CN106442562B - 一种突破外观缺陷机台检测极限的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种突破外观缺陷机台检测极限的方法，包括：第一步骤：对曝光单元进行逻辑分割以建立虚拟曝光单元；第二步骤：将虚拟曝光单元中的芯片区域进行重新分配，以建立新的检测区域；其中，所述新的检测区域处于外观缺陷机台检测极限之内；第三步骤：将所述新的检测区域中的切割道部分去除，以避免因切割道被扫描而出现虚假缺陷信号；第四步骤：利用外观缺陷检测机台针对所述新的检测区域进行外观缺陷检测。

Description

一种突破外观缺陷机台检测极限的方法
技术领域
本发明涉及半导体制造领域，具体涉及一种针对小尺寸芯片外观缺陷检测新方法的建立；更具体地说，本发明涉及一种突破外观缺陷机台检测极限的方法。
背景技术
随着半导体制造业的发展，半导体芯片的关键尺寸在不断缩小，对于半导体制造过程中产生的缺陷，一般采用“芯片和芯片”的比较方式。外观缺陷检测是基于曝光单元以及芯片区域的尺寸来建立检测程式，因此该方法会受到机台检测能力的限制。当所检测芯片尺寸太小，超出机台检测极限时，在建立检测程式时机台会自动报错，无法实现检测目的。由此，希望能够提供一种能够突破外观缺陷机台检测极限的方法。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有方法中因机台条件限制而存在的上述缺陷，提供一种能够突破外观缺陷机台检测极限的方法，其能够解决当芯片尺寸过小而超出机台极限时的外观缺陷检测限制。
为了实现上述技术目的，根据本发明，提供了一种突破外观缺陷机台检测极限的方法，包括：
第一步骤：在芯片尺寸小于外观缺陷机台检测极限的情况下，对曝光单元进行逻辑分割以建立虚拟曝光单元；
第二步骤：将虚拟曝光单元中的芯片区域进行重新分配，以建立新的检测区域，在将虚拟曝光单元中的芯片区域进行重新分配时，将芯片尺寸小于机台极限的方向上的多个芯片合并为一个，所述多个芯片的数量为大于等于2的自然数；其中，所述新的检测区域处于外观缺陷机台检测极限之内；
第三步骤：将所述新的检测区域中的切割道去除，以避免因切割道被扫描而出现虚假缺陷信号；
第四步骤：利用外观缺陷检测机台针对所述新的检测区域进行外观缺陷检测。
优选地，芯片尺寸小于外观缺陷机台检测极限的情况包括：芯片尺寸在水平方向上小于机台极限。
优选地，芯片尺寸小于外观缺陷机台检测极限的情况包括：芯片尺寸在竖直方向上小于机台极限。
优选地，芯片尺寸小于外观缺陷机台检测极限的情况包括：芯片尺寸在水平方向上和竖直方向上均小于机台极限。
优选地，在第一步骤中，在芯片尺寸小于机台极限的方向上，当曝光单元内的芯片数目为大于2的质数时，对曝光单元进行逻辑分割；如果该方向上的芯片数目可被整除时，则保留原有的曝光单元不变，改变芯片版图的设置。
优选地，所述多个芯片的数量为2。
优选地，在第三步骤中，去除的切割道的数量为所述多个芯片的数量减去1。
本发明通过采用虚拟逻辑分割方法，能够突破机台极限，从而在现有的条件下，实现小尺寸芯片的外观缺陷检测，大大节省生产成本。
附图说明
结合附图，并通过参考下面的详细描述，将会更容易地对本发明有更完整的理解并且更容易地理解其伴随的优点和特征，其中：
图1和图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的突破外观缺陷机台检测极限的方法的流程图。
需要说明的是，附图用于说明本发明，而非限制本发明。注意，表示结构的附图可能并非按比例绘制。并且，附图中，相同或者类似的元件标有相同或者类似的标号。
具体实施方式
为了使本发明的内容更加清楚和易懂，下面结合具体实施例和附图对本发明的内容进行详细描述。
本发明提出，当芯片尺寸小于外观缺陷机台检测极限时，对曝光单元进行逻辑分割，建立虚拟曝光单元，重新分配检测区域，使得虚拟曝光单元中芯片尺寸达到检测要求。
图1和图2示意性地示出了根据本发明优选实施例的突破外观缺陷机台检测极限的方法的流程图。
如图1和图2所示，根据本发明优选实施例的突破外观缺陷机台检测极限的方法包括：
第一步骤S1：对曝光单元进行逻辑分割以建立虚拟曝光单元；
例如，在第一步骤S1中，在芯片尺寸小于外观缺陷机台检测极限的情况下，对曝光单元进行逻辑分割以建立虚拟曝光单元。
具体地，例如，芯片尺寸小于外观缺陷机台检测极限的情况包括：芯片尺寸在水平方向上小于机台极限、或者芯片尺寸在竖直方向上小于机台极限、或者芯片尺寸在水平方向上和竖直方向上均小于机台极限。
具体地，例如，在第一步骤S1中，在芯片尺寸小于机台极限的方向上，当曝光单元内的芯片数目为大于2的质数时，对曝光单元进行逻辑分割，如果该方向上的芯片数目可以被整除时，则保留原有的曝光单元不变，改变芯片版图的设置。
第二步骤S2：将虚拟曝光单元中的芯片区域进行重新分配，以建立新的检测区域；其中，所述新的检测区域处于外观缺陷机台检测极限之内，即达到外观缺陷检测机台的要求。
具体地，例如，在第二步骤S2中，在将虚拟曝光单元中的芯片区域进行重新分配时，将芯片尺寸小于机台极限的方向上的多个芯片合并为一个，所述多个芯片的数量为大于等于2的自然数，一般取值2。
第三步骤S3：将所述新的检测区域中的切割道去除，以避免因切割道被扫描而出现虚假缺陷信号。
具体地，去除的切割道的数量为所述多个芯片的数量减去1。
第四步骤S4：利用外观缺陷检测机台针对所述新的检测区域进行外观缺陷检测。
在现有技术中，当芯片尺寸太小，超出外观缺陷机台的检测最低限时，无法建立检测程式。由此，本发明提出了一种虚拟逻辑分割方法，将曝光单元进行逻辑分割，建立虚拟曝光单元，然后将虚拟曝光单元中的芯片区域进行重新分配，建立新的检测区域，以达到检测要求，从而实现外观缺陷检测。本发明通过采用虚拟逻辑分割方法，可突破机台检测极限的瓶颈，能够在现有的机台条件下，实现小尺寸芯片的外观缺陷检测，简单实用，避免了更高配置机台的购置，大大节省生产成本。
为了使本发明方法更加容易理解，下面结合具体实例对本发明作进一步的说明：
实例中选用的产品，其曝光单元尺寸(shot size)为25.196×26.813mm，芯片阵列(die array)为16×31，切割道的宽度为0.06mm，芯片尺寸(die size)为1.511×0.803mm。外观缺陷检测机台要求最小尺寸为1mm，而在竖直方向上的芯片尺寸小于机台极限，故无法建立检测程式，这时可采取虚拟逻辑分割方法来解决此问题。首先，将实际的曝光单元在竖直方向上进行逻辑分割，建立一个虚拟曝光单元，该区域的曝光单元尺寸为25.196×1.726mm，芯片阵列为16×1，则此时竖直方向上的芯片尺寸变为1.726mm，达到了机台检测极限。由于重新分配后的检测区域中包含切割道，最后将该部分除去，以防止虚假缺陷信号产生。
此外，需要说明的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
可以理解的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。

Claims (6)

1.一种突破外观缺陷机台检测极限的方法，其特征在于包括：
第一步骤：在芯片尺寸小于外观缺陷机台检测极限的情况下，对曝光单元进行逻辑分割以建立虚拟曝光单元；
第二步骤：将虚拟曝光单元中的芯片区域进行重新分配，以建立新的检测区域，在将虚拟曝光单元中的芯片区域进行重新分配时，将芯片尺寸小于机台极限的方向上的多个芯片合并为一个，所述多个芯片的数量为大于等于2的自然数；其中，所述新的检测区域处于外观缺陷机台检测极限之内；
第三步骤：将所述新的检测区域中的切割道去除，以避免因切割道被扫描而出现虚假缺陷信号；
第四步骤：利用外观缺陷检测机台针对所述新的检测区域进行外观缺陷检测。
2.根据权利要求1所述的突破外观缺陷机台检测极限的方法，其特征在于，芯片尺寸小于外观缺陷机台检测极限的情况包括：芯片尺寸在水平方向上小于机台极限。
3.根据权利要求1所述的突破外观缺陷机台检测极限的方法，其特征在于，芯片尺寸小于外观缺陷机台检测极限的情况包括：芯片尺寸在竖直方向上小于机台极限。
4.根据权利要求1所述的突破外观缺陷机台检测极限的方法，其特征在于，芯片尺寸小于外观缺陷机台检测极限的情况包括：芯片尺寸在水平方向上和竖直方向上均小于机台极限。
5.根据权利要求1所述的突破外观缺陷机台检测极限的方法，其特征在于，在第一步骤中，在芯片尺寸小于机台极限的方向上，当曝光单元内的芯片数目为大于2的质数时，对曝光单元进行逻辑分割；如果该方向上的芯片数目可被整除时，则保留原有的曝光单元不变，改变芯片版图的设置。
6.根据权利要求1所述的突破外观缺陷机台检测极限的方法，其特征在于，在第三步骤中，去除的切割道的数量为所述多个芯片的数量减去1。
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