JP2609594B2 - 欠陥検査装置 - Google Patents
欠陥検査装置Info
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- JP2609594B2 JP2609594B2 JP61281813A JP28181386A JP2609594B2 JP 2609594 B2 JP2609594 B2 JP 2609594B2 JP 61281813 A JP61281813 A JP 61281813A JP 28181386 A JP28181386 A JP 28181386A JP 2609594 B2 JP2609594 B2 JP 2609594B2
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- diagnosed
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/84—Systems specially adapted for particular applications
- G01N21/88—Investigating the presence of flaws or contamination
- G01N21/95—Investigating the presence of flaws or contamination characterised by the material or shape of the object to be examined
- G01N21/9501—Semiconductor wafers
Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、欠陥検査技術、特に、被検査物の表面に欠
陥として付着した異物の自動欠陥検査装置に関し、例え
ば、半導体装置の製造工程において、ウエハ等の表面に
付着した異物の検査に利用して有効なものに関する。
陥として付着した異物の自動欠陥検査装置に関し、例え
ば、半導体装置の製造工程において、ウエハ等の表面に
付着した異物の検査に利用して有効なものに関する。
半導体装置の製造工程において、ウエハに異物付着等
の欠陥があると、製造歩留りや製品の品質および信頼性
の低下が発生するため、ウエハ上における欠陥について
の検査並びにそれに基づく評価ないしは診断は、オンラ
インまたはオフラインを問わず重要である。
の欠陥があると、製造歩留りや製品の品質および信頼性
の低下が発生するため、ウエハ上における欠陥について
の検査並びにそれに基づく評価ないしは診断は、オンラ
インまたはオフラインを問わず重要である。
そこで、ウエハの欠陥検査を非破壊にて実行する欠陥
検査装置として、被検査物としてのウエハに光を照射し
てウエハからの反射光をホトセンサにより測定し、その
測定結果に基づいて正常部と欠陥部とを判定して欠陥の
分布を求めるように構成されている光学検査装置が、各
種提案されている。
検査装置として、被検査物としてのウエハに光を照射し
てウエハからの反射光をホトセンサにより測定し、その
測定結果に基づいて正常部と欠陥部とを判定して欠陥の
分布を求めるように構成されている光学検査装置が、各
種提案されている。
なお、光学検査技術を述べてある例としては、株式会
社工業調査会発行「電子材料1984年１月号別冊」昭和59
年11月20日発行 P213〜P219、がある。
社工業調査会発行「電子材料1984年１月号別冊」昭和59
年11月20日発行 P213〜P219、がある。
さらに、ウエハに付着した異物の分布を検出するだけ
でなく、当該異物の大きさ、組成等を走査電子顕微鏡や
Ｘ線マイクロアナライザを用いて分析・解析する異物検
査装置も提案されている（例えば、特開昭60−218845号
公報参照）。
でなく、当該異物の大きさ、組成等を走査電子顕微鏡や
Ｘ線マイクロアナライザを用いて分析・解析する異物検
査装置も提案されている（例えば、特開昭60−218845号
公報参照）。
〔発明が解決しようとする問題点〕 このような欠陥検査装置を用いてウエハの欠陥検査を
実施する際、ウエハが診断（ないしは評価）すべきプロ
セスを経る前ら、ウエハに存在していた欠陥は、診断対
象外の欠陥であるため、除去する必要があるが、これを
人為的に除去する作業は困難であるという問題点がある
ことが、本発明者によって明らかにされた。
実施する際、ウエハが診断（ないしは評価）すべきプロ
セスを経る前ら、ウエハに存在していた欠陥は、診断対
象外の欠陥であるため、除去する必要があるが、これを
人為的に除去する作業は困難であるという問題点がある
ことが、本発明者によって明らかにされた。
本発明の目的は、診断対象外の欠陥を自動的に除去す
ることができる欠陥検査装置を提供することにある。
ることができる欠陥検査装置を提供することにある。
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろ
う。
本願において開示される発明のうち代表的なものの概
要を説明すれば、次の通りである。
要を説明すれば、次の通りである。
すなわち、本発明は被検査物における欠陥を検出する
欠陥検出手段と、欠陥検出手段の検出に基き被検査物に
おける欠陥の分布図を記憶する記憶部と、記憶部の記憶
データに基き、複数の欠陥分布図を照合する演算部とを
備え、該被検査物が診断すべきプロセスに経る前の欠陥
の状態を前記記憶部に格納するようにしたものである。
欠陥検出手段と、欠陥検出手段の検出に基き被検査物に
おける欠陥の分布図を記憶する記憶部と、記憶部の記憶
データに基き、複数の欠陥分布図を照合する演算部とを
備え、該被検査物が診断すべきプロセスに経る前の欠陥
の状態を前記記憶部に格納するようにしたものである。
前記した手段によれば、記憶部には診断すべきプロセ
スを被検査物が経る前に欠陥の分布を検査して記憶させ
ておき、診断すべきプロセス被検査物が経た後に欠陥の
分布を検査して記憶させることができる。そして、演算
部はプロセス後の被検査物における欠陥分布図からプロ
セス前の被検査物における欠陥分布図を減算することに
より、そのプロセスにおいて被検査物に発生した欠陥だ
けを選択することができる。
スを被検査物が経る前に欠陥の分布を検査して記憶させ
ておき、診断すべきプロセス被検査物が経た後に欠陥の
分布を検査して記憶させることができる。そして、演算
部はプロセス後の被検査物における欠陥分布図からプロ
セス前の被検査物における欠陥分布図を減算することに
より、そのプロセスにおいて被検査物に発生した欠陥だ
けを選択することができる。
したがって、その欠陥を解析することにより、当該プ
ロセスにおける欠陥の発生の原因等を正確に診断するこ
とができる。
ロセスにおける欠陥の発生の原因等を正確に診断するこ
とができる。
また、記憶部には診断すべきプロセスを経た全ての被
検査物についての欠陥の分布図を記憶させておくことが
できる。そして、演算部は診断すべきプロセスを経た全
ての被検査物についての欠陥分布図を積算することによ
り、そのプロセスにおいて被検査物に発生した欠陥の傾
向を顕著化することができる。したがって、この傾向を
解析することにより、当該プロセスにおける欠陥発生の
原因等を正確に診断することができる。
検査物についての欠陥の分布図を記憶させておくことが
できる。そして、演算部は診断すべきプロセスを経た全
ての被検査物についての欠陥分布図を積算することによ
り、そのプロセスにおいて被検査物に発生した欠陥の傾
向を顕著化することができる。したがって、この傾向を
解析することにより、当該プロセスにおける欠陥発生の
原因等を正確に診断することができる。
〔実施例１〕 第１図は本発明の一実施例である異物検査装置を示す
模式図、第２図はその作用を説明するための説明図であ
る。
模式図、第２図はその作用を説明するための説明図であ
る。
本実施例において、この異物検査装置は被検査物とし
てのウエハ１上に診断すべきプロセスで付着した欠陥と
しての異物の分布、およびその異物の組成を分析するよ
うに構成されており、真空状態を形成し得るように構成
されている検査室２を備えている。検査室２の片脇（以
下、右脇とする。）には予備室３がウエハ１を検査室２
に対して出し入れし得るように設備されており、検査室
２内には異物の分布を検査するための異物分布検査ステ
ージ４、および異物の組成を分析するための異物分布ス
テージ５が、右および左にそれぞれ配されて設定されて
いる。検査室２内にはウエハ１を保持するためのホルダ
６が移動台７に支持されて設備されている。移動台７は
ホルダ６をXY方向に移動させ得るように構成されてお
り、XY方向の移動座標はエンコーダ８によってコントロ
ーラ11にインプットされるようになっている。移動台７
はモータ10によって駆動される送りねじ装置９により分
布検査ステージ４と異物分析ステージ５との間を移動さ
れるように構成されており、モータ10はコントローラ11
により制御されるように構成されている。
てのウエハ１上に診断すべきプロセスで付着した欠陥と
しての異物の分布、およびその異物の組成を分析するよ
うに構成されており、真空状態を形成し得るように構成
されている検査室２を備えている。検査室２の片脇（以
下、右脇とする。）には予備室３がウエハ１を検査室２
に対して出し入れし得るように設備されており、検査室
２内には異物の分布を検査するための異物分布検査ステ
ージ４、および異物の組成を分析するための異物分布ス
テージ５が、右および左にそれぞれ配されて設定されて
いる。検査室２内にはウエハ１を保持するためのホルダ
６が移動台７に支持されて設備されている。移動台７は
ホルダ６をXY方向に移動させ得るように構成されてお
り、XY方向の移動座標はエンコーダ８によってコントロ
ーラ11にインプットされるようになっている。移動台７
はモータ10によって駆動される送りねじ装置９により分
布検査ステージ４と異物分析ステージ５との間を移動さ
れるように構成されており、モータ10はコントローラ11
により制御されるように構成されている。
検査室２の異物分布ステージ４上にはレーザ発振器12
が設備されており、この発振器12は走査ミラー13を介し
て、非破壊検査を実現する検査光としてのレーザ14をウ
エハ１に走査して照射するように構成されている。ま
た、異物分布ステージ４にはホトセンサ16がレーザの照
射点に対向されて設備されており、このオトセンサ16は
ウエハ１上の異物に照射されたレーザ14の散乱光15を検
出し得るように構成されている。そして、走査ミラー13
は異物検査コントローラ17により制御されるように構成
されており、ホトセンサ16はコントローラ17にその検出
結果をインプットするように構成されている。
が設備されており、この発振器12は走査ミラー13を介し
て、非破壊検査を実現する検査光としてのレーザ14をウ
エハ１に走査して照射するように構成されている。ま
た、異物分布ステージ４にはホトセンサ16がレーザの照
射点に対向されて設備されており、このオトセンサ16は
ウエハ１上の異物に照射されたレーザ14の散乱光15を検
出し得るように構成されている。そして、走査ミラー13
は異物検査コントローラ17により制御されるように構成
されており、ホトセンサ16はコントローラ17にその検出
結果をインプットするように構成されている。
検査室２の異物分析ステージ５上には走査形電子顕微
鏡（以下、SEMという。）の電子銃18が、分析ステージ
５上のウエハ１における異物に電子線を照射し得るよう
に設備されており、電子銃18はSEMコントローラ19によ
り制御されるように構成されている。電子銃18の片脇に
は２次電子検出器20が電子線の照射により異物から飛び
出す２次電子が検出し得るように設備されており、この
検出器20はその検出結果をSEMコントローラ19にインプ
ットさせるように構成されている。また、異物分析ステ
ージ５上にはＸ線検出器21が電子線の照射により異物か
ら放射されるＸ線を検出し得るように設備されており、
その検出結果はＸ線マイクロアナライザ22にインプット
させるように構成されている。
鏡（以下、SEMという。）の電子銃18が、分析ステージ
５上のウエハ１における異物に電子線を照射し得るよう
に設備されており、電子銃18はSEMコントローラ19によ
り制御されるように構成されている。電子銃18の片脇に
は２次電子検出器20が電子線の照射により異物から飛び
出す２次電子が検出し得るように設備されており、この
検出器20はその検出結果をSEMコントローラ19にインプ
ットさせるように構成されている。また、異物分析ステ
ージ５上にはＸ線検出器21が電子線の照射により異物か
ら放射されるＸ線を検出し得るように設備されており、
その検出結果はＸ線マイクロアナライザ22にインプット
させるように構成されている。
この異物検査装置はコンピュータ等からなる中央処理
ユニット（以下、CPUという。）23を備えており、そのC
PU23には前記ホルダコントローラ11および異物検出コン
トローラ17が接続されている。また、CPU23には所望の
パラメータ等を設定するためのコンソール24、欠陥分布
図記憶部としてのメモリー25および演算部26がそれぞれ
接続されており、メモリー25および演算部26にはプリン
タ、ディスプレー装置、外部メモリー等のような出力装
置27が接続されている。メモリー25はCPU23を通じて異
物検出コントローラ17から送られて来るウエハ１上の異
物の位置を分布図として記憶し得るように構成されてい
る。また、演算部26はCPU23によって制御されることに
より、CPU23を通じてメモリー24から送られて来る異物
分布図を照合して演算等のような所望の演算を実行し得
るように構成されている。
ユニット（以下、CPUという。）23を備えており、そのC
PU23には前記ホルダコントローラ11および異物検出コン
トローラ17が接続されている。また、CPU23には所望の
パラメータ等を設定するためのコンソール24、欠陥分布
図記憶部としてのメモリー25および演算部26がそれぞれ
接続されており、メモリー25および演算部26にはプリン
タ、ディスプレー装置、外部メモリー等のような出力装
置27が接続されている。メモリー25はCPU23を通じて異
物検出コントローラ17から送られて来るウエハ１上の異
物の位置を分布図として記憶し得るように構成されてい
る。また、演算部26はCPU23によって制御されることに
より、CPU23を通じてメモリー24から送られて来る異物
分布図を照合して演算等のような所望の演算を実行し得
るように構成されている。
次に作用を説明する。
まず、診断すべきプロセスを経る前のウエハ１が、予
備室３から検査室２内の異物検出ステージ４に移動され
ているホルダ６上に移載される。
備室３から検査室２内の異物検出ステージ４に移動され
ているホルダ６上に移載される。
続いて、レーザ発振器12からのレーザ14がミラー13に
より走査されながら、ウエハ１を移動台７によってXY方
向に移動されることによりウエハ１全面にわたって規則
的に照射される。このとき、ウエハ上に異物があると、
異物に照射したレーザ14は散乱するため、散乱光15がホ
トセンサ16によって検出される。異物が検出されると、
ホトセンサ16からコントローラ17に検出信号がインプッ
トされるとともに、エンコーダ８の出力がメモリー25に
ラッチされる。CPU23はこの異物位置に基き、第２図
（ｂ）に示されているようなプロセス通過前の異物分布
図31を仮想的に作成し、これをメモリー25に記憶させ
る。
より走査されながら、ウエハ１を移動台７によってXY方
向に移動されることによりウエハ１全面にわたって規則
的に照射される。このとき、ウエハ上に異物があると、
異物に照射したレーザ14は散乱するため、散乱光15がホ
トセンサ16によって検出される。異物が検出されると、
ホトセンサ16からコントローラ17に検出信号がインプッ
トされるとともに、エンコーダ８の出力がメモリー25に
ラッチされる。CPU23はこの異物位置に基き、第２図
（ｂ）に示されているようなプロセス通過前の異物分布
図31を仮想的に作成し、これをメモリー25に記憶させ
る。
このようにしてプロセスを経る前の異物分布図31を作
成されたウエハ１は検査室２から予備室３を経て外部に
取り出され、診断すべきプロセスに送られて所定の処理
を施こされる。
成されたウエハ１は検査室２から予備室３を経て外部に
取り出され、診断すべきプロセスに送られて所定の処理
を施こされる。
その後、診断すべきプロセスを経たウエハ１は予備室
３から検査室２内の異物検出ステージ４のホルダ６に移
載される。
３から検査室２内の異物検出ステージ４のホルダ６に移
載される。
続いて、ウエハ１は前記と同様な作動により異物を検
出され、その異物の位置により、第２図（ａ）に示され
ているようなプロセス経過後の異物分布図32が仮想的に
作成されてメモリー25に記憶される。
出され、その異物の位置により、第２図（ａ）に示され
ているようなプロセス経過後の異物分布図32が仮想的に
作成されてメモリー25に記憶される。
ウエハ１の全面についての異物検査が終了すると、ウ
エハ１を保持したホルダ６は移動台７により分析ステー
ジ５におけるSEM電子銃18の真下に移動される。
エハ１を保持したホルダ６は移動台７により分析ステー
ジ５におけるSEM電子銃18の真下に移動される。
検出した異物の位置座標はメモリー25に記憶されてい
るため、そのデータに基き移動台７はホルダ６を移動さ
せて、観察したい位置の異物を電子銃18の照射点に順次
対向させて行く。
るため、そのデータに基き移動台７はホルダ６を移動さ
せて、観察したい位置の異物を電子銃18の照射点に順次
対向させて行く。
異物に電子線が照射されることにより、異物から飛び
出す２次電子が２次電子検出部20によって検出され、ま
た、放射されるＸ線がＸ線検出器21によって検出され
る。この検出結果は、SEMコントローラ19およびＸ線マ
イクロアナライザ22にインプットされ、外部メモリーや
周辺機器に送られ、異物の大きさ分析や組成分析等に供
される。
出す２次電子が２次電子検出部20によって検出され、ま
た、放射されるＸ線がＸ線検出器21によって検出され
る。この検出結果は、SEMコントローラ19およびＸ線マ
イクロアナライザ22にインプットされ、外部メモリーや
周辺機器に送られ、異物の大きさ分析や組成分析等に供
される。
ところで、診断すべきプロセスを経る前からウエハ１
に付着していた異物は、診断すべきプロセスによって付
着した異物ではないため、診断から除去してもよい。ま
た、SEMおよびＸ線アナライザによる大きさ分析や組成
分析には時間および費用等を要するため、重要でない異
物についての分析作業は真に必要な異物分析作業の妨げ
になる。したがって、診断すべきプロセスを経る前から
ウエハ１に付着していた異物についての分析作業は省略
することが望ましい。
に付着していた異物は、診断すべきプロセスによって付
着した異物ではないため、診断から除去してもよい。ま
た、SEMおよびＸ線アナライザによる大きさ分析や組成
分析には時間および費用等を要するため、重要でない異
物についての分析作業は真に必要な異物分析作業の妨げ
になる。したがって、診断すべきプロセスを経る前から
ウエハ１に付着していた異物についての分析作業は省略
することが望ましい。
そこで、本実施例において、CPU23は演算部26をし
て、第２図に示されているような減算を実行させること
により、第２図（ｃ）に示されいる対象プロセスで付着
した異物の分布図33を仮想的に求め、その分布図33を基
いて移動台７を操作することにより、診断すべきプロセ
スで付着した異物のみを電子銃18の照射点に導き、分析
検査を実行させる。すなわち、演算部26は第２図（ａ）
に示されているプロセス通過後の異物分布図32から、同
図（ｂ）に示されているプロセス通過前の異物分布図31
を引くことにより、同図（ｃ）に示されているプロセス
で付着した異物の分布図33を演算することになる。
て、第２図に示されているような減算を実行させること
により、第２図（ｃ）に示されいる対象プロセスで付着
した異物の分布図33を仮想的に求め、その分布図33を基
いて移動台７を操作することにより、診断すべきプロセ
スで付着した異物のみを電子銃18の照射点に導き、分析
検査を実行させる。すなわち、演算部26は第２図（ａ）
に示されているプロセス通過後の異物分布図32から、同
図（ｂ）に示されているプロセス通過前の異物分布図31
を引くことにより、同図（ｃ）に示されているプロセス
で付着した異物の分布図33を演算することになる。
このようにして、本実施例においては、プロセスで付
着した異物のみが電子銃18に順次対向されて分析作業を
受けることになるため、分析作業の能率が高められるこ
とになる。
着した異物のみが電子銃18に順次対向されて分析作業を
受けることになるため、分析作業の能率が高められるこ
とになる。
前記実施例によれば次の効果が得られる。
（１） 異物検出手段の検出に基きウエハにおける異物
の分布図を記憶するメモリーと、メモリーのデータに基
いて複数の異物分布図を照合する演算部とを設けること
により、プロセス通過後の異物分布図からプロセス通過
前の異物分布図を引くことによって、プロセスで付着し
た異物の分布図を自動的に求めることができるため、プ
ロセスにおける異物の付着傾向を正確かつ迅速に知るこ
とができ、プロセスに対する診断ないしは評価を正確か
つ迅速化させることができる。
の分布図を記憶するメモリーと、メモリーのデータに基
いて複数の異物分布図を照合する演算部とを設けること
により、プロセス通過後の異物分布図からプロセス通過
前の異物分布図を引くことによって、プロセスで付着し
た異物の分布図を自動的に求めることができるため、プ
ロセスにおける異物の付着傾向を正確かつ迅速に知るこ
とができ、プロセスに対する診断ないしは評価を正確か
つ迅速化させることができる。
（２） プロセスで付着した異物の分布図を求めること
により、相対的に診断すべきプロセス通過前に付着して
いた異物を分布図から排除することができるため、異物
の大きさや組成について分析検査を実施する場合、検査
能率を高めることができるとともに、プロセスに対する
診断ないしは評価の正確さを高めることができる。
により、相対的に診断すべきプロセス通過前に付着して
いた異物を分布図から排除することができるため、異物
の大きさや組成について分析検査を実施する場合、検査
能率を高めることができるとともに、プロセスに対する
診断ないしは評価の正確さを高めることができる。
〔実施例２〕 第３図は本発明の他の実施例を示す第２付い相当する
説明図である。
説明図である。
本実施例２は、診断すべきプロセスにおける異物の付
着傾向を求める場合に適用するものであり、本実施例に
おいても第１図に示されている異物検査装置が使用され
る。この場合、メモリー25には同一プロセスをそれぞれ
通過した複数枚のウエハについてそのプロセスで付着し
た異物の分布図33A、33B…が順次記憶されて行く。そし
て、所定数以上の分布図33A、33B…がメモリー25に蓄積
されたところで、演算部26は第３図に示されているよう
に、全ての分布図33A、33Bを加算し同図（ｃ）に示され
ている累積分布図34を自動的に求める。
着傾向を求める場合に適用するものであり、本実施例に
おいても第１図に示されている異物検査装置が使用され
る。この場合、メモリー25には同一プロセスをそれぞれ
通過した複数枚のウエハについてそのプロセスで付着し
た異物の分布図33A、33B…が順次記憶されて行く。そし
て、所定数以上の分布図33A、33B…がメモリー25に蓄積
されたところで、演算部26は第３図に示されているよう
に、全ての分布図33A、33Bを加算し同図（ｃ）に示され
ている累積分布図34を自動的に求める。
この累積分布図34における異物の分布傾向を観察する
ことにより、そのプロセスにおける異物の発生傾向が診
断ないしは評価される。この場合、異物分布の累積が自
動的に行われるため、累積ミス等がなく診断・評価が正
確に行われるとともに、迅速かつオンラインでの診断・
評価も可能になり、生産性を高めることができる。
ことにより、そのプロセスにおける異物の発生傾向が診
断ないしは評価される。この場合、異物分布の累積が自
動的に行われるため、累積ミス等がなく診断・評価が正
確に行われるとともに、迅速かつオンラインでの診断・
評価も可能になり、生産性を高めることができる。
以上本発明者によってなされた発明を実施例に基づき
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
具体的に説明したが、本発明は前記実施例に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可
能であることはいうまでもない。
例えば、ウエハにおける異物の分布検査後、異物の大
きさや組成についての分析検査を実施するように構成す
るに限らず、異物検出だけを実施する装置において異物
の分布を求めるように構成してもよい。
きさや組成についての分析検査を実施するように構成す
るに限らず、異物検出だけを実施する装置において異物
の分布を求めるように構成してもよい。
分布を求める対象として欠陥は異物に限らず、外観検
査における欠損欠陥や突起欠陥、寸法誤差欠陥等であっ
てもよい。
査における欠損欠陥や突起欠陥、寸法誤差欠陥等であっ
てもよい。
欠陥検出手段としては、ウエハにレーザを照射してそ
の散乱光を検出するように構成されている光学的手段、
を使用するに限らず、ウエハに電子線等の荷電粒子ビー
ムを照射しその２次粒子または波を検出するように構成
されている手段等を使用してもよい。
の散乱光を検出するように構成されている光学的手段、
を使用するに限らず、ウエハに電子線等の荷電粒子ビー
ムを照射しその２次粒子または波を検出するように構成
されている手段等を使用してもよい。
以上の説明では主として本発明者によってなされた発
明はその背景となった利用分野であるウエハの異物検査
技術に適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではなく、ホトマスク等の欠陥検査装置に適用
することができる。本発明は少なくとも複数の被検査物
が同一のプロセスを通過する場合における欠陥検査装置
全般に適用することができる。
明はその背景となった利用分野であるウエハの異物検査
技術に適用した場合について説明したが、それに限定さ
れるものではなく、ホトマスク等の欠陥検査装置に適用
することができる。本発明は少なくとも複数の被検査物
が同一のプロセスを通過する場合における欠陥検査装置
全般に適用することができる。
本願において開示される発明のうち代表的なものによ
って得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りであ
る。
って得られる効果を簡単に説明すれば、次の通りであ
る。
異物検出手段の検出に基き被検査物における欠陥の分
布図を記憶する記憶部と、記憶部のデータに基いて複数
の欠陥分布図を照合する演算部とを設けることにより、
プロセスにおいて欠陥が発生する傾向を自動的に知るこ
とができるため、プロセスに対する診断ないしは評価を
迅速に実行させることができるとともに、その正確度を
高めることができる。
布図を記憶する記憶部と、記憶部のデータに基いて複数
の欠陥分布図を照合する演算部とを設けることにより、
プロセスにおいて欠陥が発生する傾向を自動的に知るこ
とができるため、プロセスに対する診断ないしは評価を
迅速に実行させることができるとともに、その正確度を
高めることができる。
第１図は本発明の一実施例である異物検査装置を示す模
式図、 第２図はその作用を説明するための説明図、 第３図は本発明の他の実施例を示す第２図に相当する説
明図である。 １……ウエハ（被検査物）、２……検査室、３……予備
室、４……異物検出ステージ、５……異物分析ステー
ジ、６……ホルダ、７……移動台、８……リニアエンコ
ーダ、９……送りねじ装置、10……モータ、11……ホル
ダコントローラ、12……レーザ発振器、13……走査ミラ
ー、14……レーザ、15……散乱光、16……ホトセンサ、
17……異物検出コントローラ、18……SEM電子銃、19…
…SEMコントローラ、20……２次電子検出器、21……Ｘ
線検出器、22……Ｘ線マイクロアナライザ、23……CP
U、24……コンソール、25……メモリー（欠陥分布図記
憶部）、26……演算部、27……出力機器、31……プロセ
ス通過前の異物分布図、32……プロセス通過後の異物分
布図、33、33A、33B……プロセスで付着した異物分布
図、34……累積分布図。
式図、 第２図はその作用を説明するための説明図、 第３図は本発明の他の実施例を示す第２図に相当する説
明図である。 １……ウエハ（被検査物）、２……検査室、３……予備
室、４……異物検出ステージ、５……異物分析ステー
ジ、６……ホルダ、７……移動台、８……リニアエンコ
ーダ、９……送りねじ装置、10……モータ、11……ホル
ダコントローラ、12……レーザ発振器、13……走査ミラ
ー、14……レーザ、15……散乱光、16……ホトセンサ、
17……異物検出コントローラ、18……SEM電子銃、19…
…SEMコントローラ、20……２次電子検出器、21……Ｘ
線検出器、22……Ｘ線マイクロアナライザ、23……CP
U、24……コンソール、25……メモリー（欠陥分布図記
憶部）、26……演算部、27……出力機器、31……プロセ
ス通過前の異物分布図、32……プロセス通過後の異物分
布図、33、33A、33B……プロセスで付着した異物分布
図、34……累積分布図。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村松 公夫 高崎市西横手町111番地 株式会社日立 製作所高崎工場内 (72)発明者 萩野 正吉 高崎市西横手町111番地 株式会社日立 製作所高崎工場内 (72)発明者 岡田 経雄 高崎市西横手町111番地 株式会社日立 製作所高崎工場内 (72)発明者 中村 寿人 東京都千代田区大手町２丁目６番２号 日立電子エンジニアリング株式会社内 (56)参考文献 特開 昭60−218845（ＪＰ，Ａ) 特開 昭57−113356（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−17147（ＪＰ，Ａ) 特公 昭57−5057（ＪＰ，Ｂ２)
Claims (3)
- 【請求項１】被検査物主面に検査光、又は電子線を走査
しながら照射して該主面上に存在する異物、又は欠陥に
より散乱される散乱光、又は２次電子を検出して、前記
異物、又は欠陥の位置を検出する欠陥検出手段と、 前記被検査物主面上の異物、又は欠陥に電子線を照射し
て該異物、又は欠陥より放出される２次電子、又はＸ線
を検出して、前記異物、又は欠陥の分析情報を検出する
欠陥分析手段とを備えた欠陥検査装置において、 前記欠陥検出手段により求めた、被検査物が診断すべき
プロセスを経る前と、経た後のそれぞれの前記被検査物
主面上の異物、又は欠陥の分布図を記憶する記憶部と、 前記記憶部に記憶された両分布図を照合し、前記診断す
べきプロセスを経た後の分布図に存在して、かつ前記診
断すべきプロセスを経る前の分布図に存在しない異物、
又は欠陥を前記診断すべきプロセスにおいて発生したと
特定する演算部と、 前記演算部において特定した異物、又は欠陥の位置へ、
前記電子線の照射位置を制御する前記欠陥分析手段とを
備えたことを特徴とする欠陥検査装置。 - 【請求項２】被検査物主面に検査光、又は電子線を走査
しながら照射して該主面上に存在する異物、又は欠陥に
より散乱される散乱光、又は２次電子を検出して、前記
異物、又は欠陥の位置を検出する欠陥検出手段を備えた
欠陥検査装置において、 前記欠陥検出手段により求めた、被検査物が診断すべき
プロセスを経る前と、経た後のそれぞれの前記被検査物
主面上の異物、又は欠陥の分布図を記憶する記憶部と、 前記記憶部に記憶された両分布図を照合し、前記診断す
べきプロセスを経た後の分布図に存在して、かつ前記診
断すべきプロセスを経る前の分布図に存在しない異物、
又は欠陥を前記診断すべきプロセスにおいて発生したと
特定する演算部と、 前記演算部において特定した異物、又は欠陥の位置情報
を表示、又は出力する出力装置とを備えたことを特徴と
する欠陥検査装置。 - 【請求項３】被検査物主面に検査光、又は電子線を走査
しながら照射して該主面上に存在する異物、又は欠陥に
より散乱される散乱光、又は２次電子を検出して、前記
異物、又は欠陥の位置を検出する欠陥検出手段を備えた
欠陥検査装置において、 前記欠陥検出手段により求めた、被検査物が診断すべき
プロセスを経る前と、経た後のそれぞれの前記被検査物
主面上の異物、又は欠陥の分布図を、複数枚の被検査物
に対して記憶する記憶部と、 前記記憶部に記憶された各被検査物の両分布図を照合
し、前記診断すべきプロセスを経た後の分布図に存在し
て、かつ前記診断すべきプロセスを経る前の分布図を存
在しない異物、又は欠陥を前記診断すべきプロセスにお
いて発生したと特定し、該特定した異物、又は欠陥を全
ての被検査物に関して総計して前記診断すべきプロセス
における発生傾向の情報を作成する演算部とを備えたこ
とを特徴とする欠陥検査装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61281813A JP2609594B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 欠陥検査装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61281813A JP2609594B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 欠陥検査装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63135848A JPS63135848A (ja) | 1988-06-08 |
| JP2609594B2 true JP2609594B2 (ja) | 1997-05-14 |
Family
ID=17644350
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61281813A Expired - Lifetime JP2609594B2 (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 欠陥検査装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2609594B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2941308B2 (ja) | 1989-07-12 | 1999-08-25 | 株式会社日立製作所 | 検査システムおよび電子デバイスの製造方法 |
| US6185324B1 (en) | 1989-07-12 | 2001-02-06 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor failure analysis system |
| JPH03202760A (ja) * | 1989-10-19 | 1991-09-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 全反射螢光ｘ線分折装置 |
| US6411377B1 (en) | 1991-04-02 | 2002-06-25 | Hitachi, Ltd. | Optical apparatus for defect and particle size inspection |
| WO1997035337A1 (en) * | 1996-03-19 | 1997-09-25 | Hitachi, Ltd. | Process control system |
| JPH11243041A (ja) * | 1998-02-26 | 1999-09-07 | Mitsubishi Electric Corp | 品質管理システムおよび記録媒体 |
| JP2000306963A (ja) | 1999-04-22 | 2000-11-02 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置及びその製造方法並びに半導体製造装置及び製造システム |
| JP4183492B2 (ja) | 2002-11-27 | 2008-11-19 | 株式会社日立製作所 | 欠陥検査装置および欠陥検査方法 |
| JP2005283190A (ja) | 2004-03-29 | 2005-10-13 | Hitachi High-Technologies Corp | 異物検査方法及びその装置 |
| JP4713185B2 (ja) | 2005-03-11 | 2011-06-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 異物欠陥検査方法及びその装置 |
| JP4988223B2 (ja) | 2005-06-22 | 2012-08-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置およびその方法 |
| JP4988224B2 (ja) | 2006-03-01 | 2012-08-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及びその装置 |
| JP2007248086A (ja) | 2006-03-14 | 2007-09-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 欠陥検査装置 |
| US7664608B2 (en) | 2006-07-14 | 2010-02-16 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspection method and apparatus |
| JP4928862B2 (ja) | 2006-08-04 | 2012-05-09 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法及びその装置 |
| JP5221858B2 (ja) | 2006-08-30 | 2013-06-26 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置、及び欠陥検査方法 |
| US7847927B2 (en) | 2007-02-28 | 2010-12-07 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defect inspection method and defect inspection apparatus |
| JP4876019B2 (ja) | 2007-04-25 | 2012-02-15 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査装置およびその方法 |
| CN110148569B (zh) * | 2019-05-16 | 2021-08-24 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 一种键合结构的缺陷扫描方法及设备 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS575057A (en) * | 1980-06-12 | 1982-01-11 | Canon Inc | Document feeder |
| JPS57113356A (en) * | 1980-12-30 | 1982-07-14 | Fujitsu Ltd | Article inspection system |
| JPS60218845A (ja) * | 1984-04-16 | 1985-11-01 | Hitachi Ltd | 異物検査装置 |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP61281813A patent/JP2609594B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63135848A (ja) | 1988-06-08 |
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