JP6029975B2 - 基板洗浄装置及び基板洗浄方法 - Google Patents
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Description
これにより、純水噴霧ノズルから超音波純水膜に向けて噴霧される純水にN2ガス等の不活性ガスを取り込ませ、この純水に取り込んだ不活性ガスを超音波純水膜中に混入させて、超音波純水膜の溶在気体量を高めることができる。特に、例えは銅配線の表面などに酸素を含む純水を供給すると、銅表面が容易に酸化して変質し、デバイス性能を著しく低下させる懸念があるが、このような場合に、純水にN2ガス等の不活性ガスを取り込ませた純水を使用することで、このような懸念を無くすことができる。
これにより、超音波洗浄ユニットから基板の表面に向けて噴射される純水で、基板の表面に、より均一に拡がる超音波純水膜を形成することができる。
図1は、本発明の実施形態に係る基板洗浄装置を備えた基板処理装置の全体構成を示す平面図である。図1に示すように、基板処理装置は、略矩形状のハウジング10と、多数の半導体ウエハ等の基板をストックする基板カセットが載置されるロードポート12を備えている。ロードポート12は、ハウジング10に隣接して配置されている。ロードポート12には、オープンカセット、SMIF(Standard Manufacturing Interface)ポッド、またはFOUP(Front Opening Unified Pod)を搭載することができる。SMIF、FOUPは、内部に基板カセットを収納し、隔壁で覆うことにより、外部空間とは独立した環境を保つことができる密閉容器である。
14a〜14d 研磨ユニット
16 第1洗浄ユニット
18 第2洗浄ユニット(基板洗浄装置)
20 乾燥ユニット
24 搬送ユニット
40 チャンバ
42 基板保持機構
44 チャック
52 超音波洗浄ユニット
54 純水供給源
56,74 純水供給ライン
62 内部流路
62b 噴射口
64 圧電素子
70 超音波純水膜
72 純水噴霧ノズル
80 気体溶在ユニット
Claims (6)
- 基板を水平に保持して回転させる基板保持機構と、
前記基板保持機構で保持されて水平に回転している基板の表面に向けて、純水供給ラインを通して装置内に供給される脱気された純水を該純水に超音波振動エネルギを与えて噴射して、基板の表面に超音波純水膜を形成する超音波洗浄ユニットと、
基板の表面に形成される前記超音波純水膜に向けて、純水供給ラインを通して装置内に供給される脱気された純水を噴霧する純水噴霧ノズルとを有し、
前記超音波洗浄ユニットから基板の表面に向けて噴射される純水の噴射中心軸の該表面とのなす角度は、0°を超え30°以下であることを特徴とする基板洗浄装置。 - 前記純水噴霧ノズルから噴霧される純水が不活性ガス雰囲気中を通過するように構成されていることを特徴とする請求項1に記載の基板洗浄装置。
- 基板を水平に保持して回転させる基板保持機構と、
前記基板保持機構で保持されて水平に回転している基板の表面に向けて、純水供給ラインを通して装置内に供給される脱気された純水を該純水に超音波振動エネルギを与えて噴射して、基板の表面に超音波純水膜を形成する超音波洗浄ユニットと、
純水供給ラインを通して装置内に供給される脱気された純水に気体を溶在させる気体溶在ユニットと、
基板の表面に形成される前記超音波純水膜に向けて前記気体溶在ユニットで生成された溶在気体純水を供給する純水供給ノズルとを有し、
前記超音波洗浄ユニットから基板の表面に向けて噴射される純水の噴射中心軸の該表面とのなす角度は、0°を超え30°以下であることを特徴とする基板洗浄装置。 - 基板保持機構で保持されて水平に回転している基板の表面に向けて、純水供給ラインを通して装置内に供給される脱気された純水を該純水に超音波振動エネルギを与えて噴射して、基板の表面に超音波純水膜を形成し、
基板の表面に形成される前記超音波純水膜に向けて、純水供給ラインを通して装置内に供給される脱気された純水を噴霧する工程を含み、
基板の表面に向けて噴射される前記純水の噴射中心軸の該表面とのなす角度は、0°を超え30°以下であることを特徴とする基板洗浄方法。 - 前記超音波純水膜に向けて噴霧される純水が不活性ガス雰囲気中を通過することを特徴とする請求項4に記載の基板洗浄方法。
- 水平に回転している基板の表面に向けて、純水供給ラインを通して装置内に供給される脱気された純水を該純水に超音波振動エネルギを与えて噴射して、基板の表面に超音波純水膜を形成し、
基板の表面に形成される前記超音波純水膜に、純水供給ラインを通して装置内に供給される脱気された純水に気体を溶在させた溶在気体純水を供給する工程を含み、
基板の表面に向けて噴射される前記純水の噴射中心軸の該表面とのなす角度は、0°を超え30°以下であることを特徴とする基板洗浄方法。
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