JPH0997585A - 画像取り込み方法および装置ならびにそれを用いた半導体製造装置 - Google Patents
画像取り込み方法および装置ならびにそれを用いた半導体製造装置Info
- Publication number
- JPH0997585A JPH0997585A JP7254819A JP25481995A JPH0997585A JP H0997585 A JPH0997585 A JP H0997585A JP 7254819 A JP7254819 A JP 7254819A JP 25481995 A JP25481995 A JP 25481995A JP H0997585 A JPH0997585 A JP H0997585A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processed
- optical microscope
- microscope
- image
- stage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 画像の取り込みにおいて、ＳＥＭを用いた観
察作業の効率を向上させる。 【解決手段】 半導体チップ１に光を照射して半導体チ
ップ１の画像を取り込む光学顕微鏡２と、光学顕微鏡２
と並べて配置する電子放出部３ｃを備えかつ半導体チッ
プ１に照射した電子ビーム３ａの反射電子３ｂを検出す
ることにより半導体チップ１の表面１ａの情報を取り込
む走査電子顕微鏡３と、光学顕微鏡２と電子放出部３ｃ
とに対向した被処理物支持面４ａを備えかつ半導体チッ
プ１を支持するステージ４と、光学顕微鏡２が取り込ん
だ画像または走査電子顕微鏡３による半導体チップ１の
表面１ａの情報を出力するモニタ５とからなり、同一の
ステージ４に支持された半導体チップ１の光学顕微鏡２
による画像と走査電子顕微鏡３による半導体チップ１の
表面１ａの形状とを出力する。
察作業の効率を向上させる。 【解決手段】 半導体チップ１に光を照射して半導体チ
ップ１の画像を取り込む光学顕微鏡２と、光学顕微鏡２
と並べて配置する電子放出部３ｃを備えかつ半導体チッ
プ１に照射した電子ビーム３ａの反射電子３ｂを検出す
ることにより半導体チップ１の表面１ａの情報を取り込
む走査電子顕微鏡３と、光学顕微鏡２と電子放出部３ｃ
とに対向した被処理物支持面４ａを備えかつ半導体チッ
プ１を支持するステージ４と、光学顕微鏡２が取り込ん
だ画像または走査電子顕微鏡３による半導体チップ１の
表面１ａの情報を出力するモニタ５とからなり、同一の
ステージ４に支持された半導体チップ１の光学顕微鏡２
による画像と走査電子顕微鏡３による半導体チップ１の
表面１ａの形状とを出力する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＳＥＭ(Scanning
Electron Microscopy)像を用いた半導体製造技術に関
し、特に、配線部などの故障解析時に用いる画像取り込
み方法および装置ならびにそれを用いた半導体製造装置
に関するものである。
Electron Microscopy)像を用いた半導体製造技術に関
し、特に、配線部などの故障解析時に用いる画像取り込
み方法および装置ならびにそれを用いた半導体製造装置
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】以下に説明する技術は、本発明を研究、
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
完成するに際し、本発明者によって検討されたものであ
り、その概要は次のとおりである。
【０００３】半導体製造工程において用いられるＳＥＭ
像に関しては、例えば、ＦＩＢ(Focused Ion Beam ）加
工装置、ＥＢ(Electron Beam) テスタなどにおけるモニ
タ像として使用されている場合が多く、特に、半導体製
造工程におけるＬＳＩ（Large Scale Integrated circu
it) の故障解析や断面部の観察などに利用されている。
像に関しては、例えば、ＦＩＢ(Focused Ion Beam ）加
工装置、ＥＢ(Electron Beam) テスタなどにおけるモニ
タ像として使用されている場合が多く、特に、半導体製
造工程におけるＬＳＩ（Large Scale Integrated circu
it) の故障解析や断面部の観察などに利用されている。
【０００４】ここで、光学顕微鏡と走査電子顕微鏡（以
降、単にＳＥＭとも呼ぶ）とを使用する場合には、各々
別々の装置として使用している。
降、単にＳＥＭとも呼ぶ）とを使用する場合には、各々
別々の装置として使用している。
【０００５】なお、ＦＩＢ加工装置を用いた故障解析技
術については、例えば、１９９３年６月３０日発行、日
刊工業新聞社、垂井康夫その他２名（監修・著）「ＶＬ
ＳＩプロセス技術」１２０〜１２５頁に記載されてい
る。
術については、例えば、１９９３年６月３０日発行、日
刊工業新聞社、垂井康夫その他２名（監修・著）「ＶＬ
ＳＩプロセス技術」１２０〜１２５頁に記載されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前記した技
術におけるＳＥＭを用いた装置では、観察位置の捜索に
手間がかかり作業効率が低下するという問題がある。
術におけるＳＥＭを用いた装置では、観察位置の捜索に
手間がかかり作業効率が低下するという問題がある。
【０００７】例えば、ＬＳＩの故障箇所の観察を行う際
には、ＬＳＩの配線部はシラン膜やＴＥＯＳ膜（Tetrae
thyl Ortho Silicate)などの保護膜に覆われているた
め、前記保護膜を電子ビームが透過せず、保護膜より下
層の配線部のＳＥＭ観察を行い難いことが問題とされ
る。
には、ＬＳＩの配線部はシラン膜やＴＥＯＳ膜（Tetrae
thyl Ortho Silicate)などの保護膜に覆われているた
め、前記保護膜を電子ビームが透過せず、保護膜より下
層の配線部のＳＥＭ観察を行い難いことが問題とされ
る。
【０００８】本発明の目的は、ＳＥＭを用いた観察作業
の効率を向上させる画像取り込み方法および装置ならび
にそれを用いた半導体製造装置を提供することにある。
の効率を向上させる画像取り込み方法および装置ならび
にそれを用いた半導体製造装置を提供することにある。
【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１１】すなわち、本発明の画像取り込み方法は、
被処理物をステージ上に載置し、前記ステージと対向し
て設けられた光学顕微鏡によって前記被処理物の画像を
取り込み、前記光学顕微鏡が取り込んだ画像によって予
め電子ビームの照射箇所を絞り込んだ後、前記ステージ
と対向しかつ前記光学顕微鏡と並んで配置された走査電
子顕微鏡の電子放出部から前記被処理物に電子ビームを
照射し、前記被処理物から反射した反射電子を検出する
ことによって前記被処理物の表面の情報を取り込むもの
である。
被処理物をステージ上に載置し、前記ステージと対向し
て設けられた光学顕微鏡によって前記被処理物の画像を
取り込み、前記光学顕微鏡が取り込んだ画像によって予
め電子ビームの照射箇所を絞り込んだ後、前記ステージ
と対向しかつ前記光学顕微鏡と並んで配置された走査電
子顕微鏡の電子放出部から前記被処理物に電子ビームを
照射し、前記被処理物から反射した反射電子を検出する
ことによって前記被処理物の表面の情報を取り込むもの
である。
【００１２】また、本発明の画像取り込み装置は、被処
理物に光を照射して前記被処理物の画像を取り込む光学
顕微鏡と、前記光学顕微鏡と並べて配置する電子放出部
を備えかつ前記被処理物に照射した電子ビームの反射電
子を検出することにより前記被処理物の表面の情報を取
り込む走査電子顕微鏡と、前記光学顕微鏡と前記電子放
出部とに対向した被処理物支持面を備えかつ前記被処理
物支持面によって前記被処理物を支持するステージとを
有し、同一のステージに支持された被処理物の前記光学
顕微鏡による画像と前記走査電子顕微鏡による被処理物
の表面の情報とを出力するものである。
理物に光を照射して前記被処理物の画像を取り込む光学
顕微鏡と、前記光学顕微鏡と並べて配置する電子放出部
を備えかつ前記被処理物に照射した電子ビームの反射電
子を検出することにより前記被処理物の表面の情報を取
り込む走査電子顕微鏡と、前記光学顕微鏡と前記電子放
出部とに対向した被処理物支持面を備えかつ前記被処理
物支持面によって前記被処理物を支持するステージとを
有し、同一のステージに支持された被処理物の前記光学
顕微鏡による画像と前記走査電子顕微鏡による被処理物
の表面の情報とを出力するものである。
【００１３】これにより、光学顕微鏡と走査電子顕微鏡
の電子放出部とが同一のステージに対向して各々並べて
配置されたことにより、同一のステージ上に載置された
被処理物を移動せずに、光学顕微鏡による被処理物の画
像の取り込みと走査電子顕微鏡による被処理物の表面の
情報の取り込みとを行うことができる。
の電子放出部とが同一のステージに対向して各々並べて
配置されたことにより、同一のステージ上に載置された
被処理物を移動せずに、光学顕微鏡による被処理物の画
像の取り込みと走査電子顕微鏡による被処理物の表面の
情報の取り込みとを行うことができる。
【００１４】したがって、ＳＥＭによって被処理物の観
察を行う際に、光学顕微鏡が取り込んだ画像によって予
め電子ビームの照射箇所を絞り込んだ後、走査電子顕微
鏡の電子放出部から被処理物に電子ビームを照射するこ
とができる。
察を行う際に、光学顕微鏡が取り込んだ画像によって予
め電子ビームの照射箇所を絞り込んだ後、走査電子顕微
鏡の電子放出部から被処理物に電子ビームを照射するこ
とができる。
【００１５】なお、本発明の画像取り込み装置は、前記
光学顕微鏡による画像と前記走査電子顕微鏡による被処
理物の表面の情報とを各々の信号を切り換えることによ
り、別々に出力する出力部が設けられているものであ
る。
光学顕微鏡による画像と前記走査電子顕微鏡による被処
理物の表面の情報とを各々の信号を切り換えることによ
り、別々に出力する出力部が設けられているものであ
る。
【００１６】また、本発明の半導体製造装置は、被処理
物を支持するステージの被処理物支持面と各々対向して
配置された光学顕微鏡と走査電子顕微鏡の電子放出部と
を備えた画像取り込み装置と、前記被処理物に処理を行
う処理手段とを有し、同一のステージに支持された前記
被処理物の前記光学顕微鏡による画像または前記走査電
子顕微鏡による被処理物の表面の情報もしくは両者を出
力し、前記処理手段によって前記ステージ上の被処理物
に処理を行うものである。
物を支持するステージの被処理物支持面と各々対向して
配置された光学顕微鏡と走査電子顕微鏡の電子放出部と
を備えた画像取り込み装置と、前記被処理物に処理を行
う処理手段とを有し、同一のステージに支持された前記
被処理物の前記光学顕微鏡による画像または前記走査電
子顕微鏡による被処理物の表面の情報もしくは両者を出
力し、前記処理手段によって前記ステージ上の被処理物
に処理を行うものである。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。
に基づいて詳細に説明する。
【００１８】図１は本発明による画像取り込み装置の構
造の実施の形態の一例を示す構成概念図、図２は本発明
による半導体製造装置の構造の実施の形態の一例を示す
構成概念図である。
造の実施の形態の一例を示す構成概念図、図２は本発明
による半導体製造装置の構造の実施の形態の一例を示す
構成概念図である。
【００１９】本実施の形態による画像取り込み装置の構
成について説明すると、被処理物の一例である半導体チ
ップ１に光を照射して半導体チップ１の画像を取り込む
光学顕微鏡２と、光学顕微鏡２と並べて配置する電子放
出部３ｃを備えかつ半導体チップ１に照射した電子ビー
ム３ａの反射電子３ｂもしくは二次電子を検出すること
により半導体チップ１の表面１ａの情報を取り込む走査
電子顕微鏡３と、光学顕微鏡２と電子放出部３ｃとに対
向した被処理物支持面４ａを備えかつ被処理物支持面４
ａによって半導体チップ１を支持するステージ４と、光
学顕微鏡２が取り込んだ画像と走査電子顕微鏡３が取り
込んだ半導体チップ１の表面１ａの情報（形状）を出力
する出力部であるモニタ５とから構成されている。
成について説明すると、被処理物の一例である半導体チ
ップ１に光を照射して半導体チップ１の画像を取り込む
光学顕微鏡２と、光学顕微鏡２と並べて配置する電子放
出部３ｃを備えかつ半導体チップ１に照射した電子ビー
ム３ａの反射電子３ｂもしくは二次電子を検出すること
により半導体チップ１の表面１ａの情報を取り込む走査
電子顕微鏡３と、光学顕微鏡２と電子放出部３ｃとに対
向した被処理物支持面４ａを備えかつ被処理物支持面４
ａによって半導体チップ１を支持するステージ４と、光
学顕微鏡２が取り込んだ画像と走査電子顕微鏡３が取り
込んだ半導体チップ１の表面１ａの情報（形状）を出力
する出力部であるモニタ５とから構成されている。
【００２０】すなわち、同一のステージ４に支持された
半導体チップ１の光学顕微鏡２による画像と走査電子顕
微鏡３による半導体チップ１の表面１ａの情報（形状）
とを出力するものであり、光学顕微鏡２と走査電子顕微
鏡３とを一体化したものである。
半導体チップ１の光学顕微鏡２による画像と走査電子顕
微鏡３による半導体チップ１の表面１ａの情報（形状）
とを出力するものであり、光学顕微鏡２と走査電子顕微
鏡３とを一体化したものである。
【００２１】ここで、走査電子顕微鏡３には、反射電子
３ｂもしくは前記二次電子を検出する二次電子検出器３
ｄが設けられており、二次電子検出器３ｄによる検出結
果をＳＥＭ像信号３ｅとしてモニタ５に送る。
３ｂもしくは前記二次電子を検出する二次電子検出器３
ｄが設けられており、二次電子検出器３ｄによる検出結
果をＳＥＭ像信号３ｅとしてモニタ５に送る。
【００２２】なお、本実施の形態における画像取り込み
装置には、試料室６が設けられている。つまり、被処理
物の一例である半導体チップ１の観察などを行う際に
は、試料室６などのほぼ密閉された雰囲気の中でステー
ジ４上に半導体チップ１を搭載して行う。
装置には、試料室６が設けられている。つまり、被処理
物の一例である半導体チップ１の観察などを行う際に
は、試料室６などのほぼ密閉された雰囲気の中でステー
ジ４上に半導体チップ１を搭載して行う。
【００２３】さらに、半導体チップ１は試料ホルダ７を
介してステージ４に支持されている。
介してステージ４に支持されている。
【００２４】また、本実施の形態の画像取り込み装置に
おけるモニタ５は、光学顕微鏡２による画像と走査電子
顕微鏡３による半導体チップ１の表面１ａの情報（形
状）とを各々の信号すなわち光学顕微鏡信号２ａとＳＥ
Ｍ像信号３ｅとを切り換えることにより、別々に出力す
るものである。
おけるモニタ５は、光学顕微鏡２による画像と走査電子
顕微鏡３による半導体チップ１の表面１ａの情報（形
状）とを各々の信号すなわち光学顕微鏡信号２ａとＳＥ
Ｍ像信号３ｅとを切り換えることにより、別々に出力す
るものである。
【００２５】ここで、前記画像取り込み装置には、ステ
ージ４を水平なＸＹ方向に動かすモータなどのステージ
駆動手段８と、光学顕微鏡２および電子放出部３ｃを水
平なＸＹ方向に動かすモータなどの顕微鏡駆動手段９と
の両者が設けられている。
ージ４を水平なＸＹ方向に動かすモータなどのステージ
駆動手段８と、光学顕微鏡２および電子放出部３ｃを水
平なＸＹ方向に動かすモータなどの顕微鏡駆動手段９と
の両者が設けられている。
【００２６】また、光学顕微鏡２の先端部２ｂには種々
の倍率を有する複数個の光学顕微鏡レンズ２ｃが取り付
けられている。
の倍率を有する複数個の光学顕微鏡レンズ２ｃが取り付
けられている。
【００２７】さらに、光学顕微鏡２および走査電子顕微
鏡３における各々の焦点合わせについては、オートフォ
ーカス機能などを搭載するか、もしくは手動によって調
整できるようにする。
鏡３における各々の焦点合わせについては、オートフォ
ーカス機能などを搭載するか、もしくは手動によって調
整できるようにする。
【００２８】次に、本実施の形態による半導体製造装置
の構成について説明する。
の構成について説明する。
【００２９】なお、前記半導体製造装置は前記画像取り
込み装置を用いたものであるが、ここでは、前記半導体
製造装置の一例として、ＳＥＭ像を用いて半導体チップ
１の配線部に切断加工などの処理を行うＦＩＢ加工装置
を取り上げて説明する。
込み装置を用いたものであるが、ここでは、前記半導体
製造装置の一例として、ＳＥＭ像を用いて半導体チップ
１の配線部に切断加工などの処理を行うＦＩＢ加工装置
を取り上げて説明する。
【００３０】本実施の形態によるＦＩＢ加工装置は、被
処理物の一例である半導体チップ１を支持するステージ
４の被処理物支持面４ａと各々対向して配置された光学
顕微鏡２と走査電子顕微鏡３の電子放出部３ｃとを備え
た前記画像取り込み装置と、半導体チップ１の配線部に
切断加工などの処理を行う処理手段であるイオンビーム
照射手段１０とから構成されている。
処理物の一例である半導体チップ１を支持するステージ
４の被処理物支持面４ａと各々対向して配置された光学
顕微鏡２と走査電子顕微鏡３の電子放出部３ｃとを備え
た前記画像取り込み装置と、半導体チップ１の配線部に
切断加工などの処理を行う処理手段であるイオンビーム
照射手段１０とから構成されている。
【００３１】つまり、前記ＦＩＢ加工装置は、半導体チ
ップ１の故障解析時に、試料室６内で同一のステージ４
に支持された半導体チップ１の光学顕微鏡２による画像
または走査電子顕微鏡３による表面１ａの情報（形状）
もしくはその両者を出力し、処理手段であるイオンビー
ム照射手段１０によってイオンビームをステージ４上に
載置された半導体チップ１の配線部に照射し、ダメージ
を与えて前記配線部を切断加工するものである。
ップ１の故障解析時に、試料室６内で同一のステージ４
に支持された半導体チップ１の光学顕微鏡２による画像
または走査電子顕微鏡３による表面１ａの情報（形状）
もしくはその両者を出力し、処理手段であるイオンビー
ム照射手段１０によってイオンビームをステージ４上に
載置された半導体チップ１の配線部に照射し、ダメージ
を与えて前記配線部を切断加工するものである。
【００３２】次に、本実施の形態による画像取り込み方
法について説明する。
法について説明する。
【００３３】なお、前記画像取り込み方法については、
前記半導体製造装置を用いたＦＩＢ加工の場合について
説明する。
前記半導体製造装置を用いたＦＩＢ加工の場合について
説明する。
【００３４】まず、被処理物である半導体チップ１をス
テージ４上に載置する。
テージ４上に載置する。
【００３５】続いて、顕微鏡駆動手段９によって光学顕
微鏡２を半導体チップ１上に移動させるか、あるいは、
ステージ駆動手段８によって半導体チップ１を光学顕微
鏡２の下方に移動させた後、ステージ４と対向して設け
られた光学顕微鏡２によって半導体チップ１の加工箇所
の画像を取り込む。
微鏡２を半導体チップ１上に移動させるか、あるいは、
ステージ駆動手段８によって半導体チップ１を光学顕微
鏡２の下方に移動させた後、ステージ４と対向して設け
られた光学顕微鏡２によって半導体チップ１の加工箇所
の画像を取り込む。
【００３６】この時、光学顕微鏡２によって取り込まれ
た情報を光学顕微鏡信号２ａとしてモニタ５に転送し、
モニタ５において画像として出力する。
た情報を光学顕微鏡信号２ａとしてモニタ５に転送し、
モニタ５において画像として出力する。
【００３７】その結果、光学顕微鏡２が取り込んだ画像
によって、予め電子放出部３ｃから照射する電子ビーム
３ａの照射箇所を絞り込むことができる。
によって、予め電子放出部３ｃから照射する電子ビーム
３ａの照射箇所を絞り込むことができる。
【００３８】ここで、ステージ４と対向しかつ光学顕微
鏡２と並んで配置された走査電子顕微鏡３の電子放出部
３ｃから半導体チップ１に電子ビーム３ａを照射し、半
導体チップ１から反射した反射電子３ｂまたは二次電子
を二次電子検出器３ｄによって検出した後、ＳＥＭ像信
号３ｅとしてモニタ５に送信することにより、半導体チ
ップ１の加工箇所の表面１ａの情報を表面１ａの形状の
画像としてモニタ５に出力できる。
鏡２と並んで配置された走査電子顕微鏡３の電子放出部
３ｃから半導体チップ１に電子ビーム３ａを照射し、半
導体チップ１から反射した反射電子３ｂまたは二次電子
を二次電子検出器３ｄによって検出した後、ＳＥＭ像信
号３ｅとしてモニタ５に送信することにより、半導体チ
ップ１の加工箇所の表面１ａの情報を表面１ａの形状の
画像としてモニタ５に出力できる。
【００３９】なお、光学顕微鏡２による画像と走査電子
顕微鏡３による表面１ａの情報（形状）とはモニタ５に
おいて、光学顕微鏡信号２ａとＳＥＭ像信号３ｅとを切
り換えることにより、モニタ５上で何れか一方の出力を
選択して表示することができる。
顕微鏡３による表面１ａの情報（形状）とはモニタ５に
おいて、光学顕微鏡信号２ａとＳＥＭ像信号３ｅとを切
り換えることにより、モニタ５上で何れか一方の出力を
選択して表示することができる。
【００４０】さらに、ＳＥＭ像信号３ｅによって出力し
た画像を観ながら、イオンビーム照射手段１０によって
イオンビームを加工箇所に照射することにより、加工箇
所である配線部を切断加工する。
た画像を観ながら、イオンビーム照射手段１０によって
イオンビームを加工箇所に照射することにより、加工箇
所である配線部を切断加工する。
【００４１】本実施の形態の画像取り込み方法および装
置ならびにそれを用いた半導体製造装置によれば、以下
のような作用効果が得られる。
置ならびにそれを用いた半導体製造装置によれば、以下
のような作用効果が得られる。
【００４２】すなわち、光学顕微鏡２と走査電子顕微鏡
３の電子放出部３ｃとが同一のステージ４に対向して各
々並べて配置されたことにより、同一のステージ４上に
載置された被処理物である半導体チップ１を移動せず
に、光学顕微鏡２による半導体チップ１の画像の取り込
みと走査電子顕微鏡３による半導体チップ１の表面１ａ
の情報の取り込みとを行うことができる。
３の電子放出部３ｃとが同一のステージ４に対向して各
々並べて配置されたことにより、同一のステージ４上に
載置された被処理物である半導体チップ１を移動せず
に、光学顕微鏡２による半導体チップ１の画像の取り込
みと走査電子顕微鏡３による半導体チップ１の表面１ａ
の情報の取り込みとを行うことができる。
【００４３】したがって、ＳＥＭによって半導体チップ
１の観察を行う際に、光学顕微鏡２が取り込んだ画像に
よって予め電子ビーム３ａの照射箇所を絞り込んだ後、
走査電子顕微鏡３の電子放出部３ｃから半導体チップ１
に電子ビーム３ａを照射することができる。
１の観察を行う際に、光学顕微鏡２が取り込んだ画像に
よって予め電子ビーム３ａの照射箇所を絞り込んだ後、
走査電子顕微鏡３の電子放出部３ｃから半導体チップ１
に電子ビーム３ａを照射することができる。
【００４４】すなわち、半導体チップ１の故障解析にお
いて、その故障箇所の捜索の際には、配線部の形状を観
ながら電子ビーム３ａの照射位置を絞りこんでいくた
め、光学顕微鏡２と走査電子顕微鏡３とを一体化したこ
とにより、ＳＥＭ像を用いた半導体チップ１の観察作業
の効率を向上させることができる。
いて、その故障箇所の捜索の際には、配線部の形状を観
ながら電子ビーム３ａの照射位置を絞りこんでいくた
め、光学顕微鏡２と走査電子顕微鏡３とを一体化したこ
とにより、ＳＥＭ像を用いた半導体チップ１の観察作業
の効率を向上させることができる。
【００４５】また、光学顕微鏡２による画像と走査電子
顕微鏡３による半導体チップ１の表面１ａの情報（形
状）とを各々同時に出力するモニタ５が設けられている
ことにより、両者を観ながら半導体チップ１の観察作業
を行うことができ、その結果、前記同様、半導体チップ
１の観察作業の効率を向上させることができる。
顕微鏡３による半導体チップ１の表面１ａの情報（形
状）とを各々同時に出力するモニタ５が設けられている
ことにより、両者を観ながら半導体チップ１の観察作業
を行うことができ、その結果、前記同様、半導体チップ
１の観察作業の効率を向上させることができる。
【００４６】さらに、ステージ４を動かすステージ駆動
手段８もしくは光学顕微鏡２と電子放出部３ｃとを動か
す顕微鏡駆動手段９の何れか一方の手段、あるいはステ
ージ駆動手段８と顕微鏡駆動手段９との両方の手段が設
けられていることにより、半導体チップ１の画像を取り
込む際または電子ビーム３ａを照射する際の焦点合わせ
の時間を短縮することができる。
手段８もしくは光学顕微鏡２と電子放出部３ｃとを動か
す顕微鏡駆動手段９の何れか一方の手段、あるいはステ
ージ駆動手段８と顕微鏡駆動手段９との両方の手段が設
けられていることにより、半導体チップ１の画像を取り
込む際または電子ビーム３ａを照射する際の焦点合わせ
の時間を短縮することができる。
【００４７】これにより、半導体チップ１の観察作業の
効率を向上させることができる。
効率を向上させることができる。
【００４８】なお、前記半導体製造装置が、半導体チッ
プ１を支持するステージ４の被処理物支持面４ａと各々
対向して配置された光学顕微鏡２と走査電子顕微鏡３の
電子放出部３ｃとを備えた画像取り込み装置と、半導体
チップ１に処理を行う処理手段であるイオンビーム照射
手段１０とを有していることにより、半導体チップ１の
配線部などをＳＥＭによって故障解析する際に、同一の
ステージ４上の半導体チップ１の光学顕微鏡２による画
像または走査電子顕微鏡３による表面１ａの情報を出力
し、イオンビーム照射手段１０によって半導体チップ１
の配線部に切断加工などの処理を行うことができる。
プ１を支持するステージ４の被処理物支持面４ａと各々
対向して配置された光学顕微鏡２と走査電子顕微鏡３の
電子放出部３ｃとを備えた画像取り込み装置と、半導体
チップ１に処理を行う処理手段であるイオンビーム照射
手段１０とを有していることにより、半導体チップ１の
配線部などをＳＥＭによって故障解析する際に、同一の
ステージ４上の半導体チップ１の光学顕微鏡２による画
像または走査電子顕微鏡３による表面１ａの情報を出力
し、イオンビーム照射手段１０によって半導体チップ１
の配線部に切断加工などの処理を行うことができる。
【００４９】これにより、光学顕微鏡２が取り込んだ画
像によって予め電子ビーム３ａの照射箇所を絞り込んだ
後、走査電子顕微鏡３の電子放出部３ｃから半導体チッ
プ１に電子ビーム３ａを照射することができ、かつ半導
体チップ１を移動せずに切断加工などの処理を行える。
像によって予め電子ビーム３ａの照射箇所を絞り込んだ
後、走査電子顕微鏡３の電子放出部３ｃから半導体チッ
プ１に電子ビーム３ａを照射することができ、かつ半導
体チップ１を移動せずに切断加工などの処理を行える。
【００５０】その結果、故障解析および半導体チップ１
の配線部などに行う処理の作業効率を向上させることが
できる。
の配線部などに行う処理の作業効率を向上させることが
できる。
【００５１】また、本実施の形態による画像取り込み装
置は、光学顕微鏡２と走査電子顕微鏡３とを一体化した
ものであることにより、前記画像取り込み装置内から半
導体チップ１を出し入れすることなく観察できるため、
ＳＥＭ観察を行う際の作業効率を向上させることができ
る。
置は、光学顕微鏡２と走査電子顕微鏡３とを一体化した
ものであることにより、前記画像取り込み装置内から半
導体チップ１を出し入れすることなく観察できるため、
ＳＥＭ観察を行う際の作業効率を向上させることができ
る。
【００５２】さらに、故障解析技術が向上することによ
り、半導体チップ１の歩留りを向上させることができ
る。
り、半導体チップ１の歩留りを向上させることができ
る。
【００５３】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記発明の実施の形態に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言う
までもない。
【００５４】例えば、前記実施の形態では、光学顕微鏡
による画像と走査電子顕微鏡による被処理物の表面の情
報とを各々の信号を切り換えることにより、モニタ上で
別々に出力するものであるが、前記モニタの画面分割に
より同時に出力するものであってもよい。
による画像と走査電子顕微鏡による被処理物の表面の情
報とを各々の信号を切り換えることにより、モニタ上で
別々に出力するものであるが、前記モニタの画面分割に
より同時に出力するものであってもよい。
【００５５】その場合、画像取り込み装置には、光学顕
微鏡による画像と走査電子顕微鏡による被処理物の表面
の情報（形状）とを各々同時に出力する出力部であるモ
ニタが設けられている。
微鏡による画像と走査電子顕微鏡による被処理物の表面
の情報（形状）とを各々同時に出力する出力部であるモ
ニタが設けられている。
【００５６】また、前記実施の形態における画像取り込
み装置は、ステージを動かすステージ駆動手段と、光学
顕微鏡および電子放出部を動かす顕微鏡駆動手段との両
者が設けられているものであったが、必ずしも両者が設
けられていなくてもよく、例えば、前記ステージ駆動手
段もしくは前記顕微鏡駆動手段の何れか一方の手段が設
けられていてもよい。
み装置は、ステージを動かすステージ駆動手段と、光学
顕微鏡および電子放出部を動かす顕微鏡駆動手段との両
者が設けられているものであったが、必ずしも両者が設
けられていなくてもよく、例えば、前記ステージ駆動手
段もしくは前記顕微鏡駆動手段の何れか一方の手段が設
けられていてもよい。
【００５７】さらに、前記ステージ駆動手段および前記
顕微鏡駆動手段は、自動式であっても手動式であっても
よい。
顕微鏡駆動手段は、自動式であっても手動式であっても
よい。
【００５８】また、前記実施の形態による半導体製造装
置はＦＩＢ加工装置の場合を取り上げて説明したが、前
記半導体製造装置はＥＢテスタ装置などのようなＳＥＭ
像を用いるものであれば他の装置であってもよい。
置はＦＩＢ加工装置の場合を取り上げて説明したが、前
記半導体製造装置はＥＢテスタ装置などのようなＳＥＭ
像を用いるものであれば他の装置であってもよい。
【００５９】この場合、被処理物が半導体集積回路装置
であり、前記半導体集積回路装置に処理を行う処理手段
は、電子ビーム照射手段とテストパターン印加手段と波
形出力部とからなる。
であり、前記半導体集積回路装置に処理を行う処理手段
は、電子ビーム照射手段とテストパターン印加手段と波
形出力部とからなる。
【００６０】これによっても、前記ＦＩＢ加工装置と同
様の効果を得ることができる。
様の効果を得ることができる。
【００６１】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００６２】（１）．光学顕微鏡と走査電子顕微鏡の電
子放出部とが同一のステージに対向して各々並べて配置
されたことにより、同一のステージ上に載置された被処
理物を移動せずに、光学顕微鏡による被処理物の画像の
取り込みと走査電子顕微鏡による被処理物の表面の情報
の取り込みとを行うことができる。これにより、ＳＥＭ
を用いた被処理物の観察作業の効率を向上させることが
できる。
子放出部とが同一のステージに対向して各々並べて配置
されたことにより、同一のステージ上に載置された被処
理物を移動せずに、光学顕微鏡による被処理物の画像の
取り込みと走査電子顕微鏡による被処理物の表面の情報
の取り込みとを行うことができる。これにより、ＳＥＭ
を用いた被処理物の観察作業の効率を向上させることが
できる。
【００６３】（２）．光学顕微鏡による画像と走査電子
顕微鏡による表面の情報とを各々同時に出力する出力部
が設けられていることにより、両者を観ながら被処理物
の観察作業を行うことができ、その結果、被処理物の観
察作業の効率を向上させることができる。
顕微鏡による表面の情報とを各々同時に出力する出力部
が設けられていることにより、両者を観ながら被処理物
の観察作業を行うことができ、その結果、被処理物の観
察作業の効率を向上させることができる。
【００６４】（３）．ステージを動かすステージ駆動手
段、もしくは光学顕微鏡と電子放出部とを動かす顕微鏡
駆動手段の何れか一方の手段、あるいはステージ駆動手
段と顕微鏡駆動手段との両方の手段が設けられているこ
とにより、被処理物の画像を取り込む際または電子ビー
ムを照射する際の焦点合わせの時間を短縮することがで
きる。これにより、被処理物の観察作業の効率を向上さ
せることができる。
段、もしくは光学顕微鏡と電子放出部とを動かす顕微鏡
駆動手段の何れか一方の手段、あるいはステージ駆動手
段と顕微鏡駆動手段との両方の手段が設けられているこ
とにより、被処理物の画像を取り込む際または電子ビー
ムを照射する際の焦点合わせの時間を短縮することがで
きる。これにより、被処理物の観察作業の効率を向上さ
せることができる。
【００６５】（４）．半導体製造装置が、光学顕微鏡と
走査電子顕微鏡とを備えた画像取り込み装置と、被処理
物に処理を行う処理手段とを有していることにより、半
導体チップの配線部などをＳＥＭによって故障解析する
際に、光学顕微鏡が取り込んだ画像によって予め電子ビ
ームの照射箇所を絞り込んだ後、走査電子顕微鏡の電子
放出部から被処理物に電子ビームを照射することがで
き、かつ被処理物を移動せずに被処理物に処理を行え
る。その結果、故障解析および半導体チップの配線部な
どに行う処理の作業効率を向上することができる。
走査電子顕微鏡とを備えた画像取り込み装置と、被処理
物に処理を行う処理手段とを有していることにより、半
導体チップの配線部などをＳＥＭによって故障解析する
際に、光学顕微鏡が取り込んだ画像によって予め電子ビ
ームの照射箇所を絞り込んだ後、走査電子顕微鏡の電子
放出部から被処理物に電子ビームを照射することがで
き、かつ被処理物を移動せずに被処理物に処理を行え
る。その結果、故障解析および半導体チップの配線部な
どに行う処理の作業効率を向上することができる。
【００６６】（５）．光学顕微鏡と走査電子顕微鏡とを
一体化した画像取り込み装置であることにより、画像取
り込み装置内から被処理物を出し入れすることなく観察
できるため、ＳＥＭ観察を行う際の作業効率を向上させ
ることができる。また、故障解析技術が向上することに
より、被処理物の歩留りを向上させることができる。
一体化した画像取り込み装置であることにより、画像取
り込み装置内から被処理物を出し入れすることなく観察
できるため、ＳＥＭ観察を行う際の作業効率を向上させ
ることができる。また、故障解析技術が向上することに
より、被処理物の歩留りを向上させることができる。
【図１】本発明による画像取り込み装置の構造の実施の
形態の一例を示す構成概念図である。
形態の一例を示す構成概念図である。
【図２】本発明による半導体製造装置の構造の実施の形
態の一例を示す構成概念図である。
態の一例を示す構成概念図である。
１ 半導体チップ（被処理物） １ａ 表面 ２ 光学顕微鏡 ２ａ 光学顕微鏡信号 ２ｂ 先端部 ２ｃ 光学顕微鏡レンズ ３ 走査電子顕微鏡 ３ａ 電子ビーム ３ｂ 反射電子 ３ｃ 電子放出部 ３ｄ 二次電子検出器 ３ｅ ＳＥＭ像信号 ４ ステージ ４ａ 被処理物支持面 ５ モニタ（出力部） ６ 試料室 ７ 試料ホルダ ８ ステージ駆動手段 ９ 顕微鏡駆動手段 １０ イオンビーム照射手段（処理手段）
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/66 Ｇ０１Ｒ 31/28 Ｌ
Claims (6)
- 【請求項１】 被処理物に電子ビームを照射して前記被
処理物の表面の情報を取り込む画像取り込み方法であっ
て、 前記被処理物をステージ上に載置し、 前記ステージと対向して設けられた光学顕微鏡によって
前記被処理物の画像を取り込み、 前記光学顕微鏡が取り込んだ画像によって予め前記電子
ビームの照射箇所を絞り込んだ後、前記ステージと対向
しかつ前記光学顕微鏡と並んで配置された走査電子顕微
鏡の電子放出部から前記被処理物に電子ビームを照射
し、 前記被処理物から反射した反射電子を検出することによ
って前記被処理物の表面の情報を取り込むことを特徴と
する画像取り込み方法。 - 【請求項２】 被処理物に光を照射して前記被処理物の
画像を取り込む光学顕微鏡と、 前記光学顕微鏡と並べて配置する電子放出部を備え、か
つ前記被処理物に照射した電子ビームの反射電子を検出
することにより前記被処理物の表面の情報を取り込む走
査電子顕微鏡と、 前記光学顕微鏡と前記電子放出部とに対向した被処理物
支持面を備え、かつ前記被処理物支持面によって前記被
処理物を支持するステージとを有し、 同一のステージに支持された被処理物の前記光学顕微鏡
による画像と前記走査電子顕微鏡による被処理物の表面
の情報とを出力することを特徴とする画像取り込み装
置。 - 【請求項３】 請求項２記載の画像取り込み装置であっ
て、前記光学顕微鏡による画像と前記走査電子顕微鏡に
よる被処理物の表面の情報とを各々の信号を切り換える
ことにより、別々に出力する出力部が設けられているこ
とを特徴とする画像取り込み装置。 - 【請求項４】 請求項２記載の画像取り込み装置であっ
て、前記光学顕微鏡による画像と前記走査電子顕微鏡に
よる被処理物の表面の情報とを各々同時に出力する出力
部が設けられていることを特徴とする画像取り込み装
置。 - 【請求項５】 請求項２，３または４記載の画像取り込
み装置であって、前記ステージを動かすステージ駆動手
段もしくは前記光学顕微鏡と前記電子放出部とを動かす
顕微鏡駆動手段の何れか一方の手段、あるいは前記ステ
ージ駆動手段と前記顕微鏡駆動手段との両方の手段が設
けられていることを特徴とする画像取り込み装置。 - 【請求項６】 請求項２，３，４または５記載の画像取
り込み装置を用いた半導体製造装置であって、 被処理物を支持するステージの被処理物支持面と各々対
向して配置された光学顕微鏡と走査電子顕微鏡の電子放
出部とを備えた画像取り込み装置と、 前記被処理物に処理を行う処理手段とを有し、 同一のステージに支持された前記被処理物の前記光学顕
微鏡による画像または前記走査電子顕微鏡による被処理
物の表面の情報もしくは両者を出力し、前記処理手段に
よって前記ステージ上の被処理物に処理を行うことを特
徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7254819A JPH0997585A (ja) | 1995-10-02 | 1995-10-02 | 画像取り込み方法および装置ならびにそれを用いた半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7254819A JPH0997585A (ja) | 1995-10-02 | 1995-10-02 | 画像取り込み方法および装置ならびにそれを用いた半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0997585A true JPH0997585A (ja) | 1997-04-08 |
Family
ID=17270320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7254819A Pending JPH0997585A (ja) | 1995-10-02 | 1995-10-02 | 画像取り込み方法および装置ならびにそれを用いた半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0997585A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004251915A (ja) * | 2004-05-26 | 2004-09-09 | Hitachi Ltd | プローブ装置 |
| JP2008041503A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置、試料加工方法及び半導体検査装置 |
| KR100848225B1 (ko) * | 2001-09-21 | 2008-07-24 | 올림푸스 가부시키가이샤 | 일괄 관리 장치 |
| DE102011078514A1 (de) | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Keyence Corp. | Vergrösserungsbetrachtungsvorrichtung |
| DE102011078515A1 (de) | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Keyence Corp. | Vergrösserungsbetrachtungsvorrichtung |
-
1995
- 1995-10-02 JP JP7254819A patent/JPH0997585A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100848225B1 (ko) * | 2001-09-21 | 2008-07-24 | 올림푸스 가부시키가이샤 | 일괄 관리 장치 |
| JP2004251915A (ja) * | 2004-05-26 | 2004-09-09 | Hitachi Ltd | プローブ装置 |
| JP4604554B2 (ja) * | 2004-05-26 | 2011-01-05 | 株式会社日立製作所 | プローブ装置 |
| JP2008041503A (ja) * | 2006-08-08 | 2008-02-21 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線装置、試料加工方法及び半導体検査装置 |
| DE102011078514A1 (de) | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Keyence Corp. | Vergrösserungsbetrachtungsvorrichtung |
| DE102011078515A1 (de) | 2010-07-02 | 2012-01-05 | Keyence Corp. | Vergrösserungsbetrachtungsvorrichtung |
| US8618479B2 (en) | 2010-07-02 | 2013-12-31 | Keyence Corporation | Magnifying observation apparatus |
| US8674301B2 (en) | 2010-07-02 | 2014-03-18 | Keyence Corporation | Magnifying observation apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN109690748B (zh) | 用于半导体晶片检验的缺陷标记 | |
| US6373070B1 (en) | Method apparatus for a coaxial optical microscope with focused ion beam | |
| JP2609594B2 (ja) | 欠陥検査装置 | |
| US20090316981A1 (en) | Method and device for inspecting a disk-shaped object | |
| JP4090567B2 (ja) | ウエハ検査加工装置およびウエハ検査加工方法 | |
| JPH0997585A (ja) | 画像取り込み方法および装置ならびにそれを用いた半導体製造装置 | |
| JPH0458622B2 (ja) | ||
| JP4091060B2 (ja) | ウエハ検査加工装置およびウエハ検査加工方法 | |
| JPS6196644A (ja) | 外観検査装置 | |
| JP3013519B2 (ja) | 薄膜構造の検査方法及び検査装置 | |
| JPS6015939A (ja) | 異物検査装置 | |
| JPH03156947A (ja) | 検査方法 | |
| JP4303276B2 (ja) | 電子線及びイオンビーム照射装置並びに試料作成方法 | |
| JPH1164188A (ja) | 欠陥観察装置および方法 | |
| JP2602523B2 (ja) | カソードルミネッセンス測定装置 | |
| JP4365886B2 (ja) | イオンビーム装置 | |
| JP4586272B2 (ja) | 基板検査装置と基板検査方法、及び液晶表示装置の製造方法 | |
| JP2001330563A (ja) | 検査装置 | |
| JP3644997B2 (ja) | レーザ加工装置 | |
| JPH11274256A (ja) | 試料検査装置 | |
| JPH11354598A (ja) | ウェハ検査装置 | |
| JP2002340990A (ja) | 半導体デバイスの評価方法及び装置。 | |
| JPS62195838A (ja) | 検査装置 | |
| JP2991204B2 (ja) | 検査装置 | |
| JPH10318934A (ja) | 異物検出方法およびその装置 |