CN102854760A - 用于晶圆加工的喷嘴装置以及半导体制造设备 - Google Patents

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康军
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Abstract

一种用于晶圆加工的喷嘴装置以及半导体制造设备。本发明对晶圆加工光刻机的显影液喷嘴装置的漏液提供了侦测方法,晶圆加工光刻机的显影液喷嘴装置包括:位于晶圆布置位置上方的螺母单元安装台,螺母单元安装台包括:用于安装螺母单元的安装表面以及布置在所述安装表面外周的侧壁;由此,安装表面及其侧壁组成了凹槽结构。用于晶圆加工的喷嘴装置还包括:布置在安装表面上的漏液感测器,其中所述漏液感测器用于感测流到所述安装表面上的液体。在所述漏液感测器感测到有液体流到所述安装表面上时,所述漏液感测器发出警告信号,或者所述漏液感测器向半导体制造设备的控制单元发送漏液感测信号,以便将有液体流到所述安装表面的消息通知至控制单元。

Description

用于晶圆加工的喷嘴装置以及半导体制造设备
技术领域
本发明涉及半导体制造工艺,更具体地说,本发明涉及一种用于晶圆加工的喷嘴装置,此外,本发明还涉及一种采用了该用于晶圆加工的喷嘴装置的半导体制造设备。
背景技术
在晶圆加工工艺中,对于某些工艺,需要利用喷嘴装置向晶圆上的光致抗蚀剂表面喷射处理液体。例如,对于光刻工艺中的显影技术,需要利用喷嘴装置在光刻工艺中的显影步骤向晶圆上的光致抗蚀剂表面喷射显影液,由此可通过喷射的显影液使晶圆上的光致抗蚀剂显影。
图1示意性地示出了根据现有技术的用于晶圆加工的喷嘴装置1,如图1中的虚线矩形框所示。
如图1所示,根据现有技术的用于晶圆加工的喷嘴装置包括:位于晶圆布置位置4上方的螺母单元安装台3、以及布置在所述螺母单元安装台3上的螺母单元2。
但是,对于根据现有技术的用于晶圆加工的喷嘴装置,有时候,诸如显影液之类的处理液体会由于螺母的松弛或损坏而从螺母泄漏出来。如果出现处理液体的渗漏,则会造成处理液体的分布不均匀。例如,如果是显影剂分布不均匀显影不充分,则会造成光致抗蚀剂的残留。而且,渗漏的液体会滴落到正在处理的晶圆上。而且操作人员往往不能及时发现这一情况。由此,出现了由于处理液体会因为螺母的松弛或损坏而从螺母泄漏出来而造成晶圆缺陷的情况。
因此,希望能够提供一种能够防止由于螺母的松弛或损坏而使处理液体从螺母泄漏出来从而造成晶圆缺陷的用于晶圆加工的喷嘴装置。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在上述缺陷,提供一种能够防止由于螺母的松弛或损坏而使处理液体从螺母泄漏出来从而造成晶圆缺陷的用于晶圆加工的喷嘴装置。
为了实现上述技术目的,根据本发明的第一方面,提供了一种用于晶圆加工的喷嘴装置,其包括:位于晶圆布置位置上方的螺母单元安装台,所述螺母单元安装台包括:用于安装螺母单元的安装表面以及布置在所述安装表面外周的侧壁;由此,所述安装表面及其侧壁组成了凹槽结构。
优选地,所述用于晶圆加工的喷嘴装置还包括:布置在所述安装表面上的漏液感测器,其中所述漏液感测器用于感测流到所述安装表面上的液体。
优选地,在所述漏液感测器感测到有液体流到所述安装表面上时,所述漏液感测器发出警告信号。
优选地,所述警告信号是闪光信号和/或蜂鸣信号。
优选地,在所述漏液感测器感测到有液体流到所述安装表面上时,所述漏液感测器向半导体制造设备的控制单元发送漏液感测信号,以便将有液体流到所述安装表面的消息通知至控制单元。
优选地,所述用于晶圆加工的喷嘴装置用于在光刻工艺中的显影步骤向晶圆上的光致抗蚀剂表面喷射显影液。
根据本发明的第一方面,提供了一种采用了根据本发明的第一方面所述的用于晶圆加工的喷嘴装置的半导体制造设备。
根据本发明,由于在螺母单元的安装表面外周布置了侧壁,所以当螺母的松弛或损坏时,即使处理液体从螺母泄漏出来,处理液体也不会从滴落到螺母单元安装台之外,而是保留在由安装表面及其侧壁组成凹槽结构中,从而不会造成晶圆缺陷。并且,在有液体流到所述安装表面时,可以及时通知操作人员,从而进一步避免了晶圆缺陷的出现。
附图说明
结合附图,并通过参考下面的详细描述,将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征,其中:
图1示意性地示出了根据现有技术的用于晶圆加工的喷嘴装置。
图2示意性地示出了根据本发明第一实施例的用于晶圆加工的喷嘴装置。
图3示意性地示出了根据本发明第一实施例的用于晶圆加工的喷嘴装置的螺母单元安装台。
图4示意性地示出了根据本发明第二实施例的用于晶圆加工的喷嘴装置。
需要说明的是,附图用于说明本发明,而非限制本发明。注意,表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且,附图中,相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂,下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
<第一实施例>
图2示意性地示出了根据本发明第一实施例的用于晶圆加工的喷嘴装置。例如,在具体实施方式中,所述用于晶圆加工的喷嘴装置用于在光刻工艺中的显影步骤向晶圆上的光致抗蚀剂表面喷射显影液,由此可通过喷射的显影液使晶圆上的光致抗蚀剂显影。
如图2所示,根据本发明第一实施例的用于晶圆加工的喷嘴装置包括:位于晶圆布置位置4上方的螺母单元安装台5。
图3示意性地示出了根据本发明第一实施例的用于晶圆加工的喷嘴装置的螺母单元安装台5。
如图3所示,与现有技术不同的是,图1所示的根据现有技术的用于晶圆加工的喷嘴装置的螺母单元安装台3的用于安装螺母单元2的安装表面是一个完全平坦的平面。
与之不同的是,图2所示的根据本发明第一实施例的用于晶圆加工的喷嘴装置的螺母单元安装台5是在用于安装螺母单元2的安装表面51外周布置了侧壁52的凹槽形式的结构。
换言之,本发明第一实施例的用于晶圆加工的喷嘴装置的螺母单元安装台5包括:用于安装螺母单元的安装表面51以及布置在所述安装表面51外周的侧壁52。
在根据本发明第一实施例的用于晶圆加工的喷嘴装置中,由于在螺母单元的安装表面51外周布置了侧壁52,所以当螺母的松弛或损坏时,即使处理液体从螺母泄漏出来,处理液体也不会从滴落到螺母单元安装台5之外,而是保留在由安装表面51及其侧壁52组成凹槽结构中,从而不会造成晶圆缺陷。
<第二实施例>
图4示意性地示出了根据本发明第二实施例的用于晶圆加工的喷嘴装置。
如图2所示,根据本发明第一实施例的用于晶圆加工的喷嘴装置包括:位于晶圆布置位置4上方的螺母单元安装台5。所述螺母单元安装台5包括:用于安装螺母单元的安装表面51以及布置在所述安装表面51外周的侧壁52。
并且,根据本发明第二实施例的用于晶圆加工的喷嘴装置还包括:布置在所述安装表面51上的漏液感测器6,其中所述漏液感测器6用于感测流到所述安装表面51上的液体。
并且,在所述漏液感测器6感测到有液体流到所述安装表面51上时,所述漏液感测器6向半导体制造设备的控制单元发送漏液感测信号,以便将有液体流到所述安装表面51的消息通知至控制单元以停止光刻机器继续生产,同时光刻机器发出警告,例如闪光信号和/或蜂鸣信号。这样,操作人员可以及时获知有液体流到所述安装表面51的情况,不会出现处理液体流出太多而从凹槽结构渗出的情况,从而进一步避免了晶圆缺陷的出现。
因此,在根据本发明第二实施例的用于晶圆加工的喷嘴装置中,由于在螺母单元的安装表面51外周布置了侧壁52,所以当螺母的松弛或损坏时,即使处理液体从螺母泄漏出来,处理液体也不会从滴落到螺母单元安装台5之外,而是保留在由安装表面51及其侧壁52组成凹槽结构中,从而不会造成晶圆缺陷。并且,在有液体流到所述安装表面51时,可以及时通知操作人员,从而进一步避免了晶圆缺陷的出现。
根据本发明另一优选实施例,本发明还提供了一种采用了上述用于晶圆加工的喷嘴装置的半导体制造设备。
此外,需要说明的是,说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等,而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
可以理解的是,虽然本发明已以较佳实施例披露如上,然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言,在不脱离本发明技术方案范围情况下,都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰,或修改为等同变化的等效实施例。因此,凡是未脱离本发明技术方案的内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰,均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (7)

1.一种用于晶圆加工的喷嘴装置,其特征在于包括:位于晶圆布置位置上方的螺母单元安装台,其中,所述螺母单元安装台包括:用于安装螺母单元的安装表面以及布置在所述安装表面外周的侧壁;由此,所述安装表面及其侧壁组成了凹槽结构。
2.根据权利要求1所述的用于晶圆加工的喷嘴装置,其特征在于还包括:布置在所述安装表面上的漏液感测器,其中所述漏液感测器用于感测流到所述安装表面上的液体。
3.根据权利要求2所述的用于晶圆加工的喷嘴装置,其特征在于,在所述漏液感测器感测到有液体流到所述安装表面上时,所述漏液感测器发出警告信号。
4.根据权利要求3所述的用于晶圆加工的喷嘴装置,其特征在于,所述警告信号是闪光信号和/或蜂鸣信号。
5.根据权利要求2所述的用于晶圆加工的喷嘴装置,其特征在于,在所述漏液感测器感测到有液体流到所述安装表面上时,所述漏液感测器向半导体制造设备的控制单元发送漏液感测信号,以便将有液体流到所述安装表面的消息通知至控制单元。
6.根据权利要求1至6之一所述的用于晶圆加工的喷嘴装置,其特征在于,所述用于晶圆加工的喷嘴装置用于在光刻工艺中的显影步骤向晶圆上的光致抗蚀剂表面喷射显影液。
7.一种半导体制造设备,其特征在于采用了根据权利要求1至6之一所述的用于晶圆加工的喷嘴装置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110534452A (zh) * 2018-11-08 2019-12-03 北京北方华创微电子装备有限公司 用于清洗工艺腔室的漏液监控装置及清洗工艺腔室
CN110657351A (zh) * 2018-06-29 2020-01-07 台湾积体电路制造股份有限公司 微影设备及微影设备的操作方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5762684A (en) * 1995-11-30 1998-06-09 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Treating liquid supplying method and apparatus
CN101061569A (zh) * 2004-11-25 2007-10-24 Az电子材料(日本)株式会社 光致抗蚀剂涂布液供给装置以及使用该光致抗蚀剂涂布液供给装置的光致抗蚀剂涂布液供给方法和光致抗蚀剂涂布装置
CN201083958Y (zh) * 2007-06-05 2008-07-09 北京京东方光电科技有限公司 掩膜工艺用喷涂装置
CN101219598A (zh) * 2007-01-12 2008-07-16 三星电子株式会社 喷墨打印头芯片及制造方法、连接到电路板的结构和方法
CN201349685Y (zh) * 2009-02-03 2009-11-25 刘鑫 防溢杯子

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5762684A (en) * 1995-11-30 1998-06-09 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Treating liquid supplying method and apparatus
CN101061569A (zh) * 2004-11-25 2007-10-24 Az电子材料(日本)株式会社 光致抗蚀剂涂布液供给装置以及使用该光致抗蚀剂涂布液供给装置的光致抗蚀剂涂布液供给方法和光致抗蚀剂涂布装置
CN101219598A (zh) * 2007-01-12 2008-07-16 三星电子株式会社 喷墨打印头芯片及制造方法、连接到电路板的结构和方法
CN201083958Y (zh) * 2007-06-05 2008-07-09 北京京东方光电科技有限公司 掩膜工艺用喷涂装置
CN201349685Y (zh) * 2009-02-03 2009-11-25 刘鑫 防溢杯子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110657351A (zh) * 2018-06-29 2020-01-07 台湾积体电路制造股份有限公司 微影设备及微影设备的操作方法
CN110534452A (zh) * 2018-11-08 2019-12-03 北京北方华创微电子装备有限公司 用于清洗工艺腔室的漏液监控装置及清洗工艺腔室

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