TW202414636A - 基板處理裝置及基板處理方法 - Google Patents

Abstract

[課題] 提供可以精度佳地檢測基板之保持狀態的技術。 [解決手段] 本揭示之一態樣所涉及的基板處理裝置具備基板保持部、光感測部和控制部。基板保持部係保持處理的基板並使旋轉。光感測器係對被保持於基板保持部且旋轉的基板照射光並接收反射光。控制部係控制各部。再者，控制部具有作成部和判定部。作成部係從光感測器對被保持於基板保持部且旋轉的基板照射光，取得基板旋轉之期間之反射光之強度變化而作成週期變動資料。判定部係根據週期變動資料，而判定被保持於基板保持部之基板之保持狀態是否正常。

Description

基板處理裝置及基板處理方法

揭示的實施型態係關於基板處理裝置及基板處理方法。

以往，一次一片處理半導體晶圓(以下，也稱為晶圓)等的基板的單片處理係在基板保持部保持基板之狀態下一面被旋轉一面被進行(參照專利文獻1)。 [先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1] 日本專利第5661022號公報

[發明所欲解決之課題]

本揭示係提供可以精度佳地檢測基板之保持狀態的技術。 [用以解決課題之手段]

本揭示之一態樣所涉及的基板處理裝置具備基板保持部、光感測部和控制部。基板保持部係保持處理的基板並使旋轉。光感測器係對被保持於上述基板保持部且旋轉的上述基板照射光並接收反射光。控制部係控制各部。再者，上述控制部具有作成部和判定部。作成部係從上述光感測器對被保持於上述基板保持部且旋轉的上述基板照射光，取得上述基板旋轉之期間之反射光之強度變化而作成週期變動資料。判定部係根據上述週期變動資料，而判定被保持於上述基板保持部之上述基板之保持狀態是否正常。 [發明之效果]

若藉由本揭示時，可以精度佳地檢測基板之保持狀態。

以下，參照附件圖面，詳細說明本案揭示的基板處理裝置及基板處理方法之實施型態。另外，並非藉由以下所示之實施型態限定本揭示者。再者，圖面為示意性的表示，需要注意各要素之尺寸的關係、各要素之比率等與實際不同之情況。而且，即使在圖面彼此之間，也含有彼此之尺寸的關係或比率不同之部分的情況。

以往，一次一片處理半導體晶圓(以下，也稱為晶圓)等的基板的單片處理係在基板保持部保持基板之狀態下一面被旋轉一面被進行。因此，當在基板不被充分保持之狀態進行基板處理時，則有基板處理不完全，或產生處理液朝腔室之內壁等飛散很多等之不良狀態之虞。

作為如此的保持狀態惡化之主要原因，可舉出保持夾具或插銷之零件不良或組裝不良、保持夾具或插銷之磨損或熱變形等所致的劣化、搬運臂位置之定心調整不良等。

於是，使用攝像手段而攝像保持的基板，藉由比較攝像畫像和基準畫像，檢測基板之保持狀態的技術眾所周知。另一方面，在該以往技術中，在精度佳地檢測基板之保持狀態之點有進一步改善的空間。

於是，期待可以克服上述問題點，可精度佳地檢測基板之保持狀態之技術的實現。

＜基板處理系統之概要＞ 首先，一面參照圖1，一面針對實施型態所涉及之基板處理系統1之概略構成進行說明。圖1係表示實施型態所涉及的基板處理系統1之概略構成的圖。如此的基板處理系統1係基板處理裝置之一例。在以下中，為了使位置關係明確，規定彼此正交之X軸、Y軸及Z軸，將Z軸正方向設為垂直向上方向。

如圖1所示般，基板處理系統1具備搬入搬出站2和處理站3。搬入搬出站2和處理站3被鄰接設置。

搬入搬出站2具備晶圓傳送盒載置部11和搬運部12。在晶圓傳送盒載置部11被載置以水平狀態收容複數片之基板，在實施型態中為半導體晶圓W(以下，稱為晶圓W)的複數晶圓傳送盒H。

搬運部12係與晶圓傳送盒載置部11鄰接而被設置，在內部具備基板搬運裝置13和收授部14。基板搬運裝置13具備保持晶圓W之晶圓保持機構。再者，基板搬運裝置13可朝水平方向及垂直方向移動以及以垂直軸為中心進行旋轉，使用晶圓保持機構而在晶圓傳送盒H和收授部14之間進行晶圓W之搬運。

處理站3係與搬運部12鄰接而被設置。處理站3具備搬運部15和複數處理單元16。複數處理單元16被並列設置在搬運部15之兩側。

搬運部15在內部具備基板搬運裝置17。基板搬運裝置17具備保持晶圓W之晶圓保持機構。再者，基板搬運裝置17可朝水平方向及垂直方向移動以及以垂直軸為中心進行旋轉，使用晶圓保持機構而在收授部14和處理單元16之間進行晶圓W之搬運。

處理單元16係對藉由基板搬運裝置17被搬運之晶圓W進行特定之基板處理。

再者，基板處理系統1具備控制裝置4。控制裝置4為例如電腦，具備控制部18和記憶部19。在記憶部19儲存控制在基板處理系統1中被實行之各種處理的程式。控制部18係藉由讀出並實行被記憶於記憶部19之程式，控制基板處理系統1之動作。

另外，如此之程式係被記錄於藉由電腦可讀取之記憶媒體者，即使為從其記憶媒體被安裝於控制裝置4之記憶部19者亦可。作為藉由電腦可讀取之記憶媒體，例如有硬碟(HD)、軟碟(FD)、光碟(CD)、磁光碟(MO)、記憶卡等。

如上述般構成的基板處理系統1中，首先，搬入搬出站2之基板搬運裝置13從被載置在晶圓傳送盒載置部11之晶圓傳送盒H取出晶圓W，將取出的晶圓W載置在收授部14。被載置在收授部14之晶圓W藉由處理站3之基板搬運裝置17從收授部14被取出，而被搬入至處理單元16。

被搬入至處理單元16之晶圓W藉由處理單元16被處理之後，藉由基板搬運裝置17從處理單元16被搬出，被載置在收授部14。而且，被載置在收授部14之處理完的晶圓W藉由基板搬運裝置13返回至晶圓傳送盒載置部11之晶圓傳送盒H。

＜處理單元之構成＞ 接著，針對實施型態所涉及之處理單元16之構成，一面參照圖2一面予以說明。圖2為表示處理單元16之具體構成之一例的模式圖。如圖2所示般，處理單元16具備腔室20、基板處理部30、液供給部40、回收杯50、光感測器60和攝像裝置70。

腔室20係收容基板處理部30、液供給部40、回收杯50、光感測器60和攝像裝置70。在腔室20之頂棚部設置有FFU(Fan Filter Unit)21。FFU21在腔室20內形成向下流。

基板處理部30具備基板保持部31、支柱部32和驅動部33，對被載置的晶圓W施予給定的基板處理。基板保持部31係水平地保持晶圓W。支柱部32係在垂直方向延伸之構件，基端部藉由驅動部33被支持成能夠旋轉，在前端部水平地支持基板保持部31。驅動部33係使支柱部32繞垂直軸旋轉。

如此之基板處理部30藉由使用驅動部33使支柱部32旋轉而使被支持於支柱部32之基板保持部31旋轉，依此使被保持於基板保持部31之晶圓W旋轉。

在基板處理部30具備的基板保持部31之上面，設置從側面保持晶圓W之保持構件31a。晶圓W在藉由如此之保持構件31a從基板保持部31之上面離開些許之狀態下被水平保持。另外，晶圓W係在使被進行基板處理的表面朝向上方之狀態被保持於基板保持部31。

另外，基板保持部31不限定於藉由保持構件31a保持基板之情況，例如即使藉由吸附晶圓W之下面，水平地保持如此的晶圓W亦可。而且，即使基板保持部31為靜電夾具等亦可。

液供給部40係對晶圓W供給處理流體。液供給部40具備噴嘴41a、41b、水平地支持如此的噴嘴41a、41b之機械臂42，和使機械臂42旋轉及升降之旋轉升降機構43。

噴嘴41a係經由閥體44a及流量調整器45a而被連接於處理液供給源46a。處理液供給源46a係貯留例如處理液的液槽。如此的處理液係被使用於例如晶圓W之液處理(例如，蝕刻處理或洗淨處理等)。

噴嘴41b經由閥體44b及流量調整器45b而被連接於DIW供給源46b。DIW供給源46b為貯留例如DIW (DeIonized Water：去離子水)的液槽。如此的DIW係被使用於例如晶圓W之沖洗處理。

另外，在圖2之例中，雖然表示針對液供給部40對晶圓W供給處理液及沖洗液(DIW)的例，但是本揭示不限定於如此的例，即使被構成對晶圓W供給其他的藥液亦可。

回收杯50被配置成包圍旋轉基板保持部31，補集藉由基板保持部31之旋轉而從晶圓W飛散之處理液。在回收杯50之底部形成排液口51，藉由回收杯50捕集到的處理液，從如此之排液口51被排出至處理單元16之外部。再者，在回收杯50之底部形成將從FFU21被供給之氣體排出至處理單元16之外部的排氣口52。

光感測器60係對被保持於基板保持部31且旋轉的晶圓W照射光，同時接受來自如此的晶圓W的反射光。光感測器60係例如被配置在晶圓W之周緣部之上方，對晶圓W之周緣部垂直向下照射光。而且，光感測器60係從晶圓W之周緣部接受反射的光，檢測該反射光的強度。

攝像裝置70係被配置在例如晶圓W之上方，攝像一面被保持於基板保持部31，一面藉由來自液供給部40之處理流體而被處理之晶圓W的樣子。

＜檢測處理之詳細＞ 接著，針對實施型態所涉及的檢測處理之詳細，一面參照圖3～圖6一面予以說明。圖3為表示實施型態所涉及之控制裝置4之構成之一例的方塊圖。如圖3所示般，控制裝置4具備控制部18和記憶部19。

再者，在控制裝置4連接上述基板處理部30、液供給部40、光感測器60和攝像裝置70。另外，即使控制裝置4除了圖3所示的功能部外，具有已知電腦所具有的各種功能部，例如各種輸入裝置或聲音輸出裝置等的功能部亦可。

記憶部19藉由例如RAM、快閃記憶體(Flash Memory)等之半導體記憶體元件、硬碟或光碟等之記憶裝置而被實現。記憶部19具有基準週期變動資料記憶部19a、攝像畫像記憶部19b和差量資料記憶部19c。針對該些記憶部的詳細如後述。再者，記憶部19係記憶在控制部18之各種處理所使用的資訊。

控制部18係通過藉由例如CPU、MPU(Micro Processing Unit)、GPU(Graphics Processing Unit)等，將RAM作為作業區域而實行被記憶於記憶部19之程式來實現。

再者，即使控制部18藉由例如ASIC (Application Specific Integrated Circuit)或FPGA(Field Programmable Gate Array)等之積體電路而被實現亦可。

控制部18具有作成部18a、算出部18b、判定部18c、異常對應部18d、預測部18e，實現或實行以下說明的控制處理之功能或作用。另外，控制部18之內部構成不限定於圖3所示的構成，若為進行之後說明的控制處理的構成時即使為其他構成亦可。

作成部18a係從光感測器60對被保持於基板保持部31且旋轉的晶圓W照射光，取得晶圓W旋轉之期間之反射光之強度變化而作成週期變動資料。針對如此的週期變動資料之詳細，一面參照圖4一面說明。

圖4為表示實施型態所涉及之週期變動資料之一例的圖。圖4所示般，實施型態所涉及之週期變動資料係以表示在晶圓W之1周全體(即是，旋轉角度為0(deg)～360(deg)之範圍)中之反射光之強度之推移的曲線來表示。

再者，在圖4中，也並列表示為了確認晶圓W之保持狀態，在以往進行的藉由量規的實測值。如此藉由量規的實測值係對被保持於基板保持部31之晶圓W之周緣部安裝量規，測定在如此周緣部之高度方向之位置，測定在晶圓W之1周全體中之高度位置之推移的資料。

以往，根據該藉由量規的實測值，判定晶圓W之保持狀態的良否。例如，在晶圓W中之周緣部之高度位置之變動非給定的範圍內之情況，可以判定為晶圓W之保持狀態差。

另一方面，在該方法中，因需要開放處理單元16，作業者在內部之晶圓W安裝量規進行作業，故非常耗時，在晶圓W之處理中無法測定。

於是，在實施型態中，使用被配置在處理單元16之內部的光感測器60，作成在晶圓W之1周全體中的反射光之強度變化的週期變動資料。而且，如圖4所示般，可看出在以往技術中之藉由量規的實測值，和本揭示之週期變動資料有很大的相關性。

再者，在本揭示中，藉由如此的週期變動資料，可以在晶圓W之1周全體精度佳地檢測藉由保持狀態之惡化產生的微小的晶圓W之撓曲。因為針對晶圓W撓曲傾斜之處，即使在撓曲量很小之情況，從晶圓W垂直向上被反射，射入至光感測器60之光的量變少之故。

另外，如圖4所示般，在週期變動資料及藉由量規的實測值，可看出3處值較低的區域，此係起因於如圖5所示般，晶圓W藉由3個保持構件31a被支持之時，被形成在晶圓W之3處凹陷Wa。圖5為用以說明實施型態所涉及之保持於基板保持部31之晶圓W之狀態的圖。

如此一來，在實施型態中，針對晶圓W之撓曲(在此，為凹陷Wa)之有無或狀態，可以將包含如此撓曲之位置資訊的資料作為週期變動資料而作成。

在實施型態中，以作成部18a控制基板處理部30，一面在1(rpm)～100(rpm)之範圍使晶圓W旋轉，一面以光感測器60測定在晶圓W之1周全體中之反射光之強度的推移為佳。依此，因可以減少由於過度加大旋轉數而產生的晶圓W之撓曲之影響，故可以做成精度佳之週期變動資料。

返回至圖3之說明。算出部18b係算出事先被記憶的基準週期變動資料，和作成部18a作成的週期變動資料的差量。該基準週期變動資料係在例如緊接著將基板保持部31返回至正常的狀態之後(例如，緊接著將基板保持部31更換為新品之後)，藉由作成部18a被作成的週期變動資料。

即是，在算出部18b被算出的基準週期變動資料和週期變動資料之差量，係表示正常狀態之基板保持部31，和在作成週期變動資料之時點的基板保持部31之保持狀態的不同。基準週期變動資料係被記憶於例如記憶部19之基準週期變動資料記憶部19a。

判定部18c係根據作成部18a作成的週期變動資料，判定保持於基板保持部31之晶圓W之保持狀態是否正常。例如，判定部18c係在基準週期變動資料和週期變動資料之差量為給定之範圍內之情況，判定為晶圓W之保持狀態為正常。

另一方面，判定部18c係在基準週期變動資料和週期變動資料之差量為非給定之範圍內之情況，判定為晶圓W之保持狀態為非正常。

如至此說明般，在實施型態中，根據週期變動資料，判定晶圓W之保持狀態之良否，依此可以精度佳地檢測晶圓W之保持狀態。

再者，在實施型態中，通過藉由基準週期變動資料和週期變動資料之差量，評估在正常狀態之基板保持部31和在測定時點的基板保持部31之保持狀態的不同，可以使複數處理單元16之每個的裝置間差包含在保持狀態之良否判定中。

因此，若藉由實施型態時，可以進一步精度佳地檢測晶圓W之保持狀態。

再者，在實施型態中，針對某晶圓W，將於進行基板處理之前被作成的週期變動資料，作為對同樣晶圓W進行基板處理之後算出部18b進行算出處理之時的基準週期變動資料來使用亦可。

依此，可以在如此的處理之後，立即檢測在進行給定的基板處理(例如，伴隨的急遽的溫度變化的處理)之當中發生的保持狀態之惡化。因此，若藉由實施型態時，可以進一步精度佳地檢測晶圓W之保持狀態。

另外，在此情況，針對某晶圓W，於進行基板保持之前被作成的週期變動資料，以作為如此的晶圓W之基準週期變動資料，被記憶於記憶部19之基準週期變動資料記憶部19a為佳。

異常對應部18d係在藉由判定部18c被判定為晶圓W之保持狀態非正常之情況，實行各種異常對應處理。

實施型態所涉及的異常對應處理係例如對作業者通報位於處理單元16內之晶圓W之保持狀態非正常之意旨。依此，作業者可以認知基板保持部31之異常狀態。

再者，即使實施型態所涉及的異常對應處理係例如使晶圓W暫時返回至基板搬運裝置17(參照圖1)，在基板保持部31重新保持亦可。依此，在保持狀態之異常為暫時性的情況，可以使成為對象之晶圓W之保持狀態返回至正常。

再者，即使異常對應部18d係在判定部18c判定基板處理後之晶圓W之保持狀態非正常之情況，保存如此的晶圓W之處理中的攝像畫像亦可。如此的攝像畫像為例如動畫，被保存在記憶部19之攝像畫像記憶部19b。

再者，在此情況，判定部18c係以將對成為對象之晶圓W進行基板處理之前被作成的週期變動資料，作為對同樣晶圓W進行基板處理之後算出部18b進行算出處理之時的基準週期變動資料為佳。

而且，即使異常對應部18d使如上述般被保存於攝像畫像記憶部19b之基板處理中之攝像畫像，和針對相同的晶圓W被通報異常狀態之意旨的日誌資訊建立對應。

如此一來，針對被判定為保持狀態非正常之晶圓W，藉由在記憶部19保存處理中之攝像畫像，作業者可以日後再藉由記憶不良狀況之詳細的攝像畫像來確認。再者，藉由基板處理中之攝像畫像和被通報異常狀態之意旨的日誌資訊建立對應，作業者可以簡便地確認異常時之攝像畫像。

上述算出部18b除了上述算出處理外，針對接著被搬入至處理單元16之複數晶圓W，分別算出基準週期變動資料和週期變動資料之差量，將如此的差量之最大值作為差量資料而予以算出。

在此情況，作為基準週期變動資料，使用在緊接著將基板保持部31返回至正常的狀態之後(例如，緊接著將基板保持部31更換為新品之後)，藉由作成部18a被作成的週期變動資料。而且，該差量資料係被記憶於記憶部19之差量資料記憶部19c，例如圖6般地被繪製。

圖6為表示實施型態所涉及之差量資料之一例的圖。如圖6所示般，實施型態所涉及之差量資料係例如橫軸為時間(例如，晶圓W之處理片數)，縱軸為在作為基準週期變動資料和週期變動資料之差量之最大值的XY空間，繪製複數晶圓W之資料。

預測部18e係根據圖6所示般之差量資料之歷時變化，預測基板保持部31之保持狀態。預測部18e係藉由例如直線回歸分析而預測基板保持部31之保持狀態。

例如，在圖6之例中，在至時間T0為止的期間，差量之最大值之時間經過回歸至差量之最大值=0的直線。即是，在圖6之例中，比起至期時間T0，緊接著將基板保持部31返回至正常狀態之後，在基板保持部31之保持狀態無明顯變化，推定為維持良好的保持狀態。

另一方面，時間T0之後，差量之最大值的時間經過回歸至具有傾斜的直線L。於是，預測部18e係當在作為如此的直線L，和被視為保持狀態維持良好之差量的最大值之上限值(或下限值)之交點的時間T2，保持狀態變成不正常時，則在時間T1之時點預測。

如此一來，在實施型態中，根據差量資料之歷時變化，可以精度佳地預測基板保持部31之保持狀態。因此，若藉由實施型態時，根據所取得的預測，作業者事前準備基板保持部31等的零件，可以計劃維修。

另外，在上述實施型態中，針對接著被搬入至處理單元16之複數晶圓W，分別算出基準週期變動資料和週期變動資料的差量，雖然針對算出如此的差量之最大值而作為差量資料的例予以表示，但本揭示不限定於如此的例。

例如，在本揭示中，針對接著被搬入至處理單元16之複數晶圓W，分別算出基準週期變動資料和週期變動資料之差量，亦可算出如此的差量之平均值而作為差量資料。

而且，即使預測部18e根據如此的差量資料之歷時變化，預測基板保持部31之保持狀態亦可。依此，也可以精度佳地預測基板保持部31之保持狀態。

再者，在圖6之例中，針對預測部18e藉由直線回歸分析預測基板保持部31之保持狀態的例予以表示，但是本揭示不限定於如此的例，即使使用各種分析法預測基板保持部31之保持狀態亦可。

實施型態所涉及之基板處理裝置(基板處理系統1)具備基板保持部31、光感測器60和控制部18。基板保持部31係保持處理的基板(晶圓W)並使旋轉。光感測器60係對被保持於基板保持部31且旋轉的基板(晶圓W)照射光並接收反射光。控制部18係控制各部。再者，控制部18具有作成部18a和判定部18c。作成部18a係從光感測器60對被保持於基板保持部31且旋轉的基板(晶圓W)照射光，取得基板(晶圓W)旋轉之期間之反射光之強度變化而作成週期變動資料。判定部18c係根據週期變動資料，判定保持於基板保持部31之基板(晶圓W)之保持狀態是否正常。 依此，可以精度佳地檢測晶圓W之保持狀態。

再者，在實施型態所涉及之基板處理裝置(基板處理系統1)中，控制部18進一步具有算出事先被記憶的基準週期變動資料，和作成部18a作成之週期變動資料之差量的算出部18b。再者，判定部18c係在差量為給定的範圍內之情況，判定為基板(晶圓W)之保持狀態為正常，差量非給定的範圍內之情況，判定為基板(晶圓W)之保持狀態非正常。依此，可以精度更佳地檢測晶圓W之保持狀態。

再者，在實施型態所涉及之基板處理裝置(基板處理系統1)中，基準週期變動資料係於被保持於基板保持部31之基板(晶圓W)被搬入之前，針對被保持在基板保持部之另外的基板而作成的週期變動資料。 依此，可以取得基板保持部31為正常之情況的基準週期變動資料。

再者，在實施型態所涉及之基板處理裝置(基板處理系統1)中，作成部18a係每次複數基板(晶圓W)一片一片地被搬入時，作成個別的週期變動資料。再者，算出部18b係算出複數基板(晶圓W)中之差量之最大值作為差量資料。再者，控制部18係進一步具有根據差量資料之歷時變化，預測基板保持部31之保持狀態的預測部18e。依此，也可以精度佳地預測基板保持部31之保持狀態。

再者，在實施型態所涉及之基板處理裝置(基板處理系統1)中，作成部18a係每次複數基板(晶圓W)一片一片地被搬入時，作成個別的週期變動資料。再者，算出部18b係算出複數基板(晶圓W)中之差量之平均值作為差量資料。再者，控制部18係進一步具有根據差量資料之歷時變化，預測基板保持部31之保持狀態的預測部18e。依此，也可以精度佳地預測基板保持部31之保持狀態。

再者，在實施型態所涉及之基板處理裝置(基板處理系統1)中，控制部18進一步具有判定部18c判定為基板(晶圓W)之保持狀態非正常之情況，實行異常對應處理的異常對應部18d。依此，作業者可以認知基板保持部31之異常狀態。

再者，實施型態所涉及之基板處理裝置(基板處理系統1)進一步具備攝像保持於基板保持部31之基板(晶圓W)的攝像裝置70。再者，作成部18a作成處理後之基板(晶圓W)之週期變動資料。再者，即使異常對應部18d係在判定部18c判定處理後之基板(晶圓W)之保持狀態非正常之情況，保存如此的基板之處理中的攝像畫像。依此，作業者可以日後再藉由記憶不良狀況之詳細的攝像畫像進行確認。

＜控制處理之順序＞ 接著，針對實施型態所涉及的控制處理之順序，一面參照圖7～圖9一面予以說明。圖7為表示實施型態所涉及之基板處理系統1實行的控制處理之順序之一例的流程圖。

在實施型態所涉及之控制處理中，首先，控制部18係以基板保持部31保持被搬入至處理單元16之晶圓W(步驟S101)。而且，控制部18實施檢測被保持於基板保持部31之晶圓W之保持狀態之異常的保持異常檢測處理(步驟S102)。針對如此的保持異常檢測處理之詳細於後述。

接著，控制部18實施檢測被保持於基板保持部31之晶圓W之保持狀態之歷時變化的歷時變化檢測處理(步驟S103)。針對如此的歷時變化檢測處理之詳細於後述。

接著，控制部18係進行使被保持於基板保持部31之晶圓W旋轉，一面對晶圓W供給處理液或沖洗液，而對晶圓W進行給定的處理(步驟S104)。

在如此的步驟S104之處理中，例如控制部18控制基板處理部30等，而以給定的旋轉數使晶圓W旋轉，控制液供給部40等，而對晶圓W上以給定的供給量供給處理液。

再者，控制部18係對處理液所致的液處理結束的晶圓W，實施DIW所致的沖洗處理。而且，控制部18係對沖洗處理結束的晶圓W，實施旋轉乾燥等所致的乾燥處理。

最後，控制部18實施檢測被保持於基板保持部31之晶圓W之保持狀態之異常的保持異常檢測處理(步驟S105)，結束一連串的控制處理。

圖8為表示實施型態所涉及之基板處理系統1實行的保持異常檢測處理之順序之一例的流程圖。

在該保持異常檢測處理中，首先，控制部18係一面以給定的旋轉數(例如，1(rpm)～100(rpm)之範圍)使晶圓W旋轉，一面以光感測器60測定如此的晶圓W之周緣部(步驟S201)。

接著，控制部18係根據以光感測器60的測定結果，作成晶圓W之週期變動資料(步驟S202)。而且，控制部18係算出事先被記憶的基準週期變動資料，和晶圓W之週期變動資料的差量(步驟S203)。

接著，控制部18係判定所算出之差量是否為給定的範圍內(步驟S204)。而且，差量為給定的範圍內之情況(步驟S204、Yes)，控制部18判斷為晶圓W之保持狀態為正常，結束一連串的保持異常檢測處理。

另一方面，在差量非給定的範圍內之情況(步驟S204，No)，控制部18係判斷為晶圓W之保持狀態非正常，實行各種的異常對應處理(步驟S205)。

接著，控制部18係判斷為保持狀態非正常之晶圓W，是否為實施給定的基板處理之後(步驟S206)。而且，在成為對象之晶圓W實施給定的基板處理之後之情況(步驟S206，Yes)，控制部18係將剛剛被實施的晶圓W之基板處理的攝像畫像保存在記憶部19(步驟S207)，結束一連串的保持異常檢測處理。

另一方面，在非成為對象之晶圓W實施給定的基板處理之後的情況(步驟S206，No)，結束一連串的保持異常檢測處理。

圖9為表示實施型態所涉及之基板處理系統1實行的歷時變化檢測處理之順序之一例的流程圖。

在該歷時變化檢測處理中，首先控制部18算出事先被記憶的基準週期變動資料，和在上述歷時變化檢測處理中被作成的週期變動資料之差量之最大值或平均值，作為差量資料(步驟S301)。

接著，控制部18係在圖6所示的XY空間繪製基準週期變動資料和週期變動資料之差量之最大值或平均值(步驟S302)。而且，控制部18係在複數晶圓W中之差量之最大值或平均值被繪製之XY空間，對差量資料之歷時變化進行直線回歸分析(步驟S303)。

接著，控制部18係判定在藉由直線回歸分析而被作成的直線之傾斜是否有顯著差異(步驟S304)。而且，在判定為藉由直線回歸分析被作成之直線的傾斜有顯著差異之情況(步驟S304、Yes)，控制部18預測差量之最大值或平均值偏離容許範圍的時序(步驟S305)。

並且，控制部18將預測到的偏離時序通知給作業者(步驟S306)，結束一連串的歷時變化檢測處理。另一方面，判定為藉由直線回歸分析而被作成的直線之傾斜有顯著差異之情況(步驟S304，No)，結束一連串的歷時變化檢測處理。

實施型態所涉及之基板處理方法包含保持的工程(步驟S101)、作成的工程(步驟S202)，和判定的工程(步驟S204)。保持的工程(步驟S101)係藉由基板保持部31而保持基板(晶圓W)。作成的工程(步驟S202)係在處理基板(晶圓W)之前及處理之後之至少一方中，作成周期變動資料。如此的週期變動資料係從照射光且接收反射光的光感測器60對被保持於基板保持部31且旋轉的基板(晶圓W)照射光，取得基板(晶圓W)旋轉之期間之反射光之強度變化而被作成。判定的工程(步驟S204)係根據週期變動資料，判定保持於基板保持部31之基板(晶圓W)之保持狀態是否正常。依此，可以精度佳地檢測晶圓W之保持狀態。

再者，實施型態所涉及之基板處理方法進一步包含算出的工程(步驟S203)。算出的工程(步驟S203)係算出事先被記憶的基準週期變動資料，和作成的工程(步驟S202)作成的週期變動資料的差量。再者，判定的工程(步驟S204)係在差量為給定的範圍內之情況，判定為基板(晶圓W)之保持狀態為正常，差量非給定的範圍內之情況，判定為基板(晶圓W)之保持狀態非正常。 依此，可以精度更佳地檢測晶圓W之保持狀態。

再者，在實施型態所涉及之基板處理方法中，基準週期變動資料係於被保持於基板保持部31之基板(晶圓W)被搬入之前，針對被保持在基板保持部31之另外的基板而作成的週期變動資料。 依此，可以取得基板保持部31為正常之情況的基準週期變動資料。

再者，在實施型態所涉及之基板處理方法中，作成的工程(步驟S202)係每次複數基板(晶圓W)一片一片地被搬入時，作成個別的週期變動資料。再者，算出的工程(步驟S203)係算出複數基板(晶圓W)中之差量之平均值作為差量資料。再者，實施型態所涉及的基板處理方法進一步包含根據差量資料之歷時變化，預測基板保持部31之保持狀態的工程(步驟S305)。依此，也可以精度佳地預測基板保持部31之保持狀態。

再者，實施型態所涉及之基板處理方法進一步包含判定的工程(步驟S204)判定為基板(晶圓W)之保持狀態非正常之情況，實行異常對應處理的工程(步驟S205)。依此，作業者可以認知基板保持部31之異常狀態。

以上，雖然針對本揭示的實施型態進行說明，但是本揭示並不限定於上述實施型態，只要不脫離其主旨之範圍，可以做各種變更。例如，在上述實施型態中，雖然針對在被設置於基板處理系統1之控制裝置4的記憶部19記憶基準週期變動資料或攝像畫像、差量資料等的例予以表示，但是本揭示不限定於此例。例如，在本揭示中，即使在以網路與控制裝置4連接的另外的記憶裝置記憶基準週期變動資料或攝像畫像、差量資料等亦可。

應理解成此次揭示的實施型態所有的點皆為例示，並非用以限制者。實際上，上述實施型態能夠以各種型態呈現。再者，即使上述實施型態在不脫離附件的申請專利範圍及其主旨的情況下，以各種型態進行省略、替換或變更亦可。

W:晶圓(基板之一例) 1:基板處理系統(基板處理裝置之一例) 4:控制裝置 16:處理單元 18:控制部 18a:作成部 18b:算出部 18c:判定部 18d:異常對應部 18e:預測部 19:記憶部 19a:基準週期變動資料記憶部 19b:攝像畫像記憶部 19c:差量資料記憶部 31:基板保持部 60:光感測器 70:攝像裝置

[圖1]係表示與實施型態有關之基板處理系統之概略構成的示意圖。 [圖2]為實施型態所涉及的處理單元之具體性構成之一例的示意圖。 [圖3]為表示實施型態所涉及的控制裝置之構成的方塊圖。 [圖4]為表示實施型態所涉及之週期變動資料之一例的圖。 [圖5]為用以說明實施型態所涉及之保持於基板保持部之晶圓之狀態的圖。 [圖6]為表示實施型態所涉及之差量資料之一例的圖。 [圖7]為表示實施型態所涉及之基板處理系統實行的控制處理之順序的流程圖。 [圖8]為表示實施型態所涉及之基板處理系統實行的保持異常檢測處理之順序的流程圖。 [圖9]為表示實施型態所涉及之基板處理系統實行的歷時變化檢測處理之順序的流程圖。

4:控制裝置

18:控制部

18a:作成部

18b:算出部

18c:判定部

18d:異常對應部

18e:預測部

19:記憶部

19a:基準週期變動資料記憶部

19b:攝像畫像記憶部

19c:差量資料記憶部

30:基板處理部

40:液供給部

60:光感測器

70:攝像裝置

Claims (12)

1. 一種基板處理裝置，具備： 基板保持部，其係保持處理的基板並使旋轉； 光感測器，其係對被保持於上述基板保持部且旋轉的上述基板照射光並接收反射光；及 控制部，其係控制各部， 上述控制部具有： 作成部，其係從上述光感測器對被保持於上述基板保持部且旋轉的上述基板照射光，取得上述基板旋轉之期間之反射光之強度變化而作成週期變動資料，和 判定部，其係根據上述週期變動資料，而判定被保持於上述基板保持部之上述基板之保持狀態是否正常。
2. 如請求項1所載之基板處理裝置，其中 上述控制部進一步具有算出部，其係算出事先被記憶的基準周期變動資料和上述作成部作成的上述週期變動資料之差量， 上述判定部係在上述差量為給定的範圍內之情況，判定為上述基板之保持狀態為正常，在上述差量非給定的範圍內之情況，判定為上述基板之保持狀態非正常。
3. 如請求項2所載之基板處理裝置，其中 上述基準周期變動資料係於被保持於上述基板保持部之上述基板被搬入之前，針對被保持於上述基板保持部之另外的基板而被作成的週期變動資料。
4. 如請求項2或3所載之基板處理裝置，其中 上述作成部係於每次複數上述基板一片一片地被搬入時，作成個別的上述周期變動資料， 上述算出部係算出複數上述基板中之上述差量之最大值作為差量資料， 上述控制部進一步具有預測部，其係根據上述差量資料之歷時變化，而預測上述基板保持部之保持狀態。
5. 如請求項2或3所載之基板處理裝置，其中 上述作成部係於每次複數上述基板一片一片地被搬入時，作成個別的上述周期變動資料， 上述算出部係算出複數上述基板中之上述差量之平均值作為差量資料， 上述控制部進一步具有預測部，其係根據上述差量資料之歷時變化，而預測上述基板保持部之保持狀態。
6. 如請求項1至3中之任一項所載之基板處理裝置，其中 上述控制部進一步具有異常對應部，其係上述判定部判定為上述基板之保持狀態非正常之情況，實行異常對應處理。
7. 如請求項6所載之基板處理裝置，其中 進一步具備攝像裝置，其係攝像被保持於上述基板保持部之上述基板， 上述作成部係作成處理後之上述基板之上述週期變動資料， 上述異常對應部係上述判定部判定為處理後之上述基板之保持狀態非正常之情況，保存該基板之處理中之攝像畫像。
8. 一種基板處理方法，包含： 藉由基板保持部保持基板之工程； 在處理上述基板之前及處理之後之至少一方，從照射光且接收光的光感測器，對被保持於上述基板保持部且旋轉的上述基板照射光，取得上述基板旋轉之期間之反射光之強度變化而作成週期變動資料的工程；及 根據上述週期變動資料，而判定被保持於上述基板保持部之上述基板之保持狀態是否正常的工程。
9. 如請求項8所載之基板處理方法，其中 進一步包含算出事先被記憶的基準週期變動資料和上述作成的工程作成的上述週期變動資料之差量的工程， 上述判定的工程係在上述差量為給定的範圍內之情況，判定為上述基板之保持狀態為正常，在上述差量非給定的範圍內之情況，判定為上述基板之保持狀態非正常。
10. 如請求項9所載之基板處理方法，其中 上述基準周期變動資料係於被保持於上述基板保持部之上述基板被搬入之前，針對被保持於上述基板保持部之另外的基板而被作成的週期變動資料。
11. 如請求項9或10所載之基板處理方法，其中 上述作成的工程係於每次複數上述基板一片一片地被搬入時，作成個別的上述周期變動資料， 上述算出的工程係算出複數上述基板中之上述差量之平均值作為差量資料， 進一步包含根據上述差量資料之歷時變化，而預測上述基板保持部之保持狀態的工程。
12. 如請求項9或10所載之基板處理方法，其中 進一步包含上述判定的工程判定為上述基板之保持狀態非正常之情況，實行異常對應處理的工程。

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