JP2602523B2 - カソードルミネッセンス測定装置 - Google Patents
カソードルミネッセンス測定装置Info
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- JP2602523B2 JP2602523B2 JP63060204A JP6020488A JP2602523B2 JP 2602523 B2 JP2602523 B2 JP 2602523B2 JP 63060204 A JP63060204 A JP 63060204A JP 6020488 A JP6020488 A JP 6020488A JP 2602523 B2 JP2602523 B2 JP 2602523B2
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Description
【発明の詳細な説明】 ＜産業上の利用分野＞ 本発明は半導体結晶等に電子線およびレーザ光線を照
射し、その照射によって生ずる光（ルミネッセンス）ス
ペクトルおよびその強度を測定し、そのスペクトルの成
因である不純物、格子欠陥およびその複合体を同定する
ことによって半導体結晶等の品質を評価する装置に関す
るものである。
射し、その照射によって生ずる光（ルミネッセンス）ス
ペクトルおよびその強度を測定し、そのスペクトルの成
因である不純物、格子欠陥およびその複合体を同定する
ことによって半導体結晶等の品質を評価する装置に関す
るものである。
＜従来の技術＞ ルミネッセンススペクトルおよびその強度を測定する
方法の主なものとして、カソードルミネッセンス法とフ
ォトルミネッセンス法があるが、それぞれの測定法から
得られる半導体結晶品質の情報はかならずしも一致せ
ず、むしろカソードルミネッセンス測定のデータとフォ
トルミネッセンス測定のデータは半導体結晶評価におい
て相補的な関係にある場合もある。このために試料の同
じ位置におけるカソードルミネッセンス測定とフォトル
ミネッセンス測定が要求されることが多々ある。しかし
ながら、従来の装置では、カソードルミネッセンス装置
とフォトルミネッセンス装置とは別個の装置となってい
ることが主であり、各測定毎に試料をそれぞれの装置に
設置しなおさなければならず、試料の同じ位置の判別が
煩雑であるという欠点があった。また、カソードルミネ
ッセンス装置にレーザ光線を導入して、カソードルミネ
ッセンス測定とフォトルミネッセンス測定とを同時に行
う方法も若干試みられているが、ルミネッセンス光学系
とレーザ光線導入光学系とが別々になっていることと、
これらの光学系の調整を真空中で行う構成となっている
ことの理由から、電子線とレーザ光線とを一致させるこ
とが困難であるという問題があった。さらには、真空装
置内での空間が少ないという制限のためにレーザ光線を
試料上で100μｍφ程度にしか集光することができない
という欠点があった。すなわち、カソードルミネッセン
ス測定では、ビームサイズが〜１μｍφであり、レーザ
光線の照射領域が電子線の照射領域を含むことはあって
も、同一場所の測定情報とはいいがたく、同一場所の情
報を得ることが困難であるという問題があった。
方法の主なものとして、カソードルミネッセンス法とフ
ォトルミネッセンス法があるが、それぞれの測定法から
得られる半導体結晶品質の情報はかならずしも一致せ
ず、むしろカソードルミネッセンス測定のデータとフォ
トルミネッセンス測定のデータは半導体結晶評価におい
て相補的な関係にある場合もある。このために試料の同
じ位置におけるカソードルミネッセンス測定とフォトル
ミネッセンス測定が要求されることが多々ある。しかし
ながら、従来の装置では、カソードルミネッセンス装置
とフォトルミネッセンス装置とは別個の装置となってい
ることが主であり、各測定毎に試料をそれぞれの装置に
設置しなおさなければならず、試料の同じ位置の判別が
煩雑であるという欠点があった。また、カソードルミネ
ッセンス装置にレーザ光線を導入して、カソードルミネ
ッセンス測定とフォトルミネッセンス測定とを同時に行
う方法も若干試みられているが、ルミネッセンス光学系
とレーザ光線導入光学系とが別々になっていることと、
これらの光学系の調整を真空中で行う構成となっている
ことの理由から、電子線とレーザ光線とを一致させるこ
とが困難であるという問題があった。さらには、真空装
置内での空間が少ないという制限のためにレーザ光線を
試料上で100μｍφ程度にしか集光することができない
という欠点があった。すなわち、カソードルミネッセン
ス測定では、ビームサイズが〜１μｍφであり、レーザ
光線の照射領域が電子線の照射領域を含むことはあって
も、同一場所の測定情報とはいいがたく、同一場所の情
報を得ることが困難であるという問題があった。
＜発明が解決しようとする課題＞ 本発明はカソードルミネッセンス測定とフォトルミネ
ッセンス測定とを同一の装置で実現することを特徴と
し、その目的は同一試料の同一場所においてそれぞれの
ルミネッセンスを独立に、あるいは、同時に測定するこ
とにある。
ッセンス測定とを同一の装置で実現することを特徴と
し、その目的は同一試料の同一場所においてそれぞれの
ルミネッセンスを独立に、あるいは、同時に測定するこ
とにある。
＜課題を解決するための手段＞ 斯かる目的を達成する本発明の構成は試料に電子線を
照射し、この照射によって生ずるルミネッセンスを測定
する装置において、前記電子線の照射位置を変位させる
電子線偏向器と、前記ルミネッセンスを焦光する回転楕
円ミラーと、該回転楕円ミラーの第１の焦点において前
記試料３次元的に移動させる保持装置と、前記回転楕円
ミラーの第２の焦点位置に着脱自在に設置されるピンホ
ールと、レーザ光の光源及び該レーザ光を前記ピンホー
ルへ導くミラーと、前記ピンホール内の前記ルミネッセ
ンスの像を撮影するモニタカメラと、該モニタカメラか
らの信号により前記ルミネッセンスの像を表示するディ
スプレイと、前記モニタカメラへ前記ルミネッセンスの
光路を切り替える光学素子とからなることを特徴とす
る。
照射し、この照射によって生ずるルミネッセンスを測定
する装置において、前記電子線の照射位置を変位させる
電子線偏向器と、前記ルミネッセンスを焦光する回転楕
円ミラーと、該回転楕円ミラーの第１の焦点において前
記試料３次元的に移動させる保持装置と、前記回転楕円
ミラーの第２の焦点位置に着脱自在に設置されるピンホ
ールと、レーザ光の光源及び該レーザ光を前記ピンホー
ルへ導くミラーと、前記ピンホール内の前記ルミネッセ
ンスの像を撮影するモニタカメラと、該モニタカメラか
らの信号により前記ルミネッセンスの像を表示するディ
スプレイと、前記モニタカメラへ前記ルミネッセンスの
光路を切り替える光学素子とからなることを特徴とす
る。
＜作用＞ ピンホールを通過したレーザ光は回転楕円ミラーに反
射されて、第１焦点にある試料に照射される。これによ
って生じるフォトルミネッセンスは、回転楕円ミラーに
よって集光されることになる。
射されて、第１焦点にある試料に照射される。これによ
って生じるフォトルミネッセンスは、回転楕円ミラーに
よって集光されることになる。
＜実 施 例＞ 以下、本発明の一実施例について図面を参照して詳細
に説明する。
に説明する。
第１図に本発明の一実施例を示す。同図に示されるよ
うに、真空容器１にはターボポンプ、イオンポンプなど
の排気系が付属して高真空となっている。真空容器１内
では電子銃３より発射された電子線Ｅが電子線光学系４
及び電子レンズ５によって集束され、XYZステージ６に
置かれた試料７にスポット状で照射する。照射位置は電
子線偏向器８によって変位させることができる。また、
XYZステージ６は試料７を３次元的に移動させることが
できる。試料７としては半導体結晶などが使用され、電
子線Ｅが照射された位置からカソードルミネッセンスが
発生する。このカソードルミネッセンスは回転楕円ミラ
ー９により集光され、光学窓10を介して大気中へ導出さ
れる。ここで、回転楕円ミラー９はＸ−Ｙ−Ｚの３次元
座標系において、例えば下式で与えられる。
うに、真空容器１にはターボポンプ、イオンポンプなど
の排気系が付属して高真空となっている。真空容器１内
では電子銃３より発射された電子線Ｅが電子線光学系４
及び電子レンズ５によって集束され、XYZステージ６に
置かれた試料７にスポット状で照射する。照射位置は電
子線偏向器８によって変位させることができる。また、
XYZステージ６は試料７を３次元的に移動させることが
できる。試料７としては半導体結晶などが使用され、電
子線Ｅが照射された位置からカソードルミネッセンスが
発生する。このカソードルミネッセンスは回転楕円ミラ
ー９により集光され、光学窓10を介して大気中へ導出さ
れる。ここで、回転楕円ミラー９はＸ−Ｙ−Ｚの３次元
座標系において、例えば下式で与えられる。
このようにして与えられる回転楕円ミラー９の１つの
焦点座標は（ａ−b,o,o）、もう１つの焦点座標は（ａ
＋b,o,o）である。前者を第１焦点Ａ、後者を第２焦点
Ｂとする。そして、第１図に示すように、試料７の表面
をＸ−Ｙ平面とし、その高さ方向をＺ方向とし、更に第
１焦点Ａに試料７が大まかに一致するように調整されて
いる。
焦点座標は（ａ−b,o,o）、もう１つの焦点座標は（ａ
＋b,o,o）である。前者を第１焦点Ａ、後者を第２焦点
Ｂとする。そして、第１図に示すように、試料７の表面
をＸ−Ｙ平面とし、その高さ方向をＺ方向とし、更に第
１焦点Ａに試料７が大まかに一致するように調整されて
いる。
一方、大気中に導出されたカソードルミネッセンスは
第２焦点Ｂを通過し、レンズ19により収束されて分光器
15に導かれ、検出器16でその強度が測定されることにな
る。
第２焦点Ｂを通過し、レンズ19により収束されて分光器
15に導かれ、検出器16でその強度が測定されることにな
る。
更に、第２焦点Ｂにピンホール11が着脱自在に設けら
れ、この第２焦点Ｂとレンズ19との間には切替鏡12,17
が配置される。切替鏡17はレーザ光発生装置18からのレ
ーザ光Ｌを第２焦点Ｂに導く一方、切替鏡12はルミネッ
センスの光路を切り替えて、レンズ20、モニタカメラ13
へ導く。モニタカメラ13はピンホール11内のルミネッセ
ンスの像を撮影し、ディスプレイ14はその像を表示す
る。
れ、この第２焦点Ｂとレンズ19との間には切替鏡12,17
が配置される。切替鏡17はレーザ光発生装置18からのレ
ーザ光Ｌを第２焦点Ｂに導く一方、切替鏡12はルミネッ
センスの光路を切り替えて、レンズ20、モニタカメラ13
へ導く。モニタカメラ13はピンホール11内のルミネッセ
ンスの像を撮影し、ディスプレイ14はその像を表示す
る。
上記構成を有する本実施例のカソードルミネッセンス
測定装置は次の様に使用する。
測定装置は次の様に使用する。
まず、真空容器１内において、電子線Ｅを試料７に照
射し、カソードルミネッセンスを発生させ、回転楕円ミ
ラー９により焦光して大気中へ導出する。この時、ピン
ホール11の取り外して、切替鏡12にて光路をモニタカメ
ラ13へと切り替えて、モニタカメラ13にてカソードルミ
ネッセンスの像を観察し、その像をディスプレイ14に表
示する。ここで、電子線偏向器８により照射位置をXY平
面で調整しておらず、試料７をＸ−Ｙ−Ｚ方向に調整し
ていないために、回転楕円ミラー９の第１焦点Ａの位置
に試料７の発光点が正確に一致せず、このため、ディス
プレイ14上に表示されるルミネッセンス像は点となら
ず、広がった像となる。そこで、ディスプレイ14上のル
ミネッセンス像が点となるように、電子線偏光器８を用
いて電子線ＥをXY平面上で調整すると共にXYZステージ
６により試料７をＸ−Ｙ−Ｚ方向で調整する。このよう
にして、試料７上のカソードルミネッセンスの発光点を
回転楕円ミラー９の第１焦点Ａに正確に一致させる。
射し、カソードルミネッセンスを発生させ、回転楕円ミ
ラー９により焦光して大気中へ導出する。この時、ピン
ホール11の取り外して、切替鏡12にて光路をモニタカメ
ラ13へと切り替えて、モニタカメラ13にてカソードルミ
ネッセンスの像を観察し、その像をディスプレイ14に表
示する。ここで、電子線偏向器８により照射位置をXY平
面で調整しておらず、試料７をＸ−Ｙ−Ｚ方向に調整し
ていないために、回転楕円ミラー９の第１焦点Ａの位置
に試料７の発光点が正確に一致せず、このため、ディス
プレイ14上に表示されるルミネッセンス像は点となら
ず、広がった像となる。そこで、ディスプレイ14上のル
ミネッセンス像が点となるように、電子線偏光器８を用
いて電子線ＥをXY平面上で調整すると共にXYZステージ
６により試料７をＸ−Ｙ−Ｚ方向で調整する。このよう
にして、試料７上のカソードルミネッセンスの発光点を
回転楕円ミラー９の第１焦点Ａに正確に一致させる。
次に、第２焦点Ｂにピンホール11を設置すると共にレ
ーザ光発生装置18から発生したレーザ光Ｌを切替鏡17を
介してピンホール11に照射する。ピンホール11を通過し
たレーザ光Ｌはカソードルミネッセンスと逆のコースす
なわち回転楕円ミラー９を経由して試料７に照射され
る。回転楕円ミラー９の光学的特性によれば、一方の焦
点を通過した光線は他方の焦点を通過する。上述したよ
うに電子線偏向器８、XYZステージ６の調整により回転
楕円ミラー９の第１焦点Ａにカソードルミネッセンスの
発光点を正確に一致させているので、第２焦点Ｂに設置
されたピンホール11を通過するレーザ光Ｌは、回転楕円
ミラー９の第１焦点Ａに位置する試料７上のカソードル
ミネッセンスの発光点に正確に照射されることになる。
ーザ光発生装置18から発生したレーザ光Ｌを切替鏡17を
介してピンホール11に照射する。ピンホール11を通過し
たレーザ光Ｌはカソードルミネッセンスと逆のコースす
なわち回転楕円ミラー９を経由して試料７に照射され
る。回転楕円ミラー９の光学的特性によれば、一方の焦
点を通過した光線は他方の焦点を通過する。上述したよ
うに電子線偏向器８、XYZステージ６の調整により回転
楕円ミラー９の第１焦点Ａにカソードルミネッセンスの
発光点を正確に一致させているので、第２焦点Ｂに設置
されたピンホール11を通過するレーザ光Ｌは、回転楕円
ミラー９の第１焦点Ａに位置する試料７上のカソードル
ミネッセンスの発光点に正確に照射されることになる。
しかも、レーザ光Ｌが回転楕円ミラー９により焦光さ
れて照射されるので、レーザ光のビームサイズが絞られ
る。即ち、第１図に示すように、レーザ光線が第２焦点
Ｂを通過して、回転楕円ミラー９上のＣ点で反射して、
第１焦点Ａの試料に照射される場合、レーザの光路長は
AC＋BCで与えられる。ここで、回転楕円ミラー９には、
回転楕円ミラー上のいづれの点において反射してもこの
光路長は一定2aであるという性質がある。また、像の倍
率は、光路長BCと光路長ACの比であらわされる。すなわ
ち、レーザ光線が反射するＣ点が第２焦点のＢ点より第
１焦点のＡ点の方に近ければ、像はAC/BCに縮小され
る。なぜなら、AC＜BCであるからである。
れて照射されるので、レーザ光のビームサイズが絞られ
る。即ち、第１図に示すように、レーザ光線が第２焦点
Ｂを通過して、回転楕円ミラー９上のＣ点で反射して、
第１焦点Ａの試料に照射される場合、レーザの光路長は
AC＋BCで与えられる。ここで、回転楕円ミラー９には、
回転楕円ミラー上のいづれの点において反射してもこの
光路長は一定2aであるという性質がある。また、像の倍
率は、光路長BCと光路長ACの比であらわされる。すなわ
ち、レーザ光線が反射するＣ点が第２焦点のＢ点より第
１焦点のＡ点の方に近ければ、像はAC/BCに縮小され
る。なぜなら、AC＜BCであるからである。
回転楕円ミラー９の反射点Ｃを第１焦点の直上近傍と
すると、光路長ACは〜（a2−b2）/a、光路長BCは〜（a2
＋b2）/aとなり、第２焦点Ｂでのレーザ光Ｌのビームサ
イズがＤのとき、光路長ACは試料上でのビームサイズ
は、Ｄ×（a2−b2）／（a2＋b2）程度に縮小される。具
体例としてａ＝115mm、ｂ＝110mmなる数値を有する回転
楕円ミラーを用いると、ビームサイズの縮小率は〜1/22
となり、第２焦点Ｂでのレーザ光線のサイズが100μｍ
φの場合、試料上では約4.5μｍφに絞ることができ
る。第２図は試料上でのレーザ光のサイズを測定した実
施例である。回転楕円ミラーの設計値は、ａ＝115mm、
ｂ＝110mmであり、第２焦点でのレーザ光の直径は約300
μｍである。試料の端付近で試料を移動させながらフォ
トルミネッセンス強度を測定したものであり、試料から
レーザ光がずれるとフォトルミネッセンスの強度が大き
く低下するからレーザ光のサイズは約12μｍφと見積る
ことができる。この値は設計値にほぼ一致する。これよ
り、従来は、真空装置１内での空間的な制限のためにレ
ーザ光Ｌを試料上で100μｍφ程度にしか絞れなかった
のに対して、本発明によれば、回転楕円ミラー９の設計
によってレーザ光Ｌを10μｍφ程度に容易に絞れるとい
う利点がある。
すると、光路長ACは〜（a2−b2）/a、光路長BCは〜（a2
＋b2）/aとなり、第２焦点Ｂでのレーザ光Ｌのビームサ
イズがＤのとき、光路長ACは試料上でのビームサイズ
は、Ｄ×（a2−b2）／（a2＋b2）程度に縮小される。具
体例としてａ＝115mm、ｂ＝110mmなる数値を有する回転
楕円ミラーを用いると、ビームサイズの縮小率は〜1/22
となり、第２焦点Ｂでのレーザ光線のサイズが100μｍ
φの場合、試料上では約4.5μｍφに絞ることができ
る。第２図は試料上でのレーザ光のサイズを測定した実
施例である。回転楕円ミラーの設計値は、ａ＝115mm、
ｂ＝110mmであり、第２焦点でのレーザ光の直径は約300
μｍである。試料の端付近で試料を移動させながらフォ
トルミネッセンス強度を測定したものであり、試料から
レーザ光がずれるとフォトルミネッセンスの強度が大き
く低下するからレーザ光のサイズは約12μｍφと見積る
ことができる。この値は設計値にほぼ一致する。これよ
り、従来は、真空装置１内での空間的な制限のためにレ
ーザ光Ｌを試料上で100μｍφ程度にしか絞れなかった
のに対して、本発明によれば、回転楕円ミラー９の設計
によってレーザ光Ｌを10μｍφ程度に容易に絞れるとい
う利点がある。
また、カソードルミネッセンスの測定に際してレーザ
光Ｌを同時に照射することによって、試料７である半導
体結晶中に過剰の電子・正孔を発生させ、特に、半絶縁
性結晶試料のカソードルミネッセンス強度を増すという
利点があり、レーザ光Ｌの光量を変えてカソードルミネ
ッセンスを測定することができるという利点がある。さ
らに、フォトルミネッセンスの測定に際して電子線Ｅを
同時に照射し、電子の加速エネルギーを変えてフォトル
ミネッセンスを測定することによって、電子線照射下の
試料の劣化プロセスをリアルタイムで解析できる利点が
ある。
光Ｌを同時に照射することによって、試料７である半導
体結晶中に過剰の電子・正孔を発生させ、特に、半絶縁
性結晶試料のカソードルミネッセンス強度を増すという
利点があり、レーザ光Ｌの光量を変えてカソードルミネ
ッセンスを測定することができるという利点がある。さ
らに、フォトルミネッセンスの測定に際して電子線Ｅを
同時に照射し、電子の加速エネルギーを変えてフォトル
ミネッセンスを測定することによって、電子線照射下の
試料の劣化プロセスをリアルタイムで解析できる利点が
ある。
尚、フォトルミネッセンスの測定はカソードルミネッ
センスの測定と同様に行う。即ちレーザ光Ｌの照射によ
り生じたフォトルミネッセンスを回転楕円ミラー９によ
り集光し光学窓10を介して大気中へ導出し、第２焦点Ｂ
に集束させる。次に、切替鏡12を介してモニタカメラ13
を用いて直接撮影し、その像をディスプレイ14に表示す
る。ここで、切替鏡15を調整して電子線Ｅによる発光の
位置とレーザ光Ｒによる発光の位置とを一致させる。そ
の後、試料上での電子線Ｅの照射位置とレーザ光Ｌの照
射位置とを一致させた後、切替鏡12を取り外して、それ
ぞれのルミネッセンスを分光器15に導入し、検出器16で
その強度を測定する。
センスの測定と同様に行う。即ちレーザ光Ｌの照射によ
り生じたフォトルミネッセンスを回転楕円ミラー９によ
り集光し光学窓10を介して大気中へ導出し、第２焦点Ｂ
に集束させる。次に、切替鏡12を介してモニタカメラ13
を用いて直接撮影し、その像をディスプレイ14に表示す
る。ここで、切替鏡15を調整して電子線Ｅによる発光の
位置とレーザ光Ｒによる発光の位置とを一致させる。そ
の後、試料上での電子線Ｅの照射位置とレーザ光Ｌの照
射位置とを一致させた後、切替鏡12を取り外して、それ
ぞれのルミネッセンスを分光器15に導入し、検出器16で
その強度を測定する。
＜発明の効果＞ 以上説明したように、本発明のカソードルミネッセン
ス測定装置においてはルミネッセンス集光用の回転楕円
ミラーをレーザ光線の集光系としても共用し、電子線お
よびレーザ光線それぞれの発光点をモニタカメラで観測
する構造となっているために、電子線の照射位置とレー
ザ光線の照射位置を切替え鏡の調整だけで容易に一致さ
せることができる。よって、電子線照射で生ずるカソー
ドルミネッセンスとレーザ光線照射で生ずるフォトルミ
ネッセンスとを同一試料の同一点において測定すること
ができるという利点がある。尚、切替鏡12に代えてハー
フミラーを使用するようにしても良い。
ス測定装置においてはルミネッセンス集光用の回転楕円
ミラーをレーザ光線の集光系としても共用し、電子線お
よびレーザ光線それぞれの発光点をモニタカメラで観測
する構造となっているために、電子線の照射位置とレー
ザ光線の照射位置を切替え鏡の調整だけで容易に一致さ
せることができる。よって、電子線照射で生ずるカソー
ドルミネッセンスとレーザ光線照射で生ずるフォトルミ
ネッセンスとを同一試料の同一点において測定すること
ができるという利点がある。尚、切替鏡12に代えてハー
フミラーを使用するようにしても良い。
第１図は本発明の一実施例を示す説明図、第２図は移動
距離とフォトルミネッセンス強度の関係を示すグラフで
ある。 図面中、１は真空容器、２は排気系、３は電子銃、４は
電子線光学系、５は電子レンズ、６はxyzステージ、７
は試料、８は電子線偏向器、９は回転楕円ミラー、10は
光学用窓、12は切替鏡またはハーフミラー、13はモニタ
カメラ、14はディスプレイ、18はレーザ光線発生装置、
17は切替鏡、11はピンホール、15は分光器、16は検出
器、Ａは第１焦点、Ｂは第２焦点、Ｅは電子線、Ｌはレ
ーザ光である。
距離とフォトルミネッセンス強度の関係を示すグラフで
ある。 図面中、１は真空容器、２は排気系、３は電子銃、４は
電子線光学系、５は電子レンズ、６はxyzステージ、７
は試料、８は電子線偏向器、９は回転楕円ミラー、10は
光学用窓、12は切替鏡またはハーフミラー、13はモニタ
カメラ、14はディスプレイ、18はレーザ光線発生装置、
17は切替鏡、11はピンホール、15は分光器、16は検出
器、Ａは第１焦点、Ｂは第２焦点、Ｅは電子線、Ｌはレ
ーザ光である。
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭60−55250（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−155733（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−27640（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−284649（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−61938（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−195336（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−247141（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−122332（ＪＰ，Ａ) 特開 平１−235141（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】試料に電子線を照射し、この照射によって
生ずるルミネッセンスを測定する装置において、前記電
子線の照射位置を変位させる電子線偏向器と、前記ルミ
ネッセンスを焦光する回転楕円ミラーと、該回転楕円ミ
ラーの第１の焦点において前記試料３次元的に移動させ
る保持装置と、前記回転楕円ミラーの第２の焦点位置に
着脱自在に設置されるピンホールと、レーザ光の光源及
び該レーザ光を前記ピンホールへ導くミラーと、前記ピ
ンホール内の前記ルミネッセンスの像を撮影するモニタ
カメラと、該モニタカメラからの信号により前記ルミネ
ッセンスの像を表示するディスプレイと、前記モニタカ
メラへ前記ルミネッセンスの光路を切り替える光学素子
とからなることを特徴とするカソードルミネッセンス測
定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63060204A JP2602523B2 (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | カソードルミネッセンス測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63060204A JP2602523B2 (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | カソードルミネッセンス測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01235836A JPH01235836A (ja) | 1989-09-20 |
| JP2602523B2 true JP2602523B2 (ja) | 1997-04-23 |
Family
ID=13135386
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63060204A Expired - Fee Related JP2602523B2 (ja) | 1988-03-16 | 1988-03-16 | カソードルミネッセンス測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2602523B2 (ja) |
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-
1988
- 1988-03-16 JP JP63060204A patent/JP2602523B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01235836A (ja) | 1989-09-20 |
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