TWI837457B - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

Abstract

本發明的問題在於在載台的上表面以高吸附力保持矩形狀的基板並穩定地進行處理液的塗佈。本發明包括：載台，在上表面具有能夠供矩形狀的基板載置的基板載置區域；噴嘴，具有噴出處理液的狹縫狀的噴出口；噴嘴移動部，使噴嘴在載台的上方移動；第一負壓產生部，自在基板載置區域的中央部由載置於載台的基板的下表面與載台夾持的空間排出第一氣體而產生第一負壓；凹部，以在自上方俯視時包圍空間的方式設置於基板載置區域的周緣部且呈環狀；以及密封構件，為設置於凹部內的彈性體且呈環狀，並且密封構件的上端在基板載置前自載台的上表面露出，另一方面，在基板載置於基板載置區域並且受到第一負壓的狀態下，與基板的下表面密合，同時朝向凹部後退而將空間密閉。

Description

基板處理裝置及基板處理方法

本發明涉及一種對矩形狀的基板、例如液晶顯示裝置或有機電致發光（Electroluminescence，EL）顯示裝置等平面顯示器（Flat Panel Display，FPD）用玻璃基板、電子紙用基板等精密電子裝置用基板、半導體封裝用基板（以下，簡稱為“基板”）進行吸附保持的技術。

以前，在對基板進行處理液的塗佈等處理的基板處理裝置中，在基板載置於載台上後，吸附保持於載台。即，在載台的上表面形成有多個吸附孔，經由所述吸附孔自由基板與載台夾持的空間排出氣體而產生負壓。基板通過所述負壓而保持於載台（參照專利文獻1）。如此，在執行基板的保持步驟後，具有噴出處理液的狹縫狀的噴出口的噴嘴在載台的上方移動並向基板的上表面供給處理液來進行塗佈（塗佈步驟）。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2017-174855號公報

[發明所要解決的問題] 然而，近年來，基板的翹曲相對較大，產生了難以在載台上平坦地保持基板的情形。例如以晶圓級封裝（Wafer Level Packaging，WLP）或面板級封裝（Panel Level Packaging，PLP）等製造形態所製造的半導體封裝中，在矩形狀的玻璃基板上多層地組合有多個半導體晶片或晶片間的配線等。它們的熱收縮率或熱膨脹率的相差量與僅積層抗蝕劑層等而成的半導體基板相比大，且有翹曲變大的傾向。因此，存在如下情況：難以穩定地保持矩形狀的基板，且處理液朝基板的供給變得不穩定。

本發明是鑒於所述問題而成，其目的在於提供一種可在載台的上表面以高吸附力保持矩形狀的基板並穩定地進行處理液的塗佈的基板處理裝置及基板處理方法。 [解決問題的技術手段]

本發明的第一形態為一種基板處理裝置，其特徵在於包括：載台，在上表面具有能夠供矩形狀的基板載置的基板載置區域；噴嘴，具有噴出處理液的狹縫狀的噴出口；噴嘴移動部，使噴嘴在載台的上方移動；第一負壓產生部，自在基板載置區域的中央部由載置於載台的基板的下表面與載台夾持的空間排出第一氣體而產生第一負壓；凹部，以在自上方俯視時包圍空間的方式設置於基板載置區域的周緣部且呈環狀；以及密封構件，為設置於凹部內的彈性體且呈環狀，並且密封構件的上端在基板載置前自載台的上表面露出，另一方面，在基板載置於基板載置區域並且受到第一負壓的狀態下，與基板的下表面密合，同時朝向凹部後退而將空間密閉。

另外，本發明的第二形態為一種基板處理方法，其特徵在於包括：保持步驟，在將矩形狀的基板載置於載台的上表面的基板載置區域後，自在基板載置區域的中央部由基板的下表面與載台夾持的空間排出第一氣體而產生第一負壓並在載台上加以保持；以及塗佈步驟，使具有狹縫狀的噴出口的噴嘴在保持基板的載台的上方移動，同時自噴出口向基板的上表面供給處理液來進行塗佈，並且保持步驟具有如下步驟，在基板載置前，使由彈性體構成的環狀的密封構件的上端在自載台的上表面露出的狀態下位於以在自上方俯視時包圍空間的方式設置於基板載置區域的周緣部的環狀的凹部內的步驟；及在基板載置後，使受到第一負壓的基板的下表面與密封構件的上端密合，同時使密封構件朝向凹部後退而將空間密閉的步驟。 [發明的效果]

如上所述，根據本發明，可在載台的上表面以高吸附力保持矩形狀的基板並穩定地進行處理液的塗佈。

圖1是表示本發明的基板處理裝置的第一實施方式的立體圖。為了統一表示各圖中的方向，如圖1左上所示那樣設定XYZ正交坐標軸。此處，XY平面表示水平面，Z軸表示鉛垂軸。

基板處理裝置100是使用狹縫噴嘴1向基板S的上表面塗佈處理液的被稱為狹縫塗佈機的裝置。作為處理液，能夠使用抗蝕劑液、彩色濾光片用液、包含聚醯亞胺、矽、奈米金屬油墨、導電性材料的漿料等各種處理液。在所述基板處理裝置100中，在基台2上配置有載台3。所述載台3的上表面31具有能夠供基板S載置的基板載置區域（圖2B中的符號311）。另外，用於對載置於載台3的上表面31的基板S進行吸附保持的負壓產生部（圖2A、圖2B中的符號5）與載台3連接。此外，關於載台3及負壓產生部的結構及運行，將在下文詳細敘述。

在載台3的上方配置有狹縫噴嘴1。狹縫噴嘴1具有沿Y方向延伸的狹縫狀的噴出口，能夠自噴出口朝向保持於載台3的基板S的上表面噴出處理液。在基板處理裝置100中，設置有使狹縫噴嘴1在載台3的上方沿X方向往返移動的噴嘴移動部4。噴嘴移動部4具有：橋樑結構的噴嘴支撐體41，沿Y方向橫貫載台3的上方來支撐狹縫噴嘴1；及噴嘴驅動機構42，使噴嘴支撐體41沿X方向水平移動。

噴嘴支撐體41具有固定有狹縫噴嘴1的固定構件41a、及支撐固定構件41a並使其升降的兩個升降機構41b。固定構件41a是以Y方向為長邊方向的剖面矩形的棒狀構件，由碳纖維增強樹脂等構成。兩個升降機構41b與固定構件41a的長邊方向的兩端部連結，分別具有交流電（Alternating Current，AC）伺服馬達（servo motor）及滾珠絲杠（ball screw）等。通過這些升降機構41b而使固定構件41a與狹縫噴嘴1一體地沿鉛垂方向（Z方向）升降，從而可調整狹縫噴嘴1的噴出口與基板S的間隔、即噴出口相對於基板S的上表面的相對高度。

噴嘴驅動機構42包括：沿X方向引導狹縫噴嘴1的移動的兩根導軌43；作為驅動源的兩個線性馬達44；以及用於檢測狹縫噴嘴1的噴出口的位置的兩個線性編碼器（linear encoder）45。兩根導軌43以自Y方向夾隔基板載置區域311（圖2B）的方式配置於基台2的Y方向的兩端，並且以包含基板載置區域311的方式沿X方向延伸設置。而且，兩個升降機構41b的下端部分別沿著兩根導軌43受到引導，由此狹縫噴嘴1在保持於載台3上的基板S的上方朝X方向移動。

兩個線性馬達44分別為具有定子44a與動子44b的AC無芯線性馬達（coreless linear motor）。定子44a沿著X方向設置於基台2的Y方向的兩側面。另一方面，動子44b固定設置於升降機構41b的外側。線性馬達44通過在這些定子44a與動子44b之間所產生的磁力而作為噴嘴驅動機構42的驅動源發揮功能。

另外，兩個線性編碼器45分別具有刻度（scale）部45a與檢測部45b。刻度部45a沿著X方向設置在固定設置於基台2的線性馬達44的定子44a的下部。另一方面，檢測部45b固定設置在固定設置於升降機構41b的線性馬達44的動子44b的更外側，且與刻度部45a相向配置。線性編碼器45基於刻度部45a與檢測部45b的相對位置關係來檢測X方向上的狹縫噴嘴1的噴出口的位置。即，在本實施方式中，通過升降機構41b沿Z方向調整狹縫噴嘴1與基板S的間隔，並通過噴嘴驅動機構42使狹縫噴嘴1相對於基板S沿X方向相對移動。而且，在這樣的相對移動中，可通過自狹縫噴嘴1噴出處理液而向基板S的上表面供給處理液（處理液的塗佈處理）。

為了在所述塗佈處理的前後使基板S相對於載台3升降，設置有頂銷及頂銷驅動部。另外，為了在塗佈處理中將基板S牢固地吸附保持於載台3的上表面31，在本實施方式中，以如下方式構成載台3及負壓產生部。以下，參照圖1、圖2A及圖2B並詳細敘述載台3、負壓產生部、頂銷及頂銷驅動部的結構及運行。

圖2A及圖2B是示意性表示載台、負壓產生部、頂銷及頂銷驅動部的結構的圖，圖2A表示未吸附保持基板S的狀態，圖2B表示吸附保持基板S的狀態。另外，在圖2A及圖2B（以及下文所說明的圖3A、圖3B、圖4及圖5）中，“CLOSE（關閉）”及“OPEN（打開）”表示開閉閥53的開閉情況。此處，先說明頂銷及頂銷驅動部的結構。

在載台3設置有沿Z方向平行地延伸設置且在上表面31開口的多個銷收納孔315，在各銷收納孔315中收容有頂銷61。各頂銷61具有沿Z方向平行地延伸設置的銷形狀，控制裝置整體的控制部10向頂銷驅動部62發出升降指令，由此使頂銷61升降。由此，頂銷61相對於銷收納孔315進退。當省略圖示的機器人將基板S搬送至載台3的上方時，通過頂銷驅動部62的驅動而上升的多個頂銷61自銷收納孔315朝載台3的上表面31的上方突出，並以各自的上端接收基板S。繼而，通過頂銷驅動部62的驅動，多個頂銷61下降並收入銷收納孔315內，由此基板S自多個頂銷61的上端載置於基板載置區域311。此外，在自基板載置區域311抬起基板S時，通過頂銷驅動部62的驅動，多個頂銷61上升而自銷收納孔315朝載台3的上表面31的上方突出。

如上所述，在載台3的上表面31設置有基板載置區域311，但當更詳細地觀察基板載置區域311時，基板載置區域311具有與基板S的有效區Sa對應地設置有格子狀的吸附槽312的中央部及以包圍吸附槽312的方式設置有環狀的凹部7的周緣部。

此處，所謂基板S的有效區Sa（參照圖2A、圖2B），是指在基板S的上表面中央部設置有多個元件的區域。例如，在半導體封裝的情況下，矩形狀的玻璃基板相當於基板S，積層配置於玻璃基板的上表面中央部的多個半導體晶片或晶片間的配線等相當於多個元件。當基板S載置於基板載置區域311時，如圖2B所示，有效區Sa位於基板載置區域311的中央部的上方。在基板載置區域311的中央部，為了在載台3的上表面31牢固地吸附保持基板S的有效區Sa，如圖1所示，呈格子狀刻設有吸附槽312。即，槽自載台3的上表面31以一定深度沿X方向及Y方向延伸設置，並且在槽交叉的若干地點處，自所述交叉點沿Z方向貫穿設置有與載台3的下表面32相連的貫通孔313。

如圖2A及圖2B所示，各貫通孔313與負壓產生部5連接。負壓產生部5具有吸引配管51、吸引源52及開閉閥53。更詳細而言，吸引源52通過吸引配管51而與貫通孔313連接。作為吸引源52，例如可使用真空泵，也可使用供基板處理裝置100設置的工廠的設備。在吸引配管51中介隔插入有開閉閥53。根據來自控制部10的關閉指令而關閉開閉閥53，由此停止朝貫通孔313供給負壓。另一方面，根據來自控制部10的打開指令而打開開閉閥53，由此向貫通孔313供給負壓。即，如圖2B所示，在基板S載置於基板載置區域311後，當根據來自控制部10的打開指令而打開開閉閥53時，向貫通孔313供給負壓。由此，空氣自由基板S的有效區Sa的下表面與載台3的上表面31夾持的空間（以下稱為“排氣對象空間”）經由吸附槽312及貫通孔313排出，從而將基板S吸附保持於載台3的上表面31。

如此，基板S的有效區Sa由負壓產生部5吸附保持，但有效區Sa的外側區域、即非有效區Sb位於基板載置區域311的周緣部的上方。因此，若在非有效區Sb產生了翹曲，則空氣會自翹曲部分流入排氣對象空間（有效區Sa與載台3之間）而吸附力降低。因此，在本實施方式中，在基板載置區域311的周緣部，以包圍格子狀的吸附槽312的方式設置有環狀的凹部7，並且以本發明的“密封構件”的形式插入有由橡膠或樹脂等彈性體構成的環狀的中空襯墊8A。

中空襯墊8A的剖面具有圓環形狀或橢圓環形狀。而且，在基板S未載置於基板載置區域311上時，如圖2A所示，中空襯墊8A的上端自載台3的上表面31向上方以突出量ΔZ突出而露出。另一方面，當基板S載置於基板載置區域311上時，在中空襯墊8A的上端於非有效區Sb與基板S的下表面密合後，所述上端發生彈性變形，同時朝向凹部7後退。此種密合同時的彈性變形與基板S的翹曲相對應，同時在中空襯墊8A的整周產生。因此，通過中空襯墊8A相對於基板S的整周密合而保持排氣對象空間的密閉。其結果，即使基板S產生了翹曲，也可將基板S牢固地保持於載台3，可穩定地進行處理液朝基板S的塗佈。

另外，在本實施方式中，如圖1所示，將凹部7的角部成形為倒圓、所謂的圓邊緣，因此在將環狀的中空襯墊8A插入凹部7時，可有效地防止中空襯墊8A因角部而損傷。

如上所述，在第一實施方式中，負壓產生部5相當於本發明的“第一負壓產生部”的一例，存在於排氣對象空間中的空氣相當於本發明的“第一氣體”的一例，並且通過排出所述空氣而產生的負壓相當於本發明的“第一負壓”的一例。

圖3A及圖3B是示意性表示本發明的基板處理裝置的第二實施方式中的載台、負壓產生部、頂銷及頂銷驅動部的結構的圖，圖3A表示未吸附保持基板S的狀態，圖3B表示吸附保持基板S的狀態。所述第二實施方式與第一實施方式大不相同的方面在於：使用剖面為大致V字狀的密封件、所謂的V密封件8B作為本發明的密封構件這一方面及採用排出凹部7的內部的空氣的凹部排氣結構這一方面。此外，其他結構與第一實施方式基本相同。因此，以下以不同點為中心進行說明，對相同的結構標注相同的符號並省略結構說明。

在第二實施方式中，如圖3A及圖3B所示，自凹部7的底面朝向載台3的下表面貫穿設置有貫通孔314。貫通孔314通過吸引配管51而與吸引源52連接。因此，在根據來自控制部10的關閉指令而關閉開閉閥53的期間，停止朝貫通孔313、貫通孔314供給負壓。另一方面，根據來自控制部10的打開指令而打開開閉閥53，由此不僅向貫通孔313供給負壓，而且也向貫通孔314供給負壓。因此，如圖3B所示，當基板S載置於基板載置區域311上時，在V密封件8B的上端與基板S的下表面中的非有效區Sb密合後，主要是所述上端發生彈性變形，同時朝向凹部7的內部壓入。其結果，與第一實施方式同樣地，通過V密封件8B相對於基板S的整周密合來保持排氣對象空間的密閉。其結果，即使基板S產生了翹曲，也可將基板S牢固地保持於載台3，可穩定地進行處理液朝基板S的塗佈。而且，自凹部7的內部排出空氣（相當於本發明的“第二氣體”）而產生負壓（相當於本發明的“第二負壓”）。因此，不僅基板S的有效區Sa，而且非有效區Sb也吸附保持於載台3的上表面31，可進一步提高基板S的吸附力。另外，在V密封件8B發生彈性變形時，即使與基板S或載台3摩擦而產生揚塵，也可自凹部7確實地排出而確實地防止附著於基板S。

如上所述，在第二實施方式中，負壓產生部5也作為本發明的“第二負壓產生部”發揮功能，但也可獨立於負壓產生部5而另行設置自凹部7排出第二空氣來產生第二負壓的負壓產生部，其作為本發明的“第二負壓產生部”發揮功能。另外，當然也可將第二實施方式的凹部排氣結構應用於第一實施方式或在下文所說明的第三實施方式或第四實施方式。

圖4是表示本發明的基板處理裝置的第三實施方式的圖。第三實施方式與第一實施方式大不相同的方面為例如追加有與日本專利特開2017-112197號公報中所記載的矯正機構相同結構的矯正部9這一方面。其他結構與第一實施方式基本相同。因此，以下以不同點為中心進行說明，對相同的結構標注相同的符號並省略結構說明。

矯正部9通過使矯正塊91直接抵接於載置於基板載置區域311的基板S的上表面的周緣部、即非有效區Sb而對非有效區Sb賦予朝向下方的按壓力來矯正基板S的翹曲，關於其詳細情況，在所述公報中有記載。因此，在本說明書中，關於在基板處理裝置100中所採用的矯正部9的基本結構及運行，參照圖4並進行說明。

矯正塊91在基板載置區域311的各邊各配置一個。如所述圖中的白箭頭所示，矯正塊91設置成在基板載置區域311的周緣部的上方沿鉛垂方向Z升降自如。各矯正塊91與塊移動部92連接。當通過所述塊移動部92而使矯正塊91移動至載置於基板載置區域311的基板S的非有效區Sb的上方時，矯正塊91的下表面以自上方覆蓋非有效區Sb的方式相向配置。而且，當矯正塊91通過塊移動部92而進一步下降時，矯正塊91的下表面與基板S的非有效區Sb接觸，進而將非有效區Sb按壓於基板載置區域311的周緣部。由此，基板S的翹曲得到矯正，基板S的非有效區Sb成為平坦的狀態。而且，所述非有效區Sb按壓插入凹部7中的中空襯墊8A的上端，使中空襯墊8A在大致整周上均勻地發生彈性變形，從而進一步提高排氣對象空間的密閉性。其結果，可將基板S更牢固地保持於載台3，可更穩定地進行處理液朝基板S的塗佈。

但是，在所述第三實施方式中，使矯正塊91的下表面與基板S的非有效區Sb直接接觸而將所述非有效區Sb按壓於基板載置區域311的周緣部來進行矯正。因此，有時會對基板S中與矯正塊91物理接觸的部位造成損傷。另外，通過所述接觸而有時會產生塵埃或顆粒等。因此，如以下說明那樣，也可在基板S的非有效區Sb與矯正塊91的下表面之間形成氣體層，通過氣體層而向下方按壓非有效區Sb來矯正基板S的翹曲，並且提高排氣對象空間的密閉性（第四實施方式）。

圖5是表示本發明的基板處理裝置的第四實施方式的圖。第四實施方式與第三實施方式大不相同的方面在於：追加有與矯正塊91連結並在矯正塊91和基板S之間強制形成氣體層93的氣體層形成部94這一方面；及經由氣體層93向下方按壓基板S的非有效區Sb這一方面，其他結構與第三實施方式基本相同。因此，對相同的結構標注相同的符號並省略說明。

圖6是示意性表示氣體層形成部的結構的圖。如圖6所示，氣體層形成部94具有壓縮機等壓縮部941、溫度調節部942、過濾器943、針閥944、流量計945、壓力計946及氣動閥947。在氣體層形成部94中，利用溫度調節部942將由壓縮部941壓縮的空氣調整為規定的溫度而生成氣體層形成用的壓縮空氣。

在供所述壓縮空氣流通的配管中設置有過濾器943、針閥944、流量計945、壓力計946及氣動閥947。而且，當根據來自控制部10的指令而打開氣動閥947時，在過濾器943中穿過而得到淨化的壓縮空氣通過針閥944而進行壓力調節，然後在流量計945、壓力計946、氣動閥947中穿過而被壓送至矯正塊91。壓縮空氣自設置於矯正塊91的下表面的噴出孔（省略圖示）作為本發明的“第三氣體”朝向基板S的非有效區Sb噴出。由此，在基板S的非有效區Sb與矯正塊91之間形成氣體層93（在圖5中標注點而示意性表示的區域）。

而且，在形成了氣體層93的狀態下，與第三實施方式同樣地，當矯正塊91通過塊移動部92而進一步下降時，非有效區Sb在與矯正塊91為非接觸狀態的狀態下被氣體層93按壓於基板載置區域311的周緣部而得到矯正，基板S的非有效區Sb成為平坦的狀態。而且，所述非有效區Sb按壓插入凹部7中的中空襯墊8A的上端，使中空襯墊8A在大致整周上均勻地發生彈性變形，從而進一步提高排氣對象空間的密閉性。其結果，可將基板S更牢固地保持於載台3，可更穩定地進行處理液朝基板S的塗佈。

如上所述，與第三實施方式同樣地，矯正了非有效區Sb，因此可使中空襯墊8A在大致整周上均勻地發生彈性變形，從而進一步提高排氣對象空間的密閉性。其結果，可將基板S更牢固地保持於載台3，可更穩定地進行處理液朝基板S的塗佈。

另外，在矯正翹曲時，與基板S接觸的是氣體層93，與直接接觸矯正塊91來進行矯正的第三實施方式相比，可防止對基板S造成損傷，並且可消除揚塵的問題，同時牢固地吸附保持基板S。

此外，本發明並不限定於所述實施方式，只要不脫離其主旨，則除所述以外，也能夠進行各種變更。例如，在所述實施方式中，呈格子狀設置吸附槽312來吸附保持基板S的有效區Sa的下表面，但吸附槽312的配置並不限定於格子狀而為任意。另外，也可替代設置吸附槽312，或者將多個吸附孔與吸附槽312一起分散設置於基板載置區域311的中央部，經由各吸附孔排出排氣對象空間的空氣而產生負壓。

另外，在所述實施方式中，作為基板S的一例，例示了翹曲量相對較大的半導體封裝，但本發明的應用對象並不限定於此，也可應用於吸附保持矩形狀的基板，同時自狹縫噴嘴向基板的上表面供給處理液的所有基板處理裝置。 [產業上的可利用性]

本發明可應用於在載台的上表面吸附保持矩形狀的基板，同時向基板塗佈處理液的所有基板處理技術。

1:狹縫噴嘴 2:基台 3:載台 4:噴嘴移動部 5:（第一、第二）負壓產生部 7:凹部 8A:中空襯墊（密封構件） 8B:V密封件（密封構件） 9:矯正部 10:控制部 31:（載台的）上表面 32:（載台的）下表面 41:噴嘴支撐體 41a:固定構件 41b:升降機構 42:噴嘴驅動機構 43:導軌 44:線性馬達 44a:定子 44b:動子 45:線性編碼器 45a:刻度部 45b:檢測部 51:吸引配管 52:吸引源 53:開閉閥 61:頂銷 62:頂銷驅動部 91:矯正塊 92:塊移動部 93:氣體層 94:氣體層形成部 100:基板處理裝置 311:基板載置區域 312:吸附槽 313:貫通孔 314:貫通孔 315:銷收納孔 941:壓縮部 942:溫度調節部 943:過濾器 944:針閥 945:流量計 946:壓力計 947:氣動閥 S:基板 Sa:有效區 Sb:非有效區

圖1是表示本發明的基板處理裝置的第一實施方式的立體圖。 圖2A是示意性表示第一實施方式中的載台、負壓產生部、頂銷（lift pin）及頂銷驅動部的結構的圖。 圖2B是示意性表示第一實施方式中的載台、負壓產生部、頂銷及頂銷驅動部的結構的圖。 圖3A是示意性表示本發明的基板處理裝置的第二實施方式中的載台、負壓產生部、頂銷及頂銷驅動部的結構的圖。 圖3B是示意性表示本發明的基板處理裝置的第二實施方式中的載台、負壓產生部、頂銷及頂銷驅動部的結構的圖。 圖4是表示本發明的基板處理裝置的第三實施方式的圖。 圖5是表示本發明的基板處理裝置的第四實施方式的圖。 圖6是示意性表示氣體層形成部的結構的圖。

1:狹縫噴嘴

2:基台

3:載台

4:噴嘴移動部

7:凹部

10:控制部

31:(載台的)上表面

41:噴嘴支撐體

41a:固定構件

41b:升降機構

42:噴嘴驅動機構

43:導軌

44:線性馬達

44a:定子

44b:動子

45:線性編碼器

45a:刻度部

45b:檢測部

100:基板處理裝置

312:吸附槽

315:銷收納孔

S:基板

Claims (2)

1. 一種基板處理裝置，其特徵在於包括：載台，在上表面具有能夠供矩形狀的基板載置的基板載置區域；噴嘴，具有噴出處理液的狹縫狀的噴出口；噴嘴移動部，使所述噴嘴在所述載台的上方移動；第一負壓產生部，自在所述基板載置區域的中央部由載置於所述載台的所述基板的下表面與所述載台夾持的空間排出第一氣體而產生第一負壓；凹部，以在自上方俯視時包圍所述空間的方式設置於所述基板載置區域的周緣部且呈環狀；密封構件，為設置於所述凹部內的彈性體且呈環狀；以及第二負壓產生部，在所述密封構件的上端與所述基板的下表面密合的狀態下，自所述凹部的內部排出第二氣體而產生第二負壓，並且在所述基板的有效區形成有多個元件，另一方面，在包圍所述有效區的非有效區未形成所述元件，所述第一負壓產生部對所述有效區賦予所述第一負壓，所述凹部與所述非有效區相向設置，所述密封構件的上端在所述基板載置前自所述載台的上表面露出，另一方面，在所述基板載置於所述基板載置區域並且受到所述第一負壓的狀態下，與所述基板的下表面密合，同時朝向所 述凹部後退而將所述空間密閉，在所述基板的所述非有效區抵接於所述載台的所述基板載置區域的周緣部中的、對應所述凹部的中央部側的部位及對應所述凹部的周端側的部位兩者的狀態下，將所述基板的所述有效區及所述非有效區吸附保持於所述載台的所述基板載置區域。
2. 一種基板處理方法，其特徵在於包括：保持步驟，在將矩形狀的基板載置於載台的上表面的基板載置區域後，自在所述基板載置區域的中央部由所述基板的下表面與所述載台夾持的空間排出第一氣體而產生第一負壓並在所述載台上加以保持；以及塗佈步驟，使具有狹縫狀的噴出口的噴嘴在保持所述基板的所述載台的上方移動，同時自所述噴出口向所述基板的上表面供給處理液來進行塗佈，並且在所述基板的有效區形成有多個元件，另一方面，在包圍所述有效區的非有效區未形成所述元件，所述保持步驟中的所述第一負壓是對所述有效區賦予，所述保持步驟具有如下步驟：在所述基板載置前，使由彈性體構成的環狀的密封構件的上端在自所述載台的上表面露出的狀態下位於以在自上方俯視時包圍所述空間的方式相向設置於所述基板載置區域的周緣部且為所述基板的所述非有效區的環狀的凹部內的步驟；及在所述基板載置後，使受到所述第一負壓的所述基板的下表 面與所述密封構件的上端密合，同時使所述密封構件的上端朝向所述凹部後退而將所述空間密閉，並且自所述凹部的內部排出第二氣體而產生第二負壓的步驟，在所述基板的所述非有效區抵接於所述載台的所述基板載置區域的周緣部中的、對應所述凹部的中央部側的部位及對應所述凹部的周端側的部位兩者的狀態下，將所述基板的所述有效區及所述非有效區吸附保持於所述載台的所述基板載置區域。

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