配管的吸附解除狀態,所述第2負壓產生部具有:第2排氣配管,使所述銷孔與所述負壓源流路連接;開放配管,使所述第2排氣配管對大氣開放;第2切換閥門,選擇性地切換為所述第2排氣配管流路連接於所述負壓源的吸附狀態、或所述第2排氣配管流路連接於所述開放配管的吸附解除狀態。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的基板保持裝置,其中:所述第2負壓產生部僅使多個所述銷孔中的一部分所述銷孔中產生負壓。
  5. 如申請專利範圍第4項所述基板保持裝置,其中:所述第2負壓產生部僅使多個所述銷孔中的與載置於保持面的基板的中央部相向的所述銷孔中產生負壓。
  6. 一種基板處理裝置,包括:如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的基板保持裝置;以及處理部,對所述基板保持裝置的所述保持部所保持的所述基板實施規定處理。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的基板處理裝置,其中:所述處理部為對所述基板保持裝置的所述保持部所保持的所述基板的表面塗布塗布液的塗布處理部。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的基板處理裝置,其中:所述塗布處理部具有:狹縫噴嘴,自狹縫狀的噴出口噴出所述塗布液;以及狹縫噴嘴移動部,使所述狹縫噴嘴在與所述噴出口的長邊方向正交的方向上移動。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7130457B2 (ja) * 2018-06-20 2022-09-05 キヤノン株式会社 電子機器
US20230197495A1 (en) * 2021-12-16 2023-06-22 Applied Materials, Inc. Substrate support gap pumping to prevent glow discharge and light-up

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201020614A (en) * 2004-09-06 2010-06-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus
TW201139961A (en) * 2009-10-16 2011-11-16 Tokyo Electron Ltd Vacuum drying apparatus
TW201207991A (en) * 2006-03-23 2012-02-16 Dainippon Screen Mfg Heat treatment apparatus and substrate sucking method

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0786247A (ja) * 1993-09-16 1995-03-31 Hitachi Ltd 減圧雰囲気内における被処理物の処理方法及び処理装置
JP2000100895A (ja) * 1998-09-18 2000-04-07 Nikon Corp 基板の搬送装置、基板の保持装置、及び基板処理装置
JP2007258439A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 熱処理プレート
JP4712614B2 (ja) 2006-05-29 2011-06-29 株式会社アルバック 真空処理装置
JP2008098575A (ja) * 2006-10-16 2008-04-24 Ntn Corp チャックステージおよびそれを用いたパターン修正装置
JP5708055B2 (ja) * 2011-03-08 2015-04-30 三菱電機株式会社 基板処理方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201020614A (en) * 2004-09-06 2010-06-01 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus
TW201207991A (en) * 2006-03-23 2012-02-16 Dainippon Screen Mfg Heat treatment apparatus and substrate sucking method
TW201139961A (en) * 2009-10-16 2011-11-16 Tokyo Electron Ltd Vacuum drying apparatus

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