CN101061569A - 光致抗蚀剂涂布液供给装置以及使用该光致抗蚀剂涂布液供给装置的光致抗蚀剂涂布液供给方法和光致抗蚀剂涂布装置 - Google Patents

光致抗蚀剂涂布液供给装置以及使用该光致抗蚀剂涂布液供给装置的光致抗蚀剂涂布液供给方法和光致抗蚀剂涂布装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种光致抗蚀剂涂布液供给装置和一种涂布液供给方法,以将含有很少颗粒的光致抗蚀剂涂布液供给至光致抗蚀剂涂布装置。还提供了一种光致抗蚀剂涂布装置,其通过使用该光致抗蚀剂涂布液供给装置,可以实现具有很少缺陷和优异成本特性的涂布。该光致抗蚀剂涂布液供给装置具有用于光致抗蚀剂涂布液的缓冲容器;循环过滤装置,用于从缓冲容器中取出部分光致抗蚀剂涂布液,将其过滤并返回至缓冲容器;和用于将涂布液从缓冲容器或循环装置供给至涂布装置的管。还提供使用所述光致抗蚀剂涂布液供给装置的光致抗蚀剂涂布液供给方法,以及将涂布液供给装置与狭缝涂布装置组合使用的光致抗蚀剂涂布装置。

Description

光致抗蚀剂涂布液供给装置以及使用该光致抗蚀剂涂布液供给装置的光致抗蚀剂涂布液供给方法和光致抗蚀剂涂布装置
技术领域
本发明涉及一种将光致抗蚀剂涂布液(以下通常简称为“涂布液”)供给到在使用光刻法制造电子元器件的方法(例如,制造如LSI和磁头的半导体元件、各种线路板以及平板显示器(FPD)的方法)中用于将光致抗蚀剂涂布液涂布到各种衬底上的涂布装置中的装置,以及使用该装置的涂布液供给方法。
背景技术
在包括例如半导体集成电路(如LSI)、FPD显示面的生产、和线路板(如热敏头)的制造的广范围的领域中,迄今光刻法已经被用于微细元件的形成或微细加工。在光刻法中,使用光致抗蚀剂涂布液来形成抗蚀图案,该光致抗蚀剂涂布液是正型或负型光敏树脂组合物。
图1示出了在使用光刻法的常规制造方法中使用的常规涂布液供给装置。在该常规涂布液供给装置中,在供给涂布液时,涂布液通常被注入到供给容器101中,例如玻璃容器、塑料容器、不锈钢容器或桶。该容器与管102连接,并且供给容器中的涂布液例如通过泵103或通过将氮气等吹入供给容器中加压来供给到缓冲容器104中。如果需要,暂时供给到缓冲容器104中的涂布液通过过滤器105过滤,以除去涂布液中的颗粒等,并且接下来例如通过图1所示的旋涂装置107将涂布液通过涂布液供给喷嘴108涂布到衬底106上。这里,例如在专利文献1中描述的带有内袋的不锈钢容器可被用作供给容器101。该容器如图2所示,并且具备由例如不锈钢制的外部容器201和例如塑料制的内袋202构成的双重结构。例如,将氮气通过导气管203吹入到外部容器201和内袋202之间,以将内袋中的涂布液挤出并供给到涂布装置中。
另一方面,在电子元器件例如半导体元件和液晶显示元件的制造领域,近年来对于电子元器件微细加工的采用导致了这样的需求:在将涂布液供给并涂布到衬底例如硅晶片上时,能有效并稳定地供给除去了微细颗粒等的涂布液。
但是,由于涂布液是从各种容器供给到装置缓冲容器的,就会发生例如管中或其他焊接件中异物的混入,以及由于物理应力引起的涂布液的品质变化(颗粒出现或增加)。在该情况下,当将供给容器内的涂布液状况与装置缓冲容器内的涂布液状况相比较时,颗粒增加的趋势是非常大的。此外,当使用大容量的供给装置来降低供给容器的更换频率时,或者当例如从稳定生产过程的角度来使用大容量缓冲容器时,涂布液在各个容器中的停留时间变长,通常导致随时间变化颗粒的增加。由该原因产生的颗粒会导致光刻过程中的失败,这是引起产品产量低下的原因。
因此,现今通常在将涂布液供给到衬底之前使涂布液通过过滤器过滤(见专利文献2)。但是,当随时间变化发生上述的品质变化时,单次过滤对于所期望的结果来说是不令人满意的,并且因此,现今需要提高电子元器件的产量。
通常在半导体元件的制造中,迄今采用旋涂来进行涂布液的涂布。根据该方法,在旋涂过程中,涂布液中的大部分颗粒与涂布液一起被旋转到衬底之外,并且因此,颗粒的问题显著缓解了。在近年来需求的高精度半导体元件中,迄今并未引起任何问题的非常少量的或微细的颗粒往往成为问题。因此,需要对常规产品的品质进行改进。进而,由旋涂法带来的涂布液的浪费导致了成本上的问题。因此,需要发展旋涂法之外的涂布方法,并需要能供给具有足够高品质以在该涂布方法中应用的涂布液的装置。
专利文献1:日本第247449/1994号专利公开公报
专利文献2:日本第24775/1996号专利公开公报(第1~4页)
发明内容
鉴于上述情况,本发明的一个目的是提供将涂布液从供给容器供给到在使用光刻法制造半导体器件、平板显示器(FPD)、线路板、磁头或其他半导体元件的方法中用于将涂布液涂布到各种衬底上的涂布装置中的装置,以及使用该装置的涂布液供给方法。
本发明人已经进行了广泛深入的研究,结果发现,通过在涂布装置中在光致抗蚀剂涂布液供给容器和缓冲容器之间插入用于光致抗蚀剂涂布液的循环过滤装置,提供了一种装置,该装置可以将光致抗蚀剂涂布液供给到涂布装置缓冲容器中,同时可一直维持涂布液中颗粒减少或被除去的状态,并提供了使用该装置的光致抗蚀剂涂布液供给方法,从而达到上述目的,完成了本发明。
因此,根据本发明,提供了一种光致抗蚀剂涂布液供给装置,包括:用于光致抗蚀剂涂布液的缓冲容器;循环过滤装置,用于从缓冲容器中取出部分光致抗蚀剂涂布液,通过过滤器过滤该取出的光致抗蚀剂涂布液,并将经过滤的光致抗蚀剂涂布液返回至缓冲容器;和用于将光致抗蚀剂涂布液从缓冲容器或循环过滤装置供给到光致抗蚀剂涂布装置中的管。
此外,根据本发明的另一方面,提供了一种用于供给光致抗蚀剂涂布液的方法,包括:提供一种光致抗蚀剂涂布液供给装置,该装置包括:用于光致抗蚀剂涂布液的缓冲容器;循环过滤装置,用于通过过滤器将缓冲容器中的部分光致抗蚀剂涂布液过滤,然后将经过滤的光致抗蚀剂涂布液返回至光致抗蚀剂涂布液的母液中;和用于将光致抗蚀剂涂布液从缓冲容器或循环过滤装置供给至光致抗蚀剂涂布装置的管;并且,在不断地将储存在缓冲容器中的光致抗蚀剂涂布液循环过滤的同时,将光致抗蚀剂涂布液供给至涂布装置。
根据本发明的另一个方面,提供了一种光致抗蚀剂涂布装置,包括:狭缝涂布装置;用于光致抗蚀剂涂布液的缓冲容器;循环过滤装置,用于从缓冲容器中取出部分光致抗蚀剂涂布液,通过过滤器过滤该取出的光致抗蚀剂涂布液,然后将经过滤的光致抗蚀剂涂布液返回至缓冲容器;和用于将光致抗蚀剂涂布液从缓冲容器或循环过滤装置供给至狭缝涂布装置的管。
根据本发明,涂布液(其中颗粒已被减少或被除去)总能被供给到涂布装置。当使用减少或除去了颗粒的涂布液制造半导体元件时,就能减少半导体元件中缺陷的产生,并能提高电子元器件如半导体元件或液晶显示元件制造的产量。
另外,根据本发明,由于可处理大量的涂布液,涂布液供给装置的切换频率被降低,并且从而能提高制造效率。
此外,即使当待供给的涂布液含有大量的颗粒时,或者即使当使用含有在供给装置中长期储存而产生的颗粒的涂布液时,通过使用根据本发明的涂布液供给装置,可以实现使用降低了颗粒含量的涂布液的半导体元件的制造。因此,半导体元件的制造不容易受到所使用的涂布液品质的影响,并且同时能供给具有稳定品质的产品。此外,与从常规的供给装置供给的涂布液相比,从根据本发明的光致抗蚀剂涂布液供给装置供给的涂布液具有更少的微小颗粒的含量,并且还能维持该更少的微小颗粒的含量。从而,根据本发明的光致抗蚀剂涂布液供给装置可以应用在更高精度半导体元件的制造中。因此,根据本发明的光致抗蚀剂涂布液供给装置还适用于将涂布液供给到例如狭缝涂布装置,后者由于非常容易受到微小颗粒的影响而不能轻易地被应用。
附图说明
图1是表示常规半导体元件涂布过程的示意图。
图2是光致抗蚀剂涂布液供给容器的一种实施方式的截面图。
图3是表示根据本发明的光致抗蚀剂涂布液供给装置的一种实施方式的示意图。
图4是表示根据本发明的光致抗蚀剂涂布液供给装置的另一种实施方式的示意图。
图5是表示根据本发明的光致抗蚀剂涂布液供给装置的又一种实施方式的示意图。
图6是表示根据本发明的光致抗蚀剂涂布液供给装置的再一种实施方式的示意图。
具体实施方式
通过参考随附的附图,将更详细地描述本发明。
根据本发明的涂布液供给装置的一种实施方式示于图3。该装置包括:用于涂布液的缓冲容器301,用于将涂布液从缓冲容器供给至涂布装置的管302,以及循环过滤装置303,用于从缓冲容器中取出一部分涂布液,通过过滤器过滤所取出的涂布液,然后将经过滤的涂布液返回至缓冲容器。缓冲容器301还可用作涂布液供给容器。在该实施方式中,泵304与管302连接,用泵304将涂布液通过过滤器305供给至涂布装置107。在该情况下,还可采用这样一种方法:其中,缓冲容器被气密密封,并将非活性气体如氮气导入到缓冲容器内,以加压供给涂布液。在该情况下,泵304的使用就不是必须的。此外,可将多个涂布装置与根据本发明的涂布液供给装置组合使用。例如,可提供多根由管302延伸至涂布液供给喷嘴108的用于供给涂布液的管。或者,可通过在泵304的下游或在过滤器305的下游使管分支以将涂布液供给至多个涂布装置。
循环过滤装置303包括:用于从缓冲容器301中取出一部分涂布液的管307,与管307连接的泵308,用于过滤通过泵308取出的涂布液的过滤器309,以及用于将经过滤器309过滤的涂布液返回至缓冲容器301的管310。在图3所示的实施方式中,循环过滤装置303设置在缓冲容器301之外。如果缓冲容器内的涂布液能以同样的方式被过滤,循环过滤装置303可被设置在缓冲容器中,例如可以浸渍在涂布液中。同样在该方法中,在缓冲容器内的一部分涂布液被过滤后,经过滤的涂布液可被返回至涂布液的母液中,由此使得涂布液的循环过滤成为可能。
通过不断运转的循环过滤装置303,总能将颗粒从储存在缓冲容器301中的涂布液中除去。因此,可以保持优异的品质。由于该涂布液被供给至涂布装置107,所制造的半导体元件也不会有明显的缺陷。
在常规的光致抗蚀剂涂布装置中,并没有提供像本发明那样的循环过滤装置。因此,当由于涂布液在缓冲容器中长时间储存而在涂布液中产生颗粒或使颗粒数量增加时,或当所供给的涂布液本身含有颗粒时,在所制造的半导体元件中产生缺陷的比例会相对高。为解决此问题,通常的方法是在涂布液的涂布之前,通过过滤器105过滤涂布液。但是,在该方法中,由于过滤器更换,制造过程必须停止,这是效率低下的原因。根据本发明,由于缓冲容器中的涂布液中所含的颗粒含量总被控制在低水平,过滤器305所需的更换频率低。有这样一种趋势,当缓冲容器中的颗粒数量较少时,颗粒的增长率变低,并且因此过滤器305所需的更换频率被进一步降低。此外,在更换过滤器309时,不需要停止涂布装置本身。因此,对于制造效率的影响不明显。另外,由于所供给的涂布液的颗粒含量低,所制造的半导体元件也可满足较高精度的要求。
在图3所示的实施方式中,涂布液供给容器被原样应用作为缓冲容器301。在本发明中,供给容器指的是在光致抗蚀剂制造过程中由外部来供给涂布液的容器。即,在图3所示的装置中,供给容器还作为缓冲容器使用。
作为可供选择的方案,还可采用这样一种方法,其中,涂布液被从一个单独的供给容器供给至缓冲容器,并且在对涂布液进行循环过滤的同时,将涂布液供给至涂布装置。该方法的优点在于,由于缓冲容器不会变空,制造过程可以不断地进行,并且还能避免在管中夹杂气泡。该涂布液供给装置的一种实施方式示于图4。
首先,通过管302和与管302连接的泵304将涂布液从供给容器301A供给至缓冲容器401。用泵308通过管307将储存在缓冲容器401中的涂布液取出,并通过过滤器309过滤,然后通过管310返回至缓冲容器。这里,在过滤器309的下游(位置V),通过过滤器309过滤的一部分涂布液被分为两部分,其中的一部分通过第二过滤器305被进一步过滤,然后供给至涂布装置107,接下来被涂布到衬底106上。在该实施方式中,循环过滤装置的管路在过滤器的下游分支。因此,也可以说用于将涂布液从缓冲容器供给至涂布装置的管路构成了循环过滤装置的一部分。在该涂布液供给装置中,例如可以在任何所需位置提供阀或三通阀。例如,可以在位置V提供阀或三通阀,以调整待供给至涂布装置的涂布液的流量。该实施方式的优点在于,由于循环过滤装置中的过滤器309相对靠近涂布装置,可以减少来自管路的异物的混入。为除去来自管路的混入的异物,还可提供过滤器305。通过在涂布装置之前设置过滤器309可省略该过滤器305。
供给装置的状况还可通过在涂布装置之前或在缓冲容器中(未示出)不断地检测颗粒含量而得到控制。该另外提供的控制手段可以实现循环过滤装置中过滤速度的控制以及过滤器更换时机的确定。
根据该装置,由于涂布液在循环过滤装置中不会变得不存在,在更换供给容器301A时就不需要使涂布液供给装置停止。因此,可以连续并稳定地进行半导体元件的制造,并且同时,例如源自管路中气泡夹杂的制造缺陷就有利地不容易产生。
此外,为了更简易并准确地控制供给至涂布装置的涂布液的流量,还可在涂布装置的上游提供第二缓冲容器。图5示出了该涂布液供给装置的一个实施方式。
在图5所示的装置中,通过循环过滤装置过滤的一部分涂布液被储存在第二缓冲容器501中。第二缓冲容器501是为了在涂布之前暂时储存涂布液而提供的,并且因此其容量相对于缓冲容器401较小。涂布液通过过滤器305从第二缓冲容器501供给至涂布装置。在该情况下,还可采用这样一种构造,其中,在涂布装置侧的位置V的下游提供阀601,并在第二缓冲容器501中提供液位传感器(未示出)。在该情况下,组成这样一种系统,其中,阀601通过由液位传感器发出的信号控制,以控制缓冲容器501的液位。
图6示出了装置的一种实施方式,其中,提供了多个用于将涂布液供给至涂布装置的分支点。在该实施方式中,提供了多个用于将涂布液供给至涂布装置的分支V,并且涂布液可被供给至多个涂布装置。此外,在每一个涂布装置中,都可组成用于控制缓冲容器501的液位的系统,来独立地控制并操作涂布装置。此外,还可在多个分支V之间提供另外的过滤器或泵。根据上述构造,大量的涂布装置可以通过少量的涂布液供给装置来运转,并且因此可以缩减设备成本。此外,由于涂布液使用在大量涂布装置中,单位时间内使用的涂布液的量增加了。因此,涂布液在供给装置或缓冲容器内的停留时间缩短了,并且因此可以抑制涂布液供给装置中涂布液品质的变化。这有助于所制造的半导体元件等的品质的稳定。在图6所示的实施方式中,提供了一个第二缓冲容器。但是,也可以不提供该第二缓冲容器。
在图4~6所示的装置中,可使用图2所示的供给容器来代替供给容器301A、管302和泵304。在该情况下,储存在内袋中的涂布液通过将气体导入到容器的外部容器和内袋之间来加压供给。因此,在该情况下,没有必要使用任何泵,并且也可以避免与外部空气的接触。因此,容器中的涂布液不容易变质。此外,同样在缓冲容器401和501中,当容器内部没有被涂布液充满并且在容器中还存在空间时,涂布液的性质可通过在空间中导入非活性气体例如氮气来得到稳定。在缓冲容器401和501中还可以提供液位传感器。该构造的优点在于,当液位低时,从传感器中发出信号来控制泵或阀,并且补充涂布液,或者停止泵或涂布装置的运转,以防止无液状况下的运转。
构成本发明的涂布液供给装置的容器、管、泵、过滤器等可以是任何现有技术中常用的那些。
例如,现有技术中常用的玻璃容器、塑料容器、不锈钢容器(具有内袋)、桶或载货车(ロ一リ一)可以作为涂布液供给容器301A使用。可根据所供给的涂布液的所需量等来选择容器的材料和尺寸。
例如可通过下述方式中的任一种将涂布液从涂布液供给容器供给至缓冲容器:方法一,其中用气体例如非活性气体对涂布液供给容器内部加压来加压供给涂布液;方法二,其中通过泵来供给涂布液;或方法三,其中供给容器横向转动,以利用涂布液的自身重量使涂布液流动到缓冲容器的开口。可使用气体或泵以将涂布液从缓冲容器供给至涂布装置。当使用泵供给涂布液时,例如旋转泵的使用是优选的。这种类型的泵可以无需对涂布液施加不必要的应力而抑制颗粒数量的增长。
用于本发明的缓冲容器的材料包括:例如聚乙烯和不锈钢。如需要,缓冲容器的内侧可以用聚合物例如Teflon(注册商标)来作为层状衬料或涂布。此外,如需要,容器自身内还可提供有温度控制器。缓冲容器的容量可以适当地进行设定。但是,通常缓冲容器的容量为1~1000升。根据缓冲容器的容量,供给至涂布装置的涂布液的流量以及循环过滤装置所过滤的涂布液的流量相应改变。通常,供给至涂布装置的涂布液的流量为10~200cc/min,循环过滤装置所过滤的涂布液的流量为500~3000cc/min,优选为1000~2000cc/min。
根据本发明的涂布液供给装置中的管优选由不锈钢制造,并且如需要,管的内侧可衬以聚合物例如Teflon(注册商标)。还可具备控制管内涂布液温度的装置。
在根据本发明的涂布液供给装置中使用的过滤器可以是在电子工业应用中通常使用的过滤器。其中,过滤膜的材料为Teflon(注册商标)、聚乙烯或尼龙的过滤器是优选的。此外,用于本发明的过滤器优选能令人满意地除去尺寸不小于0.5μm,优选不小于0.2μm的颗粒。
此外,可在根据本发明的涂布液供给装置的任意所需位置提供漏液传感器或热敏传感器。例如,在漏液或温度异常的不期望发生的情况下,这些传感器能发出预报或警报来控制泵、阀等的动作,或能向控制面板发出意外警报的声音信号。
此外,在根据本发明的涂布液供给装置中设置的阀或泵可由与其连接的光致抗蚀剂涂布装置中提供的传感器(例如,第二缓冲容器501中提供的液位传感器)发出的信号直接控制,或由用于控制涂布液供给装置或光致抗蚀剂涂布装置的控制单元发出的信号控制。特别地,可以将每一传感器的信号集合到具有控制面板的控制单元中,以监视每一装置的动作状态。特别地,控制面板中可使用触摸式面板等。根据该控制面板,可容易地获得信息,并且因此可提高便利性。此外,还可在控制面板中加入例如PHS的系统来实现远程控制。
由根据本发明的涂布液供给装置供给的涂布液具有极低的颗粒含量,并且例如,直径不大于0.5μm的颗粒的含量总是不多于50粒/ml。根据本发明,可供给具有如此低的颗粒含量的涂布液。当根据本发明的涂布液供给装置与作为涂布装置的狭缝涂布装置组合使用时,可达到优异的生产力。具体地,迄今在本领域中通常使用的旋涂装置的优点在于,即使在使用含有颗粒的涂布液时,由于在旋转时颗粒随着被旋转出去的涂布液一同被除去,涂布时不会产生明显的缺陷。但是,在旋涂装置中,只有一小部分供给至涂布装置的涂布液被涂布到衬底上,并且通常不少于90体积%的涂布液被浪费。在涂布时被旋转出去的涂布液具有相对高的颗粒含量,并且还具有异物夹杂的问题。因此,被旋转出去的涂布液不能再生。由于上述原因,在旋涂过程中,涂布液损失巨大,以致于旋涂不利地是耗费成本的。另一方面,在狭缝涂布装置中,涂布液的损失水平除假分配(dummy dispense)等外通常为零,但另一方面,狭缝涂布装置比较容易受涂布液中所含颗粒的影响。本发明的涂布装置包括上述涂布液供给装置和狭缝涂布装置的组合。在根据本发明的涂布装置中,由于使用低颗粒含量的涂布液,涂布时不会产生明显的缺陷,并且同时经济损失也很小。因此,根据本发明的涂布装置能够有利地同时实现产品品质和成本两者。
本发明通过下面的实施例可得到进一步的描述,这些实施例不作为对本发明的限定。
实施例1
用图5所示的装置检查涂布液中颗粒含量的变化。在该情况下,使用下面的涂布液供给装置。
缓冲容器容量:300升
循环过滤装置的流量:1000cc/min
循环过滤装置中的泵:由SAN MACHINERY制造的旋转泵
循环过滤装置中的过滤器:由Nihon Mykrolis K.K.制造的Microgard(型号UPE,排除粒径0.1μm)
使用由AZ Electronic Materials制造的AZ TFP-650F5作为涂布液,使用由RION Co.,Ltd.制造的KL-20A Particle Counter来测量供给至涂布装置的颗粒(不小于0.2μm)含量。颗粒含量的变化如下所述。颗粒含量用相对值表示,该相对值通过假定循环之前的颗粒数量为100来确定。
        表1
  颗粒含量(相对值)
  循环前1小时后5小时后10小时后24小时后48小时后72小时后   1001445323
当循环前的涂布液在图5所示的缓冲容器中停留而不经循环过滤时,72小时后的颗粒含量为100(相对值)。
从结果可以明显看出,根据本发明的光致抗蚀剂涂布液供给装置,即使当所供给的涂布液含有颗粒时,颗粒也可被除去,并且还可长时间地保持该低的颗粒含量。此外,当由供给装置供给的涂布液被涂布到衬底上时,可以提供涂布时不产生明显缺陷的半导体元件。
附图标记说明
101、301A:光致抗蚀剂涂布液供给容器
103、304、308:泵
104、401:缓冲容器
105、305、309:过滤器
106:衬底
107:涂布装置
108:涂布液供给喷嘴
301:缓冲容器,其还可用作光致抗蚀剂涂布液供给容器
601:阀

Claims (8)

1.一种光致抗蚀剂涂布液供给装置,包括:用于光致抗蚀剂涂布液的缓冲容器;循环过滤装置,用于从缓冲容器中取出部分光致抗蚀剂涂布液,通过过滤器过滤该取出的光致抗蚀剂涂布液,并将经过滤的光致抗蚀剂涂布液返回至缓冲容器;和用于将光致抗蚀剂涂布液从缓冲容器或循环装置供给到光致抗蚀剂涂布装置中的管。
2.根据权利要求1的光致抗蚀剂涂布液供给装置,其中用于将光致抗蚀剂涂布液从缓冲容器供给到光致抗蚀剂涂布装置中的管在循环过滤装置中的过滤器的下游产生分支。
3.根据权利要求1或2的光致抗蚀剂涂布液供给装置,其中用于将光致抗蚀剂涂布液从缓冲容器或循环装置供给到光致抗蚀剂涂布装置中的管与在涂布装置的上游设置的第二缓冲容器相连接。
4.根据权利要求1~3中任一项的光致抗蚀剂涂布液供给装置,其包括多根用于将光致抗蚀剂涂布液从缓冲容器或循环装置供给到光致抗蚀剂涂布装置中的管。
5.根据权利要求4的光致抗蚀剂涂布液供给装置,其中用于将光致抗蚀剂涂布液供给到光致抗蚀剂涂布装置中的管在过滤装置中的过滤器的下游产生分支。
6.根据权利要求3~5中任一项的光致抗蚀剂涂布液供给装置,其还包括设置在第二缓冲容器上游的阀,设置在第二缓冲容器中的液位传感器,和控制系统,用于通过由液位传感器发出的信号来控制阀,以调整第二缓冲容器中的光致抗蚀剂涂布液的体积。
7.一种用于供给光致抗蚀剂涂布液的方法,包括:提供一种光致抗蚀剂涂布液供给装置,该装置包括:用于光致抗蚀剂涂布液的缓冲容器;循环过滤装置,用于通过过滤器将缓冲容器中的部分光致抗蚀剂涂布液过滤,然后将经过滤的光致抗蚀剂涂布液返回至光致抗蚀剂涂布液的母液中;和用于将光致抗蚀剂涂布液从缓冲容器或循环过滤装置供给至光致抗蚀剂涂布装置的管;并且,在不断地将储存在缓冲容器中的光致抗蚀剂涂布液循环过滤的同时,将光致抗蚀剂涂布液供给至涂布装置。
8.一种光致抗蚀剂涂布装置,包括:狭缝涂布装置;用于光致抗蚀剂涂布液的缓冲容器;循环过滤装置,用于从缓冲容器中取出部分光致抗蚀剂涂布液,通过过滤器过滤该取出的光致抗蚀剂涂布液,然后将经过滤的光致抗蚀剂涂布液返回至缓冲容器;和用于将光致抗蚀剂涂布液从缓冲容器或循环过滤装置供给至狭缝涂布装置的管。
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