CN110657351A - 微影设备及微影设备的操作方法 - Google Patents

微影设备及微影设备的操作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110657351A
CN110657351A CN201910560185.4A CN201910560185A CN110657351A CN 110657351 A CN110657351 A CN 110657351A CN 201910560185 A CN201910560185 A CN 201910560185A CN 110657351 A CN110657351 A CN 110657351A
Authority
CN
China
Prior art keywords
fluid
photoresist
lithographic apparatus
conduit
recessed region
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201910560185.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN110657351B (zh
Inventor
谢馥骏
苏倍毅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Original Assignee
Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd filed Critical Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Publication of CN110657351A publication Critical patent/CN110657351A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN110657351B publication Critical patent/CN110657351B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2041—Exposure; Apparatus therefor in the presence of a fluid, e.g. immersion; using fluid cooling means
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17—STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17D—PIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
    • F17D5/00—Protection or supervision of installations
    • F17D5/02—Preventing, monitoring, or locating loss
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C—APPARATUS FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05C5/00—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work
    • B05C5/001—Apparatus in which liquid or other fluent material is projected, poured or allowed to flow on to the surface of the work incorporating means for heating or cooling the liquid or other fluent material
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M3/00—Investigating fluid-tightness of structures
    • G01M3/02—Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum
    • G01M3/04—Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by detecting the presence of fluid at the leakage point
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M3/00—Investigating fluid-tightness of structures
    • G01M3/02—Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum
    • G01M3/04—Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by detecting the presence of fluid at the leakage point
    • G01M3/16—Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by detecting the presence of fluid at the leakage point using electric detection means
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01M3/00—Investigating fluid-tightness of structures
    • G01M3/02—Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum
    • G01M3/04—Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by detecting the presence of fluid at the leakage point
    • G01M3/16—Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by detecting the presence of fluid at the leakage point using electric detection means
    • G01M3/18—Investigating fluid-tightness of structures by using fluid or vacuum by detecting the presence of fluid at the leakage point using electric detection means for pipes, cables or tubes; for pipe joints or seals; for valves; for welds; for containers, e.g. radiators
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/002—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor using materials containing microcapsules; Preparing or processing such materials, e.g. by pressure; Devices or apparatus specially designed therefor
    • G03F7/0022—Devices or apparatus
    • G03F7/003—Devices or apparatus characterised by storage means for the light sensitive material, e.g. cartridges
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67288—Monitoring of warpage, curvature, damage, defects or the like
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16—Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/162—Coating on a rotating support, e.g. using a whirler or a spinner

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

一种微影设备及微影设备的操作方法。本揭露描述处理半导体制造设备中的流体泄漏的泄漏处理装置与方法。半导体制造设备可包含微影设备，此微影设备具有配置以承托基材的固定座、以及配置以配送涂料于基材的一或多个区域上的光阻进料器。光阻进料器可包含配置以输出涂料的光阻筒、与光阻筒流体连接的导管、以及设于固定座之上的流体泄漏处理装置，其中导管可配置以流体传输涂料并循环冷却剂，流体泄漏处理装置可配置以检测来自导管的流体泄漏。

Description

微影设备及微影设备的操作方法
技术领域
本揭露实施方式是有关于一种微影设备及微影设备的操作方法。
背景技术
由于半导体科技的进步，已对制造半导体元件的微影制程的高良率与产能有渐增的需求。为了满足这些需求，防止微影设备故障以确保可靠的微影制程是重要的。
发明内容
在一些实施方式中，一种微影设备可包含配置以承托基材的固定座，以及配置以配送涂料于基材的一或多个区域上的光阻进料器。光阻进料器可包含配置以输出涂料的光阻筒、与光阻筒流体连接的导管、以及设于固定座之上的流体泄漏处理装置。导管可配置以流体传输涂料与循环冷却剂。流体泄漏处理装置可配置以检测来自导管的流体泄漏。
在一些实施方式中，微影设备可包含配置以传输涂料的导管、包含围绕导管的第一凹陷区的盘体、以及围绕第一凹陷区的第一凸起区。
在一些实施方式中，一种微影设备的操作方法可包含捕捉来自微影设备的导管的流体泄漏、判断微影设备中的流体泄漏特征、以及根据流体泄漏特征调整微影设备的一或多个操作。
附图说明
从以下结合所附附图所做的详细描述，可对本揭露的态样有更佳的了解。需注意的是，根据业界的标准实务，各特征并未依比例绘示。事实上，为了使讨论更为清楚，各特征的尺寸都可任意地增加或减少。
图1是绘示依照一些实施方式的一种微影设备的平面图；
图2A是绘示依照一些实施方式的一种光阻进料器的等角视图；
图2B是绘示依照一些实施方式的一种流体泄漏处理装置的上视图；
图3是绘示依照一些实施方式的一种微影设备的操作方法；
图4是绘示依照一些实施方式的一种执行本揭露的许多实施方式的计算机系统。
现将参照附图描述例示实施方式。在这些附图中，相同参考数字通常标示相同、功能类似、及/或结构类似的元件。
【符号说明】
100 微影设备
101 晶圆
102 涂料
103 弯折/伸缩部
106 光阻涂布模块
108 光阻进料器
109 流体导管
110 流体泄漏处理装置
111 连接器
112 支撑架
113 光阻管路
114 循环管路
115 光阻配送喷嘴
116 固定座
117 通道结构
118 主轴
122 光阻筒
160 照光模块
170 控制器单元
172 通讯机构
200 光阻进料器
210 流体泄漏处理装置
211 开口
212 盘体
212A 盘子
212B 盘子
213 机械零件
216 流体泄漏感测器
218 支撑架
230 凹陷区
230A 凹陷区
230B 凹陷区
232 凸起区
232A 凸起区
232B 凸起区
240 沟槽结构
240A 沟槽结构
240B 沟槽结构
300 方法
310 操作
320 操作
330 操作
400 计算机系统
402 输入/输出接口
403 输入/输出装置
404 处理器
406 通讯基础设施或总线
408 主记忆体
410 辅助储存装置或记忆体
412 硬盘驱动机
414 可卸除储存装置或驱动机
418 可卸除储存单元
420 接口
422 可卸除储存单元
424 通讯或网络接口
426 通讯路径
428 远程装置/远程网络/远程实体
D 深度
L 长度
L1 长度
W 宽度
W1 宽度
具体实施方式
以下的揭露提供了许多不同实施方式或例子，以实施所提供的标的的不同特征。以下所描述的构件与安排的特定例子是用以简化本揭露。当然这些仅为例子，并非用以作为限制。举例而言，于描述中，第一特征形成于第二特征之上或上方，可能包含第一特征与第二特征以直接接触的方式形成的实施方式，亦可能包含额外特征可能形成在第一特征与第二特征之间的实施方式，如此第一特征与第二特征可能不会直接接触。如在此所采用，第一特征形成于第二特征上意味第一特征以直接接触第二特征的方式形成。此外，本揭露可能会在各例子中重复参考数字及/或文字。这样的重复以其本身而言并非用以指定所讨论的各实施方式及/或配置之间的关系。
在此可能会使用空间相对用语，例如“在下(beneath)”、“下方(below)”、“较低(lower)”、“上方(above)”、“较高(upper)”、与类似用语，以方便说明如附图所绘示的一部件或一特征与另一(另一些)部件或特征的关系的描述。除了在图中所绘示的方位外，这些空间相对用词意欲含括元件在使用或操作中的不同方位。设备可能以不同方式定位(旋转90度或在其它方位上)，因此可利用同样的方式来解释在此所使用的空间相对描述符号。
应注意的是，说明书中提及“一个实施方式”、“一实施方式”、“一例示实施方式”、“示范”等等表示所描述的实施方式可能包含特定特征、结构、或特性，但每个实施方式可能无需包含此特定特征、结构、或特性。此外，这样的用语不必然指称相同实施方式。再者，当关于一实施方式描述一特定特征、结构、或特性时，不管有没有明确描述，关于其他实施方式实现这样的特征、结构、或特性时落在熟悉此技艺者的知识范围内。
应了解的是，在此的用词或术语是作描述之用，而非作为限制，因此本说明书的术语或用词由熟悉相关技艺者按照在此的教示来诠释。
如在此所使用，用语“约”表示一给定数量的数值可根据与标的半导体元件有关的特定技术节点而变化。在一些实施方式中，根据特定技术节点，用语“约”可表示一给定数量的数值在例如该数值的5％至30％的范围内变化(例如，该数值的±5％、±10％、±20％、或±30％)。
如在此所使用的用语“实质”表示一给定数量的数值可根据与标的半导体元件有关的特定技术节点而变化。在一些实施方式中，根据特定技术节点，用语“实质”可表示一给定数量的数值在例如该目标(或所欲)数值的5％的范围内变化。
微影制程广泛地应用来定义半导体晶圆上的各种图案，以制造半导体元件。微影制程可包含光阻涂布制程，以形成光阻薄膜于每个半导体晶圆上。于光阻涂布制程期间，光阻可利用光阻储存瓶提供、透过与光阻储存瓶流体连接的光阻管路传送、以及以与光阻管路流体连接的配送喷嘴来分派于每个半导体晶圆的一或多个表面区域上。每个半导体晶圆可旋转以形成离心力，来将所配送的光阻散布于整个晶圆表面上方。这样的旋转可持续直到具有所需特性(例如，薄膜厚度、薄膜均匀度、或表面覆盖范围)的光阻薄膜形成在每个半导体晶圆上。然而，光阻薄膜的特性可能对许多环境变数敏感，例如温度与湿度。因此，环境变数的变动会大幅冲击光阻涂布制程的整体良率与品质。举例而言，与环境温度变动有关的光阻温度的变化会改变光阻的粘性。这样的粘性变动会影响在半导体晶圆表面上的光阻的附着力或流体传输性质，因而冲击个别光阻薄膜的表面覆盖范围与厚度均匀度。因此，于送达配送喷嘴前，在稳定的温度环境中输送光阻是有利的。
可应用温度控制构件来确保将光阻从光阻储存瓶经由光阻管路输送到配送喷嘴时的温度稳定度。温度控制构件可为围绕且接触光阻管路的循环管路，其中冷却剂(例如，水)可流经此循环管路，以调节或维持在光阻管路中的光阻温度。然而，循环管路会被在光阻涂布制程期间的光阻管路与配送喷嘴的经常运动而弯折。这样的弯折会损坏循环管路，而造成冷却剂泄漏到半导体晶圆上，导致半导体晶圆的良率问题。
本揭露是针对一种流体泄漏处理装置与一种侦测与收集来自半导体制造设备(例如，微影设备)的循环管路的流体泄漏的方法。在一些实施方式中，流体泄漏处理装置可包含盘体、以及流体泄漏感测器设于此盘体中。盘体可围绕循环管路或微影设备的光阻筒(cartridge)。盘体可配置以收集循环管路的泄漏冷却剂。流体泄漏感测器可配置以侦测收集在盘体中的泄漏冷却剂。在一些实施方式中，流体泄漏处理装置可配置以与控制器单元通讯，控制器单元可根据泄漏冷却剂的检测而调整微影设备的一或多个操作。
图1是绘示依照一些实施方式的一种微影设备100的平面图，微影设备100配置以在基材(例如，晶圆101)上实施微影制程。微影设备100可包含光阻涂布模块106以及照光模块160，光阻涂布模块106配置以涂布涂料102(例如，光阻或任何其他流体有机材料)于基材(例如，晶圆101)上，照光模块160配置以支配辐射光束来照射基材。微影设备100亦可包含控制器单元170，控制器单元170配置以透过通讯机构172而与光阻涂布模块106及照光模块160通讯。在一些实施方式中，微影设备100可还包含其他没包含在图1中的模块，例如投射模块或支撑结构，投射模块配置以指引辐射光束来曝光基材，支撑结构配置以支承光罩，其中每个其他模块可更配置以透过通讯机构172与控制器单元170通讯。
光阻涂布模块106可包含固定座116、主轴118、以及光阻进料器108，固定座116配置以支承晶圆101，主轴118配置以提供固定座116旋转机制，光阻进料器108配置以配送涂料102于晶圆101的一或多个区域上。在一些实施方式中，光阻涂布模块106可具有多个光阻进料器108，其中每个光阻进料器108可配置以配送不同种类的涂料102。为例示的目的，图1包含光阻涂布模块106的数个选择部分与未绘示的其他构件，例如机械手臂、泵、溶剂库、以及排液管。
欲被涂布的晶圆101可面朝上的设置在固定座116上，如此晶圆101的一或多个上表面区域可接收来自光阻进料器108的涂料102。固定座116可为静止，或为主轴118所旋转，以扩散与散布涂料102来横跨晶圆101的上表面。在一些实施方式中，通道结构117可包含在光阻涂布模块106中且嵌在固定座116与主轴118中，其中真空吸力可经由通道结构117而提供来将晶圆101牢固于固定座116上。
光阻进料器108可包含光阻筒122、流体导管109、以及流体泄漏处理装置110，光阻筒122配置以输出涂料102，流体导管109流体连接光阻筒122，流体泄漏处理装置110配置以捕捉与检测流体导管109的流体泄漏。光阻进料器108在光阻涂布模块106中可为活动式的，如此光阻进料器108可在固定座116上方的空间与光阻涂布模块106的另一位置之间移动。举例而言，光阻进料器108可由光阻涂布模块106的机械手臂(未绘示于图1中)抓取，且可在固定座116与光阻涂布模块106的溶剂库(未绘示于图1中)之间移动，其中溶剂库可配置以维持光阻筒122的洁净。光阻进料器108亦可定位在固定座116的多个区域之上，以配送涂料102于晶圆101的多个区域上。
光阻筒122可包含光阻配送喷嘴115以及支撑架112，光阻配送喷嘴115配置以配送涂料102，支撑架112配置以容置光阻配送喷嘴115与流体导管109。在一些实施方式中，光阻筒122可还包含连接器111，以使流体导管109与支撑架112之间的连接牢固。光阻配送喷嘴115可为渐细或直孔(straight-bore)管结构(未绘示于图1中)，且配置以接收来自流体导管109的涂料102以及配送涂料102给牢固在固定做116上的晶圆101。在一些实施方式中，光阻配送喷嘴115可还包含腔室(未绘示于图1中)，腔室连接渐细或直孔管结构，其中腔室的圈隔区可配置以储存流体导管109所提供的涂料102。支撑架112可包含把手结构(未绘示于图1中)以供光阻涂布模块106的机械手臂来运载光阻筒122。举例而言，机械手臂可抓取支撑架112的把手结构，以在光阻涂布模块106中的多个位置之间移动支撑架112以及光阻配送喷嘴115与流体导管109。
流体导管109可包含光阻管路113，光阻管路113配置以输送涂料102至光阻筒122。光阻管路113的一端可流体连接光阻配送喷嘴115，光阻管路113的另一端可连接于泵(未绘示于图1中)，泵配置以从光阻储存容器(未绘示于图1中)抽出涂料102以及驱动涂料102流至光阻筒122。流体导管109可还包含循环管路114围绕且接触光阻管路113，其中循环管路114可配置以循环冷却剂(例如，水)，以稳定或调节光阻管路113中的涂料102的温度。光阻管路113与循环管路114均可由软性材料(例如，塑胶材料)所制成，因而可弯折、可延展、且可伸缩。因此，光阻管路113与循环管路114均可包含一或多个弯折/伸缩部103，此可使流体导管109与光阻筒122在光阻涂布模块106中为可活动的。在一些实施方式中，循环管路114的弯折/伸缩部103可能具有一或多个泄漏点，泄漏点从循环管路114泄漏冷却剂，因而污染晶圆101。
流体泄漏处理装置110可包含容器(未绘示于图1中)，此容器配置以捕捉从流体导管109泄漏的流体(在此称为“流体泄漏(fluid leakage)”)，例如从循环管路114泄漏的冷却剂或从光阻管路113泄漏的涂料102。流体泄漏处理装置110可还包含流体感测器(未绘示于图1中)，流体感测器配置以侦测流体泄漏，其中流体感测器可更配置以透过通讯机构172而与控制器单元170通讯。流体泄漏处理装置110可设于固定座116之上。举例而言，流体泄漏处理装置110可设置在或邻近于流体导管109的外表面、或者在光阻筒122的外表面。在一些实施方式中，流体泄漏处理装置110可设于光阻筒122与固定座116之间，其中光阻筒122可经由流体泄漏处理装置110而配送涂料102于晶圆101上。
在一些实施方式中，微影设备100可还包含另一流体泄漏模块(未绘示于
图1中)，此另一流体泄漏模块配置以侦测微影设备100中的流体泄漏，其中流体泄漏处理装置110可配置以与其他流体模块通讯，且其他流体模块可配置以与控制器单元170通讯。
控制器单元170可包含任何适合的计算机系统(例如，工作站与可携式电子元件)，以储存微影设备100的每个模块的许多操作的程序与数据，来命令微影设备100在基材上进行微影制程。举例而言，控制器单元170可配置以命令光阻涂布模块106在设于固定座116上的晶圆101上进行光阻涂布制程，包含控制光阻进料器108的移位或固定座116的转动。控制器单元170的不同功能应不受限于本揭露的实施方式。通讯机构172可包含在控制器单元170与微影设备100的每个模块之间的任何适合网络连接。举例而言，通讯机构172可包含区域网络(LAN)及/或WiFi网络。在一些实施方式中，控制器单元170可透过通讯机构172传送控制讯号，以控制固定座116的转动或光阻进料器108的移位。
在一些实施方式中，纵使在此是考虑微影设备100，流体泄漏处理装置110可包含在其他半导体制造设备中。举例而言，其他半导体制造设备可为干蚀刻设备或离子植入设备(未绘示于图1中)，其可包含具有循环管路114的流体导管(例如，类似于流体导管106)，其中流体泄漏处理装置110可装在或放置在或接近流体导管或循环管路114的外表面。
图2A是绘示依照一些实施方式的一种光阻进料器200的等角视图。光阻进料器108的讨论适用于光阻进料器200，除非另有说明。光阻进料器200可包含光阻筒122、流体连接光阻筒122的流体导管109、以及流体泄漏处理装置210，其中流体泄漏处理装置110的讨论适用于流体泄漏处理装置210，除非另有说明。
流体泄漏处理装置210可包含盘体212以及流体泄漏感测器216，盘体212配置以捕捉流体泄漏，流体泄漏感测器216配置以检测盘体212所收集的流体泄漏。盘体212可包含凹陷区230、以及围绕凹陷区230的凸起区232，其中凹陷区230相较于凸起区232可具有任何适合的深度D，以使流体泄漏可被及时收集与检测。举例而言，深度D可够浅至容纳被流体泄漏感测器216检测的所收集的流体泄漏的最小量。在一些实施方式中，深度D可介于约0.2厘米至约3厘米之间。在一些实施方式中，深度D可介于约0.5厘米至约2厘米之间。在一些实施方式中，深度D可介于约0.7厘米至约1.5厘米之间。
在一些实施方式中，盘体212可为任何可配置以容纳流体泄漏的容器，例如盘子、盘子、槽、桶子、或任何其他适合容器。
凹陷区230可还包含开口211，开口211配置以容纳光阻筒122或流体导管109。举例而言，如图2A所示，流体泄漏处理元件210可设于流体导管109的外表面，其中盘体212可围绕流体导管109，如此流体导管109可延伸穿过凹陷区230中的开口211。因此，来自流体导管109的流体泄漏可被收集在凹陷区230中。在一些实施方式中，凹陷区230可紧密地接触且密封流体导管109，如此没有间隙形成在凹陷区230与流体导管109之间。
在一些实施方式中，流体泄漏处理装置210可设置在光阻筒122的外表面，其中盘体212可围绕光阻筒122，如此光阻筒122可延伸穿过凹陷区230中的开口211。在一些实施方式中，凹陷区230可紧密接触且密封光阻筒122，如此没有间隙形成在凹陷区230与光阻筒122之间。
在一些实施方式中，流体泄漏处理装置210可设置在光阻筒122与固定座116(未绘示于图2A中)之间，其中盘体212可由支撑机构(例如，机械手臂，未绘示于图2A中)所承托并放置在固定座116之上。在一些实施方式中，盘体212可放置在光阻筒122之下，且配置以使欲配送至固定座116的涂料可通过开口211。
在一些实施方式中，盘体212可为多个盘体的组合。举例而言，如图2A所示，盘体212可为盘子212A与212B的组合，其中每个盘子212A/212B可分别包含凹陷区230A/230B以及凸起区232A/232B，如此凹陷区230可为凹陷区230A与230B的组合，凸起区232可为凸起区232A与232B的组合。盘子212A与212B可以多个机械零件213(例如，螺丝及/或夹钳)彼此附着。盘子212A与212B的组合(例如，盘体212)可进一步固定在支撑架218上，其中支撑架218可以一或多个机械零件213牢固于光阻筒122上。
在一些实施方式中，纵使二个盘子212A与212B绘示于图2A中，盘体212可为超过二个类似于盘子212A与212B的盘子的组合。在一些实施方式中，盘体212可为多个盘子的组合，其中凹陷区230可为此多个盘子中第一群的凹陷区的组合，凸起区232可为此多个盘子中第二群的凸起区的组合。
在一些实施方式中，盘体212可为多个盘子的组合，其中此多个盘子的第一群的凹陷区的深度可不同于此多个盘子的第二群的凹陷区的深度。举例而言，凹陷区230A与凸起区232A之间的深度可不同于凹陷区230B与凸起区232B之间的深度，如此所形成的凹陷区230的表面可朝水平方向(例如，平行x-y平面的方向)倾斜。
在一些实施方式中，盘体212可为多个盘子的组合，其中此多个盘子中的一或多个均可具有具倾斜表面的凹陷区。举例而言，每个凹陷区230A与230B可具有倾斜表面，如此凹陷区230可朝流体导管109或光阻筒122倾斜。
在一些实施方式中，盘体212可为具有凹陷区230与凸起区232的单一盘体，其中凹陷区230可具有平坦或倾斜表面。
在一些实施方式中，流体泄漏处理装置210可包含多个类似于盘体212的盘体，其中此多个盘体中的第一群的每个盘体可为具有凹陷区230与凸起区232的单一盘体，且此多个盘体中的第二群的每个盘体可为类似于盘子212A与212B的多个盘子的组合。
流体泄漏感测器216可为电子式流体检测器，此电子式流体检测器配置以检测收集在凹陷区230中的流体泄漏，且流体泄漏感测器216可包含多个导线与电子模块，此电子模块配置以监控多个导线之间的电阻变化。如图2A所示，流体泄漏感测器216的多个导线的一端可放置在凹陷区230中，而这些导线的另一端可电性连接于流体泄漏感测器216的电子模块(未绘示于图2A中)。响应接触到收集在凹陷区230中的泄漏流体的此多个导线，泄漏流体可电性桥接此多个导线，因而造成此多个导线之间的电阻的变化。流体泄漏感应器216的电子模块可检测这样与凹陷区230中的泄漏流体有关的电阻变化，并触发各别的通讯以通知或警示控制器单元(未绘示于图2A中)。
在一些实施方式中，流体泄漏感测器216可为声音式流体检测器，此声音式流体检测器配置以检测收集在凹陷区230中的流体泄漏的程度。流体泄漏感测器216可包含放置在凹陷区230上的声音模块(未绘示于图2A中)，其中声音模块可配置以传送与接收一或多个与收集在凹陷区230中的流体泄漏的程度有关的声音讯号。举例而言，声音模块可配置以检测所传送与接收的声音讯号之间的相差，借以判断凹陷区230中的流体泄漏的实际流体程度。因应凹陷区230中所检测的流体程度超过预设门槛，流体泄漏感测器216可配置以触发各别通讯以通知或警示控制器单元170。
在一些实施方式中，流体泄漏感测器216可为影像感测器，此影像感测器配置以检测收集在凹陷区230中的流体泄漏的程度。举例而言，流体泄漏感测器216可包含具有柔性鹅颈电缆(flexible gooseneck cable)的相机，其中柔性鹅颈电缆可设于凹陷区230之上以记录凹陷区230中的流体程度的影像。流体泄漏感测器216的影像感测器可配置以产生具有任何适合解析度(例如，640像素x480像素)、灰阶[例如，256灰度(shades of gray)组合]、色度(chrominance)、或影格率(frame rate)(例如，每秒30个图像)的影像数据。可将影像数据送至控制器单元170，供进一步分析，例如进行包含一或多个数学运算的计算程序，以分析影像。在一些实施方式中，计算程序可还包含图形识别程序，以分析流体泄漏感测器216的影像感测器所提供的影像中的成像(imaging)信息，例如对比与亮度。在一些实施方式中，计算程序可亦包含机器学习程序(machine learning procedure)，以预测凹陷区230中的流体泄漏的累积，其中机器学习程序可包含类神经网络演算法(neural networkalgorithm)或任何以回归为基础(regression-based)的程序。
在一些实施方式中，流体泄漏感测器216可包含电子式流体检测器、声音式流体检测器、或影像感测器中的一或多个。
图2B是绘示依照一些实施方式的一种流体泄漏处理装置210的上视图。在图2A与图2B中具相同注解的元件的讨论彼此适用，除非另有说明。如图2B所示，凹陷区230可具有任何适合形状(沿x-y平面)，此形状足以收集来自所有方向的流体泄漏。凹陷区230沿水平方向(例如，沿x或y方向)的尺寸可实质大于开口211的各别水平尺寸，如此可在凸起区232与开口211之间形成充足的空间来收集来自所有方向的流体泄漏。举例而言，凹陷区230沿x-y平面可为矩形，其中凹陷区230的长度L1与宽度W1均可大于开口211的直径。在一些实施方式中，凹陷区230沿着y轴的长度L1可介于约3厘米与约10厘米之间，凹陷区230沿着x轴的宽度W1可介于约3厘米与约10厘米之间。在一些实施方式中，凹陷区230沿着y轴的长度L1可介于约4厘米与约9厘米之间，凹陷区230沿着x轴的宽度W1可介于约4厘米与约9厘米之间。在一些实施方式中，凹陷区230沿着y轴的长度L1可介于约5厘米与约8厘米之间，凹陷区230沿着x轴的宽度W1可介于约5厘米与约8厘米之间。
请参照图2B，凹陷区230可还包含沟槽结构240设于凹陷区230的顶面，其中沟槽结构240可沿着凹陷区230的边缘延伸，且配置以容纳流体泄漏感测器216。举例而言，流体泄漏感测器216可为具有多个导线的电子式流体感测器，其中此多个导线可进一步设置在沟槽结构240中。由于沟槽结构240具有较凹陷区230的其他部分相对较低的高度，因此任何凹陷区230所收集的流体泄漏可积聚在沟槽结构240中而由流体泄漏感测器216的此多个导线所检测。沟槽结构240可具有任何适合宽度与深度，足以容纳流体泄漏感测器216及/或蓄存所收集的流体泄漏。在一些实施方式中，沟槽结构240可具有宽度介于0.5厘米与2厘米之间，以及深度介于0.5厘米与5厘米之间。在一些实施方式中，沟槽结构240可具有宽度介于0.7厘米与1.7厘米之间，以及深度介于0.7厘米与4厘米之间。在一些实施方式中，沟槽结构240可具有宽度介于0.9厘米与1.5厘米之间，以及深度介于0.7厘米与3厘米之间。
在一些实施方式中，盘体212可为多个盘子的组合，其中沟槽结构240可为此多个盘子中的第一群与第二群的沟槽结构(例如，沟槽结构240A与240B)的组合。
凸起区232可具有足以围绕凹陷区230的任何适合形状(沿x-y平面)与尺寸。举例而言，凸起区232沿x-y平面可为矩形，其中凸起区232的长度L与宽度W可分别大于凹陷区230的长度L1与宽度W1。在一些实施方式中，凸起区232沿着y轴的长度L可介于约8厘米与约15厘米之间，凸起区232沿着x轴的宽度W可介于约8厘米与约15厘米之间。在一些实施方式中，凸起区232沿着y轴的长度L可介于约9厘米与约14厘米之间，凸起区232沿着x轴的宽度W可介于约9厘米与约14厘米之间。在一些实施方式中，凸起区232沿着y轴的长度L可介于约10厘米与约13厘米之间，凸起区232沿着x轴的宽度W可介于约10厘米与约13厘米之间。
在一些实施方式中，开口211的中心可重迭或非常接近凹陷区230的中心。在一些实施方式中，开口211可位于凹陷区230的任何偏离中心的部分，其中开口211的中心可位于不同于凹陷区230的中心的位置。
图3是绘示依照本揭露的一些实施方式的一种微影设备的操作方法300。方法300所示的操作并不详细，其他操作亦可在任何图示操作之前、之后、或之间进行。在一些实施方式中，方法300的操作可以不同顺序进行。方法300的变化落在本揭露的范围中。
方法300始于操作310，其中利用流体泄漏处理装置捕捉泄漏自微影设备的流体导管的流体泄漏。流体泄漏处理装置可围绕流体导管或微影设备的光阻筒设置，以收集来自流体导管的流体泄漏。举例而言，流体泄漏处理装置可包含盘体，其中盘体可通过将流体导管或光阻筒塞进此盘体的开口的方式围绕流体导管或光阻筒，如此流体导管或光阻导管可穿过盘体且由盘体所围绕。盘体与流体导管或光阻筒的外表面之间的接合可以额外的机械紧固或衬垫层，例如O型环、垫圈、棉、密封胶(sealant)、或任何其他适合材料，来进一步密封。因此，任何来自流体导管的流体泄漏可由流体泄漏处理装置的盘体所捕捉与收集，因而可防止流体泄漏滴在基材或微影设备的任何其他零件上。在一些实施方式中，可通过组合多个不完全盘体来围绕流体导管或光阻筒的方式，将盘体围绕流体导管或光阻筒设置。举例而言，多个盘子中的每个盘子可以各种机械零件，例如螺丝与夹钳，彼此固定且附着于流体导管或光阻筒的外侧面。操作310的细节可参考图1与图2A和图2B的描述。
在操作320中，以流体泄漏处理装置判断微影设备中的流体泄漏特征(signature)。流体泄漏特征可包含自流体导管泄漏的流体泄漏的存在以及收集在盘体中的流体泄漏的型态，例如间断的液滴或连续的流体面。流体泄漏特征的判断可包含将流体泄漏处理装置的流体泄漏感测器设置在盘体之上或之中，以及以流体泄漏感测器来监控流体泄漏特征的电性、声音、或视觉特性。举例而言，流体泄漏感测器可为电子式流体检测器，其可包含多个导线放置在盘体之上，其中所监控到的流体泄漏特征的电子特性可包含此多个导线之间的电阻变化的检测。响应收集在盘体中的流体泄漏接触到此多个导线，所收集的流体泄漏可电性桥接此多个导线，因而造成此多个导线之间的电阻变化。由于此多个导线是设于盘体之上，因此由流体泄漏感测器所检测到的此一电阻变化可表示流体泄漏来自流体导管，其中收集且积聚在盘体中的流体泄漏具有连续流体面。在一些实施方式中，电子式流体检测器的此多个导线设置在盘体中，其中流体泄漏感测器所检测到的电阻变化可意味着泄漏自流体导管的流体泄漏的存在，其中收集在盘体中的流体泄漏可为许多滴(例如，流体泄漏可能才刚刚开始或流体泄漏的量微不足道)。操作320的细节可参考图2A与图2B的描述。
在一些实施方式中，流体泄漏感测器可为设于盘体之上的声音式流体检测器，其中流体泄漏特征的声音特性的监控可包含传送声音讯号给盘体、接收从盘体反射的声音讯号、以及比较传送与接收的声音讯号之间的相差或振幅差。流体泄漏感测器所检测到的相差或振幅差的变化可表示来自流体导管的流体泄漏，其中收集且积聚在盘体中的流体泄漏已形成连续流体面。
在一些实施方式中，流体泄漏感测器可为设于盘体之上的影像感测器，其中与流体泄漏特征有关的视觉特性的监控可包含记录盘体的顶面的影像。影像感测器所记录的在盘体中的多个小滴或连续流体面的影像可表示来自流体导管的流体泄漏与盘体中所收集的流体泄漏的型态(例如，多个小滴或连续流体面)。
在操作330中，根据微影设备中的流体特征的判断调整微影设备的一或多个操作。调整可包含中止正在进行中的光阻涂布制程及/或后续的光阻涂布制程。举例而言，因应流体泄漏处理装置所检测的流体泄漏的存在，可中止由微影设备所进行的正在进行中的光阻涂布制程，以避免来自流体泄漏的污染。在一些实施方式中，因应流体泄漏处理装置所捕捉与检测的不连续滴的流体泄漏，可继续正在进行中的光阻涂布制程以符合生产排程，且可中止后续的光阻涂布制程以避免来自流体泄漏的潜在污染。调整可还包含连锁微影设备的操作，例如触发预防维护警报以更换流体导管、更换流体泄漏处理装置、中止光阻涂布制程、及/或调整使用此微影设备的半导体元件的生产排程。举例而言，调整可通知供应链管理来开始准备新流体导管或流体泄漏处理装置的存货。
图4是绘示依照一些实施方式的一种例示计算机系统400，可在其中执行本揭露的许多实施方式。计算机系统400可应用在例如图1的控制器单元170中。计算机系统400可为任何有进行在此所描述的功能与操作的能力的知名计算机。举例而言，且非为限制，计算机系统400可有处理与传送讯号的能力。计算机系统400可应用以例如执行微影设备100的一或多个操作。
计算机系统400包含一或多个处理器(亦称为中央处理单元，或CPU)，例如处理器404。处理器404连接通讯基础设施或总线406。计算机系统400亦包含输入/输出装置403，例如监视器、键盘、指向装置(pointing device)等等，输入/输出装置403透过输入/输出接口402与通讯基础设施或总线406通讯。控制机台可接收指示而执行在此所描述的功能与操作—例如，图1所描述的微影设备的功能以及图2A与图2B所描述的方法/制程—透过输入/输出装置。计算机系统400亦包含主记忆体408，例如随机存取记忆体(RAM)。主记忆体408可包含一或多阶快取记忆体(cache)。主记忆体408中已存有控制逻辑(例如，计算机软件)及/或数据。在一些实施方式中，控制逻辑(例如，计算机软件)及/或数据可包含描述于上的与微影设备100有关的一或多个功能。在一些实施方式中，处理器404可配置以执行储存在主记忆体408中的控制逻辑。
计算机系统400亦可包含一或多个辅助(secondary)储存装置或记忆体410。辅助记忆体410可包含例如硬盘(hard disk)驱动机412及/或可卸除(removable)储存装置或驱动机414。可卸除储存驱动机414可为软盘(floppy disk)驱动机、磁带驱动机、光盘(compact disk)驱动机、光学储存装置、磁带备份装置、及/或任何其他储存装置/驱动机。
可卸除储存驱动机414可与可卸除储存单元418互动。可卸除储存单元418包含计算机可用或可读储存装置，其上已存有计算机软件(控制逻辑)及/或数据。可卸除储存单元418可为软盘、磁带、光盘、数字影音光盘(DVD)、光学储存盘、及/或任何其他计算机数据储存装置。可卸除储存驱动机414利用广为人知的方式对可卸除储存单元418读取及/或写入。
依照一些实施方式，辅助记忆体410可包含其他机制、手段、或其他方法，来使计算机程序及/或其他指令及/或数据可为计算机系统400所存取。这类的机制、手段、或其他方法可包含例如可卸除储存单元422与接口420。可卸除储存单元422与接口420的例子可包含程序卡匣与卡匣接口(例如在影像游戏装置中可见的)、可卸除记忆体晶片[例如可抹除程序化只读记忆体(EPROM)或可程序只读记忆体(PROM)]及相关插槽(socket)、记忆卡(memory stick)与通用序列总线(USB)端口、记忆卡(memory card)与相关记忆卡槽(slot)、及/或任何其他可卸除储存单元与相关接口。在一些实施方式中，辅助记忆体410、可卸除储存单元418、及/或可卸除储存单元422可包含一或多个描述于上的关于湿式工作台结构的功能。
计算机系统400可还包含通讯或网络接口424。通讯接口424使得计算机系统400可与远程装置、远程网络、远程实体(entities)等等(各别与共同以参考数字428来参照)的任意组合通讯与互动。举例而言，通讯接口424可使计算机系统400通过通讯路径426与远程装置428通讯，通讯路径426可为有线及/或无线，且可包含区域网络、广域网络(WAN)、网际网络(internet)等等的任意组合。控制逻辑及/或数据可通过通讯路径426传送至计算机系统400以及从计算机系统400传送出。
先前的实施方式中的功能/操作可以各式各样的配置与架构来实施。因此，在先前的实施方式中的操作的部分或全部—例如，描述于图1与图2A和图2B的微影设备100的功能以及描述于图3的方法/制程—可在硬件、软件、或二者中进行。在一些实施方式中，包含具有控制逻辑(软件)储存于其上的有形计算机可用或可读取媒体的有形设备或制品在此亦称为计算机程序产品或程序储存装置。此包含但不限于计算机系统400、主记忆体408、辅助记忆体410、与可卸除储存单元418和422，以及体现上述的任意组合的有形制品。这样的控制逻辑在被一或多个数据处理装置(例如计算机系统400)执行时，造成这样的数据处理装置如在此所描述般运作。举例而言，硬件/设备可连接或为计算机系统400的元件428(远程装置、网络、实体428)的部分。
本揭露是针对一种以流体泄漏处理装置来处理半导体设备的流体泄漏。在一些实施方式中，流体泄漏处理装置可包含围绕半导体设备的循环管路的盘体、以及设于盘体中的流体泄漏感测器。盘体可收集来自循环管路的泄漏冷却剂，流体泄漏感测器可检测收集在盘体中的泄漏冷却剂，且进一步与控制器单元通讯以调整半导体设备的一或多个操作。本揭露的一个优势为提供处理机制以改善半导体设备的冷却剂泄漏故障，因而改善半导体元件制造良率与生产率。
在一些实施方式中，一种微影设备可包含配置以承托基材的固定座，以及配置以配送涂料于基材的一或多个区域上的光阻进料器。光阻进料器可包含配置以输出涂料的光阻筒、与光阻筒流体连接的导管、以及设于固定座之上的流体泄漏处理装置。导管可配置以流体传输涂料与循环冷却剂。流体泄漏处理装置可配置以检测来自导管的流体泄漏。
在一些实施例中，微影设备还包含主轴，配置以旋转固定座。
在一些实施例中，微影设备还包含计算机系统，配置以与光阻进料器通讯。计算机系统包含记忆体以及处理器。记忆体配置以储存调整微影制程的一或多个操作的多个指令。处理器配置以判断微影设备的流体泄漏特征以及根据流体泄漏特征的判断来更新指令。
在一些实施例中，流体泄漏处理装置围绕且接触导管的外表面。
在一些实施例中，导管包含配置以循环冷却剂的第一管、以及为第一管所围绕且配置以传输涂料的第二管。
在一些实施例中，流体泄漏处理装置设于导管的外表面之上。
在一些实施例中，流体泄漏处理装置包含配置以收集来自导管的流体泄漏的盘体、以及配置以检测收集在盘体中的流体泄漏的流体感测器。
在一些实施例中，盘体包含凹陷区以及围绕凹陷区的凸起区，其中流体感测器设于凹陷区中。
在一些实施例中，流体感测器包含多个导线，这些导线配置以检测与收集在盘体中的流体泄漏有关的电阻变化。
在一些实施方式中，微影设备可包含配置以传输涂料的导管、包含围绕导管的第一凹陷区的盘体、以及围绕第一凹陷区的第一凸起区。
在一些实施例中，盘体包含多个盘子，其中每个盘子包含第二凹陷区以及围绕第二凹陷区的第二凸起区。
在一些实施例中，第一凹陷区包含沟槽结构设于第一凹陷区的顶面。
在一些实施例中，第一凹陷区的顶面具有倾斜顶面。
在一些实施例中，导管包含配置以循环冷却剂的循环管路、以及为循环管路所围绕且配置以传输涂料的光阻管路。
在一些实施例中，微影设备还包含流体泄漏感测器设于第一凹陷区中或之上。
在一些实施例中，流体泄漏感测器包含多个导线，这些导线配置以检测与来自导管的流体泄漏有关的电阻变化。
在一些实施方式中，一种微影设备的操作方法可包含捕捉来自微影设备的导管的流体泄漏、判断微影设备中的流体泄漏特征、以及根据流体泄漏特征调整微影设备的一或多个操作。
在一些实施例中，捕捉流体泄漏包含以盘体围绕导管、以及密封盘体与导管的外表面之间的接合。
在一些实施例中，判断流体泄漏特征包含监控与流体泄漏有关的电阻变化。
在一些实施例中，调整上述操作包含替换导管、替换流体泄漏处理装置、以及中止涂布制程中的至少一者。
上述揭露概述了数个实施方式的特征，因此熟悉此技艺者可更了解本揭露的态样。熟悉此技艺者应了解到，其可轻易地利用本揭露做为基础，来设计或润饰其他制程与结构，以实现与在此所介绍的实施方式相同的目的及/或达到相同的优点。熟悉此技艺者也应了解到，这类对等架构并未脱离本揭露的精神和范围，且熟悉此技艺者可在不脱离本揭露的精神和范围下，在此进行各种的更动、取代与修改。

Claims (10)

1.一种微影设备，其特征在于，该微影设备包含：
一固定座，配置以承托一基材；以及
一光阻进料器，配置以配送一涂料于该基材的一或多个区域上，其中该光阻进料器包含：
一光阻筒，配置以输出该涂料；
一导管，流体连接该光阻筒，且配置以流体传输该涂料与循环一冷却剂；以及
一流体泄漏处理装置，设于该固定座之上，且配置以检测来自该导管的一流体泄漏。
2.根据权利要求1所述的微影设备，其特征在于，该微影设备还包含一计算机系统，配置以与该光阻进料器通讯，该计算机系统包含：
一记忆体，配置以储存调整一微影制程的一或多个操作的多个指令；以及
一处理器，配置以判断该微影设备的一流体泄漏特征以及根据该流体泄漏特征的判断来更新所述多个指令。
3.根据权利要求1所述的微影设备，其特征在于，该流体泄漏处理装置包含：
一盘体，配置以收集来自该导管的该流体泄漏；以及
一流体感测器，配置以检测收集在该盘体中的该流体泄漏。
4.根据权利要求3所述的微影设备，其特征在于，该盘体包含一凹陷区以及一凸起区围绕该凹陷区，其中该流体感测器设于该凹陷区中。
5.根据权利要求3所述的微影设备，其特征在于，该流体感测器包含多个导线，所述多个导线配置以检测与收集在该盘体中的该流体泄漏有关的一电阻变化。
6.一种微影设备，其特征在于，该微影设备包含：
一导管，配置以传输一涂料；
一盘体，包含一第一凹陷区围绕该导管；以及
一第一凸起区，围绕该第一凹陷区。
7.根据权利要求6所述的微影设备，其特征在于，该盘体包含多个盘子，其中每一该多个盘子包含一第二凹陷区以及一第二凸起区围绕该第二凹陷区。
8.根据权利要求6所述的微影设备，其特征在于，该第一凹陷区包含一沟槽结构设于该第一凹陷区的一顶面。
9.一种微影设备的操作方法，其特征在于，该方法包含：
捕捉来自该微影设备的一导管的一流体泄漏；
判断该微影设备中的一流体泄漏特征；以及
根据该流体泄漏特征，调整该微影设备的一或多个操作。
10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，调整该一或多个操作包含替换该导管、替换一流体泄漏处理装置、以及中止一涂布制程中的至少一者。
CN201910560185.4A 2018-06-29 2019-06-26 微影设备及微影设备的操作方法 Active CN110657351B (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201862692263P 2018-06-29 2018-06-29
US62/692,263 2018-06-29
US16/438,253 2019-06-11
US16/438,253 US11131931B2 (en) 2018-06-29 2019-06-11 Fluidic leakage handling for semiconductor apparatus

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN110657351A true CN110657351A (zh) 2020-01-07
CN110657351B CN110657351B (zh) 2022-07-08

Family

ID=69008060

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910560185.4A Active CN110657351B (zh) 2018-06-29 2019-06-26 微影设备及微影设备的操作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11131931B2 (zh)
CN (1) CN110657351B (zh)
TW (1) TWI708126B (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112161751A (zh) * 2020-09-15 2021-01-01 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 直写式光刻机及漏水检测方法
US20210215567A1 (en) * 2020-01-13 2021-07-15 Ronald Koo Water leak detection system integrated with indoor map

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI531795B (zh) 2013-03-15 2016-05-01 水冷系統公司 感測器、多工通信技術及相關系統
US11662037B2 (en) 2019-01-18 2023-05-30 Coolit Systems, Inc. Fluid flow control valve for fluid flow systems, and methods
US11473860B2 (en) * 2019-04-25 2022-10-18 Coolit Systems, Inc. Cooling module with leak detector and related systems
US11960335B2 (en) * 2021-03-26 2024-04-16 Baidu Usa Llc Leak detection and prevention system
JP2024036246A (ja) * 2022-09-05 2024-03-15 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置

Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040105073A (ko) * 2003-06-04 2004-12-14 삼성전자주식회사 포토레지스트 도포 장치
CN1570766A (zh) * 2003-07-11 2005-01-26 友达光电股份有限公司 一种光刻胶涂敷装置
US20060121741A1 (en) * 2004-12-07 2006-06-08 Sang-Kyu Park Device for supplying a solution onto a substrate and method for supplying the solution onto the substrate by using the same
TW200729335A (en) * 2005-10-19 2007-08-01 Tokyo Electron Ltd Gas jet reduction of iso-dense field thickness bias for gapfill process
CN101178542A (zh) * 2006-11-08 2008-05-14 上海华虹Nec电子有限公司 一种用于光刻胶成膜的光刻胶加热控制系统
WO2008099769A1 (ja) * 2007-02-13 2008-08-21 Musashi Engineering, Inc. 漏液検知機構およびそれを備えた液体材料塗布装置
CN101403860A (zh) * 2007-10-04 2009-04-08 株式会社细美事 感应化学液体泄漏的装置和方法
CN101424884A (zh) * 2005-06-29 2009-05-06 Asml荷兰有限公司 光刻装置的浸没损坏控制
CN101470353A (zh) * 2007-12-27 2009-07-01 细美事有限公司 化学品液供应装置及使用该装置的基底处理装置和方法
CN201896027U (zh) * 2010-11-24 2011-07-13 山东科芯电子有限公司 一种真空吸盘
US20110227721A1 (en) * 2010-03-22 2011-09-22 Khaled Mezghani Leak detection system for pipes
CN102430500A (zh) * 2010-09-08 2012-05-02 塔工程有限公司 防止泄漏液晶滴落到面板或液晶涂布机的托台上的装置
CN102854760A (zh) * 2012-09-27 2013-01-02 上海宏力半导体制造有限公司 用于晶圆加工的喷嘴装置以及半导体制造设备
US20130302525A1 (en) * 2011-01-25 2013-11-14 Tokyo Electron Limited Plating apparatus, plating method and storage medium
CN103792790A (zh) * 2012-10-30 2014-05-14 沈阳芯源微电子设备有限公司 光刻胶与显影液的恒温控制系统
CN105118245A (zh) * 2015-08-18 2015-12-02 燕京啤酒(桂林漓泉)股份有限公司 转盘接漏音叉式防麦汁泄漏报警方法及其报警系统

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20030074855A (ko) * 2002-03-14 2003-09-22 (주)와콘 누수탐지용 액체관 및 설치방법
US7001153B2 (en) * 2003-06-30 2006-02-21 Blue-White Industries Peristaltic injector pump leak monitor
US8027019B2 (en) 2006-03-28 2011-09-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
US8541309B2 (en) 2010-12-03 2013-09-24 Applied Materials, Inc. Processing assembly for semiconductor workpiece and methods of processing same
NL2008980A (en) 2011-07-11 2013-01-14 Asml Netherlands Bv A fluid handling structure, a lithographic apparatus and a device manufacturing method.
TWI489532B (zh) 2012-06-14 2015-06-21 Wuxi Huaying Microelectronics Technology Co Ltd 半導體處理裝置
US20130333447A1 (en) * 2012-06-15 2013-12-19 Thomas Arthur White Leakage detection
US9853330B2 (en) * 2012-07-10 2017-12-26 GM Global Technology Operations LLC Enhanced conductive fluid sensor for HV liquid cooled battery packs
US20150170955A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Applied Materials, Inc. Actively-cooled shadow ring for heat dissipation in plasma chamber
US9236284B2 (en) * 2014-01-31 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Cooled tape frame lift and low contact shadow ring for plasma heat isolation
JP7114393B2 (ja) * 2018-08-02 2022-08-08 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及びその制御方法
US11199466B2 (en) * 2018-08-31 2021-12-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. System and method for liquid leak detection

Patent Citations (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20040105073A (ko) * 2003-06-04 2004-12-14 삼성전자주식회사 포토레지스트 도포 장치
CN1570766A (zh) * 2003-07-11 2005-01-26 友达光电股份有限公司 一种光刻胶涂敷装置
US20060121741A1 (en) * 2004-12-07 2006-06-08 Sang-Kyu Park Device for supplying a solution onto a substrate and method for supplying the solution onto the substrate by using the same
CN101424884A (zh) * 2005-06-29 2009-05-06 Asml荷兰有限公司 光刻装置的浸没损坏控制
TW200729335A (en) * 2005-10-19 2007-08-01 Tokyo Electron Ltd Gas jet reduction of iso-dense field thickness bias for gapfill process
CN101178542A (zh) * 2006-11-08 2008-05-14 上海华虹Nec电子有限公司 一种用于光刻胶成膜的光刻胶加热控制系统
WO2008099769A1 (ja) * 2007-02-13 2008-08-21 Musashi Engineering, Inc. 漏液検知機構およびそれを備えた液体材料塗布装置
CN101403860A (zh) * 2007-10-04 2009-04-08 株式会社细美事 感应化学液体泄漏的装置和方法
CN101470353A (zh) * 2007-12-27 2009-07-01 细美事有限公司 化学品液供应装置及使用该装置的基底处理装置和方法
US20110227721A1 (en) * 2010-03-22 2011-09-22 Khaled Mezghani Leak detection system for pipes
CN102430500A (zh) * 2010-09-08 2012-05-02 塔工程有限公司 防止泄漏液晶滴落到面板或液晶涂布机的托台上的装置
CN201896027U (zh) * 2010-11-24 2011-07-13 山东科芯电子有限公司 一种真空吸盘
US20130302525A1 (en) * 2011-01-25 2013-11-14 Tokyo Electron Limited Plating apparatus, plating method and storage medium
CN102854760A (zh) * 2012-09-27 2013-01-02 上海宏力半导体制造有限公司 用于晶圆加工的喷嘴装置以及半导体制造设备
CN103792790A (zh) * 2012-10-30 2014-05-14 沈阳芯源微电子设备有限公司 光刻胶与显影液的恒温控制系统
CN105118245A (zh) * 2015-08-18 2015-12-02 燕京啤酒(桂林漓泉)股份有限公司 转盘接漏音叉式防麦汁泄漏报警方法及其报警系统

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20210215567A1 (en) * 2020-01-13 2021-07-15 Ronald Koo Water leak detection system integrated with indoor map
CN112161751A (zh) * 2020-09-15 2021-01-01 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 直写式光刻机及漏水检测方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI708126B (zh) 2020-10-21
US20200004156A1 (en) 2020-01-02
US11131931B2 (en) 2021-09-28
CN110657351B (zh) 2022-07-08
TW202001439A (zh) 2020-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110657351B (zh) 微影设备及微影设备的操作方法
US11430704B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium
US20210257236A1 (en) Substrate processing system
EP0898300B1 (en) Method for processing a semiconductor wafer on a robotic track having access to in situ wafer backside particle detection
US20150235368A1 (en) Displacement detection apparatus, substrate processing apparatus, displacement detection method and substrate processing method
JP2018026558A (ja) プラズマ処理システムを監視するための方法およびシステム、ならびに高度なプロセスおよびツール制御
US20040086171A1 (en) Apparatus and method for inspecting a substrate
JP6946473B2 (ja) 基板処理装置
TWI741380B (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法
US20220382174A1 (en) Contamination Handling for Semiconductor Apparatus
US20160225656A1 (en) Wafer processing system with chuck assembly maintenance module
US20170287703A1 (en) Substrate processing apparatus and processing method of substrate processing apparatus
US10402997B2 (en) Displacement detecting apparatus, displacement detecting method and substrate processing apparatus
US11158079B2 (en) Substrate treating apparatus and apparatus and method for eccentricity inspection
US10083845B2 (en) Substrate processing apparatus, substrate processing method and storage medium
US20220333236A1 (en) Semiconductor manufacturing apparatus with improved production yield
US7542134B2 (en) System, method and apparatus for in-situ substrate inspection
KR20200056086A (ko) 기판 코팅장치 및 방법
KR20150061600A (ko) 통합형 시스템, 통합형 시스템의 작동 방법 및 막 처리 방법
TW202414636A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
TW202021675A (zh) 基板處理方法以及基板處理裝置
KR20170053006A (ko) 배관 막힘 판단 방법 및 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant