KR910003777A - 검사 데이터 해석 시스템 - Google Patents
검사 데이터 해석 시스템 Download PDFInfo
- Publication number
- KR910003777A KR910003777A KR1019900010577A KR900010577A KR910003777A KR 910003777 A KR910003777 A KR 910003777A KR 1019900010577 A KR1019900010577 A KR 1019900010577A KR 900010577 A KR900010577 A KR 900010577A KR 910003777 A KR910003777 A KR 910003777A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- inspection
- appearance
- workpiece
- wafer
- inspected
- Prior art date
Links
- 238000007689 inspection Methods 0.000 title claims description 148
- 238000007405 data analysis Methods 0.000 claims description 26
- 238000012360 testing method Methods 0.000 claims description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 claims 99
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims 51
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 41
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 31
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 23
- 230000002950 deficient Effects 0.000 claims 13
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 claims 10
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 claims 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/956—Inspecting patterns on the surface of objects
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/20—Sequence of activities consisting of a plurality of measurements, corrections, marking or sorting steps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Pathology (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Immunology (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Image Processing (AREA)
Abstract
내용 없음.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명 실시예에 따라 검사 데이타 해석 시스템의 전체 구성을 나타내는 도면,
제2도는 제1도에 도시된 이물질 검사 시스템의 부분 구성을 나타내는 도면.
Claims (33)
- 피검사 가공물상의 외관불량을 검사하는 수단과, 상기 외관불량의 좌표를 측정하는 수단과, 사전에 가공물상에 설정한 복수 영역의 기하학적 배열정보를 기억하는 수단과, 상기 외관불량이 상기 영역중 어디에 속하는가를 판단하는 수단을 구비하는 검사 데이타 해석 시스템.
- 피검사 가공물상의 외관불량을 검사하는 수단과, 상기 외관불량의 좌표를 측정하는 수단과, 외관검사 직전의 상기 가공물 제조공정을 인식하는 수단과, 각 좌표에서 외관 검사된 새로운 외관불량을 뽑아내기 위해 동일한 가공물의 외관 검사결과를 제조공정순으로 비교하는 수단을 구비하는 검사 데이타 해석 시스템.
- 피검사 가공물상의 외관불량을 검사하는 수단과, 상기 가공물을 식별하는 수단을 갖는 외관검사장치와, 상기 검사장치의 검사 데이타를 축적하는 수단과, 가공물상에 사전에 설정한 복수 영역의 기하학적 배열정보를 기억하는 수단과, 상기 외관불량이 상기 영역중 속하는가를 판단하는 수단과, 처리결과의 출력 수단을 갖는 데이타 처리장치를 구비하는 검사 데이타 해석시스템.
- 피검사 가공물상의 외관불량을 검사하는 수단과, 상기 외관불량의 좌표를 측정하는 수다노가, 외관검사 직전의 가공물 제조공정을 인식하는 수단과, 가공물을 식별하는 수단을 갖는 외관검사 장치와, 상기 검사장치의 검사 데이타를 축적하는 수단과, 각 외관 검사에 의해 새롭게 검사된 외관불량을 뽑아내기 위해 제조공정순으로 가공물을 외관 검사한 결과를 비교하는 수단과, 처리결과의 출력수단을 갖는 데이타 처리장치를 구비하는 검사 데이타 해석 시스템.
- 상기 외관불량의 좌표를 측정하는 수단과, 상기 외관불량의 발생수를 측정하는 수단과, 가공물을 식별하는 수단을 갖는 제1외관검사장치와, 상기 검사장치의 검사 데이타를 축적하는 수단과, 각 가공물마다 또는 공정마다 데이타를 처리하는 수단과, 처리결과의 출력 수단을 갖는 제1데이타 처리장치와, 피검사 가공물상의 외관불량을 검사하는 수단과, 상기 가공물 위에 발생한 외관불량의 수를 계수하는 수단과, 상기 가공물 상에 발행한 상기 외관 불량의 좌표를 측정하는 수단과, 외관 불량 종류를 인식하는 수단과, 외관검사 직전의 가공물 제조공정을 인식하는 수단과, 가공물을 식별하는 수단을 갖는 제2외관검사장치와, 상기 제2외관 검사장치의 검사 데이타를 축적하는 수단과, 가공물마다 또는 공정마다 데이타를 처리하는 수단과, 처리 결과의 출력 수단을 갖는 제2데이타 처리 장치를 구비하며, 제1 및 제2외관 검사 장치는 가공물 제조실내에 설치하고, 제1외관 검사장치와 제1데이타 처리장치는 통신회선으로 연결하며 제2외관 검사 장치와 제2데이타 처리 장치는 또 다른 통신회선을 연결하고, 상기 제2데이타 처리 장치는 외관 불량수가 시간적으로 증가하는 공정 또는 가공물상의 외관 불량의 분포가 한쪽에 치우친 공정 또는 다수의 외관 불량의 발생 빈도가 많은 공정을 찾아내는 해석을 실시하며, 상기 제2외관 검사장치는 해석 결과를 토대로 피검사 공정을 결정하는 검사데이타 해석 시스템.
- 피검사 가공물상의 외관불량을 검사하는 수단과, 상기 외관불량의 좌표를 측정하는 수단과, 가공물을 식별하는 수단을 갖는 외관검사장치와, 상기 검사장치의 검사 데이타를 축적하는 수단과, 처리결과를 출력하는 수단을 갖는 데이타 처리 장치와, 가공물상에 사전에 설정된 각 영역의 부품 또는 제품으로서의 특성을 측정하는 수단과, 가공물을 식별하는 수단을 갖는 제품 특성 감사장치와, 상기 제품 특성 검사장치의 측정 결과를 토대로 이 가공물상에 미리 설정된 각 영역마다 제품 또는 부품으로서 불량품인가를 판단하는 수단과, 상기 외관 검사장치의 검사결과와 상기 판정장치의 판정결과를 축적하는 수단을 갖는 데이타 처리장치를 구비하며, 상기 시스템은 가공 물상에 미리 설정한 좌표계에 제품 특성 검사에서 사전에 설정한 영역의 기하학적 배열정보를 기술하기 위한 좌표계를 대응시키는 것을 특징으로 하는 검사데이타 해석 시스템.
- 피검사 가공물상의 외관불량을 검사하고 상기 외관불량의 좌표를 측정하는 수단과, 가공물을 식별하는 수단을 갖는 외관검사장치와, 상기 검사장치의 검사 데이타를 축적하는 수단과, 사전에 분할된 영역의 기하학적 배치 정보를 기억시키는 수단과, 복수의 피검사 기공물상의, 외관불량분포와, 상기 사전 불할된 영역을 가공물상에 겹쳐서 표시하는 수단을 갖는 데이타 처리장치를 구비하는 검사데이타 해석 시스템.
- 제1항에 있어서, 외관 불량수와 외관 불량 밀도는 사전에 분할된 영역을 기초로 계산하고, 가공물상에 겹쳐서 표시하는 것을 특징으로 하는 검사데이타 해석 시스템.
- 피검사 가공물상의 외관불량을 검사하는 수단과, 상기 외관불량의 좌표를 측정하는 수단과, 외관불량의 종류를 식별하는 수단과, 가공물을 식별하는 수단을 갖는 외관검사 장치와, 상기 검사장치의 검사 데이타를 축적하는 수단과, 피검사 가공물 외관불량의 종류별 분포를 표시하는 수단을 갖는 데이타 처리 장치를 구비하는 검사데이타 해석 시스템.
- 가공물 제조 라인의 외관 검사 공정에 있어서, 피검사 가공물상의 외관불량을 검사하는 수단과, 상기 외관 불량의 좌표를 측정하는 수단과, 외관불량의 종류를 식별하는 수단과, 상기 가공물을 식별하는 수단을 갖는 외관검사장치와, 상기 검사장치의 검사 데이타를 축적하는 수단과, 피검사 가공물 외관불량의 도수에 대한 피검사 가공물수의 도수의 관계를 표시하는 수단을 갖는 데이타 처리 장치를 구비하는 검사데이타 해석 시스템.
- 피검사 가공물상의 외관불량을 검사하는 수단과, 상기 외관불량의 좌표를 측정하는 수단과, 외관불량의 종류를 식별하는 수단과, 상기 외관검사 직전의 가공물 제조공정을 인식하는 수단을 갖는 외관검사장치와, 상기 검사장치의 검사데이타를 축적하는 수단과, 복수의 공정의 외관검사 결과를 해석작업자가 지정한 순으로 나열하고 외관불량수의 추이를 표시하는 수단을 갖는 데이타 처리 장치를 구비하는 검사데이타 해석 시스템.
- 피검사 가공물상의 외관불량을 검사하는 수단과, 상기 외관불량의 좌표를 측정하는 수단과, 가공물을 식별하는 수단을 갖는 외관검사 장치와, 상기 외관검사 직전의 가공물 제조 공정을 인식하는 수단과, 상기 검사장치의 검사 데이타를 축적하는 수단과, 외관검사한 모든 가공물의 상기 외관 불량분포를 비교하는 수단과, 사전 분할된 영역의 기하학적 배열 정보를 기억하는 수단과, 가공물 제조공정의 진행순으로 동일 가공물을 검사하고 각 검사 사이의 제조공정에서 발생한 외관불량 분포를 비교하고 제조공정 순으로 발생한 외관 불량의 가공물내 분포를 표시하는 수단을 갖는 데이타 처리 장치를 구비하는 검사데이타 해석 시스템.
- 피검사 가공물상의 외관불량을 검사하는 수단과, 상기 외관불량의 좌표를 측정하는 수단과, 가공물을 식별하는 수단을 갖는 외관검사 장치와, 상기 외관검사 직전의 가공물 제조 공정을 인식하는 수단과, 상기 검사장치의 검사 데이타를 축적하는 수단과, 외관검사한 각 가공물마다 외관 불량의 분포를 비교하는 수단과, 사전 분할된 영역의 기하학적 배열 정보를 기억하는 수단과, 상기 외관불량이 사전에 설정된 영역중 여디에 속하는가를 판단하는 수단과, 가공물 제조공정의 진행 순으로 가공물을 검사하고 각 검사 사이의 제조공정에서 발생한 외관 불량의 분포를 비교하고 제조공정순으로 발생한 외부 불량의 가공물내 분포를 사전에 분할된 영역마다 밀도 표시하는 수단을 갖는 데이타 처리 장치를 구비하는 검사데이타 해석 시스템.
- 가공물 제조 라인의 외관 검사 공정에 있어서, 피검사 가공물위의 외관불량을 검사하고 상기 외관불량과 가공물의 좌표를 인식하는 수단을 갖는 외관검사장치와, 사전에 분할된 가공물 영역의 기하학적인 배열 정보를 기억하는 수단과, 상기 외관불량이 어느 영역에 속하는가를 판단하는 수단과, 상기 검사장치의 검사 데이타를 축적하는 수단과, 상기 사전 분할영역을 수종류에 구분하여 표시화면 상에서 복수의 영역으로 가공물을 재분할하는 수단과, 상기 재분할된 영역단위에 외관 불량의 밀도를 표시하는 수단을 갖는 처리장치를 구비하는 검사 데이타 해석 시스템.
- 피검사 가공물위의 외관불량을 검사하는 수단과, 상기 외관불량의 좌표를 측정하는 수단과, 상기 외관불량의 종류를 식별하는 수단과, 가공물을 식별하는 번호를 인식하는 수단을 갖는 외관검사장치와, 가공물내의 상기 사전 불할 영역의 제품특성을 검사하는 수단과, 가공물을 식별하는 기호를 인식하는 수단을 갖는 제품특성 검사 장치와, 상기 제품특성 검사 결과를 토대로 사전에 분할된 영역이 양질품인지 또는 불량품 인지를 판정하는 수단을 갖는 판정 장치와, 상기 검사 장치의 검사 데이타를 축적하고 가공물내 칩의 기하학적 배열 정보를 기억하는 수단과, 피검사 가공물상의 사전 분할 영역에 대한 제품 특성 거사로서 판정한 양질품 또는 불량품과의 관계를 표시하는 수단을 갖는 데이타 처리장치를 구비하는 검사 데이타 해석 시스템.
- 피검사 가공물상의 외관불량을 검사하는 수단과, 상기 외관불량을 식별하는 수단과, 가공물을 식별하는 기호를 인식하는 수단과, 상기 외관검사 직전의 가공물 제조공정을 인식하는 수단을 갖는 외관검사 장치와, 가공물내의 사전 분할된 각 영역의 제품특성을 검사하는 수단과, 가공물을 식별하는 기호를 인식하는 수단을 갖는 제품특성 검사장치와, 상기 제품특성 검사 결과를 토대로 사전에 분할된 영역이 양질품 또는 불량품인지를 판정하는 수단을 갖는 판정 장치와, 사전 분할 영역의 기하학적 배열정보를 기억하는 수단과, 각 외관 불량이 사전 분할 영역중 어디에 속하는가를 판단하는 수단과, 동일 가공물을 제조공정순으로 검사하고 각 검사에 의하여 얻어진 외관 불량의 분포를 비교하고 새로 검사된 외관 불량을 뽑아내며 외관 불량이 발생한 공정과 사전 분할 영역의 제품특성의 양질품 또는 불량품과의 관계를 표시하는 수단을 갖는 데이타 처리장치를 구비하는 검사 데이타 해석 시스템.
- 제15항에 있어서, 외관 불량의 발생 현상과 종류에 착안하여, 외관 분량을 분류하여 해석하고, 상기 분류에 의거 하여 해석 결과를 표시하는 것을 특징으로 하는 검사 데이타 해석 시스템.
- 제17항에 있어서, 우선, 품종명을 지정하고, 필요하다면, 그후, 공정명, 로트번호, 가공물번호, 검사기간 작업자명을 지정하는 데이타 지정방법을 추가로 포하함하는 검사 데이타 해석 시스템.
- 제5항에 있어서, 제1 및 제2데이타 처리장치의 어느 한쪽 또는 양쪽 모두는 가공물 제조실밖에 설치하는 것을 특징으로 하는 검사 데이타 해석 시스템.
- 반도체 장치 제조라인의 외관검사 공정에 있어서, 피검사 웨이퍼의 외관 불량 좌표와 외관불량 종류와 웨이퍼를 식별하는 기능을 갖는 외관검사 장치와, 피검사 웨이퍼의 칩 내부의 기하학적 배열정보와 상기 검사장치의 검사 데이타를 축적하는 기능을 갖는 처리장치와, 단일 또는 복수의 피검사 웨이퍼의 외관 불량을 상기 칩의 기하학적 배열 정보에 따라서 표시 화면에 그려진 웨이퍼상에 겹쳐서 표시하는 수단을 구비하는 검사 데이타 해석 시스템.
- 제20항에 있어서, 단일 또는 복수의 피검사 웨이퍼의 각 칩 내부에 발생한 외관 불량을 칩 단위로 표시하는 수단을 추가로 구비하는 검사 데이타 해석 시스템.
- 제20항에 있어서, 피검사 웨이퍼상에 발생한 외관 불량의 종류별로, 피검사 웨이퍼별로 품종별로, 외관 불량의 개수 및 분포를 표시하는 수단을 추가로 구비하는 검사 데이타 해석 시스템.
- 제20항에 있어서, 피검사 웨이퍼의 외관 불량의 종류별 도수에 대한 피검사 웨이퍼수의 도수를 표시하는 수단을 추가로 구비하는 검사 데이타 해석 시스템.
- 반도체 장치 제조라인의 외관 검사 공정에 있어서, 피검사 웨이퍼에서 발생한 외관 불량 좌표와 외관 불량 종류와 웨이퍼를 식별하는 기능을 갖는 외관 검사 장치와, 상기 피검사 웨이퍼에 형성된 반도체 장치를 갖는 웨이퍼의 칩 내부의 기하학적 배열 정보와, 상기 외관 검사를 실시하기전의 반도체 장치의 제조공정을 인식하는 기능을 가지며 상기 검사장치의 검사 데이타를 축적하는 기능을 갖는 처리장치와, 피검사 웨이퍼의 반도체장치의 제조공정의 진행순으로 외관 불량수의 추이를 표시하는 수단을 구비하는 검사 데이타 해석 시스템.
- 반도체 장치 제조라인의 외관 검사 공정에 있어서, 피검사 웨이퍼에서 발생한 외관 불량 좌표를 갖는 외관 검사 장치와, 상기 피검사 웨이퍼상에서 형성된 반도체 장치를 갖는 웨이퍼의 칩 내부의 기하학적 배열 정보와, 상기 외관 검사를 실시하기전의 반도체 장치의 제조공정을 인식하는 기능과, 상기 검사장치의 검사 데이타를 축적하는 기능과, 외관 검사마다 웨이퍼의 외관 불량 발생좌표를 비교하는 기능을 갖는 처리장치와, 피검사 웨이퍼에 형성된 반도체 장치의 제조공정의 진행순으로 외관 불량 발생 웨이퍼의 좌표를 비교하고, 각 검사간의 제조공정에서 발생한 외관 불량수를 동정하고, 제조 공정순으로 발생하는 외관 불량수의 추이를 표시하는 수단을 구비하는 검사 데이타 해석 시스템.
- 제25항에 있어서, 피검사 웨이퍼의 반도체 장치의 제조 공정의 진행순으로 검사하는 웨이퍼상에 발생한 외관 불량 좌표를 비교하고, 각 검사간의 제조공정에서 발생한 외관불량 좌표를 동정하고, 제조공정순으로 발생하는 외관불량의 분포를 화면 또는 좌표로 표기하는 수단을 추가로 구비하는 검사 데이타 해석 시스템.
- 반도체 장치 제조라인의 외관 검사 공정에 있어서, 피검사 웨이퍼상에서 발생한 외관 불량 좌표를 갖는 외관 검사 장치와, 상기 피검사 웨이퍼상에 형성된 반도체 장치를 갖는 웨이퍼의 칩 내부의 기하학적 배열 정보와, 상기 검사장치의 검사데이타를 축적하는 기능과, 검사 데이타을 웨이퍼 상의 좌표에서 임의로 분할하는 기능을 갖는 처리장치와, 단일 또는 복수의 피검사 웨이퍼상에서 발행한 외관 불량을 웨이퍼상에 임의로 분할한 영역에 겹쳐서 화면에 표시하는 수단을 구비하는 검사 데이타 해석 시스템.
- 반도체장치 제조라인의 외관 검사 공정에 있어서, 피검사 웨이퍼상에서 발생한 외관 불량 좌표 및 종류와 웨이퍼를 식별하는 기능을 갖는 외관검사 장치와, 상기 피검사 웨이퍼상에 형성된 반도체 장치를 갖는 웨이퍼의 칩 내부의 기하학적 배열 정보와, 상기 외관 검사를 실시하기전의 반도체 장치의 제조공정을 인식하는 기능과, 상기 검사 장치의 검사 데이타를 축적하는 기능과, 외관검사마다 웨이퍼의 외관 불량발생 좌표를 비교하는 처리장치와, 피검사 웨이퍼상에 형성된 반도체 장치의 제조공정의 진행 순으로 외관 불량 발생 웨이퍼의 좌표를 비교하고, 검사간의 제조공정에서 발생한 외관 불량수를 동정하고, 제조공정순으로 발생하는 외관 불량수의 추이를 표시하는 수단을 구비하는 검사 데이타 해석 시스템.
- 반도체 장치 제조라인의 외관 검사 공정에 있어서, 피검사 웨이퍼의 외관불량 좌표와 외관 불량 종류를 식별하는 기능을 갖는 외관검사 장치와, 반도체 장치의 전기적 특성이 양질품인지 또는 불량품인지를 판단하는 기능을 갖는 전기 특성 검사장치와, 피검사 웨이퍼상에 형성된 반도체 장치를 갖는 웨이퍼의 챕 내부의 기하학적 배열정보와, 상기 검사 장치의 검사 데이타를 축적하는 기능을 갖는 처리장치와, 상기 외관 검사 및 전기적 특성 검사를 받는 웨이퍼상에서 발생한 외관 불량수와 한 웨이퍼에 포함된 모든 칩웨에서 전기적 특성의 양질품수의 비율을 표시하는 수단을 구비하는 검사 데이타 해석 시스템.
- 제29항에 있어서, 외관검사되는 피검사 웨이퍼상에 포함된 각 칩내에 발생한 외관 불량을 종류 또는, 개수에 의하여 분리하고, 이 분리된 불량품과 한 웨이퍼의 모든 칩에 포함된 전기적 특성의 양질품의 비율을 표시하는 수단을 추가로 포함하는 데이타 해석 시스템.
- 반도체 장치 제조라인의 외관 검사공정에 있어서, 피검사 웨이퍼상에서 발생한 외관불량 좌표 및 불량 종류를 식별하는 기능을 갖는 외관검사장치와, 반도체 장치의 전기적 특성에 대해 양질품 인지 또는 불량품인지를 판정하는 기능을 갖는 전기 특성 검사 장치와, 상기 피검사, 웨이퍼상에 형성된 반도체장치를 갖는 웨이퍼의 칩내부의 기하학적 배열 정보와, 상기 외관검사를 실시하기전의 반도체 장치의 제조공정을 인식하는 기능과, 상기 검사장치의 검사 데이타를 축적하는 기능을 갖는 처리장치와, 외관불량이 발생된 칩과 하나의 웨이퍼에 포함된 모든 칩의 전기적 특성 양질품의 비율을 표시하는 수단을 구비하는 검사 데이타 해석 시스템.
- 반도체 장치 제조라인의 외관 검사공정에 있어서, 피검사 웨이퍼에 발행한 외관불량 좌표 및 불량 종류를 식별하는 기능을 갖는 외관검사장치와, 전기적 특성에 대해 반도체 장치의 양질품과 불량품의 불량종류를 식별하는 기능을 갖는 전기특성검사 장치와, 상기 피검사 웨이퍼상에 형성된 반도체장치를 갖는 웨이퍼의 칩 내부의 기하학적 배열 정보와, 상기 외관 검사를 실시하기전의 반도체 장치의 제조공정을 인식하는 기능과, 상기 검사장치의 검사 데이타를 축적하는 기능을 갖는 처리장치와, 외관 불량의 종류와 전기 특성의 불량의 관게를 표시하는 수단을 구비하는 검사 데이타 해석 시스템.
- 반도체 장치 제조라인의 외관 검사 공정에 있어서, 피검사 웨이퍼상에 발생한 외관불량좌표와 외관 불량의 종류를 불량발생의 원인과 결과의 관점에서 식별하여 웨이퍼를 식별하는 기능을 갖는 외관 검사 장치와, 상기 피검사 웨이퍼상에 형성된 반도체 장치를 갖는 웨이퍼의 칩 내부의 기하학적 배열정보와 상기 검사장치의 검사 데이타를 축적하는 기능을 갖는 처리장치와, 단일 또는 복수의 피검사 웨이퍼상에 발행한 외관 불량의 원인과 결과를 표시하는 수단을 구비하는 검사 데이타 해석 시스템.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1177934A JP2941308B2 (ja) | 1989-07-12 | 1989-07-12 | 検査システムおよび電子デバイスの製造方法 |
JP1-177934 | 1989-07-12 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR910003777A true KR910003777A (ko) | 1991-02-28 |
KR940001808B1 KR940001808B1 (ko) | 1994-03-09 |
Family
ID=16039623
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019900010577A KR940001808B1 (ko) | 1989-07-12 | 1990-07-12 | 검사 데이터 해석 시스템 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (7) | US5841893A (ko) |
JP (1) | JP2941308B2 (ko) |
KR (1) | KR940001808B1 (ko) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990078305A (ko) * | 1998-03-27 | 1999-10-25 | 사사키 요시오 | 레지스트층의 형성 방법 및 인쇄회로 기판의 제조방법 |
KR100376802B1 (ko) * | 2000-04-01 | 2003-03-19 | 삼성전자주식회사 | 하드디스크 드라이브의 불량 판정 전문가 시스템 및 그 방법 |
Families Citing this family (78)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6185324B1 (en) | 1989-07-12 | 2001-02-06 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor failure analysis system |
JP2941308B2 (ja) * | 1989-07-12 | 1999-08-25 | 株式会社日立製作所 | 検査システムおよび電子デバイスの製造方法 |
JPH04278556A (ja) * | 1991-03-07 | 1992-10-05 | Nec Corp | Lsiの外観不良解析システム |
US6650409B1 (en) | 1991-04-02 | 2003-11-18 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device producing method, system for carrying out the same and semiconductor work processing apparatus included in the same system |
US5828778A (en) * | 1995-07-13 | 1998-10-27 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for analyzing failure of semiconductor wafer |
JPH09148387A (ja) * | 1995-11-22 | 1997-06-06 | Nec Corp | 半導体製品の処理装置 |
EP1909318A3 (en) | 1996-03-19 | 2009-12-09 | Hitachi, Ltd. | Process management system |
JPH1126333A (ja) * | 1997-06-27 | 1999-01-29 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体装置及びその情報管理システム |
US6088474A (en) * | 1997-07-23 | 2000-07-11 | Texas Instruments Incorporated | Inspection system for micromechanical devices |
US6895109B1 (en) * | 1997-09-04 | 2005-05-17 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus and method for automatically detecting defects on silicon dies on silicon wafers |
JP4611369B2 (ja) * | 1998-01-14 | 2011-01-12 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | デバイスの製造方法 |
US6446021B1 (en) * | 1998-02-27 | 2002-09-03 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus to display processing parameter |
US6044208A (en) * | 1998-04-30 | 2000-03-28 | International Business Machines Corporation | Incremental critical area computation for VLSI yield prediction |
US6247853B1 (en) * | 1998-05-26 | 2001-06-19 | International Business Machines Corporation | Incremental method for critical area and critical region computation of via blocks |
JPH11351827A (ja) * | 1998-06-10 | 1999-12-24 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | 画像処理装置 |
US6476913B1 (en) | 1998-11-30 | 2002-11-05 | Hitachi, Ltd. | Inspection method, apparatus and system for circuit pattern |
US7133549B2 (en) * | 1999-04-05 | 2006-11-07 | Applied Materials, Inc. | Local bias map using line width measurements |
US6377898B1 (en) * | 1999-04-19 | 2002-04-23 | Advanced Micro Devices, Inc. | Automatic defect classification comparator die selection system |
US7012684B1 (en) * | 1999-09-07 | 2006-03-14 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus to provide for automated process verification and hierarchical substrate examination |
KR20010101550A (ko) * | 1999-11-25 | 2001-11-14 | 기시모토 마사도시 | 결함검사데이터처리시스템 |
JP2001156134A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の検査方法及び検査装置 |
JP2001156135A (ja) * | 1999-11-29 | 2001-06-08 | Hitachi Ltd | 欠陥画像の分類方法及びその装置並びにそれを用いた半導体デバイスの製造方法 |
AU1553601A (en) * | 1999-11-29 | 2001-06-12 | Olympus Optical Co., Ltd. | Defect inspecting system |
JP2001230289A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-08-24 | Hitachi Ltd | 欠陥解析方法および欠陥解析システム |
JP2001236493A (ja) * | 2000-02-23 | 2001-08-31 | Nikon Corp | 外観検査装置 |
WO2001073381A2 (en) * | 2000-03-28 | 2001-10-04 | Matsushita Electric Works, Ltd. | Particle sensor |
JP2001331784A (ja) * | 2000-05-18 | 2001-11-30 | Hitachi Ltd | 欠陥分類方法及びその装置 |
US6434725B1 (en) * | 2000-06-26 | 2002-08-13 | Infineon Technologies Richmond, Lp | Method and system for semiconductor testing using yield correlation between global and class parameters |
US7197542B2 (en) * | 2000-06-30 | 2007-03-27 | Ponzio Jr Frank J | System and method for signaling quality and integrity of data content |
EP1179841A3 (de) * | 2000-07-07 | 2004-10-06 | Leica Microsystems Jena GmbH | Verfahren und Vorrichtung zur Benutzerführung bei der optischen Vermessung von Schichten und Substraten und Software |
DE10036118A1 (de) * | 2000-07-25 | 2002-02-14 | Promos Technologies Inc | Einflußberechnung von Ausfallsignaturen bei regionalen Ausbeutedaten |
JP2002046823A (ja) | 2000-08-02 | 2002-02-12 | Yasuda Fire & Marine Insurance Co Ltd | 損傷状況分析方法、損傷状況分析システム、損傷状況入力端末及び記録媒体 |
JP2002076087A (ja) * | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Mitsubishi Electric Corp | 抜き取り検査管理システム |
US6934920B2 (en) * | 2000-10-11 | 2005-08-23 | Sii Nanotechnology Inc. | Specimen analyzing method |
JP2004537164A (ja) * | 2001-06-27 | 2004-12-09 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 集積回路に識別データを記憶するためのデバイス及びその方法 |
JP3965288B2 (ja) * | 2001-10-11 | 2007-08-29 | 富士機械製造株式会社 | 対基板作業結果検査装置 |
US6823272B2 (en) * | 2001-10-23 | 2004-11-23 | Agilent Technologies, Inc. | Test executive system with progress window |
US7283659B1 (en) * | 2002-01-09 | 2007-10-16 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and methods for searching through and analyzing defect images and wafer maps |
US7721732B2 (en) * | 2002-04-04 | 2010-05-25 | Qxtec, Inc. | Respiratory heat exchanger |
IL150438A0 (en) * | 2002-06-26 | 2002-12-01 | Nova Measuring Instr Ltd | Method of thin films measurement |
US6898545B2 (en) * | 2002-06-28 | 2005-05-24 | Agilent Technologies Inc | Semiconductor test data analysis system |
US7130710B2 (en) | 2002-08-07 | 2006-10-31 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | System and method for tracking and exploiting per station information from a multiple repeat manufacturing device |
KR101127779B1 (ko) * | 2002-09-26 | 2012-03-27 | 램 리써치 코포레이션 | 웨이퍼 불균일성 및 그래픽적 탐색의 유의성을 정량화하기위한 유저 인터페이스 |
US7239737B2 (en) * | 2002-09-26 | 2007-07-03 | Lam Research Corporation | User interface for quantifying wafer non-uniformities and graphically explore significance |
US7738693B2 (en) * | 2002-12-24 | 2010-06-15 | Lam Research Corporation | User interface for wafer data analysis and visualization |
JP4399152B2 (ja) | 2002-10-02 | 2010-01-13 | セイコーエプソン株式会社 | ネットワークを利用した検査方法、そのコンピュータプログラム、その検査システム、及び検査装置、並びにホストサーバ |
TW569373B (en) * | 2002-12-31 | 2004-01-01 | Powerchip Semiconductor Corp | Method for analyzing defect inspection parameters |
US7319935B2 (en) * | 2003-02-12 | 2008-01-15 | Micron Technology, Inc. | System and method for analyzing electrical failure data |
JP4489777B2 (ja) * | 2003-06-10 | 2010-06-23 | ケーエルエー−テンコール コーポレイション | マルチチャネルデータのグラフィック表現を用いて基板の表面において生じる欠陥を分類するための方法及びシステム |
US8045788B2 (en) * | 2003-07-14 | 2011-10-25 | August Technology Corp. | Product setup sharing for multiple inspection systems |
CN100371939C (zh) * | 2003-08-27 | 2008-02-27 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 在缺陷管理系统中使用的方法 |
US20050183028A1 (en) * | 2003-09-11 | 2005-08-18 | Clough Bradford A. | System and method for acquisition and analysis of time and location-specific data |
US7292245B2 (en) * | 2004-01-20 | 2007-11-06 | Sensitron, Inc. | Method and apparatus for time series graph display |
US20050256597A1 (en) * | 2004-05-17 | 2005-11-17 | Jen-Lin Chao | Method for transferring production lots for experiment |
US7587080B1 (en) * | 2004-11-04 | 2009-09-08 | Rockwell Automation Technologies, Inc. | Image retention user interface |
US20060143671A1 (en) * | 2004-12-23 | 2006-06-29 | Ens John E | Digital process analysis and control camera system |
US20060178767A1 (en) * | 2005-02-04 | 2006-08-10 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Systems and methods for inspection control |
JP4957226B2 (ja) * | 2005-12-15 | 2012-06-20 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 製品製造に係る品質改善を支援する情報処理端末及び品質改善支援サーバ |
DE102006042956B4 (de) * | 2006-04-07 | 2009-10-01 | Vistec Semiconductor Systems Gmbh | Verfahren zur optischen Inspektion und Visualisierung der von scheibenförmigen Objekten gewonnenen optischen Messwerte |
JP5147097B2 (ja) * | 2006-05-09 | 2013-02-20 | 東京エレクトロン株式会社 | サーバ装置、およびプログラム |
JP4774383B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2011-09-14 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | データ処理装置、およびデータ処理方法 |
US8078303B2 (en) * | 2007-07-03 | 2011-12-13 | Southwire Company | Electronic supervisor |
JP4799574B2 (ja) * | 2008-02-29 | 2011-10-26 | 株式会社東芝 | 線状パターンの検知方法および装置 |
JP4627331B2 (ja) * | 2008-09-16 | 2011-02-09 | 株式会社日立国際電気 | 半導体製造装置における生産情報のデータ解析方法及び半導体製造装置 |
JP5913787B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2016-04-27 | 株式会社堀場製作所 | 粒度分布測定装置 |
JP4722216B1 (ja) * | 2010-05-28 | 2011-07-13 | インターチェンジジャパン株式会社 | 超音波便秘改善器 |
CN102269712A (zh) * | 2010-06-04 | 2011-12-07 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 一种晶片缺陷检测方法 |
JP5518598B2 (ja) * | 2010-07-02 | 2014-06-11 | 東京エレクトロン株式会社 | パーティクル分布解析支援方法及びその方法を実施するためのプログラムを記録した記録媒体 |
US20120323506A1 (en) * | 2010-11-23 | 2012-12-20 | Andrew Payshin King | Semiconductor Defect Signal Capturing and Statistical System and Method |
US9814862B2 (en) | 2011-06-30 | 2017-11-14 | The Spectranetics Corporation | Reentry catheter and method thereof |
US8998936B2 (en) | 2011-06-30 | 2015-04-07 | The Spectranetics Corporation | Reentry catheter and method thereof |
US8956376B2 (en) | 2011-06-30 | 2015-02-17 | The Spectranetics Corporation | Reentry catheter and method thereof |
US8989478B2 (en) * | 2011-07-29 | 2015-03-24 | Kla-Tencor Corporation | Method and system for visualization of semiconductor wafer inspection data acquired in a photovoltaic cell production process |
US9099173B2 (en) * | 2012-12-14 | 2015-08-04 | Virtium Technology, Inc. | Classifying flash devices using ECC |
US10514685B2 (en) * | 2014-06-13 | 2019-12-24 | KLA—Tencor Corp. | Automatic recipe stability monitoring and reporting |
JP6601119B2 (ja) * | 2015-10-05 | 2019-11-06 | 株式会社Sumco | エピタキシャルウェーハ裏面検査装置およびそれを用いたエピタキシャルウェーハ裏面検査方法 |
JP6959879B2 (ja) * | 2018-02-08 | 2021-11-05 | 株式会社Screenホールディングス | データ処理方法、データ処理装置、および、データ処理プログラム |
US11122680B2 (en) * | 2019-03-18 | 2021-09-14 | International Business Machines Corporation | Passive methods of loose die identification |
Family Cites Families (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3751647A (en) * | 1971-09-22 | 1973-08-07 | Ibm | Semiconductor and integrated circuit device yield modeling |
US3873972A (en) | 1971-11-01 | 1975-03-25 | Theodore H Levine | Analytic character recognition system |
US4189711A (en) | 1977-11-08 | 1980-02-19 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Multilevel processing of image signals |
JPS5619635A (en) * | 1979-07-27 | 1981-02-24 | Hitachi Ltd | Manufacturing apparatus |
US4365318A (en) | 1980-09-15 | 1982-12-21 | International Business Machines Corp. | Two speed recirculating memory system using partially good components |
JPS57132044A (en) | 1981-02-10 | 1982-08-16 | Hitachi Metals Ltd | Discriminating method of surface defect |
JPS58165337A (ja) * | 1982-03-26 | 1983-09-30 | Hitachi Ltd | 半導体製造プラントにおける不良解析方法 |
JPS5967638A (ja) * | 1982-10-09 | 1984-04-17 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造システム |
JPS59228726A (ja) * | 1983-06-10 | 1984-12-22 | Hitachi Ltd | 不良解析装置 |
GB2146427B (en) | 1983-08-01 | 1987-10-21 | Canon Kk | Semiconductor manufacture |
JPH0669060B2 (ja) * | 1984-02-17 | 1994-08-31 | 株式会社日立製作所 | 検査装置 |
US4853967A (en) * | 1984-06-29 | 1989-08-01 | International Business Machines Corporation | Method for automatic optical inspection analysis of integrated circuits |
US4659220A (en) | 1984-10-22 | 1987-04-21 | International Business Machines Corporation | Optical inspection system for semiconductor wafers |
JPS61243378A (ja) | 1985-04-22 | 1986-10-29 | Hitachi Ltd | 電子回路装置の検査のための不良解析支援装置及びその使用方法 |
JPS6276712A (ja) | 1985-09-30 | 1987-04-08 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
US4928313A (en) | 1985-10-25 | 1990-05-22 | Synthetic Vision Systems, Inc. | Method and system for automatically visually inspecting an article |
JPH0618230B2 (ja) | 1986-01-21 | 1994-03-09 | 三菱電機株式会社 | メモリicテスト装置 |
EP0236738A3 (en) * | 1986-02-05 | 1988-12-21 | OMRON Corporation | Input method for reference printed circuit board assembly data to an image processing printed circuit board assembly automatic inspection apparatus |
JPS62220839A (ja) * | 1986-03-24 | 1987-09-29 | Hitachi Ltd | 検査装置 |
US4817184A (en) * | 1986-04-14 | 1989-03-28 | Vartec Corporation | Electronic inspection system and methods of inspection |
US4969198A (en) | 1986-04-17 | 1990-11-06 | International Business Machines Corporation | System for automatic inspection of periodic patterns |
JPS62247478A (ja) | 1986-04-21 | 1987-10-28 | Hitachi Ltd | パタ−ン検査装置 |
GB2190560B (en) | 1986-05-08 | 1990-06-20 | Gen Electric Plc | Data compression |
JPS62276441A (ja) | 1986-05-26 | 1987-12-01 | Hitachi Ltd | 検査方法および装置 |
JPS6366447A (ja) * | 1986-09-09 | 1988-03-25 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 異物検査装置 |
JPS6366446A (ja) * | 1986-09-09 | 1988-03-25 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | 異物検査装置 |
US4965515A (en) | 1986-10-15 | 1990-10-23 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method of testing a semiconductor wafer |
US4851902A (en) * | 1986-10-29 | 1989-07-25 | Electroplating Engineers Of Japan, Limited | Auatomatic inspection system for IC lead frames and visual inspection method thereof |
JPH077791B2 (ja) | 1986-10-29 | 1995-01-30 | 東京エレクトロン株式会社 | プロ−ブ装置 |
JP2609594B2 (ja) * | 1986-11-28 | 1997-05-14 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置 |
US5093797A (en) * | 1987-01-13 | 1992-03-03 | Omron Tateisi Electronics Co. | Apparatus for inspecting packaged electronic device |
JPS63220513A (ja) * | 1987-03-09 | 1988-09-13 | Oki Electric Ind Co Ltd | モニタウエハのデ−タ管理方法 |
JPH0671038B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1994-09-07 | 株式会社東芝 | 結晶欠陥認識処理方法 |
JPS6473241A (en) | 1987-09-14 | 1989-03-17 | Mitsubishi Electric Corp | Foreign matter inspecting device |
JPH01122132A (ja) * | 1987-11-06 | 1989-05-15 | Hitachi Ltd | プロセス装置の発塵評価法 |
JP2583250B2 (ja) * | 1987-11-25 | 1997-02-19 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査方法 |
JP2604607B2 (ja) | 1987-12-09 | 1997-04-30 | 三井金属鉱業株式会社 | 欠陥分布測定法および装置 |
US4881863A (en) * | 1987-12-17 | 1989-11-21 | Primary Systems Corporation | Apparatus for inspecting wafers |
JP2688361B2 (ja) * | 1988-08-02 | 1997-12-10 | 正己 山川 | 光電センサ |
US5153444A (en) | 1988-12-23 | 1992-10-06 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for detecting patterns |
US5228097A (en) | 1989-02-07 | 1993-07-13 | Ezel, Inc. | Method for registering image data |
JP2941308B2 (ja) * | 1989-07-12 | 1999-08-25 | 株式会社日立製作所 | 検査システムおよび電子デバイスの製造方法 |
US4928373A (en) * | 1989-07-17 | 1990-05-29 | Kennametal Inc. | Collet tool |
US5216726A (en) | 1990-03-23 | 1993-06-01 | United Silicon Structures, Inc. | Data compression process |
US5109438A (en) | 1990-04-25 | 1992-04-28 | Hughes Aircraft Company | Data compression system and method |
US5070532A (en) | 1990-09-26 | 1991-12-03 | Radius Inc. | Method for encoding color images |
US5497381A (en) | 1993-10-15 | 1996-03-05 | Analog Devices, Inc. | Bitstream defect analysis method for integrated circuits |
-
1989
- 1989-07-12 JP JP1177934A patent/JP2941308B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-07-12 KR KR1019900010577A patent/KR940001808B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1992
- 1992-06-30 US US07/908,550 patent/US5841893A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-10-27 US US08/958,095 patent/US6185322B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-03-10 US US09/523,380 patent/US6339653B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-03-15 US US09/525,527 patent/US6330352B1/en not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-01-03 US US09/752,674 patent/US6628817B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-29 US US09/893,889 patent/US6529619B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-10-30 US US09/984,523 patent/US20020034326A1/en not_active Abandoned
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR19990078305A (ko) * | 1998-03-27 | 1999-10-25 | 사사키 요시오 | 레지스트층의 형성 방법 및 인쇄회로 기판의 제조방법 |
KR100376802B1 (ko) * | 2000-04-01 | 2003-03-19 | 삼성전자주식회사 | 하드디스크 드라이브의 불량 판정 전문가 시스템 및 그 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2941308B2 (ja) | 1999-08-25 |
US6628817B2 (en) | 2003-09-30 |
US6185322B1 (en) | 2001-02-06 |
KR940001808B1 (ko) | 1994-03-09 |
US20010038708A1 (en) | 2001-11-08 |
US20010001015A1 (en) | 2001-05-10 |
US6330352B1 (en) | 2001-12-11 |
US20020034326A1 (en) | 2002-03-21 |
US6529619B2 (en) | 2003-03-04 |
JPH0344054A (ja) | 1991-02-25 |
US5841893A (en) | 1998-11-24 |
US6339653B1 (en) | 2002-01-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR910003777A (ko) | 검사 데이터 해석 시스템 | |
US7127099B2 (en) | Image searching defect detector | |
JP5460662B2 (ja) | 領域決定装置、観察装置または検査装置、領域決定方法および領域決定方法を用いた観察方法または検査方法 | |
US6799130B2 (en) | Inspection method and its apparatus, inspection system | |
CN104062305B (zh) | 一种集成电路缺陷的分析方法 | |
US7174281B2 (en) | Method for analyzing manufacturing data | |
US20120029679A1 (en) | Defect analysis method of semiconductor device | |
US6539272B1 (en) | Electric device inspection method and electric device inspection system | |
CN113837983A (zh) | 一种晶圆缺陷分析方法、系统、设备和介质 | |
CN115621145A (zh) | 一种晶圆缺陷检测优化方法及设备 | |
KR100499163B1 (ko) | 웨이퍼 디펙트 분류 방법 | |
US6810334B2 (en) | Method for inspecting wafer defects of a semiconductor device | |
CN107437514B (zh) | 一种针对产品量测区域缺陷监控的方法 | |
JP3550525B2 (ja) | 不良モードを有するテストウェハーの自動分類方法 | |
US6931297B1 (en) | Feature targeted inspection | |
JP4276503B2 (ja) | 半導体不良原因絞込み方法 | |
JP2002289662A (ja) | 不良原因探索プログラム及び不良原因探索システム | |
JPH10199953A (ja) | 歩留まり解析方法及びその装置 | |
TW577995B (en) | An image searching defect detector | |
KR0180213B1 (ko) | 반도체 테스트에서의 데이터 검증 방법 | |
US7263451B1 (en) | Method and apparatus for correlating semiconductor process data with known prior process data | |
US7197435B1 (en) | Method and apparatus for using clustering method to analyze semiconductor devices | |
CN111189846A (zh) | 缺陷杀伤率分析方法及分析系统 | |
JPS6165444A (ja) | 被検査チツプの回路パタ−ン外観検査方法並びにその装置 | |
JPS62115357A (ja) | 欠陥検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
G160 | Decision to publish patent application | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20100223 Year of fee payment: 17 |
|
EXPY | Expiration of term |