JP2000033320A

JP2000033320A - 塗布装置

Info

Publication number: JP2000033320A
Application number: JP10219800A
Authority: JP
Inventors: Yuji Fukuda; 雄二福田
Original assignee: Tokyo Electron Ltd
Current assignee: Tokyo Electron Ltd
Priority date: 1998-07-16
Filing date: 1998-07-16
Publication date: 2000-02-02

Abstract

(57)【要約】【課題】基板に対する処理液の供給量を最適化し、ド
ライパッチの発生を防止しつつ処理液の無駄をなくし、
かつ処理液を均一に塗布すること。【解決手段】現像液供給ノズル４０の底面（ウェハと
対向する面）には、複数の現像液吐出孔４０ａが設けら
れている。これら現像液吐出孔４０ａは、塗布時の速度
で回転するウェハ上の略中心に現像液を滴下した際に該
現像液がウェハ上を流れる流線上に沿って設けられてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体ウェ
ハに現像液を塗布するための塗布装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスの製造プロセスにおいて
は、半導体ウェハ（以下、「ウェハ」と称する。）等の
基板表面にレジストパターンを形成するためのフォトリ
ソグラフィ工程が行われている。

【０００３】このフォトリソグラフィ工程では、例えば
レジスト塗布処理工程や現像処理工程等のように、回転
するウェハに対して処理液、例えばレジスト液や現像液
を供給する処理工程が行われている。かかる工程におい
ては処理液をウェハに対して均一に塗布する必要があ
る。そのためにはウェハ上に処理液が塗布されない、い
わゆるドライパッチ（処理液が供給されない部分）を発
生させないことが重要である。

【０００４】従来から、このようなドライパッチの発生
を防止するために、ウェハ上への処理液の供給量をコン
トロールしている。すなわち、ドライパッチが発生しな
くなるまで処理液の供給量を増やしていき、ドライパッ
チが発生しなくなったところを最適点としている。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような処理液の供給量によってドライパッチの発生を防
止する技術では、処理液がウェハ表面から零れ落ちる量
がかなり多く、処理液が無駄になることが多く、しかも
処理液の供給過多に起因して処理液がウェハ上に均一に
塗布されない、という課題がある。

【０００６】本発明は上記のような課題を解決するため
になされたもので、基板に対する処理液の供給量を最適
化し、ドライパッチの発生を防止しつつ処理液の無駄を
なくし、かつ処理液を均一に塗布することができる塗布
装置を提供することを目的としている。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１記載に係る本発
明の塗布装置は、基板を保持しつつ回転する回転手段
と、前記回転手段により回転される基板上に処理液を塗
布するためのノズルであって、回転する基板上に処理液
を滴下した際に該処理液が基板上を流れる流線上に沿っ
て設けられた複数の吐出孔を有するノズルと、前記ノズ
ルの各吐出孔を介して基板上に処理液を供給する供給手
段とを具備するものである。この場合、請求項２に記載
したように、前記ノズルは塗布時の速度で回転する基板
上の略中心に処理液を滴下した際に該処理液が基板上を
流れる流線上に沿って設けられた複数の吐出孔を有する
ノズルであることがこのましい。

【０００８】本発明では、「例えば基板であるウェハ上
の処理液の回転角速度はウェハの回転角速度よりも小さ
く、一定である。」ことを前提とした「すべり流れ」を
ウェハ上の処理液の流線とみなしている。従って、ウェ
ハ上の処理液の流線は、次の数式１が成り立つ。

【０００９】

【数１】

【００１０】ここで、ｒ（ｔ）：処理液がウェハ上で外
周方向に流線したとき、スタートポイントからエンドポ
イントまでの直線距離ｒ０：処理液のスタートポイント（ウェハ中心からの直
線距離） ω：角速度（ｒｐｍ＊２π ｒｅｄ／ｓ）ｔ：時間

【００１１】ここで、処理液の流線の上記式に基づき、
ウェハ中心位置５ｍｍの位置Ｐに滴下された処理液の流
線を求めると、図５のようになる。図５ではウェハ上で
の処理液の滑り方を違えて（ウェハの回転数や処理液の
粘度など）４本の流線Ａ〜Ｄを求めている。

【００１２】本発明では、ノズルにこのような処理液の
流線上に沿って吐出孔が設けられている。そして、この
ような処理液の流線上に吐出孔を設けることで、基板に
対する処理液の供給量を最適化することができる。した
がってこれによって、ドライパッチの発生を防止しつつ
処理液の無駄をなくし、かつ処理液を均一に塗布するこ
とができる。

【００１３】ところで、平行平板におけるドライパッチ
限界条件を与える下記の理論式がＨａｒｔｌｙ−Ｍｕｒ
ｇａｔｒｏｙｄ、Ｂａｎｋｏｆｆから発表されている
（Ｈａｒｔｌｅｙ、Ｄ．Ｅ．＆Ｍｕｒｇａｔｒｏｙｄ、
Ｗ．：Ｃｒｉｔｅｒｉａｆｏｒｔｈｅｂｒｅａｋ
−ｕｐｏｆｔｈｉｎｌｉｑｕｉｄｌａｙｅｒｓ
ｆｌｏＷｉｎｇｉｓｏｔｈｅｒｍａｌｌｙｏｖｅｒ
ｓｏｌｉｄｓｕｒｆａｃｅｓ、Ｉｎｔ．Ｊ．Ｈｅｒ
ｔＭａｓｓＴｒａｎｓｆｅｒ、７（１９６４）、１
００３−１０１５より）。この理論によれば、ドライパ
ッチを発生させないためには、限界液膜厚以上の処理液
を基板上に供給する必要がある。

【００１４】

【数２】

【００１５】ここで、σ：液表面張力（処理液の個々の
状態により変化する。） θ：接触角（ウェハの汚れが関与する。） ρ：液密度（処理液の個々の状態により変化する。） μ：液粘度（処理液の個々の状態により変化する。）ｒ：半径（基板の回転中心からの距離） ω：角速度（基板が回転される際の角速度）

【００１６】請求項４に係る本発明の塗布装置は、請求
項２に記載の塗布装置にあって、前記各吐出孔の吐出角
度を前記基板の中心からの直径方向の距離に応じて異な
るようにしている。本発明では、限界液膜厚が上記の式
における半径ｒに依存することに着目し、吐出孔の吐出
角度を基板の中心からの直径方向の距離に応じて異なる
ようにすることで、基板の中心から直径方向の各位置に
おける処理液の実質的な供給量を各位置における限界液
膜厚をわずかに超えるように個々的に変え、基板に対す
る処理液の供給量を最適化している。

【００１７】請求項５に係る本発明の塗布装置は、請求
項２記載の塗布装置にあって、前記各吐出孔の口径を前
記基板の中心からの直径方向の距離に応じて異なるよう
にしている。本発明では、各吐出孔の口径を基板の中心
からの直径方向の距離に応じて異なるようにすること
で、基板の中心から直径方向の各位置における処理液の
実質的な供給量を各位置における限界液膜厚をわずかに
超えるように個々的に変え、基板に対する処理液の供給
量を最適化している。

【００１８】請求項４記載に係る本発明の塗布装置は、
請求項１記載の塗布装置にあって、前記各吐出孔間の距
離を前記基板の中心からの直径方向の距離に応じて異な
るようにしている。本発明では、各吐出孔間の距離を基
板の中心からの直径方向の距離に応じて異なるようにす
ることで、基板の中心から直径方向の各位置における処
理液の実質的な供給量を各位置における限界液膜厚をわ
ずかに超えるように個々的に変え、基板に対する処理液
の供給量を最適化している。

【００１９】請求項５記載に係る本発明の塗布装置は、
請求項１記載の塗布装置にあって、前記各吐出孔から吐
出される処理液の吐出速度を前記基板の中心からの直径
方向の距離に応じて異なるようにしている。本発明で
は、各吐出孔から吐出される処理液の吐出速度を基板の
中心からの直径方向の距離に応じて異なるようにするこ
とで、基板の中心から直径方向の各位置における処理液
の実質的な供給量を各位置における限界液膜厚をわずか
に超えるように個々的に変え、基板に対する処理液の供
給量を最適化している。また、本発明では、吐出速度を
可変とすることで、各位置における圧力を一定にでき、
処理液の均一塗布をより効果的に行うことができる。

【００２０】請求項６記載に係る本発明の塗布装置は、
請求項５記載の塗布装置にあって、前記供給手段が前記
各吐出孔にそれぞれ別個に接続された処理液供給用のポ
ンプを備えるものである。これにより、各位置における
吐出速度の制御が容易に実現できる。

【００２１】請求項７記載に係る本発明の塗布装置は、
請求項６記載の塗布装置であって、前記各ポンプを１ス
トロークで回転する基板のほぼ１周分に亙って処理液を
供給するように設定している。これにより、各位置にお
ける吐出速度の制御をより簡単化することができる。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の好ましい実施の形
態を図面に基づいて説明する。図１は本発明の一実施形
態に係る塗布現像処理装置の斜視図である。図１に示す
ように、塗布現像処理装置１の一端にはカセットステー
ション２が配置されており、このカセットステーション
２にはウェハＷを収容する複数個のカセット３が載置自
在である。そしてカセットステーション２上に載置され
たカセット３の正面側には、ウェハＷの搬送及び位置決
めを行うメイン搬送アーム４と、このメイン搬送アーム
４ヘウェハＷを搬送するための搬送機構５が配置されて
いる。さらに、メイン搬送アーム４の搬送路６の両側に
は、ウェハＷに対して所定の処理を施す各種の処理装置
が配置されている。

【００２３】即ち、カセット３から取り出されたウェハ
Ｗを洗浄するためのブラシスクラバ７、ウェハＷに対し
て高圧ジェット洗浄するための水洗洗浄装置８、ウェハ
Ｗの表面を疎水化処理するアドヒージョン装置９、ウェ
ハＷを所定温度に冷却する冷却処理装置１０、回転する
ウェハＷの表面にレジスト液を塗布するレジスト塗布装
置１１、１１、ウェハＷを所定温度に加熱する加熱処理
装置１２、ウェハＷ上のレジスト膜に所定のパターンを
露光する露光装置（図示せず）、さらにウェハＷに対し
て現像処理を施す現像処理装置２０、２０が配置されて
いる。

【００２４】図２は現像処理装置２０の正面図、図３は
その平面図である。図２に示すように、現像処理装置２
０の中心部には、駆動モータ２１によって水平に回転が
可能で、かつシリンダ（図示せず）の稼働によって上下
動可能に構成されたスピンチャック２２が配置されてい
る。このスピンチャック２２の上面では、真空吸着等に
よってウェハＷが水平状態で吸着保持されるように構成
されている。

【００２５】また現像処理装置２０には、スピンチャッ
ク２２の上部及び外周部を包囲するようにして環状に形
成されたがカップ２５が配置されている。このカップ２
５は現像液や洗浄液等のリンス液の飛散を防止するため
に設けられており、例えば樹脂または金属から形成され
ている。カップ２５の上方部は上に行くほど狭くなるよ
うに内側に傾斜が設けられており、カップ２５の上端に
は開口部２６が形成されている。またカップ２５の内部
にはウェハＷを処理する処理室２７が形成されている。
そして上記開口部２６の直径は、水平にしたウェハＷを
そのまま下降させても処理室２７内に収納できる程度の
大きさに設定されている。

【００２６】カップ２５の底面２８には傾斜が設けられ
ており、底面２８の最下部には排液配管２９が備えられ
ている。そして、スピンチャック２２を挟んで排液配管
２９の反対側には、カップ２５の処理室２７内を排気す
るための排気配管３０が設けられている。この底面２８
にはウェハＷよりも小さな直径の環状壁３１が立設され
ており、環状壁３１の上端にはウェハＷの裏面に近接す
る整流板３２が設けられている。整流板３２の周辺部は
外側に向かって下方に傾斜するように構成されている。

【００２７】さらに、カップ２５の側方には洗浄液供給
源３５が備えられており、スピンチャック２２を挟んで
洗浄液供給源３５の反対側には現像液供給源３６が備え
られている。

【００２８】洗浄液供給源３５には、図３に示すよう
に、ウェハＷに純水等の洗浄液を吐出させる洗浄液供給
ノズル３７が適宜の供給管（図示せず）を介して接続さ
れている。また、現像液供給源３６には供給管３８を介
して、ウェハＷに現像液を吐出させる現像液供給ノズル
４０が接続されている。

【００２９】カップ２５の前方には洗浄液供給ノズル３
７及び現像液供給ノズル４０を把持する把持アーム４１
が設けられており、把持アーム４１は搬送レール４２上
を自在に移動することができるように構成されている。
従って、スピンチャック２２に吸着保持されたウェハＷ
に対して、洗浄液供給ノズル３７及び現像液供給ノズル
４０は把持アーム４１を介して同図の往復矢印で示す方
向に沿って自在に移動することができる。

【００３０】さらに、この現像処理装置２０にはスピン
チャック２２に吸着保持されたウェハＷの下側に、ウェ
ハＷの裏面に対して洗浄水を噴出するための洗浄水噴射
ノズル４３、４３が備えられている。洗浄水噴射ノズル
４３、４３には洗浄水供給管４４、４４を介して洗浄水
源４５からの洗浄水を供給できるように構成されてい
る。また、上述した駆動モータ２１、洗浄液供給源３
５、現像液供給源３６、洗浄水源４５はいずれも制御部
４６に接続されており、制御部４６によって所定の操作
が行われるように構成されている。

【００３１】図４は現像液供給ノズル４０の底面図であ
る。図４に示すように、現像液供給ノズル４０の底面
（ウェハと対向する面）には、複数の現像液吐出孔４０
ａが設けられている。これら現像液吐出孔４０ａは、塗
布時の速度で回転するウェハ上の略中心に現像液を滴下
した際に該現像液がウェハ上を流れる流線上に沿って設
けられている。このような流線は、図５に示したよう
に、例えば現像液の粘度やウェハＷの回転状況によって
流線A〜Dのように異なったものとなるが、そのような流
線の中から条件に合致したものを選択する。

【００３２】ここで、図６に示すように、現像液供給ノ
ズル４０のウェハ中心付近に対応する領域を第１の領域
Ｒ１、現像液供給ノズル４０のウェハ中心と外周のほぼ
中間点付近に対応する領域を第２の領域Ｒ２、現像液供
給ノズル４０のウェハ外周付近に対応する領域を第３の
領域Ｒ３とし、現像液供給ノズル４０の中心線Ｓとし、
各領域における複数の現像液吐出孔４０ａが設けらた方
向Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３とし、ウェハＷの回転方向（図中時
計回り方向）をプラス回転方向すると、Ｓと各Ｄ１，Ｄ
２，Ｄ３とのなす角度θ１、θ２、θ３は、 θ１＝−９０゜〜−４５゜ θ２＝−６０゜〜＋１０゜ θ３＝−３０゜〜＋６０゜となる。より好ましくは、 θ１＝−６０゜ θ２＝−１０゜ θ３＝＋３０゜となる。

【００３３】このように本実施の形態によれば、現像液
の流線上に沿って現像液吐出孔４０ａを設けることで、
ドライパッチに対して効果的にこれを解消する特殊な水
流を発生させることが可能になる。これにより、ウェハ
Ｗに対する現像液の供給量を最適化することができるの
で、ドライパッチの発生を防止しつつ現像液の無駄をな
くし、かつ現像液を均一に塗布することができるように
なる。

【００３４】次に、本発明の第２の実施形態を説明す
る。図７はこの第２の実施形態に係る現像液供給ノズル
の底面図である。この実施の形態では、図７に示すよう
に、現像液供給ノズル４０の各現像液吐出孔４０ａの吐
出角度θａをウェハＷの中心からの直径方向の距離に応
じて異なるようにしている。

【００３５】ここで、現像液供給ノズル４０のウェハ中
心付近に対応する領域を第１の領域Ｒ１、現像液供給ノ
ズル４０のウェハ中心と外周のほぼ中間点付近に対応す
る領域を第２の領域Ｒ２、現像液供給ノズル４０のウェ
ハ外周付近に対応する領域を第３の領域Ｒ３とし、現像
液供給ノズル４０の中心線Ｓとし、ウェハＷの回転方向
（図中時計回り方向）をプラス回転方向すると、各領域
における吐出角度θａ１、θａ２、θａ３は、 θａ１＝６０゜〜９０゜ θａ２＝８０゜〜１５０゜ θａ３＝１３０゜〜２００゜となる。より好ましくは、 θａ１＝７５゜ θａ２＝１１０゜ θａ３＝１７０゜となる。

【００３６】このように本実施の形態によれば、各現像
液吐出孔４０ａの吐出角度θａを適応的に変えること
で、ウェハＷの中心から直径方向の各位置における現像
液の実質的な供給量を各位置における限界液膜厚をわず
かに超えるように個々的に変えることができる。これに
より、ドライパッチの発生を防止しつつ現像液の無駄を
なくし、かつ現像液を均一に塗布することができるよう
になる。

【００３７】次に、本発明の第３の実施形態を説明す
る。図８はこの第３の実施形態に係る現像液供給ノズル
の底面図である。この実施の形態では、図８に示すよう
に、現像液供給ノズル４０の各現像液吐出孔４０ａの口
径ｄをウェハＷの中心からの直径方向の距離に応じて異
なるようにしている。

【００３８】ここで、現像液供給ノズル４０のウェハ中
心付近に対応する領域を第１の領域Ｒ１、現像液供給ノ
ズル４０のウェハ中心と外周のほぼ中間点付近に対応す
る領域を第２の領域Ｒ２、現像液供給ノズル４０のウェ
ハ外周付近に対応する領域を第３の領域Ｒ３とすると、
ウェハＷ周辺部は中心部に比べて現像面積が大きいた
め、各領域における口径ｄ１、ｄ２、ｄ３は、ｄ３を基
準とすると、ｄ１＝１／３×ｄ３〜１／４×ｄ３ｄ２＝１／２×ｄ３〜２／３×ｄ３となる。より好ましくは、ｄ３を１とすると、ｄ１＝０．３ｄ２＝０．６となる。

【００３９】このように本実施の形態によれば、各現像
液吐出孔４０ａの口径ｄをウェハＷの中心からの直径方
向の距離に応じて異なるようにすることで、ウェハＷの
中心から直径方向の各位置における現像液の実質的な供
給量を各位置における限界液膜厚をわずかに超えるよう
に個々的に変えることができる。これにより、ドライパ
ッチの発生を防止しつつ現像液の無駄をなくし、かつ現
像液を均一に塗布することができるようになる。

【００４０】次に、本発明の第４の実施形態を説明す
る。図９はこの第４の実施形態に係る現像液供給ノズル
の底面図である。この実施の形態では、図９に示すよう
に、現像液供給ノズル４０の各現像液吐出孔４０ａ間の
距離ＩをウェハＷの中心からの直径方向の距離に応じて
異なるようにしている。

【００４１】ここで、現像液供給ノズル４０のウェハ中
心付近に対応する領域を第１の領域Ｒ１、現像液供給ノ
ズル４０のウェハ中心と外周のほぼ中間点付近に対応す
る領域を第２の領域Ｒ２、現像液供給ノズル４０のウェ
ハ外周付近に対応する領域を第３の領域Ｒ３とすると、
各領域における各現像液吐出孔４０ａ間の距離Ｉ１、Ｉ
２、Ｉ３は、ウェハＷ周辺部が中心部に比べて現像面積
が大きいため、Ｉ３を基準とすると、Ｉ１＝１／３×Ｉ３〜１／４×Ｉ３Ｉ２＝１／２×Ｉ３〜２／３×Ｉ３となる。より好ましくは、Ｉ３を１とすると、Ｉ１＝０．３Ｉ２＝０．６となる。

【００４２】このように本実施の形態によれば、各現像
液吐出孔４０ａ間の距離ＩをウェハＷの中心からの直径
方向の距離に応じて異なるようにすることで、ウェハＷ
の中心から直径方向の各位置における現像液の実質的な
供給量を各位置における限界液膜厚をわずかに超えるよ
うに個々的に変えることができる。これにより、ドライ
パッチの発生を防止しつつ現像液の無駄をなくし、かつ
現像液を均一に塗布することができるようになる。

【００４３】次に、本発明の第５の実施形態を説明す
る。この第５の実施形態では、現像液の吐出速度（ウェ
ハＷに対する現像液の吐出圧）及び吐出量を制御してい
る。なお、以下の説明において、これまでの説明と略同
一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符
号を付することによって重複説明を省略する。

【００４４】この実施形態に係る現像処理装置５０で
は、図１０に示すように、ウェハＷに対して現像液を吐
出する例えばn個の現像液吐出孔N１〜Nｎが現像液供給
ノズル５５に設けられている。現像液供給ノズル５５
は、例えば図４に示したものと同様の現像液吐出孔N１
〜Nｎを有する。各現像液吐出孔N１〜Nｎは現像液供給
源３６と供給管５６を介して接続されており、供給管５
６の先端はｎ個に分岐した分岐部５７を有している。そ
して、この分岐部５７には各現像液吐出孔N１〜Nｎに対
応するように合計n個のポンプＰ１〜Ｐｎが備えられて
いる。

【００４５】さらに分岐部５７の手前側には、供給管５
６内を流れる現像液の温度を検出するための温度センサ
６０が備えられている。さらに現像液供給源３６側の供
給管５６上には、この現像液の温度を調整するサーモモ
ジュール６１が備えられている。そして、合計ｎ個の各
ポンプP１〜Pｎ、温度センサ６０、サーモモジュール６
１は、いずれも制御装置４６によって制御されている。

【００４６】例えば、各現像液吐出孔N１〜Nｎから吐出
された現像液は温度センサ６０によって温度が検出され
ると共に、現像液の検出温度が所定温度からずれた場合
にはこの情報が制御部４６に対して伝達される。そして
制御部４６はサーモモジュール６１を制御して供給管５
６内の現像液の温度を所定の温度に管理する。

【００４７】また、各ポンプP１〜Pｎの稼働も制御部４
６によって制御されているために、各現像液吐出孔N１
〜NｎからウェハＷ上に吐出される現像液の吐出速度を
調整することが可能となる。従って、ウェハＷの中心か
ら直径方向の各位置における現像液の実質的な供給量を
各位置における限界液膜厚をわずかに超えるように個々
的に変えることができるだけでなく、ウェハＷ上の個々
の箇所に対して好適な吐出圧に調整された現像液を供給
することができる。よって、ドライパッチの発生を防止
するためにウェハＷに供給する現像液の吐出圧を一律に
高い吐出圧に設定することがなくなるため、吐出された
現像液によって、微細なパターンが露光されたウェハＷ
表面を傷付けることがない。

【００４８】なお、上記の各ポンプP１〜Pｎを１ストロ
ークで回転するウェハＷのほぼ１周分に亙って現像液を
供給するように設定すれば、各位置における吐出速度の
制御をより簡単化することができる。

【００４９】また、上述の実施形態では、現像液供給ノ
ズルの実質的な長さをウェハＷのほぼ直径に相当するも
のであったが、現像液供給ノズルの実質的な長さをウェ
ハＷのほぼ半径に相当するものとしてもよい。この場
合、ウェハＷを１回転することで、ウェハＷの全面に亙
って現像液を供給することが可能となる。

【００５０】さらに、上述の実施形態では、基板にはウ
ェハＷを用いた例を挙げて説明したが、本発明は係る例
に限定されず、LCD基板を使用する例についても適用が
可能である。また、現像液に限らず、レジスト液等の他
の処理液であっても本発明を適用可能である。

【００５１】

【発明の効果】以上説明したように、請求項１記載の本
発明によれば、基板上に処理液を塗布するためのノズル
を、塗布時の速度で回転する基板上の略中心に処理液を
滴下した際に該処理液が基板上を流れる流線上に沿って
設けられた複数の吐出孔を有するように構成したので、
基板に対する処理液の供給量を最適化することができ、
ドライパッチの発生を防止しつつ処理液の無駄をなく
し、かつ処理液を均一に塗布することができる。

【００５２】請求項２記載の発明によれば、各吐出孔の
吐出角度を基板の中心からの直径方向の距離に応じて異
なるように構成したので、基板の中心から直径方向の各
位置における処理液の実質的な供給量を各位置における
限界液膜厚をわずかに超えるように個々的に変えること
ができ、基板に対する処理液の供給量を最適化すること
ができる。

【００５３】請求項３記載の発明によれば、各吐出孔の
口径を基板の中心からの直径方向の距離に応じて異なる
ように構成したので、基板の中心から直径方向の各位置
における処理液の実質的な供給量を各位置における限界
液膜厚をわずかに超えるように個々的に変えることがで
き、基板に対する処理液の供給量を最適化することがで
きる。

【００５４】請求項４記載の発明によれば、各吐出孔間
の距離を基板の中心からの直径方向の距離に応じて異な
るように構成したので、基板の中心から直径方向の各位
置における処理液の実質的な供給量を各位置における限
界液膜厚をわずかに超えるように個々的に変えることが
でき、基板に対する処理液の供給量を最適化することが
できる。

【００５５】請求項５記載の発明によれば、各吐出孔か
ら吐出される処理液の吐出速度を基板の中心からの直径
方向の距離に応じて異なるように構成したので、基板の
中心から直径方向の各位置における処理液の実質的な供
給量を各位置における限界液膜厚をわずかに超えるよう
に個々的に変えることができ、基板に対する処理液の供
給量を最適化することがきでると共に、吐出速度を可変
とすることで、各位置における圧力を一定にでき、処理
液の均一塗布をより効果的に行うことができる。

【００５６】請求項６記載の発明によれば、供給手段が
各吐出孔にそれぞれ別個に接続された処理液供給用のポ
ンプを備えるように構成したので、各位置における吐出
速度の制御が容易に実現できる。

【００５７】請求項７記載の発明によれば、各ポンプを
１ストロークで回転する基板のほぼ１周分に渡って処理
液を供給するように設定したので、各位置における吐出
速度の制御をより簡単に行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る塗布現像処理装置の
斜視図である。

【図２】図１に示した塗布現像処理装置における現像処
理装置の正面図である。

【図３】図２に示した現像処理装置の平面図である。

【図４】図２〜図３に示した現像処理装置における現像
液供給ノズルの底面図である。

【図５】本発明に係る処理液の流線の例を示す図であ
る。

【図６】図４に示した現像液供給ノズルにおける現像液
吐出孔を詳細に示す底面図である。

【図７】第２の実施形態に係る現像液供給ノズルにおけ
る現像液吐出孔を詳細に示す底面図である。

【図８】第３の実施形態に係る現像液供給ノズルにおけ
る現像液吐出孔を詳細に示す底面図である。

【図９】第４の実施形態に係る現像液供給ノズルにおけ
る現像液吐出孔を詳細に示す底面図である。

【図１０】第５の実施形態に係る塗布現像処理装置にお
ける現像処理装置の正面図である。

【符号の説明】

１塗布現像処理装置２０現像処理装置２１駆動モータ２２スピンチャック３６現像液供給源４０現像液供給ノズル４０ａ現像液吐出孔ＷウェハＰ１〜Ｐｎポンプ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板を保持しつつ回転する回転手段と、前記回転手段により回転される基板上に処理液を塗布す
るためのノズルであって、回転する基板上に処理液を滴
下した際に該処理液が基板上を流れる流線上に沿って設
けられた複数の吐出孔を有するノズルと、前記ノズルの各吐出孔を介して基板上に処理液を供給す
る供給手段とを具備することを特徴とする塗布装置。
【請求項２】請求項１に記載の塗布装置であって、前記ノズルは塗布時の速度で回転する基板上の略中心に
処理液を滴下した際に該処理液が基板上を流れる流線上
に沿って設けられた複数の吐出孔を有するノズルである
ことを特徴とする、塗布装置。
【請求項３】請求項２に記載の塗布装置であって、前記各吐出孔の吐出角度が、前記基板の中心からの直径
方向の距離に応じて異なるようにされていることを特徴
とする、塗布装置。
【請求項４】請求項２に記載の塗布装置であって、前記各吐出孔の口径が、前記基板の中心からの直径方向
の距離に応じて異なるようにされていることを特徴とす
る、塗布装置。
【請求項５】請求項２に記載の塗布装置であって、前記各吐出孔間の距離が、前記基板の中心からの直径方
向の距離に応じて異なるようにされていることを特徴と
する、塗布装置。
【請求項６】請求項２に記載の塗布装置であって、前記各吐出孔から吐出される処理液の吐出速度が、前記
基板の中心からの直径方向の距離に応じて異なるように
されていることを特徴とする、塗布装置。
【請求項７】請求項６に記載の塗布装置であって、前記供給手段が、前記各吐出孔にそれぞれ別個に接続さ
れた処理液供給用のポンプを備えることを特徴とする、
塗布装置。
【請求項８】請求項７に記載の塗布装置であって、前記各ポンプが、１ストロークで回転する基板のほぼ１
周分に亙って処理液を供給するように設定されているこ
とを特徴とする、塗布装置。